JP2017162842A - Manufacturing method for light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光装置の作製方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light-emitting device.
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）
を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加する
ことにより、発光性の物質からの発光が得られる。
In recent years, electroluminescence (EL)
Research and development of light-emitting elements using GaN have been actively conducted. The basic structure of these light-emitting elements is such that a layer containing a light-emitting substance is sandwiched between a pair of electrodes. By applying voltage to this element, light emission from the light-emitting substance can be obtained.
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れバック
ライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、発光素子を用いた発
光装置は薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
Since the light-emitting element described above is a self-luminous type, a light-emitting device using the light-emitting element has advantages such as excellent visibility and no need for a backlight, and low power consumption. Furthermore, a light-emitting device using a light-emitting element can be manufactured to be thin and light, and has advantages such as high response speed.
また、上述の発光素子を有する発光装置としては、可撓性が図れることから、可撓性を
有する基板への採用が検討されている。
In addition, as a light-emitting device having the above-described light-emitting element, since flexibility can be achieved, adoption on a flexible substrate is being studied.
可撓性を有する基板を用いた発光装置の作製方法としては、例えば、ガラス基板や石英
基板といった基板上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した後、該半導体素子と
基板の間に有機樹脂を充填し、ガラス基板や石英基板から他の基板（例えば可撓性を有す
る基板）へと半導体素子を転置する技術が開発されている。半導体素子を可撓性を有する
基板へ転置したのちに、半導体素子と外部の電源とを電気的に接続するため、該有機樹脂
と基板に穴をあける工程が必要である。
As a method for manufacturing a light-emitting device using a flexible substrate, for example, a semiconductor element such as a thin film transistor is manufactured over a substrate such as a glass substrate or a quartz substrate, and an organic resin is filled between the semiconductor element and the substrate. However, a technique for transferring a semiconductor element from a glass substrate or a quartz substrate to another substrate (for example, a flexible substrate) has been developed. After the semiconductor element is transferred to a flexible substrate, a step of making a hole in the organic resin and the substrate is required to electrically connect the semiconductor element and an external power source.
例えば、有機樹脂の層間絶縁膜に貫通穴を形成する方法として、レーザアブレーション
法が考案されている（特許文献１）。
For example, a laser ablation method has been devised as a method for forming a through hole in an interlayer insulating film made of an organic resin (Patent Document 1).
上述した可撓性を有する基板を用いた発光装置において、発光装置を構成する半導体素
子と外部の電源および信号線に接続するための電極上に設けられる有機膜や基板などの層
に穴を開ける必要がある。しかしながら、例えばレーザアブレーション法等で有機膜や基
板に穴を開ける場合、穴の底や穴の周辺が熱による損傷を受ける恐れや、または、穴を所
望の深さまで開けることができない恐れがある。そこで、穴の底や穴の周辺が熱による損
傷を受けないで所望の深さまで有機膜に穴を開けて電極端子を露出させ、外部電源等と容
易に電気接続可能な発光装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、電極
端子を損傷することなく、有機膜等で覆われた電極端子を露出させる方法を提供すること
を課題の一とする。なお、ここでいう熱による損傷とは、焦げ付きや表面あれ等を含む。
In the light-emitting device using the flexible substrate described above, a hole is formed in a layer such as an organic film or a substrate provided on the electrode for connecting to the semiconductor element constituting the light-emitting device and an external power source and signal line. There is a need. However, for example, when a hole is formed in an organic film or a substrate by a laser ablation method or the like, the bottom of the hole or the periphery of the hole may be damaged by heat, or the hole may not be formed to a desired depth. Therefore, a method of manufacturing a light-emitting device that can easily be electrically connected to an external power source or the like by opening a hole in the organic film to a desired depth without exposing the bottom of the hole or the periphery of the hole to a desired depth to expose the electrode terminal. Providing is one of the issues. Another object is to provide a method for exposing an electrode terminal covered with an organic film or the like without damaging the electrode terminal. In addition, the damage by heat here includes scorching, surface roughness, and the like.
本発明の一態様は、第１基板上に電極端子を形成する工程と、電極端子と電気的に接続
する第１電極層を形成する工程と、第１電極層の端部を覆う隔壁を形成する工程と、電極
端子及び第１電極層上に有機化合物を含む層を形成する工程と、有機化合物を含む層上に
第２電極層を形成する工程と、第２基板上に剥離層を形成する工程と、剥離層と第２電極
層とが対向するように、第１基板と第２基板を、接着層を介して接着する工程と、第２基
板を剥離し、当該剥離により露出した面上に有機層を形成する工程と、有機層の電極端子
と重なる部分を囲って切り込みを入れ、切り込みに囲まれた接着層及び有機層を剥離し、
電極端子を露出させる工程と、電極端子と電気的に接続する導電層を形成する工程と、を
有する、発光装置の作製方法である。
According to one embodiment of the present invention, a step of forming an electrode terminal over a first substrate, a step of forming a first electrode layer electrically connected to the electrode terminal, and a partition covering an end portion of the first electrode layer are formed A step of forming a layer containing an organic compound on the electrode terminal and the first electrode layer, a step of forming a second electrode layer on the layer containing the organic compound, and forming a release layer on the second substrate A step of bonding the first substrate and the second substrate through an adhesive layer so that the peeling layer and the second electrode layer face each other, and a surface exposed by peeling the second substrate and peeling the second substrate The step of forming an organic layer on the top, and a portion surrounding the portion of the organic layer that overlaps the electrode terminal is cut, and the adhesive layer and the organic layer surrounded by the cut are peeled off,
A method for manufacturing a light-emitting device, which includes a step of exposing an electrode terminal and a step of forming a conductive layer electrically connected to the electrode terminal.
第１電極層だけでなく、外部電源と外部信号を入力する電極端子の領域にも、島状に有
機化合物を含む層を形成する。有機化合物を含む層と電極端子の界面は密着性が低い。そ
のため、電極端子上の有機化合物を含む層上に形成された接着層は、電極端子から容易に
剥離できる。その結果、有機層に切り込みをいれ、有機層を剥離することで電極端子を露
出させることができる。
A layer containing an organic compound is formed in an island shape not only in the first electrode layer but also in an electrode terminal region for inputting an external power source and an external signal. The interface between the layer containing the organic compound and the electrode terminal has low adhesion. Therefore, the adhesive layer formed on the layer containing the organic compound on the electrode terminal can be easily peeled from the electrode terminal. As a result, the electrode layer can be exposed by cutting the organic layer and peeling the organic layer.
本発明の一態様の発光装置の作製方法により、レーザアブレーション法、ドライエッチ
ング法、およびイオンビームスパッタリング法などを用いた場合よりも、短い時間で有機
層を取り除いて、電極端子を露出させることができる。また、電極端子に損傷を与えずに
有機層を除去することができる。
According to the method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention, the electrode layer can be exposed by removing the organic layer in a shorter time than in the case of using a laser ablation method, a dry etching method, an ion beam sputtering method, or the like. it can. In addition, the organic layer can be removed without damaging the electrode terminals.
また、本発明の他の一態様は、第１基板上に第１剥離層を形成する工程と、第１剥離層
上に電極端子を形成する工程と、電極端子と電気的に接続する第１電極層を形成する工程
と、第１電極層の端部を覆う隔壁を形成する工程と、電極端子及び第１電極層上に有機化
合物を含む層を形成する工程と、有機化合物を含む層上に第２電極層を形成する工程と、
第２基板上に第２剥離層を形成する工程と、第２剥離層と第２電極層とが対向するように
、第１基板と第２基板を、接着層を介して接着する工程と、第２基板を剥離し、当該剥離
により露出した面上に第２有機層を形成し、第２有機層に接して第２の可撓性を有する基
板を設ける工程と、第１基板を剥離し、当該剥離により露出した面上に第１有機層を形成
し、第１有機層に接して第１の可撓性を有する基板を設ける工程と、第２の可撓性を有す
る基板及び第２有機層の電極端子と重なる部分を囲って切り込みを入れ、切り込みに囲ま
れた第２の可撓性を有する基板、接着層及び第２有機層を剥離し、電極端子を露出させる
工程と、電極端子と電気的に接続する導電層を形成する工程と、を有する、発光装置の作
製方法である。
Another embodiment of the present invention includes a step of forming a first release layer on a first substrate, a step of forming an electrode terminal on the first release layer, and a first electrically connected to the electrode terminal. A step of forming an electrode layer, a step of forming a partition wall covering an end of the first electrode layer, a step of forming a layer containing an organic compound on the electrode terminal and the first electrode layer, and a layer containing the organic compound Forming a second electrode layer on
A step of forming a second release layer on the second substrate, a step of bonding the first substrate and the second substrate through an adhesive layer so that the second release layer and the second electrode layer are opposed to each other, Peeling the second substrate, forming a second organic layer on the surface exposed by the peeling, and providing a second flexible substrate in contact with the second organic layer; peeling the first substrate; A step of forming a first organic layer on the surface exposed by the peeling and providing a first flexible substrate in contact with the first organic layer; a second flexible substrate; A step of making an incision surrounding a portion of the organic layer overlapping the electrode terminal, exfoliating the second flexible substrate surrounded by the incision, the adhesive layer and the second organic layer, and exposing the electrode terminal; Forming a conductive layer electrically connected to a terminal.
第１電極層だけでなく、外部電源と外部信号を入力する電極端子の領域にも、島状に有
機化合物を含む層を形成する。有機化合物を含む層と電極端子の界面は密着性が低い。そ
のため、電極端子上の有機化合物を含む層上に形成された接着層は、電極端子から容易に
剥離できる。その結果、第２有機層に切り込みをいれ、第２有機層を剥離して、電極端子
を露出させることができる。
A layer containing an organic compound is formed in an island shape not only in the first electrode layer but also in an electrode terminal region for inputting an external power source and an external signal. The interface between the layer containing the organic compound and the electrode terminal has low adhesion. Therefore, the adhesive layer formed on the layer containing the organic compound on the electrode terminal can be easily peeled from the electrode terminal. As a result, the second organic layer can be cut and the second organic layer can be peeled to expose the electrode terminal.
本発明の一態様の発光装置の作製方法により、レーザアブレーション法、ドライエッチ
ング法、およびイオンビームスパッタリング法などを用いた場合よりも、短い時間で第２
有機層を取り除いて、電極端子を露出させることができる。また、電極端子に損傷を与え
ずに第２有機層を除去することができる。
By the method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention, the second method can be performed in a shorter time than in the case of using a laser ablation method, a dry etching method, an ion beam sputtering method, or the like.
The electrode layer can be exposed by removing the organic layer. In addition, the second organic layer can be removed without damaging the electrode terminals.
本発明の一態様の発光装置の作製方法により、可撓性を有する基板でフレキシブルな発
光装置を得ることができる。
With the method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention, a flexible light-emitting device can be obtained using a flexible substrate.
さらに、第２電極層が透光性を有し、剥離層（又は第２剥離層）を形成する工程の後に
、剥離層（又は第２剥離層）上に着色層を形成する工程を有することが好ましい。
Furthermore, the second electrode layer has a light-transmitting property, and has a step of forming a colored layer on the release layer (or the second release layer) after the step of forming the release layer (or the second release layer). Is preferred.
本発明の一態様の発光装置の作製方法により、第２有機層側から発光素子の発光を外部
に取り出すことができる。また、着色層を介して発光素子の呈する光を外部に取り出すこ
とができるので、所望の発光色を得ることが出来る。
With the method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention, light emitted from the light-emitting element can be extracted from the second organic layer side. In addition, light emitted from the light-emitting element can be extracted to the outside through the colored layer, so that a desired light emission color can be obtained.
本発明の一態様によれば、電極端子にダメージを与えることなく、電極端子を露出させ
る穴を有機樹脂等に開けることができる。その電極端子から電源と信号を入力できる可撓
性発光装置を提供することができる。
According to one embodiment of the present invention, a hole for exposing an electrode terminal can be formed in an organic resin or the like without damaging the electrode terminal. A flexible light-emitting device that can input a power source and a signal from the electrode terminal can be provided.
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成におい
て、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い
、その繰り返しの説明は省略する。
Embodiments will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below. Note that in structures of the invention described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals in different drawings, and description thereof is not repeated.
