JP2017116821A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】一実施形態における液晶表示装置は、第１基板と、上記第１基板に対向する第２基板と、上記第１基板及び上記第２基板の間に封入された液晶層と、を備える。さらに、上記第１基板は、走査線及び信号線と、上記走査線及び上記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、第１電極と、カラーフィルタ層と、上記信号線に沿って上記第１電極に接触した共通配線と、上記共通配線上に位置する反射抑制層と、上記反射抑制層及び上記第１電極を覆う絶縁層と、少なくとも上記絶縁層及び上記カラーフィルタ層に形成された開口部により形成されるコンタクトホールを通じて上記スイッチング素子と電気的に接続された第２電極と、上記コンタクトホールを囲う凸部を形成する流入防止層と、上記絶縁層、上記第２電極、及び上記流入防止層を覆う配向膜と、を備える。
【選択図】図６

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。

近年、カラーフィルタ及びスイッチング素子を同一基板上に形成したＣＯＡ（Color filter On Array）方式の液晶表示装置が開発されている（例えば、特許文献１を参照）。

上記のＣＯＡ方式では、一方の基板にカラーフィルタや各種の配線を設け、他方の基板から遮光層を省略することによって、開口率を向上させることができる。しかしながら、遮光層を省略する場合には、上記他方の基板を介して入射した外光が配線で反射されることにより、表示品位の低下を招くおそれがある。

特開平１１−２４０６１号公報

本開示の一態様における目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。

一実施形態における液晶表示装置は、第１基板と、上記第１基板に対向する第２基板と、上記第１基板及び上記第２基板の間に封入された液晶層と、を備える。さらに、上記第１基板は、走査線及び信号線と、上記走査線及び上記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、第１電極と、カラーフィルタ層と、上記信号線に沿って上記第１電極に接触した共通配線と、上記共通配線上に位置する反射抑制層と、上記反射抑制層及び上記第１電極を覆う絶縁層と、少なくとも上記絶縁層及び上記カラーフィルタ層に形成された開口部により形成されるコンタクトホールを通じて上記スイッチング素子と電気的に接続された第２電極と、上記コンタクトホールを囲う凸部を形成する流入防止層と、上記絶縁層、上記第２電極、及び上記流入防止層を覆う配向膜と、を備える。

図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の外観の一例を示す斜視図である。 図２は、上記液晶表示装置が備える第１基板の平面図である。 図３は、上記液晶表示装置が備える第２基板の平面図である。 図４は、上記液晶表示装置が備えるカラーフィルタの配置態様の一例を示す平面図である。 図５は、図２のＡ−Ａ’に沿う表示パネルの断面図である。 図６は、図２のＢ−Ｂ’に沿う表示パネルの断面図である。 図７は、上記液晶表示装置が備えるコンタクトホールの近傍を拡大した断面図である。 図８は、上記コンタクトホールの近傍を模式的に示す平面図である。 図９は、反射率の配向膜厚依存性の一例を示す図である。 図１０は、第２実施形態に係る流入防止層を説明するための図である。 図１１は、第３実施形態に係る流入防止層を説明するための図である。 図１２は、図１１のＣ−Ｃ’に沿う表示パネルの断面図である。 図１３は、第４実施形態に係る反射抑制層を説明するための図である。 図１４は、反射率の配向膜厚依存性の一例を示す図である。 図１５は、第５実施形態におけるカラーフィルタ層の平面形状を示す図である。

いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

各実施形態においては、液晶表示装置の一例を開示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、デジタルカメラ用モニタ等の種々の装置に用いることができる。

（第１実施形態）
図１は、液晶表示装置ＤＳＰの外観の一例を示す斜視図である。
液晶表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、照明装置ＢＬと、を備えている。
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に封入された液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域である。非表示領域ＮＤＡは、画像が表示されない領域であり、表示領域ＤＡの外側に位置している。

