JP2017121673A - 加工装置及び加工方法、デバイス製造方法、並びに、コンピュータプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】物体を適切に変形させると共に当該物体を所望位置に適切に配置する。【解決手段】加工装置（１）は、入射してくる光（ＥＬ２）を所望の変調パターンで変調して射出する空間光変調器（１４）と、空間光変調器を制御する制御器（１９）とを備え、制御器は、（ｉ）第１変調パターンで光を変調し、（ｉｉ）変調された光（ＥＬ３）を第１物体（ＣＮＴ）に集光して第１物体に光トラップ力を発生させ、光トラップ力を用いて第１物体を捕捉するように、空間光変調器を制御し、（ｉ）第１変調パターンを変化させ、（ｉｉ）第１物体を捕捉したまま、光トラップ力を用いて第１物体を変形させ且つ前記第１物体を所望位置に配置するように、空間光変調器を制御する。【選択図】図４

Description

開示された技術は、光トラップ力を用いて物体を変形させる加工装置及び加工方法、並びに、この加工装置又は加工方法を用いたデバイス製造方法の技術分野に関する。

光を変調することにより形成される光トラップ力を用いて物体を操作する方法（いわゆる、光ピンセット、光トラップ、又は、光ツイーザ）が提案されている（特許文献１参照）。特に、特許文献１には、回折光学素子（ＤＯＥ）を用いて光を変調することで、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）を操作する方法が記載されている。

米国特許公開第２００５／１２２５５０号

第１の態様は、入射する光を所望の変調パターンで変調して射出する空間光変調器と、前記空間光変調器を制御する制御器とを備え、前記制御器は、第１変調パターンで前記光を変調し、前記第１変調パターンで変調された前記光を第１物体に集光して前記第１物体に光トラップ力を発生させ、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御すると共に、前記第１変調パターンを変化させ、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉したまま変形させ且つ前記第１物体を移動させるように、前記空間光変調器を制御する加工装置である。

第２の態様は、入射する光を所望の変調パターンで変調して射出する空間光変調器を用いる加工方法であって、第１変調パターンで前記光を変調することと、前記第１変調パターンで変調された前記光を第１物体に集光して前記第１物体に光トラップ力を発生させ、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御することと、前記第１変調パターンを変化させることと、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉したまま変形させ且つ前記第１物体を移動させるように、前記空間光変調器を制御することとを含む加工方法である。

第３の態様は、上述した第１の態様の加工装置又は上述した第２の態様の加工方法を用いて、前記所望位置に配置された前記第１物体を備えるデバイスを製造するデバイス製造装置である。

第４の態様は、入射する光を所望の変調パターンで変調して射出する空間光変調器を制御するコンピュータによって実行されるコンピュータプログラムであって、第１変調パターンで前記光を変調することと、前記第１変調パターンで変調された前記光を第１物体に集光して前記第１物体に光トラップ力を発生させ、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御することと、前記第１変調パターンを変化させることと、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉したまま変形させ且つ前記第１物体を移動させるように、前記空間光変調器を制御することとを前記コンピュータに実行させるコンピュータプログラムである。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、本実施形態のデバイス製造装置の構造の一例を示す側面図である。 図２（ａ）は、空間光変調器の光変調面の構造の一例を示す平面図であり、図２（ｂ）は、空間光変調器の光変調面の一部の構造を示す斜視図であり、図２（ｃ）は、空間光変調器の１つのミラー要素の構成を示す斜視図であり、図２（ｄ）は、空間光変調器が備えるミラー要素がとり得る２つの状態を示す側面図である 図３（ａ）は、電子デバイスの一例を示す断面図（図３（ａ）の電子デバイスのＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図）である。図３（ｂ）は、電子デバイスが備える配線Ｗの一例を示す平面図である。 図４は、電子デバイスの製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図５は、図４に示す電子デバイスの製造方法を構成する一工程が行われている時点での電子デバイスの中間品の状態を示す平面図である。 図６（ａ）から図６（ｃ）は、夫々、カーボンナノチューブへの光の照射態様の一例を示す平面図である。 図７（ａ）から図７（ｄ）は、夫々、カーボンナノチューブを変形させる工程が行われている時点でのカーボンナノチューブの状態を示す平面図である。 図８（ａ）から図８（ｃ）は、夫々、カーボンナノチューブを移動させる工程が行われている時点でのカーボンナノチューブの状態を示す平面図である。 図９（ａ）から図９（ｃ）は、夫々、カーボンナノチューブを移動させた後に変形させる場合のカーボンナノチューブの状態を示す平面図である。 図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、夫々、カーボンナノチューブを変形又は移動させる際に光トラップ力を用いて捕捉された第３物体の状態を示す平面図である。 図１１（ａ）から図１１（ｂ）は、夫々、固着処理が行われている時点でのカーボンナノチューブの状態を示す平面図である。 図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、夫々、切断処理が行われている時点でのカーボンナノチューブの状態を示す平面図である。

以下、図面を参照しながら、加工装置及び加工方法、デバイス製造方法、並びに、コンピュータプログラムの実施形態について説明する。以下では、電子デバイスを製造するデバイス製造装置１を用いて、加工装置及び加工方法、デバイス製造方法、並びに、コンピュータプログラムの実施形態を説明する。但し、本発明が以下に説明する実施形態に限定されることはない。

以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、デバイス製造装置１を構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。

（１）デバイス製造装置１の構造
初めに、図１を参照しながら、本実施形態のデバイス製造装置１の構造について説明する。図１は、本実施形態のデバイス製造装置１の構造の一例を示す側面図である。

本実施形態のデバイス製造装置１は、所望の第１物体を、所望の第２物体上の所望位置に配置する。例えば、デバイス製造装置１は、ナノメートルサイズ又はマイクロメートルサイズの第１物体を、ナノメートルサイズ、マイクロメートルサイズ、ミリメートルサイズの又はセンチメートルサイズの第２物体上の所望位置に配置する。但し、デバイス製造装置１は、任意のサイズの第１物体を、任意のサイズの第２物体上の所望位置に配置してもよい。

デバイス製造装置１は、更に、第１物体を変形させる。つまり、デバイス製造装置１は、第１物体の形状を変える。従って、デバイス製造装置１は、加工装置の一例として機能する。例えば、デバイス製造装置１は、ナノメートルサイズ又はマイクロメートルサイズの第１物体の形状を、所望形状に変える。但し、デバイス製造装置１は、任意のサイズの第１物体の形状を、任意の形状に変えてもよい。

デバイス製造装置１は、第１物体を第２物体上の所望位置に配置し且つ第１物体を変形させるために、光トラップ力を利用する。つまり、デバイス製造装置１は、光ピンセット装置、光ツイーザ装置又は光トラップ装置としても機能する。具体的には、デバイス製造装置１は、第１物体に対して光を照射する。その結果、第１物体には、照射された光の放射圧が発生する。デバイス製造装置１は、この放射圧に起因して第１物体に発生する（或いは、作用する）光トラップ力を用いて、第１物体を捕捉する。更に、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、捕捉した第１物体を変形させると共に、捕捉した第１物体を移動させる。なお、放射圧、輻射圧、光圧力や光勾配力（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｇｒａｄｉｅｎｔ Ｆｏｒｃｅ）を光トラップ力と称してもよい。

第１物体を変形させ且つ第２物体上の所望位置に配置するために、デバイス製造装置１は、図１に示すように、光源１１と、照明光学系１２と、ミラー１３ａと、ミラー１３ｂと、ミラー１３ｃと、空間光変調器（ＳＬＭ：Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）１４と、ハーフミラー１５と、投影光学系１６と、ステージ１７と、検出器１８と、コントローラ１９とを備えている。

光源１１は、コントローラ１９の制御下で、光ＥＬ１を射出する。光ＥＬ１は、捕捉対象たる第１物体に光トラップ力を発生させることが可能な光である。このような光ＥＬ１として、例えば、赤外光（例えば、波長が１０６４ｎｍとなるＹＡＧレーザ光）が用いられる。但し、光ＥＬ１として、その他の種類の光が用いられてもよい。

照明光学系１２は、例えば米国特許第８，７９２，０８１号公報などに開示されるように、フライアイレンズやロッド型インテグレータ等のオプティカルインテグレータを有する照度均一化光学系、及び照野絞り（いずれも不図示）を有していてもよい。照明光学系１２は、光源１１からの光ＥＬ１の光量を均一化して光ＥＬ２として射出する。この光ＥＬ２によって空間光変調器１４の光変調面１４ａが照明される。なお、空間光変調器の光変調面１４ａ上には、照明光学系１２の照野絞り（マスキングシステム）で規定された矩形状の照明領域が形成される。

尚、照明光学系１２は、光変調面１４ａ上での光ＥＬ２の強度分布を変更するビーム強度分布変更部等を含んでいてもよい。

ミラー１３ａは、照明光学系１２から出力される光ＥＬ２を偏向して、空間光変調器１４の光変調面１４ａに導く。

空間光変調器１４は、後述するように、２次元的に配列された複数のミラー要素１４１を備える。ここで、複数のミラー要素１４１が配列されている面を光変調面１４ａと称する。光変調面１４ａには、照明光学系１２からミラー１３ａを介して伝搬してくる光ＥＬ２が照射される。光変調面１４ａは、ＸＹ平面に平行な平面であって、光ＥＬ２の進行方向に交わる面である。光変調面１４ａは、矩形の形状を有している。光ＥＬ２は、光変調面１４ａをほぼ均一な照度分布で照明する。

空間光変調器１４は、当該空間光変調器１４の光変調面１４ａに照射された光ＥＬ２を、投影光学系１５に向けて反射する。空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、光ＥＬ２を反射する際に、当該光ＥＬ２を空間変調する。ここで、「光を空間変調する」とは、当該光の進行方向を横切る断面における当該光の振幅（言い換えれば、強度）、光の位相、光の偏光状態、光の波長及び光の進行方向（言い換えれば、偏向状態）のうちの少なくとも１つである光特性の分布を変化させることを意味する。本実施形態では、空間光変調器１４は、反射型の空間光変調器である。

