JP2017145295A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガラス転移温度が高く、硬化物中の塩素イオン濃度が抑制されると共に、成形マージンが広く、硬化性及び保存安定性に優れ、半導体装置の製造効率を向上させることが可能なエポキシ樹脂組成物、並びに、該エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填剤、(D)特定の構造で表されるリン化合物、(E)特定の構造で表されるリン化合物、(F)カップリング剤を含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂組成物の全量に対する、前記(D)成分の含有量が、トリフェニルホスフィン換算で0.01〜10重量%であり、前記(E)成分の含有量が、0.01〜10重量%であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【選択図】なし
Description
本発明は、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関する。
従来から、半導体素子等の電気・電子部品には、熱硬化性樹脂による封止が広く行われており、封止用樹脂としては、エポキシ樹脂が一般に用いられている。特に、フェノール樹脂を硬化剤とし、シリカ粉末のような無機充填剤などを配合したエポキシ樹脂組成物は、成形性や信頼性に優れ、かつ安価であることから、広く用いられている。とりわけ、近年の半導体装置の軽薄短小の流れに伴い、狭部充填性や複雑形状のパッケージングに対応できる封止材が望まれている。このような背景から、封止用エポキシ樹脂組成物の特性として、溶融粘度が低いこと、成形マージンが広いこと、並びに硬化不良が起きないことが求められている。
また、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を所定の時間内に完了させるために、エポキシ樹脂組成物には硬化促進剤が配合されている。該硬化促進剤として、例えば、トリフェニルホスフィンとパラベンゾキノンとの付加体(以下、「TPP−BQ」とも記載)が使用されている。このTPP−BQは硬化促進剤でありながら、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低下させる効果も有している(例えば、特許文献1〜5)。
半導体素子と回路との間の導通を確保するために、半導体素子にはワイヤーを張っている。ワイヤーを張った半導体素子をエポキシ樹脂組成物で封止して得られる半導体装置を安価に製造するため、ワイヤー材料が金から銀、さらに銅へと変更が進められている。また、エポキシ樹脂組成物中の原材料の一つであるエポキシ樹脂は、通常フェノール化合物とエピクロロヒドリンとを反応させて得られるため、エポキシ樹脂中には、加水分解性塩素等の不純物塩素が含まれている。そのため、エポキシ樹脂組成物を加熱溶融し、加圧成形する際に、発生する塩素イオンにより銅ワイヤーの腐食が起きるという問題がある。
このような銅ワイヤーの腐食に起因する半導体装置の不良を防止するために、エポキシ樹脂組成物中にイオン捕捉剤を配合している。イオン捕捉剤の使用目的は、エポキシ樹脂組成物を加圧成形する際に発生する塩素イオンの捕捉である。しかしながら、イオン捕捉剤による塩素イオンの捕捉には限界がある。
そのため、塩素含有量が低い原材料を使用することも必要とされており、原材料の価格が押し上げられる要因となっている。
そのため、塩素含有量が低い原材料を使用することも必要とされており、原材料の価格が押し上げられる要因となっている。
本発明者らもリン系の硬化促進剤を開発した。該硬化促進剤は、ホスフィン化合物と種々のエポキシ化合物との付加体であり、TPP−BQと同じリン系の硬化促進剤である。該硬化促進剤を使用すると、熱的強度や機械的強度に優れ、塩素イオン濃度を低く抑制した硬化物が得られるといった特徴があった(例えば、特許文献6及び7)。
しかしながら、硬化促進剤として特許文献6及び7に記載されたリン系硬化促進剤を用いた場合、TPP−BQを使用した時のようにエポキシ樹脂組成物の溶融粘度は低下せず、半導体装置を自動成型機で製造する際のリードタイムを十分に満たせる程の成形マージンを有しているとは言えなかった。
また、半導体封止業界で使用され、流動特性に優れているTPP−BQにもTPP−BQが熱溶融しないため、TPP−BQを微粒子化してエポキシ樹脂組成物中に高分散しなければ硬化性が低くなるという課題があった。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、ガラス転移温度が高く、硬化物中の塩素イオン濃度が抑制されると共に、成形マージンが広く、硬化性及び保存安定性に優れ、半導体装置の製造効率を向上させることが可能なエポキシ樹脂組成物、並びに、該エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、エポキシ樹脂組成物中に硬化促進剤として特定の構造を有するリン化合物2種類をそれぞれ特定の割合で含有させることにより、上記課題を解決することを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、以下の[1]及び[2]を提供する。
[1](A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填剤、(D)下記一般式(1)又は一般式(2)で表されるリン化合物、(E)下記一般式(3)で表されるリン化合物、(F)カップリング剤を含有するエポキシ樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂組成物の全量に対する、前記(D)成分の含有量が、トリフェニルホスフィン換算で0.01〜10重量%であり、前記(E)成分の含有量が、0.01〜10重量%であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(一般式(1)中、Rはアルキル基;アリール基;アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、多環芳香族基、アルカントリイル基、シクルアルカントリイル基、アレーントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルカンテトライル基、及びアレーンテトライル基から選ばれる2価以上の有機基;変性もしくは無変性のフェノールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールA型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールF型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂主鎖骨格;これらの主鎖骨格の一部又は全部が臭素原子で置換されている主鎖骨格;ホスファフェナントレン骨格を含む基;及びホスファフェナントレン骨格を含む基の水素原子の一部又は全部が臭素原子で置換されている基からなる群から選ばれる1種の基又は主鎖骨格である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。lは1以上の整数であり、mは0以上の整数である。)
(一般式(2)中、Qはイソシアヌレート骨格を有する基、チオシアヌル酸骨格を有する基、及びメラミン骨格を有する基の中から選ばれる1種である。pは1〜3の整数、qは0〜2の整数である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。)
(一般式(3)中、Aはアルキル基、又はアリール基である。Aはハロゲン原子、及びアルコキシ基から選択される1以上の置換基を有していてもよい。X4、X5、X6はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。Nu−は1価のホスホニウムカチオンと対をなすアニオンであって、テトラアリールボレート、又はフェノール樹脂由来のフェノラートである。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールA型樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールF型樹脂、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型フェノール樹脂、ホスファフェナントレン骨格を含むフェノール化合物、及びこれらのフェノール樹脂の一部又は全部が臭素原子で置換されているフェノール樹脂からなる群から選ばれる1種のフェノール樹脂である。)
[2]上記[1]に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
