JP2017138159A - Current-carrying test device for power module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パワーモジュールの通電試験装置に関する。 The present invention relates to a power module energization test apparatus.
近年、炭化ケイ素に代表されるワイドバンドギャップ半導体を搭載したパワーモジュールの開発が進んでいる。このようなパワーモジュールにおいて、PNダイオードに順方向電流を流すことによって、電子と正孔との再結合により核生成を促進し、半導体基板に存在する基底面転移から積層欠陥が成長する。当該領域が高抵抗となり、使用時間が増加していくと電気的特性が変動するという問題がある。これに対し、基板から積層欠陥が拡大するのを防ぐバイポーラ半導体素子が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, power modules equipped with wide band gap semiconductors typified by silicon carbide have been developed. In such a power module, by passing a forward current through the PN diode, nucleation is promoted by recombination of electrons and holes, and stacking faults grow from basal plane transitions existing in the semiconductor substrate. There is a problem that the electric characteristics fluctuate as the region becomes high resistance and the usage time increases. On the other hand, a bipolar semiconductor element that prevents the stacking fault from expanding from the substrate has been proposed (for example, see Patent Document 1).
積層欠陥を検出する方法として、PNダイオードの順方向に電流密度100[A/cm2]で1時間通電し、順方向電圧の増加率を検出する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。また、積層欠陥の有無を検査する検査装置として、PNダイオードに順方向電流を流す通電試験装置も提案されている(例えば、特許文献3参照)。 As a method for detecting stacking faults, a method has been proposed in which a forward voltage of a PN diode is energized for 1 hour at a current density of 100 [A / cm 2 ] to detect the rate of increase in forward voltage (for example, Patent Document 2). reference). In addition, as an inspection apparatus for inspecting the presence or absence of stacking faults, an energization test apparatus that allows a forward current to flow through a PN diode has also been proposed (see, for example, Patent Document 3).
しかし、従来の通電試験装置では通電する電流経路が1つに固定されているため、例えばU相、V相、W相から構成される6in1構成のパワーモジュールに対して、パワーモジュールのPN間に電流出力端子を接続すると、出力電流が各相に分流される。各相に流れる電流は搭載された半導体素子の抵抗の比率によって決まるため、半導体素子の特性ばらつきにより試験電流が不安定となる問題があった。また、安定した試験電流で通電検査を実施するためには、各半導体素子のソース端子及びドレイン端子に電源の出力端子を接続すればよいが、そのためにはパワーモジュールの各端子に配線を繋ぎ替える作業が発生するため、試験時間が長くなるという問題もあった。 However, since the current path to be energized is fixed to one in the conventional energization test apparatus, for example, with respect to a 6 in 1 configuration power module composed of U phase, V phase, and W phase, between the PN of the power module When the current output terminal is connected, the output current is shunted to each phase. Since the current flowing through each phase is determined by the ratio of the resistance of the mounted semiconductor element, there is a problem that the test current becomes unstable due to variations in characteristics of the semiconductor element. In addition, in order to carry out an energization test with a stable test current, it is only necessary to connect the output terminal of the power source to the source terminal and drain terminal of each semiconductor element. To that end, the wiring is connected to each terminal of the power module. There is also a problem that the test time becomes longer due to work.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は複数のダイオードを有するパワーモジュールに対して配線を繋ぎ替えることなく効率的かつ安定した試験条件で通電試験を行うことができる通電試験装置を得るものである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and its purpose is to conduct an energization test on a power module having a plurality of diodes under an efficient and stable test condition without changing the wiring. It is possible to obtain a current-carrying test apparatus capable of performing the above.
本発明に係るパワーモジュールの通電試験装置は、複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタにそれぞれ並列に接続された複数のダイオードと、前記複数のトランジスタ及び前記複数のダイオードにそれぞれ接続された複数の電極端子とを有するパワーモジュールの通電試験を行う装置であって、前記パワーモジュールが載せられるステージと、前記パワーモジュールの前記複数の電極端子に接触して電気的に接続されるコンタクトプローブと、内部のON/OFF設定動作により、電源からの電流を前記コンタクトプローブを介して前記複数のダイオードの1つに個別に通電させるリレー回路とを備えることを特徴とする。 The power module current test apparatus according to the present invention includes a plurality of transistors, a plurality of diodes connected in parallel to the plurality of transistors, and a plurality of electrodes connected to the plurality of transistors and the plurality of diodes, respectively. An apparatus for conducting an energization test of a power module having a terminal, a stage on which the power module is mounted, a contact probe that is in contact with and electrically connected to the plurality of electrode terminals of the power module, and an internal And a relay circuit for individually energizing one of the plurality of diodes through the contact probe by an ON / OFF setting operation.