ここで、図２（ａ）から図２（ｄ）を参照しながら、空間光変調器１４の構造の一例について更に説明を加える。図２（ａ）は、空間光変調器１４の光変調面１４ａの構造の一例を示す平面図である。図２（ｂ）は、空間光変調器１４の光変調面１４ａの一部の構造を示す斜視図である。図２（ｃ）は、空間光変調器１４の１つのミラー要素１４１の構成を示す斜視図である。図２（ｄ）は、空間光変調器１４が備えるミラー要素１４１がとり得る２つの状態を示す側面図である。

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１を備えている。尚、図２（ｂ）は、図面の見易さを考慮して、図２（ａ）に示す複数のミラー要素１４１の一部を抜粋した図面である。複数のミラー要素１４１は、光変調面１４ａに平行な面であるＸＹ平面上において、二次元のアレイ状に（言い換えれば、マトリクス状に）配列されている。例えば、複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数は、数百から数千である。例えば、複数のミラー要素１４１のＸ軸方向に沿った配列数は、複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数の数倍から数十倍である。複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数の一例は、数百から数千である。複数のミラー要素１４１は、Ｘ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｘの間隔を隔て且つＹ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｙの間隔を隔てるように、配列されている。配置間隔ｐｘの一例は、例えば、１０マイクロメートルから１マイクロメートルである。配置間隔ｐｙの一例は、例えば、１０マイクロメートルから１マイクロメートルである。

各ミラー要素１４１は、正方形の形状を有している。各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向のサイズは、各ミラー要素１４１の位置及び／又は姿勢が変更されるため、それぞれ、上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙよりも小さくなる。つまり、Ｘ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間及びＹ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間には、ミラー要素１４１を構成しない隙間１４２が存在する。逆に言えば、各ミラー要素１４１の位置及び／又は姿勢の変更を考慮すると、各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向のサイズがそれぞれ上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙと同一となる（つまり、隙間１４２が存在しない）ように各ミラー要素１４１を製造することは、技術的に困難であると推定される。但し、各ミラー要素１４１の形状及びサイズは任意であってもよい（例えば各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向のサイズが上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙと実質的に同一であってもよい）。

各ミラー要素１４１のうち光ＥＬ２が照射される面は、光ＥＬ２を反射する反射面１４１ａとなっている。各ミラー要素１４１のＸＹ平面に平行な２つの表面のうち−Ｚ方向側に位置する表面は、反射面１４１ａとなっている。反射面１４１ａには、例えば金属膜が形成されている。複数のミラー要素の１４１の反射面１４１ａの集合が、実質的には、光ＥＬ２が照射される光変調面１４ａとなる。

図２（ｃ）に示すように、空間光変調器１４の各ミラー要素１４１は、第１接続部材１４３によってヒンジ部１４４と接続されている。ヒンジ部１４４は、弾性変形を利用してＺ軸方向に撓むことが可能な可撓性を有している。このヒンジ部１４４は、支持基板１４９上に設けられた一対のポスト部１４５によって支持されている。また、ヒンジ部１４４には、後述する電極１４８によって静電力（引力又は斥力）の作用を受けるアンカー部１４６とヒンジ部１４４とを接続する第２接続部材１４７が設けられている。このように、アンカー部１４６とミラー要素１４１とは、第１接続部材１４３及び第２接続部材１４７並びにヒンジ部１４４を介して機械的に接続されている。そして、支持基板１４９の表面には電極１４８が形成されている。なお、ポスト部１４５は一対には限定されず、２以上の数であってもよい。

電極１４８に所定の電圧が印加されると、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力が作用する。上述の通り、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力を作用させると、アンカー部１４６が支持基板１４９側に移動し、この移動に伴ってミラー要素１４１も支持基板１４９側に移動する。

各ミラー要素１４１の状態は、アンカー部１４６と電極１４８との間に作用する静電力及びヒンジ部１４４の弾性力に起因して、反射面１４１ａに直交する方向（つまり、Ｚ軸方向）に沿った位置が異なる２つの状態の間で切り替わる。例えば、図２（ｄ）の左側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用していない場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいない場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１に一致する第１状態となる。例えば、図２（ｄ）の右側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用している場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいる場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１から＋Ｚ方向側に向かって距離ｄ１だけシフトした変位平面Ａ２に一致する第２状態となる。

第２状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａは、第１状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａから＋Ｚ方向側に向かって距離ｄ１だけシフトした位置にある。このため、第２状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相は、第１状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相と比較して、距離ｄ１の倍の長さに相当する位相量だけ異なる。本実施形態では、距離ｄ１は、光ＥＬ１の波長λの１／４と一致する。つまり、ｄ１は、ｄ１＝λ／４という数式にて表現される。この場合、第２状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相は、第１状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相と比較して、１８０度（πラジアン）だけ異なる。このため、複数のミラー要素１４１の状態に応じて、複数のミラー要素１４１が反射した光ＥＬ３の、当該光ＥＬ３の進行方向に直交する（或いは、交わる）面における位相分布が定まる。つまり、空間光変調器１４は、光ＥＬ３の位相分布を制御することができる。

空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、第１物体を捕捉するために発生させるべき光トラップ力に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。その結果、空間光変調器１４は、発生させるべき光トラップ力に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。尚、本実施形態における「変調パターン」は、光ＥＬ２を空間変調するためのパターン（つまり、複数のミラー要素１４１の状態の分布パターンと実質的に同一）である。この場合、第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３が第１物体に照射されることで、第１物体が捕捉される。

空間光変調器１４は、更に、コントローラ１９の制御下で、第１物体を変形させるために発生させるべき光トラップ力に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。その結果、空間光変調器１４は、発生させるべき光トラップ力に応じて第１変調パターンを変化させる（言い換えれば、調整する又は制御する）ことで、光ＥＬ２を空間変調する。この場合、変化した第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３が第１物体に照射されることで、第１物体が変形する。

空間光変調器１４は、更に、コントローラ１９の制御下で、第１物体を移動させるために発生させるべき光トラップ力に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。その結果、空間光変調器１４は、発生させるべき光トラップ力に応じて第１変調パターンを変化させる（言い換えれば、調整する又は制御する）ことで、光ＥＬ２を空間変調する。この場合、変化した第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３が第１物体に照射されることで、第１物体が移動する。

尚、このような空間光変調器１４の一例は、例えば、援用によって本願明細書に取り込まれる米国特許出願公開第２０１３／０２２２７８１号明細書に記載されている。

再び図１において、ミラー１３ｂ及び１３ｃは、空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３を偏向して、ハーフミラー１５に導く。ハーフミラー１５は、光ＥＬ３を反射し、投影光学系１６に導く。

投影光学系１６は、空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３を、ステージ１７に保持された第２物体に投影する。投影光学系１６は、光ＥＬ３を、第２物体の表面に設定される面状の露光領域ＥＬＡに投影する。投影光学系１６は、第１変調パターンに応じて定まる位相分布を有する光ＥＬ３を、位相分布に応じた強度分布を持つ空間像として第２物体に投影する。

ステージ１７は、第２物体を保持可能であり、保持した第２物体をリリース可能である。ステージ１７は、コントローラ１９の制御下で、第２物体を保持した状態で、露光領域ＥＬＡを含む平面（例えば、ＸＹ平面）に沿って移動可能である。ステージ１７は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向のうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。

光ＥＬ３が照射された第２物体（或いは、第１物体）からは、光ＥＬ３の照射に起因して発生する光ＥＬ４が出射する。光ＥＬ４は、例えば、第２物体（或いは、第１物体）によって光ＥＬ３が反射又は屈折されることで発生する光（いわゆる、反射光又は屈折光）を含んでいてもよい。光ＥＬ４は、例えば、第２物体（或いは、第１物体）によって光ＥＬ３が散乱されることで発生する光（いわゆる、散乱光であり、レイリー散乱光及びラマン散乱光のうちの少なくとも一方を含む）を含んでいてもよい。

光ＥＬ４は、ハーフミラー１５を透過する。ハーフミラー１５を透過した光ＥＬ４は、検出器１８によって検出される。コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、第２物体上における第１物体の状態を特定する。例えば、コントローラ１９は、第２物体上における第１物体が実際に配置されている位置を特定することができる。例えば、コントローラ１９は、光トラップ力によって第１物体が捕捉されているか否かを特定することができる。

コントローラ１９は、デバイス製造装置１の動作を制御する。コントローラ１９は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）や、メモリを含んでいてもよい。メモリに格納されたコンピュータプログラムをコントローラ１９が実行することで、コントローラ１９は、デバイス製造装置１の動作を制御することができる。

特に、上述したように、コントローラ１９は、空間光変調器１４による光ＥＬ２の空間変調動作を制御する。更に、コントローラ１９は、ステージ１７の移動を制御する。具体的には、コントローラ１９は、第２物体上の任意の領域に露光領域ＥＬＡが位置するように、ステージ１７を制御する。

デバイス製造装置１は、任意の電子デバイスを製造するために用いられる。以下では、説明の便宜上、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）ＣＮＴを配線Ｗとして用いる電子デバイスＤを製造するために用いられるものとする。この場合、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉する。更に、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを変形させる。更に、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、変形したカーボンナノチューブＣＮＴを、後述するデバイス層ＤＬ上に設定される配線形成領域２０１に移動させる。

この例では、カーボンナノチューブＣＮＴが、第１物体の一具体例である。また、デバイス層ＤＬが、第２物体の一具体例である。また、配線形成領域２０１が、所望位置の一具体例である。

ここで、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照しながら、電子デバイスＤの一例及び電子デバイスＷが備える配線Ｗの一例について説明する。図３（ａ）は、電子デバイスＤの一例を示す断面図（図３（ａ）の電子デバイスＤのＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図）である。図３（ｂ）は、電子デバイスＤが備える配線Ｗの一例を示す平面図である。