[1](A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填剤、(D)下記一般式(1)又は一般式(2)で表されるリン化合物、(E)下記一般式(3)で表されるリン化合物、(F)カップリング剤を含有するエポキシ樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂組成物の全量に対する、前記(D)成分の含有量が、トリフェニルホスフィン換算で0.01〜10重量%であり、前記(E)成分の含有量が、0.01〜10重量%であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(一般式(1)中、Rはアルキル基;アリール基;アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、多環芳香族基、アルカントリイル基、シクルアルカントリイル基、アレーントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルカンテトライル基、及びアレーンテトライル基から選ばれる2価以上の有機基;変性もしくは無変性のフェノールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールA型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールF型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂主鎖骨格;これらの主鎖骨格の一部又は全部が臭素原子で置換されている主鎖骨格;ホスファフェナントレン骨格を含む基;及びホスファフェナントレン骨格を含む基の水素原子の一部又は全部が臭素原子で置換されている基からなる群から選ばれる1種の基又は主鎖骨格である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。lは1以上の整数であり、mは0以上の整数である。)
(一般式(2)中、Qはイソシアヌレート骨格を有する基、チオシアヌル酸骨格を有する基、及びメラミン骨格を有する基の中から選ばれる1種である。pは1〜3の整数、qは0〜2の整数である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。)
(一般式(3)中、Aはアルキル基、又はアリール基である。Aはハロゲン原子、及びアルコキシ基から選択される1以上の置換基を有していてもよい。X4、X5、X6はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。Nu−は1価のホスホニウムカチオンと対をなすアニオンであって、テトラアリールボレート、又はフェノール樹脂由来のフェノラートである。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールA型樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールF型樹脂、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型フェノール樹脂、ホスファフェナントレン骨格を含むフェノール化合物、及びこれらのフェノール樹脂の一部又は全部が臭素原子で置換されているフェノール樹脂からなる群から選ばれる1種のフェノール樹脂である。)
[2]上記[1]に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
本発明によれば、ガラス転移温度が高く、硬化物中の塩素イオン濃度が抑制されると共に、成形マージンが広く、硬化性及び保存安定性に優れ、半導体装置の製造効率を向上させることが可能なエポキシ樹脂組成物、並びに、該エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置を提供することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
(エポキシ樹脂組成物)
まず、本発明のエポキシ樹脂組成物の各成分について述べる。
〔(A)エポキシ樹脂〕
本発明で用いる(A)成分のエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーであり、特に限定されず公知の物を使用することができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ化合物等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(エポキシ樹脂組成物)
まず、本発明のエポキシ樹脂組成物の各成分について述べる。
〔(A)エポキシ樹脂〕
本発明で用いる(A)成分のエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーであり、特に限定されず公知の物を使用することができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ化合物等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記(A)成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、硬化性の観点から、50〜500の範囲のものが好ましく、80〜300の範囲のものがより好ましい。
本発明では、後述する特定の構造を有するリン化合物2種類を硬化促進剤として用いることにより、本発明のエポキシ樹脂組成物を硬化させた硬化物中に含まれる塩素イオン濃度を抑制することができる。そのため、従来は半導体封止用エポキシ樹脂組成物の原材料として使用することができなかった、加水分解性塩素もしくは全塩素として定義された塩素不純物の含有量が多いエポキシ樹脂も使用することができる。
ここで、全塩素とは、エポキシ樹脂中に含まれる有機塩素及び無機塩素の総量のことであり、水酸化カリウムでエポキシ樹脂中の塩素をイオンとして抽出した後、硝酸銀で滴定することにより求められる。
ここで、全塩素とは、エポキシ樹脂中に含まれる有機塩素及び無機塩素の総量のことであり、水酸化カリウムでエポキシ樹脂中の塩素をイオンとして抽出した後、硝酸銀で滴定することにより求められる。
上記(A)成分のエポキシ樹脂中に含まれる加水分解性塩素の含有量は、好ましくは5,000ppm以下、より好ましくは1,000ppm以下である。また、ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ10ppm以下であることが好ましい。上記加水分解性塩素及びアルカリ金属の含有量が多いと、半導体素子をエポキシ樹脂組成物で封止して得られる半導体装置を長期間恒温恒湿下に暴露した場合に、塩素イオン及び/またはアルカリ金属イオンが遊離して、半導体装置の性能に悪影響を及ぼし、信頼性を低下させる原因となる。したがって、エポキシ樹脂中に含まれる加水分解性塩素の含有量、並びにナトリウム、及びカリウムの含有量は、それぞれ上記特定値以下であることが好ましい。
エポキシ樹脂組成物の全量に対する(A)成分の配合量は、良好な硬化性や硬化物特性が得られるという観点から、好ましくは3〜15重量%、より好ましくは5〜10重量%である。
〔(B)フェノール樹脂〕
本発明で用いる(B)成分のフェノール樹脂は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーであり、特に限定されず公知の物を使用することができる。フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、ナフトールノボラック型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明で用いる(B)成分のフェノール樹脂は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーであり、特に限定されず公知の物を使用することができる。フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、ナフトールノボラック型フェノール樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記(B)成分のフェノール樹脂の水酸基当量は、硬化性の観点から、30〜200の範囲のものが好ましく、50〜180の範囲のものがより好ましい。
また、上記(B)成分のフェノール樹脂は、上記(A)成分のエポキシ樹脂で説明したのと同様の理由から、ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ10ppm以下であることが好ましい。
また、上記(B)成分のフェノール樹脂は、上記(A)成分のエポキシ樹脂で説明したのと同様の理由から、ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ10ppm以下であることが好ましい。
(A)成分と(B)成分との配合割合は特に制限されず、従来一般に採用されている条件とすればよいが、(A)成分に対する(B)成分の割合[(B)/(A)]は、好ましくは0.3〜1.5、より好ましくは0.4〜1.2、更に好ましくは0.5〜1.1である。