（実施の形態１）
本発明の一態様の発光装置の作製方法で作製できる発光装置９０１の断面図を図１（Ａ
）に示す。当該発光装置９０１は、第１基板１００ａ上に、電極端子１５７、第１電極層
１１８を有している。第１電極層１１８の端部は隔壁１２４で覆われ、絶縁されている。
有機化合物を含む層１２０は、第１電極層１１８および隔壁１２４の少なくとも上面に接
している。電極端子１５７上には有機化合物を含む層１２０が存在しない部分を有する。
第２電極層１２２は有機化合物を含む層１２０の少なくとも上面に接している。電極端子
１５７上には第２電極層１２２は存在しない。接着層１７０は、第２電極層１２２に接し
ている。電極端子１５７上には接着層１７０は存在しない。第２剥離層１０１ｂは、接着
層１７０の上面と接している。第２有機層７００ｂは、第２剥離層１０１ｂの上面に接し
ている。電極端子１５７上には第２有機層７００ｂは存在しない。導電層６００は、電極
端子１５７と電気的に接続している。
(Embodiment 1)
FIG. 1A is a cross-sectional view of a light-emitting
). The
The
The
なお、隔壁１２４で囲まれた、第１電極層１１８、有機化合物を含む層１２０、及び第
２電極層１２２を発光素子１３０と呼ぶことにする。
Note that the
（基板）
第１基板１００ａとしては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板
、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性
を有するプラスチック基板を用いてもよい。
(substrate)
As the
また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以
上のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、
アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられてい
る。なお、酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得
られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。
As the glass substrate, a glass substrate having a strain point of 730 ° C. or higher is preferably used when the temperature of the subsequent heat treatment is high. The glass substrate may be, for example, aluminosilicate glass,
Glass materials such as aluminoborosilicate glass and barium borosilicate glass are used. A more practical heat-resistant glass can be obtained by containing a large amount of barium oxide (BaO). In addition, crystallized glass or the like can be used.
（電極端子）
電極端子１５７は、電気伝導性を有する物質で形成することができる。例えば、金属、
半導体などで形成することができる。
(Electrode terminal)
The
It can be formed of a semiconductor or the like.
（第１電極層）
第１電極層１１８としては、後に形成される有機化合物を含む層１２０が発する光を効
率よく反射する材料が好ましい。光の取り出し効率を向上できるためである。なお、第１
電極層１１８を積層構造としてもよい。例えば、有機化合物を含む層１２０に接する側に
金属酸化物による導電膜、またはチタン等を薄く形成し、他方に反射率の高い金属膜（ア
ルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を用いることができる。このよう
な構成とすることで、有機化合物を含む層１２０と反射率の高い金属膜（アルミニウム、
アルミニウムを含む合金、または銀など）との間に形成される絶縁膜の生成を抑制するこ
とができるので好適である。
(First electrode layer)
As the
The
This is preferable because generation of an insulating film formed with an alloy containing aluminum, silver, or the like) can be suppressed.
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造（上面射出構造）の発光装置
について例示するが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、及びデュアルエミッシ
ョン構造（両面射出構造）の発光装置とする場合においては、第１電極層１１８に透光性
の材料を用いればよい。
Note that in this embodiment, a light emission device having a top emission structure (top emission structure) is illustrated, but in the case of a light emission device having a bottom emission structure (bottom emission structure) and a dual emission structure (double emission structure). In this case, a light-transmitting material may be used for the
（隔壁）
隔壁１２４は、隣接する第１電極層１１８間の電気的ショートを防止するために設ける
。図面には第１電極層１１８を一つのみ記載しているが、発光装置において第１電極層１
１８は複数設ける場合がある。また、後述する有機化合物を含む層１２０の形成時にメタ
ルマスクを用いる場合、発光素子間の有機化合物を含む層１２０は当該隔壁１２４上で分
断される。隔壁１２４は、有機樹脂、無機膜等で形成することができる。
(Partition wall)
The
A plurality of 18 may be provided. In the case where a metal mask is used when forming a
（有機化合物を含む層）
有機化合物を含む層１２０の構成については、実施の形態３で説明する。
(Layer containing organic compounds)
The structure of the
（第２電極層）
第２電極層１２２は、後述する有機化合物を含む層１２０に電子を注入できる仕事関数
の小さい電極が好ましい。仕事関数の小さい金属単層ではなく、仕事関数の小さいアルカ
リ金属、またはアルカリ土類金属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として、その上にアルミニ
ウム等の金属、インジウム−スズ酸化物等の金属酸化物または半導体を形成した電極を用
いることが好ましい。緩衝層としては、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属の酸化物
、ハロゲン化物を用いることもできる。また、マグネシウム−銀等の合金を第２電極層１
２２として用いることもできる。
(Second electrode layer)
The
22 can also be used.
また、第２電極層１２２を介して、発光素子の呈する光を取り出す場合には、第２電極
層１２２は、可視光に対し透光性を有することが好ましい。
In the case where light emitted from the light-emitting element is extracted through the
（接着層）
接着層１７０は、第２電極層１２２に接している。第２剥離層１０１ｂと第１基板１０
０ａは、接着層１７０により固定されている。接着層１７０としては、光硬化型の接着剤
、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例え
ば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を用いることができる。また、接着剤に
光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタ
ンや、ジルコニウム等）を混合することにより、発光素子１３０の信頼性が向上、または
発光素子１３０からの光取り出し効率が向上するため好適である。
(Adhesive layer)
The
0a is fixed by the
（剥離層）
第２剥離層１０１ｂはタングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケ
ル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジ
ウム、シリコンから選択された元素、又は前記元素を含む合金材料、又は前記元素を含む
化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非
晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム
、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛
、およびＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物等の金属酸化物のいずれの場合でもよい。
(Peeling layer)
The
また、第２剥離層１０１ｂは、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法
等により形成できる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス
法を含む。
The
第２剥離層１０１ｂが単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、
又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化
物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又は
タングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。
When the
Alternatively, a layer containing a mixture of tungsten and molybdenum is formed. Alternatively, a layer containing tungsten oxide or oxynitride, a layer containing molybdenum oxide or oxynitride, or a layer containing an oxide or oxynitride of a mixture of tungsten and molybdenum is formed. Note that the mixture of tungsten and molybdenum corresponds to, for example, an alloy of tungsten and molybdenum.
また、第２剥離層１０１ｂとして、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含
む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形
成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの
酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面
を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って
タングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。なお、第２剥離層１０１ｂと後に説明
する第１剥離層１０１ａは、同じ材料で形成することができる。
In the case where a stacked structure of a layer containing tungsten and a layer containing tungsten oxide is formed as the
（第２有機層）
第２有機層７００ｂは、第２剥離層１０１ｂに接している。第２有機層７００ｂは、有
機樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を用
いることができる。
(Second organic layer)
The second
（導電層）
導電層６００は、電極端子１５７と電気的に接続している。導電層６００は、銀ペース
ト等の導電性ペースト、異方性導電体を含むフィルムもしくはペースト、または、スパッ
タリング法で形成した金属等を用いることができる。
(Conductive layer)
The
＜発光装置の作製方法＞
図２に本発明の一態様の発光装置の作製方法を示す。当該断面図において、第２電極層
１２２までの作製方法を示す。以下に述べる各構成要素を構成する材料は、上記を参酌で
きるものとする。
<Method for Manufacturing Light-Emitting Device>
FIG. 2 illustrates a method for manufacturing the light-emitting device of one embodiment of the present invention. In the cross-sectional view, a manufacturing method up to the
まず、第１基板１００ａ上に、電極端子１５７を形成する（図２（Ａ））。電極端子１
５７は、スパッタリング法等で形成すればよい。
First, the
57 may be formed by sputtering or the like.
次に、第１基板１００ａ上に第１電極層１１８を形成する（図２（Ｂ））。第１電極層
１１８は、電極端子１５７と電気的に接続している。第１電極層１１８は、蒸着法、スパ
ッタリング法で導電膜を成膜後、フォトリソグラフィを用いて所望の形状に加工すること
により形成する。
Next, the
次に、第１電極層１１８の端部を覆って隔壁１２４を形成する（図２（Ｃ））。隔壁１
２４は、有機樹脂を塗布法で形成し、フォトリソグラフィを用いて所望の形状に加工する
ことにより形成する。
Next, a
No. 24 is formed by forming an organic resin by a coating method and processing it into a desired shape using photolithography.
次に、有機化合物を含む層１２０を、電極端子１５７、第１電極層１１８、および隔壁
１２４に接するように形成する（図２（Ｄ））。有機化合物を含む層１２０と電極端子１
５７の界面は密着性が低いので、電極端子１５７に接するように有機化合物を含む層１２
０を形成すると、後の工程で有機化合物を含む層１２０を電極端子１５７から容易に剥離
することができる。これにより、電極端子１５７を露出させることができる。
Next, the
Since the interface 57 has low adhesion, the layer 12 containing an organic compound is in contact with the
When 0 is formed, the
次に、第２電極層１２２を有機化合物を含む層１２０に接するように形成する（図２（
Ｅ））。第２電極層１２２は、蒸着法、スパッタリング法等で形成することができる。
Next, the
E)). The
図３に、第２基板１００ｂに第２剥離層１０１ｂを形成する工程、及び、第２有機層７
００ｂを形成する工程までを示す。
In FIG. 3, the process of forming the
The process up to forming 00b is shown.
第２基板１００ｂに接するように第２剥離層１０１ｂを形成する（図３（Ａ））。第２
基板１００ｂは、第１基板１００ａと同じ材料を用いることができる。第２剥離層１０１
ｂは、スパッタリング法、蒸着法等で形成することができる。
A
The
b can be formed by sputtering, vapor deposition, or the like.
次に、第２基板１００ｂに接する第２剥離層１０１ｂに接するように、接着層１７０を
塗布する。塗布した接着層１７０により、第２電極層１２２と第２剥離層１０１ｂを固定
する（図３（Ｂ））。接着層１７０により、発光素子１３０は保護されるため、信頼性の
高い発光装置を得ることが出来る。
Next, the
次に、発光装置から第２基板１００ｂを剥離する（図３（Ｃ））。剥離方法としては、
機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させなが
ら分離する処理、超音波処理等）を用いて行えばよい。例えば、第２剥離層１０１ｂに鋭
利な刃物またはレーザ光照射で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。毛細管現
象により水が第２剥離層１０１ｂと第２基板１００ｂの間にしみこむことにより、第２基
板１００ｂを発光装置から容易に剥離することができる。なお、レーザ光照射で切り込み
を入れる場合、第１基板１００ａまたは第２基板１００ｂからレーザ光を照射しても良い
。
Next, the
Applying mechanical force may be performed using a process of peeling with a human hand or jig, a process of separating while rotating a roller, an ultrasonic process, or the like. For example, the
次に、第２剥離層１０１ｂ上のごみを取り除き、第２剥離層１０１ｂの上に第２有機層
７００ｂを形成する（図３（Ｄ））。
Next, dust on the
図４に電極端子１５７と重なる部分を囲むように第２有機層７００ｂ、第２剥離層１０
１ｂ、および接着層１７０に切り込みを入れる工程から導電層６００の形成工程までを示
す。
In FIG. 4, the second
1b and the process from cutting the
電極端子１５７と重なる部分を囲むように第２有機層７００ｂ、第２剥離層１０１ｂ、
および接着層１７０に切り込みを入れる（図４（Ａ））。鋭利な刃物等を用いて切り込み
を入れればよい。
A second
In addition, a cut is made in the adhesive layer 170 (FIG. 4A). What is necessary is just to cut in using a sharp blade.
次に、電極端子１５７と重なる部分を囲むように切り込みを入れた第２有機層７００ｂ
の一部を、発光装置から引き剥がす方向に引っ張ればよい。例えば、粘着性のテープを貼
り付けるなどし、その後当該テープを発光装置から第２有機層７００ｂを引きはがす方向
に引っ張ればよい。有機化合物を含む層１２０と電極端子１５７の界面は密着性が低いの
で、電極端子１５７を露出させることができる（図４（Ｂ））。以上により、第２有機層
７００ｂ、第２剥離層１０１ｂ、接着層１７０、及び有機化合物を含む層１２０中に、電
極端子１５７に達する穴を形成することができる。なお、第２有機層７００ｂを剥離した
後に、電極端子１５７上に有機化合物を含む層１２０の一部が付着する場合がある。なお
、電極端子１５７上に付着した有機化合物を含む層１２０により、後に形成する導電層６
００と電極端子１５７との密着性や電気的な接続に対して不具合が生じる場合がある。そ
の場合、第２有機層７００ｂを剥離した後に、アセトンなどの有機溶媒等を用いて電極端
子１５７上に付着した有機化合物を含む層１２０を除去することが好ましい。
Next, a second
May be pulled in the direction of peeling from the light emitting device. For example, an adhesive tape may be attached and then the tape may be pulled in a direction in which the second
There may be a problem with the adhesion and electrical connection between 00 and the
次に、上記で開口した穴を、導電層６００により埋め込む（図４（Ｃ））。導電層６０
０は、銀ペースト等で形成することが好ましい。導電層６００を介して、外部電源と外部
信号を入力することが可能となる。または、導電層６００として異方性導電性フィルム、
または異方性導電性ペーストを用い、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔ）をその上層に配置した後、熱圧着によりＦＰＣと電極端子１５７とを導電層６０
０を介して電気的に接続してもよい。または、ＦＰＣに変えてＩＣチップを直接実装する
方法を用いてもよい。
Next, the hole opened above is filled with the conductive layer 600 (FIG. 4C). Conductive layer 60
0 is preferably formed of silver paste or the like. An external power supply and an external signal can be input through the
Alternatively, using an anisotropic conductive paste, FPC (Flexible Print Circuit)
uit) is disposed on the upper layer, and then the FPC and the
It may be electrically connected via zero. Alternatively, a method of directly mounting an IC chip instead of the FPC may be used.