図３（ａ）に示すように、電子デバイスＤは、基板層ＳＬと、デバイス層ＤＬと、配線層ＷＬを備えている。基板層ＳＬ、デバイス層ＤＬ及び配線層ＷＬは、Ｚ軸方向に沿ってこの順に積層されている。基板層ＳＬは、電子デバイスＤの基礎となる層である。デバイス層ＤＬは、トランジスタ等のデバイス素子が形成されている層である。配線層ＷＬは、複数の配線Ｗが形成されている層である。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、複数の配線Ｗの少なくとも一部は、対応するデバイス素子の対応する端子に電気的に接続される電極柱（言い換えれば、Ｚ軸方向に延びる配線）Ｗ１である。複数の配線Ｗの少なくとも一部は、対応する少なくとも２つの電極柱Ｗ１を電気的に接続する配線（言い換えれば、ＸＹ平面に沿って延びる配線）Ｗ２である。

各配線Ｗは、単一のカーボンナノチューブＣＮＴから構成されていてもよい。或いは、各配線Ｗは、バンドルされた複数のカーボンナノチューブＣＮＴから構成されていてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、単層（シングルウォール）カーボンナノチューブを含んでいてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、多層（マルチウォール）カーボンナノチューブを含んでいてもよい。尚、カーボンナノチューブＣＮＴの直径は、例えば、１ナノメートルから数ナノメートル程度である。カーボンナノチューブＣＮＴの長さ（長手方向の長さ）は、例えば、数マイクロメートル程度である。

複数の配線Ｗのうちの少なくとも一つは、第１方向に沿って延びる第１配線部分と、第１方向とは異なる第２方向に沿って延びる第２配線部分とを少なくとも備えている。つまり、複数の配線Ｗのうちの少なくとも一つは、少なくとも一つの屈曲部を備えている。図３（ｂ）に示す例では、Ｘ軸方向に沿って延びる第１配線部分と、第１配線部分の端部を起点としてＹ軸方向に沿って延びる第２配線部分とを備えている配線Ｗ２が例示されている。更に、図３（ｂ）に示す例では、Ｘ軸方向に沿って延びる第１配線部分と、第１配線部分の端部を起点としてＹ軸方向に沿って延びる第２配線部分と、第２配線部分の端部を起点としてＸ軸方向に沿って伸びる第３配線部分とを備えている配線Ｗ２が例示されている。

デバイス製造装置１は、屈曲部を備えている配線Ｗを形成するために用いられる。この場合、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉する。更に、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを変形させる。更に、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、変形したカーボンナノチューブＣＮＴを、屈曲部を備えている配線Ｗに対応する配線形成領域２０１に移動させる。その結果、屈曲部を備えている配線Ｗが形成される。

尚、図１及び図２を用いて説明したデバイス製造装置１並びに図３を用いて説明した電子デバイスＤは一例である。従って、図１及び図２に示すデバイス製造装置１並びに図３に示す電子デバイスＤの少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、デバイス製造装置１及び電子デバイスＤの少なくとも一部の改変の例について説明する。

デバイス製造装置１は、ミラー１３ａを備えていなくてもよい。この場合、照明光学系１２は、空間光変調器１４に向けて光ＥＬ２を射出する。デバイス製造装置１は、ミラー１３ａに加えて又は代えて、照明光学系１２が射出した光ＥＬ２を空間光変調器１４に導く導光光学系を備えていてもよい。

デバイス製造装置１は、ミラー１３ｂ及び１３ｃを備えていなくてもよい。この場合、空間光変調器１４は、ハーフミラー１５又は投影光学系１６に向けて光ＥＬ３を射出する。デバイス製造装置１は、ミラー１３ｂ及び１３ｃに加えて又は代えて、空間光変調器１４が射出した光ＥＬ３をハーフミラー１５又は投影光学系１６に導く導光光学系を備えていてもよい。

空間光変調器１４は、光ＥＬ３の位相分布を制御することに加えて又は代えて、光ＥＬ３の強度分布（つまり、光ＥＬ３の進行方向に直交する（或いは、交わる）方向に沿った面上における強度分布）を制御してもよい。空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１に代えて、光ＥＬ２を空間変調することが可能な任意の装置（例えば、液晶パネル等）を備えていてもよい。空間光変調器１４は、透過型の空間光変調器であってもよい。

上述の例における空間光変調器１４は、それぞれの上下方向（つまり、光ＥＬ２の進行方向）に沿った位置が可変である複数のミラー要素１４１を備える位相型（ピストン型）の空間光変調器である。しかしながら、空間光変調器１４は、それぞれが傾斜可能な（例えば、Ｘ軸又はＹ軸に対して傾斜可能な）複数のミラー要素を備える傾斜型の空間光変調器であってもよい。また、空間光変調器１４は、傾斜型の空間光変調器が備える複数のミラー要素の反射面に段差を設けた位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器であってもよい。位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器は、光変調面１４ａに平行な反射面１４１ａが反射した光ＥＬ３と光変調面１４ａに対して傾斜している反射面１４１ａが反射した光ＥＬ３との間の位相差をλ／２（１８０度（πラジアン））に設定する空間光変調器である。また、援用によって本願明細書に取り込まれる国際公開第２０１４／１０４００１号パンプレットに開示されている、それぞれの上下方向の位置が可変である複数のミラー要素と、当該複数のミラー要素の間に位置する固定反射面とを備え、ミラーの上下方向の移動によって光ＥＬ２を空間変調する空間光変調器が用いられてもよい。

投影光学系１６は、縮小系であってもよい。例えば、投影光学系１６の投影倍率は、１／２００であってもよい。投影光学系１６は、等倍系又は拡大系であってもよい。投影光学系１６の解像度は、空間光変調器１４の各ミラー要素１４１の大きさ（各ミラー要素の一辺の寸法）に投影倍率を乗じた値よりも大きくなるように設定されていてもよい。この場合、単一のミラー要素１４１によって反射された光ＥＬ３は、露光領域ＥＬＡ上では解像されることはない。

投影光学系１６とステージ１７（或いは、ステージ１７上に搭載される任意の物体）との間に、光ＥＬ３の光路を含む液浸空間が形成されていてもよい。

デバイス製造装置１は、検出器１８を備えていなくてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、ハーフミラー１５を備えていなくてもよい。デバイス製造装置１がハーフミラー１５を備えていない場合には、空間光変調器１４は、投影光学系１６に向けて、光ＥＬ３を射出してもよい。或いは、空間光変調器１４は、空間光変調器１４が射出した光ＥＬ３を投影光学系１６に導く導光光学系光に向けて、光ＥＬ３を射出してもよい。

デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを配線Ｗとは異なる構造体として用いる電子デバイスＤを製造するために用いられてもよい。例えば、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴをキャリアとして用いる電子デバイスＤ（例えば、電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））を製造するために用いられてもよい。

デバイス製造装置１は、電子デバイスＤとは異なる任意のデバイスを製造するために用いられてもよい。例えば、デバイス製造装置１は、細胞、ＤＮＡ若しくは細菌等の生体構造物を利用した生体デバイス（或いは、ウイルス等の微小構造物を利用したデバイス）を製造するために用いられてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、生体構造物を捕捉すると共に、捕捉した生体構造物を変形させ且つ捕捉した生体構造物を第２物体上の所望領域に移動させる。

デバイス製造装置１は、電子デバイスＤないしは任意のデバイスを製造するために用いられなくてもよい。デバイス製造装置１は、電子デバイスないしは任意のデバイスを製造する目的とは異なる任意の目的で、所望の第１物体を変形させると共に、所望の第１物体を所望の第２物体上の所望位置に配置してもよい。

デバイス製造装置１は、屈曲部を備えていない配線Ｗを形成するために用いられてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉する。更に、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを、屈曲部を備えていない配線Ｗに対応する配線形成領域２０１に移動させる。その結果、屈曲部を備えていない配線Ｗが形成される。但し、光トラップ力を用いて捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴの形状が、屈曲部を備えていない配線Ｗの形状に合致していない場合が想定される。従って、屈曲部を備えていない配線Ｗを形成する場合であっても、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴの形状を所望の形状（例えば、屈曲部を備えていない配線Ｗの形状に合致する形状）に変化させてもよい。

（２）電子デバイスＤの製造方法
続いて、図４から図８（ｃ）を参照しながら、電子デバイスＤの製造方法について説明する。図４は、電子デバイスＤの製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。図５は、図４に示す電子デバイスＤの製造方法を構成する一工程が行われている時点での電子デバイスの中間品の状態を示す平面図である。図６（ａ）から図６（ｃ）は、夫々、カーボンナノチューブＣＮＴへの光ＥＬ３の照射態様の一例を示す平面図である。図７（ａ）から図７（ｄ）は、夫々、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させる工程が行われている時点でのカーボンナノチューブＣＮＴの状態を示す平面図である。図８（ａ）から図８（ｃ）は、夫々、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させる工程が行われている時点でのカーボンナノチューブＣＮＴの状態を示す平面図である。

図４に示すように、配線Ｗ（或いは、配線層ＷＬ）を形成する前に行われるべき前工程が行われる（図４のステップＳ１）。例えば、基板層ＳＬ上に、デバイス層ＤＬが形成される。

前工程は、デバイス製造装置１が行う工程を含んでいてもよい。つまり、前工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。例えば、デバイス層ＤＬは、例えば、基板層ＳＬに絶縁膜を形成する成膜法、並びに、デバイス層ＤＬにおけるデバイス素子の形成パターンに応じて絶縁膜をパターニングするフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いて形成されてもよい。この場合、フォトリソグラフィ工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。具体的には、絶縁膜をパターニングする際に、空間光変調器１４は、デバイス素子の形成パターンに応じた変調パターンで光ＥＬ２を空間変調してもよい。その結果、絶縁膜（より具体的には、絶縁膜上に塗布されたレジスト）は、デバイス素子の形成パターンに応じた変調パターンで空間変調された光ＥＬ３（つまり、デバイス素子の形成パターンに応じた露光パターンを有する光ＥＬ３）によって露光される。

但し、前工程は、デバイス製造装置１が行う工程を含んでいなくてもよい。つまり、前工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１とは異なる他の装置によって行われてもよい。

その後、配線Ｗを含む配線層ＷＬが形成される（図４のステップＳ２からステップＳ５）。以下では、説明の便宜上、屈曲部を備える配線Ｗ２を形成する方法について説明する。但し、配線Ｗ１及び屈曲部を備えていない配線Ｗ２もまた、ステップＳ２からステップＳ５に示す工程や、その他公知の方法を用いて形成されてもよい。