〔(C)無機充填剤〕
本発明で用いる(C)成分の無機充填剤は、一般に封止用材料に用いられるものを適宜選択して使用することができ、特に限定されない。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、多孔質シリカ、合成シリカ、アルミナ、酸化チタン、タルク、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ガラス繊維等を挙げることができる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明で用いる(C)成分の無機充填剤は、一般に封止用材料に用いられるものを適宜選択して使用することができ、特に限定されない。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、多孔質シリカ、合成シリカ、アルミナ、酸化チタン、タルク、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ガラス繊維等を挙げることができる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記(C)成分の無機充填剤の平均粒径としては、好ましくは0.1〜150μmであり、より好ましくは0.5〜75μmであり、更に好ましく1〜55μmである。上記範囲内であれば、エポキシ樹脂組成物の金属金型への充填性の低下を抑制することができる。
なお、上記平均粒径は、レーザ回折散乱方式(たとえば、(株)島津製作所製、装置名:SALD-3100)により測定された値である。
なお、上記平均粒径は、レーザ回折散乱方式(たとえば、(株)島津製作所製、装置名:SALD-3100)により測定された値である。
エポキシ樹脂組成物全量に対する上記(C)成分の無機充填剤の配合量は、好ましくは75〜95重量%、より好ましくは80〜95重量%、更に好ましくは85〜95重量%である。75重量%以上とすることで、エポキシ樹脂組成物を硬化した硬化物の吸水率及び強度の低下を抑制することができる。95重量%以下とすることで、エポキシ樹脂組成物の流動性の低下を抑制することができ、半導体素子を封止する際に未充填などが生じるのを防止することができる。
〔(D)一般式(1)又は一般式(2)で表されるリン化合物〕
本発明で用いる(D)成分の下記一般式(1)又は一般式(2)で表されるリン化合物は、硬化促進剤であり、エポキシ樹脂組成物の流動性及び成形マージンを向上させると共に、エポキシ樹脂組成物の硬化物中に含まれる塩素イオン濃度を抑制する効果を奏する。
(一般式(1)中、Rはアルキル基;アリール基;アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、多環芳香族基、アルカントリイル基、シクルアルカントリイル基、アレーントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルカンテトライル基、及びアレーンテトライル基から選ばれる2価以上の有機基;変性もしくは無変性のフェノールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールA型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールF型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂主鎖骨格;これらの主鎖骨格の一部又は全部が臭素原子で置換されている主鎖骨格;ホスファフェナントレン骨格を含む基;及びホスファフェナントレン骨格を含む基の水素原子の一部又は全部が臭素原子で置換されている基からなる群から選ばれる1種の基又は主鎖骨格である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。lは1以上の整数であり、mは0以上の整数である。)
(一般式(2)中、Qはイソシアヌレート骨格を有する基、チオシアヌル酸骨格を有する基、及びメラミン骨格を有する基の中から選ばれる1種である。pは1〜3の整数、qは0〜2の整数である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。)
本発明で用いる(D)成分の下記一般式(1)又は一般式(2)で表されるリン化合物は、硬化促進剤であり、エポキシ樹脂組成物の流動性及び成形マージンを向上させると共に、エポキシ樹脂組成物の硬化物中に含まれる塩素イオン濃度を抑制する効果を奏する。
(一般式(1)中、Rはアルキル基;アリール基;アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、多環芳香族基、アルカントリイル基、シクルアルカントリイル基、アレーントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルカンテトライル基、及びアレーンテトライル基から選ばれる2価以上の有機基;変性もしくは無変性のフェノールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールA型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールF型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂主鎖骨格;これらの主鎖骨格の一部又は全部が臭素原子で置換されている主鎖骨格;ホスファフェナントレン骨格を含む基;及びホスファフェナントレン骨格を含む基の水素原子の一部又は全部が臭素原子で置換されている基からなる群から選ばれる1種の基又は主鎖骨格である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。lは1以上の整数であり、mは0以上の整数である。)
(一般式(2)中、Qはイソシアヌレート骨格を有する基、チオシアヌル酸骨格を有する基、及びメラミン骨格を有する基の中から選ばれる1種である。pは1〜3の整数、qは0〜2の整数である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。)
前記Rのアルキル基の炭素数は、例えば、1〜14であることが好ましく、1〜10であることがより好ましい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げられる。
上記アルキル基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基等で置換されていてもよい。
上記アルキル基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基等で置換されていてもよい。
前記Rのアリール基の炭素数は、例えば、4〜24であることが好ましく、4〜20であることがより好ましい。アリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基、アントリル基等が挙げられる。
上記アリール基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等で置換されていてもよい。
上記アリール基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等で置換されていてもよい。
前記Rの2価の有機基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、多環芳香族基等が挙げられる。中でも、本発明の効果を得る観点から、多環芳香族基が好ましい。これらの基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等で置換されていてもよい。
アルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等が挙げられる。
シクロアルキレン基の具体例としては、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、メチルシクロヘキシレン基、グルコースやラクトース及びセルロースなどの糖類の骨格等が挙げられる。
アリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基等が挙げられ、中でも、ビフェニレン基、ターフェニレン基が好ましい。
多環芳香族基としては、例えば、ナフチレン基、ビナフチレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基、トリフェニレン基、フルオレニレン基などが挙げられる。中でもナフチレン基、フルオレニレン基が好ましく、より具体的には、9,9’−ジフェニルフルオレニレン基が挙げられる。
前記Rの3価の有機基としては、例えば、アルカントリイル基、シクルアルカントリイル基、アレーントリイル基等が挙げられる。
