JP2017141191A - 液晶化合物の製造方法及びその化合物 - Google Patents

Abstract

【課題】低い回転粘数係数（γ１）、高い透明点（Ｔ−ｉ）、及び他の液晶化合物との高い混和性を併せ持つ化合物、その製造方法、当該化合物を構成部材とする液晶組成物及び液晶表示素子の提供。【解決手段】式（Ａ）でで表される化合物。（Ｒａ１及びＲａ２は夫々独立にＣ１−１５のアルキル又はＣ２−１５のアルケニル；Ａａ１及びＡａ２は夫々独立に１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン基等；Ｚａ１及びＺａ２は夫々独立に−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−等、ｎａ及びｍａは夫々独立に０〜２の整数、ｎａ＋ｍａは１〜３の整数）【選択図】図１

Description

本発明は有機電子材料や医農薬、特に液晶表示素子用材料として有用なビシクロ［２．２．２］オクタン環を有する化合物の製造方法、本化合物及びそれらを用いた液晶組成物に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等の駆動方式がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的要因に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相（ネマチック相、スメクチック相及びブルー相等）を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。更に液晶組成物は個々の表示素子にあわせて誘電率異方性（Δε）及び屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物を選択し、構成されている。

液晶組成物を表示素子等として使用する際には、広い温度範囲において安定なネマチック相を示すことが求められる。広い温度範囲にてネマチック相を維持するためには、液晶組成物を構成する個々の成分が他の成分との高い混和性を持つこと、及び高い透明点（Ｔ_ｎｉ）を持つ事が求められる。また、良好な表示画質を示すためには、液晶組成物を構成する各化合物がくい回転粘性係数（γ_1）を示すことが求められる。しかしながら、一般的に高いＴ_ｎｉを示す化合物はγ_１が高いため、γ_１の上昇を抑えながら高いＴ_ｎｉを示す化合物の開発が求められている。

これまで、シクロヘキサン環を有する下記に示すような化合物が報告されているが、比較的低いγ_１を示すもののＴ_ｎｉが低いという課題があった（特許文献１）。

また、ビシクロ［２．２．２］オクタン環を有する化合物は、濃硫酸溶媒中アルキルベンゼン類の芳香環を直接アルキル化することにより製造する事が可能であるが、置換位置異性体及び二置換体等の他置換体が副生するため、精製が困難となる傾向がある。従って、より効率的に製造する方法が求められている。

米国特許第５２７９７６４号明細書

本発明が解決しようとする課題は、高いＴ_ｎｉ、低いγ_１及び他の液晶化合物との高い混和性を併せ持つ化合物及び効率的な製造方法を提供し、併せて当該化合物を構成部材とする液晶組成物及び液晶表示素子を提供することである。

前記課題を解決するため、本願発明者らは種々の化合物の検討を行った結果、ビシクロオクタン環を有する特定の化合物が効果的に課題を解決できることを見出した。また該化合物の効率的な製造方法についても検討し、本願発明の完成に至った。

本願発明は、一般式（Ａ）

（式中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ａ^ａ１及びＡ^ａ２はそれぞれ独立して
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
（ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、また、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
からなる群より選ばれる基であり、
Ｚ^ａ１及びＺ^ａ２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
ｎａ及びｍａはそれぞれ独立しては０、１又は２を表し、ｎａ＋ｍａは１、２又は３を表すが、ｎａが２であってＡ^ａ１及びＺ^ａ１が複数存在する場合、Ａ^ａ１及びＺ^ａ１は同一であっても異なっていても良く、ｍａが２であってＡ^ａ２及びＺ^ａ２が複数存在する場合、Ａ^ａ２及びＺ^ａ２は同一であっても異なっていても良い。）
で表される化合物、及び一般式（Ｂ２）

（式中、Ｒ^ｂ１は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ａ^ｂ１は
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
（ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、また、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
からなる群より選ばれる基であり、
Ｚ^ｂ１は、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
ｎｂは０、１又は２を表すが、ｎｂが２であってＡ^ｂ１及びＺ^ｂ１が複数存在する場合、Ａ^ｂ１及びＺ^ｂ１は同一であっても異なっていても良い。
）で表される化合物と、一般式（Ｂ３）

（式中、Ｘ^ｂ１及びＸ^ｂ２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ^ｂ５は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い、を表す。）で表される化合物を反応させて一般式（Ｂ４）

（式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１及びｎｂは、一般式（Ｂ２）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１及びｎｂと同じ意味を表し、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びＸ^ｂ５は一般式（Ｂ３）中のＸ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びＸ^ｂ５と同じ意味を表す。）で表される化合物を製造する工程、
及び一般式（Ｂ４）で表される化合物を用いて一般式（Ｂ１）

（式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１及びｎｂは、一般式（Ｂ２）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１及びｎｂと同じ意味を表し、Ｘ^ｂ１及びＸ^ｂ２は一般式（Ｂ３）中のＸ^ｂ１及びＸ^ｂ２と同じ意味を表し、
Ｘ^ｂ３及びＸ^ｂ４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｒ^ｂ２は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
ｍｂは０、１又は２を表すが、ｍｂが２であってＸ^ｂ３及びＸ^ｂ４が複数存在する場合、Ｘ^ｂ３及びＸ^ｂ４は同一であっても異なっていても良く、ｎｂ＋ｍｂは０、１又は２を表す。）
で表される化合物を製造する工程を有する製造方法を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。

本発明により提供される、一般式（Ａ）で表される化合物は、高いＴ_ｎｉ、低いγ_１及び液晶組成物への高い混和性を示し、さらに化学的に高い安定性を併せ持つ。従って、一般式（Ａ）で表される化合物を液晶組成物の成分として用いる事により、低粘度な液晶組成物を得ることができる。このため、高速応答が求められる液晶表示素子用の液晶組成物の構成成分として非常に有用である。加えて、一般式（Ａ）に包含される一般式（Ｂ４）及び一般式（Ｂ１）で表される化合物を効率的に製造する事が可能である。

本発明の液晶表示素子の断面図である。１００〜１０５を備えた基板を「バックプレーン」、２００〜２０５を備えた基板を「フロントプレーン」と称している。 フォトマスクパターンとしてブラックマトリックス上に形成する柱状スペーサ作成用パターンを使用した露光処理工程の図である。

一般式（Ａ）において、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２はγ_１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｒ^１及びＲ^２が異なることが好ましい。Ｒ^１及びＲ^２中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されていても良いが、フッ素原子に置換されていないことが好ましい。

Ａ^ａ１及びＡ^ａ２は各々独立して、γ_１を低下させる為にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが更に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。Ｔ_ｎｉを上昇させる為には、無置換の１，４−フェニレン基、無置換の１，４−シクロヘキセニレン基又は無置換のナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましい。液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには窒素原子を含有しないことが好ましい。負のΔεを示すためには、Ａ^ａ１及びＡ^ａ２のうち少なくとも一つ以上が２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、高いＴｎｉを示すためには一般式（Ａ）中の２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基が一つであることが好ましい。