具体的には、まず、前工程によって形成されたデバイス層ＤＬ上に、カーボンナノチューブＣＮＴが分散している溶液であるＣＮＴ分散液が供給される（図４のステップＳ２）。ＣＮＴ分散液を構成する溶媒は、例えば、ゲル状の又はゾル状の溶媒である。ＣＮＴ分散液は、例えば、スピンコート法を用いて、デバイス層ＤＬ上に供給（言い換えれば、塗布）される。或いは、ＣＮＴ分散液は、例えば、スプレーコート法を用いて、デバイス層ＤＬ上に供給（言い換えれば、噴霧）される。その結果、図５に示すように、デバイス層ＤＬ上において、カーボンナノチューブＣＮＴは、ランダムに分布する。

その後、ＣＮＴ分散液が供給されたデバイス層ＤＬ（つまり、製造途中の電子デバイスＤ）が、デバイス製造装置１のステージ１７にローディングされる。その後、デバイス製造装置１は、デバイス層ＤＬ上に分布しているカーボンナノチューブＣＮＴを用いて、配線Ｗ２を形成する。

具体的には、デバイス製造装置１は、上述したように、光トラップ力を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させ且つ移動させる。このため、デバイス製造装置１は、まず、光トラップ力を用いてカーボンナノチューブＣＮＴを捕捉（つまり、トラップ）する（図４のステップＳ３）。具体的には、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴに発生させるべき光トラップ力に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。この場合、空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、複数のミラー要素１４１の状態に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。つまり、空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、カーボンナノチューブＣＮＴに発生させるべき光トラップ力に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。その結果、第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３が、カーボンナノチューブＣＮＴに照射される。

例えば、図６（ａ）に示すように、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの第１部分Ｔ＃１に光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃１が形成され且つカーボンナノチューブＣＮＴの第２部分Ｔ＃２に光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃２が形成されるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。

第１部分Ｔ＃１に集光される光ＥＬ３（この場合、集光光束）の一部は、カーボンナノチューブＣＮＴの表面で反射される。第１部分Ｔ＃１に集光される光ＥＬ３の一部は、カーボンナノチューブＣＮＴの内部で屈折する。つまり、第１部分Ｔ＃１に集光される光ＥＬ３の進行方向が変化する。その結果、第１部分Ｔ＃１に集光される光ＥＬ３の運動量が変化する。このため、カーボンナノチューブＣＮＴ（特に、第１部分Ｔ＃１）には、運動量の変化に応じた放射圧が発生する。この放射圧は、第１部分Ｔ＃１を集光スポットＳＰ＃１（特に、集光スポットＳＰ＃１の中心）に向かって引き寄せるような光トラップ力として作用する。第２部分Ｔ＃２においても同様に、第２部分Ｔ＃２を集光スポットＳＰ＃２（特に、集光スポットＳＰ＃２の中心）に向かって引き寄せるような光トラップ力として作用する放射圧が発生する。その結果、カーボンナノチューブＣＮＴが光トラップ力によって捕捉される。

或いは、図６（ｂ）に示すように、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの第１部分Ｔ＃１に光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃１が形成され、カーボンナノチューブＣＮＴの第２部分Ｔ＃２に光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃２が形成され、且つ、カーボンナノチューブＣＮＴの第３部分Ｔ＃３に光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃３が形成されるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。つまり、空間変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの３個の部分Ｔ＃１からＴ＃３に３個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３が夫々形成されるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。

或いは、図６（ｃ）に示すように、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴのｋ（但し、ｋは２以上の整数）個の部分Ｔ＃１からＴ＃ｋにｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋが夫々形成されるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。この場合、第１変調パターンは、ｋ個の部分Ｔ＃１からＴ＃ｋにｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋを形成する光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。言い換えれば、第１変調パターンは、デバイス層ＤＬの表面（ＸＹ平面）上での強度がｋ個の部分Ｔ＃１からＴ＃ｋの夫々においてピークとなる強度分布を有する光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。尚、図６（ｃ）は、ｋ＝７となる例を示している。

或いは、光ＥＬの集光スポットＳＰは、デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度のピークに対応している。このため、空間光変調器１４は、光ＥＬ３の集光スポットＳＰを実際に形成することに加えて又は代えて、デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布が、集光スポットＳＰが実質的に形成されていると同一視することができる程度の強度分布となるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。或いは、空間光変調器１４は、デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布が、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉するための光トラップ力を発生可能な強度分布となるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。つまり、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴに発生させるべき光トラップ力に応じてデバイス層ＤＬ上の光ＥＬ３の強度分布を制御するように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。

以下の説明では、説明の便宜上、１つのカーボンナノチューブＣＮＴに３個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３が形成される例（つまり、図６（ｂ）に示す例）を用いて説明を進める。

その後、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉したまま、光トラップ力を制御することで、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを変形させる（図４のステップＳ４）。例えば、デバイス製造装置１は、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴの形状が配線Ｗ２の少なくとも一部の形状と合致するように、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを変形させる。例えば、デバイス製造装置１は、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴの形状が、当該カーボンナノチューブＣＮＴに対応する配線Ｗ２が形成されるべき配線形成領域２０１の少なくとも一部の形状と合致するように、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを変形させる。

この場合、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様に応じて、第１変調パターンを経時的に変化させる（言い換えれば、制御又は調整する）。第１変調パターンが複数のミラー要素１４１の状態と一義的な関係にあることを考慮すれば、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を経時的に変化させているとも言える。例えば、上述した光ＥＬ３に起因して発生する放射圧は、カーボンナノチューブＣＮＴのうち集光スポットＳＰが形成されている所定部分を集光スポットＳＰに向かって引き寄せる光トラップ力として作用する。このため、上述した光ＥＬ３の集光スポットＳＰの位置（或いは、光ＥＬ３の強度分布）が変化すれば、カーボンナノチューブＣＮＴのうち集光スポットが形成されている部分もまた、集光スポットＳＰの位置（或いは、光ＥＬ３の強度分布）の変化に合わせて移動する。従って、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様に応じて集光スポットＳＰの位置（或いは、光ＥＬ３の強度分布）が変化するように、第１変調パターンを変化させる。その結果、経時的に変化する第１変調パターンに応じて発生する光トラップ力によって、カーボンナノチューブＣＮＴは、光トラップ力によって捕捉されたまま変形する。

コントローラ１９は、集光スポットＳＰの位置がＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向のうちの少なくとも一つに沿って（つまり、ＸＹ平面に沿って）変化するように、第１変調パターンを制御する。その結果、カーボンナノチューブＣＮＴは、光トラップ力によって捕捉されたまま、光トラップ力により、適宜変形する。

ここで、図７（ａ）から図７（ｄ）を参照しながら、光トラップ力を用いてカーボンナノチューブＣＮＴを変形させる動作についてより詳細に説明する。

図７（ａ）に示すように、第１部分Ｔ＃１から第３部分Ｔ＃３に夫々形成されている３個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３によって、カーボンナノチューブＣＮＴが捕捉されている。

その後、図７（ｂ）に示すように、コントローラ１９は、集光スポットＳＰ＃１が第１方向（図７（ｂ）に示す例では、−Ｘ軸方向）に向かって徐々に移動するように、第１変調パターンを変化させる。更に、コントローラ１９は、集光スポットＳＰ＃２が第２方向（図７（ｂ）に示す例では、−Ｘ軸方向）に向かって徐々に移動するように、第１変調パターンを変化させる。一方で、コントローラ１９は、集光スポットＳＰ＃３が移動しないように、第１変調パターンを変化させる。

この場合、図７（ｃ）に示すように、集光スポットＳＰ＃１の移動に伴って、第１部分Ｔ＃１もまた、−Ｘ軸方向に向かって移動する。同様に、集光スポットＳＰ＃２の移動に伴って、第２部分Ｔ＃２もまた、−Ｘ軸方向に向かって移動する。一方で、集光スポットＳＰ＃３が移動しないがゆえに、第３部分Ｔ＃３は移動しない。このため、光トラップ力は、第１部分Ｔ＃１及び第２部分Ｔ＃２を力点及び作用点とし且つ第３部分Ｔ＃３を支点とする力として、カーボンナノチューブＣＮＴに作用する。その結果、図７（ｃ）に示すように、カーボンナノチューブＣＮＴの形状が徐々に変化していく。

コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの形状が所望形状と合致することになるまで、集光スポットＳＰ＃１及びＳＰ＃２が夫々第１及び第２方向に向かって移動するように、第１変調パターンを変化させる。その結果、図７（ｄ）に示すように、カーボンナノチューブＣＮＴの形状は、配線Ｗ２（或いは、配線形成領域２０１）の形状と合致する。

尚、１ナノメートルの径を有し且つ１ミクロンの長さを有するカーボンナノチューブＣＮＴの一方の端部を固定した状態で、当該カーボンナノチューブＣＮＴの他方の端部をカーボンナノチューブＣＮＴの短手方向に沿って１ミリメートルだけ移動させるためにカーボンナノチューブＣＮＴの他方の端部に加えるべき力の最小値は、概ね１０^−１７Ｎ程度となる。一方で、カーボンナノチューブＣＮＴに発生する光トラップ力の大きさは、光ＥＬ１の強度に依存するものの、概ね１０^−１２Ｎ程度以上に設定可能である。このため、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを好適に変形させることができる。

尚、光ＥＬ１の光強度は、全ての集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３の光強度が同じとなるように設定されてもよい。或いは、光ＥＬ１の光強度は、集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３のうちの少なくとも２つの光強度が異なるように設定されてもよい。全ての集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３の光強度が同じになる場合には、第１部分Ｔ＃１から第３部分Ｔ＃３のうちの少なくとも一つでの光トラップ力の大きさが、カーボンナノチューブＣＮＴを変形するために必要となる光トラップ力の大きさの最大値を超えていてもよい。また、第１部分Ｔ＃１から第３部分Ｔ＃３において必要となる光トラップ力の大きさが異なる場合には、必要な光トラップ力の大きさに応じて集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３の光強度を変えてもよい。