アルカントリイル基の具体例としては、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基等が挙げられ、シクロアルカントリイル基の具体例としては、シクロペンタントリイル基、シクロヘキサントリイル基等が挙げられ、アレーントリイル基の具体例としては、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基等が挙げられる。
これらの基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等で置換されていてもよい。
アルカントリイル基の具体例としては、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基等が挙げられ、シクロアルカントリイル基の具体例としては、シクロペンタントリイル基、シクロヘキサントリイル基等が挙げられ、アレーントリイル基の具体例としては、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基等が挙げられる。
これらの基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等で置換されていてもよい。
前記Rの4価の有機基としては、例えば、アルカンテトライル基、シクロアルカンテトライル基、アレーンテトライル基等が挙げられる。アルカンテトライル基の具体例としては、ブタンテトライル基、ペンタンテトライル基、ヘキサンテトライル基等が挙げられ、シクロアルカンテトライル基の具体例としては、シクロペンタンテトライル基、シクロヘキサンテトライル基等が挙げられ、アレーンテトライル基の具体例としては、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基等が挙げられる。
これらの基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等で置換されていてもよい。
これらの基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等で置換されていてもよい。
前記Rには前記記載のエポキシ樹脂の主鎖骨格を用いてもよく、エポキシ基は主鎖の末端だけでなく、主鎖の途中に酸素原子を介して結合していてもよい。
なお、本発明において「エポキシ樹脂主鎖骨格」とは、エポキシ樹脂の繰り返し単位中に含まれるグリシジルエーテル基を除いた部分を意味する。
なお、本発明において「エポキシ樹脂主鎖骨格」とは、エポキシ樹脂の繰り返し単位中に含まれるグリシジルエーテル基を除いた部分を意味する。
前記エポキシ樹脂の主鎖の具体例としては、例えば、以下の式(4)〜(11)中の点線で囲った部分で表される主鎖が挙げられる。
上記式(4)〜(11)中、nはエポキシ当量が50〜500の範囲となる重合度であり、より好ましくはエポキシ当量が80〜300の範囲となる重合度である。
前記一般式(1)中のlは1以上の整数であり、好ましくは2以上である。mは0以上の整数である。
前記一般式(1)中、X1、X2、X3の炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、n−オクチル基等が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、t−ブチル基が好ましい。
X1、X2、X3の炭素数1〜8のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基等が挙げられる。中でも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
X1、X2、X3の炭素数2〜8のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、シクロプロペニル基、ブテニル基、シクロブテニル基等が挙げられる。中でも、ビニル基が好ましい。
X1、X2、X3の炭素数1〜8のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基等が挙げられる。中でも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
X1、X2、X3の炭素数2〜8のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、シクロプロペニル基、ブテニル基、シクロブテニル基等が挙げられる。中でも、ビニル基が好ましい。
前記一般式(1)で表されるリン化合物は、下記式(12)〜(27)で表されるリン化合物の中から選択される1種以上であることが好ましい。
前記一般式(2)中のQは、イソシアヌレート骨格を有する基、チオシアヌル酸骨格を有する基、及びメラミン骨格を有する基の中から選ばれる1種である。中でも、本発明の効果を得る観点から、イソシアヌレート骨格を有する基が好ましい。
また、前記一般式(2)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
また、前記一般式(2)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
前記一般式(2)中のpは1〜3の整数であり、qは0〜2の整数である。
イソシアヌレート骨格を有する基は、下記式(28)で表される。
式(28)中、*1〜*3は、結合位置を示す。
式(28)中、*1〜*3は、結合位置を示す。
上記式(28)で表される基を有するリン化合物としては、例えば、下記一般式(29)〜(31)で表されるリン化合物が挙げられる。中でも、下記一般式(30)、及び(31)で表されるリン化合物が好ましく、下記一般式(31)で表されるリン化合物がより好ましい。
なお、下記一般式(29)〜(31)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
なお、下記一般式(29)〜(31)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
チオシアヌル酸骨格を有する基は、下記式(32)で表される。
式(32)中、*1〜*3は、結合位置を示す。
式(32)中、*1〜*3は、結合位置を示す。
上記式(32)で表される基を有するリン化合物としては、例えば、下記一般式(33)〜(35)で表されるリン化合物が挙げられる。中でも、下記一般式(34)、及び(35)で表されるリン化合物が好ましく、下記一般式(35)で表されるリン化合物がより好ましい。
なお、下記一般式(33)〜(35)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
なお、下記一般式(33)〜(35)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
メラミン骨格を有する基は、下記式(36)で表される。
式(36)中、*1〜*3は、結合位置を示す。
式(36)中、*1〜*3は、結合位置を示す。
上記式(36)で表される基を有するリン化合物としては、例えば、下記一般式(37)〜(39)で表されるリン化合物が挙げられる。中でも、下記一般式(38)、及び(39)で表されるリン化合物が好ましく、下記一般式(39)で表されるリン化合物がより好ましい。
なお、下記一般式(37)〜(39)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
なお、下記一般式(37)〜(39)中のX1、X2、X3の具体例は、前記と同じである。
前記一般式(1)及び一般式(2)で表されるリン化合物は、トリフェニルホスフィン、トリ(パラトリル)ホスフィン等のホスフィン化合物とエポキシ化合物とを付加反応させることにより得ることができる。
前記付加反応に用いられるエポキシ化合物はエポキシ基を有していれば特に限定されない。例えば、9,9−ビス(4−グリシドキシフェニル)フルオレン、3,3',5,5'−テトラメチルビフェニル−4,4'−ジオールジグリシジルエーテル、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ化合物、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記付加反応に用いられるエポキシ化合物はエポキシ基を有していれば特に限定されない。例えば、9,9−ビス(4−グリシドキシフェニル)フルオレン、3,3',5,5'−テトラメチルビフェニル−4,4'−ジオールジグリシジルエーテル、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ化合物、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記エポキシ化合物のエポキシ当量は、硬化性の観点から、50〜500の範囲のものが好ましく、80〜300の範囲のものがより好ましい。
