JP2017164767A - レーザー加工方法および光導波路の製造方法 - Google Patents

レーザー加工方法および光導波路の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】部分的に深さが異なる立体的な形状を加工する際に高い精度で容易に加工することができるレーザー加工方法、および、反射損失の少ないミラーとなり得る傾斜面を備える光導波路を効率よく製造可能な光導波路の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のレーザー加工方法は、光導波路用部材100’(被加工物)に対してレーザーLS’を照射しつつ、光導波路用部材100’に対してレーザーLS’を相対的に移動させる第1の工程と、レーザーLS’のエネルギーにより、光導波路用部材100’を加工する第2の工程と、を有し、レーザーLS’を相対的に移動させる途中で移動における単位時間当たりの移動量を変えることにより、第2の工程における光導波路用部材100’の加工形状を調整することを特徴とする。【選択図】図4

Description

本発明は、レーザー加工方法および光導波路の製造方法に関するものである。
レーザーを照射することにより被加工物を加工するレーザー加工法は、非接触加工法であり、被加工物に過剰な外力が加わらないので、加工歪みが生じ易い材料や薄肉のものに対しても高精度の加工を施すことができるという特長を有している。また、機械加工の困難な材料に対しても加工することができる場合があり、その点でも有用である。
レーザー加工では、レーザー発振器で発生させたレーザーをマスクやレンズ等の光学系を介して成形し、それを被加工物に照射して材料を気化させることにより、任意の加工痕を形成する。
例えば特許文献1には、エキシマーレーザーを用いて、光導波路に斜め45度の傾斜面を加工し、これを光反射用の鏡面(ミラー)として用いることが開示されている。
特開2002−169042号公報
ところが、このようなレーザー加工においては、被加工物の表面を平面的に(2次元で)加工するだけでなく、加工深さを部分的に異ならせることにより立体的に(3次元で)加工することもできる。
しかしながら、このような立体的な加工においては、従来の方法では、加工面の形状を高い精度で制御することが難しいことがわかってきた。
本発明の目的は、部分的に深さが異なる立体的な形状を加工する際に高い精度で容易に加工することができるレーザー加工方法、および、反射損失の少ないミラーとなり得る傾斜面を備える光導波路を効率よく製造可能な光導波路の製造方法を提供することにある。
このような目的は、下記(1)〜(5)の本発明により達成される。
(1) 被加工物に対してレーザーを照射しつつ、前記被加工物に対して前記レーザーを相対的に移動させる第1の工程と、
前記レーザーのエネルギーにより、前記被加工物を加工する第2の工程と、
を有し、
前記レーザーを相対的に移動させる途中で前記移動における単位時間当たりの移動量を変えることにより、前記第2の工程における前記被加工物の加工形状を調整することを特徴とするレーザー加工方法。
(2) 前記レーザーとしてパルスレーザーを用い、
前記パルスレーザーの照射に同期して、前記パルスレーザーを相対的に移動させる上記(1)に記載のレーザー加工方法。
(3) 前記第1の工程は、前記レーザーの相対的な移動と前記レーザーの照射とを交互に繰り返しながら前記レーザーを相対的に移動させる工程であり、
前記照射の領域同士が一部で重なるように前記レーザーの相対的な移動量が設定されている上記(1)または(2)に記載のレーザー加工方法。
(4) コア部を含むコア層と、前記コア層の一方の面側に設けられたクラッド層と、を備える積層体を用意する工程と、
上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のレーザー加工方法により、前記コア部の途中または延長線上の位置を加工し、前記積層体の表面に対して傾斜する傾斜面を形成する工程と、
を有することを特徴とする光導波路の製造方法。
(5) 前記傾斜面は、前記コア部の光路を変換するミラーとして機能する上記(4)に記載の光導波路の製造方法。
本発明によれば、被加工物にレーザー加工を施し、部分的に深さが異なる立体的な形状を加工する際に高い精度で容易に加工することができる。
また、本発明によれば、反射損失の少ないミラーとなり得る傾斜面を備える光導波路を効率よく製造することができる。
