JP5489777B2 - Resistance thermal fuse package and resistance thermal fuse - Google Patents

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Description

本発明は、温度ヒューズエレメントが実装される抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに、外部からの信号に基づいて発熱抵抗体を高温にし、発熱抵抗体の温度に起因して温度ヒューズエレメントを溶断する抵抗温度ヒューズに関する。   The present invention relates to a resistance temperature fuse package in which a temperature fuse element is mounted, and a resistance temperature fuse that heats a heating resistor based on an external signal and blows the temperature fuse element due to the temperature of the heating resistor About.

近年、抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズの作動特性を向上させる開発が進められている(例えば、特許文献1参照)。抵抗温度ヒューズの開発において、温度ヒューズエレメントの作動特性を良好にする技術が求められている。   In recent years, resistance temperature fuse packages and developments that improve the operating characteristics of resistance temperature fuses have been underway (see, for example, Patent Document 1). In the development of resistance thermal fuses, there is a need for technology that improves the operational characteristics of thermal fuse elements.

特開平11−96871号公報JP-A-11-96871

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性を良好にすることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a resistance temperature fuse package and a resistance temperature fuse capable of improving operating characteristics.

本発明の実施の態様に係る抵抗温度ヒューズは、複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に凹部を有する基体と、前記基体上であって、前記凹部上を渡って設けられる温度ヒューズエレメントと、前記基体に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に形成される発熱抵抗体と、を備え、前記基体内であって前記発熱抵抗体よりも下方には、平面透視して前記発熱抵抗体と重なる領域に空洞部が設けられていることを特徴とする。
A resistance temperature fuse according to an embodiment of the present invention is formed by laminating a plurality of substrates, and a base having a recess in a substrate positioned at the uppermost layer, and provided on the base and across the recess A thermal fuse element provided on the base body and formed in a region that overlaps the thermal fuse element as seen through the plane, and is provided in the base body and below the heat generation resistor body. A hollow portion is provided in a region that overlaps with the heating resistor as seen through the plane .

本発明の実施の態様に係る抵抗温度ヒューズパッケージは、複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に凹部を有し、平面視して前記凹部を挟む両領域に渡って温度ヒューズエレメントが実装される実装面を有する基体と、前記基体内であって、平面透視して前記実装面と重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、を備え、前記基体内であって前記発熱抵抗体よりも下方には、平面透視して前記発熱抵抗体と重なる領域に空洞部が設けられていることを特徴とする。 The resistance thermal fuse package according to the embodiment of the present invention is formed by laminating a plurality of substrates, and has a recess in the substrate located in the uppermost layer, and the temperature over both regions sandwiching the recess in plan view. A base having a mounting surface on which the fuse element is mounted, and a heating resistor provided in a region of the base that overlaps the mounting surface in a plan view, the heating resistance being provided in the base A cavity is provided below the body in a region that overlaps with the heating resistor as seen through a plane .

本発明によれば、作動特性を向上させることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resistance temperature fuse package which can improve an operation characteristic, and a resistance temperature fuse can be provided.

本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the general view of the resistance temperature fuse which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージの概観を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an overview of a resistance temperature fuse package according to an embodiment. FIG. 本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの基体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the base | substrate of the resistance temperature fuse which concerns on this embodiment. 図2のX−X’に沿った、抵抗温度ヒューズの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a resistance thermal fuse taken along X-X ′ in FIG. 2. 一変形例に係る抵抗温度ヒューズの概観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the resistance temperature fuse which concerns on one modification. 一変形例に係る抵抗温度ヒューズの基体の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the base | substrate of the resistance temperature fuse which concerns on one modification.

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる抵抗温度ヒューズ、抵抗温度ヒューズパッケージの実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。   Embodiments of a resistance temperature fuse and a resistance temperature fuse package according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention shall not be limited to the following embodiment.

<抵抗温度ヒューズの概略構成>
図1は、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを形成したものである。図2は、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージの概観斜視図であって、温度ヒューズエレメント及びフラックスを除いた状態を示すものである。なお、図1のフラックスは、透過したものである。
<Schematic configuration of resistance thermal fuse>
FIG. 1 is a schematic perspective view of a resistance thermal fuse according to this embodiment, in which a flux covering a thermal fuse element is formed. FIG. 2 is a schematic perspective view of the resistance thermal fuse package according to the present embodiment, showing a state in which the thermal fuse element and the flux are removed. Note that the flux in FIG. 1 is transmitted.

また、図3は、第2図に示す温度ヒューズパッケージの分解斜視図である。図4は、図2のX−X’に沿った断面図である。   FIG. 3 is an exploded perspective view of the thermal fuse package shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along X-X ′ in FIG. 2.