本発明では、リレー回路の内部のON/OFF設定動作により、電源からの電流をコンタクトプローブを介して複数のダイオードの1つに個別に通電させる。これにより、複数のダイオードを有するパワーモジュールに対して配線を繋ぎ替えることなく効率的かつ安定した試験条件で通電試験を行うことができる。 In the present invention, the current from the power supply is individually applied to one of the plurality of diodes via the contact probe by the ON / OFF setting operation inside the relay circuit. Thereby, it is possible to perform an energization test under an efficient and stable test condition without changing the wiring for a power module having a plurality of diodes.
本発明の実施の形態に係るパワーモジュールの通電試験装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。 A power module energization test apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and repeated description may be omitted.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールの通電試験装置を示すブロック図である。パワーモジュール1は通電試験の対象物である。通電試験装置はパワーモジュール1の通電試験を行う装置である。パワーモジュール1はステージ2上に位置決めされて載せられる。ステージ2の材質は、ステンレス、銅又はアルミニウム等の金属やカーボン等の熱伝導率が高い物質である。
FIG. 1 is a block diagram showing an energization test apparatus for a power module according to
冷却部3がステージ2に接続され、試験中に発熱したパワーモジュール1が所定温度範囲内に収まるようにステージ2を介してパワーモジュール1を冷却する。例えば、冷却部3は、ファン等によりステージ2を空冷するか、又は、チラー等により温度管理された水又は熱媒体を循環させることでステージ2を水冷する。
The cooling unit 3 is connected to the stage 2, and the
加圧プレス4に取付け板5が取り付けられ、取付け板5にコンタクトプローブ6が取り付けられている。コンタクトプローブ6は、複数のプローブピン7とワーク押さえピン8を有する。加圧プレス4がプレスダウンすることで、コンタクトプローブ6の複数のプローブピン7はパワーモジュール1の複数の電極端子にそれぞれ接触して電気的に接続される。加圧プレス4がプレスダウンすると、ワーク押さえピン8によりパワーモジュール1を加圧して、パワーモジュール1とステージ2の密着性を確保し、パワーモジュール1とステージ2の間の熱抵抗を低減する。
An
パワーモジュール1とステージ2の間に熱伝導率が高い樹脂シートなどを放熱シートとして配置することで、発熱時にパワーモジュール1が反った場合などでも、パワーモジュール1とステージ2の間の熱抵抗を安定させることができる。
By arranging a resin sheet having high thermal conductivity between the
コンタクトプローブ6は、リレー回路9を介して電源10に接続され、ゲートリレー回路11を介してゲート電源12に接続される。
The
制御部13は冷却部3、加圧プレス4、リレー回路9、電源10、ゲートリレー回路11、及びゲート電源12に接続され、制御部13によって各装置の動作が制御される。制御部13はPLC(Programmable Logic Controller)、メモリに記憶されたプログラムを実行するPC(Personal Computer)又はその両方から構成される。
The
図2は、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールの通電試験装置を示す回路図である。パワーモジュール1は、トランジスタQ1〜Q6と、それらにそれぞれ並列に接続されたダイオードD1〜D6と、それらにそれぞれ接続された複数の電極端子とを有する6in1パワーモジュールである。トランジスタQ1〜Q6はMOSFET、ダイオードD1〜D6はボディダイオードである。複数の電極端子はP端子、N端子、U端子、V端子及びW端子等である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a power module conduction test apparatus according to
コンタクトプローブ6は、複数のプローブピン7として、パワーモジュール1のP端子に接続されるプローブピンT1と、パワーモジュール1のN端子に接続されるプローブピンT2と、パワーモジュール1のU端子に接続されるプローブピンT3と、パワーモジュール1のV端子に接続されるプローブピンT4と、パワーモジュール1のW端子に接続されるプローブピンT5とを有する。
The
リレー回路9はスイッチSW1〜SW7を有する。スイッチSW1の一端は電源10の低圧端子に接続される。スイッチSW1の他端はプローブピンT1に接続されている。スイッチSW2の一端は電源10の高圧端子に接続される。スイッチSW2の他端はプローブピンT2に接続されている。スイッチSW3の一端は電源10の低圧端子に接続される。スイッチSW3の他端は分岐点T0に接続されている。スイッチSW4の一端は電源10の高圧端子に接続される。スイッチSW4の他端は分岐点T0に接続されている。スイッチSW5,SW6,SW7の一端は分岐点T0に接続されている。スイッチSW5の他端はプローブピンT3に接続されている。スイッチSW6の他端はプローブピンT4に接続されている。スイッチSW7の他端がプローブピンT5に接続されている。
The
ゲートリレー回路11はスイッチSWg1〜SWg6,SWg11〜SWg16を有する。スイッチSWg1〜SWg6の一端はゲート電源12の低圧端子に接続される。スイッチSWg1〜SWg6の他端はそれぞれトランジスタQ1〜Q6のゲート端子に接続される。スイッチSWg11〜SWg16の一端はゲート電源12の高圧端子に接続される。スイッチSWg11〜SWg16の他端はそれぞれトランジスタQ1〜Q6のソース端子に接続される。