第１基板ＳＵＢ１は、接続部ＣＮを備えている。接続部ＣＮは、フレキシブルプリント回路基板やＩＣチップなどの信号供給源を接続するための端子を備えている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側（第２基板ＳＵＢ２との対向面の反対側）に配置されている。このような照明装置ＢＬとしては、種々の形態が適用可能である。一例として、照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１と対向する導光板、この導光板の端部に沿って配置された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光源、導光板の一方の主面側に配置された反射シート、導光板の他方の主面側に積層された各種光学シートなどを備えている。

なお、図示した例の表示パネルＰＮＬは、照明装置ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型であるが、これに限らない。例えば、表示パネルＰＮＬは、外光あるいは外部光源からの光を選択的に反射させることで画像を表示させる反射型であっても良いし、透過型及び反射型の双方の表示機能を備えた半透過型であっても良い。

また、ここでは表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、表示パネルＰＮＬの法線に沿った縦電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの主面に沿った横電界を利用する表示モードのいずれも適用可能である。

以下、各実施形態において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。

図２は、第１基板ＳＵＢ１の平面図である。ここでは、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用した構成例について説明する。図中において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交する方向である。

第１基板ＳＵＢ１は、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、スイッチング素子ＳＷ、中継電極ＲＥ、第１電極Ｅ１（図５等参照）、第２電極Ｅ２、共通配線ＣＭ、反射抑制層ＬＡなどを備えている。なお、図２では、説明に必要な構成のみを図示しており、第１電極Ｅ１などの図示を省略している。

複数の走査線ＧＬは、所定の間隔をおいて第２方向Ｙに並んでいる。各走査線ＧＬは、第１方向Ｘに延出し、直線状に形成されている。なお、走査線ＧＬは、一部が屈曲していても良い。複数の信号線ＳＬは、所定の間隔をおいて第１方向Ｘに並んでいる。各信号線ＳＬは、概ね第２方向Ｙに延出し、その一部が屈曲している。図示した例では、隣接する２本の走査線ＧＬの間において、信号線ＳＬは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向に延出している。なお、信号線ＳＬは、第２方向Ｙに沿った直線状に形成されていても良い。図中において、画素ＰＸは、隣接する２本の走査線ＧＬ、及び、隣接する２本の信号線ＳＬによって区画される領域に相当する。

スイッチング素子ＳＷは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬと電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷの詳細については後述する。中継電極ＲＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。第１電極Ｅ１は、複数の画素ＰＸに亘って配置された共通電極である（図５等参照）。第２電極Ｅ２は、各画素ＰＸに配置された画素電極である。第２電極Ｅ２は、中継電極ＲＥと電気的に接続されている。図示した例では、第２電極Ｅ２は、２本の帯状電極ＥＡを有している。帯状電極ＥＡは、信号線ＳＬと略平行に延出している。図中のＣＨは、中継電極ＲＥと第２電極Ｅ２とを電気的に接続するためのコンタクトホールである。

走査線ＧＬはスイッチング素子ＳＷに走査信号を供給し、信号線ＳＬはスイッチング素子ＳＷに映像信号を供給する。走査信号及び映像信号が供給されたスイッチング素子ＳＷは、映像信号に応じた電圧を第２電極Ｅ２に供給する。これにより、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に画像表示のための電界が形成される。

共通配線ＣＭは、信号線ＳＬに沿って設けられている。図示した例では、共通配線ＣＭは、平面視で、信号線ＳＬと重なっている。反射抑制層ＬＡは、平面視で、共通配線ＣＭと重なっている。なお、第２電極Ｅ２は、平面視で、共通配線ＣＭ及び反射抑制層ＬＡから離間している。本実施形態において、反射抑制層ＬＡは、共通配線ＣＭに向かう外光を吸収して共通配線ＣＭに到達する外光の光量を低減するとともに、共通配線ＣＭにて反射された外光を吸収する光吸収層である。

図３は、第２基板ＳＵＢ２の平面図である。ここでは、図２に示した第１基板ＳＵＢ１の主要部を点線で示している。
第２基板ＳＵＢ２は、遮光層ＢＭ及びスペーサＳＰなどを備えている。遮光層ＢＭは、平面視で、走査線ＧＬ、中継電極ＲＥ、コンタクトホールＣＨなどと重なっている。一方で、遮光層ＢＭは、隣接する２本の走査線ＧＬの間においては、信号線ＳＬとは重なっていない。