本実施形態の抵抗温度ヒューズ1は、回路保護素子として用いるものであって、特定の回路に異常検出器とともに組み込むものである。そして、回路の異常発生時に、異常検出器が回路の異常を検出し発熱抵抗体を通電する。その結果、抵抗温度ヒューズ1は、発熱抵抗体が高温となり、その温度によって温度ヒューズエレメントを溶断することで、回路の動作を緊急停止させるものである。   The resistance temperature fuse 1 of the present embodiment is used as a circuit protection element, and is incorporated in a specific circuit together with an abnormality detector. When a circuit abnormality occurs, the abnormality detector detects the circuit abnormality and energizes the heating resistor. As a result, in the resistance temperature fuse 1, the heat generating resistor becomes high temperature, and the operation of the circuit is urgently stopped by fusing the temperature fuse element according to the temperature.

本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ1は、抵抗温度ヒューズパッケージ2と、抵抗温度ヒューズパッケージ2に実装される温度ヒューズエレメント3とを備えている。   The resistance thermal fuse 1 according to this embodiment includes a resistance thermal fuse package 2 and a thermal fuse element 3 mounted on the resistance thermal fuse package 2.

また、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージ2は、複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に凹部Pを有し、平面視して凹部Pを挟む両領域に渡って温度ヒューズエレメント3が実装される実装面Rを有する基体4と、基体4に設けられ、平面透視して実装面Rと重なる領域に形成される発熱抵抗体5と、を備えている。   The resistance thermal fuse package 2 according to the present embodiment is formed by stacking a plurality of substrates, and has a recess P in the uppermost substrate, and covers both regions sandwiching the recess P in plan view. A base body 4 having a mounting surface R on which the thermal fuse element 3 is mounted, and a heating resistor 5 provided on the base body 4 and formed in a region overlapping the mounting surface R as seen through the plane.

基体4は、絶縁性の基板を複数積層したものであって、例えば、アルミナ、ムライト又は窒化アルミ等のセラミック材料、或いはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基体4を構成する基板の厚みは、例えば、0.05mm以上2mm以下に設定されている。また、基板の熱伝導率は、例えば、14W/m・K以上200W/m・K以下に設定されている。   The base 4 is formed by laminating a plurality of insulating substrates, and is made of, for example, a ceramic material such as alumina, mullite, or aluminum nitride, or a glass ceramic material. Or it consists of a composite material which mixed several materials among these materials. In addition, the thickness of the board | substrate which comprises the base | substrate 4 is set to 0.05 mm or more and 2 mm or less, for example. The thermal conductivity of the substrate is set to, for example, 14 W / m · K or more and 200 W / m · K or less.

基体4の最上層に位置する基板4aの上面には、温度ヒューズエレメント3を実装したときに、温度ヒューズエレメント3と電気的に接続される電極層6が形成されている。   An electrode layer 6 that is electrically connected to the thermal fuse element 3 when the thermal fuse element 3 is mounted is formed on the upper surface of the substrate 4 a located at the uppermost layer of the base 4.

電極層6は、基体4と温度ヒューズエレメント3と間に設けられる。また、電極層6の一部は、基体4の上面から基体4の側面を介して基体4内にわたって形成されている。なお、本実施形態では、基体4の最上層に位置する第1基板を第1基板4aとし、基体4の最上層の直下に位置する第2基板を第2基板4bとする。   The electrode layer 6 is provided between the base 4 and the thermal fuse element 3. A part of the electrode layer 6 is formed from the upper surface of the substrate 4 to the inside of the substrate 4 through the side surface of the substrate 4. In the present embodiment, the first substrate located on the uppermost layer of the base 4 is referred to as a first substrate 4a, and the second substrate located immediately below the uppermost layer of the base 4 is referred to as a second substrate 4b.

基体4内にまで延在される電極層6の一部は、第2基板4bの上面にまで形成される。そして、第2基板4bの上面に形成される発熱抵抗体5と電気的に接続される。   A part of the electrode layer 6 extending into the base 4 is formed up to the upper surface of the second substrate 4b. Then, it is electrically connected to the heating resistor 5 formed on the upper surface of the second substrate 4b.

電極層6は、温度ヒューズエレメント3が溶断したときに、電極層6の電気的接続状態が、電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層6は、温度ヒューズエレメント3と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層6の幅は、例えば、0.05mm以上10mm以下に設定されている。ここで、電極層6の幅とは、電極層6に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。   The electrode layer 6 is formed so that the electrical connection state of the electrode layer 6 is electrically open when the thermal fuse element 3 is melted. The electrode layer 6 is electrically connected to the thermal fuse element 3 and is formed in an arbitrary pattern. The width of the electrode layer 6 is set to, for example, 0.05 mm or more and 10 mm or less. Here, the width of the electrode layer 6 refers to the width in the direction orthogonal to the direction of the current flowing in the electrode layer 6.

温度ヒューズエレメント3との接合する電極層6の最上層が、温度ヒューズエレメント3を構成する主要成分の単一成分、複数成分による積層膜、或いは複数成分の合金膜からなる。かかる電極層6は、例えば、インジウム、ビスマス又は錫等の導電材料、或いはこ
れらの積層膜、或いはこれらの合金膜からなる。
The uppermost layer of the electrode layer 6 to be joined to the thermal fuse element 3 is composed of a single component of the main component constituting the thermal fuse element 3, a laminated film of a plurality of components, or an alloy film of a plurality of components. The electrode layer 6 is made of, for example, a conductive material such as indium, bismuth, or tin, a laminated film thereof, or an alloy film thereof.