The
図3は、本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールの通電試験装置の動作シーケンスである。動作開始時の初期状態では、スイッチSW1〜SW7,SWg1〜SWg6,SWg11〜SWg16は全てオフであり、電源10及びゲート電源12も停止した状態である。
FIG. 3 is an operation sequence of the power module electrical current test apparatus according to
まず、制御部13が冷却部3、電源10及びゲート電源12の動作条件を設定する。次に、パワーモジュール1をステージ2上に位置決めして載せ、加圧プレス4をプレスダウンして、コンタクトプローブ6とパワーモジュール1の各電極端子を電気的に接触させて、冷却部3を運転する。
First, the
ダイオードD1に個別に通電させる場合、リレー回路9のスイッチSW1,SW4,SW5をオンする。ゲートリレー回路11のスイッチSWg1,SWg11をオンし、ゲート電源12よりゲート電圧を出力して、トランジスタQ1のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。次に、電源10より設定した電流を出力すると、スイッチSW4、スイッチSW5、ダイオードD1、スイッチSW1の順に電流が流れる。指定時間を経過すると、電源10の電流出力を停止した後、スイッチSW1,SW4,SW5をオフする。その後、ゲート電源12の出力をオフし、スイッチSWg1,SWg11をオフする。
When individually energizing the diode D1, the switches SW1, SW4, SW5 of the
他のダイオードに対しても以下のリレー回路9及びゲートリレー回路11内部のON/OFF設定動作により試験電流を個別に通電させる。ダイオードD2に個別に通電させる場合、リレー回路9のスイッチSW1,SW4,SW6をオンし、ゲートリレー回路11のスイッチSWg2,SWg12をオンする。ダイオードD3に個別に通電させる場合、リレー回路9のスイッチSW1,SW4,SW7をオンし、ゲートリレー回路11のスイッチSWg3,SWg13をオンする。ダイオードD4に個別に通電させる場合、リレー回路9のスイッチSW2,SW3,SW5をオンし、ゲートリレー回路11のスイッチSWg4,SWg14をオンする。ダイオードD5に個別に通電させる場合、リレー回路9のスイッチSW2,SW3,SW6をオンし、ゲートリレー回路11のスイッチSWg5,SWg15をオンする。ダイオードD6に個別に通電させる場合、リレー回路9のスイッチSW2,SW3,SW7をオンし、ゲートリレー回路11のスイッチSWg6,SWg16をオンする。全てのダイオードの通電が完了すると、冷却部3の動作を停止させる。そして、加圧プレス4をプレスアップした後に、検査後のパワーデバイス1を回収する。
The test currents are individually supplied to the other diodes by the ON / OFF setting operation in the
本実施の形態に係る試験装置では、リレー回路9の内部のON/OFF設定動作により、電源10からの電流をコンタクトプローブ6を介して複数のダイオードの1つに個別に通電させる。これにより、複数のダイオードを有するパワーモジュール1に対して配線を繋ぎ替えることなく効率的に通電試験を行うことができる。
In the test apparatus according to the present embodiment, the current from the
また、通電試験時は、電源10の出力電流を1つのダイオードのみに流すことで、ダイオードの通電電流が電源10の設定電流のみで決まるため、半導体素子の電気特性がばらついた状態においても安定した試験条件で通電試験を行うことができる。
Further, during the energization test, the output current of the
また、トランジスタの閾値電圧が低い場合、ゲート−ソース間をショートしてもトランジスタのソース−ドレイン間に電流が流れる。そこで、ゲートリレー回路11は、ダイオードの通電試験時にパワーモジュール1のトランジスタのゲート−ソース間に負バイアスを印加してトランジスタを確実に遮断する。これにより、低閾値電圧のトランジスタに通電させずに、電源10の全ての出力電流を試験対象のダイオードに通電させることができるため、試験時間の短縮が可能である。
When the threshold voltage of the transistor is low, current flows between the source and drain of the transistor even if the gate and source are short-circuited. Therefore, the
なお、本実施の形態では、MOSFETのボディダイオードの通電劣化品を選別するスクリーニング試験を行うが、PNダイオードに対しても同様の効果が得られる。通電試験の対象物がバイポーラトランジスタ又はIGBTの場合には、電源10の極性を逆にし、かつゲート電源12の極性を逆にすることで同様の効果が得られる。
In this embodiment, a screening test is performed to select a current-deteriorated product of the body diode of the MOSFET, but the same effect can be obtained for the PN diode. When the object of the current test is a bipolar transistor or IGBT, the same effect can be obtained by reversing the polarity of the
また、本実施の形態では、ゲート電源12とゲートリレー回路11によってトランジスタに負バイアスを印加したが、各トランジスタのゲート−ソース間に直接ゲート電源を接続して負バイアスを印加してもよい。また、トランジスタのゲート閾値電圧が十分大きく、トランジスタのゲート−ソース間をショートすればトランジスタを遮断可能であれば、コンタクトプローブにて各トランジスタのゲート−ソース間をショートすることで同様の効果が得られる。
In this embodiment, a negative bias is applied to the transistors by the
実施の形態2.