その後、デバイス製造装置１は、変形したカーボンナノチューブＣＮＴを捕捉したまま、光トラップ力を制御することで、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを配線形成領域２０１に向けて移動させる（図４のステップＳ５）。例えば、デバイス製造装置１は、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴによって２つの配線（電極柱）Ｗ１が連結されるように、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを移動させる。例えば、デバイス製造装置１は、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを含むバンドルされた複数のカーボンナノチューブＣＮＴによって２つの配線（電極柱）Ｗ１が連結されるように、捕捉したカーボンナノチューブＣＮＴを移動させる。

この場合、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの移動態様に応じて、第１変調パターンを経時的に変化させる（言い換えれば、制御又は調整する）。コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの移動態様に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を経時的に変化させる。具体的には、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの移動態様に応じて集光スポットＳＰの位置（或いは、光ＥＬ３の強度分布）が変化するように、第１変調パターンを変化させる。その結果、経時的に変化する第１変調パターンに応じて発生する光トラップ力によって、カーボンナノチューブＣＮＴは、光トラップ力によって捕捉されたまま移動する。

コントローラ１９は、集光スポットＳＰの位置がＸＹ平面に沿って変化するように、第１変調パターンを制御する。その結果、カーボンナノチューブＣＮＴは、光トラップ力によって捕捉されたまま、光トラップ力により、デバイス層ＤＬ上においてＸＹ平面に沿って移動する。つまり、カーボンナノチューブＣＮＴは、デバイス層ＤＬの表面に沿って移動する。

ここで、図８（ａ）から図８（ｄ）を参照しながら、光トラップ力を用いてカーボンナノチューブＣＮＴを移動させる動作についてより詳細に説明する。

図８（ａ）に示すように、第１部分Ｔ＃１から第３部分Ｔ＃３に夫々形成されている３個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３によって、カーボンナノチューブＣＮＴが捕捉されたまま、カーボンナノチューブＣＮＴが変形しているものとする。

この場合、カーボンナノチューブＣＮＴの形状と配線形成領域２０１の形状とを比較すると、カーボンナノチューブＣＮＴが時計回りに回転するように移動することで、カーボンナノチューブＣＮＴが配線形成領域２０１に移動可能であると推定される。このため、コントローラ１９は、集光スポットＳＰ＃１が第３方向に向かって徐々に移動し、集光スポットＳＰ＃２が第４方向に向かって徐々に移動し、且つ、集光スポットＳＰ＃３が第５方向に向かって徐々に移動するように、第１変調パターンを変化させる。その結果、図８（ｂ）に示すように、集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３の移動に伴って、第１部分Ｔ＃１から第３Ｔ＃３もまた移動する。その結果、図８（ｂ）に示すように、カーボンナノチューブＣＮＴが徐々に移動していく。

コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴが配線形勢領域２０１に位置することになるまで、集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３が移動するように、第１変調パターンを変化させる。その結果、図８（ｃ）に示すように、カーボンナノチューブＣＮＴは、配線形成領域２０１に配置される。

尚、集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３のうちの少なくとも一つで発生させる光トラップ力は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉するときと、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させるときと、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させるときとで異なっていてもよい。この場合、集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３のうちの少なくとも一つの光強度を、それぞれの場合で必要となる光トラップ力の大きさに応じて異ならせてもよい。或いは、集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３のうちの少なくとも一つで発生させる光トラップ力は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉するときと、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させるときと、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させるときとで同じであってもよい。この場合、集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３のうちの少なくとも一つで発生させる光トラップ力は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉、変形又は移動させるために必要となる光トラップ力の大きさの最大値を超えていてもよい。

以上説明したカーボンナノチューブＣＮＴを捕捉し、変形し且つ移動させる動作が繰り返されることで、デバイス層ＤＬ上に配線Ｗが形成される。

その後、配線Ｗ（或いは、配線層ＷＬ）を形成した後に行われるべき後工程が行われる（図４のステップＳ６）。例えば、配線層ＷＬ上に、不図示の保護層（或いは、その他の層）が形成される。その結果、電子デバイスＤの製造が完了する。

後工程は、デバイス製造装置１が行う工程を含んでいてもよい。つまり、後工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。但し、後工程は、デバイス製造装置１が行う工程を含んでいなくてもよい。つまり、後工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１とは異なる他の装置によって行われてもよい。

以上説明したように、本実施形態のデバイス製造装置１は、電子デバイスＤを製造することができる。特に、本実施形態のデバイス製造装置１は、電子デバイスＤを構成する配線Ｗを、デバイス層ＤＬ上に形成することができる。

デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いてカーボンナノチューブＣＮＴを変形させることができる。このため、デバイス製造装置１は、屈曲部を有していない配線Ｗのみならず、屈曲部を有する配線Ｗを形成することができる。従って、デバイス製造装置１は、所望形状の配線Ｗを有する電子デバイスＤを好適に製造することができる。

デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いてカーボンナノチューブＣＮＴを移動させることができる。このため、デバイス製造装置１は、配線形成領域２０１に配線Ｗを形成することができる。従って、デバイス製造装置１は、適切な位置に形成された配線Ｗを有する電子デバイスＤを好適に製造することができる。

デバイス製造装置１は、同一の空間光変調器１４を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させる動作と、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させる動作とを行うことができる。このため、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させるための装置と、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させるための装置とが別個独立に用意されなくてもよい。このため、デバイス製造装置１を用いて電子デバイスＤを製造する場合には、装置コストの低減が可能である。

加えて、デバイス製造装置１は、光ＥＬ３を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させ、且つ、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させることができる。このため、デバイス製造装置１は、ナノメートルサイズのカーボンナノチューブＣＮＴを用いた電子デバイスＤを好適に製造することができる。

加えて、デバイス製造装置１は、デバイス層ＤＬ上に供給されたＣＮＴ分散液に含まれるカーボンナノチューブＣＮＴを変形させ且つ移動させる。このため、ＣＮＴ分散液を構成する溶媒によって、デバイス層ＤＬとカーボンナノチューブＣＮＴとの間の摩擦力及び分子間力が、カーボンナノチューブＣＮＴの変形及び移動の妨げとなることが抑制される。従って、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを好適に変形させ且つ移動させることができる。

尚、図４から図８を用いて説明した電子デバイスＤの製造方法は一例である。従って、図４から図８に示す電子デバイスＤの製造方法の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、電子デバイスＤの製造方法の少なくとも一部の改変の例について説明する。

ＣＮＴ分散液に代えて、界面活性剤によって表面が覆われたカーボンナノチューブＣＮＴが、デバイス層ＤＬ上に供給されてもよい。この場合であっても、界面活性剤によって、デバイス層ＤＬとカーボンナノチューブＣＮＴとの間の摩擦力及び分子間力が、カーボンナノチューブＣＮＴの変形及び移動の妨げとなることが抑制される。従って、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを好適に変形させ且つ移動させることができる。

デバイス層ＤＬとカーボンナノチューブＣＮＴとの間の摩擦力及び分子間力が、カーボンナノチューブＣＮＴの変形及び移動の妨げとなることを抑制するために、カーボンナノチューブＣＮＴを変形又は移動させる前に、デバイス層ＤＬとカーボンナノチューブＣＮＴとの間の摩擦力を低減可能な所定膜がデバイス層ＤＬ上に形成されてもよい。例えば、所定膜は、配線形成領域２０１に形成されてもよい。例えば、所定膜は、配線形成領域２０１の周辺又は近傍に形成されてもよい。このような所定膜として、例えば、ＣＮＴ分散液の界面と所定膜の界面とが融合又は混合しないという撥液性を有する撥水膜が一例としてあげられる。このような所定膜として、例えば、界面活性剤が添加された膜が一例としてあげられる。

１つのカーボンナノチューブＣＮＴに３個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３が形成される場合（図６（ｂ）参照）には、スポットＳＰ＃１が形成される第１部分Ｔ＃１は、カーボンナノチューブＣＮＴの一方の端部又は当該一方の端部の近傍に位置していてもよい。スポットＳＰ＃２が形成される第２部分Ｔ＃２は、カーボンナノチューブＣＮＴの他方の端部又は当該他方の端部の近傍に位置していてもよい。第３部分Ｔ＃３は、第１部分Ｔ＃１及び第２部分Ｔ＃２を両端とする線分の中点又は当該中点の近傍に位置していてもよい。この場合、力点となる第１部分Ｔ＃１及び作用点となる第２部分Ｔ＃２の間の中点に支点となる第３部分Ｔ＃３が位置する。このため、第１部分Ｔ＃１から第３部分Ｔ＃３において光トラップ力がバランスよく作用する。従って、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを好適に変形させることができる。

但し、スポットＳＰ＃１が形成される第１部分Ｔ＃１は、カーボンナノチューブＣＮＴの一方の端部又は当該一方の端部の近傍とは異なる任意の位置に位置していてもよい。スポットＳＰ＃２が形成される第２部分Ｔ＃２は、カーボンナノチューブＣＮＴの他方の端部又は当該他方の端部の近傍とは異なる任意の位置に位置していてもよい。第３部分Ｔ＃３は、第１部分Ｔ＃１及び第２部分Ｔ＃２を両端とする線分の中点とは異なる任意の位置に位置していてもよい。

１つのカーボンナノチューブＣＮＴにｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋが形成される場合（図６（ｃ）参照）には、ｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋが夫々形成されるｋ個の部分Ｔ＃１からＴ＃ｋは、カーボンナノチューブＣＮＴの長手方向に沿って等間隔で並んでいてもよい。但し、ｋ個の部分Ｔ＃１からＴ＃ｋは、カーボンナノチューブＣＮＴの長手方向に沿って任意の間隔で並んでいてもよい。

カーボンナノチューブＣＮＴの形状を変化させるためには、カーボンナノチューブＣＮＴ上に形成する集光スポットＳＰの数は、少なくとも２つで足りる。或いは、カーボンナノチューブＣＮＴのある部分が光トラップ力以外の力によって実質的に固定されている場合には、カーボンナノチューブＣＮＴ上に形成する集光スポットＳＰの数は、１つで足りる。但し、カーボンナノチューブＣＮＴの形状をより効率的に変化させるためには、カーボンナノチューブＣＮＴ上に形成する集光スポットＳＰの数は、できる限り多くなってもよい。