電極層6の最上層を温度ヒューズエレメント3の構成主要成分の単一成分、複数成分による積層膜、或いは複数成分の合金膜とすることによって、発熱抵抗体5の熱が実装領域Rに伝わり、実装領域Rを含む温度ヒューズ搭載面に接合・接触している温度ヒューズエレメント3の溶融が開始される時に、電極層6と温度ヒューズエレメント3の接合箇所が溶融温度ヒューズエレメント組成物との濡れ性が良好なこと、又は当該接合箇所の周囲に位置する第1基板4aの表面との濡れ性の差により、接合箇所と接合箇所の周囲に位置する第1基板4aの表面との境界線を溶融温度ヒューズエレメント組成物の最外延部とする球状化、もしくは丘状化が促進されることにより、温度ヒューズエレメント3としての作動性能の安定化を図れる。   By making the uppermost layer of the electrode layer 6 a single component of the main component of the thermal fuse element 3, a laminated film of a plurality of components, or an alloy film of a plurality of components, the heat of the heating resistor 5 is transmitted to the mounting region R, When melting of the thermal fuse element 3 joined to and contacting the thermal fuse mounting surface including the mounting region R is started, the junction between the electrode layer 6 and the thermal fuse element 3 is wettable with the molten thermal fuse element composition. The boundary line between the bonding location and the surface of the first substrate 4a located around the bonding location is melted due to the good wetting or the difference in wettability with the surface of the first substrate 4a located around the bonding location. By promoting spheroidization or hill-like formation as the outermost extension part of the thermal fuse element composition, the operation performance as the thermal fuse element 3 can be stabilized.

また、電極層6の最上層を構成する材料が、温度ヒューズエレメント3の構成成分組成に添加されることにより温度ヒューズエレメント3の組成物の溶融温度を低下させることができる温度ヒューズエレメント構成成分とすること、または、温度ヒューズエレメント3の構成成分組成に添加することにより温度ヒューズエレメント3の溶融温度を低下させる効果のある成分とすることにより、溶融温度ヒューズエレメントの最外延部となる球状化、もしくは丘状化が促進されることにより、温度ヒューズエレメントとしての作動性能の安定化を図れる。   Further, a material constituting the uppermost layer of the electrode layer 6 is added to the constituent component composition of the thermal fuse element 3 so that the melting temperature of the composition of the thermal fuse element 3 can be lowered. Or by adding to the constituent component composition of the thermal fuse element 3 to make the component effective to lower the melting temperature of the thermal fuse element 3, spheroidization that becomes the outermost extension part of the melting temperature fuse element, Alternatively, by promoting the formation of hills, it is possible to stabilize the operation performance as the thermal fuse element.

基板4aに形成される凹部Pは、第1基板4aの中央位置に形成される。そして、凹部Pの隣接する領域にまで電極層6の一部が延在されている。さらに、その電極層6の一部と温度ヒューズエレメント3の一部が電気的に接続される。凹部Pは、基板4aを貫通しており、基板4aと基板4bを重ね合わせたときに、凹部Pから基板4bの上面の一部が露出する。凹部Pは、平面視して一辺の長さが、例えば1mm以上11mm以下に設定されている。また、凹部Pの深さは、例えば0.02mm以上2mm以下に設定されている。   The recess P formed in the substrate 4a is formed at the center position of the first substrate 4a. And a part of electrode layer 6 is extended to the area | region which the recessed part P adjoins. Further, a part of the electrode layer 6 and a part of the thermal fuse element 3 are electrically connected. The recess P penetrates the substrate 4a, and when the substrate 4a and the substrate 4b are overlapped, a part of the upper surface of the substrate 4b is exposed from the recess P. The concave portion P has a side length of, for example, 1 mm or more and 11 mm or less in plan view. Moreover, the depth of the recessed part P is set to 0.02 mm or more and 2 mm or less, for example.

凹部Pには、温度ヒューズエレメント3が溶断するときに、電極層6と温度ヒューズエレメント3との接合箇所における温度ヒューズエレメント3の組成物の球状化、もしくは丘状化により、吸収されなかった対向する接合箇所間の温度ヒューズエレメント3の組成物の溶融物が収容される。仮に、凹部Pが存在しないと、温度ヒューズエレメント3が溶断する温度になって溶融した温度ヒューズエレメント3の溶融物が、第1基板4aに被着した状態となり、電極層6同士の間に微小な導体路が形成され、電極層6を電気的にオープンにできない虞がある。一方、凹部Pが存在すると、溶断物が凹部P内に流れ込み、電極層6を電気的にオープンにしやすくすることができる。   In the recess P, when the thermal fuse element 3 is melted, it is not oppositely absorbed due to the spheroidization or hill formation of the composition of the thermal fuse element 3 at the junction between the electrode layer 6 and the thermal fuse element 3. A melt of the composition of the thermal fuse element 3 between the joints to be accommodated is accommodated. If the concave portion P does not exist, the molten material of the temperature fuse element 3 melted at the temperature at which the temperature fuse element 3 is melted is attached to the first substrate 4a, and a minute amount is formed between the electrode layers 6. There is a possibility that a conductive path is formed and the electrode layer 6 cannot be opened electrically. On the other hand, when the recess P exists, the melted material flows into the recess P, and the electrode layer 6 can be easily opened electrically.

また、基体4の最下層に位置する第2基板4bは、抵抗温度ヒューズ1を外部の回路に設けるときに、土台となるものである。そして、基体4の最下層に位置する基板4bが外部の回路との接合用土台となることができる。   The second substrate 4b located at the lowermost layer of the base 4 serves as a base when the resistance temperature fuse 1 is provided in an external circuit. And the board | substrate 4b located in the lowest layer of the base | substrate 4 can become a foundation for joining with an external circuit.

基体4の最下層に位置する第2基板4bの下面には、導電層7が形成されている。導電層7は、基体4の下面から基体4の側面を介して第1基板4aと第2基板4bとの間に形成される。抵抗温度ヒューズ1とともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出により、導電層7を介して、発熱抵抗体5に通電し、発熱抵抗体5の温度を上昇させる。さらに、発熱抵抗体5の温度に起因して、温度ヒューズエレメント3を溶断することができる。なお、導電層7の幅は、例えば、0.05mm以上10mm以下に設定されている。ここで、導電層7の幅とは、導電層7に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。   A conductive layer 7 is formed on the lower surface of the second substrate 4b located in the lowermost layer of the base 4. The conductive layer 7 is formed between the first substrate 4 a and the second substrate 4 b from the lower surface of the substrate 4 through the side surface of the substrate 4. By detecting the abnormality of the circuit by the abnormality detector incorporated in the circuit together with the resistance temperature fuse 1, the heating resistor 5 is energized through the conductive layer 7 to increase the temperature of the heating resistor 5. Furthermore, the thermal fuse element 3 can be blown due to the temperature of the heating resistor 5. The width of the conductive layer 7 is set to 0.05 mm or more and 10 mm or less, for example. Here, the width of the conductive layer 7 refers to the width in the direction orthogonal to the direction of current flowing in the conductive layer 7.

導電層7は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀又は金等の金属材
料、或いはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、或いはそれらの材料の複合層からなる。
The conductive layer 7 is made of, for example, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, or gold, an alloy thereof, a composite material in which a plurality of materials are mixed, or a composite layer of these materials.

基体4の最上層に位置する第1基板4a上には、凹部Pを跨ぐように、温度ヒューズエレメント3が実装される。温度ヒューズエレメント3は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント3は、例えば、インジウム、ビスマス又は錫等の導電材料、或いはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント3の溶断する融点は、例えば、80℃以上180℃以下に設定されている。   The thermal fuse element 3 is mounted on the first substrate 4 a located in the uppermost layer of the base 4 so as to straddle the recess P. The thermal fuse element 3 is blown when the temperature exceeds a specific temperature. The thermal fuse element 3 is made of a conductive material such as indium, bismuth or tin, or a mixed material thereof. Further, the melting point at which the thermal fuse element 3 melts is set to, for example, 80 ° C. or higher and 180 ° C. or lower.

温度ヒューズエレメント3の少なくともその一部は、平面透視したときに発熱抵抗体5と重なる領域に設けられ、矩形状に形成される。なお、温度ヒューズエレメント3の厚みは、例えば、0.1mm以上0.5mm以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、0.1mm以上5.0mm以下に設定されている。   At least a part of the thermal fuse element 3 is provided in a region overlapping with the heating resistor 5 when seen in a plan view, and is formed in a rectangular shape. The thickness of the thermal fuse element 3 is, for example, not less than 0.1 mm and not more than 0.5 mm, and the length of one side in a plan view is set, for example, not less than 0.1 mm and not more than 5.0 mm. .

発熱抵抗体5、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重なる領域であって、温度ヒューズエレメント3と間を空けて基体4中に形成されている。発熱抵抗体5は、図3に示すように、基体4の第2基板4bの上面に形成されている。発熱抵抗体5は、温度ヒューズエレメント3に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント3を溶断するものである。発熱抵抗体5は、温度ヒューズエレメント3と第1基板4aを介して設けられている。   The heating resistor 5 is a region that overlaps the thermal fuse element 3 when seen through the plane, and is formed in the base body 4 with a gap from the thermal fuse element 3. As shown in FIG. 3, the heating resistor 5 is formed on the upper surface of the second substrate 4 b of the base 4. The heating resistor 5 transmits the temperature of heat generated to the thermal fuse element 3 and melts the thermal fuse element 3. The heating resistor 5 is provided via the thermal fuse element 3 and the first substrate 4a.