本発明の一態様の発光装置の作製方法により、所望の場所にレーザアブレーション法で
は穴を開けることが困難な樹脂等に穴を開けることができる。また、電極端子１５７にダ
メージを与えずに、開口が困難な樹脂等に穴を開けることができる。
With the method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention, a hole can be formed in a resin or the like that is difficult to be formed by a laser ablation method in a desired place. Further, it is possible to make a hole in a resin or the like that is difficult to open without damaging the
＜発光装置の作製方法の変形例１＞
本発明の一態様の発光装置の作製方法で作製できる発光装置９０２の断面図を図１（Ｂ
）に示す。可撓性を有する基板５０１と第２有機層７００ｂで構成されているため、当該
発光装置９０２は可撓性を有する。当該発光装置９０２の作製方法は、第１基板１００ａ
と発光素子１３０の間に第１剥離層１０１ａを形成する工程を、発光装置９０１の作製方
法に追加している点が異なる。
<
FIG. 1B is a cross-sectional view of a light-emitting
). Since the
And the step of forming the
本変形例においては、第１基板１００ａにガラス基板を用いる場合に、第１基板１００
ａと第１剥離層１０１ａの間に酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、
窒化酸化シリコン膜等の絶縁層を形成することにより、ガラス基板からのアルカリ金属の
汚染を防止できるので、より好ましい。
In the present modification, when a glass substrate is used as the
a and the
It is more preferable to form an insulating layer such as a silicon nitride oxide film because alkali metal contamination from the glass substrate can be prevented.
当該発光装置９０２は、可撓性を有する基板５０１の上面に接して、第１有機層７００
ａを有する。第１剥離層１０１ａは、第１有機層７００ａの上面に接している。電極端子
１５７、第１電極層１１８は、第１剥離層１０１ａの上に形成されている。第１電極層１
１８の端部は隔壁１２４で覆われ、絶縁されている。有機化合物を含む層１２０は、電極
端子１５７、第１電極層１１８および隔壁１２４の少なくとも上面に接している。電極端
子１５７上の有機化合物を含む層１２０は、後述する接着層１７０等の開口時に除去され
る。第２電極層１２２は有機化合物を含む層１２０の少なくとも上面に接している。電極
端子１５７上の第２電極層１２２も、後述する接着層１７０等の開口時に除去される。接
着層１７０は、第２電極層１２２に接している。電極端子１５７上の接着層１７０も、後
述する接着層１７０等の開口時に除去される。第２剥離層１０１ｂは、接着層１７０の上
面と接している。電極端子１５７上の第２剥離層１０１ｂも、後述する接着層１７０等の
開口時に除去される。第２有機層７００ｂは、第２剥離層１０１ｂの上面に接している。
電極端子１５７上の第２有機層７００ｂも、後述する接着層１７０等の開口時に除去され
る。導電層６００は、電極端子１５７と電気的に接続している。
The light-emitting
a. The
18 is covered with a
The second
図５に発光装置９０２の作製工程について、発光装置９０１の作製工程と異なる工程の
みを示す。それら以外の工程は実施の形態１を参酌することができる。
FIG. 5 illustrates only steps for manufacturing the light-emitting
第１基板１００ａに接するように第１剥離層１０１ａを形成する（図５（Ａ））。第１
剥離層１０１ａは、第２剥離層１０１ｂと同じ材料を使用することができる。
A
The same material as that of the
次に、電極端子１５７を第１剥離層１０１ａに接するように形成する（図５（Ｂ））。
Next, the
第１電極層１１８の形成から、第２有機層７００ｂの形成まで、実施の形態１の図２（
Ｂ）から図２（Ｅ）と、図３を参酌することができる。発光装置の一方の面は、第２有機
層７００ｂで形成されている（図５（Ｃ））。以下の工程ではもう一方の基板を発光装置
から剥離して可撓性を有する基板５０１に転載し、フレキシブルな発光装置とする。
From the formation of the
2B to FIG. 2E and FIG. 3 can be referred to. One surface of the light-emitting device is formed using the second
発光装置から第１基板１００ａを剥離する（図５（Ｄ））。剥離方法としては、機械的
な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離
する処理、超音波処理等）を用いて行えばよい。たとえば、第１剥離層１０１ａに鋭利な
刃物またはレーザ光照射で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。毛細管現象に
より水が第１剥離層１０１ａと第１基板１００ａの間にしみこむことにより、第１基板１
００ａを発光装置から容易に剥離することができる。なお、レーザ光照射で切り込みを入
れる場合、第２基板１００ｂまたは第１基板１００ａからレーザ光を照射しても良い。
The
00a can be easily peeled from the light emitting device. Note that in the case where a cut is made by laser light irradiation, laser light may be irradiated from the
次に、第１剥離層１０１ａ上の水を取り除き、第１剥離層１０１ａに接するように第１
有機層７００ａを形成し、可撓性を有する基板５０１を張り合わせる。（図５（Ｅ））。
Next, the water on the
An
可撓性を有する基板５０１としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を
用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレー
ト樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィ
ン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などを好適に
用いることができる。また、可撓性を有する基板５０１は、熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ
以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下がよい。また、可撓性を有する基板５０１に
は予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の
窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいても良い。なお
、可撓性を有する基板５０１として繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プリプ
レグとも言う）を用いてもよい。
As the
A polycarbonate resin, a polyether sulfone resin, a polyamide resin, a cycloolefin resin, a polystyrene resin, a polyamideimide resin, a polyvinyl chloride resin, and the like can be suitably used. The
Hereinafter, 10 ppm / K or less is more preferable. In addition, a protective film with low water permeability such as a film containing nitrogen and silicon such as silicon nitride or silicon oxynitride or a film containing nitrogen and aluminum such as aluminum nitride is formed on the
図６に電極端子１５７と重なる部分を囲むように第２有機層７００ｂ、第２剥離層１０
１ｂ、および接着層１７０に切り込みを入れる工程から導電層６００の形成までを示す。
In FIG. 6, the second
1b and the process from cutting the
電極端子１５７と重なる部分を囲むように第２有機層７００ｂ、第２剥離層１０１ｂ、
および接着層１７０に切り込みを入れる（図６（Ａ））。鋭利な刃物等を用いて切り込み
を入れればよい。
A second
In addition, a cut is made in the adhesive layer 170 (FIG. 6A). What is necessary is just to cut in using a sharp blade.
次に、電極端子１５７と重なる部分を囲むように切り込みを入れた第２有機層７００ｂ
の一部を、発光装置から引き剥がす方向に引っ張る。有機化合物を含む層と電極端子の界
面は密着性が低いので、電極端子１５７を露出させることができる。
Next, a second
Is pulled in the direction of peeling from the light emitting device. Since the interface between the layer containing the organic compound and the electrode terminal has low adhesion, the
次に、上記で開口した穴を、導電層６００で埋め込みを行う（図６（Ｂ））。導電層６
００は、銀ペースト等で形成することが好ましい。導電層６００を介して、外部電源と外
部信号を入力することが可能となる。または、導電層６００として異方性導電性フィルム
、または異方性導電性ペーストを用い、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒ
ｃｕｉｔ）をその上層に配置した後、熱圧着によりＦＰＣと電極端子１５７とを導電層６
００を介して電気的に接続してもよい。または、ＦＰＣに変えてＩＣチップを直接実装す
る方法を用いてもよい。
Next, the hole opened as described above is filled with the conductive layer 600 (FIG. 6B). Conductive layer 6
00 is preferably formed of silver paste or the like. An external power supply and an external signal can be input through the
(cuit) is disposed on the upper layer, and the FPC and the
00 may be electrically connected. Alternatively, a method of directly mounting an IC chip instead of the FPC may be used.
本発明の発光装置の作製方法により、電極端子１５７と重なる領域の開口が困難な樹脂
等に穴を開けることができる。電極端子１５７にダメージを与えずに、開口が困難な樹脂
等に穴を開けることができる。
By the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention, a hole can be formed in a resin or the like that is difficult to open in a region overlapping with the
また、可撓性を有する基板５０１と第２有機層７００ｂで構成されているため、フレキシ
ブルな発光装置を得ることができる。
Further, since the
＜発光装置の作製方法の変形例２＞
本発明の一態様の発光装置の作製方法で作製できる発光装置９０３の断面図を図１（Ｃ
）に示す。当該発光装置９０３は、接着層１７０と第２剥離層１０１ｂの間に、着色層１
６６を有している。その他の構成は発光装置９０１と同じであるので、上記の実施の形態
を参酌することができる。そのため、着色層１６６の作製方法についてのみ、以下、説明
する。
<Modification Example 2 of Method for Manufacturing Light-Emitting Device>
FIG. 1C illustrates a cross-sectional view of a light-emitting
). The
66. Since other structures are the same as those of the light-emitting
第２電極層１２２までの形成は、発光装置９０１の形成工程（図２（Ａ）から図２（Ｅ
））を参酌することができる。
The formation up to the
)).
（着色層）
着色層１６６を、第２基板１００ｂの第２剥離層１０１ｂの上に形成する。なお、図６
（Ｃ）では第２剥離層１０１ｂ及び着色層１６６の位置を第２基板１００ｂに対して下向
きに示す。着色層１６６は、カラーフィルタとも呼ばれ、特定の波長領域の光を透過する
有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色の着色層、緑色の波長帯域の
光を透過する緑色の着色層、青色の波長帯域の光を透過する青色の着色層などを用いるこ
とができる。各着色層は公知の材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ技術を用いたエッチング法で形成すればよい（図６（Ｃ））。
(Colored layer)
The
In (C), the positions of the
第２基板１００ｂに形成した着色層１６６は、接着層１７０を介して第２電極層１２２
と接着すればよい。その工程は実施の形態１を参酌することができる。
The
Adhere to it.
第２基板１００ｂを発光装置から剥離し、第２有機層７００ｂを形成する工程は、実施
の形態１を参酌することができる。
電極端子１５７を露出させる方法においても、実施の形態１を参酌することができる。
本発明の発光装置の作製方法により、電極端子１５７と重なる領域に穴を開けることが
できる。電極端子１５７にダメージを与えずに、樹脂等に穴を開けることができる。
With the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention, a hole can be formed in a region overlapping with the
当該発光装置の作製方法により、作製した発光装置は、着色層を介して発光素子の呈す
る光を外部に取り出すことができるので、所望の発光色を得ることが出来る。
By the method for manufacturing the light-emitting device, the manufactured light-emitting device can extract light emitted from the light-emitting element to the outside through the colored layer, so that a desired emission color can be obtained.
＜発光装置の作製方法の変形例３＞
本発明の一態様の発光装置の作製方法で作製できる発光装置９０４の断面図を図１（Ｄ
）に示す。可撓性を有する基板５０１と第２有機層７００ｂで構成されているため、当該
発光装置９０４は可撓性を有する。また、当該発光装置９０４は、接着層１７０と第２剥
離層１０１ｂの間に、着色層１６６を有する。その他の構成は発光装置９０３と同様であ
る。
<Modification 3 of Method for Manufacturing Light-Emitting Device>
FIG. 1D is a cross-sectional view of a light-emitting
). Since the light-emitting
第２基板１００ｂに形成した着色層１６６は、接着層１７０を介して、第２電極層１２
２と接着すればよい。その工程は実施の形態１を参酌することができる。
The
2 may be adhered.
第２基板１００ｂを発光装置から剥離し、第２有機層７００ｂを形成する工程は、実施
の形態１を参酌することができる。
第１基板１００ａを発光装置から剥離し、第１有機層７００ａと可撓性を有する基板５
０１を形成する工程は、実施の形態１を参酌することができる。
The
本発明の発光装置の作製方法により、電極端子１５７と重なる領域の開口が困難な樹脂
等に穴を開けることができる。電極端子１５７にダメージを与えずに、開口が困難な樹脂
等に穴を開けることができる。
By the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention, a hole can be formed in a resin or the like that is difficult to open in a region overlapping with the
また、可撓性を有する基板５０１と第２有機層７００ｂで構成されているため、当該発
光装置の作製方法により、フレキシブルな発光装置を得ることができる。
In addition, since the
また、当該発光装置の作製方法により、作製した発光装置は、着色層を介して発光素子
の呈する光を外部に取り出すことができるので、所望の発光色を得ることが出来る。
Further, according to the method for manufacturing the light-emitting device, the manufactured light-emitting device can extract light emitted from the light-emitting element to the outside through the coloring layer, so that a desired emission color can be obtained.
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の発光装置の一態様について、発光装置の構成を図７（Ａ）及
び図７（Ｂ）を用いて説明し、次に発光装置の作製方法を図８乃至図１２を用いて説明を
行う。
(Embodiment 2)
In this embodiment, one embodiment of the light-emitting device of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A and 7B, and a method for manufacturing the light-emitting device will be described with reference to FIGS. 12 will be used for explanation.