前記ホスフィン化合物と前記エポキシ化合物との付加反応は、特に限定されないが、該付加反応は、反応溶媒を使用することなく、溶融したエポキシ化合物中で行われることが好ましい。具体的には、先ず、エポキシ化合物を融点以上に加熱して、溶融させる。次いで、溶融したエポキシ化合物中に前記ホスフィン化合物を加えて攪拌混合することにより、前記ホスフィン化合物とエポキシ化合物との付加体であるリン化合物が得られる。上記反応では、反応溶媒を使用しないため、脱溶媒工程を必要とせず、簡易にリン化合物を製造することができる。また、このようにして製造されたリン化合物をエポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として用いた際に、反応溶媒を使用していないため、ボイド(気泡)の発生を抑制することができる。
上記反応の際の温度は、好ましくは120〜200℃、より好ましくは130〜170℃である。120℃以上とすることにより、ホスフィン化合物とエポキシ化合物との付加体を良好に製造することができる。200℃以下とすることにより、ホスフィン化合物の酸化反応を抑制することができ、ホスフィン化合物とエポキシ化合物との付加体を良好に製造することができる。
また、上記反応時間は、反応温度やエポキシ化合物の種類等により異なる。例えば、3分〜1時間、好ましくは5〜20分の範囲で適宜調整すればよい。
前記ホスフィン化合物の配合量は、前記エポキシ化合物の配合量以下であれば、任意の割合で使用することができるが、前記エポキシ化合物のエポキシ基当量に対するモル比で0.2〜1.0倍であることが好ましく、0.25〜0.95倍であることがより好ましい。前記範囲内であれば、未反応のホスフィン化合物が残らず、エポキシ樹脂組成物を成形する際に組成物の溶融粘度の上昇を抑制することができる。一方、前記範囲内では、エポキシ化合物の一部が未反応のまま残ることになる。このようにホスフィン化合物とエポキシ化合物とを付加反応させることにより得られる反応生成物が、ホスフィン化合物とエポキシ化合物との付加体、及び未反応のエポキシ化合物の混合物であってもよい。
前記ホスフィン化合物と前記エポキシ化合物との付加反応が終了した後、前記ホスフィン化合物と前記エポキシ化合物との反応生成物を急冷することが好ましい。反応終了後の除熱を効果的に行うことにより、ホスフィン化合物とエポキシ化合物との付加体を良好に製造することができる。
前記反応生成物を急冷する手段は、特に限定されないが、例えば、前記反応生成物をテフロンシートやステンレス製のバット上に流し出す方法等が挙げられる。
前記反応生成物を急冷する手段は、特に限定されないが、例えば、前記反応生成物をテフロンシートやステンレス製のバット上に流し出す方法等が挙げられる。
エポキシ樹脂組成物の全量に対する(D)成分の配合量は、トリフェニルホスフィン換算で0.01〜10.0重量%であり、好ましくは0.05〜5.0重量%、より好ましくは0.1〜1.0重量%、更に好ましくは0.1〜0.8重量%である。0.01重量%未満ではエポキシ樹脂組成物の硬化が不完全となり、良好な硬化物が得られないおそれがある。10重量%を超えるとエポキシ樹脂組成物の流動性が損なわれるため、半導体素子を封止する際に未充填などを引き起こすおそれがある。
〔(E)一般式(3)で表されるリン化合物〕
本発明で用いる(E)成分の下記一般式(3)で表されるリン化合物は、硬化促進剤であり、エポキシ樹脂組成物の硬化性を向上させると共に、エポキシ樹脂組成物の硬化物中に含まれる塩素イオン濃度を抑制する効果を奏する。また、上記(E)成分を上述の(D)成分と併用することにより、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が低下し、成形マージンを広くすることができる。
(一般式(3)中、Aはアルキル基、又はアリール基である。Aはハロゲン原子、及びアルコキシ基から選択される1以上の置換基を有していてもよい。X4、X5、X6はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。Nu−は1価のホスホニウムカチオンと対をなすアニオンであって、テトラアリールボレート、又はフェノール樹脂由来のフェノラートである。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールA型樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールF型樹脂、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型フェノール樹脂、ホスファフェナントレン骨格を含むフェノール化合物、及びこれらのフェノール樹脂の一部又は全部が臭素原子で置換されているフェノール樹脂からなる群から選ばれる1種のフェノール樹脂である。)
本発明で用いる(E)成分の下記一般式(3)で表されるリン化合物は、硬化促進剤であり、エポキシ樹脂組成物の硬化性を向上させると共に、エポキシ樹脂組成物の硬化物中に含まれる塩素イオン濃度を抑制する効果を奏する。また、上記(E)成分を上述の(D)成分と併用することにより、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が低下し、成形マージンを広くすることができる。
(一般式(3)中、Aはアルキル基、又はアリール基である。Aはハロゲン原子、及びアルコキシ基から選択される1以上の置換基を有していてもよい。X4、X5、X6はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。Nu−は1価のホスホニウムカチオンと対をなすアニオンであって、テトラアリールボレート、又はフェノール樹脂由来のフェノラートである。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールA型樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールF型樹脂、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型フェノール樹脂、ホスファフェナントレン骨格を含むフェノール化合物、及びこれらのフェノール樹脂の一部又は全部が臭素原子で置換されているフェノール樹脂からなる群から選ばれる1種のフェノール樹脂である。)
前記Aのアルキル基の炭素数は、例えば、1〜14であることが好ましく、1〜10であることがより好ましい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
上記アルキル基は、1以上の置換基を有していてもよい。置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基等が挙げられ、中でもアルコキシ基、アリール基が好ましい。
上記アルキル基は、1以上の置換基を有していてもよい。置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基等が挙げられ、中でもアルコキシ基、アリール基が好ましい。
前記Aのアリール基の炭素数は、例えば、4〜24であることが好ましく、4〜20であることがより好ましい。アリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基、アントリル基等が挙げられる。
上記アリール基は、1以上の置換基を有していてもよい。置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等が挙げられ、中でもアルコキシ基、アラルキル基が好ましい。
上記アリール基は、1以上の置換基を有していてもよい。置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基等が挙げられ、中でもアルコキシ基、アラルキル基が好ましい。
前記一般式(3)中、X4、X5、X6の炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、n−オクチル基等が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、t−ブチル基が好ましい。
X4、X5、X6の炭素数1〜8のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基等が挙げられる。中でも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
X4、X5、X6の炭素数2〜8のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、シクロプロペニル基、ブテニル基、シクロブテニル基等が挙げられる。中でも、ビニル基が好ましい。
X4、X5、X6の炭素数1〜8のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基等が挙げられる。中でも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
X4、X5、X6の炭素数2〜8のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、シクロプロペニル基、ブテニル基、シクロブテニル基等が挙げられる。中でも、ビニル基が好ましい。