発熱抵抗体5は、図3に示すように、一端が電極層6と接続され、他端が導電層7と接続される。発熱抵抗体5は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、その抵抗値確保方法の例示として、そのパターン形状は第2基板4bの上面にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体5の幅は、電極層6及び導電層7の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体5の幅を電極層6及び導電層7の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体5の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体5部分にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。   As shown in FIG. 3, the heating resistor 5 has one end connected to the electrode layer 6 and the other end connected to the conductive layer 7. The heating resistor 5 has a resistance value for securing a required amount of heat generation. As an example of the resistance value securing method, the pattern shape is bent many times on the upper surface of the second substrate 4b. Has been. The width of the heating resistor 5 is set smaller than the width of the electrode layer 6 and the conductive layer 7. By making the width of the heating resistor 5 smaller than the width of the electrode layer 6 and the conductive layer 7, the electrical resistance of the heating resistor 5 is increased, and the control of the Joule heat generated in the heating resistor 5 portion is easy. can do.

発熱抵抗体5には、抵抗温度ヒューズとともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出によって、導電層7を介して発熱抵抗体5に通電する。そして、発熱抵抗体5の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体5の温度が上昇する。さらに、その温度が、第1基板4aを介して温度ヒューズエレメント3に伝わり、温度ヒューズエレメント3が所定温度以上になると溶断する。なお、発熱抵抗体5は、例えば、タングステン又はプラチナ等の材料から成る。   The heating resistor 5 is energized to the heating resistor 5 through the conductive layer 7 by detecting the abnormality of the circuit by the abnormality detector incorporated in the circuit together with the resistance temperature fuse. And since the electrical resistance of the heating resistor 5 is large, the temperature of the heating resistor 5 rises. Further, the temperature is transmitted to the thermal fuse element 3 through the first substrate 4a, and the fuse is blown when the temperature fuse element 3 reaches a predetermined temperature or higher. The heating resistor 5 is made of a material such as tungsten or platinum, for example.

温度ヒューズエレメント3は、フラックス8で被覆されている。フラックス8は、熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、或いは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス8は、温度ヒューズエレメント3に発熱抵抗体5の温度を伝えやすくするものである。そして、発熱抵抗体5の温度と温度ヒューズエレメント3の温度差を小さくすることができる。   The thermal fuse element 3 is covered with a flux 8. The flux 8 is a material having excellent thermal conductivity, and is made of, for example, a material in which pine resin is dissolved in turpentine oil to form a paste, or a material such as zinc chloride. The flux 8 makes it easy to convey the temperature of the heating resistor 5 to the thermal fuse element 3. Then, the temperature difference between the temperature of the heating resistor 5 and the temperature fuse element 3 can be reduced.

上述したように、本実施形態によれば、基体4の最上面に位置する第1基板4aに凹部Pを設け、発熱抵抗体5の温度に起因して温度ヒューズエレメント3を溶断させたときに、凹部P内に溶断した温度ヒューズエレメント3の一部を流しこむことで、電極層6に流れる電流を効果的に遮断することができ、作動特性を向上させることが可能となる。その結果、作動特性を向上させることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することができる。   As described above, according to this embodiment, when the concave portion P is provided in the first substrate 4 a located on the uppermost surface of the base body 4 and the thermal fuse element 3 is blown out due to the temperature of the heating resistor 5. By flowing a part of the thermal fuse element 3 blown into the recess P, the current flowing through the electrode layer 6 can be effectively cut off, and the operating characteristics can be improved. As a result, it is possible to provide a resistance temperature fuse package and a resistance temperature fuse capable of improving the operating characteristics.

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において種々の変更、改良等が可能である。例えば、第1基板4a上に位置する一対の電極層6において、一方の電極層6の長さと他方の電極層6の長さを異なるように設定し、それに合わせて発熱抵抗体5の設ける箇所を変更してもよい。また、凹部P内に、凹部Pの内壁面から突出する凸部を設けてもよい。なお、凸部は、平面視して半円形に設定されている。
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned form, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the pair of electrode layers 6 positioned on the first substrate 4a, the length of one electrode layer 6 and the length of the other electrode layer 6 are set to be different, and the heating resistor 5 is provided accordingly. May be changed. Further, a convex portion protruding from the inner wall surface of the concave portion P may be provided in the concave portion P. In addition, the convex part is set to the semicircle in planar view.

以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る抵抗温度ヒューズ1のうち、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ1と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。   Hereinafter, modifications of the present embodiment will be described. Note that, in the resistance temperature fuse 1 according to the modification of the present embodiment, the same portions as those of the resistance temperature fuse 1 according to the present embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate.

<変形例>
図5又は図6は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ1xの概観斜視図である。基体4の最上層には、平面視して温度ヒューズエレメント3と凹部Pを間に挟んだ位置に一対の溝部Pxを形成してもよい。溝部Pxは、平面視して温度ヒューズエレメント3の長辺を挟んで設けられており、その一部は凹部Pと連続して繋がって形成される。
<Modification>
FIG. 5 or 6 is a schematic perspective view of a resistance thermal fuse 1x according to a modification. In the uppermost layer of the substrate 4, a pair of groove portions Px may be formed at a position sandwiching the thermal fuse element 3 and the concave portion P in plan view. The groove portion Px is provided across the long side of the thermal fuse element 3 in plan view, and a part of the groove portion Px is continuously connected to the concave portion P.

溝部Pxは、平面視して一辺の長さが例えば1mm以上11mm以下に設定されている。また、溝部Pxの深さは、例えば0.02mm以上2mm以下に設定されている。溝部Pxは、断熱空間として機能し、発熱抵抗体5からの熱が伝わりにくくすることができる。   The groove part Px has a side length set to, for example, 1 mm or more and 11 mm or less in plan view. Moreover, the depth of the groove part Px is set to 0.02 mm or more and 2 mm or less, for example. The groove part Px functions as a heat insulating space and can make it difficult for heat from the heating resistor 5 to be transmitted.

溝部Pxは、基体4の最上層に位置する第1基板4aを貫通してもよい。そして、溝部Pxから第1基板4aの直下に位置する第2基板4bの上面の一部を露出している。   The groove part Px may penetrate through the first substrate 4 a located in the uppermost layer of the base body 4. And a part of upper surface of the 2nd board | substrate 4b located just under the 1st board | substrate 4a is exposed from the groove part Px.

溝部Pxは、平面透視して発熱抵抗体5の両側に形成されることにより、発熱抵抗体5から発せられる熱が溝部Px及び凹部Pに伝わるよりも、その発熱抵抗体5と重なる領域上に位置する温度ヒューズエレメント3に向かって伝わりやすくすることができる。   The groove portion Px is formed on both sides of the heating resistor 5 in a plan view, so that the heat generated from the heating resistor 5 is not transferred to the groove portion Px and the recess P, but on the region overlapping the heating resistor 5. It is possible to facilitate transmission toward the thermal fuse element 3 located.

本変形例によれば、発熱抵抗体5の発熱を凹部P及び溝部Px以外の部分、特に、発熱抵抗体5と温度ヒューズエレメント3の間に位置する第1基板4aに伝わりやすくすることができる。そして、第1基板4aに伝わった熱をその直上に位置する温度ヒューズエレメント3に素早く伝え、所定温度にて温度ヒューズエレメント3を溶断することができる。つまり、発熱抵抗体5の発熱を素早く温度ヒューズエレメント3及び実装面Rに伝え、温度ヒューズエレメント3及び実装面Rの温度上昇を早くすることで、作動特性を良好にする事が可能となる。   According to this modification, the heat generated by the heat generating resistor 5 can be easily transmitted to portions other than the concave portion P and the groove portion Px, in particular, to the first substrate 4 a located between the heat generating resistor 5 and the thermal fuse element 3. . Then, the heat transmitted to the first substrate 4a can be quickly transmitted to the thermal fuse element 3 positioned immediately above it, and the thermal fuse element 3 can be melted at a predetermined temperature. That is, it is possible to improve the operating characteristics by quickly transmitting the heat generated by the heating resistor 5 to the temperature fuse element 3 and the mounting surface R, and increasing the temperature rise of the temperature fuse element 3 and the mounting surface R quickly.

本変形例に係る抵抗温度ヒューズ1xでは、基体4を三層構造とし、第2基板4bの直下に第3基板4cを設けている。さらに、第3基板4cに空洞部Pyを設けている。   In the resistance temperature fuse 1x according to this modification, the base body 4 has a three-layer structure, and the third substrate 4c is provided directly below the second substrate 4b. Furthermore, the cavity Py is provided in the third substrate 4c.

空洞部Pyは、基体4内であって発熱抵抗体5よりも下方に設けられ、平面透視して発熱抵抗体5と重なる領域に設けられる。空洞部Pyは、平面視したときのその一辺の長さが、例えば2mm上5mm以下に設定されている。また、空洞部Pyの厚みは、例えば0.1mm以上1.5mm以下に設定されている。空洞部Pyは、断熱空間として機能し、外部から抵抗温度ヒューズに熱が伝わりにくくすることができる。なお、空洞部Pyは、第3基板4cを貫通してもよい。そして、第2基板4bの下面の一部を露出している。   The cavity Py is provided in the base body 4 and below the heating resistor 5 and is provided in a region overlapping the heating resistor 5 when seen in a plan view. The length of one side of the hollow portion Py when viewed in a plane is set to, for example, 2 mm and 5 mm or less. Moreover, the thickness of the cavity part Py is set to 0.1 mm or more and 1.5 mm or less, for example. The hollow portion Py functions as a heat insulating space, and can make it difficult for heat to be transmitted from the outside to the resistance temperature fuse. Note that the cavity Py may penetrate through the third substrate 4c. A part of the lower surface of the second substrate 4b is exposed.