図4は、本発明の実施の形態2に係るパワーモジュールの通電試験装置を示す回路図である。実施の形態1とはリレー回路9の構成が異なる。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 is a circuit diagram showing an energization test apparatus for a power module according to Embodiment 2 of the present invention. The configuration of the
リレー回路9はスイッチSW11〜SW18を有する。スイッチSW11の一端は電源10の低圧端子に接続される。スイッチSW11の他端はプローブピンT1に接続されている。スイッチSW12の一端は電源10の高圧端子に接続される。スイッチSW12の他端はプローブピンT2に接続されている。
The
スイッチSW13,SW14,SW15の一端は電源10の低圧端子に接続される。スイッチSW13の他端はプローブピンT3に接続される。スイッチSW14の他端はプローブピンT4に接続される。スイッチSW15の他端はプローブピンT5に接続される。スイッチSW16,SW17,SW18の一端は電源10の高圧端子に接続される。スイッチSW16の他端はプローブピンT3に接続される。スイッチSW17の他端はプローブピンT4に接続される。スイッチSW18の他端はプローブピンT5に接続される。
One ends of the switches SW13, SW14, and SW15 are connected to the low voltage terminal of the
実施の形態1と同様にリレー回路9の内部のON/OFF設定動作により、電源10からの電流をコンタクトプローブ6を介して複数のダイオードの1つに個別に通電させる。これにより実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
As in the first embodiment, the current from the
実施の形態3.
図5は、本発明の実施の形態3に係るパワーモジュールの通電試験装置を示す回路図である。実施の形態1の構成に加えて、パワーモジュール1は、A端子と、P端子とA端子の間に接続されたダイオードD7と、N端子とA端子の間に互いに並列接続されたトランジスタQ7及びダイオードD8とを更に有する。コンタクトプローブ6は、複数のプローブピン7として、パワーモジュール1のA端子に接続されるプローブピンT6を更に有する。リレー回路9は、一端が分岐点T0に接続され、他端がプローブピンT6に接続されたスイッチSW8を更に有する。ゲートリレー回路11はスイッチSWg7,SWg17を更に有する。スイッチSWg7の一端はゲート電源12の低圧端子に接続され、他端はトランジスタQ7のゲート端子に接続される。スイッチSWg17の一端はゲート電源12の高圧端子に接続され、他端はトランジスタQ7のソース端子に接続される。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 5 is a circuit diagram showing an energization test apparatus for a power module according to Embodiment 3 of the present invention. In addition to the configuration of the first embodiment, the
これにより、実施の形態1の効果に加えて、リレー回路9の内部のON/OFF設定動作により、電源10からの電流をコンタクトプローブ6を介してダイオードD7又はD8に個別に通電させることができる。このようにリレー回路9内のスイッチとゲートリレー回路11内のスイッチを追加すれば3相以上の回路構成を持つパワーモジュールにも本発明を適用することができる。
Thereby, in addition to the effect of the first embodiment, the current from the
実施の形態4.
