JP2017125847A - 温度センサ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態にかかる温度センサについて説明する。まず、図1を参照して、本実施形態のボロメータ方式の温度センサの構造について説明する。
まず、Al2O3層1を構成するAl2O3(001)基板を用意する。Al2O3(001)基板は、結晶構造としてコランダム構造を有している。このAl2O3(001)基板の表面にルチル構造を有するVO2膜2を形成する。例えば、VO2膜2をパルスレーザ堆積法によって成膜することができる。
表面側にVO2膜2を成膜したAl2O3層1を必要に応じてスマートカット法などによって所定厚さに加工したのち、シリコン基板などによって構成される支持基板7に貼り合わせる。そして、図示しないマスクを用いてAl2O3層1およびVO2膜2をパターニングし、所望位置にのみ残す。
パターニング後のAl2O3層1およびVO2膜2を覆うように、支持基板7の上面にシリコン酸化膜などの絶縁膜で構成されるパッシベーション膜3を成膜する。
図示しないマスクを用いて、パッシベーション膜3の所望位置、具体的にはVO2膜2の両端と対応する位置をエッチングし、VO2膜2の両端位置を露出させる。そして、アルミニウムなどの配線材料を成膜したのち、これをパターニングすることで配線層4を形成する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して温度センサの製造方法を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 VO2膜
3 パッシベーション膜
4 配線層
5 保護膜
6 赤外線吸収膜
7 支持基板
8 保護マスク
Claims (24)
- 照射される赤外線を吸収して温度変化を生じる赤外線吸収膜(6)と、前記赤外線吸収膜の温度変化に伴って抵抗値が変化する抵抗体膜(2)と、前記抵抗体膜に電気的に接続される配線層(4)と、を備え、前記抵抗体膜の抵抗値の変化を前記配線層より赤外線の照射強度を表す信号として取り出す温度センサであって、
前記抵抗体膜は、第1元素と、第2元素とが添加された酸化バナジウム(IV)により構成されており、
前記第1元素の価数Mは4より大きく、
前記第2元素の価数Nは4より小さく、
前記抵抗体膜を構成する酸化バナジウム(IV)への前記第1元素の添加量m(atom%)は、前記第2元素の添加量n(atom%)よりも大きい温度センサ。 - 前記第1元素の添加量mと、前記第2元素の添加量nとが、n≧m−7を満たす請求項1に記載の温度センサ。
- (M−4)+(N−4)=0であり、
酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の最大値TCRMax(%/K)と前記抵抗体膜の抵抗温度係数との差をΔTCR(%/K)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素および前記第2元素を互いに等しい添加量で添加したときの、前記第1元素および前記第2元素の添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR0(%/K/atom%)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素を添加したときの、前記第1元素の単位添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR1(%/K/atom%)としたとき、
ΔTCR=nΔTCR0+(m−n)ΔTCR1となることに基づいて、前記最大値TCRMaxから前記差ΔTCRを減算して得られる前記抵抗体膜の抵抗温度係数が2%/Kよりも大きくなるように前記第1元素の添加量mおよび前記第2元素の添加量nが設定された請求項1または2に記載の温度センサ。 - |M−4|>|N−4|であり、
酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の最大値TCRMax(%/K)と前記抵抗体膜の抵抗温度係数との差をΔTCR(%/K)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素および前記第2元素を互いに等しい添加量で添加したときの、前記第1元素および前記第2元素の添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR0(%/K/atom%)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素を添加したときの、前記第1元素の単位添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR1(%/K/atom%)とし、
|(M−4)−(N−4)|=aとしたとき、
ΔTCR=nΔTCR0+(a+1)(m−n)ΔTCR1となることに基づいて、前記最大値TCRMaxから前記差ΔTCRを減算して得られる前記抵抗体膜の抵抗温度係数が2%/Kよりも大きくなるように前記第1元素の添加量mおよび前記第2元素の添加量nが設定された請求項1または2に記載の温度センサ。 - |M−4|<|N−4|であり、
酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の最大値TCRMax(%/K)と前記抵抗体膜の抵抗温度係数との差をΔTCR(%/K)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素および前記第2元素を互いに等しい添加量で添加したときの、前記第1元素および前記第2元素の添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR0(%/K/atom%)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素を添加したときの、前記第1元素の単位添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR1(%/K/atom%)、