前記一般式(3)で表されるリン化合物は、下記式(40)〜(42)で表されるリン化合物の中から選択される1種以上であることが好ましい。
なお、式(42)中のフェノラートアニオンは、フェノール樹脂の末端に存在してもよく、フェノール樹脂の内部に存在してもよい。
なお、式(42)中のフェノラートアニオンは、フェノール樹脂の末端に存在してもよく、フェノール樹脂の内部に存在してもよい。
前記一般式(3)で表されるリン化合物は、テトラフェニルホスホニウムブロマイドと、ソディウムテトラアリールボレートとの反応や、テトラフェニルホスホニウムブロマイドと、フェノール樹脂とを水酸化ナトリウムなどの強塩基で処理することにより得ることができるが、一般のリン系化合物のサプライヤーから購入することもできる。
エポキシ樹脂組成物の全量に対する(E)成分の配合量は、0.01〜10.0重量%であり、好ましくは0.05〜5.0重量%、より好ましくは0.1〜1.0重量%、更に好ましくは0.1〜0.8重量%である。0.01重量%未満では、エポキシ樹脂組成物の硬化が不完全となり、良好な硬化物が得られないおそれがある。10重量%を超えるとエポキシ樹脂組成物の流動性が損なわれるため、半導体素子を封止する際に未充填などを引き起こすおそれがある。
〔(F)カップリング剤〕
本発明で用いる(F)成分のカップリング剤は、(A)エポキシ樹脂、及び(B)フェノール樹脂と(C)無機充填剤との接着強度を高める目的で、エポキシ樹脂組成物中に配合される。(F)成分のカップリング剤としては、特に限定されず公知の物を使用することができる。例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメトキシジエトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン類、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン類、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシラン類、イミダゾール骨格含有シランカップリング剤等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明で用いる(F)成分のカップリング剤は、(A)エポキシ樹脂、及び(B)フェノール樹脂と(C)無機充填剤との接着強度を高める目的で、エポキシ樹脂組成物中に配合される。(F)成分のカップリング剤としては、特に限定されず公知の物を使用することができる。例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメトキシジエトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン類、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン類、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシラン類、イミダゾール骨格含有シランカップリング剤等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
エポキシ樹脂組成物の全量に対する(F)成分のカップリング剤の配合量は、好ましくは0.1〜0.4重量%、より好ましくは0.1〜0.3重量%である。0.1重量%以上とすることで、樹脂への無機充填剤の分散性を良好にすることができる。0.4重量%以下とすることで、成形の際にボイド(気泡)の発生を抑制することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、以上の各成分の他に、本発明の効果を阻害しない範囲で、この種の組成物に一般に配合される着色剤;離型剤;三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛などの難燃剤;シリコーンゴム等の低応力添加剤;シリコーンオイル;無機イオン交換体等を必要に応じて配合することができる。
上記着色剤としては、例えば、カーボンブラック、無機顔料等を挙げることができる。着色剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物の全量に対して0.1〜0.5重量%とすることが好ましい。0.1重量%以上とすることで、半導体装置とした時のレーザーマーク性の低下を抑制することができる。一方、0.5重量%を超えると添加量に見合った効果が得られなくなる。
上記離型剤としては、特に限定されず公知の物を使用することができる。例えば、カルナバワックス、ライスワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン、モンタン酸、モンタンワックス、ステアリン酸、ステアリン酸エステル、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記離型剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物の全量に対して、好ましくは0.08〜0.4重量%、より好ましくは0.1〜0.3重量%である。0.08重量%以上とすることで、金型からの離型性を良好にすることができ、0.4重量%以下とすることで、金型を汚れにくくすることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、常温で上記成分(A)〜(F)、及び前述したその他の成分を所定量配合したものをミキサーなどで均一に混合したのち、加熱ロールまたはニーダー、押し出し機などで溶融混練して、吐出物を冷却後、粉砕することで製造することができる。
このようにして得られたエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は、好ましくは130℃以上、より好ましくは140℃以上、更に好ましくは150℃以上である。
上記エポキシ樹脂組成物の硬化物の最大せん断強度は、好ましくは3N・m以上、より好ましくは4N・m以上、更に好ましくは5N・m以上である。
また、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物中に含まれる塩素イオン濃度は、好ましくは12ppm以下、より好ましくは10ppm以下、更に好ましくは8ppm以下である。
なお、上記各物性値の測定は、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。
上記エポキシ樹脂組成物の硬化物の最大せん断強度は、好ましくは3N・m以上、より好ましくは4N・m以上、更に好ましくは5N・m以上である。
また、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物中に含まれる塩素イオン濃度は、好ましくは12ppm以下、より好ましくは10ppm以下、更に好ましくは8ppm以下である。
なお、上記各物性値の測定は、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。
(半導体装置)
本発明の半導体装置は、上記エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる。半導体素子は特に限定されるものではなく、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどが挙げられる。また、半導体素子を封止する方法としては、例えば、低圧トランスファー成形方法、コンプレッションモールド方法、インジェクションモールド方法等が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する際の条件としては、例えば、150〜180℃で60〜180秒間加圧成型し、後硬化(ポストキュア)を150〜180℃で2〜16時間で行うことが好ましい。
本発明の半導体装置は、上記エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる。半導体素子は特に限定されるものではなく、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどが挙げられる。また、半導体素子を封止する方法としては、例えば、低圧トランスファー成形方法、コンプレッションモールド方法、インジェクションモールド方法等が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する際の条件としては、例えば、150〜180℃で60〜180秒間加圧成型し、後硬化(ポストキュア)を150〜180℃で2〜16時間で行うことが好ましい。
次に実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
(合成例1)