スペーサＳＰは、例えば第２基板ＳＵＢ２に形成され、液晶層ＬＣに突出している。スペーサＳＰにより、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップが所定の距離に保たれる。図３の例において、スペーサＳＰは走査線ＧＬに沿って長尺に延び、信号線ＳＬと交差している。さらに、スペーサＳＰは、遮光層ＢＭと重なっている。スペーサＳＰは、第１基板ＳＵＢ１に形成されても良い。

本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１がカラーフィルタ層を備えたいわゆるＣＯＡ（Color filter On Array）方式の液晶表示装置である。図４は、カラーフィルタ層ＣＦの配置態様の一例を示す平面図である。

この図の例において、第１基板ＳＵＢ１に設けられたカラーフィルタ層ＣＦは、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを含む。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、いずれも隣り合う２本の信号線ＳＬの間で連続的に延びている。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの境界は、平面視で信号線ＳＬと重なっている。さらに、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、第１方向Ｘに並んでいる。このような構成においては、第１方向Ｘに並ぶ３つの画素ＰＸ（副画素）により、カラー表示のための最小単位となる画素が構成される。

カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、コンタクトホールＣＨの位置に開口部ＣＦａを有している。図４の例において、開口部ＣＦａは、コンタクトホールＣＨを囲う円形の孔である。

図５は、図２のＡ−Ａ’に沿う表示パネルＰＮＬの断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、第１アンダーコート層１１、第２アンダーコート層１２、第１絶縁層１３、第２絶縁層１４、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６、第１配向膜１７、信号線ＳＬ、カラーフィルタ層ＣＦ、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、共通配線ＣＭ、反射抑制層ＬＡなどを備えている。

第１絶縁基板１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する第１面１０Ａと、図１に示した照明装置ＢＬと対向する第２面１０Ｂとを有している。一例として、第１絶縁基板１０は、ホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であっても良い。

第１アンダーコート層１１は、第１面１０Ａを覆っている。第２アンダーコート層１２は、第１アンダーコート層１１を覆っている。第１絶縁層１３は、第２アンダーコート層１２を覆っている。第２絶縁層１４は、第１絶縁層１３を覆っている。信号線ＳＬは、第２絶縁層１４の上に形成されている。

カラーフィルタ層ＣＦは、信号線ＳＬ及び第２絶縁層１４を覆っている。第３絶縁層１５は、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。第１電極Ｅ１は、カラーフィルタ層ＣＦの上に形成されている。第１電極Ｅ１は、複数の画素に亘って延在している。

共通配線ＣＭは、第１電極Ｅ１の上に形成され、信号線ＳＬと対向している。反射抑制層ＬＡは、共通配線ＣＭの上に形成されている。反射抑制層ＬＡ及び共通配線ＣＭは、例えばこれらの元となる層を順に成膜した後、同一のプロセスにて一体的にパターニングすることで形成される。そのため、反射抑制層ＬＡ及び共通配線ＣＭの端部は概ね揃っている。図示した例では、反射抑制層ＬＡ及び共通配線ＣＭの幅が信号線ＳＬの幅よりも大きく、共通配線ＣＭが信号線ＳＬと平面視において完全に重なる。信号線ＳＬの側面での反射、或いは、共通配線ＣＭの側面での反射を抑制するために、反射抑制層ＬＡの幅が信号線ＳＬの幅及び共通配線ＣＭの幅より大きくても良い。

共通配線ＣＭは、第１電極Ｅ１にコモン電位を供給している。第１電極Ｅ１の電位は、一定に保持されても良いが、フリッカの低減等のために走査周期と共に変動させても良い。第１電極Ｅ１の電位を変動させる場合、第１電極Ｅ１は、金属配線に比較して高抵抗であるため、単独では電位変動に遅延が発生する場合がある。図示した例のように、共通配線ＣＭと第１電極Ｅ１とが接触することで、第１電極Ｅ１を低抵抗化することができ、電位変動の遅延を抑制することができる。