＜発光装置の構成＞
図７（Ａ）は、発光装置を示す上面図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）を鎖線Ａ１−Ａ
２で切断した断面図である。
<Configuration of light emitting device>
7A is a top view illustrating the light-emitting device, and FIG. 7B is a chain line A1-A in FIG. 7A.
It is sectional drawing cut | disconnected by 2. FIG.
図７（Ａ）に示す発光装置は、可撓性を有する基板５０１上に設けられた画素部４５０
２、信号線回路部４５０３が設けられている。
A light-emitting device illustrated in FIG. 7A includes a pixel portion 450 provided over a
2. A signal
各画素には、発光素子の駆動を制御するトランジスタ１５０を備える。また図７には信
号線回路部４５０３の一例としてトランジスタ１５２を示している。
Each pixel includes a
図７（Ｂ）に示す発光装置は、接着層１７０により可撓性を有する基板５０１と可撓性
を有する基板５０２と、が貼り合わされた構造である。可撓性を有する基板５０１には、
トランジスタ１５０と、トランジスタ１５０上に形成された発光素子１３０と、各画素間
に形成された隔壁１２４と、電極端子１５７が形成されている。可撓性を有する基板５０
２には、遮光膜１６４と、着色層１６６とが形成されている。
The light-emitting device illustrated in FIG. 7B has a structure in which a
A
2, a
また、図７（Ｂ）に示す発光装置は、発光素子１３０からの光が着色層１６６を介して
可撓性を有する基板５０２側から射出される、所謂トップエミッション構造の発光装置で
ある。
The light-emitting device illustrated in FIG. 7B is a light-emitting device having a so-called top emission structure in which light from the light-emitting
可撓性を有する基板５０１は、可撓性を有する基板５０１上に設けられた第１有機層７
００ａと、第１有機層７００ａ上に設けられた第１のバッファ層１０４と、第１のバッフ
ァ層１０４上に設けられた発光素子の駆動を制御するトランジスタ１５０と、トランジス
タ１５０と電気的に接続された発光素子１３０と、発光素子１３０間に隔壁１２４と、を
有している。
The
00a, the
トランジスタ１５０は、第１のバッファ層１０４上に形成されたゲート電極層１０６と
、ゲート電極層１０６上に形成されたゲート絶縁層１０８と、ゲート絶縁層１０８上に形
成された半導体層１１０と、半導体層１１０上に形成されたソース電極層１１２ａ及びド
レイン電極層１１２ｂと、を有している。また、トランジスタ１５０は、第１の絶縁層１
１４と、第２の絶縁層１１６により覆われており、第２の絶縁層１１６の上には、第１電
極層１１８と、第１電極層１１８上に形成された有機化合物を含む層１２０と、有機化合
物を含む層１２０上に形成された第２電極層１２２と、を有している。
The
14 and the second insulating
図７（Ｂ）に示すトランジスタ１５１やトランジスタ１５２は、トランジスタ１５０と
同様の構成である。ただし、トランジスタのサイズ（例えば、Ｌ長、及びＷ長）や、トラ
ンジスタの接続等は、各トランジスタで適宜調整することができる。
A
また、第１電極層１１８、有機化合物を含む層１２０、及び第２電極層１２２により発
光素子１３０が形成されている。また、発光素子１３０は、第１の絶縁層１１４、及び第
２の絶縁層１１６に設けられた開口を介してトランジスタ１５０と電気的に接続されてい
る。電極端子１５７は、第２の絶縁層１１６で覆われないようにする。電極端子１５７表
面に有機化合物を含む層１２０を形成するためである。
In addition, the light-emitting
有機化合物を含む層１２０及び第２電極層１２２は、電極端子１５７の上面に接するよ
うに形成する。電極端子１５７と有機化合物を含む層１２０との界面で剥離し、接着層１
７０をはがすためである。
The
This is to remove 70.
また、発光素子１３０は、隔壁１２４により分離されて画素を形成している。
The
隔壁１２４については、第１電極層１１８や、第１の絶縁層１１４、及び第２の絶縁層
１１６に設けられた開口などの段差により、上面に形成される膜が途切れないために設け
られる。そのため、隔壁１２４は、その上面に形成される膜が途切れないように、順テー
パ形状を有していることが好ましい。なお、順テーパ形状とは、下地となる層に他の層が
なだらかな角度で厚みを増して接する構成を言う。
The
ここで、図７（Ｂ）に示した発光装置の作製方法について、図８から図１２を用いて詳
細に説明を行う。
Here, a method for manufacturing the light-emitting device illustrated in FIG. 7B will be described in detail with reference to FIGS.
＜発光装置の作製方法＞
まず、第１基板１００ａ上に第１剥離層１０１ａを形成し、第１剥離層１０１ａ上に第
１のバッファ層１０４を形成する。第１のバッファ層１０４は、第１剥離層１０１ａを大
気に曝すことなく連続して形成することが好適である。連続して形成することにより、第
１剥離層１０１ａと第１のバッファ層１０４との間にゴミや、不純物の混入を防ぐことが
できる。
<Method for Manufacturing Light-Emitting Device>
First, the
第１基板１００ａとしては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板
、金属基板などを用いることができる。詳細は、実施の形態１を参酌することができる。
As the
第１剥離層１０１ａは、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッ
ケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリ
ジウム、シリコンから選択された元素、又は前記元素を含む合金材料、又は前記元素を含
む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、
非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。詳細は実施の形態１を参酌することが
できる。
The
Any of amorphous, microcrystalline, and polycrystalline may be used.
次に、第１のバッファ層１０４を第１剥離層１０１ａ上に形成する。第１のバッファ層
１０４は、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、及び窒化酸化シリコン等を単層または多層
で形成するのが好ましい。
Next, the
第１のバッファ層１０４は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を
用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０
℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることがで
きる。なお、第１のバッファ層１０４の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには
２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。
The
By forming the film at a temperature of not lower than 400 ° C. and lower than 400 ° C., a dense and extremely low water-permeable film can be obtained. Note that the thickness of the
次に、第１のバッファ層１０４、絶縁層１０３上に導電膜を形成しフォトリソグラフィ法
によりゲート電極層１０６を形成する（図８（Ａ）参照）。
Next, a conductive film is formed over the
ゲート電極層１０６の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、
アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材
料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
The material of the
A single layer or a stacked layer can be formed using a metal material such as aluminum, copper, neodymium, or scandium or an alloy material containing these elements.
次に、ゲート電極層１０６上にゲート絶縁層１０８を形成する。ゲート絶縁層１０８は、
プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化
窒化シリコン、窒化酸化シリコン、または酸化アルミニウムを単層で又は積層して形成す
ることができる。例えば、成膜ガスとして、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏを用いてプラズマＣＶＤ法
により酸化窒化シリコン膜を形成すればよい。
Next, the
Silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, or aluminum oxide can be formed as a single layer or a stacked layer by a plasma CVD method, a sputtering method, or the like. For example, a silicon oxynitride film may be formed by a plasma CVD method using SiH 4 or N 2 O as a deposition gas.
次に、半導体層を形成しフォトリソグラフィ法により島状の半導体層１１０を形成する（
図８（Ａ）参照）。
Next, a semiconductor layer is formed, and an island-shaped
(See FIG. 8A).
半導体層１１０の材料は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる
。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体
としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などを、適宜用いることができる。ただし、半
導体層１１０としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オ
フ電流の低い半導体層とすることで、後に形成される発光素子のオフ時のリーク電流が抑
制できるため、好ましい。本発明に適用できる酸化物半導体については、実施の形態４に
て説明する。
The material of the
次に、ゲート絶縁層１０８、及び半導体層１１０上に導電膜を形成し、フォトリソグラフ
ィ法によりソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂを形成する。
Next, a conductive film is formed over the
ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した
元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を
用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方に
Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モ
リブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層
１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂに用いる導電膜としては、導電性の金属酸化物で形
成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ
（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―
ＺｎＯ等）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いること
ができる。
As a conductive film used for the
Use a metal film containing an element selected from l, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, W, or a metal nitride film (a titanium nitride film, a molybdenum nitride film, a tungsten nitride film) containing the above-described elements, or the like. Can do. Further, a refractory metal film such as Ti, Mo, W or the like or a metal nitride film thereof (titanium nitride film, molybdenum nitride film, tungsten nitride film) is provided on one or both of the lower side or the upper side of a metal film such as Al or Cu. It is good also as a structure which laminated | stacked. The conductive film used for the
ZnO or the like, or a metal oxide material containing silicon oxide can be used.
次に、電極端子１５７を形成する。電極端子１５７は、導電膜で形成すればよい。ソース
電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂと形成と同時に、電極端子１５７を形成して
もよい。
Next, the
次に、半導体層１１０、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂ上に、第１の
絶縁層１１４を形成する（図８（Ｂ）参照）。第１の絶縁層１１４としては、酸化シリコ
ン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる
。
Next, the first insulating
次に、第１の絶縁層１１４上に第２の絶縁層１１６を形成する。
Next, the second insulating
第２の絶縁層１１６としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の
有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材
料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させる
ことで、第２の絶縁層１１６を形成してもよい。
As the second insulating
次に、フォトリソグラフィ法により、第１の絶縁層１１４、及び第２の絶縁層１１６に電
極端子１５７、及びドレイン電極層１１２ｂに達する開口を形成する。開口方法は、ドラ
イエッチング、ウェットエッチングなど適宜選択すれば良い。
Next, openings reaching the
次に、第２の絶縁層１１６、及びドレイン電極層１１２ｂ上に導電膜を形成し、フォトリ
ソグラフィ工程により、第１電極層１１８を形成する。
Next, a conductive film is formed over the second insulating
第１電極層１１８としては、有機化合物を含む層１２０（後に形成される）が発する光を
効率よく反射する材料が好ましい。詳細は実施の形態１を参酌することができる。
As the
次に、第１電極層１１８の上に隔壁１２４を形成する（図８（Ｃ）参照）。
Next, a
隔壁１２４としては、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の
樹脂材料を用い、その側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成す
ることが好ましい。
The
有機化合物を含む層１２０を、電極端子１５７、第１電極層１１８および隔壁１２４に接
するように形成する。電極端子１５７に有機化合物を含む層１２０を形成する理由は、電
極端子１５７上の接着層１７０をはがしやすくするためである。有機化合物を含む層１２
０および第２電極層１２２に用いることができる材料は、実施の形態１および２を参酌す
ることができる。
The
Embodiments 1 and 2 can be referred to for materials that can be used for the zero and second electrode layers 122.
なお、本実施の形態においては、有機化合物を含む層１２０が発する光は、着色層１６６
を介して射出する構造について例示したが、これに限定されるものではない。有機化合物
を含む層１２０を各色（例えば、ＲＧＢ）に塗り分けて、着色層１６６を用いない構成と
してもよい。ただし、有機化合物を含む層１２０を塗りわけを行うことにより、工程数の
増加、コストの増加など恐れがあるために、本実施の形態に示した白色発光を呈する有機
化合物を含む層１２０と着色層１６６による構成が好適である。
Note that in this embodiment, the light emitted from the
However, the present invention is not limited to this. The
次に、有機化合物を含む層１２０上に第２電極層１２２を形成する（図８（Ｄ）参照）。
第２電極層１２２も、電極端子１５７上に形成してもよい。
Next, the
The
第２電極層１２２としては、透光性の金属酸化物を用いて形成することができる。適用
できる材料については実施の形態１を参酌することができる。
The
なお、第１電極層１１８、または第２電極層１２２は、いずれか一方は発光素子１３０
の陽極として機能し、他方は発光素子１３０の陰極として機能する。陽極として機能する
電極には、仕事関数の大きな物質が好ましく、陰極として機能する電極には仕事関数の小
さな物質が好ましい。
Note that one of the
And the other functions as a cathode of the light-emitting
また、第１電極層１１８、有機化合物を含む層１２０、及び第２電極層１２２により発
光素子１３０が形成される。
In addition, the light-emitting
以上の工程により、第１基板１００ａ上に、発光素子の駆動を制御するトランジスタ１
５０、トランジスタ１５１、及び発光素子１３０が形成される。
Through the above steps, the
50, the
次に、第２基板１００ｂ上に、遮光膜１６４、着色層１６６、及びオーバーコート層１
６８の形成方法を以下に示す。
Next, the
A method for forming 68 is shown below.
まず、第２基板１００ｂ上に第２剥離層１０１ｂを形成し、第２剥離層１０１ｂ上に第
２のバッファ層１６２を形成する（図９（Ａ）参照）。
First, the
第２剥離層１０１ｂ、及び第２のバッファ層１６２は、先に記載した第１剥離層１０１
ａ、及び第１のバッファ層１０４と同様の材料、及び手法により形成することができる。
The
a and the same material and method as the
次に、第２のバッファ層１６２上に、パッシベーション層１６３と導電膜を形成し、フ
ォトリソグラフィ法を用いて導電膜を加工し、遮光膜１６４を形成する（図９（Ｂ）参照
）。
Next, a
遮光膜１６４により、各画素間での混色を防止することができる。遮光膜１６４として
は、チタン、クロムなどの反射率の低い金属膜、または、黒色顔料や黒色染料が含浸され
た有機樹脂膜などを用いることができる。
The
次に、パッシベーション層１６３、及び遮光膜１６４の上に、着色層１６６を形成する
。
Next, a
着色層１６６については、特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色
の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する
緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィル
タなどを用いることができる。各カラーフィルタは、公知の材料を用いて、印刷法、イン
クジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置
に形成する。
The
なお、ここでは、ＲＧＢの３色を用いた方法について説明したが、これに限定されず、
ＲＧＢＹ（黄色）等の４色を用いた構成、または、５色以上の構成としてもよい。
In addition, although the method using three colors of RGB was demonstrated here, it is not limited to this,
A configuration using four colors such as RGBY (yellow) or a configuration of five or more colors may be used.