Ｚ^ａ１及びＺ^ａ２はそれぞれ独立して、γ_１を低下させる為には単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＯＣＨ_２−であることが好ましく、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−であることが更に好ましい。Ｔｎｉを上昇させるためには、単結合、−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−であることが好ましく、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−であることが更に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＯＣＨ_２−であることが好ましい。液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには単結合であることが好ましい。

ｎａは粘度を重視する場合には０又は１であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には１又は２であることが好ましい。他の液晶成分との混和性を高くする為には、０又は１であることが好ましい。

ｍａは粘度を重視する場合には１であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には１又は２であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くするためには１であることが好ましい。

ｎａ＋ｍａについては、γ_１を重視する場合には１であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には２であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くするためには１であることが好ましい。

なお、一般式（Ａ）で表される化合物において、ヘテロ原子同士が直接結合する構造となることはない。

一般式（Ａ）で表される化合物は、一般式（Ａ１）であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ａ１、Ａ^ａ１、Ｚ^ａ１及びＲ^ａ２は一般式（Ａ）中のＲ^ａ１、Ａ^ａ１、Ｚ^ａ１及びＲ^ａ２と同じ意味を表し、
Ｘ^ａ１、Ｘ^ａ２、Ｘ^ａ３及びＸ^ａ４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、
ｎａ１及びｍａ１はそれぞれ独立して０、１又は２を表すが、ｎａ１が２であってＡ^ａ１及びＺ^ａ１が複数存在する場合、Ａ^ａ１及びＺ^ａ１は同一であっても異なっていても良く、ｍａ１が２であってＸ^ａ３及びＸ^ａ４が複数存在する場合、Ｘ^ａ３及びＸ^ａ４は同一であっても異なっていても良く、ｎａ１＋ｍａ１は０、１又は２を表す。）
一般式（Ａ１）が負のΔεを示すためには、Ｘ^ａ１及びＸ^ａ２の両方がフッ素原子を表すか、あるいは、Ｘ^ａ３及びＸ^ａ４の両方がフッ素原子を表すことが好ましく、Ｘ^ａ１及びＸ^ａ２、又はＸ^ａ３及びＸ^ａ４の両方がフッ素原子を表す組み合わせは、一般式（Ａ１）中一つであることが好ましい。

ｎａ１は粘度を重視する場合には０又は１であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には１又は２であることが好ましい。他の液晶成分との混和性を高くする為には、０又は１であることが好ましい。

ｍａ１は粘度を重視する場合には０であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には０又は１であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くするためには０であることが好ましい。

ｎａ１＋ｍａ１については、γ_１を重視する場合には０であることが好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合には１であることが好ましく、他の液晶成分との混和性を高くするためには０であることが好ましい。

好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式（Ａ）の中では以下の一般式（Ａ−１）〜一般式（Ａ−８）で表される各化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２、Ａ^ａ１、Ａ^ａ２及びＺ^ａ１はそれぞれ独立して一般式（Ａ）におけるＲ^ａ１、Ｒ^ａ２、Ａ^ａ１、Ａ^ａ２及びＺ^ａ１と同じ意味を表し、Ｘ^ａ１、Ｘ^ａ２、Ｘ^ａ３及びＸ^ａ４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、ｍａ２は０又は１を表す。）
一般式（Ａ−１）で表される化合物の中では、一般式（Ａ−１−１）〜一般式（Ａ−１−２）で表される化合物が更に好ましい。

（式中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２はそれぞれ独立して一般式（Ａ）におけるＲ^ａ１及びＲ^ａ２と同じ意味を表す。）
一般式（Ａ−２）で表される化合物の中では、一般式（Ａ−２−１）〜一般式（Ａ−２−７）で表される化合物が更に好ましい。

（式中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２はそれぞれ独立して一般式（Ａ）におけるＲ^ａ１及びＲ^ａ２と同じ意味を表す。）
一般式（Ａ−７）で表される化合物の中では、一般式（Ａ−７−１）〜一般式（Ａ−７−９）で表される化合物が更に好ましい。

（式中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２はそれぞれ独立して一般式（Ａ）におけるＲ^ａ１及びＲ^ａ２と同じ意味を表す。） 本発明において、一般式（Ａ）で表される化合物は、以下のようにして製造することができる。以下、一例として一般式（Ｂ１）で表される化合物の製造方法を示すが、勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。 一般式（Ｂ１）で表される化合物の製造方法において、一般式（Ｂ２）と一般式（Ｂ３）で表される化合物を反応させる際には、酸性条件下行うことが好ましく、使用する酸は濃硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸が好ましく、濃硫酸であることが更に好ましい。反応の際には、塩素系溶媒を用いる事もできるが、溶媒を添加せずに反応を行うことが特に好ましい。ビシクロ［２．２．２］オクタン環を有する部位を二つ有する副生成物の生成を抑制するためには、反応温度は３０℃以下であることが好ましく、０℃以下であることが更に好ましく、-１０℃以下であることが特に好ましい。
一般式（Ｂ１）で表される化合物のうち、ｍｂが０、Ｒ^ｂ２がメチル基を表す化合物を製造する際には、Ｘ^ｂ５が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す一般式（Ｂ４）で表される化合物に、アルキルリチウム試薬を用いてフェニルリチウム類を調製した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドと反応させ、生成したイミニウム塩類を酸により加水分解する事で一般式（Ｂ５）

（式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ４）で表されるＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表す。）で表される中間体を得たのち、一般式（Ｂ５）で表される化合物をウォルフ・キッシュナー還元する事で目的とする一般式（Ｂ６）

（式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ４）で表されるＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表す。）で表される化合物を製造する事が出来る。
一般式（Ｂ５）で表される化合物を製造する際には、原料である一般式（Ｂ４）で表される化合物のＸ^ｂ５は臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることが更に好ましい。使用するアルキルリチウム類はｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム又はメチルリチウムであることが好ましいが、ｎ−ブチルリチウム又はｓｅｃ−ブチルリチウムであることが更に好ましい。イミニウム塩類を加水分解する際に使用する酸としては、希塩酸、希硫酸であることが好ましい。一般式（Ｂ６）で表される化合物をウォルフ・キッシュナー還元により製造する際には、使用するヒドラジン類はヒドラジン一水和物であることが好ましく、生成したヒドラゾン類を分解する際に使用する塩基は、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムが好ましく、水酸化カリウムであることが更に好ましい。反応温度としては、ヒドラゾンを生成させる工程は、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることが更に好ましく、ヒドラゾンを分解する工程では、１３０℃以上であることが好ましく、１４５℃以上であることが更に好ましい。
一般式（Ｂ１）で表される化合物のうち、ｍｂが０、Ｒ^ｂ２が炭素原子数２から１５のアルキル基を表す化合物を製造する際には、Ｘ^ｂ５が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す一般式（Ｂ５）で表される化合物に、一般式（Ｂ７）