空間光変調器１４は、単一のカーボンナノチューブＣＮＴに光ＥＬ３の集光スポットＳＰが形成されるように（言い換えれば、複数のカーボンナノチューブＣＮＴの夫々に光ＥＬ３の集光スポットＳＰが同時に形成されないように）、光ＥＬ２を空間変調してもよい。この場合、第１変調パターンは、単一のカーボンナノチューブＣＮＴに集光スポットＳＰを形成する光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。言い換えれば、第１変調パターンは、デバイス層ＤＬの表面（ＸＹ平面）上での強度が単一のカーボンナノチューブＣＮＴの所定部分においてピークとなる強度分布を有する光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。この場合、デバイス製造装置１は、単一のカーボンナノチューブＣＮＴを捕捉することができる。つまり、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉し、変形させ且つ移動させる動作を、カーボンナノチューブＣＮＴ毎に順次行うことができる。

或いは、空間光変調器１４は、複数のカーボンナノチューブＣＮＴの夫々に光ＥＬ３の集光スポットＳＰが同時に形成されるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。この場合、第１変調パターンは、複数のカーボンナノチューブＣＮＴの夫々に集光スポットＳＰを同時に形成する光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。言い換えれば、第１変調パターンは、デバイス層ＤＬの表面（ＸＹ平面）上での強度が複数のカーボンナノチューブＣＮＴの夫々の所定部分においてピークとなる強度分布を有する光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。この場合、デバイス製造装置１は、複数のカーボンナノチューブＣＮＴを同時に捕捉することができる。つまり、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉し、変形させ且つ移動させる動作を、複数のカーボンナノチューブＣＮＴを対象にまとめて行うことができる。

コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、捕捉するべきカーボンナノチューブＣＮＴの位置（例えば、上述した光ＥＬ３のスポットＳＰを形成するべき位置）を特定してもよい。例えば、検出器１８がラマン分光計である場合には、コントローラ１９は、ラマン散乱光を計測する検出器１８の検出結果（つまり、ラマン散乱光の検出結果）に基づいて、カーボンナノチューブＣＮＴの位置を特定することができる。その結果、コントローラ１９は、捕捉するべきカーボンナノチューブＣＮＴの位置に基づいて、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉可能な光ＥＬ３を生成可能な第１変調パターンを決定してもよい。空間光変調器１４は、コントローラ１９が決定した第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調してもよい。

コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、光トラップ力によってカーボンナノチューブＣＮＴが捕捉されているか否かを特定してもよい。カーボンナノチューブＣＮＴが捕捉されていない場合には、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴが捕捉されるように、第１変調パターンや光ＥＬ１の強度を調整してもよい。

コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、変形させるべきカーボンナノチューブＣＮＴの形状を特定してもよい。その結果、コントローラ１９は、特定したカーボンナノチューブＣＮＴの形状に基づいて、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様を決定してもよい。例えば、コントローラ１９は、変形させるべきカーボンナノチューブＣＮＴの形状が、当該カーボンナノチューブＣＮＴが構成するべき配線Ｗ２の形状（例えば、当該カーボンナノチューブＣＮＴに最も近い又は相対的に近い配線形成領域２０１の形状）と合致するように、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様を決定してもよい。更に、コントローラ１９は、決定したカーボンナノチューブＣＮＴの変形態様に基づいて、第１変調パターンの変化態様を決定してもよい。

コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、移動させるべきカーボンナノチューブＣＮＴと配線形成領域２０１との位置関係を特定してもよい。その結果、コントローラ１９は、特定した位置関係に基づいて、カーボンナノチューブＣＮＴの移動態様を決定してもよい。更に、コントローラ１９は、決定したカーボンナノチューブＣＮＴの移動態様に基づいて、第１変調パターンの変化態様を決定してもよい。

１つのカーボンナノチューブＣＮＴにｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋが形成される場合（図６（ｃ）参照）には、コントローラ１９は、ｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋの全ての位置が変化するように第１変調パターンを変化させることで、カーボンナノチューブＣＮＴを変形又は移動させてもよい。或いは、コントローラ１９は、ｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋのうちの一部の位置が変化する一方でｋ個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃ｋのうちの他の一部の位置が変化しないように第１変調パターンを変化させることで、カーボンナノチューブＣＮＴを変形又は移動させてもよい。

上述したように、カーボンナノチューブＣＮＴを変形又は移動させるために、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様に応じて複数のミラー要素１４１の状態を制御している。複数のミラー要素１４１の状態が変化すると、変調面１４ａの反射率の分布（つまり、第１変調パターン）が変化する。変調面１４ａの反射率の分布（第１変調パターン）が変化すると、デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布（或いは、デバイス層ＤＬ上での集光スポットＳＰの位置）が変化する。デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布（或いは、デバイス層ＤＬ上での集光スポットＳＰの位置）が変化すると、カーボンナノチューブＣＮＴに作用する光トラップ力が変化する。その結果、カーボンナノチューブＣＮＴが変形又は移動する。

ここで、変調面１４ａの反射率の分布とデバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布との関係について説明する。まず、ＸＹ平面上における座標（ｘ、ｙ）で特定される変調面１４ａの変調領域の反射率（実質的には、変調領域から出射する光ＥＬ３の強度）を、Ａ（ｘ、ｙ）と定義する。尚、変調領域とは、変調面１４ａのうち光ＥＬ２を変調するために実際に使用される領域である。更に、ＸＹ平面上における座標（Ｘ、Ｙ）で特定されるデバイス層ＤＬのデバイス領域上での光ＥＬ３の振幅を、Ｂ（Ｘ、Ｙ）と定義する。尚、デバイス領域とは、変調領域によって変調された光ＥＬ３が投影されるデバイス層ＤＬ上の面領域である。ＸＹ平面上における座標（Ｘ、Ｙ）で特定されるデバイス領域上での光ＥＬ３の強度をＩ（Ｘ、Ｙ）と定義すると、Ｉ（Ｘ、Ｙ）は、振幅Ｂ（Ｘ、Ｙ）を二乗することで得られる値となる。反射率Ａ（ｘ、ｙ）と振幅Ｂ（Ｘ、Ｙ）とは、数式１に示す関係を有する。尚、ｆは、投影光学系１６の焦点距離であり、λは光ＥＬ１の波長である。

数式１を見ると、反射率Ａ（ｘ、ｙ）が変化することで、振幅Ｂ（Ｘ、Ｙ）が変化することがわかる。つまり、複数のミラー要素１４１の状態が変化することで、デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布（或いは、デバイス層ＤＬ上での集光スポットＳＰの位置）が変化することがわかる。このため、コントローラ１９は、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様又は移動態様から、デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布Ｉ（Ｘ、Ｙ）の変化態様を特定することができる。その後、コントローラ１９は、光ＥＬ３の強度分布Ｉ（Ｘ、Ｙ）の変化態様から、光ＥＬ３の振幅Ｂ（Ｘ、Ｙ）の変化態様を特定することができる。その後、コントローラ１９は、光ＥＬ３の振幅Ｂ（Ｘ、Ｙ）の変化態様から、反射率Ａ（ｘ、ｙ）の変化態様（つまり、複数のミラー要素１４１の状態ないしは第１変調パターンの変化態様）を特定することができる。その後、コントローラ１９は、第１変調パターンを、特定した変化態様で変化させる。この場合、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの変形態様又は移動態様に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調することができる。その結果、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを好適に変形又は移動させることができる。

尚、光ＥＬ３の振幅Ｂ（Ｘ、Ｙ）の変化態様から反射率Ａ（ｘ、ｙ）の変化態様を特定する際に、コントローラ１９は、振幅Ｂ（Ｘ、Ｙ）及び反射率Ａ（ｘ、ｙ）を変数に含む目的関数（評価関数）を設定してもよい。この場合、コントローラ１９は、目的関数が所定条件を満たす（例えば、最小となる）最適化問題（或いは、数理計画問題）を設定した上で、当該最適化問題を解いてもよい。コントローラ１９は、レベンバーグ・マーカート（Ｌｅｖｅｎｖｅｒｇ Ｍａｒｑｕａｒｄｔ）法を用いて、最適化問題を解いてもよい。

空間光変調器１４は、光軸に沿って並ぶ複数の偏光回折格子から構成されていてもよい。偏光回折素子は、当該偏光回折素子に入射する光ＥＬ２を構成する偏光成分のうち右偏光成分及び左偏光成分を夫々＋１次光及び−１次光として出射する光学素子である。偏光回折素子は、例えば、液晶素子を含んでいる。複数の偏光回折格子の間隔が適宜調整されることで、デバイス層ＤＬ上での光ＥＬ３の強度分布（或いは、デバイス層ＤＬ上での集光スポットＳＰの位置）が変化する。従って、空間光変調器１４が複数の偏光回折格子から構成される場合であっても、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させ且つ移動させることができる。

デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを配線形成領域２０１に移動させるために、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させることに加えて又は代えて、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉したまま、ステージ１７を移動させてもよい。つまり、デバイス製造装置１は、静止しているステージ１７（つまり、デバイス層ＤＬ）に対してカーボンナノチューブＣＮＴを移動させることに代えて、静止している又は移動しているカーボンナノチューブＣＮＴに対して、ステージ１７（つまり、デバイス層ＤＬ）を移動させてもよい。

カーボンナノチューブＣＮＴをデバイス層ＤＬ上で変形又は移動させる場合には、デバイス層ＤＬとカーボンナノチューブＣＮＴとの間の摩擦力及び分子間力が変形又は移動の妨げとならないように、カーボンナノチューブＣＮＴは、デバイス層ＤＬに対して浮いていてもよい。このため、コントローラ１９は、集光スポットＳＰの位置がＺ軸方向に沿って（つまり、ＸＹ平面に交わる又は直交する方向に沿って）変化するように、第１変調パターンを制御してもよい。つまり、カーボンナノチューブＣＮＴは、デバイス層ＤＬから浮いた状態で変形してもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、デバイス層ＤＬから浮いた状態で移動してもよい。

デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させる前に、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させてもよい。例えば、図９（ａ）に示すように、第１部分Ｔ＃１から第３部分Ｔ＃３に夫々形成されている３個の集光スポットＳＰ＃１からＳＰ＃３によって、カーボンナノチューブＣＮＴが捕捉されているものとする。この場合、デバイス製造装置１は、まず、カーボンナノチューブＣＮＴの一方の端部（図９（ａ）から図９（ｃ）に示す例では、右側の端部）が第１の配線Ｗ１（図９（ａ）から図９（ｃ）に示す例では、右側の配線Ｗ１）と連結されるように、カーボンナノチューブＣＮＴを移動させてもよい。その後、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴの形状が、第１の配線Ｗ１に対応する配線形成領域２０１の形状と合致するように、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させてもよい。例えば、図９（ｃ）に示すように、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴの他方の端部（図９（ａ）から図９（ｃ）に示す例では、左側の端部）が第１の配線Ｗ１と対になる第２の配線Ｗ１（図９（ａ）から図９（ｃ）に示す例では、左側の配線Ｗ１）と連結されるように、カーボンナノチューブＣＮＴを変形させてもよい。

デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを変形又は移動させる際に、変形させるべき又は移動させるべきカーボンナノチューブＣＮＴとは異なる第３物体ＳＢを、光トラップ力を用いて捕捉してもよい。この場合、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉するための集光スポットＳＰ及び第３物体ＳＢを捕捉するための集光スポットＳＰが形成されるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。例えば、図１０（ａ）に示すように、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの第１部分Ｔ＃１１に光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃１１が形成され且つカーボンナノチューブＣＮＴの第２部分Ｔ＃１２に光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃１２が形成されると共に、第３物体ＳＢに光ＥＬ３の集光スポットＳＰ＃１３が形成されるように、光ＥＬ２を空間変調してもよい。

更に、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いて第３物体ＳＢを移動させることで、第３物体ＳＢをカーボンナノチューブＣＮＴに接触させてもよい。例えば、図１０（ｂ）に示すように、コントローラ１９は、集光スポットＳＰ＃１３がカーボンナノチューブＣＮＴに向かって徐々に移動するように、第１変調パターンを変化させてもよい。その結果、集光スポット＃１３の移動に伴って、第３物体ＳＢもまた、カーボンナノチューブＣＮＴに向かって徐々に移動する。最終的には、第３物体ＳＢは、カーボンナノチューブＣＮＴに接触する。

デバイス製造装置１は、第３物体ＳＢがカーボンナノチューブＣＮＴに接触した後においても、光トラップ力を用いて第３物体ＳＢを移動させ続けてもよい。例えば、図１０（ｃ）に示すように、コントローラ１９は、集光スポットＳＰ＃１３が移動し続けるように、第１変調パターンを変化させてもよい。その結果、集光スポット＃１３の移動に伴って、第３物体ＳＢもまた、カーボンナノチューブＣＮＴに接触したまま移動し続ける。このため、第３物体ＳＢの移動に伴って、第３物体ＳＢに接触しているカーボンナノチューブＣＮＴは変形又は移動する。つまり、デバイス製造装置１は、変形させるべき又は移動させるべきカーボンナノチューブＣＮＴとは異なる第３物体ＳＢを、カーボンナノチューブＣＮＴに押し当てることで、カーボンナノチューブＣＮＴを変形又は移動させてもよい。

カーボンナノチューブＣＮＴが変形又は移動した後には、第３物体ＳＢは除去される。但し、カーボンナノチューブＣＮＴが変形又は移動した後であっても、第３物体ＳＢは除去されなくてもよい（つまり、デバイス層ＤＬ上に残存していてもよい）。例えば、第３物体ＳＢの存在が電子デバイスＤの特性に悪影響を及ぼさない場合には、第３物体ＳＢは除去されなくてもよい。

第３物体ＳＢは、カーボンナノチューブＣＮＴに対する付着力が相対的に弱い物体であってもよい。第３物体ＳＢは、カーボンナノチューブＣＮＴに対する付着力が相対的に強い物体であってもよい。例えば、第３物体ＳＢが除去される場合には、第３物体ＳＢは、カーボンナノチューブＣＮＴに対する付着力が相対的に弱い物体であることが好ましい。

第３物体ＳＢは、変形させるべき又は移動させるべきカーボンナノチューブＣＮＴとは異なる他のカーボンナノチューブＣＮＴであってもよい。第３物体ＳＢは、ＣＮＴ分散液に含まれる不純物であってもよい。第３物体ＳＢは、カーボンナノチューブＣＮＴを変形又は移動させる用途でＣＮＴ分散液中に添加された添加物であってもよい。第３物体ＳＢは、ＣＮＴ分散液とは別個にデバイス層ＤＬ上に供給される物体であってもよい。

デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを配線形成領域２０１に配置した後に、カーボンナノチューブＣＮＴに対して、光ＥＬ３の照射によって実現可能な任意の処理を行ってもよい。例えば、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴを配線形成領域２０１に配置した後に、光ＥＬ３の照射によってカーボンナノチューブＣＮＴを加工する加工処理を行ってもよい。

加工処理は、配線Ｗ２（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）と２つの配線Ｗ１とを固着させるための固着処理を含んでいてもよい。以下、図１１（ａ）から図１１（ｂ）を参照しながら、固着処理の一例について説明する。

図１１（ａ）に示すように、まず、配線Ｗ２と２つの配線Ｗ１の夫々とを固着させるための光硬化樹脂２２０が形成される。光硬化樹脂２２０は、配線Ｗ２と各配線Ｗ１とが接触する位置において、配線Ｗ２及び各配線Ｗ１の双方と接触するように形成される。光硬化樹脂２２０は、典型的には、製造途中の電子デバイスＤがデバイス製造装置１から取り出された後に形成される。光硬化樹脂２２０が形成された後、製造途中の電子デバイスＤは、再び、デバイス製造装置１のステージ１７にローディングされる。

その後、デバイス製造装置１は、光硬化樹脂２２０に対して、光ＥＬ３を照射する。この場合、光ＥＬ３（言い換えれば、光ＥＬ１）として、光硬化樹脂２２０を硬化させることが可能な光が用いられる。その結果、光ＥＬ３の照射に起因して、光硬化樹脂２２０が硬化する。このため、配線Ｗ２と２つの配線Ｗ１とが固着される。

光硬化樹脂２２０に対して光ＥＬ３を照射する場合には、コントローラ１９は、光硬化樹脂２２０の形成位置に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。この場合、空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、複数のミラー要素１４１の状態に応じた第２変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。つまり、空間光変調器１４は、光硬化樹脂２２０の形成位置に応じた第２変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。具体的には、空間光変調器１４は、光硬化樹脂２２０に光ＥＬ３が照射されるように、光ＥＬ２を空間変調する。このため、第２変調パターンは、光硬化樹脂２２０に照射される光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。その結果、図１１（ｂ）に示すように、第２変調パターンで空間変調された光ＥＬ３は、光硬化樹脂２２０に集光スポットＳＰ＃２１を形成する。つまり、光ＥＬ３は、光硬化樹脂２２０に照射される。

光硬化樹脂２２０の形成位置は、制御情報として、メモリに格納されていてもよい。この場合、コントローラ１９は、制御情報に基づいて、光硬化樹脂２２０の形成位置に応じた第２変調パターンを決定してもよい。空間光変調器１４は、コントローラ１９が決定した第２変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調してもよい。

加工処理は、カーボンナノチューブＣＮＴを切断する切断処理を含んでいてもよい。切断処理は、例えば、カーボンナノチューブＣＮＴの余剰部分を切断する処理を含んでいてもよい。余剰部分は、カーボンナノチューブＣＮＴのうち配線Ｗ２として使用しなくてもよい部分を含んでいてもよい。余剰部分は、カーボンナノチューブＣＮＴのうち配線形成領域２０１からはみ出る部分を含んでいてもよい。以下、図１２（ａ）から図１２（ｃ）を参照しながら、切断処理の一例について説明する。

例えば、光ＥＬ３の強度が相対的に大きい場合には、カーボンナノチューブＣＮＴのうち光ＥＬ３が照射された部分が、光ＥＬ３の照射によって燃焼することがある。デバイス製造装置１は、光ＥＬ３の照射によるカーボンナノチューブＣＮＴの燃焼を利用して、カーボンナノチューブＣＮＴを切断してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴの切断位置に光ＥＬ３を照射することで、切断位置においてカーボンナノチューブＣＮＴを切断してもよい。この場合、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの切断位置に応じた第２変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。

例えば、図１２（ａ）に示すように、カーボンナノチューブＣＮＴのうちの一部が、配線形成領域２０１からはみ出している場合を想定する。この場合、カーボンナノチューブＣＮＴのうち配線形成領域２０１からはみ出している余剰部分が切断されるように、カーボンナノチューブＣＮＴに対して光ＥＬ３を照射する。つまり、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの切断位置に応じた第２変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。このため、第２変調パターンは、切断位置に照射される光ＥＬ３を生成可能な変調パターンである。その結果、図１２（ｂ）に示すように、第２変調パターンで空間変調された光ＥＬ３は、カーボンナノチューブＣＮＴの切断位置に集光スポットＳＰ＃３１を形成する。その結果、図１２（ｃ）に示すように、カーボンナノチューブＣＮＴのうち配線形成領域２０１からはみ出している余剰部分が切断される。

尚、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いてカーボンナノチューブＣＮＴを捕捉したまま、上述した任意の処理（例えば、加工処理）を行ってもよい。この場合、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴを捕捉するための光トラップ力を発生させながら上述した任意の処理を行うことが可能な光ＥＬ３を生成可能な第２変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。或いは、デバイス製造装置１は、光トラップ力を用いてカーボンナノチューブＣＮＴを捕捉することなく、上述した任意の処理（例えば、加工処理）を行ってもよい。この場合、空間光変調器１４は、上述した任意の処理を行うことが可能な光ＥＬ３を生成可能な第２変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。