本発明のレーザー加工方法により製造される物の一例としての光導波路を示す(一部透過して示す)斜視図である。 図1に示す光導波路を示す断面図である。 凹部を形成することによって図1に示す光導波路を形成可能な光導波路用部材を示す斜視図である。 本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための斜視図である。 本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための断面図である。 本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための断面図である。 本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための断面図である。 図5〜7における移動量L1〜L4が全て同じで「L0」であるとき、深さdに対する移動量L0の比L0/dと傾斜角度θとの関係を示す図である。 レーザーのエネルギー量を一定にした状態で、レーザーを一定の速度で移動させながら、傾斜角度θが45°になるように条件設定して形成された傾斜面の傾斜角度の分布を実測した一例を示す図である。 傾斜面を形成するにあたって照射領域のX軸方向における移動行程の途中で単位時間当たりの移動量Lを変化させるとき、移動量Lの推移(分布)の一例を表す図である。 図10(b)に示す単位時間当たりの移動量Lの分布に基づいてレーザー加工を施したときの傾斜面の傾斜角度θの分布を表す図である。 図11に示す単位時間当たりの移動量Lの分布をより最適化した分布、およびかかる分布に基づいてレーザー加工を施したときの傾斜面の傾斜角度θの分布を表す図である。
以下、本発明のレーザー加工方法および光導波路の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明のレーザー加工方法は、様々な加工プロセスに適用可能であるが、一例として光導波路のミラー(傾斜面)をレーザー加工によって形成するプロセスに適用することが挙げられる。ここでは、レーザー加工方法の説明に先立ち、ミラーを有する光導波路について説明する。
<光導波路>
図1は、本発明のレーザー加工方法により製造される物の一例としての光導波路を示す(一部透過して示す)斜視図であり、図2は、図1に示す光導波路を示す断面図である。なお、図1、2は、それぞれ光導波路の一部のみを図示したものであり、それ以外の部位については図示を省略している。
図1に示す光導波路100は、帯状をなしており、その長手方向の一端部と他端部との間で光信号を伝送し、光通信を行うことができる。
図1に示す光導波路100は、下側からクラッド層11、コア層13およびクラッド層12を積層してなる導波部10を備えている。コア層13中には長尺状のコア部14とその側面に隣接して設けられた側面クラッド部15とが形成されている。
図1に示すコア層13中に形成されているコア部14は、クラッド部(側面クラッド部15および各クラッド層11、12)で囲まれており、コア部14に光を閉じ込めて伝搬させることができる。
また、光導波路100は、導波部10の下面に積層された第1カバーフィルム2と、導波部10の上面に積層された第2カバーフィルム3と、を備えている。
さらに、光導波路100は、第2カバーフィルム3、クラッド層12、コア層13およびクラッド層11を貫通する凹部170を備えている。そして、凹部170の内壁面の一部が、コア部14を斜めに横断する傾斜面171となる。この傾斜面171は、コア部14の光路を変換するミラーとして機能する。このミラーを介してコア部14と他の光学部品とを光学的に接続することができる。例えば、図1に示すコア部14を右側から左側へ伝搬する光は、傾斜面171で下方に反射され、第1カバーフィルム2を透過して光導波路100の外部に導かれる。
また、傾斜面171は、図1、2に示すように、第2カバーフィルム3からクラッド層12とコア層13とを経てクラッド層11に至るまでの間に連続して形成された平坦面である。また、凹部170の内側面のうち、傾斜面171に対向する位置には、別の傾斜面172が設けられている。この傾斜面172も、傾斜面171と同様、第2カバーフィルム3からクラッド層12とコア層13とを経てクラッド層11に至るまでの間に連続して形成された平坦面である。
一方、凹部170の内側面のうち、コア部14の光軸とほぼ平行な2つの面は、それぞれクラッド層11の下面に対して垂直な直立面173、174である。
このような2つの傾斜面171、172と2つの直立面173、174とにより、凹部170の内側面が構成されている。
また、図3は、凹部170を形成することによって図1に示す光導波路100を形成可能な光導波路用部材100’を示す斜視図である。図3に示す光導波路用部材100’は、光導波路100のうち、凹部170を形成する前の状態に相当する。