図6は、本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールの通電試験装置を示す回路図である。本実施の形態ではパワーモジュール1のN端子が、U相のN端子であるN1端子、V相のN端子であるN2端子、及びW相のN端子であるN3端子に互いに分離されている。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram showing an energization test apparatus for a power module according to Embodiment 4 of the present invention. In the present embodiment, the N terminal of the
コンタクトプローブ6は、複数のプローブピン7として、パワーモジュール1のP端子に接続されるプローブピンT11と、パワーモジュール1のN1端子に接続されるプローブピンT12と、パワーモジュール1のN2端子に接続されるプローブピンT13と、パワーモジュール1のN3端子に接続されるプローブピンT14とを有する。プローブピンT11は電源10の低圧端子に接続される。
The
リレー回路9はスイッチSW21〜SW23を有する。スイッチSW21,SW22,SW23の一端は電源10の高圧端子に接続される。スイッチSW21,SW22,SW23の他端はそれぞれプローブピンT12,T13,T14に接続されている。
The
ゲート電源12はゲート電源12a,12bを有する。ゲートリレー回路11はスイッチSWg1〜SWg6,SWg11〜SWg16を有する。スイッチSWg1〜SWg3の一端はゲート電源12aの低圧端子に接続される。スイッチSWg4〜SWg6の一端はゲート電源12bの低圧端子に接続される。スイッチSWg1〜SWg6の他端はそれぞれトランジスタQ1〜Q6のゲート端子に接続される。スイッチSWg11〜SWg13の一端はゲート電源12aの高圧端子に接続される。スイッチSWg14〜SWg16の一端はゲート電源12bの高圧端子に接続される。スイッチSWg11〜SWg16の他端はそれぞれトランジスタQ1〜Q6のソース端子に接続される。
The
図7は、本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールの通電試験装置の動作シーケンスである。リレー回路9のスイッチSW21をオンすることで、スイッチSW21、ダイオードD4、ダイオードD1の順に電流が流れる。この際に、ゲートリレー回路11のスイッチSWg1,SWg11をオンすることでトランジスタQ1のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。また、スイッチSWg4,SWg14をオンすることでトランジスタQ4のゲート−ソース間にも負バイアスを印加する。
FIG. 7 shows an operation sequence of the power module current test apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. By turning on the switch SW21 of the
リレー回路9のスイッチSW22をオンすることで、スイッチSW22、ダイオードD5、ダイオードD2の順に電流が流れる。この際に、ゲートリレー回路11のスイッチSWg2,SWg12をオンすることで、トランジスタQ2のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。また、スイッチSWg5,SWg15をオンすることでトランジスタQ5のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。
By turning on the switch SW22 of the
リレー回路9のスイッチSW23をオンすることで、スイッチSW23、ダイオードD6、ダイオードD3の順に電流が流れる。この際に、ゲートリレー回路11のスイッチSWg3,SWg13をオンすることで、トランジスタQ3のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。また、スイッチSWg6,SWg16をオンすることでトランジスタQ6のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。
By turning on the switch SW23 of the
本実施の形態ではN端子が、U相、V相及びW相で互いに分離された回路構成のパワーモジュール1において、各相で個別にP側とN側のダイオードに同時に通電試験を行うことができるため、実施の形態1よりも更に試験時間を短縮できる。また、実施の形態1よりもリレー回路9の回路構成を簡略化できるため、より安価な装置となる。
In the present embodiment, in the
実施の形態5.
図8は、本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールの通電試験装置を示す回路図である。パワーモジュール1は、トランジスタQ11〜Q14と、それらにそれぞれ並列に接続されたダイオードD11〜D14と、それらにそれぞれ接続された複数の電極端子とを有する3レベルインバータ用パワーモジュールである。トランジスタQ11〜Q14はMOSFET、ダイオードD11〜D14はボディダイオードである。複数の電極端子はP端子、N端子、O端子及びU端子等である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an energization test apparatus for a power module according to
コンタクトプローブ6は、複数のプローブピン7として、パワーモジュール1のP端子に接続されるプローブピンT21と、N端子に接続されるプローブピンT22と、O端子に接続されるプローブピンT23と、U端子に接続されるプローブピンT24とを有する。
The
リレー回路9はスイッチSW31〜SW36を有する。スイッチSW31,SW33,SW34の一端は電源10の低圧端子に接続される。スイッチSW32,SW35,SW36の一端は電源10の高圧端子に接続される。スイッチSW31の他端はプローブピンT21に接続されている。スイッチSW32の他端はプローブピンT22に接続されている。スイッチSW33、SW35の他端はプローブピンT23に接続されている。スイッチSW34、SW36の他端はプローブピンT24に接続されている。
The
ゲート電源12はゲート電源12c,12dを有する。ゲートリレー回路11はスイッチSWg21〜SWg24,SWg31〜SWg33,SWg41,SWg42を有する。スイッチSWg21〜SWg24の一端はゲート電源12cの低圧端子に接続される。スイッチSWg21〜SWg24の他端はそれぞれトランジスタQ11〜Q14のゲート端子に接続される。スイッチSWg31〜SWg33の一端はゲート電源12cの高圧端子とゲート電源12dの低圧端子に接続される。スイッチSWg31,SWg32の他端はそれぞれトランジスタQ11,Q12のソース端子に接続される。スイッチSWg33の他端はトランジスタQ13,Q14のソース端子に接続される。スイッチSWg41,SWg42の一端はゲート電源12dの高圧端子に接続される。スイッチSWg41,SWg42の他端はそれぞれトランジスタQ13,Q14のゲート端子に接続される。
The
図9は、本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールの通電試験装置の動作シーケンスである。スイッチSW31,SW36をオンすることで、スイッチSW31、ダイオードD11、スイッチSW36の順に電流が流れる。この際に、ゲートリレー回路11のスイッチSWg21,SWg31オンすることでトランジスタQ11のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。
FIG. 9 shows an operation sequence of the power module current test apparatus according to