（式中、Ｒ^ｂ３は水素原子又は炭素原子数１から１３のアルキル基を表し、Ｙは塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンを表す。）で表される化合物から調製されるリンイリド類を反応させる事で、一般式（Ｂ８）

（式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ５）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表し、Ｒ^ｂ３は一般式（Ｂ７）中のＲ^ｂ３と同じ意味を表す。）で表される化合物を得た後、該一般式（Ｂ８）で表される化合物を遷移金属触媒を用いて接触水素還元反応する事で、目的とする一般式（Ｂ９）

（式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ５）で表されるＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表し、Ｒ^ｂ３は一般式（Ｂ７）で表されるＲ^ｂ３と同じ意味を表す。）で表される化合物を製造する事が出来る。

一般式（Ｂ７）で表される化合物からリンイリド類を調製する際には、塩基としてカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ナトリウムアミド、カリウムアミド又はリチウムジイソプロピルアミドを用いる事が好ましく、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド又はナトリウムエトキシドが更に好ましい。一般式（Ｂ８）で表される化合物を接触水素還元反応させる際に使用する遷移金属触媒としては、パラジウム担持触媒、スポンジ状ニッケル、ニッケル担持触媒、ルテニウム担持触媒が好ましく、パラジウム炭素、スポンジ状ニッケルが更に好ましい。
一般式（Ｂ１）で表される化合物のうち、ｍｂが１又は２を表す化合物を製造する際には、Ｘ^ｂ５が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す一般式（Ｂ４）で表される化合物を、遷移金属触媒存在下塩基性条件にて一般式（Ｂ１０）

（式中、Ｘ^ｂ３、Ｘ^ｂ４及びＲ^ｂ２は一般式（Ｂ１）で表されるＸ^ｂ３、Ｘ^ｂ４及びＲ^ｂ２と同じ意味を表し、Ｗは

（式中、Ｒ^ｂ４及びＲ^ｂ５はそれぞれ独立して水素原子又は直鎖若しくは分岐していても良い炭素数１から５のアルキル基を表し、
Ｅは基中に存在する一つ以上の水素原子が各々独立してメチル基に置換されていても良い−（ＣＨ_２）_ｐ−を表し、
ｐは２、３又は４を表し、
ｍｂ１は１又は２を表す。）で表される化合物を反応させる事で、目的とする一般式（Ｂ１）で表される化合物を製造する事が出来る。

使用する遷移金属触媒としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。 本発明の液晶組成物において一般式（Ａ）で表される化合物の含有量が少ないとその効果が現れないため、組成物中に下限値として、１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、２％以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが更に好ましい。又、含有量が多いと析出等の問題を引き起こすため、上限値としては、７０％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することがより好ましく、５０％以下含有することが更に好ましく、４０％以下含有することが特に好ましい。一般式（Ａ）で表される化合物は１種のみで使用することもできるが、２種以上の化合物を同時に使用してもよい。

液晶組成物の物性値を調整するために一般式（Ａ）で表される化合物以外の化合物を使用してもよく、液晶相を持つ化合物以外にも必要に応じて液晶相を持たない化合物を添加することもできる。

このように、一般式（Ａ）で表される化合物と混合して使用することのできる化合物の好ましい代表例としては、本発明の提供する組成物においては、その第一成分として一般式（Ａ）で表される化合物を少なくとも１種含有するが、その他の成分として特に以下の第二から第四成分から少なくとも１種含有することが好ましい。

即ち、第二成分は誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ１）及び一般式（ＬＣ２）で示される化合物を挙げることができる。

（式中、Ｒ^ＬＣ１１及びＲ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ１１、及びＡ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（該構造中、シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）を表し、Ｘ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１２、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｙ^ＬＣ１１及びＹ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、−ＣＦ_３、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、ｍ^ＬＣ１１及びｍ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して１〜４の整数を表し、Ａ^ＬＣ１１、Ａ^ＬＣ２１、Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
Ｒ^ＬＣ１１及びＲ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましく、直鎖状であることが更に好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましい。

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ１１及びＡ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の構造が好ましい。

Ｙ^ＬＣ１１及びＹ^ＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、シアノ基、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましく、フッ素原子又は−ＯＣＦ_３が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。

Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＯＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−がより好ましい。

ｍ^ＬＣ１１及びｍ^ＬＣ２１は１、２又は３が好ましく、低温での保存安定性、応答速度を重視する場合には１又は２が好ましく、ネマチック相上限温度の上限値を改善するには２又は３が好ましい。

一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ａ）から一般式（ＬＣ１−ｃ）

（式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ａ１}、Ａ^{ＬＣ１ａ２}及びＡ^{ＬＣ１ｂ１}は、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｂ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｂ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｃ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。

Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。

Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

また、一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ｄ）から一般式（ＬＣ１−ｍ）

（式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ｄ１}、Ａ^{ＬＣ１ｆ１}、Ａ^{ＬＣ１ｇ１}、Ａ^{ＬＣ１ｊ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ２}、Ａ^{ＬＣ１ｍ１}〜Ａ^{ＬＣ１ｍ３}は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｄ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｊ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｊ４}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｍ１}及びＸ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｅ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｊ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。

Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。

Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}〜Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−が好ましい。
一般式（ＬＣ２）は、下記一般式（ＬＣ２−ａ）から一般式（ＬＣ２−ｇ）

（式中、Ｒ^ＬＣ２１、Ｙ^ＬＣ２１、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ２）におけるＲ^ＬＣ２１、Ｙ^ＬＣ２１、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３と同じ意味を表し、Ｘ^{ＬＣ２ｄ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｄ４}、Ｘ^{ＬＣ２ｅ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｅ４}、Ｘ^{ＬＣ２ｆ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｆ４}及びＸ^{ＬＣ２ｇ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ＬＣ２ａ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｂ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｃ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｄ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｅ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｆ１}及びＺ^{ＬＣ２ｇ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。

Ｒ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましく、
Ｙ^ＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

Ｚ^{ＬＣ２ａ１}〜Ｚ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−が好ましい。

第三成分は誘電率異方性が負のいわゆるｎ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で示される化合物を挙げることができる。

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ３１、Ａ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ４１、Ａ^ＬＣ４２、Ａ^ＬＣ５１及びＡ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ３１、Ｚ^ＬＣ３２、Ｚ^ＬＣ４１、Ｚ^ＬＣ４２、Ｚ^ＬＣ５１及びＺ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｚ^５は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、Ｘ^ＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ＬＣ３１、ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１、ｍ^ＬＣ４２、ｍ^ＬＣ５１及びｍ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍ^ＬＣ３１＋ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１＋ｍ^ＬＣ４２及びｍ^ＬＣ５１＋ｍ^ＬＣ５２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２、Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
Ｒ^ＬＣ３１〜Ｒ^ＬＣ５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、

Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＯＣＨ_２−が好ましい。

一般式（ＬＣ３）は、下記一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１と同じ意味を表し、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}〜Ｘ^{ＬＣ３ｂ６}は水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}及びＸ^{ＬＣ３ｂ２}又はＸ^{ＬＣ３ｂ３}及びＸ^{ＬＣ３ｂ４}のうちの少なくとも一方の組み合わせは共にフッ素原子を表し、ｍ^{ＬＣ３ａ１}は１、２又は３であり、ｍ^{ＬＣ３ｂ１}は０又は１を表し、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。ただし、一般式（ＬＣ３−ａ）において一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される群より選ばれる化合物を除く。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
Ａ^ＬＣ３１は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すことが好ましく、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すことがより好ましい。
Ｚ^ＬＣ３１は単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。
一般式（ＬＣ３−ａ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ａ１）〜一般式（ＬＣ３−ａ４）を表すことが好ましい。

（式中、Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２と同じ意味を表す。）
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ＬＣ３１が炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒ^ＬＣ３２が炭素原子数１〜７のアルコキシ基を表すことがより好ましい。

一般式（ＬＣ３−ｂ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ｂ１）〜一般式（ＬＣ３−ｂ１２）を表すことが好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）、一般式（ＬＣ３−ｂ６）、一般式（ＬＣ３−ｂ８）、一般式（ＬＣ３−ｂ１１）を表すことがより好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）及び一般式（ＬＣ３−ｂ６）を表すことがさらに好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）を表すことが最も好ましい。

（式中、Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２と同じ意味を表す。）
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ＬＣ３１が炭素原子数２又は３のアルキル基を表し、Ｒ^ＬＣ３２が炭素原子数２のアルキル基を表すことがより好ましい。

一般式（ＬＣ４）は下記一般式（ＬＣ４−ａ）から一般式（ＬＣ４−ｃ）、一般式（ＬＣ５）は下記一般式（ＬＣ５−ａ）から一般式（ＬＣ５−ｃ）

（式中、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ４）におけるＲ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１と同じ意味を表し、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ５）におけるＲ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２と同じ意味を表し、Ｚ^{ＬＣ４ａ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｂ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｃ１}、Ｚ^{ＬＣ５ａ１}、Ｚ^{ＬＣ５ｂ１}及びＺ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。

Ｚ^{ＬＣ４ａ１}〜Ｚ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。

第四成分は誘電率異方性が０程度である、いわゆる非極性液晶化合物であり、以下の一般式（ＬＣ６）で示される化合物を挙げることができる。

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ６１〜Ａ^ＬＣ６３はそれぞれ独立して下記

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ６１及びＺ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ^ｉｉｉ１は０〜３を表す。ただし、一般式（ＬＣ１）〜一般式（ＬＣ６）で表される化合物、及び一般式（１）を除く。）
Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ６１〜Ａ^ＬＣ６３はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、

Ｚ^ＬＣ６１及びＺ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましい。

一般式（ＬＣ６）は、一般式（ＬＣ６−ａ）から一般式（ＬＣ６−ｍ）

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

本発明の化合物を含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子は、高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用等の種々のモードの液晶表示素子に適用できる。

以下、図面を参照しつつ、本発明に係る液晶表示装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。

図１は、互いに対向する二つの基板と、前記基板間に設けられたシール材と、前記シール材に囲まれた封止領域に封入された液晶とを備えている液晶表示素子を示す断面図である。

具体的には、基板ａ１００上に、ＴＦＴ層１０２、画素電極１０３を設け、その上からパッシベーション膜１０４及び配向膜ａ１０５を設けたバックプレーンと、基板ｂ２００上に、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０３、平坦化膜（オーバーコート層）２０１、透明電極２０４を設け、その上から配向膜ｂ２０５を設け、前記バックプレーンと対向させたフロントプレーンと、前記基板間に設けられたシール材３０１と、前記シール材に囲まれた封止領域に封入された液晶層３０３とを備え、前記シール材３０１が接する基板面には突起３０４が設けられている液晶表示素子の具体的態様を示している。
前記基板ａ又は前記基板ｂは、実質的に透明であれば材質に特に限定はなく、ガラス、セラミックス、プラスチック等を使用することができる。プラスチック基板としてはセルロ−ス、トリアセチルセルロ−ス、ジアセチルセルロ−ス等のセルロ−ス誘導体、ポリシクロオレフィン誘導体、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコ−ル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、更にガラス繊維−エポキシ樹脂、ガラス繊維−アクリル樹脂などの無機−有機複合材料などを用いることができる。

なおプラスチック基板を使用する際には、バリア膜を設けることが好ましい。バリア膜の機能は、プラスチック基板が有する透湿性を低下させ、液晶表示素子の電気特性の信頼性を向上することにある。バリア膜としては、それぞれ、透明性が高く水蒸気透過性が小さいものであれば特に限定されず、一般的には酸化ケイ素などの無機材料を用いて蒸着やスパッタリング、ケミカルベーパーデポジション法（ＣＶＤ法）によって形成した薄膜を使用する。

本発明においては、前記基板ａ又は前記基板ｂとして同素材を使用しても異素材を使用してもよく特に限定はない。ガラス基板を用いれば耐熱性や寸法安定性の優れた液晶表示素子を作製することができて好ましい。またプラスチック基板であれば、ロールツウロール法による製造方法に適し且つ軽量化あるいはフレキシブル化に適しており好ましい。また、平坦性及び耐熱性付与を目的とするならば、プラスチック基板とガラス基板とを組み合わせると良い結果を得ることができる。

バックプレーンには、基板ａ１００上に、ＴＦＴ層１０２及び画素電極１０３を設けている。これらは通常のアレイ工程にて製造される。この上にパッシベーション膜１０４及び配向膜ａ１０５を設けてバックプレーンが得られる。

パッシベーション膜１０４（無機保護膜ともいう）はＴＦＴ層を保護するための膜で、通常は窒化膜（ＳｉＮｘ）、酸化膜（ＳｉＯｘ）等を化学的気相成長（ＣＶＤ）技術等により形成する。

また、配向膜ａ１０５は、液晶を配向させる機能を有する膜であり、通常ポリイミドのような高分子材料が用いられることが多い。塗布液には、高分子材料と溶剤からなる配向剤溶液が使われる。配向膜はシール材との接着力を阻害する可能性があるため、封止領域内にパターン塗布する。塗布にはフレキソ印刷法のような印刷法、インクジェットのような液滴吐出法が用いられる。塗布された配向剤溶液は仮乾燥により溶剤が蒸発した後、ベーキングにより架橋硬化される。この後、配向機能を出すために、配向処理を行う。

配向処理は通常ラビング法にて行われる。前述のように形成された高分子膜上を、レーヨンのような繊維から成るラビング布を用いて一方向にこすることにより液晶配向能が生じる。