この光導波路用部材100’に対し、第2カバーフィルム3側からレーザーを照射することにより、光導波路用部材100’の一部を除去する加工を施す。これにより、凹部170が形成され、光導波路100が得られる。
なお、凹部170は、図1、2に示すように、コア部14の長手方向の途中に形成されていてもよいが、コア部14が途中で途切れていて、コア部14の延長線上であって側面クラッド部15に対応する位置に凹部170が形成されていてもよい。
<光導波路の製造方法>
次に、本発明の光導波路の製造方法の実施形態および本発明のレーザー加工方法の実施形態について説明する。
図4は、本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための斜視図である。
本実施形態に係る光導波路の製造方法は、コア部14を含むコア層13と、コア層13の下側(一方の面側)に設けられたクラッド層11と、コア層13の上側に設けられたクラッド層12と、を備える光導波路用部材100’(積層体)を用意する工程と、本発明のレーザー加工方法の実施形態により、コア部14を加工し、光導波路用部材100’の表面に対して傾斜する傾斜面171を内側面の一部とする凹部170を形成する工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
[1]
まず、光導波路用部材100’を用意する。この光導波路用部材100’は、図3に示すように、下側からクラッド層11、コア層13およびクラッド層12を積層してなる導波部10と、導波部10の下面に積層された第1カバーフィルム2と、導波部10の上面に積層された第2カバーフィルム3と、を備えている。
そして、光導波路用部材100’は、例えば図示しないステージ上に載置される。このステージは、光導波路用部材100’をX−Y平面において2次元で移動させ得るX−Yステージであってもよく、X−Y−Z空間において3次元で移動させ得るX−Y−Zステージであってもよい。このような移動機構を備えたステージを用いることにより、レーザーLSの照射位置に対して光導波路用部材100’を相対的に移動させることができる。その結果、光導波路用部材100’の任意の位置に、目的とする形状の凹部170を加工することができる。
また、ステージは、必要に応じて使用されればよく、例えばレーザーLSの照射位置が移動可能になっている場合には、ステージが固定されていてもよく、あるいは、ステージが使用されなくてもよい。
なお、図4に示す光導波路用部材100’では、第1カバーフィルム2、導波部10および第2カバーフィルム3の個別の図示を省略しているが、コア部14の延在方向(長手方向)をX軸方向とし、コア部14の幅方向をY軸方向とし、コア層13の厚さ方向をZ軸方向として図示している。
[2]
次に、光導波路用部材100’(被加工物)の上面101(表面)に対して、傾斜する傾斜面171を内側面の一部とする凹部170を形成する。
まず、図4に示すように、光導波路用部材100’の上面101に向けて、レーザーLSを照射する。レーザーLSは、マスク5を介して照射され、マスク5の開口によって断面形状が所望の形状に成形される。マスク5の開口の形状としては、例えば、四角形、六角形のような多角形、真円形、長円形、楕円形のような円形、菱形、平行四辺形等が挙げられる。なお、図4では、一例として、開口が四角形であるマスク5を図示している。
レーザーLSを照射するときは、図4に示すように、マスク5を介して成形されたレーザーLS’が光導波路用部材100’の上面101に照射され、照射領域51を形成する。
次いで、光導波路用部材100’に対してレーザーLSおよびマスク5を移動させつつ、照射する(第1の工程)。これにより、図4に示すように、レーザーLS’の照射領域51が光導波路用部材100’の上面101に沿ってX軸の正の方向に移動するため、上面101にはX軸方向に細長い長方形の開口を有する加工痕が形成されることとなる(第2の工程)。
なお、レーザーLSは、光導波路用部材100’に対して相対的に移動すればよく、例えば、レーザーLSおよびマスク5を固定した状態で光導波路用部材100’を移動させるようにしてもよく、レーザーLSおよびマスク5と光導波路用部材100’の双方を互いに独立して移動させるようにしてもよい。以下の説明において単に「移動」と記載している場合も、光導波路用部材100’とレーザーLSおよびマスク5とを相対的に移動させることを指す。
また、レーザーLSは、連続発振する連続波レーザーであっても、間欠発振するパルスレーザーであってもよい。
このうち、パルスレーザーが好ましく用いられる。パルスレーザーによれば、発熱量を抑えつつ加工することができるので、光導波路用部材100’に対する熱的影響をより小さく抑えることができる。