次に、遮光膜１６４、及び着色層１６６の上にオーバーコート層１６８を形成する（図
９（Ｃ）参照）。
Next, an
オーバーコート層１６８は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂膜により形成
することができる。オーバーコート層１６８により、着色層１６６に含有された不純物成
分等の有機化合物を含む層１２０側への拡散を防止することができる。また、オーバーコ
ート層１６８は、有機樹脂膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。無機絶縁膜として
は、窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いることができる。なお、オーバーコート層１
６８は、設けない構成としてもよい。
The
68 may be configured not to be provided.
また、後に接着層１７０を形成する場合において、接着層１７０に用いる樹脂を第２基
板１００ｂ上に塗布する場合、オーバーコート層１６８の材料として当該樹脂に対してぬ
れ性の高い材料を用いることが好ましい。特に、オーバーコート層１６８に用いる材料と
しては、透過率が高いこと、当該樹脂と接触したときに反応しないこと、また当該樹脂を
塗布する際に用いる溶媒に溶解しないこと、などが望まれる。例えば、オーバーコート層
１６８にＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜などの金属膜
を用いることが好ましい。
In the case where the
以上の工程により、第２基板１００ｂ上に、第２剥離層１０１ｂ、第２のバッファ層１
６２、パッシベーション層１６３、遮光膜１６４、着色層１６６、及びオーバーコート層
１６８を形成することができる。なお、本実施の形態では、第２基板１００ｂ上に着色層
１６６を形成しているので、以下に示す第１基板１００ａとの貼り合わせ精度を、１０ｐ
ｐｍ以下さらに好ましくは、５ｐｐｍ以下にすることができる。
Through the above steps, the
62, a
pm or less, more preferably 5 ppm or less.
次に、第１基板１００ａと第２基板１００ｂとの位置合わせをして、接着層１７０を用
いて張り合わせを行う（図１０（Ａ）参照）。
Next, the
接着層１７０に用いることができる材料は、実施の形態１を参酌することができる。
また、接着層１７０と第２電極層１２２の間に、透湿性の低い封止膜が形成されていて
もよい。透湿性の低い封止膜としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミ
ニウム等を用いることができる。
In addition, a sealing film with low moisture permeability may be formed between the
次に、第２基板１００ｂに形成された第２剥離層１０１ｂと第２基板１００ｂの間で剥
離（分離）を行う（図１０（Ｂ）参照）。剥離方法には様々な方法を用いることができる
。
Next, peeling (separation) is performed between the
なお、第１基板１００ａに形成した第１剥離層１０１ａと、第２基板１００ｂに形成し
た第２剥離層１０１ｂの平面方向での大きさは、異なっていても良い。例えば、第２剥離
層１０１ｂの大きさを第１剥離層１０１ａよりも小さく形成しておくことで、第１基板１
００ａと第２基板１００ｂを貼り合わせ後に、第２剥離層１０１ｂに溝が形成しやすくな
るので好適である。
In addition, the magnitude | size in the planar direction of the
It is preferable because a groove is easily formed in the
剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ロ
ーラーを回転させながら分離する処理、超音波処理等）を用いて行えばよい。また、溝に
液体を滴下し、第２剥離層１０１ｂ及び第２のバッファ層１６２の界面に液体を浸透させ
て第２剥離層１０１ｂから第２のバッファ層１６２を剥離してもよい。また、溝にＮＦ３
、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、第２剥離層１０１ｂをフッ化ガスでエッ
チングし除去して、絶縁表面を有する第２基板１００ｂから第２のバッファ層１６２を剥
離する方法を用いてもよい。
The peeling method may be performed by applying mechanical force (a process of peeling with a human hand or a jig, a process of separating while rotating a roller, an ultrasonic process, or the like). Alternatively, the
, A method of peeling the
また例えば、第２剥離層１０１ｂとして酸化しやすい金属（例えばタングステン、モリ
ブデン、チタンなど）または当該金属を含む合金を、第２のバッファ層１６２に酸化物（
例えば酸化シリコンなど）をそれぞれ用い、第２のバッファ層１６２を形成した後に熱処
理を施すことにより、これらの界面に金属酸化物の層を形成する。当該金属酸化物の層で
第２剥離層１０１ｂと第２のバッファ層１６２とを剥離することができる。このとき、剥
離後の第２剥離層１０１ｂの表面、及び第２のバッファ層１６２の表面のいずれか一方、
または両方に当該金属酸化物の層が付着する場合がある。また、第２のバッファ層１６２
に第２剥離層１０１ｂの一部が付着する場合もある。ここで、当該金属酸化物の層を形成
する際、第２のバッファ層１６２を形成する前に第２剥離層１０１ｂの表面を熱酸化、プ
ラズマ酸化などの酸化処理を施して、第２剥離層１０１ｂの表面に金属酸化物の層を形成
してもよい。
Alternatively, for example, a metal that is easily oxidized (eg, tungsten, molybdenum, titanium, or the like) or an alloy containing the metal is used as the
For example, silicon oxide or the like is used, and after the
Alternatively, the metal oxide layer may adhere to both. In addition, the
In some cases, a part of the
このように、第２剥離層１０１ｂと第２のバッファ層１６２の間で剥離してもよい。そ
の場合には、第２剥離層１０１ｂが第２基板１００ｂと共に剥離され、作製される発光装
置に第２剥離層１０１ｂが残存しない構成となる。
In this manner, separation may be performed between the
その他の剥離方法としては、第２剥離層１０１ｂをタングステンで形成した場合は、ア
ンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により第２剥離層１０１ｂをエッチングしながら剥
離を行うことができる。
As another peeling method, when the
また第２剥離層１０１ｂとして、窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非
晶質シリコン膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、第２基板１００ｂとし
て透光性を有する基板を用いた場合には、第２基板１００ｂから第２剥離層１０１ｂにレ
ーザー光を照射して、剥離層内に含有する窒素、酸素や水素を気化させて、第２基板１０
０ｂと第２剥離層１０１ｂとの間で剥離する方法を用いることができる。
A film containing nitrogen, oxygen, hydrogen, or the like (eg, an amorphous silicon film containing hydrogen, a hydrogen-containing alloy film, an oxygen-containing alloy film, or the like) is used as the
A method of peeling between 0b and the
次に、第２のバッファ層１６２に、可撓性を有する基板５０２を第２有機層７００ｂを
用いて接着する（図１１（Ａ）参照）。
Next, a
可撓性を有する基板５０２としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を
用いることができる。また、可撓性を有する基板５０２に、タッチパネル機能を有する基
板を用いても良い。例えば、可撓性を有する基板５０２の一方の面に、透光性導電膜を形
成した基板を用いればよい。タッチパネルの検出方式は、種々方式を用いることができる
が、投影型静電容量方式が好ましい。可撓性を有する基板５０２にタッチパネルの機能を
持たせることにより、発光装置を薄くすることができる。
As the
なお、本実施の形態で示す発光装置は可撓性を有する基板５０２側の面から発光を取り
出すトップエミッション型の発光装置であるため、第１基板１００ａとして非透光性を有
する程度に薄くフィルム化した金属基板を用いてもよい。金属基板は光を取り出さない側
に設ける。金属基板を構成する材料としては特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッ
ケルやアルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好適に用いることが
できる。
Note that since the light-emitting device described in this embodiment is a top-emission light-emitting device in which light is extracted from a
可撓性を有する基板５０２の材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物
または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率または
ヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリ
エステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフ
ェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラ
ス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げ
られる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に有機樹脂を含浸させ有
機樹脂を硬化させた構造物を可撓性を有する基板５０２として用いても良い。可撓性を有
する基板５０２として繊維体と有機樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧に
よる破損に対する信頼性が向上するため、好ましい構成である。
In the case where a fibrous body is included in the material of the
第２有機層７００ｂとしては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応硬化型
接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることができ
る。これらの接着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェ
ノール樹脂などを用いることができる。
As the second
なお、可撓性を有する基板５０２としてプリプレグを用いた場合には、第２有機層７０
０ｂを用いずに可撓性を有する基板５０２と第２のバッファ層１６２とを圧着して貼り合
わせてもよい。
When a prepreg is used as the
Alternatively, the
次に、第１基板１００ａに形成された第１剥離層１０１ａと第１基板１００ａの間で剥
離（分離）を行い、第１有機層７００ａを用いて可撓性を有する基板５０１の接着を行う
（図１１（Ｂ）参照）。
Next, peeling (separation) is performed between the
剥離方法には上述した第２基板１００ｂに形成された第２剥離層１０１ｂと第２のバッ
ファ層１６２の間で剥離した方法と同様な手法により行うことができる。また、可撓性を
有する基板５０１、及び第１有機層７００ａは、それぞれ可撓性を有する基板５０２、及
び第２有機層７００ｂと同様な材料、及び手法により形成することができる。
The peeling method can be performed by a method similar to the method of peeling between the
なお上述のように、第１剥離層１０１ａと第１のバッファ層１０４の間で剥離してもよ
い。その場合には、第１剥離層１０１ａが第１基板１００ａと共に剥離され、作製される
発光装置に第１剥離層１０１ａが残存しない構成となる。
Note that separation may be performed between the
また、上述のように第１剥離層１０１ａとして酸化しやすい金属または合金を用いて、
これを酸化して得られる金属酸化物の層で剥離を行う場合には、第１の剥離層１０１ａの
表面、及び第１のバッファ層１０４の表面のいずれか一方または両方に当該金属酸化物の
層が付着する場合がある。
Further, as described above, a metal or an alloy that is easily oxidized is used as the
In the case where peeling is performed using a metal oxide layer obtained by oxidizing this, either one or both of the surface of the
可撓性を有する基板５０１側の面から発光を取り出すボトムエミッション型の発光装置
とした場合、可撓性を有する基板５０２にタッチパネル機能を有する基板を用いても良い
。
In the case of a bottom emission light-emitting device in which light emission is extracted from the surface of the
以上の工程により、可撓性を有する基板に形成された発光装置を作製することができる。 Through the above steps, a light-emitting device formed over a flexible substrate can be manufactured.
また、本実施の形態では、第２基板１００ｂを剥離したのち、第１基板１００ａを剥離
する方法を例示したが、本明細書中で開示する発明はこれに限らず、第１基板１００ａを
剥離したのち、第２基板１００ｂを剥離してもよい。
Further, in this embodiment, the method of peeling the
また、本実施の形態では、第１基板１００ａ上に形成したトランジスタ１５０、発光素
子１３０から、第１基板１００ａを剥離し、可撓性を有する基板５０１に転置する方法を
例示した。しかし、本明細書中で開示する発明はこれに限らず、可撓性を有する基板５０
１にトランジスタ１５０、発光素子１３０等を直接形成してもよい。
In this embodiment, the method in which the
1, the
次に、電極端子１５７と重なる部分を囲むように可撓性を有する基板５０２側から、可
撓性を有する基板５０２と第２有機層７００ｂに切り込みを入れる（図１２（Ａ））。
Next, the
次に、電極端子１５７と重なる部分を囲むように切り込みを入れた第２有機層７００ｂ
の一部を、発光装置から引き剥がす方向に引っ張ればよい。有機化合物を含む層１２０と
電極端子１５７の界面は密着性が低いので、電極端子１５７を露出させることができる（
図１２（Ｂ））。
Next, a second
May be pulled in the direction of peeling from the light emitting device. Since the interface between the
FIG. 12 (B)).
次に、上記で開口した穴を、導電層６００で埋め込みを行う。導電層６００は、銀ペー
スト等で形成することが好ましい。導電層６００はＦＰＣ４５１８を有する端子と、異方
性導電膜４５１９を介して電気的に接続され、外部電源と外部信号を、発光装置内のトラ
ンジスタ等に入力することが可能となる。または異方性導電膜４５１９を用いずに、導電
層６００として異方性導電性フィルム、または異方性導電性ペーストを用い、ＦＰＣ４５
１８をその上層に配置した後、熱圧着によりＦＰＣ４５１８と電極端子１５７とを導電層
６００を介して電気的に接続してもよい。または、ＦＰＣに変えてＩＣチップを直接実装
する方法を用いてもよい。
Next, the hole opened as described above is filled with the
After arranging 18 on the upper layer,
また、本実施の形態では、発光装置の一つとして、アクティブマトリクス型の発光装置
について例示したが、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することも可能である。
Further, although an active matrix light-emitting device is described as an example of a light-emitting device in this embodiment, the present invention can also be applied to a passive matrix light-emitting device.