第４絶縁層１６は、反射抑制層ＬＡ、共通配線ＣＭ、及び第１電極Ｅ１を覆っている。第２電極Ｅ２は、第４絶縁層１６の上に形成されている。第１配向膜１７は、第２電極Ｅ２及び第４絶縁層１６を覆っている。

第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、平坦化層２１、第２配向膜２２などを備えている。第２絶縁基板２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側の第２面２０Ｂとを有している。一例として、第２絶縁基板２０は、ホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であっても良い。平坦化層２１は、第１面２０Ａを覆っている。第２配向膜２２は、平坦化層２１を覆っている。

なお、第２基板ＳＵＢ２は、信号線ＳＬの上方に光を透過可能な透明領域を有している。つまり、第２基板ＳＵＢ２において、信号線ＳＬの上方には、遮光層が配置されていない。

第１絶縁基板１０の第２面１０Ｂには第１偏光板ＰＬ１が配置され、第２絶縁基板２０の第２面２０Ｂには第２偏光板ＰＬ２が配置されている。液晶層ＬＣは、第１配向膜１７と第２配向膜２２の間に封入されている。液晶層ＬＣは、正の誘電率異方性を有するポジ型であっても良いし、負の誘電率異方性を有するネガ型であっても良い。

図６は、図２のＢ−Ｂ’に沿う表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、ここでは、主に図５に示した断面図とは異なる部分について説明する。
第１基板ＳＵＢ１は、遮光層ＬＳ、スイッチング素子ＳＷ、中継電極ＲＥを備えている。遮光層ＬＳは、第１絶縁基板１０の第１面１０Ａに形成され、第１アンダーコート層１１で覆われている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＰＳを備えている。半導体層ＰＳは、第２アンダーコート層１２の上に形成され、第１絶縁層１３で覆われている。走査線ＧＬの一部である２つのゲート電極ＷＧは、第１絶縁層１３の上に形成され、第２絶縁層１４で覆われている。信号線ＳＬ及び中継電極ＲＥは、第２絶縁層１４の上に形成され、カラーフィルタ層ＣＦ及び第３絶縁層１５によって覆われている。信号線ＳＬ及び中継電極ＲＥは、それぞれ半導体層ＰＳに接触している。第２電極Ｅ２は、コンタクトホールＣＨに延在し、中継電極ＲＥに接触している。

第２基板ＳＵＢ２は、遮光層ＢＭを備えている。遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の第１面２０Ａに形成され、平坦化層２１で覆われている。遮光層ＢＭは、コンタクトホールＣＨや中継電極ＲＥなどと平面視で重なっている。

一例として、第１アンダーコート層１１は厚さが約１００ｎｍの酸化ケイ素膜であり、第２アンダーコート層１２は厚さが約１００ｎｍの窒化ケイ素膜であり、第１絶縁層１３は厚さが約１００ｎｍの酸化ケイ素膜であり、第２絶縁層１４は厚さが約４００ｎｍの酸化ケイ素膜であり、第３絶縁層１５は厚さが約１．５μｍのポジ型の有機透明レジストである。第４絶縁層１６は窒化ケイ素膜であり、反射抑制層ＬＡと重畳する部分は厚さが約３０ｎｍであり、その他の部分は厚さが約１２０ｎｍである。第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、厚さが約４０ｎｍのインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）である。第１配向膜１７及び第２配向膜２２は、ポリイミド膜である。平坦化層２１は厚さが約１．０μｍの非感光性の透明有機膜であり、遮光層ＢＭは厚さが約２．０μｍの黒色顔料を含むネガ型のフォトレジストである。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、それぞれ赤色、緑色、青色の顔料で着色された厚さが約１．５μｍのネガ型の有機レジストである。