また、パルスレーザーの間欠での照射に同期してレーザーLSを相対的に移動させるようにするのが好ましい。これにより、レーザーLSを相対的に移動させるごとに付与することができるエネルギー量を均質にし易くなる(揃え易くなる)。このため、パルスレーザーの照射ごとの移動量(単位時間当たりの移動量)を後述するようにして変化させることにより、目的とする形状の凹部170を加工することができる。その結果、目的とする傾斜角度を持つ傾斜面171を備える光導波路100を効率よく製造することができる。
レーザーLSとしては、例えば、YAGレーザー、YVOレーザー、Ybレーザー、半導体レーザーのような各種固体レーザー、COレーザー、He−Neレーザー、エキシマーレーザーのような各種気体レーザー等が挙げられる。このうち、光量の均等性や加工に適した波長であるといった観点から、エキシマーレーザーが好ましく用いられる。
図5〜7は、それぞれ、本発明の光導波路の製造方法の実施形態を説明するための断面図である。
レーザーLS’の照射領域51が上面101に沿って移動するとき、その加工痕は、例えば図5〜7に示すような形状になる。図5〜7には、レーザーLS’の相対的な移動とレーザーLS’の照射とを交互に繰り返しながらレーザーLS’を相対的に移動させることによって凹部170を形成する方法を模式的に示している。
図5〜7は、説明の便宜上、図4に示す照射領域51の相対的な移動行程を5つに区分し、区分ごとの加工痕を移動行程の起点から終点に向かって(A)〜(E)の順に並べて模式的に図示したものである。なお、図5〜7に示す例では、同じ面積の照射領域51に照射されるレーザーLS’のエネルギー量が互いに等しくなるように設定されているものとする。
まず、図5に基づいて説明する。
図5(A)は、照射領域51が移動行程の第1区分にある状態を示す。第1区分においてレーザーLS’が照射されると、光導波路用部材100’の上面101のうち、照射領域51に存在する物質が気化して除去される。これにより、Z軸の負の方向に向かって加工され、深さdの加工痕51Aが形成される。
次に、照射領域51を第2区分に相対的に移動させる。このときのX軸方向における移動量をL1とする。
図5(B)は、照射領域51が移動行程の第2区分にある状態を示す。第2区分においてレーザーLS’が照射されると、深さdの加工痕51Bが形成される。第2区分における照射領域51は、第1区分における照射領域51の一部と重複する(重なる)ように設定される。すなわち、移動量L1は、第1区分における照射領域51と第2区分における照射領域51とが一部で重なるように設定される。これにより、この重複部分では、加工痕51Aをさらに掘り下げるように加工痕51Bが形成される。その結果、加工痕51Aと加工痕51Bとが合成され、断面が台形状をなす凹部が形成される。なお、図5〜7では、説明の便宜上、照射領域51の移動行程を5つという少数に区分しているため、台形の斜面部分は階段状になっているが、この区分数を増やすことで、斜面部分は限りなく平坦に近づく。
次に、照射領域51を第3区分に相対的に移動させる。このときのX軸方向における移動量をL2とする。
図5(C)は、照射領域51が移動行程の第3区分にある状態を示す。第3区分においてレーザーLS’が照射されると、深さdの加工痕51Cが形成される。第3区分における照射領域51は、第1区分における照射領域51の一部および第2区分における照射領域51の一部と重複するように設定される。これにより、この重複部分では、加工痕51Aや加工痕51Bをさらに掘り下げるように加工痕51Cが形成される。その結果、加工痕51A、加工痕51Bおよび加工痕51Cが合成され、断面が台形状をなす凹部がX軸の正の方向に拡張される。
次に、照射領域51を第4区分に相対的に移動させる。このときのX軸方向における移動量をL3とする。
図5(D)は、照射領域51が移動行程の第4区分にある状態を示す。第4区分においてレーザーLS’が照射されると、深さdの加工痕51Dが形成される。第4区分における照射領域51は、第1区分における照射領域51の一部、第2区分における照射領域51の一部および第3区分における照射領域51の一部と重複するように設定される。これにより、加工痕51Dが形成され、断面が台形状をなす凹部がさらにX軸の正の方向に拡張される。
次に、照射領域51を第5区分に相対的に移動させる。このときのX軸方向における移動量をL4とする。
図5(E)は、照射領域51が移動行程の第5区分にある状態を示す。第5区分においてレーザーLS’が照射されると、深さdの加工痕51Eが形成される。第5区分における照射領域51は、第2区分における照射領域51の一部、第3区分における照射領域51の一部および第4区分における照射領域51の一部と重複するように設定される。これにより、加工痕51Eが形成され、断面が台形状をなす凹部がさらにX軸の正の方向に拡張される。