本変形例に係る抵抗温度ヒューズ1xを、外部の回路に設けたときに、外部の回路から伝わる熱を第2基板4bに伝えにくくすることができ、外部の温度影響による発熱抵抗体5の温度変化を抑制することができる。そして、発熱抵抗体5の温度を所望する温度にコントロールすることによって、外部の温度影響による抵抗温度ヒューズ1xの誤作動を抑
制するとともに、更に、抵抗温度ヒューズ1xの発熱抵抗体5が発熱した際の熱が外部の回路に伝わりにくくすることにより、抵抗温度ヒューズの温度上昇特性を向上させることができる。
When the resistance temperature fuse 1x according to this modification is provided in an external circuit, it is possible to make it difficult for heat transmitted from the external circuit to be transmitted to the second substrate 4b, and the temperature of the heating resistor 5 due to external temperature influences. Change can be suppressed. Then, by controlling the temperature of the heating resistor 5 to a desired temperature, the malfunction of the resistance temperature fuse 1x due to external temperature influence is suppressed, and further, when the heating resistor 5 of the resistance temperature fuse 1x generates heat. By making it difficult for heat to be transferred to an external circuit, the temperature rise characteristics of the resistance temperature fuse can be improved.

また、本変形例に係る抵抗温度ヒューズ1xでは、電極層6は、断面視して凹部Pを間に介在させて二つに分かれており、電極層6の凹部Pと対向する端部6xが、湾曲している。   Further, in the resistance temperature fuse 1x according to this modification, the electrode layer 6 is divided into two with a recess P interposed therebetween in a cross-sectional view, and an end 6x facing the recess P of the electrode layer 6 is formed. Is curved.

端部6xは、湾曲していることにより、温度ヒューズエレメント3が溶断したときに、その溶断した一部が端部6xの湾曲箇所に表面張力作用により吸着しやすくなる。溶断した温度ヒューズエレメント3の一部が、第1基板4aの表面上において、端部6xに向かって引っ張られて、対向する一対の電極層6間を電気的にオープンにすることができる。   Since the end portion 6x is curved, when the thermal fuse element 3 is melted, a part of the melted portion is easily attracted to the curved portion of the end portion 6x by surface tension. A part of the fused thermal fuse element 3 is pulled toward the end 6x on the surface of the first substrate 4a, so that the pair of electrode layers 6 facing each other can be electrically opened.

<抵抗温度ヒューズの製造方法>
ここで、図1に示す抵抗温度ヒューズ1、並びに抵抗温度ヒューズパッケージ2の製造方法について説明する。
<Method of manufacturing resistance thermal fuse>
Here, a method of manufacturing the resistance temperature fuse 1 and the resistance temperature fuse package 2 shown in FIG. 1 will be described.

先ず、基体4を構成する第1基板4a及び第2基板4bを準備する。基体4を構成する各基板が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム及び酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシートを成型する。   First, the 1st board | substrate 4a and the 2nd board | substrate 4b which comprise the base | substrate 4 are prepared. When each substrate constituting the substrate 4 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an organic binder, a plasticizer, a solvent, and the like are added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide and calcium oxide. A green sheet is molded from the obtained mixture.

また、タングステン又はモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤又は溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、グリーンシートの状態の第1基板4aの上面に対して、金属ペーストを塗って、電極層6をパターニングする。   Moreover, a high melting point metal powder such as tungsten or molybdenum is prepared, and an organic binder, a plasticizer, a solvent, or the like is added to and mixed with the powder to obtain a metal paste. Then, a metal paste is applied to the upper surface of the first substrate 4a in a green sheet state, and the electrode layer 6 is patterned.

次に、グリーンシートの状態の第1基板4aに貫通孔を形成する。なお、貫通孔は、複数の基板を積層後に、凹部Pとして機能する。   Next, a through hole is formed in the first substrate 4a in a green sheet state. The through hole functions as the recess P after the plurality of substrates are stacked.

そして、第1基板4aと同様に、第2基板4b用のグリーンシートを成形する。また、第2基板4bの上面及び下面のそれぞれに、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って発熱抵抗体5、電極層6の一部及び導電層7の一部を形成する。さらに、第2基板4bの下面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って導電層7を形成する。   And the green sheet for 2nd board | substrates 4b is shape | molded similarly to the 1st board | substrate 4a. Further, a metal paste is applied to each of the upper surface and the lower surface of the second substrate 4b by, for example, screen printing to form the heating resistor 5, part of the electrode layer 6, and part of the conductive layer 7. Further, the conductive layer 7 is formed on the lower surface of the second substrate 4b by applying a metal paste using, for example, a screen printing method.

次に、第1基板4a及び第2基板4bを積層し、約1600度の温度で一体焼成する。さらに、一体後の基体4の、温度ヒューズエレメント搭載部、回路基板実装部及び支持体の表面に所要のめっきを行う。ここでは、抵抗温度ヒューズについての個片製品の製法を述べたが、多数個取のシート形状による製造が量産性、コスト面からは好ましい。このようにして、抵抗温度ヒューズパッケージ2を作製することができる。   Next, the first substrate 4a and the second substrate 4b are stacked and integrally fired at a temperature of about 1600 degrees. Further, necessary plating is performed on the surfaces of the thermal fuse element mounting portion, the circuit board mounting portion, and the support of the integrated base body 4. Here, the manufacturing method of the individual product for the resistance temperature fuse has been described. However, the manufacturing with a multi-piece sheet shape is preferable from the viewpoint of mass productivity and cost. In this way, the resistance temperature fuse package 2 can be manufactured.