500mLのビーカーに、YX−4000K(エポキシ当量192、三菱化学(株)製)36.32gを投入し、135℃に加熱して溶融した。次いで、トリ(パラメトキシフェニル)ホスフィン(北興化学工業(株)製)13.71gを加えた。10分間撹拌して均一な液状にした後、テフロンシート上に流し出して急冷、固化させた。トリ(パラメトキシフェニル)ホスフィンとYX−4000Kとの反応生成物を48.30g得た。得られた反応生成物について、NMR及び質量分析を行い、その構造を確認した。
500mLのビーカーに、YX−4000K(エポキシ当量192、三菱化学(株)製)36.32gを投入し、135℃に加熱して溶融した。次いで、トリ(パラメトキシフェニル)ホスフィン(北興化学工業(株)製)13.71gを加えた。10分間撹拌して均一な液状にした後、テフロンシート上に流し出して急冷、固化させた。トリ(パラメトキシフェニル)ホスフィンとYX−4000Kとの反応生成物を48.30g得た。得られた反応生成物について、NMR及び質量分析を行い、その構造を確認した。
上記結果から、得られた反応生成物は、下記式(18)及び(19)で表されるリン化合物であることが確認できた。なお、式(18)及び(19)で表されるリン化合物の収率は97%であった。
(合成例2)
溶融温度を150℃に変更した以外は合成例1と同様にして式(18)及び(19)で表されるリン化合物を合成した。
溶融温度を150℃に変更した以外は合成例1と同様にして式(18)及び(19)で表されるリン化合物を合成した。
(合成例3)
トリフェニルホスフィン(北興化学工業(株)製)188gをアセトン543gに溶解させた後、パラベンゾキノン81gをアセトン415gに溶かした溶液を室温(25℃)で滴下した。反応を1時間継続した後、生成した黄土色の固体をろ過して、アセトンで洗浄した。次いで、110℃で乾燥して下記式(43)で表される化合物(TPP−BQ)を251g得た。式(43)で表される化合物の収率は94%であった。
トリフェニルホスフィン(北興化学工業(株)製)188gをアセトン543gに溶解させた後、パラベンゾキノン81gをアセトン415gに溶かした溶液を室温(25℃)で滴下した。反応を1時間継続した後、生成した黄土色の固体をろ過して、アセトンで洗浄した。次いで、110℃で乾燥して下記式(43)で表される化合物(TPP−BQ)を251g得た。式(43)で表される化合物の収率は94%であった。
(実施例1〜5、及び比較例1〜6)
表1に記載の種類及び配合量の各成分を混練温度80〜90℃、混練時間20分以内、回転数130rpmの条件で二軸混練により混練し、エポキシ樹脂組成物を調製した。なお、表1及び表2中、空欄は配合なしを表す。
表1に記載の種類及び配合量の各成分を混練温度80〜90℃、混練時間20分以内、回転数130rpmの条件で二軸混練により混練し、エポキシ樹脂組成物を調製した。なお、表1及び表2中、空欄は配合なしを表す。
エポキシ樹脂組成物の調製に使用した表1及び表2に記載の各成分の詳細は以下のとおりである。
〔(A)成分〕YX−4000K:ビフェニル型エポキシ樹脂、三菱化学(株)製、商品名、エポキシ当量192
〔(B)成分〕
・MEH−7500:トリフェニルメタン型フェノール樹脂、明和化成(株)製、商品名、水酸基当量97
・MEHC−7800SS:アラルキル型フェノール樹脂、明和化成(株)製、商品名、水酸基当量168〜172
〔(C)成分〕無機充填剤(溶融シリカ)、電気化学工業(株)製
〔(D)成分〕
・硬化促進剤(1):合成例(1)で製造したリン化合物
・硬化促進剤(2):合成例(2)で製造したリン化合物
〔(E)成分〕
・硬化促進剤(3):テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、北興化学工業(株)製、商品名「TPP−K(登録商標)」
・硬化促進剤(4):式(42)で表されるリン化合物
・硬化促進剤(5):テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート、北興化学工業(株)製、商品名「TPP−MK(登録商標)」
〔(D)成分、及び(E)成分以外の硬化促進剤〕
・硬化促進剤(6):合成例(3)で製造したリン化合物
・硬化促進剤(7):トリフェニルホスフィン、北興化学工業(株)製、商品名「ホクコーPPT(登録商標)」
・硬化促進剤(8):2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成工業(株)製、商品名「2P4MHZ」
・硬化促進剤(9):包摂イミダゾール化合物、日本曹達(株)製、商品名「TIC−188」
〔(F)成分〕
・カップリング剤:JNC(株)製
〔その他の成分〕
・着色剤:カーボンブラック、三菱化学(株)製
・離型剤:カルナバワックス、東洋アドレ(株)製
・無機イオン交換体:DHT−4C(協和化学工業(株)製、合成ハイドロタルサイト)
〔(A)成分〕YX−4000K:ビフェニル型エポキシ樹脂、三菱化学(株)製、商品名、エポキシ当量192
〔(B)成分〕
・MEH−7500:トリフェニルメタン型フェノール樹脂、明和化成(株)製、商品名、水酸基当量97
・MEHC−7800SS:アラルキル型フェノール樹脂、明和化成(株)製、商品名、水酸基当量168〜172
〔(C)成分〕無機充填剤(溶融シリカ)、電気化学工業(株)製
〔(D)成分〕
・硬化促進剤(1):合成例(1)で製造したリン化合物
・硬化促進剤(2):合成例(2)で製造したリン化合物
〔(E)成分〕
・硬化促進剤(3):テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、北興化学工業(株)製、商品名「TPP−K(登録商標)」
・硬化促進剤(4):式(42)で表されるリン化合物
・硬化促進剤(5):テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリルボレート、北興化学工業(株)製、商品名「TPP−MK(登録商標)」
〔(D)成分、及び(E)成分以外の硬化促進剤〕
・硬化促進剤(6):合成例(3)で製造したリン化合物
・硬化促進剤(7):トリフェニルホスフィン、北興化学工業(株)製、商品名「ホクコーPPT(登録商標)」
・硬化促進剤(8):2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成工業(株)製、商品名「2P4MHZ」
・硬化促進剤(9):包摂イミダゾール化合物、日本曹達(株)製、商品名「TIC−188」
〔(F)成分〕
・カップリング剤:JNC(株)製
〔その他の成分〕
・着色剤:カーボンブラック、三菱化学(株)製
・離型剤:カルナバワックス、東洋アドレ(株)製
・無機イオン交換体:DHT−4C(協和化学工業(株)製、合成ハイドロタルサイト)
以下に示す測定条件により、実施例1〜5、及び比較例1〜6で調製したエポキシ樹脂組成物を用いて下記特性の測定、及び評価を行った。なお、結果を表1及び表2に示した。
<評価項目>
(1)最低溶融粘度
エポキシ樹脂組成物を用いて、荷重50kg、室温(25℃)で、直径10.3mm、長さ13.5mmのタブレットを成形した。フローテスター((株)島津アクセス製、フローテスター CFT−500D)を用いて、温度175℃、試験荷重10kgf/cm2、直径0.5mm、長さ5.0mmのダイを使用する条件で、溶融粘度を測定した。
<評価項目>
(1)最低溶融粘度
エポキシ樹脂組成物を用いて、荷重50kg、室温(25℃)で、直径10.3mm、長さ13.5mmのタブレットを成形した。フローテスター((株)島津アクセス製、フローテスター CFT−500D)を用いて、温度175℃、試験荷重10kgf/cm2、直径0.5mm、長さ5.0mmのダイを使用する条件で、溶融粘度を測定した。
(2)成形マージン
上記(1)の試験において、溶融粘度が30Pa・sに達する時間を成形マージンと定義する。上記(1)の試験で溶融粘度が30Pa・sに達する時間を測定した。
上記(1)の試験において、溶融粘度が30Pa・sに達する時間を成形マージンと定義する。上記(1)の試験で溶融粘度が30Pa・sに達する時間を測定した。
(3)スパイラルフロー
金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物の流動距離(cm)を測定した。
金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間120秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物の流動距離(cm)を測定した。
(4)保存安定性
温度20℃で30日放置した後、上記(3)の試験と同様にしてエポキシ樹脂組成物の流動距離(cm)を測定し、下記式(i)により変化率を求めた。
変化率(%)=(SF1−SF0)/SF0×100 (i)
式(i)中、SF1は30日放置後のエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー(cm)、SF0は初期のエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー(cm)である。
