JP2017143102A - 回路パターン形成装置、および回路パターン形成方法 - Google Patents
回路パターン形成装置、および回路パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017143102A JP2017143102A JP2016021874A JP2016021874A JP2017143102A JP 2017143102 A JP2017143102 A JP 2017143102A JP 2016021874 A JP2016021874 A JP 2016021874A JP 2016021874 A JP2016021874 A JP 2016021874A JP 2017143102 A JP2017143102 A JP 2017143102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- irradiation
- laser light
- wavelength
- curable resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
図1に電子デバイス製造装置10を示す。電子デバイス製造装置(以下、「製造装置」と略す場合がある)10は、搬送装置20と、造形ユニット22と、制御装置(図5参照)26を備える。それら搬送装置20と造形ユニット22とは、製造装置10のベース28の上に配置されている。ベース28は、概して長方形状をなしており、以下の説明では、ベース28の長手方向をX軸方向、ベース28の短手方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向の両方に直交する方向をZ軸方向と称して説明する。
製造装置10では、上述した構成によって、回路基板70の上に回路パターンが形成される。具体的には、まず、ステージ52の基台60に回路基板70がセットされ、その回路基板70が、保持装置62により固定的に保持される。そして、回路基板70の上に配線が形成される場合には、ステージ52が、造形ユニット22のインクジェットヘッド86の下方に移動される。そして、インクジェットヘッド86によって回路基板70の上に金属インクが、回路パターンに応じて線状に吐出される。次に、ステージ52が、照射ユニット92の下方に移動される。この際、ステージ52は、昇降装置64の作動により昇降され、図6に示すように、回路基板70と照射ユニット92との間の距離がAとされる。また、照射ユニット92では、レーザ照射装置100が、移動装置108の作動により、ガルバノミラー102と対向する位置に移動される。
Claims (4)
- 紫外線領域の光の照射により硬化する硬化性樹脂を基板上に吐出する第1吐出装置と、
金属微粒子を含有する金属含有液を前記基板上に吐出する第2吐出装置と、
レーザ光を照射する照射装置と、
前記レーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換する非線形結晶と、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射し、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射する制御装置と、
を備えることを特徴とする回路パターン形成装置。 - 前記回路パターン形成装置が、
前記照射装置により照射されたレーザ光の照射方向を変更するガルバノミラーと、
前記基板と前記照射装置とを相対的に移動させる移動装置と
を備え、
前記制御装置が、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射する際の照射位置を前記ガルバノミラーにより調整し、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射する際の照射位置を前記移動装置の作動により調整することを特徴とする請求項1に記載の回路パターン形成装置。 - 前記回路パターン形成装置が、
前記基板と前記照射装置との間の距離を変更する距離変更装置を備え、
前記制御装置が、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射する際よりも、前記距離が長くなるように前記距離変更装置によって変更された状態で、前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路パターン形成装置。 - 紫外線領域の光の照射により硬化する硬化性樹脂を基板上に吐出する第1吐出装置と、
金属微粒子を含有する金属含有液を前記基板上に吐出する第2吐出装置と、
レーザ光を照射する照射装置と、
前記レーザ光の波長を紫外線領域の波長に変換する非線形結晶と
を用いた回路パターン形成方法において、
前記回路パターン形成方法が、
前記基板上に吐出された金属含有液に前記レーザ光を照射することで配線を形成する配線形成工程と、
前記基板上に吐出された硬化性樹脂に前記非線形結晶を介して前記レーザ光を照射することで樹脂層を形成する樹脂層形成工程と
を含むことを特徴とする回路パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016021874A JP6599786B2 (ja) | 2016-02-08 | 2016-02-08 | 回路パターン形成装置、および回路パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016021874A JP6599786B2 (ja) | 2016-02-08 | 2016-02-08 | 回路パターン形成装置、および回路パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017143102A true JP2017143102A (ja) | 2017-08-17 |
JP6599786B2 JP6599786B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=59629077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016021874A Active JP6599786B2 (ja) | 2016-02-08 | 2016-02-08 | 回路パターン形成装置、および回路パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6599786B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278394A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成方法、電磁波照射装置、および電子機器 |
JP2008034880A (ja) * | 2004-08-20 | 2008-02-14 | Seiko Epson Corp | 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法 |
JP2009255082A (ja) * | 2009-07-17 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、パターン形成システム、並びに電子機器 |
WO2015041189A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 東レエンジニアリング株式会社 | 多層配線基板の製造方法及びこれに用いる三次元造形装置 |
-
2016
- 2016-02-08 JP JP2016021874A patent/JP6599786B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008034880A (ja) * | 2004-08-20 | 2008-02-14 | Seiko Epson Corp | 多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法 |
JP2006278394A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 機能性膜パターン形成装置、機能性膜パターン形成方法、電磁波照射装置、および電子機器 |
JP2009255082A (ja) * | 2009-07-17 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、パターン形成システム、並びに電子機器 |
WO2015041189A1 (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 東レエンジニアリング株式会社 | 多層配線基板の製造方法及びこれに用いる三次元造形装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6599786B2 (ja) | 2019-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112091421B (zh) | 镭射处理设备、镭射处理工件的方法及相关配置 | |
TWI466733B (zh) | 電子材料的雷射印花轉印 | |
TWI829703B (zh) | 雷射加工設備、其操作方法以及使用其加工工件的方法 | |
KR101074408B1 (ko) | 펨토초 레이저 발생장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법 | |
US7605343B2 (en) | Micromachining with short-pulsed, solid-state UV laser | |
TWI765889B (zh) | 積層製造設備及製造方法 | |
JP2010142862A (ja) | 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法 | |
TWI774721B (zh) | 用於延長雷射處理設備中的光學器件生命期的方法和系統 | |
US20220168847A1 (en) | Laser processing apparatus, methods of operating the same, and methods of processing workpieces using the same | |
TWI413564B (zh) | 切割基板的設備和使用其切割基板的方法 | |
KR101083320B1 (ko) | 경화 시스템 및 그 방법 | |
JP6599786B2 (ja) | 回路パターン形成装置、および回路パターン形成方法 | |
JP6222113B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2006278659A (ja) | レーザ成膜方法、レーザ成膜装置、および電子機器 | |
KR102468061B1 (ko) | 리페어 장치 및 방법 | |
JP2023521002A (ja) | 3次元部品をリソグラフィに基づいて生成して製造するための方法及び装置 | |
WO2021161376A1 (ja) | 回路形成装置、および回路形成方法 | |
WO2016072010A1 (ja) | 配線形成方法および回路基板 | |
KR102141830B1 (ko) | 레이저를 이용한 도전성 물질 소결 장치 및 방법 | |
Delaporte et al. | Laser processing of flexible organic electronic materials | |
JP6808050B2 (ja) | 配線形成方法、および配線形成装置 | |
WO2019167156A1 (ja) | 配線形成装置および配線形成方法 | |
JP6818154B2 (ja) | 配線形成方法、および配線形成装置 | |
JP2006276121A (ja) | 機能性膜パターン成膜方法、機能性膜パターン、および電子機器 | |
JP2012084579A (ja) | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6599786 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |