JP2017117774A - Fuse element - Google Patents

Fuse element Download PDF

Info

Publication number
JP2017117774A
JP2017117774A JP2016110506A JP2016110506A JP2017117774A JP 2017117774 A JP2017117774 A JP 2017117774A JP 2016110506 A JP2016110506 A JP 2016110506A JP 2016110506 A JP2016110506 A JP 2016110506A JP 2017117774 A JP2017117774 A JP 2017117774A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating element
electrode
insulating substrate
electrodes
fuse element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016110506A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6797565B2 (en
Inventor
裕治 古内
Yuji Kouchi
裕治 古内
幸市 向
Koichi Mukai
幸市 向
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to KR1020187015039A priority Critical patent/KR102099799B1/en
Priority to CN201680071024.3A priority patent/CN108475602B/en
Priority to PCT/JP2016/086857 priority patent/WO2017104597A1/en
Priority to TW105140987A priority patent/TWI715692B/en
Publication of JP2017117774A publication Critical patent/JP2017117774A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6797565B2 publication Critical patent/JP6797565B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H37/00Thermally-actuated switches
    • H01H37/74Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
    • H01H37/76Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Fuses (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fuse element for securing a formation region of a heating element to stably fuse a soluble conductor even by down-sizing of the fuse element and capable of securing connection strength with mounting substrate by securing a connection area of the mounting electrode.SOLUTION: A fuse element includes: an insulation substrate 10; a first electrode 11 and a second electrode 12 formed on the surface 10a of the insulation substrate 10; a soluble conductor 13 connected across the first and second electrodes 11 and 12; a heating element 14 which is formed on the rear face 10b of the insulation substrate 10 and generates heat by energization to fuse the soluble conductor 13; and a rear face electrode 15 formed on the rear face 10b of the insulation substrate 10. The heating element 14 and the rear surface electrode 15 are overlapped on each other via an insulation layer 17.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電源ラインや信号ラインを遮断することにより回路を保護するヒューズ素子に関する。   The present invention relates to a fuse element that protects a circuit by cutting off a power supply line and a signal line.

例えばリチウムイオン二次電池向けの保護回路に用いられるヒューズ素子として、絶縁基板に形成された第1の電極、発熱体に繋がる発熱体引出電極、第2の電極間に亘って可溶導体を接続して電流経路の一部をなし、この電流経路上の可溶導体を、過電流による自己発熱によって溶断するもの、あるいは外部からの信号によりヒューズ素子内部に設けた発熱体へ通電することによって回路側が意図するタイミングで可溶導体を溶断するものがある。   For example, as a fuse element used in a protection circuit for a lithium ion secondary battery, a fusible conductor is connected between a first electrode formed on an insulating substrate, a heating element lead electrode connected to the heating element, and a second electrode. Then, a circuit is formed by energizing a fusible conductor on the current path that is fused by self-heating due to overcurrent or a heating element provided inside the fuse element by an external signal. There is one that melts the fusible conductor at the timing that the side intends.

図30にヒューズ素子の一例を示す。図30〜図32に示すヒューズ素子80は、絶縁基板85と、絶縁基板85表面85aの両端に形成された第1、第2の電極81,82と、絶縁基板85の裏面85bに積層され絶縁層86に覆われた発熱体84と、絶縁基板85の表面85a上に積層され発熱体84と電気的に接続された中間電極88と、両端が第1、第2の電極81,82にそれぞれ接続され、中央部が中間電極88に接続された可溶導体83とを備える。   FIG. 30 shows an example of the fuse element. 30 to 32 is laminated and insulated on an insulating substrate 85, first and second electrodes 81 and 82 formed on both ends of the surface 85a of the insulating substrate 85, and a back surface 85b of the insulating substrate 85. The heating element 84 covered with the layer 86, the intermediate electrode 88 laminated on the surface 85a of the insulating substrate 85 and electrically connected to the heating element 84, and both ends of the first and second electrodes 81 and 82, respectively. And a fusible conductor 83 having a central portion connected to the intermediate electrode 88.

第1、第2の電極81,82は、絶縁基板85の裏面85bに設けられた第1、第2の実装電極91,92とスルーホール90を介して接続されている。また、発熱体84は、一端を絶縁基板85の裏面85bに設けられた発熱体引出電極87と接続され、他端を絶縁基板85の裏面85bに設けられた発熱体電極93と接続されている。発熱体引出電極87は、スルーホール94を介して中間電極88と接続されている。また、可溶導体83は、発熱体84の発熱により速やかに溶断される材料からなり、例えばハンダや、Snを主成分とするPbフリーハンダ等の低融点金属からなる。   The first and second electrodes 81 and 82 are connected to the first and second mounting electrodes 91 and 92 provided on the back surface 85 b of the insulating substrate 85 through the through holes 90. The heating element 84 has one end connected to the heating element extraction electrode 87 provided on the back surface 85 b of the insulating substrate 85 and the other end connected to the heating element electrode 93 provided on the back surface 85 b of the insulating substrate 85. . The heating element extraction electrode 87 is connected to the intermediate electrode 88 through the through hole 94. The fusible conductor 83 is made of a material that is quickly melted by the heat generated by the heating element 84, and is made of, for example, low melting point metal such as solder or Pb-free solder containing Sn as a main component.

ヒューズ素子80は、過充電、過放電等の異常が検知されると、外部回路と接続された発熱体電極93より発熱体84へ通電される。ヒューズ素子80は、発熱体84が発熱することにより可溶導体83が溶融し、この溶融導体を第1、第2の電極81,82及び中間電極88に集めることにより、第1及び第2の電極81,82間の電流経路を遮断する。   When an abnormality such as overcharge or overdischarge is detected, the fuse element 80 is energized to the heating element 84 from the heating element electrode 93 connected to an external circuit. In the fuse element 80, the fusible conductor 83 is melted when the heating element 84 generates heat, and the molten conductor is collected in the first and second electrodes 81 and 82 and the intermediate electrode 88, whereby the first and second fuse elements 80 are collected. The current path between the electrodes 81 and 82 is interrupted.

特許第2790433号公報Japanese Patent No. 2790433

リチウムイオン二次電池が搭載される機器の小型化の要請や、電動工具や電気自動車といった大電流用途へ対応するために多数のリチウムイオン二次電池を搭載する必要に伴う省スペース化の要請等により、ヒューズ素子は一層の小型化が求められている。   Requests for downsizing of devices equipped with lithium ion secondary batteries, and requests for space savings due to the need to install a large number of lithium ion secondary batteries to support high current applications such as power tools and electric vehicles Therefore, the fuse element is required to be further downsized.

図32に示すように、ヒューズ素子80は、絶縁基板85の裏面85bに発熱体84、発熱体引出電極87及び第1、第2の実装電極91,92が形成されている。しかし、ヒューズ素子80の小型化を進めると、第1、第2の実装電極91,92によって発熱体84を配置できる領域が狭まり、通電発熱によっても可溶導体83を迅速に溶断することができない、あるいは局所的に過熱し可溶導体83の溶断前に発熱体84自身が焼切れてしまい、可溶導体83を安定して溶断できないといったリスクが想定される。例えば、ヒューズ素子は、絶縁基板のサイズを3mm×2mmまで小型する場合を想定すると、発熱体84のサイズは0.8mm×0.8mmと小さくなってしまい、安定的に溶断できる可溶導体の大きさに制約が生じ、大電流用途への対応が困難となる。   As shown in FIG. 32, in the fuse element 80, a heating element 84, a heating element extraction electrode 87, and first and second mounting electrodes 91 and 92 are formed on the back surface 85b of the insulating substrate 85. However, if miniaturization of the fuse element 80 is advanced, the area where the heating element 84 can be disposed by the first and second mounting electrodes 91 and 92 is narrowed, and the soluble conductor 83 cannot be quickly blown even by energization heat generation. Alternatively, it is assumed that there is a risk that the heat generating body 84 itself burns out before the fusible conductor 83 is melted due to local overheating, and the fusible conductor 83 cannot be melted stably. For example, in the fuse element, assuming that the size of the insulating substrate is reduced to 3 mm × 2 mm, the size of the heating element 84 is as small as 0.8 mm × 0.8 mm. The size is limited, making it difficult to handle high current applications.

一方、発熱体84の形成領域をある程度確保しようとすると、発熱体引出電極87や第1、第2の実装電極91,92が小さくなり、絶縁基板85の表面85aに形成された中間電極88や第1、第2の電極81,82とキャスタレーションやスルーホールを介しての導通を取るスペースが不十分となる。あるいは第1、第2の実装電極91,92が狭くなることで実装基板への接続面積が足りなくなり、十分な接続強度を確保することができないといった問題が生じ得る。   On the other hand, if it is intended to secure the formation region of the heating element 84 to some extent, the heating element extraction electrode 87 and the first and second mounting electrodes 91 and 92 become small, and the intermediate electrode 88 and the intermediate electrode 88 formed on the surface 85a of the insulating substrate 85 There is insufficient space for conducting electrical continuity with the first and second electrodes 81 and 82 through castellations and through holes. Alternatively, since the first and second mounting electrodes 91 and 92 become narrow, there is a problem that a connection area to the mounting substrate becomes insufficient, and sufficient connection strength cannot be secured.

そこで、本発明は、ヒューズ素子の小型化によっても、発熱体の形成領域を確保して可溶導体を安定して溶断するとともに、実装電極の接続面積を確保して実装基板との接続強度を確保することができるヒューズ素子を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention secures the formation area of the heating element and stably melts the fusible conductor even when the fuse element is downsized, and secures the connection area of the mounting electrode to increase the connection strength with the mounting board. An object is to provide a fuse element that can be secured.

上述した課題を解決するために、本発明に係るヒューズ素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板の表面に形成された第1の電極及び第2の電極と、上記第1、第2の電極間にわたって接続された可溶導体と、上記絶縁基板の裏面に形成され、通電により発熱し上記可溶導体を溶断する発熱体と、上記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極とを備え、上記発熱体と上記裏面電極とが絶縁層を介して重畳されているものである。   In order to solve the above-described problems, a fuse element according to the present invention includes an insulating substrate, a first electrode and a second electrode formed on a surface of the insulating substrate, and the first and second electrodes. A heat generating element formed on the back surface of the insulating substrate, which generates heat when energized and melts the soluble conductor, and a back electrode formed on the back surface of the insulating substrate. The body and the back electrode are superimposed via an insulating layer.

本発明によれば、素子を小型化した場合でも,発熱体の有効面積と実装電極の両方を最大化することができる。したがって、発熱体の発熱が絶縁層を介して重畳された電極からも伝熱するため,可溶導体の溶断がより迅速化、安定化する。また、実装電極の面積を十分に確保することができ、回路基板との接続強度を向上させ、またヒューズ抵抗の上昇を防止することができる。   According to the present invention, even when the element is downsized, both the effective area of the heating element and the mounting electrode can be maximized. Therefore, the heat generated by the heating element is also transferred from the electrode superimposed via the insulating layer, so that the fusing of the soluble conductor becomes faster and more stable. In addition, it is possible to sufficiently secure the area of the mounting electrode, improve the connection strength with the circuit board, and prevent an increase in the fuse resistance.

図1は、本発明が適用されたヒューズ素子の絶縁基板の表面側を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a surface side of an insulating substrate of a fuse element to which the present invention is applied. 図2(A)は本発明が適用されたヒューズ素子の絶縁基板の裏面側を示す底面図であり、図2(B)は図2(A)のA−A’断面図である。2A is a bottom view showing the back side of the insulating substrate of the fuse element to which the present invention is applied, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 図3は、本発明が適用されたヒューズ素子を用いたバッテリ回路の一構成例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a battery circuit using a fuse element to which the present invention is applied. 図4は、本発明が適用されたヒューズ素子の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a fuse element to which the present invention is applied. 図5(A)は本発明が適用された他のヒューズ素子の絶縁基板の表面側を示す平面図であり、図5(B)は図5(A)のA−A’断面図である。FIG. 5A is a plan view showing the surface side of an insulating substrate of another fuse element to which the present invention is applied, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 図6は、図5に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、絶縁基板の裏面に発熱体引出電極、第1、第2の実装電極の下層部及び発熱体電極を形成し、下層部上に第1の絶縁層を形成した状態を示す底面図である。FIG. 6 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 5, in which a heating element extraction electrode, a lower layer portion of the first and second mounting electrodes, and a heating element electrode are formed on the back surface of the insulating substrate. It is a bottom view which shows the state which formed the 1st insulating layer on it. 図7は、図5に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、第1の絶縁層上に発熱体を形成することにより、発熱体と下層部とを重畳させた状態を示す底面図である。FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 5, and is a bottom view showing a state in which the heating element is superimposed on the lower layer portion by forming the heating element on the first insulating layer. is there. 図8は、図5に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、発熱体上に第2の絶縁層を形成した状態を示す底面図である。FIG. 8 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 5, and is a bottom view showing a state in which a second insulating layer is formed on the heating element. 図9は、図5に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、第2の絶縁層の上に第1、第2の実装電極の上層部を形成した状態を示す底面図である。FIG. 9 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 5 and is a bottom view showing a state in which the upper layer portions of the first and second mounting electrodes are formed on the second insulating layer. 図10(A)は本発明が適用された他のヒューズ素子の絶縁基板の表面側を示す平面図であり、図10(B)は図10(A)のA−A’断面図である。10A is a plan view showing the surface side of an insulating substrate of another fuse element to which the present invention is applied, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 図11は、図10に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、絶縁基板の裏面に発熱体引出電極及び発熱体電極を形成した状態を示す底面図である。FIG. 11 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 10 and is a bottom view showing a state in which a heating element extraction electrode and a heating element electrode are formed on the back surface of the insulating substrate. 図12は、図10に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、絶縁基板の裏面に発熱体を形成した状態を示す底面図である。FIG. 12 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 10 and is a bottom view showing a state in which a heating element is formed on the back surface of the insulating substrate. 図13は、図10に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、発熱体上に第2の絶縁層を形成した状態を示す底面図である。FIG. 13 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 10 and is a bottom view showing a state in which a second insulating layer is formed on the heating element. 図14は、図10に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、第2の絶縁層の上に第1、第2の実装電極の上層部を形成した状態を示す底面図である。FIG. 14 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 10, and is a bottom view showing a state in which the upper layer portions of the first and second mounting electrodes are formed on the second insulating layer. 図15(A)は本発明が適用された他のヒューズ素子の絶縁基板の表面側を示す平面図であり、図15(B)は図15(A)のA−A’断面図である。FIG. 15A is a plan view showing the surface side of an insulating substrate of another fuse element to which the present invention is applied, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 図16は、図15に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、絶縁基板の裏面に発熱体引出電極、第1、第2の実装電極の下層部及び発熱体電極を形成し、発熱体引出電極及び下層部上に第3の絶縁層を形成した状態を示す底面図である。FIG. 16 is a diagram showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 15, in which a heating element extraction electrode, lower layers of the first and second mounting electrodes, and a heating element electrode are formed on the back surface of the insulating substrate, and the heating element is formed. It is a bottom view which shows the state which formed the 3rd insulating layer on the extraction electrode and the lower layer part. 図17は、図15に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、第3の絶縁層上に発熱体を形成した状態を示す底面図である。FIG. 17 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 15, and is a bottom view showing a state in which a heating element is formed on the third insulating layer. 図18は、図15に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、発熱体上に第4の絶縁層を形成した状態を示す底面図である。FIG. 18 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 15, and is a bottom view showing a state in which a fourth insulating layer is formed on the heating element. 図19は、図15に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、第4の絶縁層の上に第1、第2の実装電極の上層部を形成した状態を示す底面図である。FIG. 19 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 15, and is a bottom view showing a state in which the upper layer portions of the first and second mounting electrodes are formed on the fourth insulating layer. 図20(A)は本発明が適用された他のヒューズ素子の絶縁基板の表面側を示す平面図であり、図20(B)は図20(A)のA−A’断面図である。20A is a plan view showing the surface side of an insulating substrate of another fuse element to which the present invention is applied, and FIG. 20B is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 図21は、図20に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、絶縁基板の裏面に発熱体引出電極発熱体電極を形成した状態を示す底面図である。FIG. 21 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 20, and is a bottom view showing a state in which a heating element extraction electrode heating element electrode is formed on the back surface of the insulating substrate. 図22は、図20に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、絶縁基板の裏面に発熱体を形成した状態を示す底面図である。FIG. 22 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 20, and is a bottom view showing a state in which a heating element is formed on the back surface of the insulating substrate. 図23は、図20に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、発熱体上に第4の絶縁層を形成した状態を示す底面図である。FIG. 23 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 20, and is a bottom view showing a state in which a fourth insulating layer is formed on the heating element. 図24は、図20に示すヒューズ素子の製造工程を示す図であり、第4の絶縁層の上に第1、第2の実装電極の上層部を形成した状態を示す底面図である。FIG. 24 is a view showing a manufacturing process of the fuse element shown in FIG. 20, and is a bottom view showing a state in which the upper layer portions of the first and second mounting electrodes are formed on the fourth insulating layer. 図25(A)は変形例に係るヒューズ素子の絶縁基板の表面側をキャップを省略して示す平面図であり、図25(B)は図25(A)のA−A’断面図である。FIG. 25A is a plan view showing the surface side of the insulating substrate of the fuse element according to the modification with the cap omitted, and FIG. 25B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. . 図26は、図25(A)のB−B’断面図である。FIG. 26 is a B-B ′ cross-sectional view of FIG. 図27は、外部回路基板へ実装された状態を示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view showing a state of being mounted on an external circuit board. 図28は、他の変形例に係るヒューズ素子の絶縁基板の表面側をキャップを省略して示す平面図である。FIG. 28 is a plan view showing the surface side of the insulating substrate of the fuse element according to another modification, with the cap omitted. 図29(A)は変形例に係るヒューズ素子の絶縁基板の表面側をキャップを省略して示す平面図であり、図29(B)は図29(A)のB−B’断面図である。FIG. 29A is a plan view showing the surface side of the insulating substrate of the fuse element according to the modification with the cap omitted, and FIG. 29B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. . 図30は、参考例に係るヒューズ素子の絶縁基板の表面側を示す平面図である。FIG. 30 is a plan view showing the surface side of the insulating substrate of the fuse element according to the reference example. 図31は、図30のA−A’断面図である。31 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 30. 図32は、図30に示すヒューズ素子の絶縁基板の裏面側を示す底面図である。32 is a bottom view showing the back side of the insulating substrate of the fuse element shown in FIG.

以下、本発明が適用されたヒューズ素子について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。   Hereinafter, a fuse element to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Further, the drawings are schematic, and the ratio of each dimension may be different from the actual one. Specific dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

本発明が適用されたヒューズ素子は、絶縁基板と、絶縁基板の表面に形成された第1の電極及び第2の電極と、第1、第2の電極間にわたって接続された可溶導体と、絶縁基板の裏面に形成され、通電により発熱し可溶導体を溶断する発熱体と、絶縁基板の裏面に形成された裏面電極とを備え、発熱体と裏面電極とが絶縁層を介して重畳されている。   A fuse element to which the present invention is applied includes an insulating substrate, a first electrode and a second electrode formed on the surface of the insulating substrate, a fusible conductor connected between the first and second electrodes, A heating element that is formed on the back surface of the insulating substrate and that generates heat when energized and melts the fusible conductor, and a back electrode formed on the back surface of the insulating substrate. The heating element and the back electrode are overlapped via an insulating layer. ing.

絶縁基板の裏面において発熱体と重畳される裏面電極は、例えば、発熱体と接続され、発熱体への通電経路を構成する発熱体引出電極である。また、裏面電極は、第1、第2の電極と接続され、回路基板に実装される第1、第2の実装電極である。あるいは、裏面電極は、発熱体引出電極及び第1、第2の実装電極である。その他、裏面電極は、通電を目的としない放熱用や回路基板への接着用の電極であってもよい。   The back surface electrode overlapped with the heating element on the back surface of the insulating substrate is, for example, a heating element extraction electrode that is connected to the heating element and constitutes an energization path to the heating element. The back electrode is a first and second mounting electrode connected to the first and second electrodes and mounted on the circuit board. Alternatively, the back electrode is a heating element extraction electrode and first and second mounting electrodes. In addition, the back electrode may be an electrode for heat dissipation or adhesion to a circuit board that is not intended to be energized.

[第1の実施の形態]
図1及び図2に、裏面電極である発熱体引出電極と発熱体とを重畳させたヒューズ素子1を示す。図1に示すヒューズ素子1は、絶縁基板10と、絶縁基板10の表面10aに形成された第1の電極11及び第2の電極12と、絶縁基板10の表面10aに形成されるとともに裏面10bに形成された発熱体14と電気的に接続された中間電極16と、両端が第1、第2の電極11,12にそれぞれ接続され、中央部が中間電極16に接続された可溶導体13と、絶縁基板10の裏面10bに積層され、中間電極16及び発熱体14と接続された発熱体引出電極15と、絶縁層17を介して発熱体引出電極15に積層された発熱体14と、絶縁基板10の裏面10bに形成され、第1の電極11と電気的に接続された第1の実装電極18及び第2の電極12と電気的に接続された第2の実装電極19とを備える。
[First Embodiment]
1 and 2 show a fuse element 1 in which a heating element extraction electrode as a back electrode and a heating element are superimposed. The fuse element 1 shown in FIG. 1 is formed on the insulating substrate 10, the first electrode 11 and the second electrode 12 formed on the front surface 10a of the insulating substrate 10, the front surface 10a of the insulating substrate 10, and the back surface 10b. An intermediate electrode 16 electrically connected to the heating element 14 formed on the inner surface of the heat generating element 14, a fusible conductor 13 having both ends connected to the first and second electrodes 11 and 12, and a central portion connected to the intermediate electrode 16. A heating element extraction electrode 15 stacked on the back surface 10b of the insulating substrate 10 and connected to the intermediate electrode 16 and the heating element 14, and a heating element 14 stacked on the heating element extraction electrode 15 via the insulating layer 17, A first mounting electrode 18 formed on the back surface 10b of the insulating substrate 10 and electrically connected to the first electrode 11 and a second mounting electrode 19 electrically connected to the second electrode 12 are provided. .

絶縁基板10は、たとえば、アルミナ、アルミナセラミック、ガラスセラミックス、ムライト、ジルコニアなどの絶縁性を有する部材によって略方形状に形成される。絶縁基板10は、その他にも、ガラスエポキシ基板、フェノール基板等のプリント配線基板に用いられる材料を用いてもよい。また、ヒューズ素子1は、搭載される電気機器の小型化等に伴う要請から小型化が図られ、絶縁基板10が例えば3mm×2mm、厚さ0.3mmの大きさとされている。   The insulating substrate 10 is formed in a substantially rectangular shape by an insulating member such as alumina, alumina ceramic, glass ceramics, mullite, zirconia. In addition, the insulating substrate 10 may be made of a material used for a printed wiring board such as a glass epoxy board or a phenol board. In addition, the fuse element 1 is reduced in size due to demands associated with downsizing of electric devices to be mounted, and the insulating substrate 10 has a size of, for example, 3 mm × 2 mm and a thickness of 0.3 mm.

[第1、第2の電極]
第1、第2の電極11,12は、絶縁基板10の表面10a上に、相対向する側縁近傍にそれぞれ離間して配置されることにより開放され、後述する可溶導体13が搭載されることにより、可溶導体13を介して電気的に接続されている。また、第1、第2の電極11,12は、ヒューズ素子1に定格を超える大電流が流れ可溶導体13が自己発熱(ジュール熱)によって溶断し、あるいは発熱体14が通電に伴って発熱し可溶導体13が溶断することにより、遮断される。
[First and second electrodes]
The first and second electrodes 11 and 12 are opened by being spaced apart from each other in the vicinity of opposite side edges on the surface 10a of the insulating substrate 10, and a soluble conductor 13 to be described later is mounted. Thus, they are electrically connected via the soluble conductor 13. Further, the first and second electrodes 11 and 12 generate a large current exceeding the rating through the fuse element 1 and the fusible conductor 13 is melted by self-heating (Joule heat), or the heating element 14 generates heat when energized. The fusible conductor 13 is cut off by fusing.

図2(A)に示すように、第1、第2の電極11,12は、それぞれ、絶縁基板10を貫通するスルーホール20を介して裏面10bに設けられた第1、第2の実装電極18,19と接続されている。第1、第2の電極11,12及び第1、第2の実装電極18,19間を接続するスルーホール20は、ヒューズ素子1の通電経路の一部を構成し、電流定格を決める要素となることから、所定の寸法(例えば0.3mmφ)を有し、内部に第1の電極11と第1の実装電極18、第2の電極12と第2の実装電極19とを接続する導電層が形成されている。   As shown in FIG. 2A, the first and second electrodes 11 and 12 are first and second mounting electrodes provided on the back surface 10b through a through hole 20 penetrating the insulating substrate 10, respectively. 18 and 19 are connected. The through holes 20 connecting the first and second electrodes 11 and 12 and the first and second mounting electrodes 18 and 19 constitute a part of the energization path of the fuse element 1 and determine the current rating. Therefore, the conductive layer has a predetermined dimension (for example, 0.3 mmφ) and connects the first electrode 11 and the first mounting electrode 18, and the second electrode 12 and the second mounting electrode 19 inside. Is formed.

第1、第2の実装電極18,19は、ヒューズ素子1が実装される保護回路等の回路基板に接続される外部接続電極であり、絶縁基板10の裏面10bに、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側に離間して形成されている。ヒューズ素子1は、これら第1、第2の実装電極18,19を介して外部回路が形成された回路基板と接続され、第1の実装電極18、スルーホール20、第1の電極11、可溶導体13、第2の電極12、スルーホール20、第2の実装電極19にわたる経路が、当該外部回路の通電経路の一部を構成する。   The first and second mounting electrodes 18 and 19 are external connection electrodes that are connected to a circuit board such as a protection circuit on which the fuse element 1 is mounted. The first and second mounting electrodes 18 and 19 The second side edges 10c and 10d are separated from each other. The fuse element 1 is connected to the circuit board on which an external circuit is formed via the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the first mounting electrode 18, the through hole 20, the first electrode 11, A path extending from the molten conductor 13, the second electrode 12, the through hole 20, and the second mounting electrode 19 constitutes a part of the energization path of the external circuit.

なお、第1、第2の実装電極18,19は、スルーホール20に代えて、又はスルーホール20ともに絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10dにキャスタレーションを設け、当該キャスタレーションを介しても第1、第2の電極11,12と導通させてもよい。また、第1、第2の実装電極18,19は、スルーホール20やキャスタレーションを介して導通を取るスペースを確保するとともに回路基板への接続面積を広げて接続強度や所定の定格を確保するために、十分な面積を備え、また、素子全体のヒューズ抵抗の低抵抗化(例えば7mΩ)が図られている。   The first and second mounting electrodes 18 and 19 are provided with castellations on the first and second side edges 10c and 10d of the insulating substrate 10 in place of the through holes 20 or together with the through holes 20, and the casters The first and second electrodes 11 and 12 may be electrically connected to each other even through the connection. Further, the first and second mounting electrodes 18 and 19 secure a connection strength and a predetermined rating by securing a space for conducting through the through hole 20 and the castellation and expanding a connection area to the circuit board. Therefore, a sufficient area is provided, and the resistance of the fuse resistance of the entire element is reduced (for example, 7 mΩ).

第1、第2の電極11,12や第1、第2の実装電極18,19は、CuやAg等の一般的な電極材料を用いて形成することができ、例えば、Ag−Pdペーストを印刷し、850℃30min焼成することにより形成することができる。また、第1、第2の電極11,12や第1、第2の実装電極18,19の表面上には、Ni/Auメッキ、Ni/Pdメッキ、Ni/Pd/Auメッキ等の被膜が、メッキ処理等の公知の手法によりコーティングされていることが好ましい。これにより、ヒューズ素子1は、第1、第2の電極11,12や第1、第2の実装電極18,19の酸化を防止し、導通抵抗の上昇に伴う定格の変動を防止することができる。また、ヒューズ素子1をリフロー実装する場合に、可溶導体13を接続する接続用ハンダあるいは可溶導体13を形成する低融点金属が溶融することにより第1、第2の電極11,12を溶食(ハンダ食われ)するのを防ぐことができ、また、回路基板の電極に第1、第2の実装電極を接続する接続用ハンダが溶融することにより第1、第2の実装電極18,19が溶食されることを防止することができる。   The first and second electrodes 11 and 12 and the first and second mounting electrodes 18 and 19 can be formed using a general electrode material such as Cu or Ag. For example, an Ag—Pd paste is used. It can be formed by printing and baking at 850 ° C. for 30 minutes. Further, on the surfaces of the first and second electrodes 11 and 12 and the first and second mounting electrodes 18 and 19, a coating such as Ni / Au plating, Ni / Pd plating, Ni / Pd / Au plating, or the like is provided. The coating is preferably performed by a known method such as plating. As a result, the fuse element 1 can prevent the first and second electrodes 11 and 12 and the first and second mounting electrodes 18 and 19 from being oxidized, and can prevent a change in rating due to an increase in conduction resistance. it can. Further, when the fuse element 1 is reflow-mounted, the first and second electrodes 11 and 12 are melted by melting the connecting solder for connecting the fusible conductor 13 or the low melting point metal forming the fusible conductor 13. It is possible to prevent erosion (solder erosion), and the first and second mounting electrodes 18, 18 are obtained by melting the connecting solder for connecting the first and second mounting electrodes to the electrodes of the circuit board. 19 can be prevented from being eroded.

また、絶縁基板10の表面10aには、第1、第2の電極11,12間に中間電極16が積層されている。中間電極16は、絶縁基板10の裏面10bに積層された発熱体引出電極15とスルーホール21を介して接続されている。スルーホール21も、内部に発熱体引出電極15と中間電極16とを接続する導電層が形成されている。   An intermediate electrode 16 is laminated on the surface 10 a of the insulating substrate 10 between the first and second electrodes 11 and 12. The intermediate electrode 16 is connected to the heating element extraction electrode 15 stacked on the back surface 10 b of the insulating substrate 10 through the through hole 21. In the through hole 21, a conductive layer that connects the heating element extraction electrode 15 and the intermediate electrode 16 is formed inside.

[可溶導体]
ヒューズ素子1は、第1の電極11、中間電極16、第2の電極12にわたって可溶導体13が接続されている。可溶導体13は、発熱体14の発熱により速やかに溶断される材料からなり、例えばハンダや、Snを主成分とするPbフリーハンダ等の低融点金属を好適に用いることができる。一例として、可溶導体13は、Sn:Sb=95:5、液相点240℃,サイズ1mm×2mmに設計することができる。
[Soluble conductor]
In the fuse element 1, a soluble conductor 13 is connected across the first electrode 11, the intermediate electrode 16, and the second electrode 12. The fusible conductor 13 is made of a material that is quickly melted by the heat generated by the heating element 14, and for example, a low melting point metal such as solder or Pb-free solder whose main component is Sn can be suitably used. As an example, the soluble conductor 13 can be designed to have Sn: Sb = 95: 5, a liquidus point of 240 ° C., and a size of 1 mm × 2 mm.

また、可溶導体13は、In、Pb、Ag、Cu又はこれらのうちのいずれかを主成分とする合金等の高融点金属を用いてもよく、あるいは内層を低融点金属とし外層を高融点金属とする積層体を用いてもよい。高融点金属と低融点金属とを含有することによって、ヒューズ素子1をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属の溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、低融点金属の外部への流出を抑制し、可溶導体13の形状を維持することができ、所定の定格を維持するとともに遮断特性の変動を抑制することができる。また、溶断時も、低融点金属が溶融することにより、高融点金属を溶食(ハンダ食われ)することで、高融点金属の融点以下の温度で速やかに溶断することができる。   The fusible conductor 13 may be made of a high melting point metal such as In, Pb, Ag, Cu, or an alloy containing any of these as a main component, or the inner layer is a low melting point metal and the outer layer is a high melting point. A laminate made of metal may be used. By including the high melting point metal and the low melting point metal, even when the reflow temperature exceeds the melting point of the low melting point metal when the fuse element 1 is reflow mounted, Outflow to the outside can be suppressed, the shape of the soluble conductor 13 can be maintained, a predetermined rating can be maintained, and fluctuations in the cutoff characteristics can be suppressed. In addition, even when fusing, the low melting point metal melts, and the high melting point metal is eroded (soldered), so that the fusing can be quickly performed at a temperature lower than the melting point of the high melting point metal.

可溶導体13は、中間電極16及び第1、第2の電極11,12へ接続されている。可溶導体13は、リフローはんだ付けによって容易に接続することができる。可溶導体13を接続する接続材料としては、ハンダを好適に用いることができ、例えば、Sn/Ag/Cu=96.5/3/0.5、融点219℃の接続はんだペーストを用いることができる。   The fusible conductor 13 is connected to the intermediate electrode 16 and the first and second electrodes 11 and 12. The fusible conductor 13 can be easily connected by reflow soldering. As a connecting material for connecting the soluble conductor 13, solder can be preferably used. For example, a connecting solder paste having Sn / Ag / Cu = 96.5 / 3 / 0.5 and a melting point of 219 ° C. is used. it can.

また、可溶導体13は、酸化防止、濡れ性の向上等のため、フラックスが塗布されていることが好ましい。   Further, the soluble conductor 13 is preferably coated with a flux in order to prevent oxidation and improve wettability.

絶縁基板10の裏面10bには、発熱体14と、発熱体引出電極15と、第1、第2の実装電極18,19と、発熱体電極23とが形成され、発熱体14と発熱体引出電極15とが絶縁層17を介して重畳されている。   On the back surface 10b of the insulating substrate 10, a heating element 14, a heating element extraction electrode 15, first and second mounting electrodes 18 and 19, and a heating element electrode 23 are formed, and the heating element 14 and the heating element extraction are formed. The electrode 15 overlaps with the insulating layer 17.

[発熱体引出電極]
発熱体引出電極15は、絶縁基板10の裏面10bに、絶縁基板の第3の側縁10eから中央に向かって形成されている。また、発熱体引出電極15は、CuやAg等の一般的な電極材料を用いて形成することができ、例えば、Ag−Pdペーストを印刷し、850℃30min焼成することにより形成することができる。また、発熱体引出電極15は、発熱体14の一端と接続されるとともに、スルーホール21を介して絶縁基板10の表面10aに形成された中間電極16と接続されている。
[Heating element extraction electrode]
The heating element extraction electrode 15 is formed on the back surface 10b of the insulating substrate 10 from the third side edge 10e of the insulating substrate toward the center. The heating element extraction electrode 15 can be formed using a general electrode material such as Cu or Ag. For example, the heating element extraction electrode 15 can be formed by printing an Ag—Pd paste and baking it at 850 ° C. for 30 minutes. . The heating element extraction electrode 15 is connected to one end of the heating element 14 and is connected to the intermediate electrode 16 formed on the surface 10 a of the insulating substrate 10 through the through hole 21.

なお、発熱体引出電極15は、スルーホール21に代えて、又はスルーホール21ともに絶縁基板10の第3の側縁10eにキャスタレーションを設け、当該キャスタレーションを介しても中間電極16と導通させてもよい。   The heating element lead-out electrode 15 is provided with a castellation on the third side edge 10e of the insulating substrate 10 in place of the through-hole 21 or together with the through-hole 21, and is electrically connected to the intermediate electrode 16 through the castellation. May be.

[発熱体]
発熱体14は、通電すると発熱する導電性を有する部材であって、たとえばW、Mo、Ru、Cu、Ag、あるいはこれらを主成分とする合金等からなる。発熱体14は、これらの合金あるいは組成物、化合物の粉状体を樹脂バインダ等と混合して、ペースト状にしたものをスクリーン印刷技術を用いてパターン形成して、焼成(例えば850℃30min)する等によって形成することができる。パターン形成された発熱体14の抵抗値は例えば1Ωとされている。また、発熱体14は、一端が発熱体引出電極15と接続され、他端が発熱体電極23と接続されている。
[Heating element]
The heating element 14 is a conductive member that generates heat when energized, and is made of, for example, W, Mo, Ru, Cu, Ag, or an alloy containing these as main components. The heating element 14 is formed by mixing a powdery body of these alloys, compositions, or compounds with a resin binder, and forming a paste using a screen printing technique, followed by firing (for example, 850 ° C. for 30 minutes). Or the like. The resistance value of the patterned heating element 14 is, for example, 1Ω. The heating element 14 has one end connected to the heating element extraction electrode 15 and the other end connected to the heating element electrode 23.

発熱体14は、ヒューズ素子1が回路基板に実装されることにより、発熱体電極23を介して回路基板に形成された外部回路と接続される。そして、発熱体14は、外部回路の通電経路を遮断する所定のタイミングで発熱体電極23を介して通電され、発熱することにより、第1、第2の電極11,12を接続している可溶導体13を溶断することができる。また、発熱体14は、可溶導体13が溶断することにより、自身の通電経路も遮断されることから発熱が停止する。   The heating element 14 is connected to an external circuit formed on the circuit board via the heating element electrode 23 by mounting the fuse element 1 on the circuit board. The heating element 14 is connected to the first and second electrodes 11 and 12 by being energized and generating heat through a heating element electrode 23 at a predetermined timing to cut off the energization path of the external circuit. The molten conductor 13 can be blown. Moreover, since the heat generating body 14 also cut | disconnects its energization path | route when the soluble conductor 13 blows, heat_generation | fever stops.

ここで、ヒューズ素子1は、発熱体引出電極15の一部を覆うように絶縁層17が配設され、この絶縁層17を介して発熱体14が発熱体引出電極15上に重畳されている。絶縁層17を構成する絶縁材料としては、例えば熱伝導効率のよいガラスを用いることができ、発熱体引出電極15を形成した後、ガラスペーストを印刷、焼成(例えば850℃30min)することにより形成することができる。発熱体14は、絶縁層17を形成した後、絶縁基板10の裏面10b上及び絶縁層17上に積層されるとともに、絶縁層17を介して発熱体引出電極15と重畳され、発熱体引出電極15の絶縁層17に被覆されていない一部と接続されている。   Here, in the fuse element 1, an insulating layer 17 is disposed so as to cover a part of the heating element extraction electrode 15, and the heating element 14 is superimposed on the heating element extraction electrode 15 via the insulation layer 17. . As the insulating material constituting the insulating layer 17, for example, glass having good heat conduction efficiency can be used. After the heating element extraction electrode 15 is formed, the glass paste is printed and baked (for example, 850 ° C. for 30 minutes). can do. After the insulating layer 17 is formed, the heating element 14 is laminated on the back surface 10b and the insulating layer 17 of the insulating substrate 10, and is superimposed on the heating element extraction electrode 15 via the insulating layer 17, thereby generating the heating element extraction electrode. It is connected to a part not covered with 15 insulating layers 17.

ヒューズ素子1は、発熱体14と発熱体引出電極15とが絶縁層17を介して重畳されることにより、小型化された絶縁基板10において、発熱体14の形成スペースを大きく確保することができる。したがって、ヒューズ素子1は、発熱体14の有効面積を最大化させることができ、可溶導体13を速やかに、かつ安定して溶断することができる。例えば、ヒューズ素子1は、絶縁基板のサイズを3mm×2mmまで小型する場合を想定すると、発熱体14のサイズは例えば0.8mm×1.2mmと大型化することができる。なお、本発明はあらゆるサイズの絶縁基板において、あらゆるサイズの発熱体を形成することができることはもちろんである。   In the fuse element 1, the heating element 14 and the heating element lead-out electrode 15 are overlapped via the insulating layer 17, so that a large space for forming the heating element 14 can be secured in the miniaturized insulating substrate 10. . Therefore, the fuse element 1 can maximize the effective area of the heating element 14, and can melt the soluble conductor 13 quickly and stably. For example, assuming that the size of the insulating substrate is reduced to 3 mm × 2 mm in the fuse element 1, the size of the heating element 14 can be increased to, for example, 0.8 mm × 1.2 mm. Of course, the present invention can form a heating element of any size on an insulating substrate of any size.

なお、発熱体14は、発熱体引出電極15に形成されたスルーホール21の一部又は全部と重畳されていることが好ましい。発熱体14とスルーホール21とが重畳することにより、発熱体14の熱がスルーホール21を介しても中間電極16及び中間電極16上に搭載されている可溶導体13に伝わり、速やかに可溶導体13を溶断することができる。   Note that the heating element 14 is preferably overlapped with a part or all of the through hole 21 formed in the heating element extraction electrode 15. Since the heating element 14 and the through hole 21 overlap, the heat of the heating element 14 is transmitted to the intermediate electrode 16 and the fusible conductor 13 mounted on the intermediate electrode 16 through the through hole 21 and can be quickly made. The molten conductor 13 can be blown.

また、ヒューズ素子1は、さらに発熱体14を保護する保護層(図示せず)を設けてもよい。保護層は、ガラス等の絶縁部材を好適に用いることができる。これにより、ヒューズ素子1は、周辺機器等とのショートを防止するとともに、発熱体14の摩耗や損傷を防止でき、取扱い性を向上することができる。   Further, the fuse element 1 may further be provided with a protective layer (not shown) for protecting the heating element 14. An insulating member such as glass can be suitably used for the protective layer. As a result, the fuse element 1 can prevent short-circuiting with peripheral devices and the like, and can prevent wear and damage of the heating element 14 and improve handling.

なお、ヒューズ素子1は、図2(B)に示すように、絶縁基板10の表面10a上に、内部を保護するキャップ24が搭載されている。これにより、ヒューズ素子1は、溶融した可溶導体13の飛散を防止するとともに、周辺機器等とのショートを防止することができる。キャップ24は、ナイロンやLCP樹脂(液晶ポリマー)等の合成樹脂により形成することができる。なお、キャップ24は、絶縁基板10のサイズに応じた寸法に形成され、例えば2.8×1.8、厚さ0.5mmの大きさとされている。   As shown in FIG. 2B, the fuse element 1 has a cap 24 that protects the inside on the surface 10 a of the insulating substrate 10. Thereby, the fuse element 1 can prevent the molten soluble conductor 13 from being scattered and can prevent a short circuit with a peripheral device or the like. The cap 24 can be formed of a synthetic resin such as nylon or LCP resin (liquid crystal polymer). The cap 24 is formed in a size corresponding to the size of the insulating substrate 10 and has a size of, for example, 2.8 × 1.8 and a thickness of 0.5 mm.

[ヒューズ素子の使用方法]
このようなヒューズ素子1は、図3に示すように、例えばリチウムイオン二次電池のバッテリパック30内の回路に組み込まれて用いられる。バッテリパック30は、例えば、合計4個のリチウムイオン二次電池のバッテリセル31〜34からなるバッテリスタック35を有する。
[How to use fuse elements]
As shown in FIG. 3, such a fuse element 1 is used by being incorporated in a circuit in a battery pack 30 of a lithium ion secondary battery, for example. The battery pack 30 includes, for example, a battery stack 35 including battery cells 31 to 34 of a total of four lithium ion secondary batteries.

バッテリパック30は、バッテリスタック35と、バッテリスタック35の充放電を制御する充放電制御回路40と、バッテリスタック35の異常時に充電を遮断する本発明が適用されたヒューズ素子1と、各バッテリセル31〜34の電圧を検出する検出回路36と、検出回路36の検出結果に応じてヒューズ素子1の動作を制御する電流制御素子37とを備える。   The battery pack 30 includes a battery stack 35, a charge / discharge control circuit 40 that controls charging / discharging of the battery stack 35, a fuse element 1 to which the present invention that cuts off charging when the battery stack 35 is abnormal, and each battery cell A detection circuit 36 that detects the voltages 31 to 34 and a current control element 37 that controls the operation of the fuse element 1 according to the detection result of the detection circuit 36 are provided.

バッテリスタック35は、過充電及び過放電状態から保護するための制御を要するバッテリセル31〜34が直列接続されたものであり、バッテリパック30の正極端子30a、負極端子30bを介して、着脱可能に充電装置45に接続され、充電装置45からの充電電圧が印加される。充電装置45により充電されたバッテリパック30の正極端子30a、負極端子30bをバッテリで動作する電子機器に接続することによって、この電子機器を動作させることができる。   The battery stack 35 is formed by connecting battery cells 31 to 34 that need to be controlled for protection from overcharge and overdischarge states, and is detachable via the positive electrode terminal 30a and the negative electrode terminal 30b of the battery pack 30. Are connected to the charging device 45, and a charging voltage from the charging device 45 is applied thereto. The electronic device can be operated by connecting the positive electrode terminal 30a and the negative electrode terminal 30b of the battery pack 30 charged by the charging device 45 to an electronic device operating with a battery.

充放電制御回路40は、バッテリスタック35から充電装置45に流れる電流経路に直列接続された2つの電流制御素子41、42と、これらの電流制御素子41、42の動作を制御する制御部43とを備える。電流制御素子41、42は、たとえば電界効果トランジスタ(以下、FETと呼ぶ。)により構成され、制御部43によりゲート電圧を制御することによって、バッテリスタック35の電流経路の充電方向及び/又は放電方向への導通と遮断とを制御する。制御部43は、充電装置45から電力供給を受けて動作し、検出回路36による検出結果に応じて、バッテリスタック35が過放電又は過充電であるとき、電流経路を遮断するように、電流制御素子41、42の動作を制御する。   The charge / discharge control circuit 40 includes two current control elements 41 and 42 connected in series to a current path flowing from the battery stack 35 to the charging device 45, and a control unit 43 that controls the operation of these current control elements 41 and 42. Is provided. The current control elements 41 and 42 are configured by, for example, field effect transistors (hereinafter referred to as FETs), and the gate voltage is controlled by the control unit 43, whereby the charging direction and / or the discharging direction of the current path of the battery stack 35. Controls continuity and shut-off. The control unit 43 operates by receiving power supply from the charging device 45, and controls the current so as to cut off the current path when the battery stack 35 is overdischarged or overcharged according to the detection result by the detection circuit 36. The operation of the elements 41 and 42 is controlled.

ヒューズ素子1は、たとえば、バッテリスタック35と充放電制御回路40との間の充放電電流経路上に接続され、その動作が電流制御素子37によって制御される。   The fuse element 1 is connected, for example, on a charge / discharge current path between the battery stack 35 and the charge / discharge control circuit 40, and its operation is controlled by the current control element 37.

検出回路36は、各バッテリセル31〜34と接続され、各バッテリセル31〜34の電圧値を検出して、各電圧値を充放電制御回路40の制御部43に供給する。また、検出回路36は、いずれか1つのバッテリセル31〜34が過充電電圧又は過放電電圧になったときに電流制御素子37を制御する制御信号を出力する。   The detection circuit 36 is connected to each of the battery cells 31 to 34, detects the voltage value of each of the battery cells 31 to 34, and supplies each voltage value to the control unit 43 of the charge / discharge control circuit 40. The detection circuit 36 outputs a control signal for controlling the current control element 37 when any one of the battery cells 31 to 34 becomes an overcharge voltage or an overdischarge voltage.

電流制御素子37は、たとえばFETにより構成され、検出回路36から出力される検出信号によって、バッテリセル31〜34の電圧値が所定の過放電又は過充電状態を超える電圧になったとき、ヒューズ素子1を動作させて、バッテリスタック35の充放電電流経路を電流制御素子41、42のスイッチ動作によらず遮断するように制御する。   The current control element 37 is composed of, for example, an FET, and when the voltage value of the battery cells 31 to 34 exceeds a predetermined overdischarge or overcharge state by the detection signal output from the detection circuit 36, the fuse element 1 is operated to control the charge / discharge current path of the battery stack 35 to be cut off regardless of the switching operation of the current control elements 41 and 42.

以上のような構成からなるバッテリパック30において、本発明が適用されたヒューズ素子1は、図4に示すような回路構成を有する。すなわち、ヒューズ素子1は、中間電極16を介して直列接続された可溶導体13と、発熱体引出電極15、中間電極16及び可溶導体13を経由して通電して発熱させることによって可溶導体13を溶融する発熱体14とからなる回路構成である。また、ヒューズ素子1では、例えば、可溶導体13が充放電電流経路上に直列接続され、発熱体14が発熱体電極23を介して電流制御素子37と接続される。ヒューズ素子1の2個の電極11,12のうち、一方は、バッテリスタック35の一方の開放端に接続され、他方は、バッテリパック30の正極端子30a側に接続される。   In the battery pack 30 having the above configuration, the fuse element 1 to which the present invention is applied has a circuit configuration as shown in FIG. That is, the fuse element 1 is fusible by generating heat by energizing the fusible conductor 13 connected in series via the intermediate electrode 16 and the heating element lead-out electrode 15, the intermediate electrode 16 and the fusible conductor 13. The circuit configuration includes a heating element 14 that melts the conductor 13. In the fuse element 1, for example, the fusible conductor 13 is connected in series on the charge / discharge current path, and the heating element 14 is connected to the current control element 37 via the heating element electrode 23. Of the two electrodes 11, 12 of the fuse element 1, one is connected to one open end of the battery stack 35, and the other is connected to the positive electrode terminal 30 a side of the battery pack 30.

このような回路構成からなるヒューズ素子1は、発熱体14の発熱により可溶導体13を溶断することにより、確実に電流経路を遮断することができる。   The fuse element 1 having such a circuit configuration can cut off the current path with certainty by fusing the fusible conductor 13 by the heat generated by the heating element 14.

なお、本発明の保護素子は、リチウムイオン二次電池のバッテリパックに用いる場合に限らず、電気信号による電流経路の遮断を必要とする様々な用途にももちろん応用可能である。   The protection element of the present invention is not limited to use in a battery pack of a lithium ion secondary battery, and can of course be applied to various uses that require interruption of a current path by an electric signal.

[第2の実施の形態]
次いで、本発明が適用されたヒューズ素子の他の実施例について説明する。本発明が適用されたヒューズ素子は、裏面電極である第1、第2の実装電極と発熱体とを重畳させてもよい。なお、以下に説明するヒューズ素子50,55において、上述したヒューズ素子1と同一の部材については同一の符号を付してその詳細を省略する。図5(A)(B)に示すヒューズ素子50は、発熱体14と第1、第2の実装電極18,19とが第1、第2の絶縁層51,52を介して重畳されている点でヒューズ素子1と相違する。
[Second Embodiment]
Next, another embodiment of the fuse element to which the present invention is applied will be described. In the fuse element to which the present invention is applied, the first and second mounting electrodes, which are back electrodes, and the heating element may be overlapped. In the fuse elements 50 and 55 described below, the same members as those of the above-described fuse element 1 are denoted by the same reference numerals, and the details thereof are omitted. In the fuse element 50 shown in FIGS. 5A and 5B, the heating element 14 and the first and second mounting electrodes 18 and 19 are overlapped via the first and second insulating layers 51 and 52. This is different from the fuse element 1 in that respect.

ヒューズ素子50における第1、第2の実装電極18,19は、それぞれ絶縁基板10の裏面10bに積層された下層部18a,19aと第2の絶縁層52上に積層された上層部18b,19bとを有する。下層部18a,19aは、絶縁基板10の裏面10bに、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10dに側に離間して形成されている。下層部18a,19aは、CuやAg等の一般的な電極材料を用いて形成することができ、例えば、Ag−Pdペーストを印刷し、850℃30min焼成することにより形成することができる。また、下層部18a,19aは、それぞれ、絶縁基板10を貫通するスルーホール20を介して第1、第2の電極11,12と接続されている。   The first and second mounting electrodes 18 and 19 in the fuse element 50 are respectively provided in lower layer portions 18a and 19a stacked on the back surface 10b of the insulating substrate 10 and upper layer portions 18b and 19b stacked on the second insulating layer 52. And have. The lower layer portions 18a and 19a are formed on the back surface 10b of the insulating substrate 10 so as to be spaced apart from the first and second side edges 10c and 10d of the insulating substrate 10. The lower layer portions 18a and 19a can be formed using a general electrode material such as Cu or Ag. For example, the lower layer portions 18a and 19a can be formed by printing an Ag—Pd paste and baking at 850 ° C. for 30 minutes. The lower layer portions 18 a and 19 a are connected to the first and second electrodes 11 and 12 through the through holes 20 penetrating the insulating substrate 10, respectively.

また、下層部18a,19aは、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側の一部を除き、第1の絶縁層51によって被覆されている。第1の絶縁層51を構成する絶縁材料としては、例えば熱伝導効率のよいガラスを用いることができ、ガラスペーストを印刷、焼成(例えば850℃30min)することにより形成することができる。   The lower layer portions 18 a and 19 a are covered with the first insulating layer 51 except for a part of the insulating substrate 10 on the first and second side edges 10 c and 10 d side. As the insulating material constituting the first insulating layer 51, for example, glass having good heat conduction efficiency can be used, and it can be formed by printing and baking (for example, 850 ° C. for 30 minutes) a glass paste.

そして、ヒューズ素子50は、この第1の絶縁層51を介して第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aと発熱体14とが重畳されている。発熱体14は、絶縁基板10の裏面10b上に積層されるとともに、絶縁基板10の裏面10bに形成された発熱体引出電極15及び発熱体電極23と接続されている。また、発熱体14は、第2の絶縁層52が積層されている。第2の絶縁層52は、発熱体14の面積以上の面積を有し、発熱体14の全体を被覆する。第2の絶縁層52を構成する絶縁材料としては、例えば熱伝導効率のよいガラスを用いることができ、ガラスペーストを印刷、焼成(例えば850℃30min)することにより形成することができる。そして、ヒューズ素子50は、この第2の絶縁層52を介して第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bが発熱体14上に重畳されている。発熱体14は、第1、第2の絶縁層51,52を介して第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19a及び上層部18b,19bと重畳されることにより、第1、第2の実装電極18,19と絶縁されている。   In the fuse element 50, the lower layer portions 18 a and 19 a of the first and second mounting electrodes 18 and 19 and the heating element 14 are superposed via the first insulating layer 51. The heating element 14 is laminated on the back surface 10 b of the insulating substrate 10 and is connected to the heating element extraction electrode 15 and the heating element electrode 23 formed on the back surface 10 b of the insulating substrate 10. The heating element 14 has a second insulating layer 52 laminated thereon. The second insulating layer 52 has an area equal to or larger than the area of the heating element 14 and covers the entire heating element 14. As the insulating material constituting the second insulating layer 52, for example, glass having good heat conduction efficiency can be used, and it can be formed by printing and baking (for example, 850 ° C. for 30 minutes) a glass paste. In the fuse element 50, the upper layer portions 18 b and 19 b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are superimposed on the heating element 14 via the second insulating layer 52. The heating element 14 is superimposed on the lower layer portions 18a and 19a and the upper layer portions 18b and 19b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 through the first and second insulating layers 51 and 52, thereby Insulated from the first and second mounting electrodes 18 and 19.

上層部18b,19bは、第1の絶縁層51より露出されている下層部18a,19aと接続されている。また、上層部18b,19bは、ヒューズ素子50が実装される保護回路等の回路基板に接続される外部接続電極である。ヒューズ素子50は、これら第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bを介して外部回路が形成された回路基板と接続され、上層部18b、下層部18a、スルーホール20、第1の電極11、可溶導体13、第2の電極12、スルーホール20、下層部19a、上層部19bにわたる経路が、当該外部回路の通電経路の一部を構成する。   The upper layer portions 18 b and 19 b are connected to the lower layer portions 18 a and 19 a exposed from the first insulating layer 51. The upper layer portions 18b and 19b are external connection electrodes connected to a circuit board such as a protection circuit on which the fuse element 50 is mounted. The fuse element 50 is connected to a circuit board on which an external circuit is formed via the upper layer portions 18b and 19b of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the upper layer portion 18b, the lower layer portion 18a, the through hole 20, The path extending from the first electrode 11, the fusible conductor 13, the second electrode 12, the through hole 20, the lower layer part 19a, and the upper layer part 19b constitutes a part of the energization path of the external circuit.

このようなヒューズ素子50は、発熱体14と第1、第2の実装電極18,19の上下層部18a,18b,19a,19bとが第1、第2の絶縁層51,52を介して重畳されることにより、小型化された絶縁基板10において、発熱体14の形成スペースを大きく確保することができる。したがって、ヒューズ素子50は、発熱体14の有効面積を最大化させることができ、可溶導体13を速やかに、かつ安定して溶断することができる。また、ヒューズ素子50は、第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bの十分な面積を確保することができ、回路基板への実装面積を最大限に広げて接続強度や所定の定格を備えることができる。   In such a fuse element 50, the heating element 14 and the upper and lower layer portions 18a, 18b, 19a, 19b of the first and second mounting electrodes 18, 19 are interposed via the first and second insulating layers 51, 52. By overlapping, it is possible to secure a large space for forming the heating element 14 in the downsized insulating substrate 10. Therefore, the fuse element 50 can maximize the effective area of the heating element 14, and can melt the soluble conductor 13 quickly and stably. Further, the fuse element 50 can secure a sufficient area of the upper layer portions 18b and 19b of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the mounting area on the circuit board can be maximized to increase the connection strength and A predetermined rating can be provided.

なお、発熱体14は、下層部18a,19aに形成されたスルーホール20の一部又は全部と重畳されていることが好ましい。発熱体14とスルーホール20とが重畳することにより、発熱体14の熱がスルーホール20を介しても第1、第2の電極11,12及び第1、第2の電極11,12上に搭載されている可溶導体13に伝わり、速やかに可溶導体13を溶断することができる。   In addition, it is preferable that the heat generating body 14 overlaps with part or all of the through holes 20 formed in the lower layer portions 18a and 19a. Since the heating element 14 and the through hole 20 overlap each other, the heat of the heating element 14 can be applied to the first and second electrodes 11 and 12 and the first and second electrodes 11 and 12 through the through hole 20. The fusible conductor 13 is transmitted to the mounted fusible conductor 13 and can be blown out quickly.

また、第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aは、スルーホール20に代えて、又はスルーホール20ともに絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10dにキャスタレーションを設け、当該キャスタレーションを介しても第1、第2の電極11,12と導通させてもよい。   Further, the lower layer portions 18a and 19a of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are cast on the first and second side edges 10c and 10d of the insulating substrate 10 in place of the through hole 20 or together with the through hole 20. The first and second electrodes 11 and 12 may be conducted through the castellation.

なお、ヒューズ素子50は、第1の絶縁層51が、図5(B)に示すように下層部18a,19aのそれぞれに設けられ、各第1の絶縁層51上間にわたって発熱体14が重畳されているが、一つの第1の絶縁層51を下層部18a,19a間にわたって設け、発熱体14の全体が第1の絶縁層51上に形成されるようにしてもよい。絶縁基板10の裏面10bと発熱体14との間にも第1の絶縁層51が設けられることにより、発熱体の熱を効率よく絶縁基板10側に伝熱させることができる。   In the fuse element 50, the first insulating layer 51 is provided in each of the lower layer portions 18 a and 19 a as shown in FIG. 5B, and the heating element 14 is overlapped between the first insulating layers 51. However, one first insulating layer 51 may be provided between the lower layer portions 18 a and 19 a so that the entire heating element 14 is formed on the first insulating layer 51. By providing the first insulating layer 51 between the back surface 10b of the insulating substrate 10 and the heating element 14, the heat of the heating element can be efficiently transferred to the insulating substrate 10 side.

このようなヒューズ素子50は、図6〜図9に示す工程により製造することができる。先ず、図6に示すように、絶縁基板10の裏面10bに発熱体引出電極15、第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19a及び発熱体電極23を形成する。次いで、下層部18a,19a上に、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側の一部を除いて、第1の絶縁層51を形成する。   Such a fuse element 50 can be manufactured by the steps shown in FIGS. First, as shown in FIG. 6, the heating element extraction electrode 15, the lower layer portions 18 a and 19 a of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the heating element electrode 23 are formed on the back surface 10 b of the insulating substrate 10. Next, the first insulating layer 51 is formed on the lower layer portions 18a and 19a except for a part of the insulating substrate 10 on the first and second side edges 10c and 10d side.

次いで、図7に示すように、発熱体14を形成する。発熱体14は、第1の絶縁層51上に形成されることにより下層部18a,19aと重畳される。また、発熱体14は、発熱体引出電極15及び発熱体電極23と接続される。   Next, as shown in FIG. 7, a heating element 14 is formed. The heating element 14 is formed on the first insulating layer 51 so as to overlap the lower layer portions 18a and 19a. The heating element 14 is connected to the heating element extraction electrode 15 and the heating element electrode 23.

次いで、図8に示すように、発熱体14上に第2の絶縁層52を形成する。第2の絶縁層52は、発熱体14の全体を覆うとともに、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側の一部を除いて、下層部18a,19aを露出させている。   Next, as shown in FIG. 8, the second insulating layer 52 is formed on the heating element 14. The second insulating layer 52 covers the entire heating element 14 and exposes the lower layer portions 18a and 19a except for a part of the insulating substrate 10 on the first and second side edges 10c and 10d side. .

そして、図9に示すように、第2の絶縁層52の上に第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bを形成する。上層部18b,19bは、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側の一部において、下層部18a,19aと接続される。   Then, as shown in FIG. 9, the upper layer portions 18 b and 19 b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are formed on the second insulating layer 52. The upper layer portions 18b and 19b are connected to the lower layer portions 18a and 19a at a part of the insulating substrate 10 on the first and second side edges 10c and 10d side.

[第3の実施の形態]
また、ヒューズ素子は、図10(A)(B)に示すように、第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aを設けず、キャスタレーション53を介して第1、第2の電極11,12と上層部18b,19bとを接続してもよい。図10に示すヒューズ素子55は、ヒューズ素子50に対して、第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aを備えていない点で相違する。この場合、発熱体14と下層部18a,19aとを絶縁している第1の絶縁層51は設ける必要は無いが、絶縁基板10の裏面10bと発熱体14との間に絶縁層を設けてもよい。
[Third Embodiment]
Further, as shown in FIGS. 10A and 10B, the fuse element does not include the lower layer portions 18a and 19a of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the first and second via the castellation 53. The two electrodes 11 and 12 may be connected to the upper layer portions 18b and 19b. The fuse element 55 shown in FIG. 10 is different from the fuse element 50 in that the lower layer portions 18a and 19a of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are not provided. In this case, it is not necessary to provide the first insulating layer 51 that insulates the heating element 14 and the lower layer portions 18a and 19a, but an insulating layer is provided between the back surface 10b of the insulating substrate 10 and the heating element 14. Also good.

このようなヒューズ素子55は、図11〜図14に示す工程により製造することができる。先ず、図11に示すように、絶縁基板10の裏面10bに発熱体引出電極15及び発熱体電極23を形成する。次いで、図12に示すように、発熱体14を形成する。発熱体14は、発熱体引出電極15及び発熱体電極23と接続される。   Such a fuse element 55 can be manufactured by the steps shown in FIGS. First, as shown in FIG. 11, the heating element extraction electrode 15 and the heating element electrode 23 are formed on the back surface 10 b of the insulating substrate 10. Next, as shown in FIG. 12, a heating element 14 is formed. The heating element 14 is connected to the heating element extraction electrode 15 and the heating element electrode 23.

次いで、図13に示すように、発熱体14上に第2の絶縁層52を形成する。第2の絶縁層52は、発熱体14の全体を覆う。そして、図14に示すように、第2の絶縁層52の上に第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bを形成する。上層部18b,19bは、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10dに形成されたキャスタレーション53を介して、絶縁基板10の表面10aに形成された第1、第2の電極11,12と接続される。   Next, as shown in FIG. 13, a second insulating layer 52 is formed on the heating element 14. The second insulating layer 52 covers the entire heating element 14. Then, as shown in FIG. 14, the upper layer portions 18 b and 19 b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are formed on the second insulating layer 52. The upper layer portions 18b and 19b are formed by first and second electrodes formed on the surface 10a of the insulating substrate 10 through castellations 53 formed on the first and second side edges 10c and 10d of the insulating substrate 10, respectively. 11 and 12 are connected.

[第4の実施の形態]
また、本発明が適用されたヒューズ素子は、裏面電極である発熱体引出電極及び第1、第2の実装電極と発熱体とを重畳させてもよい。なお、以下に説明するヒューズ素子60において、上述したヒューズ素子1及びヒューズ素子50と同一の部材については同一の符号を付してその詳細を省略する。図15(A)(B)に示すヒューズ素子60は、発熱体14と発熱体引出電極15とが第3の絶縁層61を介して重畳され、発熱体14と第1、第2の実装電極18,19とが第3、第4の絶縁層61,62を介して重畳されている点でヒューズ素子1と相違する。
[Fourth Embodiment]
In the fuse element to which the present invention is applied, the heating element extraction electrode as the back electrode and the first and second mounting electrodes may be overlapped with the heating element. In the fuse element 60 described below, the same members as those of the fuse element 1 and the fuse element 50 described above are denoted by the same reference numerals, and the details thereof are omitted. In the fuse element 60 shown in FIGS. 15A and 15B, the heating element 14 and the heating element lead-out electrode 15 are overlapped via a third insulating layer 61, and the heating element 14 and the first and second mounting electrodes are overlapped. 18 and 19 are different from the fuse element 1 in that they are superimposed via third and fourth insulating layers 61 and 62.

ヒューズ素子60における第1、第2の実装電極18,19は、それぞれ絶縁基板10の裏面10bに積層された下層部18a,19aと第4の絶縁層62上に積層された上層部18b,19bとを有する。   The first and second mounting electrodes 18 and 19 in the fuse element 60 are respectively provided in lower layer portions 18a and 19a stacked on the back surface 10b of the insulating substrate 10 and upper layer portions 18b and 19b stacked on the fourth insulating layer 62. And have.

発熱体引出電極15及び下層部18a,19a上には、第3の絶縁層61が積層されている。これにより、発熱体引出電極15は絶縁基板10の第3の側縁10e側の一部を除いて第3の絶縁層61に被覆され、下層部18a,19aは絶縁基板10の第1、第2の側面10c,10d側の一部を除いて第3の絶縁層61によって被覆されている。第3の絶縁層61を構成する絶縁材料としては、例えば熱伝導効率のよいガラスを用いることができ、ガラスペーストを印刷、焼成(例えば850℃30min)することにより形成することができる。そして、ヒューズ素子60は、この第3の絶縁層61を介して発熱体引出電極15及び第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aと発熱体14とが重畳されている。   A third insulating layer 61 is laminated on the heating element extraction electrode 15 and the lower layer portions 18a and 19a. As a result, the heating element extraction electrode 15 is covered with the third insulating layer 61 except for a part of the insulating substrate 10 on the third side edge 10e side, and the lower layer portions 18a and 19a are formed on the first and second layers of the insulating substrate 10. 2 is covered with the third insulating layer 61 except for a part on the side surfaces 10c, 10d side. As the insulating material constituting the third insulating layer 61, for example, glass having high heat conduction efficiency can be used, and it can be formed by printing and baking (for example, 850 ° C. for 30 minutes) a glass paste. In the fuse element 60, the heating element 14 and the lower layer portions 18 a and 19 a of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are superimposed on the heating element 14 via the third insulating layer 61. .

発熱体14は、第3の絶縁層61上に積層されるとともに、第3の絶縁層61に被覆されていない発熱体引出電極15及び絶縁基板10の裏面10bに形成された発熱体電極23と接続されている。また、発熱体14は、第4の絶縁層62が積層されている。第4の絶縁層62は、発熱体14と第1、第2の実装電極18,19との短絡を防止するものであり、少なくとも第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bが形成される領域上の発熱体14を被覆し、好ましくは発熱体14の全体を被覆する。第4の絶縁層62を構成する絶縁材料としては、例えば熱伝導効率のよいガラスを用いることができ、ガラスペーストを印刷、焼成(例えば850℃30min)することにより形成することができる。   The heating element 14 is laminated on the third insulating layer 61, and the heating element extraction electrode 15 not covered with the third insulating layer 61 and the heating element electrode 23 formed on the back surface 10b of the insulating substrate 10; It is connected. The heating element 14 has a fourth insulating layer 62 laminated thereon. The fourth insulating layer 62 prevents a short circuit between the heating element 14 and the first and second mounting electrodes 18 and 19, and at least the upper layer portions 18 b and 18 b of the first and second mounting electrodes 18 and 19. The heating element 14 on the region where 19b is formed is covered, and preferably the entire heating element 14 is covered. As an insulating material constituting the fourth insulating layer 62, for example, glass having high heat conduction efficiency can be used, and it can be formed by printing and baking (for example, 850 ° C. for 30 minutes) a glass paste.

そして、ヒューズ素子60は、この第4の絶縁層62を介して第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bが発熱体14上に重畳されている。発熱体14は、第3、第4の絶縁層61,62を介して第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19a及び上層部18b,19bと重畳されることにより、第1、第2の実装電極18,19と絶縁された状態で重畳されている。   In the fuse element 60, the upper layer portions 18 b and 19 b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are superimposed on the heating element 14 via the fourth insulating layer 62. The heating element 14 is superimposed on the lower layer portions 18a and 19a and the upper layer portions 18b and 19b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 through the third and fourth insulating layers 61 and 62, thereby The first and second mounting electrodes 18 and 19 are superposed in an insulated state.

上層部18b,19bは、第3の絶縁層61より露出されている下層部18a,19aと接続されている。また、上層部18b,19bは、ヒューズ素子60が実装される保護回路等の回路基板に接続される外部接続電極である。ヒューズ素子60は、これら第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bを介して外部回路が形成された回路基板と接続され、上層部18b、下層部18a、スルーホール20、第1の電極11、可溶導体13、第2の電極12、スルーホール20、下層部19a、上層部19bにわたる経路が、当該外部回路の通電経路の一部を構成する。   The upper layer portions 18 b and 19 b are connected to the lower layer portions 18 a and 19 a exposed from the third insulating layer 61. The upper layer portions 18b and 19b are external connection electrodes connected to a circuit board such as a protection circuit on which the fuse element 60 is mounted. The fuse element 60 is connected to a circuit board on which an external circuit is formed via the upper layer portions 18b and 19b of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the upper layer portion 18b, the lower layer portion 18a, the through hole 20, The path extending from the first electrode 11, the fusible conductor 13, the second electrode 12, the through hole 20, the lower layer part 19a, and the upper layer part 19b constitutes a part of the energization path of the external circuit.

このようなヒューズ素子60は、発熱体14と発熱体引出電極15が第3の絶縁層61を介して重畳されるとともに、第1、第2の実装電極18,19の上下層部18ab,19abとが第3、第4の絶縁層61,62を介して重畳されることにより、小型化された絶縁基板10において、発熱体14の形成スペースを大きく確保することができる。したがって、ヒューズ素子60は、発熱体14の有効面積を最大化させることができ、可溶導体13を速やかに、かつ安定して溶断することができる。例えば、ヒューズ素子60は、絶縁基板のサイズを3mm×2mmまで小型する場合を想定すると、発熱体14のサイズは例えば2.5mm×1.4mmと大型化することができる。また、ヒューズ素子60は、第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bの十分な面積を確保することができ、回路基板への実装面積を最大限に広げて接続強度や所定の定格を備えることができる。   In such a fuse element 60, the heating element 14 and the heating element lead-out electrode 15 are overlapped via the third insulating layer 61, and the upper and lower layer portions 18ab, 19ab of the first and second mounting electrodes 18, 19 are overlapped. Are overlapped via the third and fourth insulating layers 61 and 62, so that a large space for forming the heating element 14 can be secured in the miniaturized insulating substrate 10. Therefore, the fuse element 60 can maximize the effective area of the heating element 14, and can melt the soluble conductor 13 quickly and stably. For example, in the fuse element 60, assuming that the size of the insulating substrate is reduced to 3 mm × 2 mm, the size of the heating element 14 can be increased to, for example, 2.5 mm × 1.4 mm. In addition, the fuse element 60 can secure a sufficient area of the upper layer portions 18b and 19b of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and maximizes the mounting area on the circuit board, A predetermined rating can be provided.

なお、発熱体14は、発熱体引出電極15及び下層部18a,19aに形成されたスルーホール20,21の一部又は全部と重畳されていることが好ましい。発熱体14とスルーホール20,21とが重畳することにより、発熱体14の熱がスルーホール20,21を介しても第1、第2の電極11,12、中間電極16及び第1、第2の電極11,12、中間電極16上に搭載されている可溶導体13に伝わり、速やかに可溶導体13を溶断することができる。   In addition, it is preferable that the heat generating body 14 is overlapped with a part or all of the through holes 20 and 21 formed in the heat generating body extraction electrode 15 and the lower layer portions 18a and 19a. Since the heating element 14 and the through holes 20 and 21 are overlapped, the first and second electrodes 11 and 12, the intermediate electrode 16, and the first and second electrodes can be heated even when the heat of the heating element 14 passes through the through holes 20 and 21. It is transmitted to the soluble conductor 13 mounted on the two electrodes 11 and 12 and the intermediate electrode 16, and the soluble conductor 13 can be blown out quickly.

また、発熱体引出電極15及び第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aは、スルーホール20,21に代えて、又はスルーホール20,21ともに絶縁基板10の第1〜第3の側縁10c〜10eにキャスタレーションを設け、当該キャスタレーションを介しても第1、第2の電極11,12、中間電極16と導通させてもよい。   In addition, the heating element lead-out electrode 15 and the lower layer portions 18a and 19a of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are replaced with the first through first holes of the insulating substrate 10 in place of the through holes 20 and 21 or both. A castellation may be provided on the third side edges 10c to 10e, and the first and second electrodes 11 and 12 and the intermediate electrode 16 may be electrically connected through the castellation.

このようなヒューズ素子60は、図16〜図19に示す工程により製造することができる。先ず、図16に示すように、絶縁基板10の裏面10bに発熱体引出電極15、第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19a及び発熱体電極23を形成する。次いで、下層部18a,19a上の絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側の一部及び発熱体引出電極15上の絶縁基板10の第3の側縁10e側の一部を除いて、第3の絶縁層61を形成する。   Such a fuse element 60 can be manufactured by the steps shown in FIGS. First, as shown in FIG. 16, the heating element extraction electrode 15, the lower layer portions 18 a and 19 a of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the heating element electrode 23 are formed on the back surface 10 b of the insulating substrate 10. Next, a part on the first and second side edges 10c and 10d side of the insulating substrate 10 on the lower layer portions 18a and 19a and a part on the third side edge 10e side of the insulating substrate 10 on the heating element extraction electrode 15 A third insulating layer 61 is formed except for.

次いで、図17に示すように、発熱体14を形成する。発熱体14は、第3の絶縁層61上に形成されることにより発熱体引出電極15及び下層部18a,19aと重畳される。また、発熱体14は、第3の絶縁層61に被覆されていない発熱体引出電極15の一部及び発熱体電極23と接続される。   Next, as shown in FIG. 17, the heating element 14 is formed. The heating element 14 is formed on the third insulating layer 61 so as to overlap the heating element extraction electrode 15 and the lower layer portions 18a and 19a. The heating element 14 is connected to a part of the heating element extraction electrode 15 and the heating element electrode 23 that are not covered with the third insulating layer 61.

次いで、図18に示すように、発熱体14上に第4の絶縁層62を形成する。第4の絶縁層62は、発熱体14の全体を覆うとともに、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側の一部を除いて、下層部18a,19aを露出させている。   Next, as shown in FIG. 18, a fourth insulating layer 62 is formed on the heating element 14. The fourth insulating layer 62 covers the entire heating element 14 and exposes the lower layer portions 18a and 19a except for a part of the insulating substrate 10 on the first and second side edges 10c and 10d side. .

そして、図19に示すように、第4の絶縁層62の上に第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bを形成する。上層部18b,19bは、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10d側の一部において、下層部18a,19aと接続される。   Then, as shown in FIG. 19, the upper layer portions 18 b and 19 b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are formed on the fourth insulating layer 62. The upper layer portions 18b and 19b are connected to the lower layer portions 18a and 19a at a part of the insulating substrate 10 on the first and second side edges 10c and 10d side.

[第5の実施の形態]
また、ヒューズ素子は、図20(A)(B)に示すように、第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aを設けず、キャスタレーション63を介して第1、第2の電極11,12と上層部18b,19bとを接続してもよい。図20に示すヒューズ素子65は、ヒューズ素子60に対して、第1、第2の実装電極18,19の下層部18a,19aを備えていない点で相違する。この場合、発熱体14と下層部18a,19aとを絶縁している第3の絶縁層61は設ける必要は無いが、絶縁基板10の裏面10bと発熱体14との間に絶縁層を設けてもよい。
[Fifth Embodiment]
20A and 20B, the fuse element is not provided with the lower layer portions 18a and 19a of the first and second mounting electrodes 18 and 19, and the first and second via the castellation 63. The two electrodes 11 and 12 may be connected to the upper layer portions 18b and 19b. The fuse element 65 shown in FIG. 20 is different from the fuse element 60 in that the lower layer portions 18a and 19a of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are not provided. In this case, it is not necessary to provide the third insulating layer 61 that insulates the heating element 14 from the lower layer portions 18a and 19a, but an insulating layer is provided between the back surface 10b of the insulating substrate 10 and the heating element 14. Also good.

このようなヒューズ素子65は、図21〜図24に示す工程により製造することができる。先ず、図21に示すように、絶縁基板10の裏面10bに発熱体引出電極15及び発熱体電極23を形成する。次いで、図22に示すように、発熱体14を形成する。発熱体14は、発熱体引出電極15及び発熱体電極23と接続される。   Such a fuse element 65 can be manufactured by the steps shown in FIGS. First, as shown in FIG. 21, the heating element extraction electrode 15 and the heating element electrode 23 are formed on the back surface 10 b of the insulating substrate 10. Next, as shown in FIG. 22, the heating element 14 is formed. The heating element 14 is connected to the heating element extraction electrode 15 and the heating element electrode 23.

次いで、図23に示すように、発熱体14上に第4の絶縁層62を形成する。第4の絶縁層62は、発熱体14の全体を覆う。そして、図24に示すように、第4の絶縁層62の上に第1、第2の実装電極18,19の上層部18b,19bを形成する。上層部18b,19bは、絶縁基板10の第1、第2の側縁10c,10dに形成されたキャスタレーション63を介して、絶縁基板10の表面10aに形成された第1、第2の電極11,12と接続される。   Next, as shown in FIG. 23, a fourth insulating layer 62 is formed on the heating element 14. The fourth insulating layer 62 covers the entire heating element 14. Then, as shown in FIG. 24, the upper layer portions 18 b and 19 b of the first and second mounting electrodes 18 and 19 are formed on the fourth insulating layer 62. The upper layer portions 18b and 19b are formed by first and second electrodes formed on the surface 10a of the insulating substrate 10 through castellations 63 formed on the first and second side edges 10c and 10d of the insulating substrate 10, respectively. 11 and 12 are connected.

[変形例]
ここで、大電流に対応させるためにヒューズ素子の定格向上を図るためには、可溶導体13自体の低抵抗化のみならず、絶縁基板10の表面10aに形成された第1、第2の電極11,12から絶縁基板10の裏面10bに形成された第1、第2の実装電極18,19に至る電流経路の低抵抗化が求められている。
[Modification]
Here, in order to improve the rating of the fuse element in order to cope with a large current, not only the resistance of the fusible conductor 13 itself but also the first and second formed on the surface 10a of the insulating substrate 10 are reduced. A reduction in the resistance of the current path from the electrodes 11 and 12 to the first and second mounting electrodes 18 and 19 formed on the back surface 10b of the insulating substrate 10 is required.

そして、絶縁基板10の側面に設けたキャスタレーションを介して第1、第2の電極11,12と第1、第2の実装電極18,19を接続する方法では、キャスタレーションに形成するメッキ層の厚さを十分に得ることが難しく、ヒューズ素子全体の定格が第1、第2の電極11,12から第1、第2の実装電極18,19に至る電流経路によって規定され、大電流に対応させることが困難となってしまう不都合が生じる。   In the method of connecting the first and second electrodes 11 and 12 and the first and second mounting electrodes 18 and 19 via a castellation provided on the side surface of the insulating substrate 10, a plating layer formed on the castellation It is difficult to obtain a sufficient thickness, and the rating of the entire fuse element is defined by a current path from the first and second electrodes 11 and 12 to the first and second mounting electrodes 18 and 19, so that a large current can be obtained. There is an inconvenience that it becomes difficult to correspond.

そこで、上述したように、本技術が適用されたヒューズ素子では、第1、第2の電極11,12は、それぞれ、絶縁基板10を貫通するスルーホール20を介して裏面10bに設けられた第1、第2の実装電極18,19と接続させている。第1、第2の電極11,12及び第1、第2の実装電極18,19間を接続するスルーホール20は、ヒューズ素子1,50,60の通電経路の一部を構成し、電流定格を決める要素となることから、所定の寸法(例えば0.3mmφ)を有し、内部に第1の電極11と第1の実装電極18、第2の電極12と第2の実装電極19とを接続する導電層が形成されている。   Therefore, as described above, in the fuse element to which the present technology is applied, the first and second electrodes 11 and 12 are provided on the back surface 10b through the through holes 20 penetrating the insulating substrate 10, respectively. The first and second mounting electrodes 18 and 19 are connected. The first and second electrodes 11 and 12 and the through hole 20 connecting the first and second mounting electrodes 18 and 19 constitute a part of the energization path of the fuse elements 1, 50 and 60, and have a current rating. Therefore, the first electrode 11 and the first mounting electrode 18, and the second electrode 12 and the second mounting electrode 19 are provided therein. A conductive layer to be connected is formed.

[ヒューズ素子70]
また、導電層が形成された導電スルーホール20が形成されるヒューズ素子としては、発熱体14が絶縁基板10の裏面に形成された上記ヒューズ素子1,50,60の他にも、図25、図26に示すように、絶縁基板の表面に発熱体が形成されたヒューズ素子70にも適用することができる。なお、以下に述べるヒューズ素子70の説明において、上述したヒューズ素子1,50,60と同一の部材については同一の符号を付してその詳細を省略する。
[Fuse element 70]
In addition to the fuse elements 1, 50 and 60 in which the heating element 14 is formed on the back surface of the insulating substrate 10 as a fuse element in which the conductive through hole 20 in which the conductive layer is formed is formed, FIG. As shown in FIG. 26, the present invention can also be applied to a fuse element 70 in which a heating element is formed on the surface of an insulating substrate. In the description of the fuse element 70 described below, the same members as those of the above-described fuse elements 1, 50, 60 are denoted by the same reference numerals, and the details thereof are omitted.

ヒューズ素子70は、絶縁基板10と、絶縁基板10に積層され、絶縁層17に覆われた発熱体14と、絶縁基板10の両端に形成された第1の電極11及び第2の電極12と、絶縁層17上に発熱体14と重畳するように積層された中間電極16と、両端が第1、第2の電極11,12にそれぞれ接続され、中央部が中間電極16に接続された可溶導体13とを備える。   The fuse element 70 includes the insulating substrate 10, the heating element 14 laminated on the insulating substrate 10 and covered with the insulating layer 17, and the first electrode 11 and the second electrode 12 formed on both ends of the insulating substrate 10. An intermediate electrode 16 laminated on the insulating layer 17 so as to overlap the heating element 14, both ends connected to the first and second electrodes 11, 12 respectively, and a central portion connected to the intermediate electrode 16 A molten conductor 13 is provided.

[第1、第2の電極]
第1、第2の電極11,12は、それぞれ、絶縁基板10を貫通するスルーホール20を介して裏面10bに設けられた外部接続電極となる第1、第2の実装電極18,19と接続されている。第1、第2の電極11,12及び第1、第2の実装電極18,19間を接続するスルーホール20は、ヒューズ素子70の通電経路の一部を構成し、電流定格を決める要素となることから、所定の寸法(例えば0.3mmφ)を有し、内部に第1の電極11と第1の実装電極18、第2の電極12と第2の実装電極19とを接続する導電層が形成されている。
[First and second electrodes]
The first and second electrodes 11 and 12 are connected to the first and second mounting electrodes 18 and 19 which are external connection electrodes provided on the back surface 10b through the through holes 20 penetrating the insulating substrate 10, respectively. Has been. The first and second electrodes 11 and 12 and the through hole 20 connecting the first and second mounting electrodes 18 and 19 constitute a part of the energization path of the fuse element 70 and are elements that determine the current rating. Therefore, the conductive layer has a predetermined dimension (for example, 0.3 mmφ) and connects the first electrode 11 and the first mounting electrode 18, and the second electrode 12 and the second mounting electrode 19 inside. Is formed.

[発熱体]
発熱体14は、絶縁基板10の表面10a上にスクリーン印刷技術を用いてパターン形成して、焼成する等によって形成することができる。また、発熱体14は、一端が発熱体引出電極15と接続され、他端が発熱体電極23と接続されている。
[Heating element]
The heating element 14 can be formed by forming a pattern on the surface 10a of the insulating substrate 10 using a screen printing technique and baking it. The heating element 14 has one end connected to the heating element extraction electrode 15 and the other end connected to the heating element electrode 23.

ヒューズ素子70は、発熱体14を覆うように絶縁層17が配設され、この絶縁層17を介して発熱体14に対向するように中間電極16が形成されている。発熱体14の熱を効率良く可溶導体13に伝えるために、発熱体14と絶縁基板10の間にも絶縁層17を積層しても良い。絶縁層17としては、例えばガラスを用いることができる。   In the fuse element 70, an insulating layer 17 is disposed so as to cover the heating element 14, and an intermediate electrode 16 is formed so as to face the heating element 14 through the insulating layer 17. In order to efficiently transmit the heat of the heating element 14 to the soluble conductor 13, an insulating layer 17 may be laminated between the heating element 14 and the insulating substrate 10. As the insulating layer 17, for example, glass can be used.

中間電極16の一端は、絶縁層17から露出された発熱体引出電極15の一部と接続されるとともに、発熱体引出電極15を介して発熱体14の一端と連続されている。なお、発熱体引出電極15は、絶縁基板10の第3の側面10e側に形成され、発熱体電極23は、絶縁基板10の第4の側面10f側に形成されている。また、発熱体電極23は、第4の側面10fに形成されたキャスタレーション71を介して絶縁基板10の裏面10bに形成された外部接続電極23aと接続されている。   One end of the intermediate electrode 16 is connected to a part of the heating element extraction electrode 15 exposed from the insulating layer 17 and is connected to one end of the heating element 14 through the heating element extraction electrode 15. The heating element extraction electrode 15 is formed on the third side surface 10 e side of the insulating substrate 10, and the heating element electrode 23 is formed on the fourth side surface 10 f side of the insulating substrate 10. The heating element electrode 23 is connected to an external connection electrode 23a formed on the back surface 10b of the insulating substrate 10 via a castellation 71 formed on the fourth side surface 10f.

発熱体14は、ヒューズ素子70が回路基板2に実装されることにより、外部接続電極23aを介して回路基板2に形成された外部回路と接続される。そして、発熱体14は、外部回路の通電経路を遮断する所定のタイミングで外部接続電極23aを介して通電され、発熱することにより、第1、第2の電極11,12を接続している可溶導体13を溶断することができる。また、発熱体14は、可溶導体13が溶断することにより、自身の通電経路も遮断されることから発熱が停止する。   The heating element 14 is connected to an external circuit formed on the circuit board 2 through the external connection electrode 23a by mounting the fuse element 70 on the circuit board 2. The heating element 14 can be connected to the first and second electrodes 11 and 12 by being energized through the external connection electrode 23a at a predetermined timing for cutting off the energization path of the external circuit and generating heat. The molten conductor 13 can be blown. Moreover, since the heat generating body 14 also cut | disconnects its energization path | route when the soluble conductor 13 blows, heat_generation | fever stops.

なお、ヒューズ素子70においても、絶縁基板10の表面10a上に、内部を保護するキャップ24が搭載されている。   Also in the fuse element 70, a cap 24 that protects the inside is mounted on the surface 10 a of the insulating substrate 10.

このようなヒューズ素子70によれば、第1、第2の電極11,12が、それぞれ、導電スルーホール20を介して第1、第2の実装電極18,19と接続されていることから、従来のキャスタレーションを介して接続する場合に比して、導電層の厚さを十分に確保することができ、第1、第2の電極11,12と第1、第2の実装電極18,19との間の通電経路の低抵抗化を図ることができる。したがって、ヒューズ素子70は、当該通電経路が定格向上の妨げとなることなく、大電流用途に対応することができる。   According to such a fuse element 70, the first and second electrodes 11 and 12 are connected to the first and second mounting electrodes 18 and 19 via the conductive through holes 20, respectively. The thickness of the conductive layer can be sufficiently ensured as compared with the case of connection through a conventional castellation, and the first and second electrodes 11 and 12 and the first and second mounting electrodes 18 and 18 can be secured. It is possible to reduce the resistance of the current-carrying path with respect to 19. Therefore, the fuse element 70 can be used for a large current application without the current conduction path hindering the improvement of the rating.

また、ヒューズ素子70は、発熱体14への通電経路となる発熱体電極23が、キャスタレーション71を介して絶縁基板10の裏面10bに形成された外部接続電極23aと接続されている。これにより、図27に示すように、ヒューズ素子70は、外部回路基板72にハンダ接続された際に、キャスタレーション71にフィレット73が形成されることから、外部接続電極23aを面接続させた場合に比して、外部回路基板72への実装強度を向上させることができる。また、ヒューズ素子70の外部回路基板72への実装プロセスにおいて、フィレット73を確認することで、ヒューズ素子70が確実に接続されたことを目視あるいは画像検査等により容易に判別することができる。   In the fuse element 70, the heating element electrode 23 serving as an energization path to the heating element 14 is connected to the external connection electrode 23 a formed on the back surface 10 b of the insulating substrate 10 via the castellation 71. As a result, as shown in FIG. 27, when the fuse element 70 is solder-connected to the external circuit board 72, the fillet 73 is formed in the castellation 71, so that the external connection electrode 23a is surface-connected. Compared to the above, the mounting strength on the external circuit board 72 can be improved. Further, in the process of mounting the fuse element 70 on the external circuit board 72, by confirming the fillet 73, it is possible to easily determine that the fuse element 70 is securely connected by visual inspection or image inspection.

さらに、ヒューズ素子70は、発熱体電極23と外部接続電極23aとの通電経路をキャスタレーション71で形成することにより、導電スルーホールを形成する場合に比して発熱体電極23の狭小化が図られ、素子全体の小型化を実現することができる。   Further, in the fuse element 70, the current-carrying path between the heating element electrode 23 and the external connection electrode 23a is formed by the castellation 71, so that the heating element electrode 23 can be made narrower than when the conductive through hole is formed. As a result, the entire device can be reduced in size.

また、ヒューズ素子70は、発熱体電極23と外部接続電極23aとを、絶縁基板10の側面に印刷等により形成された側面電極を介して接続してもよい。この場合も、キャスタレーション71を介して接続した場合と同様に、フィレット73が形成されることにより接続強度の向上を図ることができ、また接続確認が容易となる。さらに、導電スルーホールを形成する場合に比して発熱体電極23の狭小化が図られ、素子全体の小型化を実現することができる。   Further, the fuse element 70 may connect the heating element electrode 23 and the external connection electrode 23a via a side electrode formed on the side surface of the insulating substrate 10 by printing or the like. Also in this case, as in the case of connection via the castellation 71, the connection strength can be improved by forming the fillet 73, and the connection can be easily confirmed. Furthermore, the heating element electrode 23 can be narrowed compared to the case where the conductive through hole is formed, and the entire element can be reduced in size.

なお、発熱体14への通電経路は、可溶導体13の通電経路と異なりヒューズ素子70の定格を決める要素とはならないため、可溶導体13の通電経路に比して高抵抗でもよい(例えば数Ωオーダー)。そのため、ヒューズ素子70は、キャスタレーション71や側面電極を用いても定格の向上を損なうことはない。なお、一般にキャスタレーション71を形成する方が、絶縁基板10の側面に印刷等により側面電極を形成する場合に比して、実装強度が高く、また製造工程が簡単で製造コスト上も有利である。一方、キャスタレーション71を形成するためには発熱体電極23と外部接続電極23aに凹部を設ける必要があるのに対して、側面電極は発熱体電極23と外部接続電極23aを必要最小限の面積で形成することができ、より小型化を図ることが容易となる。   Since the energization path to the heating element 14 is not an element that determines the rating of the fuse element 70 unlike the energization path of the fusible conductor 13, it may have a higher resistance than the energization path of the fusible conductor 13 (for example, (Several Ω order). Therefore, the fuse element 70 does not impair the improvement in rating even when the castellation 71 or the side electrode is used. In general, the formation of the castellation 71 has a higher mounting strength, and the manufacturing process is simpler and more advantageous in terms of manufacturing cost, as compared with the case where side electrodes are formed on the side surface of the insulating substrate 10 by printing or the like. . On the other hand, in order to form the castellation 71, it is necessary to provide recesses in the heating element electrode 23 and the external connection electrode 23a, whereas in the side electrode, the heating element electrode 23 and the external connection electrode 23a have a minimum necessary area. Therefore, it is easy to reduce the size.

[キャスタレーション]
なお、ヒューズ素子70は、図28に示すように、小型化の要請や製造コスト等の条件次第で、第1、第2の電極11,12にさらにキャスタレーション74を形成してもよい。この場合、キャスタレーション74と導電スルーホール20とは強度確保のため所定の間隔(例えば導電スルーホール20の開口径の半分以上)を空けて設けることが好ましい。ヒューズ素子70は、第1、第2の電極11,12に、導電スルーホール20に加えてキャスタレーション74を設けることにより、さらに導通抵抗を低下させるとともにフィレットの形成により実装強度を向上させることができ、またフィレットを確認することで外部回路基板72への実装確認を容易に行うことができる。
[Castellation]
In the fuse element 70, as shown in FIG. 28, a castellation 74 may be further formed on the first and second electrodes 11 and 12, depending on conditions such as a request for downsizing and a manufacturing cost. In this case, it is preferable to provide the castellation 74 and the conductive through hole 20 with a predetermined interval (for example, at least half the opening diameter of the conductive through hole 20) to ensure strength. In the fuse element 70, the first and second electrodes 11 and 12 are provided with a castellation 74 in addition to the conductive through hole 20, thereby further reducing the conduction resistance and improving the mounting strength by forming a fillet. In addition, confirmation of mounting on the external circuit board 72 can be easily performed by confirming the fillet.

[独立電極]
また、ヒューズ素子70は、図29に示すように、外部回路基板72への実装強度を向上させるために、絶縁基板10の表面10aに第1、第2の電極11,12及び発熱体14との導通に関与しない第1の独立端子75を設けるとともに、絶縁基板10の裏面10bに第1、第2の電極11,12及び発熱体14との導通に関与しない第2の独立端子76を設け、これら第1、第2の独立端子75,76をキャスタレーション77を介して接続させてもよい。
[Independent electrode]
In addition, as shown in FIG. 29, the fuse element 70 has the first and second electrodes 11 and 12 and the heating element 14 on the surface 10a of the insulating substrate 10 in order to improve the mounting strength to the external circuit board 72. The first independent terminal 75 that does not participate in the conduction of the first insulating terminal 75 is provided, and the second independent terminal 76 that does not participate in the conduction with the first and second electrodes 11 and 12 and the heating element 14 is provided on the back surface 10b of the insulating substrate 10. The first and second independent terminals 75 and 76 may be connected via a castellation 77.

キャスタレーション77を介して接続される第1、第2の独立端子75,76を設けることにより、少なくとも1つのフィレットが形成されることから、ヒューズ素子70は、外部回路基板72への実装強度を向上させることができる。   By providing the first and second independent terminals 75 and 76 connected via the castellation 77, at least one fillet is formed. Therefore, the fuse element 70 has a mounting strength to the external circuit board 72. Can be improved.

なお、ヒューズ素子70は、第1、第2の独立端子75,76を絶縁基板の側面に設けられた側面電極によって接続し、当該側面電極に沿ってフィレットを形成させてもよい。   In the fuse element 70, the first and second independent terminals 75 and 76 may be connected by a side electrode provided on the side surface of the insulating substrate, and a fillet may be formed along the side electrode.

1 ヒューズ素子、10 絶縁基板、11 第1の電極、12 第2の電極、13 可溶導体、14 発熱体、15 発熱体引出電極、16 中間電極、17 絶縁層、18 第1の実装電極、18a 下層部、18b 上層部、19 第2の実装電極、19a 下層部、19b 上層部、20 スルーホール、21 スルーホール、23 発熱体電極、24 キャップ、30 バッテリパック、31〜34 バッテリセル、35 バッテリスタック、36 検出回路、37 電流制御素子、40 充放電制御回路、41,42 電流制御素子、43 制御部、45 充電装置、50 ヒューズ素子、51 第1の絶縁層、52 第2の絶縁層、53 キャスタレーション、55 ヒューズ素子、60 ヒューズ素子、61 第3の絶縁層、62 第4の絶縁層、63 キャスタレーション、65 ヒューズ素子、70 ヒューズ素子、71 キャスタレーション、72 外部回路基板、73 フィレット、74 キャスタレーション、75、第1の独立端子、76 第2の独立端子、77 キャスタレーション DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fuse element, 10 Insulating substrate, 11 1st electrode, 12 2nd electrode, 13 Soluble conductor, 14 Heating body, 15 Heating body extraction electrode, 16 Intermediate electrode, 17 Insulating layer, 18 1st mounting electrode, 18a Lower layer, 18b Upper layer, 19 Second mounting electrode, 19a Lower layer, 19b Upper layer, 20 Through hole, 21 Through hole, 23 Heating element electrode, 24 Cap, 30 Battery pack, 31-34 Battery cell, 35 Battery stack, 36 detection circuit, 37 current control element, 40 charge / discharge control circuit, 41, 42 current control element, 43 control unit, 45 charging device, 50 fuse element, 51 first insulating layer, 52 second insulating layer 53 castellation 55 fuse element 60 fuse element 61 third insulating layer 62 fourth insulating layer 63 Castellation, 65 fuse element, 70 fuse element, 71 castellation, 72 external circuit board, 73 fillet, 74 castellation, 75, first independent terminal, 76 second independent terminal, 77 castellation

Claims (25)