次に、基体4の上層に位置する第1基板4a上の所定箇所に温度ヒューズエレメント3を実装する。そして、温度ヒューズエレメント3と電極層6とを電気的に接続する。また、基体4上に、温度ヒューズエレメント3を被覆するようにフラックス8を形成する。このようにして、抵抗温度ヒューズ1を作製することができる。   Next, the thermal fuse element 3 is mounted at a predetermined location on the first substrate 4 a located in the upper layer of the base 4. Then, the thermal fuse element 3 and the electrode layer 6 are electrically connected. Further, a flux 8 is formed on the substrate 4 so as to cover the thermal fuse element 3. In this way, the resistance temperature fuse 1 can be manufactured.

なお、多数個取のシート形状にて作成した抵抗温度ヒューズパッケージ2の個々の抵抗温度ヒューズに相当する部位の所定箇所に温度ヒューズエレメント3を実装した後に、温度ヒューズエレメント3を被覆するようにフラックス8を形成し、その後に多数個取シー
トを個片に分割することが量産性、コスト面からは好ましい。
In addition, after mounting the thermal fuse element 3 at a predetermined position corresponding to each resistance thermal fuse of the resistance thermal fuse package 2 created in a multi-piece sheet shape, a flux is applied so as to cover the thermal fuse element 3 It is preferable from the viewpoint of mass productivity and cost to form 8 and then divide the multi-piece sheet into pieces.

1 抵抗温度ヒューズ
2 抵抗温度ヒューズパッケージ
3 温度ヒューズエレメント
4 基体
4a 第1基板
4b 第2基板
5 発熱抵抗体
6 電極層
7 導電層
8 フラックス
P 凹部
Px 溝部
Py 空洞部
R 実装面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resistance thermal fuse 2 Resistance thermal fuse package 3 Thermal fuse element 4 Base | substrate 4a 1st board | substrate 4b 2nd board | substrate 5 Heating resistor 6 Electrode layer 7 Conductive layer 8 Flux P Concave part Px Groove part Py Cavity part R Mounting surface

Claims (5)

複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に凹部を有する基体と、
前記基体上であって、前記凹部上を渡って設けられる温度ヒューズエレメントと、
前記基体に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に形成される発熱抵抗体と、を備え
前記基体内であって前記発熱抵抗体よりも下方には、平面透視して前記発熱抵抗体と重なる領域に空洞部が設けられていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
A substrate having a plurality of substrates laminated, and a substrate having a recess in the uppermost substrate,
A thermal fuse element on the base and provided over the recess;
Provided on the substrate, comprising a heating resistor which is formed in a region overlapping with the thermal fuse element in a plan perspective, a,
A resistance thermal fuse, wherein a cavity is provided in a region that overlaps the heating resistor in a plan view below the heating resistor in the base .
請求項1に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基体と前記温度ヒューズエレメントとの間には、前記温度ヒューズエレメントと接続される電極層が更に設けられており、
前記電極層は、前記温度ヒューズエレメントの構成材料を含有していることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
The resistance thermal fuse of claim 1,
Between the base and the thermal fuse element, an electrode layer connected to the thermal fuse element is further provided,
The resistance thermal fuse, wherein the electrode layer contains a constituent material of the thermal fuse element.
請求項1又は請求項2に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記電極層は、断面視して前記凹部を間に介在させて二つに分かれており、前記電極層の前記凹部と対向する端部が、湾曲していることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
The resistance thermal fuse according to claim 1 or 2,
The resistance temperature fuse according to claim 1, wherein the electrode layer is divided into two parts with the recess interposed therebetween in a cross-sectional view, and an end portion of the electrode layer facing the recess is curved.
請求項1乃至請求項のいずれかに記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基体の最上層には、平面視して前記温度ヒューズエレメントと前記凹部を間に挟んだ位置に一対の溝部が形成されていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
A resistance temperature fuse according to any one of claims 1 to 3 ,
The resistance thermal fuse according to claim 1, wherein a pair of grooves are formed in the uppermost layer of the base body at a position sandwiching the thermal fuse element and the concave portion in plan view.
複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に凹部を有し、平面視して前記凹部を挟む両領域に渡って温度ヒューズエレメントが実装される実装面を有する基体と、
前記基体内であって、平面透視して前記実装面と重なる領域に設けられる発熱抵抗体と、を備え
前記基体内であって前記発熱抵抗体よりも下方には、平面透視して前記発熱抵抗体と重なる領域に空洞部が設けられていることを特徴とする抵抗温度ヒューズパッケージ。
A substrate having a mounting surface on which a thermal fuse element is mounted across both regions sandwiching the recess in plan view, having a recess in the substrate located in the uppermost layer and having a plurality of substrates stacked thereon,
A heating resistor provided in a region that overlaps with the mounting surface in a transparent manner in the base body ,
A resistance thermal fuse package, wherein a cavity portion is provided in a region that overlaps with the heating resistor in a plan view below the heating resistor in the base .
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