以上のようにして、光導波路用部材100’に対し、図5(E)に示す凹部170を加工することができる。
ここで、図5に示す例では、照射領域51の区分間での移動量L1、L2、L3およびL4が全て互いに同じになるように設定されているとともに、移動量L1〜L4と深さdとが同じである場合、凹部170の内側面の一部である傾斜面171は、理論上、上面101とのなす角度(傾斜角度θ)が45°になるように傾斜した面となる。
続いて、図6に基づいて説明する。図6に示す凹部170の形成方法では、照射領域51の区分間での移動量L1〜L4が全て同じになるように設定されているとともに、この移動量L1〜L4が深さdよりも小さくなっている。
図6(A)では、深さdの加工痕51Aが形成される。
次に、照射領域51を第2区分に相対的に移動させ、図6(B)に示すように加工痕51Bが形成される。
次に、照射領域51を第3区分に相対的に移動させ、図6(C)に示すように加工痕51Cが形成される。
次に、照射領域51を第4区分に相対的に移動させ、図6(D)に示すように加工痕51Dが形成される。
次に、照射領域51を第5区分に相対的に移動させ、図6(E)に示すように加工痕51Eが形成される。
以上のようにして、光導波路用部材100’に図6(E)に示す凹部170が形成される。前述したように、図6に示す例では、照射領域51の区分間での移動量L1〜L4が全て同じであるとともに、移動量L1〜L4が深さdよりも小さくなっていることから、形成された凹部170の内側面の一部である傾斜面171は、理論上、上面101とのなす角度(傾斜角度θ)が45°より大きく(45°<)なるように傾斜した面となる。
さらに、図7に基づいて説明する。図7に示す凹部170の形成方法では、照射領域51の区分間での移動量L1〜L4が全て同じになるように設定されているとともに、この移動量L1〜L4が深さdよりも大きくなっている。
図7(A)では、深さdの加工痕51Aが形成される。
次に、照射領域51を第2区分に相対的に移動させ、図7(B)に示すように加工痕51Bが形成される。
次に、照射領域51を第3区分に相対的に移動させ、図7(C)に示すように加工痕51Cが形成される。
次に、照射領域51を第4区分に相対的に移動させ、図7(D)に示すように加工痕51Dが形成される。
次に、照射領域51を第5区分に相対的に移動させ、図7(E)に示すように加工痕51Eが形成される。
以上のようにして、光導波路用部材100’に図7(E)に示す凹部170が形成される。前述したように、図7に示す例では、照射領域51の区分間での移動量L1〜L4が全て同じであるとともに、移動量L1〜L4が深さdよりも大きくなっていることから、形成された凹部170の内側面の一部である傾斜面171は、理論上、上面101とのなす角度(傾斜角度θ)が45°より小さく(<45°)なるように傾斜した面となる。
以上、図5〜7に図示した凹部170の形成方法をまとめると、移動量L1〜L4と深さdとの関係を適宜設定することにより、傾斜面171の傾斜角度θを制御することが可能になる。
図8は、図5〜7における移動量L1〜L4が全て同じで「L0」であるとき、深さdに対する移動量L0の比「L0/d」と傾斜角度θとの関係を示す図である。図8の横軸はL0/dであり、縦軸は傾斜角度θ[°]である。
レーザーLS’の照射領域51を移動させつつ凹部170を形成する場合、図8に示す関係を利用し、L0/dを制御因子として設定すれば、目的とする傾斜角度θの傾斜面171を得ることができるとわかる。
なお、区分間の移動に要する時間が互いに同じである場合、区分間での移動量L0は、単位時間当たりの移動量とみなすこともできる。
ところで、図5〜7に示す傾斜面171の形成は、実際には、様々な理由により、傾斜角度θを目的とする値に制御することが難しい。
例えば、照射領域51に照射されるレーザーLS’のエネルギー量が同じである場合、照射領域51に形成される加工痕51A〜51Eの深さdは、理論上、照射位置によらず一定になるはずである。しかしながら、実際には、照射位置や加工形状等によって、深さdが異なってくる。すなわち、レーザーLS’の照射によって同一のエネルギー量が付与されたとしても、照射位置によって加工痕の深さが異なってしまうため、エネルギー量という入力値と加工痕の深さという出力値との関係が一定にならないという問題がある。かかる問題は、傾斜面171の傾斜角度θが設計値から外れるという不具合をもたらす。