また、光配向法を用いることもある。光配向法は、光感受性を有する有機材料を含む配向膜上に偏光を照射することにより配向能を発生させる方法であり、ラビング法による基板の傷や埃の発生が生じない。光配向法における有機材料の例としては二色性染料を含有する材料がある。二色性染料としては、光二色性に起因するワイゲルト効果による分子の配向誘起もしくは異性化反応（例：アゾベンゼン基）、二量化反応（例：シンナモイル基）、光架橋反応（例：ベンゾフェノン基）、あるいは光分解反応（例：ポリイミド基）のような、液晶配向能の起源となる光反応を生じる基（以下、光配向性基と略す）を有するものを用いることができる。塗布された配向剤溶液は仮乾燥により溶剤が蒸発した後、任意の偏向を有する光（偏光）を照射することで、任意の方向に配向能を有する配向膜を得ることができる。

一方のフロントプレーンは、基板ｂ２００上に、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０３、平坦化膜２０１、透明電極２０４、配向膜ｂ２０５を設けている。

ブラックマトリックス２０２は、例えば、顔料分散法にて作製する。具体的にはバリア膜２０１を設けた基板ｂ２００上に、ブラックマトリックス形成用に黒色の着色剤を均一分散させたカラーレジン液を塗布し、着色層を形成する。続いて、着色層をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックス２０２が完成する。

あるいは、フォトレジスト型の顔料分散液を使用してもよい。この場合は、フォトレジスト型の顔料分散液を塗布し、プリベークしたのち、マスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックス２０２が完成する。

カラーフィルタ２０３は、顔料分散法、電着法、印刷法あるいは染色法等にて作成する。顔料分散法を例にとると、（例えば赤色の）顔料を均一分散させたカラーレジン液を基板ｂ２００上に塗布し、ベーキング硬化後、該上にフォトレジストを塗布しプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に現像を行い、パターニングする。この後フォトレジスト層を剥離し、再度ベーキングすることで、（赤色の）カラーフィルタ２０３が完成する。作成する色順序に特に限定はない。同様にして、緑カラーフィルタ２０３、青カラーフィルタ２０３を形成する。

透明電極２０４は、前記カラーフィルタ２０３上に（必要に応じて前記カラーフィルタ２０３上に表面平坦化のためにオーバーコート層（２０１）を設けてもよい。）設ける。透明電極２０４は透過率が高い方が好ましく、電気抵抗が小さいほうが好ましい。透明電極２０４はＩＴＯなどの酸化膜をスパッタリング法などによって形成する。

また、前記透明電極２０４を保護する目的で、透明電極２０４の上にパッシベーション膜を設ける場合もある。

配向膜ｂ２０５は、前述の配向膜ａ１０５と同じものである。

以上本発明で使用する前記バックプレーン及び前記フロントプレーンについての具体的態様を述べたが、本願においては該具体的態様に限定されることはなく、所望される液晶表示素子に応じた態様の変更は自由である。

前記柱状スペーサーの形状は特に限定されず、その水平断面を円形、四角形などの多角形など様々な形状にすることができるが、工程時のミスアラインマージンを考慮して、水平断面を円形または正多角形にすることが特に好ましい。また該突起形状は、円錐台または角錐台であることが好ましい。

前記柱状スペーサーの材質は、シール材もしくはシール材に使用する有機溶剤、あるいは液晶に溶解しない材質であれば特に限定されないが、加工及び軽量化の面から合成樹脂（硬化性樹脂）であることが好ましい。一方、前記突起は、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法により、第一の基板上のシール材が接する面に設けることが可能である。このような理由から、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法に適した、光硬化性樹脂を使用することが好ましい。

例として、前面柱状スペーサーをフォトリソグラフィ法によって得る場合について説明する。

前記フロントプレーンの透明電極２０４上に、柱状スペーサー形成用の（着色剤を含まない）レジン液を塗布する。続いて、このレジン層をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に、現像を行ってレジン層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、レジン層をベーキングして柱状スペーサーが完成する。

柱状スペーサーの形成位置はマスクパターンによって所望の位置に決めることができる。従って、液晶表示素子の封止領域内と封止領域外（シール材塗布部分）との両方を同時に作成することができる。また柱状スペーサーは封止領域の品質が低下することがないように、ブラックマトリックスの上に位置するように形成させることが好ましい。このようにフォトリソグラフィ法によって作製された柱状スペーサーのことを、カラムスペーサ又はフォトスペーサと呼ぶことがある。

前記スペーサーの材質は、ＰＶＡ−スチルバゾ感光性樹脂などのネガ型水溶性樹脂や多官能アクリル系モノマー、アクリル酸共重合体、トリアゾール系開始剤などの混合物が使用される。あるいはポリイミド樹脂に着色剤を分散させたカラーレジンを使う方法もある。本発明においては特に限定はなく、使用する液晶やシール材との相性に従い公知の材質でスペーサーを得ることができる。

このようにして、フロントプレーン上の封止領域となる面に柱状スペーサーを設けた後、該バックプレーンのシール材が接する面にシール材（図１における３０１）を塗布する。

シール材の材質は特に限定はなく、エポキシ系やアクリル系の光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性の樹脂に重合開始剤を添加した硬化性樹脂組成物が使用される。また、透湿性や弾性率、粘度などを制御するために、無機物や有機物よりなるフィラー類を添加することがある。これらフィラー類の形状は特に限定されず、球形、繊維状、無定形などがある。さらに、セルギャップを良好に制御するために単分散径を有する球形や繊維状のギャップ材を混合したり、基板との接着力をより強化するために、基板上突起と絡まりやすい繊維状物質を混合しても良い。このとき使用する繊維状物質の直径はセルギャップの１／５〜１／１０以下程度が望ましく、繊維状物質の長さはシール塗布幅よりも短いことが望ましい。

また、繊維状物質の材質は所定の形状が得られるものであれば特に限定されず、セルロース、ポリアミド、ポリエステルなどの合成繊維やガラス、炭素などの無機材料を適宜選ぶことが可能である。

シール材を塗布する方法としては、印刷法やディスペンス法があるが、シール材の使用量が少ないディスペンス法が望ましい。シール材の塗布位置は封止領域に悪影響を及ぼさないように通常ブラックマトリックス上とする。次工程の液晶滴下領域を形成するため（液晶が漏れないように）、シール材塗布形状は閉ループ形状とする。

前記シール材を塗布したフロントプレーンの閉ループ形状（封止領域）に液晶を滴下する。通常はディスペンサーを使用する。滴下する液晶量は液晶セル容積と一致させるため、柱状スペーサーの高さとシール塗布面積とを掛け合わせた体積と同量を基本とする。しかし、セル貼り合わせ工程における液晶漏れや表示特性の最適化のために、滴下する液晶量を適宜調整することもあれば、液晶滴下位置を分散させることもある。