温度20℃で30日放置した後、上記(3)の試験と同様にしてエポキシ樹脂組成物の流動距離(cm)を測定し、下記式(i)により変化率を求めた。
変化率(%)=(SF1−SF0)/SF0×100 (i)
式(i)中、SF1は30日放置後のエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー(cm)、SF0は初期のエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー(cm)である。
(5)最大せん断強度(硬化特性)
エポキシ樹脂組成物を用いて、荷重190kg、室温(25℃)で、直径25〜28mmのタブレットを成形した。キュラストメーター(JSRトレーディング(株)製、商品名:キュラストメーター7)を用いて、温度175℃、5分間、タブレットに掛かるトルク(N・m)変化を測定した。測定条件は、振動数100cpm、ロードセル200Nを使用した。
エポキシ樹脂組成物を用いて、荷重190kg、室温(25℃)で、直径25〜28mmのタブレットを成形した。キュラストメーター(JSRトレーディング(株)製、商品名:キュラストメーター7)を用いて、温度175℃、5分間、タブレットに掛かるトルク(N・m)変化を測定した。測定条件は、振動数100cpm、ロードセル200Nを使用した。
(6)ガラス転移温度
成形機にエポキシ樹脂組成物を注入し、金型温度175℃、成形圧力80kg/cm2、硬化時間2分間の条件で硬化し、更に金型温度175℃、硬化時間8時間の条件で後硬化し、試験片(縦15mm×横4mm×厚さ3mm)を得た。該試験片を用いて、TMA試験機(セイコーインスツルーメント(株)製、商品名:TMA SS150)で室温(25℃)から300℃まで1分間に10℃昇温する速度で、ガラス転移温度を測定した。
成形機にエポキシ樹脂組成物を注入し、金型温度175℃、成形圧力80kg/cm2、硬化時間2分間の条件で硬化し、更に金型温度175℃、硬化時間8時間の条件で後硬化し、試験片(縦15mm×横4mm×厚さ3mm)を得た。該試験片を用いて、TMA試験機(セイコーインスツルーメント(株)製、商品名:TMA SS150)で室温(25℃)から300℃まで1分間に10℃昇温する速度で、ガラス転移温度を測定した。
(7)塩素イオン濃度
成形機にエポキシ樹脂組成物を注入し、金型温度175℃、成形圧力80kg/cm2、硬化時間2分間の条件で硬化し、更に金型温度175℃、硬化時間8時間の条件で後硬化して得られた試験片を粉砕した。粉砕した試料を熱水で抽出して、イオンクロマトアナライザー(Thermo SCIENTIFIC製、商品名:ICS−1100)で塩素イオン濃度を分析した。
成形機にエポキシ樹脂組成物を注入し、金型温度175℃、成形圧力80kg/cm2、硬化時間2分間の条件で硬化し、更に金型温度175℃、硬化時間8時間の条件で後硬化して得られた試験片を粉砕した。粉砕した試料を熱水で抽出して、イオンクロマトアナライザー(Thermo SCIENTIFIC製、商品名:ICS−1100)で塩素イオン濃度を分析した。
硬化促進剤として特定の構造を有するリン化合物2種類を特定の割合で配合した実施例1〜5のエポキシ樹脂組成物は、溶融粘度が低い傾向にあり、成形マージンが広くなっていた。このため、スパイラルフローが長くなり、比較例1のTPP−BQや比較例2のTPPを配合したエポキシ樹脂組成物よりも流動性が優れていた。また、高流動性を有しながら、最大せん断強度も高く、比較例1よりも硬化特性に優れていた。更に、通常のエポキシ樹脂組成物は温度20℃で保存すると、硬化反応が進行するため1週間程度で流動性が損なわれ使用に耐えるものではなくなるが、実施例4及び5の結果から、本発明のエポキシ樹脂組成物は、温度20℃での保存安定性に優れることがわかった。
また、実施例1〜5では、硬化物中の塩素イオン濃度が1.8〜5.9ppmと低い結果となった。一方、汎用のイミダゾール系硬化促進剤を用いた比較例3及び4では、硬化物中の塩素イオン濃度が14.1ppm、23.1ppmと高い結果となった。
また、実施例1〜5では、硬化物中の塩素イオン濃度が1.8〜5.9ppmと低い結果となった。一方、汎用のイミダゾール系硬化促進剤を用いた比較例3及び4では、硬化物中の塩素イオン濃度が14.1ppm、23.1ppmと高い結果となった。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、流動性、硬化性に優れている。また、該樹脂組成物を硬化すると熱的強度に優れ、塩素イオン濃度が抑制された硬化物を成形できる。よって、該樹脂組成物は半導体素子の封止用途に好適に用いることができる。
Claims (2)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填剤、(D)下記一般式(1)又は一般式(2)で表されるリン化合物、(E)下記一般式(3)で表されるリン化合物、(F)カップリング剤を含有するエポキシ樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂組成物の全量に対する、前記(D)成分の含有量が、トリフェニルホスフィン換算で0.01〜10重量%であり、前記(E)成分の含有量が、0.01〜10重量%であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(一般式(1)中、Rはアルキル基;アリール基;アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、多環芳香族基、アルカントリイル基、シクルアルカントリイル基、アレーントリイル基、アルカンテトライル基、シクロアルカンテトライル基、及びアレーンテトライル基から選ばれる2価以上の有機基;変性もしくは無変性のフェノールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールA型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のビスフェノールF型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールフェニレンアルキレン型エポキシ樹脂主鎖骨格、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型エポキシ樹脂主鎖骨格;これらの主鎖骨格の一部又は全部が臭素原子で置換されている主鎖骨格;ホスファフェナントレン骨格を含む基;及びホスファフェナントレン骨格を含む基の水素原子の一部又は全部が臭素原子で置換されている基からなる群から選ばれる1種の基又は主鎖骨格である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。lは1以上の整数であり、mは0以上の整数である。)
(一般式(2)中、Qはイソシアヌレート骨格を有する基、チオシアヌル酸骨格を有する基、及びメラミン骨格を有する基の中から選ばれる1種である。pは1〜3の整数、qは0〜2の整数である。X1、X2、X3はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。)
(一般式(3)中、Aはアルキル基、又はアリール基である。Aはハロゲン原子、又はアルコキシ基から選択される1以上の置換基を有していてもよい。X4、X5、X6はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、及び炭素数2〜8のアルケニル基の中から選ばれる1種である。Nu−は1価のホスホニウムカチオンと対をなすアニオンであって、テトラアリールボレート、又はフェノール樹脂由来のフェノラートである。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のナフトールオルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールA型樹脂、変性もしくは無変性のビスフェノールF型樹脂、変性もしくは無変性のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールビフェニレンアルキレン型フェノール樹脂、変性もしくは無変性のフェノールベンジルアルデヒド型フェノール樹脂、ホスファフェナントレン骨格を含むフェノール化合物、及びこれらのフェノール樹脂の一部又は全部が臭素原子で置換されているフェノール樹脂からなる群から選ばれる1種のフェノール樹脂である。) - 請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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JP2023040078A (ja) * | 2019-01-21 | 2023-03-22 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2016
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