図9は、レーザーのエネルギー量を一定にした状態で、レーザーを一定の速度で移動させながら、傾斜角度θが45°になるように条件設定して形成された傾斜面の傾斜角度の分布を実測した一例を示す図である。
図9に示す実測例では、傾斜面の位置によって傾斜角度θが45°からずれている様子がわかる。このような傾斜角度θの狙い値からのずれは、傾斜面の位置によって、同一のエネルギー量を付与したとしても加工量が異なることを示唆している。
かかる課題に対処するにあたり、従来では、照射領域に照射されるレーザーのエネルギー量を変えることにより、加工痕の深さを調整することが検討された。しかしながら、レーザーのエネルギー量を短時間に切り替えることは、レーザー発振の不安定化を招いたり、エネルギー量の調整精度が低下したりするため、容易に行うことができなかった。
そこで、本発明者は、レーザーのエネルギー量を一定にしたままで、目的とする加工結果を高い精度でかつ容易に実現する方法について鋭意検討を重ねた。そして、レーザーLS’の照射領域51の単位時間当たりの移動量を変えることにより、傾斜面171の傾斜角度θを調整することとした。
つまり、照射領域51の移動行程の途中において、局所的に単位時間当たりの移動量を変化させるようにする。この単位時間当たりの移動量は、図8の横軸のL0/dを左右する。このため、移動行程の途中においてL0の値を局所的に変化させることにより、その局所において傾斜角度θを変化させることとした。その結果、傾斜面171全体の傾斜角度θを設計値により近づけることができる。
なお、移動量L0は、各区分の照射領域51同士が一部で重なるように設定されたとき、その重なり具合であるとも言える。したがって、照射領域51をX軸の正の方向に向かって走査していく際、照射領域51同士の重なり具合を局所的に変化させることによって、容易にかつ高い精度で傾斜角度θを変化させることができる。
このことを図5〜7に示す例に当てはめた場合、移動量L1〜L4を一定にするのではなく、一部異ならせることによって、各加工痕が形成する局所的な傾斜角度θを変化させることができる。例えば、移動量L3と移動量L4とを互いに異ならせることにより、最終的に形成される傾斜面171では、加工痕51Dと加工痕51Eとを合成した加工痕(図5〜7の各(E)の図において右側から2番目に位置する上下2つの加工痕)における傾斜角度と、加工痕51Eのみによる加工痕(図5〜7の各(E)の図において最も右側に位置する加工痕)における傾斜角度とを、互いに異ならせることができる。その結果、レーザーLS’によって同一のエネルギー量を付与したにも関わらず、加工による深さがずれて傾斜角度が設計値からずれてしまう場合でも、それを補うようにレーザーLS’の単位時間当たりの移動量を変化させ、部分的な傾斜角度のずれを補正することができる。その結果、傾斜面171全体の傾斜角度θを目的とする値により近づけることができる。
また、照射領域51の単位時間当たりの移動量は、例えば光導波路用部材100’を載せているステージの移動量や、レーザーLS’やマスク5の移動量といった機械的に高い精度で制御可能な要素を変更することによって比較的容易にかつ再現性よく変化させることができる。したがって、傾斜面171の傾斜角度θを設計値に近づけるという調整を、簡単な操作によって高精度に実現することができる。
なお、図9からは、傾斜角度θの狙い値(45°)からのずれ量に一定の傾向が認められる。具体的には、形成しようとする傾斜面のうち、被加工物の表面からの距離が遠い(加工深さが相対的に深い)位置、すなわち、図9ではXの値が小さい位置では、傾斜角度θが45°よりも小さくなるように加工結果がずれている。一方、形成しようとする傾斜面のうち、被加工物の表面からの距離が短い(加工深さが相対的に浅い)位置、すなわち、図9ではXの値が大きい位置では、傾斜角度θが45°よりも大きくなるように加工結果がずれている。
したがって、傾斜角度θが設計値から外れるときのずれ量は、レーザーLS’の照射位置や加工形状等に応じてある程度の傾向がみられる。そこで、かかる傾向をあらかじめ把握し、これに基づいて照射領域51の単位時間当たりの相対的な移動量の分布をあらかじめ設定しておくことにより、目的とする形状の傾斜面171を再現性よく(高い製造歩留まりで)形成することができる。
このように傾斜面171全体の形状を目的とする形状に近づけることができれば、傾斜面171において光信号を反射させるとき、目的とする方向へ(設計通りに)精度よく反射させることができる。このため、傾斜面171における反射損失の低減を図ることができ、製造される光導波路と他の光学部品との間の光結合効率を高めることができる。