また、一例として、中継電極ＲＥ及び信号線ＳＬは、厚さが約４５０ｎｍのアルミニウム膜と厚さが約１００ｎｍのチタン膜と厚さが約１００ｎｍのアルミニウム膜とを順に積層した積層体である。走査線ＧＬは、厚さが約２００ｎｍのモリブデンタングステン合金膜である。共通配線ＣＭは、厚さが約２００ｎｍのアルミニウム膜である。光吸収層である反射抑制層ＬＡは、厚さが約１４０ｎｍの窒化チタン膜である。半導体層ＰＳは、アモルファスシリコンをレーザーアニール法で多結晶化した膜である。遮光層ＬＳは、厚さが約５０ｎｍのモリブデンタングステン合金膜である。
なお、ここで挙げた各要素の材料及び厚さは例示に過ぎず、種々の変形が可能である。

図７は、コンタクトホールＣＨの近傍を拡大した断面図である。本開示においては、図示したように第４絶縁層１６が中継電極ＲＥに向けて窪んだ領域をコンタクトホールＣＨと定義する。図７の例において、このコンタクトホールＣＨは、第３絶縁層１５に設けられた開口部１５ａと、第４絶縁層１６に設けられた開口部１６ａと、カラーフィルタ層ＣＦに設けられた開口部ＣＦａとに起因して形成される窪み領域に相当する。一例として、開口部１５ａの上端の直径は約８μｍであり、下端の直径は約７μｍである。また、開口部１６ａの直径は約４μｍである。

図７の例においては、第４絶縁層１６が第３絶縁層１５の開口部１５ａの内部にも延出している。第１電極Ｅ１は、コンタクトホールＣＨにおいて第４絶縁層１６を覆い、開口部１６ａを通じて中継電極ＲＥに接触している。

本実施形態においては、コンタクトホールＣＨの位置に、流入防止層３０が形成されている。図６及び図７の例において、流入防止層３０は、第２電極Ｅ２の上に形成されており、端部がコンタクトホールＣＨの周縁に延出している。図７の例においては、流入防止層３０の端面と第２電極Ｅ２の端面とが揃っているが、これらの端面はずれていても良い。

図７の例では、流入防止層３０は、第１配向膜１７によって覆われている。流入防止層３０を覆う第１配向膜１７は、周囲からの流入により二次的に形成されたものではなく、例えばスクリーン印刷法で第１配向膜１７を成膜した際に流入防止層３０の上に形成されたものである。なお、流入防止層３０の上に第１配向膜１７が形成されていなくても良い。

一例として、流入防止層３０は、ポジ型の有機透明レジストである。なお、流入防止層３０の材料は、フォトリソグラフィでパターニングできるものであれば、ポジ型、ネガ型、有機或いは有機と無機のハイブリッドなどのいずれの種類のフォトレジストであっても良く、着色されていても良い。上記のポジ型の有機透明レジストは、これらのフォトレジストの中でもパターニングの精度が良好である。

流入防止層３０は、第２基板ＳＵＢ２に向けて突出した凸部３１を有している。凸部３１は、コンタクトホールＣＨの外に延出した流入防止層３０の端部に相当する。この凸部３１により、コンタクトホールＣＨの外側に向いた壁面（流入防止層３０の端面）がコンタクトホールＣＨの周囲に形成される。

図８は、コンタクトホールＣＨの近傍を模式的に示す平面図である。ここでは、流入防止層３０にドットを付している。図８の例において、コンタクトホールＣＨ及び流入防止層３０は、同心円状である。したがって、流入防止層３０の端部で構成される凸部３１は、コンタクトホールＣＨを囲う円環状である。第１配向膜１７は、第４絶縁層１６や流入防止層３０の全域を覆っている。

なお、流入防止層３０は、コンタクトホールＣＨと同心円状でなくても良い。また、凸部３１は、コンタクトホールＣＨを囲う形状であれば、円環状でなくても良い。
通常、第１配向膜１７は、配向膜材料の溶液を印刷法により塗布した後に焼成することで成膜される。溶液は、下層表面に凹凸があれば凹部に向かって流れるので、凹部の膜厚が厚くなり、凸部の膜厚が薄くなる。すなわち、コンタクトホールＣＨの周囲においては、溶液がコンタクトホールＣＨに流れ込み、周囲の第１配向膜１７の膜厚が薄くなり得る。特に、本実施形態のようにＣＯＡ方式を採用した場合には、コンタクトホールＣＨが膜厚の大きいカラーフィルタ層ＣＦ及び第３絶縁層１５を貫通するので、コンタクトホールＣＨが大きくかつ深くなる。したがって、多くの溶液がコンタクトホールＣＨに流入し得る。