スイッチSW32,SW34をオンすることで、スイッチSW32、ダイオードD12、スイッチSW34の順に電流が流れる。この際に、ゲートリレー回路11のスイッチSWg22,SWg32をオンすることでトランジスタQ12のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。
By turning on the switches SW32 and SW34, current flows in the order of the switch SW32, the diode D12, and the switch SW34. At this time, a negative bias is applied between the gate and source of the transistor Q12 by turning on the switches SWg22 and SWg32 of the
ダイオードD13に電流を流すために、まず、スイッチSW33,SW36をオンする。次に、ゲートリレー回路11のスイッチSWg33,SWg42をオンして、ゲート電源12dよりトランジスタQ14のゲート−ソース間に電圧を印加し、トランジスタQ14をオンする。また、スイッチSWg23をオンしてトランジスタQ13のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。電源10より電流を出力すると、スイッチSW36、トランジスタQ14、ダイオードD13、スイッチSW33の順に電流が流れるため、ダイオードD13の通電試験を実施できる。
In order to pass a current through the diode D13, first, the switches SW33 and SW36 are turned on. Next, the switches SWg33 and SWg42 of the
ダイオードD14に電流を流すために、まず、スイッチSW34,SW35をオンする。次に、ゲートリレー回路11のスイッチSWg33,SWg41をオンして、ゲート電源12dよりトランジスタQ13のゲート−ソース間に電圧を印加し、トランジスタQ13をオンする。また、スイッチSWg24をオンしてトランジスタQ14のゲート−ソース間に負バイアスを印加する。電源10より電流を出力すると、スイッチSW35、トランジスタQ13、ダイオードD14、スイッチSW34の順に電流が流れるため、ダイオードD14の通電試験を実施できる。
In order to pass a current through the diode D14, first, the switches SW34 and SW35 are turned on. Next, the switches SWg33 and SWg41 of the
本実施の形態では3レベルインバータ用パワーモジュールのような複雑な回路構成に対して配線を繋ぎ替えることなく効率的かつ安定した試験条件で通電試験を行うことができる。 In the present embodiment, it is possible to perform an energization test under an efficient and stable test condition without changing wiring for a complicated circuit configuration such as a power module for a three-level inverter.
また、ゲートリレー回路11は、パワーモジュール1のO端子とU端子の間に直列に接続された2つのトランジスタQ13,Q14の一方のゲート−ソース間に負バイアスを印加し、他方のゲート−ソース間にゲート電圧を印加する。これにより、一方のトランジスタをオンして電流経路を確保することで、他方のトランジスタのボディダイオードをに通電させることができる。
The
なお、トランジスタQ1〜Q7,Q11〜Q14及びダイオードD1〜8,D11〜D14は、珪素によって形成されたものに限らず、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成されたものでもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドである。 The transistors Q1 to Q7 and Q11 to Q14 and the diodes D1 to 8, D11 to D14 are not limited to those formed of silicon, and may be formed of a wide band gap semiconductor having a larger band gap than silicon. . The wide band gap semiconductor is, for example, silicon carbide, a gallium nitride-based material, or diamond.
1 パワーモジュール、2 ステージ、6 コンタクトプローブ、7,T1〜T6,T11〜T14,T21〜T24 プローブピン、9 リレー回路、10 電源、11 ゲートリレー回路、D1〜8,D11〜D14 ダイオード、Q1〜Q7,Q11〜Q14 トランジスタ、SW1〜SW7,SW11〜SW18,SW21〜SW23,SW31〜SW36,SWg1〜SWg7,SWg11〜SWg17,SWg21〜SWg24,SWg31〜SWg33,SWg41,SWg42 スイッチ、T0 分岐点 1 power module, 2 stage, 6 contact probe, 7, T1-T6, T11-T14, T21-T24 probe pin, 9 relay circuit, 10 power supply, 11 gate relay circuit, D1-8, D11-D14 diode, Q1- Q7, Q11 to Q14 transistors, SW1 to SW7, SW11 to SW18, SW21 to SW23, SW31 to SW36, SWg1 to SWg7, SWg11 to SWg17, SWg21 to SWg24, SWg31 to SWg33, SWg41, SWg42 switch, T0 branch point
Claims (8)
前記パワーモジュールが載せられるステージと、
前記パワーモジュールの前記複数の電極端子に接触して電気的に接続されるコンタクトプローブと、
内部のON/OFF設定動作により、電源からの電流を前記コンタクトプローブを介して前記複数のダイオードの1つに個別に通電させるリレー回路とを備えることを特徴とするパワーモジュールの通電試験装置。 An apparatus for conducting an energization test of a power module having a plurality of transistors, a plurality of diodes connected in parallel to the plurality of transistors, and a plurality of electrode terminals respectively connected to the plurality of transistors and the plurality of diodes Because
A stage on which the power module is mounted;
A contact probe in contact with and electrically connected to the plurality of electrode terminals of the power module;
And a relay circuit for individually energizing one of the plurality of diodes through the contact probe by an internal ON / OFF setting operation.