配線Ｗは、カーボンナノチューブＣＮＴに加えて又は代えて、その他のナノ物質（典型的には、カーボンナノ物質）から構成されていてもよい。その他のナノ物質の形状は、カーボンナノチューブの形状のように長手形状又は棒状であってもよい。その他のナノ物質の形状は、長手形状又は棒状とは異なる任意の形状（例えば、シート状、板状、球状、円形状又は矩形形状等）であってもよい。その他のナノ物質の一例として、カーボンナノホーン、カーボンナノコイル、カーボンマイクロコイル、カーボンファイバ、カーボンナノオニオン、フラーレン、及び、カーボンナノカプセル等があげられる。この場合であっても、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴと同様に、ナノ物質を変形させ、且つ、配線形成位置２０１に配置することができる。

上述の実施形態では、デバイス製造装置１は、デバイス層ＤＬの表面に沿った又は平行な方向に延びる配線Ｗ（つまり、カーボンナノチューブＣＮＴ）を形成している。しかしながら、デバイス製造装置１は、デバイス層ＤＬの表面に垂直な方向に延びる配線Ｗを形成してもよい。

光源１１は、光ＥＬ１として、赤外光とは異なる任意の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、波長が１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザ光又は波長が２４８ｎｍであるＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光（ＤＵＶ光：Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。光源１１は、Ｆ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光：Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。光源１１は、所望の波長を有する任意のレーザ光又はその他任意の光（例えば、水銀ランプから射出される輝線であり、例えば、ｇ線、ｈ線若しくはｉ線等）を射出してもよい。光源１１は、米国特許第７，０２３，６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（或いは、エルビウムとイットリウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅すると共に非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換することで得られる高調波を射出してもよい。光源１１は、波長が１００ｎｍ以上の光に限らず、波長が１００ｎｍ未満の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、軟Ｘ線領域（例えば、５から１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を射出してもよい。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、光ＥＬ１として用いることが可能な電子線ビームを射出する電子線ビーム源を備えていてもよい。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、ＹＡＧレーザ若しくは固体レーザ（半導体レーザ等）から出力されるレーザ光の高調波を生成する固体パルスレーザ光源を備えていてもよい。固体パルスレーザ光源は、光ＥＬ１として用いることが可能な波長が１９３ｎｍ（これ以外の種々の波長、例えば２１３ｎｍ、２６６ｎｍ、３５５ｎｍ等の波長が可能）でパルス幅１ｎｓ程度のパルスレーザ光を１〜２ＭＨｚ程度の周波数で射出可能である。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、光ＥＬ１として用いることが可能な任意のエネルギビームを射出するビーム源を備えていてもよい。

上述の各実施形態の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う加工装置及び加工方法、デバイス製造方法、並びに、コンピュータプログラムもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１ デバイス製造装置
１１ 光源
１２ 照明光学系
１４ 空間光変調器
１６ 投影光学系
１７ ステージ
１９ コントローラ
２０１ 配線形成領域
Ｄ 電子デバイス
ＤＬ デバイス層
ＷＬ 配線層
Ｗ、Ｗ１、Ｗ２ 配線
ＣＮＴ カーボンナノチューブ
ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３、ＥＬ４ 光

Claims (21)

1. 入射する光を所望の変調パターンで変調して射出する空間光変調器と、
   前記空間光変調器を制御する制御器と
   を備え、
   前記制御器は、
   第１変調パターンで前記光を変調し、
   前記第１変調パターンで変調された前記光を第１物体に集光して前記第１物体に光トラップ力を発生させ、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御すると共に、
   前記第１変調パターンを変化させ、
   前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉したまま変形させ且つ前記第１物体を移動させるように、前記空間光変調器を制御する
   加工装置。
2. 前記第１変調パターンは、前記第１物体を捕捉可能な前記光トラップ力を発生させるように前記光を変調する変調パターンを含み、
   前記制御器は、前記第１物体を捕捉可能な前記光トラップ力を発生させつつ、前記光の集光位置及び強度分布の少なくとも一方が変化するように、前記第１変調パターンを変化させる
   請求項１に記載の加工装置。
3. 前記制御器は、
   前記第１変調パターンで前記光を変調し、
   前記第１変調パターンで変調された前記光のうちの第１光部分を前記第１物体のうちの第１物体部分に集光して前記第１物体部分に第１光トラップ力を作用させ、且つ、前記第１変調パターンで変調された前記光のうちの第２光部分を前記第１物体のうちの第２物体部分に集光して前記第２物体部分にトラップ力を作用させ、前記第１及び第２光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御する
   請求項１又は２に記載の加工装置。
4. 前記制御器は、前記第１光部分の集光位置、前記第２光部分の集光位置、並びに、前記第１及び第２光部分を含む前記光の強度分布の少なくとも一つが変化するように、前記第１変調パターンを変化させる
   請求項３に記載の加工装置。
5. 前記制御器は、前記第１変調パターンで変調された前記光のうちの第３光部分を前記第１物体のうちの第３物体部分に集光して前記第３部分に第３光トラップ力を更に作用させ、前記第１から第３光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御する
   請求項３又は４に記載の加工装置。
6. 前記第１変調パターンは、前記第１物体部分を捕捉可能な前記第１光トラップ力、前記第２物体部分を捕捉可能な前記第２光トラップ力及び前記第３物体部分を捕捉可能な前記第３光トラップ力を発生させるように前記光を変調する変調パターンを含み、
   前記制御器は、前記第１光部分の集光位置、前記第２光部分の集光位置、前記第３光部分の集光位置並びに前記第１光部分から前記第３光部分を含む前記光の強度分布の少なくとも一つが変化するように、前記第１変調パターンを変化させる
   請求項５に記載の加工装置。
7. 前記制御器は、前記第１物体部分が力点となり、前記第２物体部分が作用点となり且つ前記第３物体部分が支点となる力を前記物体に作用させるための前記第１光トラップから前記第３光トラップ力を発生させるように、前記第１変調パターンを変化させる
   請求項５又は６に記載の加工装置。
8. 前記第３物体部分は、前記第１物体に沿って前記第１物体部分から前記第２物体部分へと至る経路上における、前記第１物体部分と前記第２物体部分との間の中間点に位置する請求項５から７のいずれか一項に記載の加工装置。
9. 前記第１物体部分は、前記第１物体のうちの一方の端部又は前記一方の端部の近傍部分であり、前記第２物体部分は、前記第１物体のうちの他方の端部又は前記他方の端部の近傍部分である
   請求項３から８のいずれか一項に記載の加工装置。
10. 前記制御器は、
    前記第１変調パターンで前記光を変調し、
    前記第１変調パターンで変調された前記光のうちの第４光部分を前記第１物体に集光して前記第１物体に第４光トラップ力を発生させ、前記第４光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉すると共に、前記第１変調パターンで変調された前記光のうちの第５光部分を第２物体に集光して前記第２物体に第５光トラップ力を発生させ、前記第５光トラップ力を用いて前記第２物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御すると共に、
    
    前記第１変調パターンを変化させ、
    前記第４光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉し且つ前記第５光トラップ力を用いて前記第２物体を捕捉したまま、前記第４及び第５光トラップ力の少なくとも一方を用いて前記第２物体を前記第１物体に押し当てることで前記第１物体を変形させるように、前記空間光変調器を制御する
    請求項１から９に記載の加工装置。
11. 前記制御器は、前記第１物体を変形させる前に又は変形させた後に、前記第１物体を前記所望位置に配置するように、前記空間光変調器を制御する
    請求項１から１０のいずれか一項に記載の加工装置。
12. 前記制御器は、
    前記第１物体を変形させた後に、第２変調パターンで前記光を変調し、
    前記第２変調パターンで変調された前記光を用いて前記第１物体を加工するように、前記空間光変調器を制御する
    請求項１から１１のいずれか一項に記載の加工装置。
13. 前記第２変調パターンは、前記第１物体のうち加工するべき第４物体部分に前記第２変調パターンで変調された前記光が照射されるように前記光を変調する変調パターンを含む
    請求項１２に記載の加工装置。
14. 前記第１物体は、界面活性剤によって被膜されている又は溶媒中に分散している
    ことを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の加工装置。
15. 前記制御器は、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を第３物体上の前記所望位置に配置するように、前記空間光変調器を制御し、
    前記第３物体のうち少なくとも前記所望位置を含む所定部分には、前記第１物体と前記第３物体との間の摩擦力を低減可能な所定膜が形成されている
    ことを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の加工装置。
16. 前記物体の形状は、長手形状、棒状又はシート状である
    ことを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の加工装置。
17. 前記微小物体は、カーボンナノチューブ、細胞及びウイルスのうちの少なくとも一つを含む
    ことを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の加工装置。
18. 入射する光を所望の変調パターンで変調して射出する空間光変調器を用いる加工方法であって、
    第１変調パターンで前記光を変調することと、
    前記第１変調パターンで変調された前記光を第１物体に集光して前記第１物体に光トラップ力を発生させ、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御することと、
    前記第１変調パターンを変化させることと、
    前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉したまま変形させ且つ前記第１物体を移動させるように、前記空間光変調器を制御することと
    を含む加工方法。
19. 請求項１から１７のいずれか一項に記載の加工装置を用いて、前記所望位置に配置された前記第１物体を備えるデバイスを製造するデバイス製造方法。
20. 請求項１８に記載の加工方法を用いて、前記所望位置に配置された前記第１物体を備えるデバイスを製造するデバイス製造方法。
21. 入射する光を所望の変調パターンで変調して射出する空間光変調器を制御するコンピュータによって実行されるコンピュータプログラムであって、
    第１変調パターンで前記光を変調することと、
    ）前記第１変調パターンで変調された前記光を第１物体に集光して前記第１物体に光トラップ力を発生させ、前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉するように、前記空間光変調器を制御することと、
    前記第１変調パターンを変化させることと、
    前記光トラップ力を用いて前記第１物体を捕捉したまま変形させ且つ前記第１物体を移動させるように、前記空間光変調器を制御することと
    を前記コンピュータに実行させるコンピュータプログラム。