絶縁基板と、
上記絶縁基板の表面に形成された第1の電極及び第2の電極と、
上記第1、第2の電極間にわたって接続された可溶導体と、
上記絶縁基板の裏面に形成され、通電により発熱し上記可溶導体を溶断する発熱体と、
上記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極とを備え、
上記発熱体と上記裏面電極とが絶縁層を介して重畳されているヒューズ素子。
An insulating substrate;
A first electrode and a second electrode formed on the surface of the insulating substrate;
A fusible conductor connected between the first and second electrodes;
A heating element that is formed on the back surface of the insulating substrate, generates heat when energized, and melts the soluble conductor;
A back electrode formed on the back surface of the insulating substrate,
A fuse element in which the heating element and the back electrode are overlapped via an insulating layer.
上記裏面電極は、上記発熱体と接続された発熱体引出電極である請求項1記載のヒューズ素子。   The fuse element according to claim 1, wherein the back electrode is a heating element extraction electrode connected to the heating element. 上記発熱体引出電極は、上記絶縁基板を貫通する導電スルーホールを介して、上記絶縁基板の表面に形成され上記可溶導体と接続された中間電極と接続されている請求項2記載のヒューズ素子。   3. The fuse element according to claim 2, wherein the heating element extraction electrode is connected to an intermediate electrode formed on the surface of the insulating substrate and connected to the soluble conductor via a conductive through hole penetrating the insulating substrate. . 上記発熱体が上記導電スルーホールの一部又は全部と重畳されている請求項3記載のヒューズ素子。   4. The fuse element according to claim 3, wherein the heating element is overlapped with a part or all of the conductive through hole. 上記発熱体引出電極は、上記絶縁基板の側面に設けられたキャスタレーションを介して上記中間電極と接続されている請求項2〜4のいずれか1項に記載のヒューズ素子。   The fuse element according to any one of claims 2 to 4, wherein the heating element extraction electrode is connected to the intermediate electrode via a castellation provided on a side surface of the insulating substrate. 上記絶縁基板の裏面から上記発熱体引出電極、上記絶縁層、上記発熱体の順に積層されている請求項2〜5のいずれか1項に記載のヒューズ素子。   The fuse element of any one of Claims 2-5 laminated | stacked in order of the said heat generating body extraction electrode, the said insulating layer, and the said heat generating body from the back surface of the said insulating substrate. 上記発熱体が保護層によって被覆されている請求項6記載のヒューズ素子。   The fuse element according to claim 6, wherein the heating element is covered with a protective layer. 上記裏面電極は、上記第1、第2の電極と接続され、回路基板に実装される第1、第2の実装電極である請求項1記載のヒューズ素子。   2. The fuse element according to claim 1, wherein the back surface electrodes are first and second mounting electrodes that are connected to the first and second electrodes and are mounted on a circuit board. 上記第1、第2の実装電極は、それぞれ上記絶縁基板を貫通する導電スルーホールを介して、上記絶縁基板の表面に形成された上記第1、第2の電極と接続されている請求項8記載のヒューズ素子。   9. The first and second mounting electrodes are respectively connected to the first and second electrodes formed on the surface of the insulating substrate through conductive through holes that penetrate the insulating substrate. The fuse element as described. 上記発熱体が上記導電スルーホールの一部又は全部と重畳されている請求項9記載のヒューズ素子。   The fuse element according to claim 9, wherein the heating element is overlapped with a part or all of the conductive through hole. 上記第1、第2の実装電極は、上記絶縁基板の側面に設けられたキャスタレーションを介して上記第1、第2の電極と接続されている請求項8〜10のいずれか1項に記載のヒューズ素子。   The said 1st, 2nd mounting electrode is connected to the said 1st, 2nd electrode via the castellation provided in the side surface of the said insulated substrate, The any one of Claims 8-10. Fuse element. 上記第1、第2の実装電極は、上記絶縁基板の裏面と上記発熱体との間に設けられた下層部と、上記下層部と接続され上記回路基板に実装される上層部とを有し、
上記絶縁基板の裏面から上記第1、第2の実装電極の上記下層部、第1の絶縁層、上記発熱体、第2の絶縁層、上記第1、第2の実装電極の上記上層部の順に積層されている請求項8〜11のいずれか1項に記載のヒューズ素子。
The first and second mounting electrodes have a lower layer portion provided between the back surface of the insulating substrate and the heating element, and an upper layer portion connected to the lower layer portion and mounted on the circuit board. ,
From the back surface of the insulating substrate, the lower layer portion of the first and second mounting electrodes, the first insulating layer, the heating element, the second insulating layer, and the upper layer portion of the first and second mounting electrodes. The fuse element of any one of Claims 8-11 laminated | stacked in order.
上記第1の絶縁層が上記第1、第2の実装電極の上記下層部間にわたって形成され、
上記発熱体が上記第1の絶縁層上に形成されている請求項12記載のヒューズ素子。
The first insulating layer is formed between the lower layer portions of the first and second mounting electrodes,
The fuse element according to claim 12, wherein the heating element is formed on the first insulating layer.
上記第1、第2の実装電極は、上記第1、第2の電極と接続されるとともに上記回路基板に実装される上層部からなり、
上記絶縁基板の裏面から上記発熱体、第2の絶縁層、上記上層部の順に積層されている請求項11に記載のヒューズ素子。
The first and second mounting electrodes are composed of an upper layer portion connected to the first and second electrodes and mounted on the circuit board,
The fuse element according to claim 11, wherein the heating element, the second insulating layer, and the upper layer portion are laminated in this order from the back surface of the insulating substrate.
上記裏面電極は、上記発熱体と接続された発熱体引出電極、及び上記第1、第2の電極と接続され、回路基板に実装される第1、第2の実装電極である請求項1記載のヒューズ素子。   2. The back electrode is a heating element extraction electrode connected to the heating element and first and second mounting electrodes connected to the first and second electrodes and mounted on a circuit board. Fuse element. 上記発熱体引出電極は、上記絶縁基板を貫通する導電スルーホールを介して、上記絶縁基板の表面に形成され上記可溶導体と接続された中間電極と接続され、
上記第1、第2の実装電極は、それぞれ上記絶縁基板を貫通する導電スルーホールを介して、上記絶縁基板の表面に形成された上記第1、第2の電極と接続されている請求項15記載のヒューズ素子。
The heating element extraction electrode is connected to an intermediate electrode formed on the surface of the insulating substrate and connected to the soluble conductor through a conductive through hole penetrating the insulating substrate.
16. The first and second mounting electrodes are respectively connected to the first and second electrodes formed on the surface of the insulating substrate through conductive through holes penetrating the insulating substrate. The fuse element as described.
上記発熱体が上記導電スルーホールの一部又は全部と重畳されている請求項16記載のヒューズ素子。   The fuse element according to claim 16, wherein the heating element is overlapped with a part or all of the conductive through hole. 上記発熱体引出電極は、上記絶縁基板の側面に設けられたキャスタレーションを介して上記中間電極と接続され、
上記第1、第2の実装電極は、上記絶縁基板の側面に設けられたキャスタレーションを介して上記第1、第2の電極と接続されている請求項16又は17に記載のヒューズ素子。
The heating element extraction electrode is connected to the intermediate electrode via a castellation provided on a side surface of the insulating substrate,
The fuse element according to claim 16 or 17, wherein the first and second mounting electrodes are connected to the first and second electrodes via a castellation provided on a side surface of the insulating substrate.
上記第1、第2の実装電極は、上記絶縁基板の裏面と上記発熱体との間に設けられた下層部と、上記下層部と接続され上記回路基板に実装される上層部とを有し、
上記絶縁基板の裏面から上記発熱体引出電極及び上記第1、第2の実装電極の上記下層部、第3の絶縁層、上記発熱体、第4の絶縁層、上記第1、第2の実装電極の上記上層部順に積層されている請求項15〜18のいずれか1項に記載のヒューズ素子。
The first and second mounting electrodes have a lower layer portion provided between the back surface of the insulating substrate and the heating element, and an upper layer portion connected to the lower layer portion and mounted on the circuit board. ,
The heating element lead-out electrode and the lower layer portion of the first and second mounting electrodes, the third insulating layer, the heating element, the fourth insulating layer, and the first and second mountings from the back surface of the insulating substrate. The fuse element of any one of Claims 15-18 laminated | stacked in order of the said upper-layer part of an electrode.
上記第1、第2の実装電極は、上記第1、第2の電極と接続されるとともに上記回路基板に実装される上層部からなり、
上記絶縁基板の裏面から発熱体引出電極、上記発熱体、第4の絶縁層、上記上層部の順に積層されている請求項18に記載のヒューズ素子。
The first and second mounting electrodes are composed of an upper layer portion connected to the first and second electrodes and mounted on the circuit board,
19. The fuse element according to claim 18, wherein the heating element extraction electrode, the heating element, the fourth insulating layer, and the upper layer portion are laminated in this order from the back surface of the insulating substrate.
絶縁基板と、
上記絶縁基板の表面に形成された第1の電極及び第2の電極と、
上記第1、第2の電極間にわたって接続された可溶導体と、
上記絶縁基板に形成され、通電により発熱し上記可溶導体を溶断する発熱体と、
上記絶縁基板の裏面に形成された第1の外部接続電極及び第2の外部接続電極とを備え、
上記第1の電極と上記第1の外部接続電極、及び上記第2の電極と上記第2の外部接続電極のいずれか又は両方が、上記絶縁基板を貫通する導電スルーホールを介して接続されているヒューズ素子。
An insulating substrate;
A first electrode and a second electrode formed on the surface of the insulating substrate;
A fusible conductor connected between the first and second electrodes;
A heating element that is formed on the insulating substrate and generates heat when energized to melt the soluble conductor;
A first external connection electrode and a second external connection electrode formed on the back surface of the insulating substrate;
Either or both of the first electrode and the first external connection electrode, and the second electrode and the second external connection electrode are connected via a conductive through hole penetrating the insulating substrate. Fuse element.
上記第1の電極と上記第1の外部接続電極、及び上記第2の電極と上記第2の外部接続電極のいずれか又は両方が、キャスタレーション又は上記絶縁基板の側面に設けられた側面電極を介して接続されている請求項21記載のヒューズ素子。   Either or both of the first electrode and the first external connection electrode, and the second electrode and the second external connection electrode are casted or a side electrode provided on a side surface of the insulating substrate. The fuse element according to claim 21, wherein the fuse elements are connected via each other. 上記発熱体は上記絶縁基板の表面に形成され、
上記絶縁基板の表面に設けられ、上記発熱体と接続された発熱体引出電極と、
上記第1、第2の電極間において、絶縁層を介して上記発熱体と重畳され、上記発熱体引出電極及び上記可溶導体と接続された中間電極とを備え、
上記発熱体引出電極は、上記絶縁基板の裏面にわたるキャスタレーションが設けられている請求項21又は22に記載のヒューズ素子。
The heating element is formed on the surface of the insulating substrate,
A heating element extraction electrode provided on the surface of the insulating substrate and connected to the heating element;
Between the first and second electrodes, an intermediate electrode that is superimposed on the heating element via an insulating layer and connected to the heating element lead-out electrode and the soluble conductor,
The fuse element according to claim 21 or 22, wherein the heating element extraction electrode is provided with a castellation extending over a back surface of the insulating substrate.
上記発熱体は上記絶縁基板の裏面に形成され、
上記第1、第2の電極間に設けられ、上記可溶導体と接続された中間電極と、
上記絶縁基板の裏面に設けられ、上記発熱体と接続された発熱体引出電極とを備え、
上記中間電極と上記発熱体引出電極とは、上記絶縁基板を貫通する導電スルーホール、キャスタレーション又は上記絶縁基板の側面に設けられた側面電極を介して接続されている請求項21又は22に記載のヒューズ素子。
The heating element is formed on the back surface of the insulating substrate,
An intermediate electrode provided between the first and second electrodes and connected to the soluble conductor;
A heating element extraction electrode provided on the back surface of the insulating substrate and connected to the heating element;
The intermediate electrode and the heating element extraction electrode are connected to each other through a conductive through hole penetrating the insulating substrate, a castellation, or a side electrode provided on a side surface of the insulating substrate. Fuse element.
上記絶縁基板の表面に上記第1、第2の電極及び上記発熱体との導通に関与しない第1の独立端子が設けられ、
上記絶縁基板の裏面に上記第1、第2の電極及び上記発熱体との導通に関与しない第2の独立端子が設けられ、
上記第1、第2の独立端子がキャスタレーション又は上記絶縁基板の側面に設けられた側面電極を介して接続されている請求項21〜24のいずれか1項に記載のヒューズ素子。
A first independent terminal not involved in conduction with the first and second electrodes and the heating element is provided on the surface of the insulating substrate;
A second independent terminal not involved in conduction with the first and second electrodes and the heating element is provided on the back surface of the insulating substrate;
The fuse element according to any one of claims 21 to 24, wherein the first and second independent terminals are connected via castellation or a side electrode provided on a side surface of the insulating substrate.
JP2016110506A 2015-12-18 2016-06-01 Fuse element Active JP6797565B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020187015039A KR102099799B1 (en) 2015-12-18 2016-12-12 Fuse element
CN201680071024.3A CN108475602B (en) 2015-12-18 2016-12-12 Fuse element
PCT/JP2016/086857 WO2017104597A1 (en) 2015-12-18 2016-12-12 Fuse element
TW105140987A TWI715692B (en) 2015-12-18 2016-12-12 Fuse element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015247288 2015-12-18
JP2015247288 2015-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017117774A true JP2017117774A (en) 2017-06-29
JP6797565B2 JP6797565B2 (en) 2020-12-09

Family

ID=59234740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016110506A Active JP6797565B2 (en) 2015-12-18 2016-06-01 Fuse element

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6797565B2 (en)
KR (1) KR102099799B1 (en)
CN (1) CN108475602B (en)
TW (1) TWI715692B (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021018950A (en) * 2019-07-22 2021-02-15 デクセリアルズ株式会社 Protection element and protection circuit
WO2021210634A1 (en) * 2020-04-17 2021-10-21 デクセリアルズ株式会社 Protective element, and battery pack
USD976215S1 (en) * 2021-01-18 2023-01-24 Dexerials Corporation Fuse
USD976216S1 (en) * 2021-01-18 2023-01-24 Dexerials Corporation Fuse
USD981966S1 (en) * 2021-01-18 2023-03-28 Dexerials Corporation Fuse

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020077523A (en) 2018-11-07 2020-05-21 デクセリアルズ株式会社 Protection element
JP7393898B2 (en) * 2019-09-04 2023-12-07 デクセリアルズ株式会社 protection element
KR102510697B1 (en) * 2021-02-15 2023-03-17 (주) 알엔투테크놀로지 Ceramic protect device having electrode integrated fuse member and secondary battery charging apparatus having the same
KR102709956B1 (en) * 2022-02-15 2024-09-25 (주) 알엔투테크놀로지 Ceramic protect device having electrode integrated fuse member and secondary battery charging apparatus having the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790433B2 (en) * 1993-08-31 1998-08-27 ソニー株式会社 Protection element and circuit board
JP2006210353A (en) * 2005-01-28 2006-08-10 Littelfuse Inc Dual fuse-link thin-film fuse
JP2015035279A (en) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 Protection element and protection circuit board using the same
JP2015088434A (en) * 2013-11-01 2015-05-07 デクセリアルズ株式会社 Protection circuit, battery circuit, protection element, and driving method of protection element
JP2015138767A (en) * 2014-01-24 2015-07-30 デクセリアルズ株式会社 Braking element and breaking element circuit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5947953U (en) * 1982-09-22 1984-03-30 内橋金属工業株式会社 Overcurrent protection element
JPH087731A (en) * 1994-06-24 1996-01-12 Uchihashi Estec Co Ltd Resistance/temperature fuse for board
US6445277B1 (en) * 1999-06-22 2002-09-03 Yazaki Corporation Safety device of electric circuit and process for producing the same
KR100880083B1 (en) * 2001-08-07 2009-01-23 다이헤요 세코 가부시키가이샤 Fuse element
JP2004185960A (en) * 2002-12-03 2004-07-02 Kamaya Denki Kk Circuit protection element and its manufacturing method
JP5301298B2 (en) * 2009-01-21 2013-09-25 デクセリアルズ株式会社 Protective element
JP5489777B2 (en) * 2010-02-25 2014-05-14 京セラ株式会社 Resistance thermal fuse package and resistance thermal fuse
TWI575832B (en) * 2011-12-19 2017-03-21 Dexerials Corp A protective element, a manufacturing method of a protective element, and a battery module in which a protective element is incorporated
JP6364243B2 (en) * 2013-08-07 2018-07-25 デクセリアルズ株式会社 Protective element and battery pack

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790433B2 (en) * 1993-08-31 1998-08-27 ソニー株式会社 Protection element and circuit board
JP2006210353A (en) * 2005-01-28 2006-08-10 Littelfuse Inc Dual fuse-link thin-film fuse
JP2015035279A (en) * 2013-08-07 2015-02-19 デクセリアルズ株式会社 Protection element and protection circuit board using the same
JP2015088434A (en) * 2013-11-01 2015-05-07 デクセリアルズ株式会社 Protection circuit, battery circuit, protection element, and driving method of protection element
JP2015138767A (en) * 2014-01-24 2015-07-30 デクセリアルズ株式会社 Braking element and breaking element circuit

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021018950A (en) * 2019-07-22 2021-02-15 デクセリアルズ株式会社 Protection element and protection circuit
JP7340979B2 (en) 2019-07-22 2023-09-08 デクセリアルズ株式会社 Protection elements and protection circuits
US12068124B2 (en) 2019-07-22 2024-08-20 Dexerials Corporation Protection element and protection circuit
WO2021210634A1 (en) * 2020-04-17 2021-10-21 デクセリアルズ株式会社 Protective element, and battery pack
JP2021174575A (en) * 2020-04-17 2021-11-01 デクセリアルズ株式会社 Protective element and battery pack
JP7443144B2 (en) 2020-04-17 2024-03-05 デクセリアルズ株式会社 Protection elements and battery packs
USD976215S1 (en) * 2021-01-18 2023-01-24 Dexerials Corporation Fuse
USD976216S1 (en) * 2021-01-18 2023-01-24 Dexerials Corporation Fuse
USD981966S1 (en) * 2021-01-18 2023-03-28 Dexerials Corporation Fuse

Also Published As

Publication number Publication date
KR102099799B1 (en) 2020-04-10
KR20180072815A (en) 2018-06-29
CN108475602B (en) 2021-06-15
JP6797565B2 (en) 2020-12-09
CN108475602A (en) 2018-08-31
TW201732855A (en) 2017-09-16
TWI715692B (en) 2021-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6797565B2 (en) Fuse element
JP6249602B2 (en) Protective element
KR102523229B1 (en) Protection element and mounted body
WO2015020111A1 (en) Protective element and battery pack
WO2013146889A1 (en) Protection element
WO2020129406A1 (en) Protection element and battery pack
JP6957246B2 (en) Protective element
JP2017174590A (en) Protection element
WO2018110154A1 (en) Protective element
JP2016035816A (en) Protective element and protective circuit
WO2017141678A1 (en) Fuse element
JP6621255B2 (en) Protection element, fuse element
JP2018078046A (en) Protection element
JP6381975B2 (en) Short circuit element
WO2017104597A1 (en) Fuse element
JP2018156959A (en) Protection element and battery pack
JP6058476B2 (en) Protective element and mounting body on which protective element is mounted
JP2016018683A (en) Protection element
TWI629702B (en) Blocking element and blocking element circuit
JP6078332B2 (en) Protection element, battery module
JP2018018835A (en) Protection element and fuse element
JP6202992B2 (en) Protective circuit, battery circuit, protective element, and driving method of protective element
WO2022181652A1 (en) Protection element and battery pack
WO2018100984A1 (en) Protection element
JP2015099756A (en) Short-circuit element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200407

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200714

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201027

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6797565

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250