前記コンタクトプローブは、
前記パワーモジュールの前記P端子に接続される第1のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記N端子に接続される第2のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記U端子に接続される第3のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記V端子に接続される第4のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記W端子に接続される第5のプローブピンとを有し、
前記リレー回路は、
一端が前記電源の低圧端子に接続され、他端が前記第1のプローブピンに接続された第1のスイッチと、
一端が前記電源の高圧端子に接続され、他端が前記第2のプローブピンに接続された第2のスイッチと、
一端が前記電源の前記低圧端子に接続され、他端が分岐点に接続された第3のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記分岐点に接続された第4のスイッチと、
一端が前記分岐点に接続され、他端が前記第3のプローブピンに接続された第5のスイッチと、
一端が前記分岐点に接続され、他端が前記第4のプローブピンに接続された第6のスイッチと、
一端が前記分岐点に接続され、他端が前記第5のプローブピンに接続された第7のスイッチとを有することを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの通電試験装置。 The power module is a 6 in 1 power module having a P terminal, an N terminal, a U terminal, a V terminal, and a W terminal as the plurality of electrode terminals,
The contact probe is
A first probe pin connected to the P terminal of the power module;
A second probe pin connected to the N terminal of the power module;
A third probe pin connected to the U terminal of the power module;
A fourth probe pin connected to the V terminal of the power module;
A fifth probe pin connected to the W terminal of the power module;
The relay circuit is
A first switch having one end connected to the low voltage terminal of the power supply and the other end connected to the first probe pin;
A second switch having one end connected to the high voltage terminal of the power source and the other end connected to the second probe pin;
A third switch having one end connected to the low voltage terminal of the power source and the other end connected to a branch point;
A fourth switch having one end connected to the high-voltage terminal of the power source and the other end connected to the branch point;
A fifth switch having one end connected to the branch point and the other end connected to the third probe pin;
A sixth switch having one end connected to the branch point and the other end connected to the fourth probe pin;
The power module energization test apparatus according to claim 1, further comprising: a seventh switch having one end connected to the branch point and the other end connected to the fifth probe pin.
前記コンタクトプローブは、
前記パワーモジュールの前記P端子に接続される第1のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記N端子に接続される第2のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記U端子に接続される第3のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記V端子に接続される第4のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記W端子に接続される第5のプローブピンとを有し、
前記リレー回路は、
一端が前記電源の低圧端子に接続され、他端が前記第1のプローブピンに接続された第1のスイッチと、
一端が前記電源の高圧端子に接続され、他端が前記第2のプローブピンに接続された第2のスイッチと、
一端が前記電源の前記低圧端子に接続され、他端が前記第3のプローブピンに接続された第3のスイッチと、
一端が前記電源の前記低圧端子に接続され、他端が前記第4のプローブピンに接続された第4のスイッチと、
一端が前記電源の前記低圧端子に接続され、他端が前記第5のプローブピンに接続された第5のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記第3のプローブピンに接続された第6のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記第4のプローブピンに接続された第7のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記第5のプローブピンに接続された第8のスイッチとを有することを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの通電試験装置。 The power module is a 6 in 1 power module having a P terminal, an N terminal, a U terminal, a V terminal, and a W terminal as the plurality of electrode terminals,
The contact probe is
A first probe pin connected to the P terminal of the power module;
A second probe pin connected to the N terminal of the power module;
A third probe pin connected to the U terminal of the power module;
A fourth probe pin connected to the V terminal of the power module;
A fifth probe pin connected to the W terminal of the power module;
The relay circuit is
A first switch having one end connected to the low voltage terminal of the power supply and the other end connected to the first probe pin;
A second switch having one end connected to the high voltage terminal of the power source and the other end connected to the second probe pin;
A third switch having one end connected to the low voltage terminal of the power source and the other end connected to the third probe pin;
A fourth switch having one end connected to the low voltage terminal of the power source and the other end connected to the fourth probe pin;
A fifth switch having one end connected to the low voltage terminal of the power source and the other end connected to the fifth probe pin;
A sixth switch having one end connected to the high-voltage terminal of the power source and the other end connected to the third probe pin;
A seventh switch having one end connected to the high-voltage terminal of the power source and the other end connected to the fourth probe pin;
2. The power module energization test apparatus according to claim 1, further comprising: an eighth switch having one end connected to the high-voltage terminal of the power source and the other end connected to the fifth probe pin.