なお、傾斜角度θが設計値から外れるときのずれ量が、図9に示すような傾向を示す原因の1つとしては、Xの値が徐々に大きくなるように照射領域51を移動させるとき、すでに加工済みの位置に対してそれより時間的に後の加工のために供されたレーザーが漏れ当たることが挙げられる。このように漏れたレーザーが当たることにより、加工量が予定以上になってしまい、移動行程の起点に近いほど傾斜角度θが小さくなる傾向を示すと考えられる。このため、傾斜面171全体では、図9に示すように、Xの値が大きくなるにつれて傾斜角度θが徐々に大きくなるような傾向を示すと考えられる。
ここで、図10は、傾斜面171を形成するにあたって照射領域51のX軸方向における移動行程の途中で単位時間当たりの移動量Lを変化させるとき、移動量Lの推移(分布)の一例を表す図である。
図10(a)に示す実線は、形成しようとする傾斜面171の形状を示している。
一方、図10(b)に示す破線D1は、従来のレーザー加工方法における単位時間当たりの移動量Lの分布を示している。破線D1では、Xの値が変化してもLの値は一定である。
また、図10(b)に示す一点鎖線D2は、本実施形態の一例に係るレーザー加工方法に対応した単位時間当たりの移動量Lの分布を示している。一点鎖線D2では、Xの値が大きくなるにつれてLの値が一定の割合で大きくなっている。すなわち、Lは、Xの一次関数で表される。
さらに、図10(b)に示す実線D3は、本実施形態の他の一例に係るレーザー加工方法に対応した単位時間当たりの移動量Lの分布を示している。実線D3では、Xの値が大きくなるにつれてLの値が大きくなっているものの、そのときの増加の割合をXの値が大きくなるにつれて徐々に小さくなるように設定している。すなわち、Lは、Xの多次関数で表される。なお、多次関数における次数は、2以上(好ましくは2〜6程度)であれば特に限定されないが、実線D3では、一例として3次としている。
図10(a)に示す傾斜面171は、X軸の正の方向に向かうにつれてZ軸の正の方向に変位するような平坦な面である。このような傾斜面171を形成する場合、図10(b)の一点鎖線D2や実線D3に示すように、X軸の正の方向に向かうにつれて単位時間当たりの移動量Lを徐々に大きくするように設定してレーザー加工を施すのが好ましい。これにより、傾斜角度θを設計値により近づけることができる。
また、図11は、図10(b)に示す単位時間当たりの移動量Lの分布に基づいてレーザー加工を施したときの傾斜面171の傾斜角度θの分布を表す図である。なお、図11(a)の横軸および図11(b)の横軸は、それぞれ起点が異なるもののX軸方向における位置を表している。
図11(b)は、図10(b)に示す単位時間当たりの移動量Lの分布と同様である。そして、図11(a)は、図11(b)に示す単位時間当たりの移動量Lの分布に基づいてレーザー加工を施したときに形成された傾斜面171の傾斜角度θの分布を表している。
そして、図11(a)に示す破線θ1は、図11(b)に示す破線D1で表された単位時間当たりの移動量Lの分布に基づいて形成された傾斜面171の傾斜角度θの分布を表している。
また、図11(a)に示す一点鎖線θ2は、図11(b)に示す一点鎖線D2で表された単位時間当たりの移動量Lの分布に基づいて形成された傾斜面171の傾斜角度θの分布を表している。
さらに、図11(a)に示す実線θ3は、図11(b)に示す実線D3で表された単位時間当たりの移動量Lの分布に基づいて形成された傾斜面171の傾斜角度θの分布を表している。
図11(a)に示す一点鎖線θ2および実線θ3では、それぞれ傾斜面171の中心領域であるX=40μmからX=68μm程度の範囲内において、破線θ1よりも狙い値(45°)からのずれ量が小さくなっている。このため、一点鎖線θ2や実線θ3によって表された傾斜面171では、破線θ1によって表された傾斜面171に比べて、反射させた光信号を目的とする方向へより精度よく導くことができる(反射損失をより小さくすることができる。)。なお、傾斜面171の中心領域は、ミラーとしての有効領域、すなわち多くの光量の反射を担う領域であるため、この領域の傾斜角度は特に重要となる。
また、一点鎖線θ2と実線θ3とを比較した場合、実線θ3によって表された傾斜面171では、一点鎖線θ2によって表された傾斜面171よりも、目的とする傾斜角度により近いため、反射損失をより小さくすることができる。
なお、単位時間当たりの移動量Lの設定値は、単位時間、凹部170の形状や大きさ、被加工物の材質等に応じて適宜設定されるため、特に限定されない。例えば、レーザーLSが発振周波数100Hz〜10kHz程度のパルスレーザーである場合、0.01μm以上10μm以下程度であるのが好ましく、0.1μm以上1μm以下程度であるのがより好ましい。これにより、加工精度をより高めることができる。