次に、前記シール材を塗布し液晶を滴下したフロントプレーンに、バックプレーンを貼り合わせる。具体的には、静電チャックのような基板を吸着させる機構を有するステージに前記フロントプレーンと前記バックプレーンとを吸着させ、フロントプレーンの配向膜ｂとバックプレーンの配向膜ａとが向きあい、シール材ともう一方の基板が接しない位置（距離）に配置する。この状態で系内を減圧する。減圧終了後、フロントプレーンとバックプレーンとの貼り合せ位置を確認しながら両基板位置を調整する（アライメント操作）。貼り合せ位置の調整が終了したら、フロントプレーン上のシール材とバックプレーンとが接する位置まで基板を接近させる。この状態で系内に不活性ガスを充填させ、徐々に減圧を開放しながら常圧に戻す。このとき、大気圧によりフロントプレーンとバックプレーンが貼り合わされ、柱状スペーサーの高さ位置でセルギャップが形成される。この状態でシール材に紫外線を照射してシール材を硬化することによって液晶セルを形成する。この後、場合によって加熱工程を加え、シール材硬化を促進する。シール材の接着力強化や電気特性信頼性の向上のために、加熱工程を加えることが多い。

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。

Ｔ_ｎ−ｉはネマチック相−等方相の転移温度を表す。

化合物記載に下記の略号を使用する。

ＤＭＦ：N,N-ジメチルホルムアミド
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン
Ｍｅ：メチル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｒ：ｎ−プロピル基、Ｂｕ：ｎ−ブチル基
（実施例１）１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンの製造

（１−１）乾燥窒素下、１−ヒドロキシ−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン（１３ｇ）を濃硫酸（６５ｍＬ）に溶解させ、−１０℃に冷却した。冷却下、１−エトキシ−２，３−ジフルオロベンゼン（２４．４ｇ）をゆっくりと加えた後、引き続き０℃にて１時間撹拌した。反応液を撹拌しながら氷（３００ｇ）に注ぎ込んだ後、トルエン（１５０ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろかにより除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、複数回再結晶（メタノール及びヘキサン）する事で７．１ｇの１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
相転移温度： Ｃｒ ８７．４ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：３０８［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝６．８０（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ_１＝２．４Ｈｚ，Ｊ_２＝８．６Ｈｚ），６．６１（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ_１＝１．９Ｈｚ，Ｊ_２＝８．７Ｈｚ），４．０８（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．８８−１．８３（６Ｈ，ｍ），１．５１−１．３８（９Ｈ，ｍ），１．２８−１．１８（２Ｈ，ｍ），１．１１−１．０７（２Ｈ，ｍ），０．８８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）
（実施例２）１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタンの製造

（２−１）乾燥窒素下、１−ヒドロキシ−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタン（２２ｇ）を濃硫酸（１１０ｍＬ）に溶解させ、−１０℃に冷却した。冷却下、１−エトキシ−２，３−ジフルオロベンゼン（４９．６ｇ）をゆっくりと加えた後、引き続き０℃にて１時間撹拌した。反応液を撹拌しながら氷（５００ｇ）に注ぎ込んだ後、トルエン（２００ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろかにより除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、複数回再結晶（メタノール及びヘキサン）する事で２４．９ｇの１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
相転移温度： Ｃｒ ９０．６ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：２８０［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝６．８１（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ_１＝２．４Ｈｚ，Ｊ_２＝８．６Ｈｚ），６．６２（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ_１＝１．９Ｈｚ，Ｊ_２＝８．５Ｈｚ），４．０８（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ），１．８８−１．８４（６Ｈ，ｍ），１．５０−１．４１（９Ｈ，ｍ），０．８３（３Ｈ，ｓ）
（実施例３）１−（４−メチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンの製造

（３−１）乾燥窒素下、１−ヒドロキシ−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン（２１ｇ）を濃硫酸（６５ｍＬ）に溶解させ、−１０℃に冷却した。冷却下、ブロモベンゼン（３９．２ｇ）をゆっくりと加えた後、引き続き０℃にて１時間撹拌した。反応液を撹拌しながら氷（３００ｇ）に注ぎ込んだ後、トルエン（２００ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろかにより除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、再結晶（エタノール、アセトン混合溶媒）する事で３６．７ｇの１−（４−ブロモフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
（３−２）乾燥窒素下、工程（３−１）で得られた１−（４−ブロモフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン（５３．８ｇ）をＴＨＦ（４５０ｍＬ）に溶解させ、-６０℃に冷却した。冷却下、１．６ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１３０ｍＬ）をゆっくりと加え、-６０℃にてさらに１時間撹拌した。冷却下、ＤＭＦ（３８．４ｇ）をゆっくり加え、１０℃まで徐々に昇温させた。-１０℃に冷却し、１０％塩酸（４００ｍＬ）を加え、トルエン（３００ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸トリウムをろ過により除去した後、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製する事で４８．１ｇの４−（４−プロピル−ビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル）ベンズアルデヒドを白色固体として得た。
（３−３）乾燥窒素下、工程（３−２）で得られた４−（４−プロピル−ビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル）ベンズアルデヒド（１９．２ｇ）、ヒドラジン１水和物（１３．１ｇ）及びトリエチレングリコール（１００ｍＬ）に混合し、１１０℃に加熱し３０分間撹拌した。１４５℃にてさらに１時間撹拌し、生成する水などをディーンスターク装置を用いて捕集した。１４５℃にて水酸化カリウム（１６．８ｇ）をゆっくり加えた後、２００℃に昇温し、１０分間撹拌した。放冷した後、水（１５０ｍＬ）及びトルエン（１００ｍＬ）を加えて分液し、有機層を１０％塩酸、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過により除去した後、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに複数回再結晶（メタノール）する事で、１３．５ｇの１−（４−メチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
相転移温度： Ｃｒ ５８．０ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：２４２［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．２１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），７．１０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ），２．３０（３Ｈ，ｓ），１．８１−１．７６（６Ｈ，ｍ），１．５３−１．４５（６Ｈ，ｍ），１．２８−１．１８（２Ｈ，ｍ），１．１２−１．０７（２Ｈ，ｍ），０．８９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）
（比較例１）トルエンへの直接アルキル化による、１−（４−メチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンの製造

（比１−１） 乾燥窒素下、１−ヒドロキシ−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン（２０ｇ）を濃硫酸（７０ｍＬ）に溶解させ、−１０℃に冷却した。冷却下、トルエン（２２．０ｇ）をゆっくりと加えた後、引き続き０℃にて１時間撹拌した。反応液を撹拌しながら氷（３００ｇ）に注ぎ込んだ後、トルエン（２００ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。粗製物をガスクロマトグラフィーにより分析したところ（数値は面積比）、目的化合物が５０％、位置異性体が１５％、二置換体が（２７％）含まれていた。硫酸ナトリウムを濾過により除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、再結晶（メタノール）を行ったが、目的化合物を単離する事は出来なかった。

