JP2017119418A - ガスバリアフィルム積層体およびその製造方法、ガスバリアフィルム積層体を用いた有機el装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施形態に係るガスバリアフィルム積層体1の一例を示す断面図である。
ガスバリアフィルム積層体1の製造方法の実施形態について説明する。本実施形態に係るガスバリアフィルム積層体1は、以下に説明する第1の製造方法及び第2の製造方法のいずれかにより製造することができる。
図2〜4は、本発明の実施形態に係るガスバリアフィルム積層体の第1の製造方法を示す図である。
図5〜7は、本発明の実施形態に係るガスバリアフィルム積層体の第2の製造方法を示す図である。
図8は、本発明に係る有機EL装置6の一例を示す断面図である。
まず、水蒸気バリアフィルム積層体を作成した。このとき、基材には水蒸気透過率が4.7g/m2/dayを示す厚み100μm、最大高低差約400nmのPETフィルムを用いた。シート状に切り出したPETフィルムをノズル式超音波洗浄機の冶具に表面を上にした状態で固定し、950kHz超音波印加純水を吐出させ洗浄した。その後直ちにエアナイフ装置にてPETフィルム表面に0.5MPaおよび流速50m/sの条件で乾燥空気を噴出させ乾燥し、続いてクリーンオーブン内に洗浄後のPETフィルムを静置させ、80℃で24時間乾燥を行った。
実施例1と同じ材料及び製造方法により、PETフィルム上に、ALD−Al2O3膜とCVD−SiO2膜とを成膜した。Al2O3膜及びSiO2膜の膜厚、SiO2膜表面の最大高低差は、実施例1と同じである。
実施例1と同じ材料及び製造方法により、PETフィルム上にALD−Al2O3膜を成膜し、ALD−Al2O3上にCVD−SiO2膜を600nm成膜し、成膜後にドライエッチバックを行わず水蒸気バリアフィルムを作製した。作成後Ca法により水蒸気透過率を測定したところ、3.8×10−4g/m2/dayであった。そののち実施例1と同じ条件で有機EL素子を作製し、40℃/90%の湿熱環境下で168h保管したのち点灯試験したところ、100〜800μmのダークスポットが1cm2あたり81個であった。
2 樹脂基材フィルム
3 無機ガスバリア膜
4 パッシベーション膜
5 レジスト膜
6 有機EL装置
7 陽極
8 正孔注入層
9 正孔輸送層
10 発光層
11 電子輸送層
12 陰極
13 キャップ封止材
14 樹脂接着剤
Claims (13)
- 樹脂基材フィルムに積層される一層の無機ガスバリア膜と、前記無機ガスバリア膜上に積層される少なくとも一層のパッシベーション膜とを有し、
前記パッシベーション膜の表面最大高低差が100nm以下であり、
40℃、90%RH条件下での水蒸気透過率が5×10−4g/m2/day以下である、ガスバリアフィルム積層体。 - 前記無機ガスバリア膜の平均細孔半径が0.15nm以下である、請求項1に記載のガスバリアフィルム積層体。
- 前記無機ガスバリア膜の膜厚が10nm以上100nm以下である、請求項1または2に記載のガスバリアフィルム積層体。
- 前記無機ガスバリア膜が金属酸化物または金属窒化物または金属炭化物である、請求項1〜3のいずれかに記載のガスバリアフィルム積層体。
- 前記金属がアルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、スズ(Sn)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、セリウム(Ce)、それらの混合物のいずれかである、請求項1〜4のいずれかに記載のガスバリアフィルム積層体。
- 前記パッシベーション膜が酸化ケイ素(SiO2)または窒化ケイ素(SiN)または酸窒化ケイ素(SiON)である、請求項1に記載されるガスバリアフィルム積層体。
- 前記樹脂基材フィルムの40℃、90%RH条件下での水蒸気透過率が5g/m2/day以下である、請求項1に記載されるガスバリアフィルム積層体。
- 前記樹脂基材フィルムがポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のいずれかである、請求項1または7に記載のガスバリアフィルム積層体。
- 前記樹脂基材フィルムの厚みが50μm以上である、請求項1、7及び8のいずれかに記載のガスバリアフィルム積層体。
- 樹脂基材フィルム上にALD法により一層の無機ガスバリア膜を積層し、
前記無機ガスバリア膜上にケイ素化合物からなるパッシベーション膜を少なくとも一層積層し、
パッシベーション膜の表面全体を覆うようにレジスト層を積層し、
前記レジスト層が積層されたガスバリアフィルム積層体の表面を全面ドライエッチングバックすることにより前記レジスト層と前記パッシベーション膜の一部とを除去し、ガスバリアフィルム積層体表面の表面最大高低差を100nm以下とする、ガスバリアフィルム積層体の製造方法。 - 樹脂基材フィルム上にALD法により一層の無機ガスバリア膜を積層し、
前記無機ガスバリア膜上にケイ素化合物からなるパッシベーション膜を少なくとも一層積層し、
パッシベーション膜の表面に、前記パッシベーション膜の最大高低差より薄い膜厚のレジスト層を積層し、
前記レジスト層が積層されたガスバリアフィルム積層体の表面を全面ウェットエッチングバックすることにより前記パッシベーション膜の一部を除去した後、前記レジスト層を除去し、ガスバリアフィルム積層体表面の表面最大高低差を100nm以下とする、ガスバリアフィルム積層体の製造方法。 - 前記パッシベーション膜をCVD法により成膜する、請求項10または11に記載のガスバリアフィルム積層体の製造方法。
- 基材および封止材の少なくとも一方が、請求項1に記載されるガスバリアフィルム積層体である、有機EL装置。
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KR20200008080A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | 전자부품연구원 | 다층박막구조체 및 그의 제조방법 |
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