酸化バナジウム(IV)に前記第2元素を添加したときの、前記第2元素の単位添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR2(%/K/atom%)とし、
|(M−4)−(N−4)|=aとしたとき、
m<(a+1)nではΔTCR=mΔTCR0+{(a+1)n−m}ΔTCR2となり、(a+1)n<mではΔTCR={(a+1)n−m}ΔTCR0+{m−(a+1)n}ΔTCR1となることに基づいて、前記最大値TCRMaxから前記差ΔTCRを減算して得られる前記抵抗体膜の抵抗温度係数が2%/Kよりも大きくなるように前記第1元素の添加量mおよび前記第2元素の添加量nが設定された請求項1または2に記載の温度センサ。 - 前記抵抗体膜の抵抗温度係数が10%/Kよりも大きくなるように前記第1元素の添加量mおよび前記第2元素の添加量nが設定された請求項3ないし5のいずれか1つに記載の温度センサ。
- 前記第2元素は、酸化バナジウム(IV)と共にルチル構造の固溶体を形成する元素である請求項1ないし6のいずれか1つに記載の温度センサ。
- 前記第2元素は、クロム、アルミニウム、ガリウム、鉄のいずれかである請求項7に記載の温度センサ。
- 前記第2元素の価数は3である請求項8に記載の温度センサ。
- 照射される赤外線を吸収して温度変化を生じる赤外線吸収膜(6)と、前記赤外線吸収膜の温度変化に伴って抵抗値が変化する抵抗体膜(2)と、前記抵抗体膜に電気的に接続される配線層(4)と、を備え、前記抵抗体膜の抵抗値の変化を前記配線層より赤外線の照射強度を表す信号として取り出す温度センサであって、
前記抵抗体膜は、第1元素と、第2元素とが添加された酸化バナジウム(IV)により構成されており、
前記第1元素の価数Mは4より大きく、
前記第2元素の価数Nは4であり、
前記抵抗体膜を構成する酸化バナジウム(IV)への前記第1元素の添加量m(atom%)は、前記第2元素の添加量n(atom%)よりも大きい温度センサ。 - 前記第1元素の添加量mと、前記第2元素の添加量nとが、n≧m−7を満たす請求項10に記載の温度センサ。
- |M−4|>|N−4|であり、
酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の最大値TCRMax(%/K)と前記抵抗体膜の抵抗温度係数との差をΔTCR(%/K)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素および前記第2元素を互いに等しい添加量で添加したときの、前記第1元素および前記第2元素の添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR0(%/K/atom%)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素を添加したときの、前記第1元素の単位添加量あたりの該酸化バナジウム(IV)の抵抗温度係数の変化量をΔTCR1(%/K/atom%)とし、
|(M−4)−(N−4)|=aとしたとき、
ΔTCR=nΔTCR0+(a+1)(m−n)ΔTCR1となることに基づいて、前記最大値TCRMaxから前記差ΔTCRを減算して得られる前記抵抗体膜の抵抗温度係数が2%/Kよりも大きくなるように前記第1元素の添加量mおよび前記第2元素の添加量nが設定された請求項10または11に記載の温度センサ。 - 前記抵抗体膜の抵抗温度係数が10%/Kよりも大きくなるように前記第1元素の添加量mおよび前記第2元素の添加量nが設定された請求項12に記載の温度センサ。
- 前記第2元素は、酸化バナジウム(IV)と共にルチル構造の固溶体を形成する元素である請求項10ないし13のいずれか1つに記載の温度センサ。
- 前記第2元素は、チタンである請求項14に記載の温度センサ。
- 前記抵抗体膜の温度に対する抵抗値変化のヒステリシス幅をΔT(K)、
酸化バナジウム(IV)の温度に対する抵抗値変化のヒステリシス幅をΔT0(K)としたとき、ΔT<ΔT0である請求項1ないし15のいずれか1つに記載の温度センサ。 - 前記抵抗体膜の温度に対する抵抗値変化のヒステリシス幅をΔT(K)、
酸化バナジウム(IV)の温度に対する抵抗値変化のヒステリシス幅をΔT0(K)、
酸化バナジウム(IV)に前記第1元素を添加したときの、前記第1元素の単位添加量あたりの温度に対する抵抗値変化のヒステリシス幅の低下量をK1(K/atom%)、
酸化バナジウム(IV)に前記第2元素を添加したときの、前記第2元素の単位添加量あたりの温度に対する抵抗値変化のヒステリシス幅の低下量をK2(K/atom%)としたとき、
ΔT0−ΔT=mK1+nK2であることに基づいて、前記ヒステリシス幅ΔTが1.0K未満となるように前記第1元素の添加量mおよび前記第2元素の添加量nが設定された請求項1ないし15のいずれか1つに記載の温度センサ。 - 前記第1元素は、酸化バナジウム(IV)と共にルチル構造の固溶体を形成する元素である請求項1ないし17のいずれか1つに記載の温度センサ。
- 前記第1元素は、ニオブ、タングステン、モリブデン、タンタルのいずれかである請求項18に記載の温度センサ。
- 前記第1元素は、5価のニオブ、6価のタングステン、5価のモリブデン、5価のタンタルのいずれかである請求項19に記載の温度センサ。
- 前記第1元素が5価のニオブであり、
前記第2元素が3価のクロムである請求項1または2に記載の温度センサ。 - 前記第1元素の添加量mと、前記第2元素の添加量nとが、n≧7(m−11)/2、n≦−5m/7+28を満たす請求項21に記載の温度センサ。
- 前記第1元素の添加量mと、前記第2元素の添加量nとが、n≧7(m−5)/2を満たす請求項22に記載の温度センサ。
- 前記第1元素の添加量mと、前記第2元素の添加量nとが、n≧−5(m−8)/3を満たす請求項21ないし23のいずれか1つに記載の温度センサ。
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