比較例１ではトルエンに対してビシクロ［２．２．２］オクタニル基を直接導入させるＦｒｉｅｄｅｌ−Ｃｒａｆｔｓ反応を検討したが、副生成物生成量が多く目的化合物を単離することが出来なかった。位置異性体が多く生成した理由として、トルエンのメチル基は比較的立体障害が小さく、オルト位への置換を抑制する効果が低いことが考えられる。二置換体が多く生成した理由として、一つ目のビシクロ［２．２．２］オクタニル基（電子供与性基）が導入されることで、芳香環の電子密度が増大し、二置換体の生成速度が上昇した為であると考えられる。一方、実施例３で示した経路では、ブロモベンゼンとの反応を経由する事で目的化合物を単離する事に成功した。この理由として、ブロモ基はメチル基等に比べて十分に立体的に大きな基であるため、その立体障害によりオルト位への置換を強く阻害している事、及びブロモ基が弱い電子求引性基であるためビシクロ［２．２．２］オクタニル基が一つ置換しても芳香環の電子密度が上がりすぎず、二置換体生成速度が比較的遅いためであると考えられる。他方、実施例１で示した化合物については、エトキシ基に対して片方のオルト位がフルオロ基により既に置換されている事、及びエトキシ基が比較的大きな立体障害を有する事から位置異性体が生成しにくいことが考えられる。さらに、電子求引性基であるフルオロ基が二つ芳香環に置換していることから、ビシクロ［２．２．２］オクタニル基が一つ置換しても芳香環の電子密度が上がりすぎず、二置換体の生成速度が遅くなったためであると考えられる。

（実施例４）１−（４−エチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンの製造

（４−１） 乾燥窒素下、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（４１．７ｇ）をＴＨＦ（６０ｍＬ）に懸濁させ、氷冷した。冷却下、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１３．１ｇ）を加え、氷冷下３０分間撹拌した。冷却下、工程（３−２）で得られた４−（４−プロピル−ビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル）ベンズアルデヒド（２３．０ｇ）のＴＨＦ（１００ｍＬ）溶液をゆっくりと加え、氷冷下さらに２時間撹拌した。水2（２０ｍＬ）を加えた後濃縮し、ヘキサン（１００ｍＬ）、メタノール（１００ｍＬ）、水（５０ｍＬ）及び７０％ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド（１０ｇ）を加えて室温にて１時間撹拌した。分液し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過により除去し、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製する事で、２１．２ｇの１−（４−ビニルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
（４−２）工程（４−１）で得られた１−（４−ビニルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン（２１．２ｇ）及び５％パラジウム炭素（５０％含水品、１．１ｇ）をＴＨＦ（２００ｍＬ）に懸濁させ、耐圧容器内にて水素雰囲気下（０．３ＭＰａ）室温にて２時間撹拌した。パラジウム炭素をろ過により除去した後、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、複数回再結晶（メタノール及びヘキサン）する事で、９．０ｇの１−（４−エチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
相転移温度： Ｃｒ ５３．７ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：２５６［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．２４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），７．１２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），２．６１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．８１−１．７７（６Ｈ，ｍ），１．４９−１．４５（６Ｈ，ｍ），１．２７−１．１８（５Ｈ，ｍ），１．１２−１．０７（２Ｈ，ｍ），０．８９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ）
（実施例５）１−（２’，３’−ジフルオロ−４’−メトキシビフェニル−４−イル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタンの製造

（５−１）乾燥窒素下、１−ヒドロキシ−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタン（２０．０ｇ）を濃硫酸（１００ｍＬ）に溶解させ、−１０℃に冷却した。冷却下、ブロモベンゼン（４４．８ｇ）をゆっくりと加えた後、引き続き０℃にて１時間撹拌した。反応液を撹拌しながら氷（３００ｇ）に注ぎ込んだ後、トルエン（１５０ｍＬ）を加えて分液した。有機層を飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろかにより除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、再結晶（エタノール、アセトン混合溶媒）する事で２８．０ｇの１−（４−ブロモフェニル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
（５−２）乾燥窒素下、工程（５−１）で得られた１−（４−ブロモフェニル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタン（２５ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３．１ｇ）、ＴＨＦ（１００ｍＬ）及び２ｍｏｌ／Ｌ炭酸カリウム水溶液（９０ｍＬ）を混合し、６０℃に加熱した。加熱下、２，３−ジフルオロ−４−メトキシフェニルボロン酸（１８．５ｇ）をＴＨＦ（８０ｍＬ）に溶解させた溶液をゆっくりと加え、６０℃にてさらに３０分撹拌した。室温まで冷却した後、水（３００ｍＬ）及びトルエン（２００ｍＬ）を加えて分液し、有機層を飽和食塩水（３００ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過により除去した後、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、複数回再結晶（アセトン）する事で、１９．６ｇの１−（２’，３’−ジフルオロ−４’−メトキシビフェニル−４−イル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタンを白色固体として得た。
相転移温度： Ｃｒ １２９．７ Ｉｓｏ
ＭＳ ｍ／ｚ：３４２［Ｍ^＋］
^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３、ＴＭＳ内部標準）δ（ｐｐｍ）＝７．４２（４Ｈ，ｑ，Ｊ＝１０．８Ｈｚ），７．１１（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ_１＝２．４Ｈｚ，Ｊ_２＝７．６Ｈｚ），６．８０（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ_１＝１．７Ｈｚ，Ｊ_２＝７．４Ｈｚ），３．９３（３Ｈ，ｓ），１．８６−１．８２（６Ｈ，ｍ），１．５３−１．４９（６Ｈ，ｍ），０．８５（３Ｈ，ｓ）
（実施例６）液晶組成物の調製−１
以下のＴ_ｎ−ｉ、Δε、Δｎ及びγ_１の値（いずれも実測値）を示すホスト液晶組成物（Ｈ）を調整した。

Ｔ_ｎ−ｉ：７３．８℃
Δε ：−２．７９
Δｎ ：０．１０１
γ_１ ：１１２
この母体液晶（Ｈ）８５％と、実施例１で得られた１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ａ）より、実施例１で得られた１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンの外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：３８．７℃
外挿Δε：−７．１５
外挿Δｎ：０．０９６７
外挿γ_１：２７０ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ａ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ａ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。

（実施例７）液晶組成物の調製―２
母体液晶（Ｈ）８５％と、実施例２で得られた１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタン１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ｂ）より、実施例２で得られた１−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタンの外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：−６６．２℃
外挿Δε：−５．１３
外挿Δｎ：０．０４６１
外挿γ_１：７９ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｂ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。

（実施例８）液晶組成物の調製―３
母体液晶（Ｈ）８５％と、実施例３で得られた１−（４−メチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ｃ）より、実施例３で得られた１−（４−メチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンの外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：３．２℃
外挿Δε：−０．２１
外挿Δｎ：０．０７５１
外挿γ_１：４５ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｃ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。