以上のように、本実施の形態に示す発光装置は、電極端子１５７に接するように、有機
化合物を含む層１２０と第２電極層１２２を形成する。有機化合物を含む層１２０と電極
端子１５７の界面は密着性が低いので、電極端子１５７に重なる接着層１７０、第２有機
層、および可撓性を有する基板を引き剥がすことにより穴を形成することができる。
As described above, in the light-emitting device described in this embodiment, the
ここで上述のように、第１基板１００ａや第２基板１００ｂの剥離の際に、剥離層とバ
ッファ層の間で剥離した場合には、図１６に示すように作製される発光装置に剥離層が残
存しない構成となる。なお、図１６は第１剥離層１０１ａと第２剥離層１０１ｂのいずれ
も残存していない場合における、発光装置の断面概略図である。発光素子１３０からの発
光を取り出す側には、剥離層が存在しない構成とすることにより発光装置からの発光の取
り出し効率を向上させることができる。
Here, as described above, when the
なお、剥離層が発光装置に残存する構成とする場合には、発光素子１３０からの発光を
取り出す側に用いる剥離層として、透光性の材料を用いることが好ましい。また剥離層と
して金属膜、合金膜または半導体膜を用いる場合には、光を透過する程度に薄く形成する
ことが好ましい。
Note that in the case where the separation layer remains in the light-emitting device, a light-transmitting material is preferably used for the separation layer used on the side where light emitted from the light-emitting
また、本発明の一態様の発光装置の作製方法は、大型の基板に複数の発光装置を同時に
作製する、いわゆる多面取りを行う場合に好適である。例えば、第１基板１００ａと第２
基板１００ｂとに同じ大きさの大型基板を用いて、可撓性を有する基板上に複数の発光装
置を作製する。その後、それぞれの発光装置ごとに分断した後に、ＦＰＣ４５１８と電気
的に接続する電極端子１５７を露出させることができる。
The method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention is suitable for the case where a plurality of light-emitting devices are manufactured over a large substrate at the same time, which is so-called multi-cavity. For example, the
A plurality of light-emitting devices are manufactured over a flexible substrate by using a large substrate having the same size as the
例えば従来の方法を用いて多面取りを行う場合では、分断は電極端子１５７を露出させ
るために、可撓性を有する基板５０２の分断位置を、可撓性を有する基板５０１の分断位
置と異ならせる必要があった。しかしこの方法では、可撓性を有する基板５０１と５０２
とは接着層１７０により接着されているため、電極端子１５７上の可撓性を有する基板５
０２を除去することが困難であった。本発明の一態様の発光装置の作製方法によれば、可
撓性を有する基板５０１及び５０２を同じ位置で分断することができるため、歩留まりよ
く多数の発光装置を同時に作製することができ、生産性を高めることができる。
For example, in the case of performing multi-chamfering using a conventional method, the dividing position of the
Is bonded by an
It was difficult to remove 02. According to the method for manufacturing a light-emitting device of one embodiment of the present invention, the
さらに、第１基板１００ａと第２基板１００ｂとに同じ大きさの基板を用いることで、
異なる大きさの基板を準備する必要がないため、用いる基板の種類や作製装置（例えば成
膜装置など）を共通化することも可能となり、生産性を向上できる。さらに、これらの基
板に同じ大きさの基板を用いることで、それぞれの基板を剥離（分離）する際に、発光装
置を構成する膜に応力が集中してクラックなどが生じてしまう不具合を抑制できる。
Furthermore, by using substrates of the same size as the
Since it is not necessary to prepare substrates of different sizes, it is possible to share the type of substrate to be used and a manufacturing apparatus (for example, a film forming apparatus), and productivity can be improved. Furthermore, by using substrates of the same size as these substrates, it is possible to suppress a problem that stress is concentrated on a film constituting the light emitting device and cracks are generated when the substrates are separated (separated). .
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
This embodiment can be implemented in appropriate combination with the structures described in the other embodiments.
（実施の形態３）
＜発光素子の構成＞
図１３（Ａ）に示す発光素子１３０は、一対の電極（第１電極層１１８、第２電極層１
２２）間に有機化合物を含む層１２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形
態の説明においては、例として、第１電極層１１８を陽極として用い、第２電極層１２２
を陰極として用いるものとする。
(Embodiment 3)
<Configuration of light emitting element>
A light-emitting
22) It has a structure in which a
Is used as the cathode.
また、有機化合物を含む層１２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく
、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い
物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いること
ができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を
適宜組み合わせて用いることができる。
Moreover, the
図１３（Ａ）に示す発光素子１３０は、第１電極層１１８と第２電極層１２２との間に
生じた電位差により電流が流れ、有機化合物を含む層１２０において正孔と電子とが再結
合し、発光するものである。つまり有機化合物を含む層１２０に発光領域が形成されるよ
うな構成となっている。
In the light-emitting
本発明において、発光素子１３０からの発光は、第１電極層１１８、または第２電極層
１２２側から外部に取り出される。従って、第１電極層１１８、または第２電極層１２２
のいずれか一方は透光性を有する物質で成る。
In the present invention, light emitted from the
One of these is made of a light-transmitting substance.
なお、有機化合物を含む層１２０は図１３（Ｂ）のように第１電極層１１８と第２電極
層１２２との間に複数積層されていても良い。ｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を
有する場合には、ｍ（ｍは自然数、ｍは１以上ｎ−１以下）番目の有機化合物を含む層１
２０と、（ｍ＋１）番目の有機化合物を含む層１２０との間には、それぞれ電荷発生層１
２０ａを設けることが好ましい。
Note that a plurality of
20 and the
20a is preferably provided.
電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物
とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを
適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、
例えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化
物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化
水素等の低分子化合物、または、それらの低分子化合物を基本骨格としたオリゴマー、デ
ンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物と
しては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるもの
を適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら
以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層１２０ａに用いるこれらの材料は、キャリ
ア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子１３０の低電流駆動、および低電
圧駆動を実現することができる。
The
For example, an organic compound and a metal oxide such as vanadium oxide, molybdenum oxide, or tungsten oxide are included. As an organic compound, various compounds such as low molecular compounds such as aromatic amine compounds, carbazole derivatives, and aromatic hydrocarbons, or oligomers, dendrimers, polymers, and the like based on these low molecular compounds may be used. it can. As the organic compound, it is preferable to use a hole transporting organic compound having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or more. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Note that these materials used for the
なお、電荷発生層１２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み
合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子
供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合
わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電
膜とを組み合わせて形成してもよい。
Note that the
このような構成を有する発光素子１３０は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こ
り難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子と
することが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容
易である。
The light-emitting
なお、電荷発生層１２０ａとは、第１電極層１１８と第２電極層１２２に電圧を印加し
たときに、電荷発生層１２０ａに接して形成される一方の有機化合物を含む層１２０に対
して正孔を注入する機能を有し、他方の有機化合物を含む層１２０に電子を注入する機能
を有する。
Note that the
図１３（Ｂ）に示す発光素子１３０は、有機化合物を含む層１２０に用いる発光物質の
種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色
の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を
得ることもできる。
The light-emitting
図１３（Ｂ）に示す発光素子１３０を用いて、白色発光を得る場合、複数の有機化合物
を含む層１２０の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成
であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤
色の燐光材料を発光物質として含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色
の発光を示す第１の発光層と、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３
の発光層とを有する構成とすることもできる。または、補色の関係にある光を発する発光
層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子にお
いて、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色
を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色など
が挙げられる。
In the case of obtaining white light emission using the light-emitting
It can also be set as the structure which has these light emitting layers. Alternatively, white light emission can be obtained even with a structure having a light emitting layer that emits light in a complementary color relationship. In a stacked element in which two light emitting layers are laminated, when the emission color obtained from the first light emission layer and the emission color obtained from the second light emission layer are in a complementary color relationship, the complementary color relationship is May be blue and yellow or blue-green and red.
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置
することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現すること
ができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一な
発光が可能となる。
Note that, in the structure of the stacked element described above, by disposing the charge generation layer between the stacked light-emitting layers, a long-life element in a high luminance region can be realized while keeping the current density low. . In addition, since the voltage drop due to the resistance of the electrode material can be reduced, uniform light emission over a large area is possible.
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
This embodiment can be implemented in appropriate combination with the structures described in the other embodiments.
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２における半導体層に用いることのできる酸化物半導体
について詳述する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, an oxide semiconductor that can be used for the semiconductor layer in Embodiment 2 is described in detail.
トランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ
）または亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎ及びＺｎを含むことが好ましい。
また、それらに加えて、酸素を強く結びつけるスタビライザーを有することが好ましい。
スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハ
フニウム（Ｈｆ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくともいずれかを有すればよい。
As an oxide semiconductor used for the semiconductor layer of the transistor, at least indium (In
) Or zinc (Zn). In particular, it is preferable to contain In and Zn.
In addition to these, it is preferable to have a stabilizer that strongly binds oxygen.
The stabilizer may include at least one of gallium (Ga), tin (Sn), zirconium (Zr), hafnium (Hf), and aluminum (Al).
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム
（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウ
ム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホ
ルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、
ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種または複数種を有してもよい。
As other stabilizers, lanthanoids such as lanthanum (La), cerium (Ce), praseodymium (Pr), neodymium (Nd), samarium (Sm), europium (Eu), gadolinium (Gd), terbium (Tb) Dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb),
You may have any 1 type or multiple types of lutetium (Lu).
例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物や、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ
−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−
Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物や、Ｉｎ−Ｈｆ−
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物や、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物、
Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、
Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物や、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、Ｉｎ系酸化物、Ｓｎ系酸化物、Ｚｎ系酸化
物などを用いることができる。
For example, In—Sn—Ga—Zn-based oxide, In—Ga—Zn-based oxide, In—Sn
-Zn oxide, In-Zr-Zn oxide, In-Al-Zn oxide, Sn-Ga-
Zn-based oxide, Al-Ga-Zn-based oxide, Sn-Al-Zn-based oxide, In-Hf-
Zn-based oxide, In-La-Zn-based oxide, In-Ce-Zn-based oxide, In-Pr-Z
n-based oxide, In-Nd-Zn-based oxide, In-Sm-Zn-based oxide, In-Eu-Zn
Oxide, In-Gd-Zn oxide, In-Tb-Zn oxide, In-Dy-Zn oxide, In-Ho-Zn oxide, In-Er-Zn oxide, In -Tm-Zn-based oxide, In-Yb-Zn-based oxide, In-Lu-Zn-based oxide, In-Zn-based oxide,
Sn-Zn oxide, Al-Zn oxide, Zn-Mg oxide, Sn-Mg oxide,
An In—Mg-based oxide, an In—Ga-based oxide, an In-based oxide, a Sn-based oxide, a Zn-based oxide, or the like can be used.
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを主成分
として有する酸化物という意味であり、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの比率は問わない。
Note that here, for example, an In—Ga—Zn-based oxide means an oxide containing In, Ga, and Zn as its main components, and there is no limitation on the ratio of In, Ga, and Zn.
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用
いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複
数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０
）で表記される材料を用いてもよい。
Alternatively, a material represented by InMO 3 (ZnO) m (m> 0) may be used as the oxide semiconductor. Note that M represents one metal element or a plurality of metal elements selected from Ga, Fe, Mn, and Co. As an oxide semiconductor, In 2 SnO 5 (ZnO) n (n> 0
) May be used.
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはＩｎ：
Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化
物を用いることができる。または、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝
２：１：３またはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５の原子数比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物
やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
For example, In: Ga: Zn = 3: 1: 2, In: Ga: Zn = 1: 1: 1 or In:
An In—Ga—Zn-based oxide with an atomic ratio of Ga: Zn = 2: 2: 1 or an oxide in the vicinity of the composition can be used. Or, In: Sn: Zn = 1: 1: 1, In: Sn: Zn =
An In—Sn—Zn-based oxide having an atomic ratio of 2: 1: 3 or In: Sn: Zn = 2: 1: 5 or an oxide in the vicinity of the composition may be used.
なお、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ
＋ｃ＝１）である酸化物の組成が、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝Ａ：Ｂ：Ｃ（Ａ＋Ｂ＋
Ｃ＝１）の酸化物の組成の近傍であるとは、ａ、ｂ、ｃが、式（１）を満たすことをいう
。
For example, the atomic ratio of In, Ga, Zn is In: Ga: Zn = a: b: c (a + b
+ C = 1) and the atomic ratio of In: Ga: Zn = A: B: C (A + B +
Being close to the composition of the oxide of C = 1) means that a, b, and c satisfy the formula (1).
（ａ―Ａ）２＋（ｂ―Ｂ）２＋（ｃ―Ｃ）２≦ｒ２ （１） (A−A) 2 + (b−B) 2 + (c−C) 2 ≦ r 2 (1)
ｒとしては、例えば、０．０５とすればよい。他の酸化物でも同様である。 For example, r may be 0.05. The same applies to other oxides.
しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性（電界効果移動度、しきい値電圧等
）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために
、キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度
等を適切なものとすることが好ましい。
However, the composition is not limited to these, and a material having an appropriate composition may be used depending on required semiconductor characteristics (field effect mobility, threshold voltage, and the like). In order to obtain the required semiconductor characteristics, it is preferable that the carrier concentration, the impurity concentration, the defect density, the atomic ratio between the metal element and oxygen, the interatomic distance, the density, and the like are appropriate.
また、酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタは、酸化物半導体を高純度化する
ことにより、オフ電流（ここでは、オフ状態のとき、例えばソース電位を基準としたとき
のゲート電位との電位差がしきい値電圧以下のときのドレイン電流とする）を十分に低く
することができる。例えば酸化物半導体の高純度化は、加熱成膜により水素や水酸基を酸
化物半導体中に含ませないようにし、または成膜後の加熱により膜中から除去することで
、実現できる。高純度化されることにより、チャネル領域にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を
用いたトランジスタで、チャネル幅あたりのオフ電流を１×１０−２４Ａ／μｍ（１ｙＡ
／μｍ）から１×１０−２２Ａ／μｍ（１００ｙＡ／μｍ）程度とすることが可能である
。
In addition, a transistor using an oxide semiconductor for a semiconductor layer has a high-purity oxide semiconductor, so that an off-state current (here, a potential difference from a gate potential with respect to a source potential in an off state, for example) (The drain current when is less than or equal to the threshold voltage) can be sufficiently reduced. For example, the oxide semiconductor can be highly purified by preventing hydrogen or a hydroxyl group from being contained in the oxide semiconductor by heat film formation or by removing the oxide semiconductor from the film by heating after film formation. By being highly purified, an off-current per channel width of a transistor using an In—Ga—Zn-based oxide in a channel region is 1 × 10 −24 A / μm (1 yA
/ Μm) to about 1 × 10 −22 A / μm (100 yA / μm).
半導体層に用いることのできる酸化物半導体膜は、例えば非単結晶を有してもよい。非
単結晶は、例えば、ＣＡＡＣ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、多結
晶、微結晶、非晶質部を有する。非晶質部は、微結晶、ＣＡＡＣよりも欠陥準位密度が高
い。また、微結晶は、ＣＡＡＣよりも欠陥準位密度が高い。なお、ＣＡＡＣを有する酸化
物半導体を、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。
An oxide semiconductor film that can be used for the semiconductor layer may include a non-single crystal, for example. The non-single crystal includes, for example, CAAC (C Axis Aligned Crystal), polycrystal, microcrystal, and amorphous part. The amorphous part has a higher density of defect states than microcrystals and CAAC. In addition, microcrystals have a higher density of defect states than CAAC. Note that an oxide semiconductor including CAAC is formed using a CAAC-OS (C Axis Aligned Crystalline).
This is called Oxide Semiconductor).
好ましくは、酸化物半導体膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜とする。ＣＡＡＣ−ＯＳは、例えば
、ｃ軸配向し、ａ軸または／およびｂ軸はマクロに揃っていない。
Preferably, the oxide semiconductor film is a CAAC-OS film. For example, the CAAC-OS is c-axis oriented, and the a-axis and / or the b-axis are not aligned macroscopically.
酸化物半導体膜は、例えば微結晶を有してもよい。なお、微結晶を有する酸化物半導体
を、微結晶酸化物半導体と呼ぶ。微結晶酸化物半導体膜は、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ
未満のサイズの微結晶（ナノ結晶ともいう。）を膜中に含む。
The oxide semiconductor film may include microcrystal, for example. Note that an oxide semiconductor including microcrystal is referred to as a microcrystalline oxide semiconductor. For example, the microcrystalline oxide semiconductor film has a thickness of 1 nm to 10 nm.
Microcrystals (also referred to as nanocrystals) having a size less than that are included in the film.
酸化物半導体膜は、例えば非晶質部を有してもよい。なお、非晶質部を有する酸化物半
導体を、非晶質酸化物半導体と呼ぶ。非晶質酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩
序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質酸化物半導体膜は、例えば、完全な非晶
質であり、結晶部を有さない。
For example, the oxide semiconductor film may include an amorphous part. Note that an oxide semiconductor having an amorphous part is referred to as an amorphous oxide semiconductor. An amorphous oxide semiconductor film has, for example, disordered atomic arrangement and no crystal component. Alternatively, the amorphous oxide semiconductor film is, for example, completely amorphous and has no crystal part.
なお、酸化物半導体膜が、ＣＡＡＣ−ＯＳ、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体
の混合膜であってもよい。混合膜は、例えば、非晶質酸化物半導体の領域と、微結晶酸化
物半導体の領域と、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域と、を有する。また、混合膜は、例えば、非晶
質酸化物半導体の領域と、微結晶酸化物半導体の領域と、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域と、の積
層構造を有してもよい。
Note that the oxide semiconductor film may be a mixed film of a CAAC-OS, a microcrystalline oxide semiconductor, and an amorphous oxide semiconductor. For example, the mixed film includes an amorphous oxide semiconductor region, a microcrystalline oxide semiconductor region, and a CAAC-OS region. The mixed film may have a stacked structure of an amorphous oxide semiconductor region, a microcrystalline oxide semiconductor region, and a CAAC-OS region, for example.
なお、酸化物半導体膜は、例えば、単結晶を有してもよい。 Note that the oxide semiconductor film may include a single crystal, for example.
酸化物半導体膜は、複数の結晶部を有し、当該結晶部のｃ軸が被形成面の法線ベクトル
または表面の法線ベクトルに平行な方向に揃っていることが好ましい。なお、異なる結晶
部間で、それぞれａ軸およびｂ軸の向きが異なっていてもよい。そのような酸化物半導体
膜の一例としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜がある。
The oxide semiconductor film preferably includes a plurality of crystal parts, and the c-axis of the crystal parts is aligned in a direction parallel to the normal vector of the formation surface or the normal vector of the surface. Note that the directions of the a-axis and the b-axis may be different between different crystal parts. An example of such an oxide semiconductor film is a CAAC-OS film.
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大き
さであることが多い。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれ
る結晶部と結晶部との境界は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には
粒界（グレインバウンダリーともいう。）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜
は、粒界に起因する電子移動度の低下が抑制される。
In most cases, a crystal part included in the CAAC-OS film fits in a cube whose one side is less than 100 nm. In addition, a transmission electron microscope (TEM: Transmission E)
In an observation image using a micron microscope, a boundary between a crystal part and a crystal part included in the CAAC-OS film is not clear. Further, a grain boundary (also referred to as a grain boundary) cannot be confirmed in the CAAC-OS film by TEM. Therefore, in the CAAC-OS film, reduction in electron mobility due to grain boundaries is suppressed.
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、例えばｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法
線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつａｂ面に垂直な方向から
見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層
状または金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞ
れａ軸及びｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場
合、８０°以上１００°以下、好ましくは８５°以上９５°以下の範囲も含まれることと
する。また、単に平行と記載する場合、−１０°以上１０°以下、好ましくは−５°以上
５°以下の範囲も含まれることとする。
The crystal part included in the CAAC-OS film has a c-axis aligned in a direction parallel to the normal vector of the formation surface of the CAAC-OS film or the normal vector of the surface, and viewed from a direction perpendicular to the ab plane. It has a triangular or hexagonal atomic arrangement, and metal atoms are arranged in layers or metal atoms and oxygen atoms are arranged in layers as seen from the direction perpendicular to the c-axis. Note that the directions of the a-axis and the b-axis may be different between different crystal parts. In this specification, the term “perpendicular” includes a range of 80 ° to 100 °, preferably 85 ° to 95 °. In addition, a simple term “parallel” includes a range of −10 ° to 10 °, preferably −5 ° to 5 °.
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被
形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部の結
晶化が低下することもある。
Note that the distribution of crystal parts in the CAAC-OS film is not necessarily uniform. For example, CA
In the formation process of the AC-OS film, when crystal growth is performed from the surface side of the oxide semiconductor film, the ratio of crystal parts in the vicinity of the surface of the oxide semiconductor film may be higher in the vicinity of the surface. C
When an impurity is added to the AAC-OS film, crystallization of a crystal part in the impurity-added region may be reduced.
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベク
トルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の
形状（被形成面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くこ
とがある。また、結晶部は、成膜したとき、または成膜後に加熱処理などの結晶化処理を
行ったときに形成される。したがって、結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成された
ときの被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃う
。
Since the c-axis of the crystal part included in the CAAC-OS film is aligned in a direction parallel to the normal vector of the formation surface of the CAAC-OS film or the normal vector of the surface, the shape of the CAAC-OS film ( Depending on the cross-sectional shape of the surface to be formed or the cross-sectional shape of the surface, the directions may be different from each other. The crystal part is formed when a film is formed or when a crystallization process such as a heat treatment is performed after the film formation. Therefore, the c-axes of the crystal parts are aligned in a direction parallel to the normal vector of the surface where the CAAC-OS film is formed or the normal vector of the surface.
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、例えば、欠陥準位密度を低減することで形成することができ
る。酸化物半導体において、例えば、酸素欠損は欠陥準位である。酸素欠損は、トラップ
準位となることや、水素を捕獲することによってキャリア発生源となることがある。ＣＡ
ＡＣ−ＯＳを形成するためには、例えば、酸化物半導体に酸素欠損を生じさせないことが
重要となる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳは、欠陥準位密度の低い酸化物半導体である。また
は、ＣＡＡＣ−ＯＳは、酸素欠損の少ない酸化物半導体である。
In addition, the CAAC-OS can be formed by reducing the density of defect states, for example. In an oxide semiconductor, for example, oxygen vacancies are defect levels. Oxygen deficiency may become a trap generation level or become a carrier generation source by capturing hydrogen. CA
In order to form the AC-OS, for example, it is important to prevent oxygen vacancies from being generated in the oxide semiconductor. Therefore, the CAAC-OS is an oxide semiconductor with a low density of defect states. Alternatively, the CAAC-OS is an oxide semiconductor with few oxygen vacancies.
不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない）ことを高純度真性または
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は
、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる場合がある。従っ
て、当該酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイ
ナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない場合がある。また
、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は、欠陥準位密度が低いため
、トラップ準位密度も低くなる場合がある。従って、当該酸化物半導体をチャネル形成領
域に用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる
場合がある。なお、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要
する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準
位密度の高い酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、電気特性が不安
定となる場合がある。
A low impurity concentration and a low defect level density (small oxygen vacancies) is called high purity intrinsic or substantially high purity intrinsic. An oxide semiconductor that is highly purified intrinsic or substantially highly purified intrinsic has few carrier generation sources, and thus may have a low carrier density. Therefore, a transistor in which the oxide semiconductor is used for a channel formation region may rarely have electrical characteristics (also referred to as normally-on) in which the threshold voltage is negative. In addition, a highly purified intrinsic or substantially highly purified intrinsic oxide semiconductor has a low density of defect states, and thus may have a low density of trap states. Therefore, a transistor in which the oxide semiconductor is used for a channel formation region may have a small change in electrical characteristics and be a highly reliable transistor. Note that the charge trapped in the trap level of the oxide semiconductor takes a long time to disappear, and may behave as if it were a fixed charge. Therefore, a transistor in which an oxide semiconductor with a high trap state density is used for a channel formation region may have unstable electric characteristics.
高純度真性または実質的に高純度真性であるＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、
可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。よって、当該トランジスタは、信
頼性が高い。
A transistor using a CAAC-OS that is highly purified intrinsic or substantially highly purified intrinsic is
Small variation in electrical characteristics due to irradiation with visible light or ultraviolet light. Therefore, the transistor has high reliability.
スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜する場合、成膜時の基板温度を高く
することが好ましい。例えば、基板加熱温度を１００℃以上６００℃以下、好ましくは２
００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは１５０℃以上４５０℃以下として酸化物膜を
成膜することによりＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜することができる。
In the case where a CAAC-OS film is formed by a sputtering method, the substrate temperature at the time of film formation is preferably increased. For example, the substrate heating temperature is 100 ° C. or higher and 600 ° C. or lower, preferably 2
A CAAC-OS film can be formed by forming an oxide film at a temperature of 00 ° C to 500 ° C, more preferably 150 ° C to 450 ° C.
また、スパッタリング法に用いる電源として、直流（ＤＣ）電源を用いることが好まし
い。なお、高周波（ＲＦ）電源、交流（ＡＣ）電源を用いることもできる。ただし、ＲＦ
電源は、大面積の基板へ成膜可能なスパッタリング装置への適用が困難である。また、以
下に示す観点からＡＣ電源よりもＤＣ電源が好ましいと考えられる。
In addition, a direct current (DC) power source is preferably used as a power source used for the sputtering method. A high frequency (RF) power source or an alternating current (AC) power source can also be used. However, RF
The power source is difficult to apply to a sputtering apparatus that can form a film on a large-area substrate. Further, from the viewpoint shown below, a DC power source is considered preferable to an AC power source.
