JP2017168726A - 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の基板処理装置について説明する。本実施形態の基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハ(以下「ウエハ」という。)が垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚保持された基板保持具を収容可能であり、複数枚のウエハに対して同時に成膜処理を行うことが可能な装置である。
本実施形態の制御装置100について、図2に基づき説明する。図2は、本実施形態の制御装置の一例を示す概略構成図である。
102 モデル記憶部
104 レシピ記憶部
105 個体差情報記憶部
106 ROM
108 RAM
110 I/Oポート
112 CPU
114 バス
116 操作パネル
200 膜厚測定器
W ウエハ
Claims (6)
- 基板に所定の膜を成膜する基板処理装置の動作及び前記所定の膜の特性を測定する複数の測定装置の動作を制御する制御装置であって、
前記複数の測定装置のそれぞれに割り当てられる前記測定装置を特定する情報と前記測定装置の個体差との関係を表す個体差情報を記憶する個体差情報記憶部と、
前記所定の膜の特性の測定を行った前記測定装置を特定する情報と、前記個体差情報記憶部に記憶された前記個体差情報と、に基づいて、前記測定装置により測定された前記所定の膜の特性の測定値を補正する制御部と、
を有する、制御装置。 - 前記所定の膜を成膜する条件が前記所定の膜の特性に与える影響を表すプロセスモデルを記憶するモデル記憶部を更に有し、
前記制御部は、補正された前記測定値と、前記モデル記憶部に記憶された前記プロセスモデルと、に基づいて、前記所定の膜を成膜する条件を算出する、
請求項1に記載の制御装置。 - 前記所定の膜の特性は、膜厚であり、
前記制御部は、前記基板に成膜する前記所定の膜の目標膜厚に基づいて、前記測定装置により測定される前記所定の膜の特性の測定値を補正するか否かを判定する、
請求項1又は2に記載の制御装置。 - 基板に所定の膜を成膜する基板処理装置と、
前記所定の膜の特性を測定する複数の測定装置と、
前記基板処理装置の動作及び前記複数の測定装置の動作を制御する制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
前記複数の測定装置のそれぞれに割り当てられる前記測定装置を特定する情報と前記測定装置の個体差との関係を表す個体差情報を記憶する個体差情報記憶部と、
前記所定の膜の特性の測定を行った前記測定装置を特定する情報と、前記個体差情報記憶部に記憶された前記個体差情報と、に基づいて、前記測定装置により測定された前記所定の膜の特性の測定値を補正する制御部と、
を有する、基板処理システム。 - 基板に所定の膜を成膜するステップと、
前記所定の膜の特性を測定するステップと、
前記所定の膜の特性の測定を行った測定装置を特定する情報と、前記測定装置を特定する情報と前記測定装置の個体差との関係を表す個体差情報と、に基づいて、前記測定装置により測定された前記所定の膜の特性の測定値を補正するステップと、
を有する、基板処理方法。 - 請求項5に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させる、プログラム。
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