（実施例９）液晶組成物の調製―４
母体液晶（Ｈ）８５％と、実施例４で得られた１−（４−エチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタン１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｄ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ｄ）より、実施例４で得られた１−（４−エチルフェニル）−４−プロピルビシクロ［２．２．２］オクタンの外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：−２５．５℃
外挿Δε：−０．０８
外挿Δｎ：０．０５３２
外挿γ_１：１０ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｄ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｄ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。

（実施例１０）液晶組成物の調製―５
母体液晶（Ｈ）９０％と、実施例５で得られた１−（２’，３’−ジフルオロ−４’−メトキシビフェニル−４−イル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタン１０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｅ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ｅ）より、実施例５で得られた１−（２’，３’−ジフルオロ−４’−メトキシビフェニル−４−イル）−４−メチルビシクロ［２．２．２］オクタンの外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：８８．８℃
外挿Δε：−５．５９
外挿Δｎ：０．１６６４
外挿γ_１：４４２ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｅ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｅ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。

（比較例２）液晶組成物の調製―６
母体液晶（Ｈ）８５％と、１−エトキシ−４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２，３−ジフルオロベンゼン１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｆ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ｆ）より、１−エトキシ−４−（ｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキシル）−２，３−ジフルオロベンゼンの外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：−４．２℃
外挿Δε：−６．８４
外挿Δｎ：０．０７３０
外挿γ_１：７６ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｆ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

実施例６及び比較例２の外挿Ｔ_ｎ−ｉと外挿γ_１を比較すると、本願化合物は比較例２の化合物と比べて十分に高いＴ_ｎ−ｉを示し、γ_１の上昇を比較的抑えることが出来たことがわかる。このことから、本願化合物はＴ_ｎ−ｉを上昇させながら、γ１を上昇させにくい特徴を有することが明らかとなった。

Claims (11)

1. 一般式（Ｂ２）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ１は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
   Ａ^ｂ１は
   （ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
   （ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
   （ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、また、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
   からなる群より選ばれる基であり、
   Ｚ^ｂ１は、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
   ｎｂは０、１又は２を表すが、ｎｂが２であってＡ^ｂ１及びＺ^ｂ１が複数存在する場合、Ａ^ｂ１及びＺ^ｂ１は同一であっても異なっていても良い。
   ）で表される化合物と、一般式（Ｂ３）
   

   

   （式中、Ｘ^ｂ１及びＸ^ｂ２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ^ｂ５は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い、を表す。）
   で表される化合物を反応させて一般式（Ｂ４）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１及びｎｂは、一般式（Ｂ２）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１及びｎｂと同じ意味を表し、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びＸ^ｂ５は一般式（Ｂ３）中のＸ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びＸ^ｂ５と同じ意味を表す。）で表される化合物を製造する工程、
   及び一般式（Ｂ４）で表される化合物を用いて一般式（Ｂ１）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、ｎｂ、Ｘ^ｂ１及びＸ^ｂ２は、一般式（Ｂ４）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、ｎｂ、Ｘ^ｂ１及びＸ^ｂ２と同じ意味を表し、
   Ｘ^ｂ３及びＸ^ｂ４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、
   Ｒ^ｂ２は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
   ｍｂは０、１又は２を表すが、ｍｂが２であってＸ^ｂ３及びＸ^ｂ４が複数存在する場合、Ｘ^ｂ３及びＸ^ｂ４は同一であっても異なっていても良く、ｎｂ＋ｍｂは０、１又は２を表す。）
   で表される化合物を製造する工程を有する製造方法。
2. 更に、Ｘ^ｂ５が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す一般式（Ｂ４）で表される化合物を用いて一般式（Ｂ５）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ４）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表す。）で表される化合物を製造する工程を有する請求項１に記載の製造方法。
3. 一般式（Ｂ４）で表される化合物を用いて一般式（Ｂ６）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ４）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表す。）で表される化合物を製造する請求項２に記載の製造方法。
4. 一般式（Ｂ５）で表される化合物と一般式（Ｂ７）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ３は水素原子又は炭素原子数１から１３のアルキル基を表し、Ｙは塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンを表す。）で表される化合物を用いて一般式（Ｂ８）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ５）中のＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表し、Ｒ^ｂ３は一般式（Ｂ７）中のＲ^ｂ３と同じ意味を表す。）で表される化合物を得た後、該一般式（Ｂ８）で表される化合物から一般式（Ｂ９）
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂは、一般式（Ｂ５）で表されるＲ^ｂ１、Ａ^ｂ１、Ｚ^ｂ１、Ｘ^ｂ１、Ｘ^ｂ２及びｎｂと同じ意味を表し、Ｒ^ｂ３は一般式（Ｂ７）で表されるＲ^ｂ３と同じ意味を表す。）で表される化合物を製造する請求項２に記載の製造方法。
5. 更に、一般式（Ｂ４）で表される化合物を、触媒存在下一般式（Ｂ１０）
   

   

   （式中、Ｘ^ｂ３、Ｘ^ｂ４及びＲ^ｂ２は一般式（Ｂ１）で表されるＸ^ｂ３、Ｘ^ｂ４及びＲ^ｂ２と同じ意味を表し、Ｗは
   

   

   （式中、Ｒ^ｂ４及びＲ^ｂ５はそれぞれ独立して水素原子又は直鎖若しくは分岐していても良い炭素数１から５のアルキル基を表し、
   Ｅは基中に存在する一つ以上の水素原子が各々独立してメチル基に置換されていても良い−（ＣＨ_２）_ｐ−を表し、
   ｐは２、３又は４を表し、
   ｍｂ１は１又は２を表す。）で表される化合物と反応させる工程を有する請求項１に記載の製造方法。
6. 請求項１記載の一般式（Ｂ２）で表される化合物と請求項１記載の一般式（Ｂ３）で表される化合物を用いて、請求項１記載の一般式（Ｂ４）で表される化合物を得る製造方法。
7. 請求項１記載の一般式（Ｂ４）で表される化合物を用いて請求項１記載の一般式（Ｂ１）で表される化合物を得る製造方法。
8. 一般式（Ａ）
   

   

   （式中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
   Ａ^ａ１及びＡ^ａ２はそれぞれ独立して
   （ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
   （ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
   （ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、また、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
   からなる群より選ばれる基であり、
   Ｚ^ａ１及びＺ^ａ２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
   ｎａ及びｍａはそれぞれ独立しては０、１又は２を表し、ｎａ＋ｍａは１、２又は３を表すが、ｎａが２であってＡ^ａ１及びＺ^ａ１が複数存在する場合、Ａ^ａ１及びＺ^ａ１は同一であっても異なっていても良く、ｍａが２であってＡ^ａ２及びＺ^ａ２が複数存在する場合、Ａ^ａ２及びＺ^ａ２は同一であっても異なっていても良い。）
   で表される化合物。
9. 一般式（Ａ）において、Ａ^ａ１又はＡ^ａ２の内少なくとも一つが２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基を表す請求項８に記載の化合物。
10. 請求項８又は９に記載の化合物を一種又は二種以上含有する組成物。
11. 請求項１０記載の組成物を使用した液晶表示素子。

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