スパッタリング用ターゲットとしてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ化合物ターゲットを用いる場
合、例えばＩｎＯｘ粉末、ＧａＯｙ粉末、及びＺｎＯｚ粉末を２：２：１、８：４：３、
３：１：１、１：１：１、４：２：３、３：１：２、３：１：４、１：６：４、１：６：
９等のｍｏｌ数比で混合して形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ化合物ターゲットを用いるこ
とが好ましい。ｘ、ｙ、及びｚは任意の正の数である。なお、スパッタリング用ターゲッ
トは、多結晶であってもよい。
When an In—Ga—Zn—O compound target is used as a sputtering target, for example, InO x powder, GaO y powder, and ZnO z powder are used in a ratio of 2: 2: 1, 8: 4: 3,
3: 1: 1, 1: 1: 1, 4: 2: 3, 3: 1: 2, 3: 1: 4, 1: 6: 4, 1: 6:
It is preferable to use an In—Ga—Zn—O compound target formed by mixing at a molar ratio of 9 or the like. x, y, and z are any positive numbers. Note that the sputtering target may be polycrystalline.
また、マグネトロンを用い、磁場によりスパッタリング用ターゲットの近傍のプラズマ
空間を高密度化してもよい。マグネトロンスパッタリング装置では、例えば、スパッタリ
ング用ターゲットの前方に磁場を形成するため、スパッタリング用ターゲットの後方に磁
石組立体が配置される。当該磁場は、スパッタリング用ターゲットのスパッタリング時に
おいて、電離した電子やスパッタリングにより生じた二次電子を捉える。このようにして
捕捉された電子は成膜室内の希ガス等の不活性ガスとの衝突確率を高め、その結果プラズ
マ密度が高まる。これにより、例えば被素子形成層の温度を著しく上昇させることなく、
成膜の速度を上げることができる。
Alternatively, a magnetron may be used to increase the density of the plasma space near the sputtering target by a magnetic field. In the magnetron sputtering apparatus, for example, a magnet assembly is disposed behind the sputtering target in order to form a magnetic field in front of the sputtering target. The magnetic field captures ionized electrons and secondary electrons generated by sputtering during sputtering of the sputtering target. The trapped electrons increase the probability of collision with an inert gas such as a rare gas in the deposition chamber, and as a result, the plasma density increases. Thereby, for example, without significantly increasing the temperature of the element formation layer,
The film forming speed can be increased.
スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成する場合、例えば、スパッタリング
装置の成膜室内に存在する不純物（水素、水、二酸化炭素、及び窒素など）を低減するこ
とが好ましい。また、成膜ガス中の不純物を低減することが好ましい。例えば、酸素ガス
やアルゴンガスの成膜ガスとして、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より
好ましくは−１００℃以下にまで高純度化したガスを用いることにより、ＣＡＡＣ−ＯＳ
膜に対する不純物の混入を抑制することができる。
In the case where the CAAC-OS film is formed by a sputtering method, it is preferable to reduce impurities (such as hydrogen, water, carbon dioxide, and nitrogen) that exist in the deposition chamber of the sputtering apparatus, for example. Further, it is preferable to reduce impurities in the deposition gas. For example, by using a gas highly purified to have a dew point of −40 ° C. or lower, preferably −80 ° C. or lower, more preferably −100 ° C. or lower as a deposition gas of oxygen gas or argon gas, the CAAC-OS
Impurities can be prevented from being mixed into the film.
スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成する場合、成膜ガス中の酸素割合を
高くし、電力を最適化して成膜時のプラズマダメージを抑制させることが好ましい。例え
ば、成膜ガス中の酸素割合を、３０体積％以上、好ましくは１００体積％にすることが好
ましい。
In the case where a CAAC-OS film is formed by a sputtering method, it is preferable that the oxygen ratio in a deposition gas be increased and power be optimized to suppress plasma damage during deposition. For example, the oxygen ratio in the deposition gas is preferably 30% by volume or more, preferably 100% by volume.
スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜する場合、成膜時の基板加熱に加え
、加熱処理を行ってもよい。加熱処理により、例えば酸化物膜中の不純物濃度を低減させ
ることができる。
In the case of forming a CAAC-OS film by a sputtering method, heat treatment may be performed in addition to substrate heating at the time of film formation. By the heat treatment, for example, the impurity concentration in the oxide film can be reduced.
上記加熱処理は、例えば３５０℃以上基板の歪み点未満の温度、さらには、３５０℃以
上４５０℃以下で行ってもよい。なお、加熱処理を複数回行ってもよい。
The heat treatment may be performed at a temperature of 350 ° C. or higher and lower than the strain point of the substrate, or 350 ° C. or higher and 450 ° C. or lower. Note that the heat treatment may be performed a plurality of times.
上記加熱処理に用いられる加熱処理装置としては、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔ
ｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置又はＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅ
ｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎ
ｎｅａｌｉｎｇ）装置を用いてもよい。なお、これに限定されず、電気炉など、別の加熱
処理装置を用いてもよい。
As the heat treatment apparatus used for the heat treatment, GRTA (Gas Rapid T
herm Annealing) or LRTA (Lamp Rapid The
RTA (Rapid Thermal An) such as rmal annealing
a device). Note that the present invention is not limited to this, and another heat treatment apparatus such as an electric furnace may be used.
上記工程に示すように、成膜中に、水素や水などを膜中に含ませないようにすることに
より、酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の成膜後
に、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜に含まれる水素や水などを除去すること
によって、不純物濃度を低減してもよい。この後に、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸
素欠損を補填することにより、酸化物半導体膜を高純度化することができる。また、酸化
物半導体膜に酸素を添加してもよい。高純度化された酸化物半導体膜は、ｉ型（真性半導
体）又はｉ型に限りなく近い。また、ｉ型に限りなく近い酸化物半導体膜のキャリア密度
は、１×１０１７／ｃｍ３未満、１×１０１５／ｃｍ３未満、又は１×１０１３／ｃｍ３
未満である。
As shown in the above process, the concentration of impurities contained in the oxide semiconductor film is reduced by preventing hydrogen or water from being contained in the film during film formation. The impurity concentration may be reduced by performing heat treatment after the oxide semiconductor film is formed, thereby removing hydrogen, water, or the like contained in the oxide semiconductor film. After that, oxygen is supplied to the oxide semiconductor film to fill oxygen vacancies, whereby the oxide semiconductor film can be highly purified. Further, oxygen may be added to the oxide semiconductor film. A highly purified oxide semiconductor film is almost i-type (intrinsic semiconductor) or i-type. In addition, the carrier density of the oxide semiconductor film that is almost as i-type is less than 1 × 10 17 / cm 3, less than 1 × 10 15 / cm 3 , or 1 × 10 13 / cm 3.
Is less than.
以上がトランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体についての説明である。 The above is the description of the oxide semiconductor used for the semiconductor layer of the transistor.
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置が適用された電子機器や照明装置の例に
ついて、図面を参照して説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, examples of an electronic device or a lighting device to which the light-emitting device of one embodiment of the present invention is applied will be described with reference to drawings.
フレキシブルな形状を備える発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョ
ン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デ
ジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話
、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機
などの大型ゲーム機などが挙げられる。
As an electronic device to which a light-emitting device having a flexible shape is applied, for example, a television device (also referred to as a television or a television receiver), a monitor for a computer, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, a mobile phone (Also referred to as a mobile phone or a mobile phone device), a portable game machine, a portable information terminal, a sound reproduction device, a large game machine such as a pachinko machine, and the like.
また、照明や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装の
曲面に沿って組み込むことも可能である。
It is also possible to incorporate lighting and display devices along the inner or outer wall of a house or building, or along the curved surface of the interior or exterior of an automobile.
図１４（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０
１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発
光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
FIG. 14A illustrates an example of a mobile phone. A
1, an
A
図１４（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
A
Information can be entered. In addition, any operation such as making a call or inputting characters can be performed by touching the
また操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７４０２に表示
される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニ
ュー画面に切り替えることができる。
Further, by operating the
ここで、表示部７４０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。したが
って、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機とすることができる。
Here, the
図１４（Ｂ）は、リストバンド型の携帯表示装置の一例を示している。携帯表示装置７
１００は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、及び送受信装置７１０
４を備える。
FIG. 14B illustrates an example of a wristband portable display device. Portable display device 7
Reference numeral 100 denotes a
4 is provided.
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信し
た映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信
することもできる。
The
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
Further, the
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。したが
って、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
Here, the
図１４（Ｃ）〜図１４（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照
明装置７２１０、照明装置７２２０はそれぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２
０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
FIG. 14C to FIG. 14E illustrate an example of a lighting device. Each of the
01 and a light emitting portion supported by the
図１４（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
A
図１４（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に
全方位を照らすことができる。
A
図１４（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。し
たがって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。
A
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなど
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
In addition, since each light-emitting portion included in the
ここで、発光部７２０２、７２１２、７２２２には、本発明の一態様の発光装置が組み
込まれている。したがって、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置とするこ
とができる。
Here, the light-emitting devices of one embodiment of the present invention are incorporated in the light-emitting
図１５（Ａ）には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置７３００は、筐体
７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０
５を備える。
FIG. 15A illustrates an example of a portable display device. A
5 is provided.
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示
部７３０２を備える。
The
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映
像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそな
える。また、制御部７３０５にコネクタを備え、映像信号や電力を直接供給する構成とし
てもよい。
Further, the
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え等を行うことができる。
An
図１５（Ｂ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態を示
す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、筐体７３０１の表
面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作することができる。
FIG. 15B shows a state where the
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が湾曲しないよう、表示部７３
０２の端部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
Note that the display unit 73 is prevented from bending when the
A frame for reinforcement may be provided at the end of 02.
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って音声を出力する構成としてもよい。
In addition to this configuration, a speaker may be provided in the housing, and audio may be output by an audio signal received together with the video signal.
表示部７３０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。したがって、表
示部７３０２にはフレキシブルで且つ信頼性の高い発光装置が適用されるため、表示装置
７３００は軽量で且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。
In the
なお、本発明の一態様の発光装置を具備していれば、上記で示した電子機器や照明装置
に特に限定されないことは言うまでもない。
Note that it is needless to say that the electronic device or the lighting device is not particularly limited as long as the light-emitting device of one embodiment of the present invention is included.
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。
This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the other embodiments described in this specification.
１００ａ 第１基板
１００ｂ 第２基板
１０１ａ 第１剥離層
１０１ｂ 第２剥離層
１０３ 絶縁層
１０４ バッファ層
１０６ ゲート電極層
１０８ ゲート絶縁層
１１０ 半導体層
１１２ａ ソース電極層
１１２ｂ ドレイン電極層
１１４ 絶縁層
１１６ 絶縁層
１１８ 第１電極層
１２０ 有機化合物を含む層
１２０ａ 電荷発生層
１２２ 第２電極層
１２４ 隔壁
１３０ 発光素子
１５０ トランジスタ
１５１ トランジスタ
１５２ トランジスタ
１６２ バッファ層
１６３ パッシベーション層
１６４ 遮光膜
１６８ オーバーコート層
１５７ 電極端子
１６６ 着色層
１７０ 接着層
５０１ 可撓性を有する基板
５０２ 可撓性を有する基板
６００ 導電層
７００ａ 第１有機層
７００ｂ 第２有機層
９０１ 発光装置
９０２ 発光装置
９０３ 発光装置
９０４ 発光装置
４５０２ 画素部
４５０３ 信号線回路部
４５１９ 異方性導電膜
７１００ 携帯表示装置
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 送受信装置
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ 表示装置
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 引き出し部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
100a
Claims (1)
基板の上方に、前記第１の電極層と、前記電極端子と、を形成し、
前記第１の電極層の端部を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極層、前記隔壁、及び前記電極端子と接するように、前記有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層を介して前記第１の電極層と重なる領域を有し、前記電極端子とは重ならない前記第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層及び前記電極端子の上方に樹脂層を形成し、
前記電極端子と重なる部分において前記樹脂層に切り込みを形成し、
前記樹脂層の上方に粘着性のテープを貼り付けた後、前記粘着性のテープを引き剥がして前記電極端子に接する領域の前記樹脂層を除去することによって、前記電極端子の表面を露出させ、
前記露出された前記電極端子の表面と接する導電層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 A light emitting device having a first electrode layer, a layer containing an organic compound, and a light emitting element having a second electrode layer, and an electrode terminal,
Forming the first electrode layer and the electrode terminal above the substrate;
A partition is formed so as to cover an end of the first electrode layer;
Forming a layer containing the organic compound in contact with the first electrode layer, the partition, and the electrode terminal;
Forming a second electrode layer that does not overlap the electrode terminal, having a region overlapping the first electrode layer through a layer containing the organic compound;
Forming a resin layer above the second electrode layer and the electrode terminal;
Forming a cut in the resin layer in a portion overlapping the electrode terminal;
After affixing an adhesive tape above the resin layer, the surface of the electrode terminal is exposed by removing the resin layer in a region in contact with the electrode terminal by peeling off the adhesive tape,
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising forming a conductive layer in contact with the exposed surface of the electrode terminal.
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