また、この場合、発振周波数の逆数が単位時間となる。
なお、レーザーLSが連続波レーザーである場合の単位時間としては、例えばステージの設定可能な最小移動ピッチの移動に要する時間が挙げられる。一例としては、上記パルスレーザーの発振周波数の逆数と同程度である。
図12は、図11に示す単位時間当たりの移動量Lの分布をより最適化した分布、およびかかる分布に基づいてレーザー加工を施したときの傾斜面171の傾斜角度θの分布を表す図である。なお、図12(a)の横軸および図12(b)の横軸は、それぞれ起点が異なるもののX軸方向における位置を表している。
図12(b)に示す移動量Lの分布は、図11(b)に実線D3で示す分布と同様、LがXの3次関数で表されているが、その3次関数の係数等を適宜変更することによって最適化されたものである。具体的には、図12(b)に示す移動量Lの分布は、X=27μmからX=58μm程度の範囲内において、途中でLの値が極大値を有するような分布になっている。そして、このような移動量Lの分布に基づいてレーザー加工を施したときに形成された傾斜面171の傾斜角度θの分布では、図12(a)に示すように、狙い値(45°)からのずれ量が特に小さくなっている。このため、図12(a)に示す傾斜角度θの分布をもつ傾斜面171は、反射損失を特に小さくすることが可能である。
なお、単位時間当たりの移動量Lは、変数Xによる関数であれば、その他のいかなる関数で表されていてもよく、特に限定されない。
以上、本発明のレーザー加工方法および光導波路の製造方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明のレーザー加工方法は、光導波路の製造以外の用途に用いられてもよい。かかる用途の一例としては、例えば、光学素子製造、半導体素子製造、電子部品製造、微小電気機械素子(MEMS)製造等が挙げられる。
また、本発明のレーザー加工方法は、凹部以外の形状を形成する際にも適用可能である。例えば、ある領域の周囲を除去して立体的な形状を形成するといった用途にも適用可能である。さらに、形成する加工面は、平坦面以外の形状、例えば曲面や凹凸面であってもよい。
また、本発明のレーザー加工方法および本発明の光導波路の製造方法は、前述した実施形態に任意の工程が付加されたものであってもよい。
2 :第1カバーフィルム
3 :第2カバーフィルム
5 :マスク
10 :導波部
11 :クラッド層
12 :クラッド層
13 :コア層
14 :コア部
15 :側面クラッド部
51 :照射領域
51A :加工痕
51B :加工痕
51C :加工痕
51D :加工痕
51E :加工痕
100 :光導波路
100’ :光導波路用部材
101 :上面
170 :凹部
171 :傾斜面
172 :傾斜面
173 :直立面
174 :直立面
D1 :破線
D2 :一点鎖線
D3 :実線
d :深さ
L0 :移動量
L1 :移動量
L2 :移動量
L3 :移動量
L4 :移動量
LS :レーザー
LS’ :レーザー
θ1 :破線
θ2 :一点鎖線
θ3 :実線

Claims (5)

  1. 被加工物に対してレーザーを照射しつつ、前記被加工物に対して前記レーザーを相対的に移動させる第1の工程と、
    前記レーザーのエネルギーにより、前記被加工物を加工する第2の工程と、
    を有し、
    前記レーザーを相対的に移動させる途中で前記移動における単位時間当たりの移動量を変えることにより、前記第2の工程における前記被加工物の加工形状を調整することを特徴とするレーザー加工方法。
  2. 前記レーザーとしてパルスレーザーを用い、
    前記パルスレーザーの照射に同期して、前記パルスレーザーを相対的に移動させる請求項1に記載のレーザー加工方法。
  3. 前記第1の工程は、前記レーザーの相対的な移動と前記レーザーの照射とを交互に繰り返しながら前記レーザーを相対的に移動させる工程であり、
    前記照射の領域同士が一部で重なるように前記レーザーの相対的な移動量が設定されている請求項1または2に記載のレーザー加工方法。
  4. コア部を含むコア層と、前記コア層の一方の面側に設けられたクラッド層と、を備える積層体を用意する工程と、
    請求項1ないし3のいずれか1項に記載のレーザー加工方法により、前記コア部の途中または延長線上の位置を加工し、前記積層体の表面に対して傾斜する傾斜面を形成する工程と、
    を有することを特徴とする光導波路の製造方法。
  5. 前記傾斜面は、前記コア部の光路を変換するミラーとして機能する請求項4に記載の光導波路の製造方法。
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