前記コンタクトプローブは、前記パワーモジュールの前記A端子に接続される第6のプローブピンとを有し、
前記リレー回路は、一端が前記分岐点に接続され、他端が前記第6のプローブピンに接続された第8のスイッチとを有することを特徴とする請求項2に記載のパワーモジュールの通電試験装置。 The power module includes an A terminal which is one of the plurality of electrode terminals, and a diode connected between the P terminal or the N terminal and the A terminal,
The contact probe has a sixth probe pin connected to the A terminal of the power module;
The power module energization test according to claim 2, wherein the relay circuit includes an eighth switch having one end connected to the branch point and the other end connected to the sixth probe pin. apparatus.
前記U相のN端子、前記V相のN端子及び前記W相のN端子は互いに分離され、
前記コンタクトプローブは、
前記パワーモジュールの前記P端子に接続される第1のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記U相のN端子に接続される第2のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記V相のN端子に接続される第3のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記W相のN端子に接続される第4のプローブピンとを有し、
前記第1のプローブピンは前記電源の低圧端子に接続され、
前記リレー回路は、
一端が前記電源の高圧端子に接続され、他端が前記第2のプローブピンに接続された第1のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記第3のプローブピンに接続された第2のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記第4のプローブピンに接続された第3のスイッチとを有することを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの通電試験装置。 The power module is a 6-in-1 power module having a P terminal, a U-phase N terminal, a V-phase N terminal, and a W-phase N terminal as the plurality of electrode terminals,
The U-phase N terminal, the V-phase N terminal, and the W-phase N terminal are separated from each other,
The contact probe is
A first probe pin connected to the P terminal of the power module;
A second probe pin connected to the U-phase N terminal of the power module;
A third probe pin connected to the V-phase N terminal of the power module;
A fourth probe pin connected to the W-phase N terminal of the power module;
The first probe pin is connected to a low voltage terminal of the power source;
The relay circuit is
A first switch having one end connected to the high voltage terminal of the power supply and the other end connected to the second probe pin;
A second switch having one end connected to the high voltage terminal of the power source and the other end connected to the third probe pin;
2. The power module energization test apparatus according to claim 1, further comprising: a third switch having one end connected to the high-voltage terminal of the power source and the other end connected to the fourth probe pin.
前記コンタクトプローブは、
前記パワーモジュールの前記P端子に接続される第1のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記N端子に接続される第2のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記O端子に接続される第3のプローブピンと、
前記パワーモジュールの前記U端子に接続される第4のプローブピンとを有し、
前記リレー回路は、
一端が前記電源の低圧端子に接続され、他端が前記第1のプローブピンに接続された第1のスイッチと、
一端が前記電源の高圧端子に接続され、他端が前記第2のプローブピンに接続された第2のスイッチと、
一端が前記電源の前記低圧端子に接続され、他端が前記第3のプローブピンに接続された第3のスイッチと、
一端が前記電源の前記低圧端子に接続され、他端が前記第4のプローブピンに接続された第4のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記第3のプローブピンに接続された第5のスイッチと、
一端が前記電源の前記高圧端子に接続され、他端が前記第4のプローブピンに接続された第6のスイッチとを有することを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの通電試験装置。 The power module is a power module for a three-level inverter having a P terminal, an N terminal, an O terminal, and a U terminal,
The contact probe is
A first probe pin connected to the P terminal of the power module;
A second probe pin connected to the N terminal of the power module;
A third probe pin connected to the O terminal of the power module;
A fourth probe pin connected to the U terminal of the power module;
The relay circuit is
A first switch having one end connected to the low voltage terminal of the power supply and the other end connected to the first probe pin;
A second switch having one end connected to the high voltage terminal of the power source and the other end connected to the second probe pin;
A third switch having one end connected to the low voltage terminal of the power source and the other end connected to the third probe pin;
A fourth switch having one end connected to the low voltage terminal of the power source and the other end connected to the fourth probe pin;
A fifth switch having one end connected to the high-voltage terminal of the power source and the other end connected to the third probe pin;
2. The power module energization test apparatus according to claim 1, further comprising: a sixth switch having one end connected to the high-voltage terminal of the power source and the other end connected to the fourth probe pin.
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