JP2017168580A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上述した実施形態においては、n型半導体層10の表面の第1導電層20及び金属膜22を残す構成としたが、これらの導電層20、22を剥離することも可能である。
Claims (7)
- n型半導体層と、
前記n型半導体層と隣接する、p型半導体層と、
第1金属を含み、前記n型半導体層の表面に設けられた、第1導電層と、
前記第1金属のシリサイド形成温度よりも低いシリサイド形成温度を有する第2金属とシリコンとを含み、前記p型半導体層の表面に設けられた、第2導電層と、
を備える半導体装置。 - 前記第1金属は、Co又はRuを主体とする金属である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2金属は、Ni、Pb、又は、Ptを主体とする金属である、請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記n型半導体層と、前記p型半導体層は、基板上の同一トレンチ内に形成されている、請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
- n型半導体層の表面に、選択的に、第1金属を用いて第1導電層を形成し、
前記n型半導体層に隣接するp型半導体層の表面の少なくとも一部に、前記第1金属のシリサイド形成温度よりも低いシリサイド形成温度を有する第2金属を用いて金属膜を形成し、
前記p型半導体層に、前記p型半導体層の表面に形成された前記金属膜と前記p型半導体層により形成されるシリサイドを含む、第2導電層を形成すること、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電層を形成する際に、前記n型半導体層の表面に、無電解めっきにより選択的に第1導電層を形成する、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記n型半導体層の表面に形成された前記第1導電層を剥離するステップをさらに備える、請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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