これに対し、図７及び図８に示すような流入防止層３０をコンタクトホールＣＨの周囲に形成すれば、凸部３１が障壁となって、コンタクトホールＣＨへの溶液の流入を防ぐことができる。したがって、コンタクトホールＣＨの周囲における第１配向膜１７の膜厚を好適に維持できる。

一例として、流入防止層３０の厚さを第１配向膜１７の厚さの５０％以上とすることで、コンタクトホールＣＨへの溶液の流入を防ぐ十分な効果を得ることができる。さらに、流入防止層３０の厚さを第１配向膜１７の厚さ以上とすることで、一層好適に溶液の流入を防ぐことができる。また、流入防止層３０の厚さは第１配向膜１７の厚さの５倍以下とすれば良く、さらに望ましくは２倍以下とすれば良い。

なお、本実施形態ではコンタクトホールＣＨの内部にも流入防止層３０が配置されているが、流入防止層３０はコンタクトホールＣＨの周縁にのみ配置されても良い。すなわち、流入防止層３０は、コンタクトホールＣＨの周縁に凸部３１を形成するものであれば、他の部分の形状は問わない。

本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１は、各色の画素毎に第２電極Ｅ２と、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢのいずれかを備えている。仮に第２電極Ｅ２とカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢとが異なる基板に配置されている場合、これら基板が僅かにずれて貼り合されると、第２電極Ｅ２とカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢとの不整合が生じ、画素間の混色が生じ得る。本実施形態では、このような不整合を防ぐことができ、結果として混色を防止することが可能となる。

また、後述するように、第１基板ＳＵＢ１が信号線ＳＬによる反射を抑制するための構造を有しているため、第２基板ＳＵＢ２における遮光層ＢＭの設置面積を低減することができる。このため、開口率の低下を抑制することが可能となる。

ここで、信号線ＳＬによる反射を抑制するための構造について、より具体的に説明する。すなわち、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、及び、共通配線ＣＭは、何れも高反射率であり、これらが露出すると、明るい環境下で外光を反射してコントラスト比の低下を招く。本実施形態では、走査線ＧＬは遮光層ＢＭによって遮光され、信号線ＳＬは共通配線ＣＭによって遮光されている。このため、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬは、コントラスト比低下の要因にはならない。また、反射抑制層ＬＡは、共通配線ＣＭの上に設けられている。このため、共通配線ＣＭに到達する入射光量が低減されるとともに、共通配線ＣＭからの反射光のほとんどが吸収される。したがって、共通配線ＣＭも、コントラスト比低下の要因にはならない。

ところで、反射抑制層ＬＡは、その膜厚が１００ｎｍ以上であれば、共通配線ＣＭからの反射光をほとんど吸収する。しかしながら、反射抑制層ＬＡの上に透明な有機膜或いは無機膜を積層した場合には、これらの膜と反射抑制層ＬＡとの間で例えば５〜７％の界面反射が生じる。遮光層ＢＭの反射率は例えば１％程度であり、遮光層ＢＭに近い低反射率を実現するためには、上記の界面反射を低減しなければならない。

本実施形態では、反射抑制層ＬＡの上には、第４絶縁層１６及び第１配向膜１７が位置している。一例では、第４絶縁層１６の屈折率は１．７５であり、第１配向膜１７の屈折率は１．６５である。また、液晶層ＬＣは複屈折を有し、配向方向とその垂直方向の屈折率はそれぞれ１．６と１．５程度である。反射抑制層ＬＡは、例えば屈折率が１．４であり、消光係数が０．７である。このような条件のもとでは、第４絶縁層１６と反射抑制層ＬＡとの界面で生じる反射光強度と、第４絶縁層１６と第１配向膜１７との界面で生じる反射光強度とがほぼ等しくなるので、第４絶縁層１６は干渉膜として作用する。

液晶層ＬＣの上にはさらに第２配向膜２２があり、その界面では同様に界面反射が生じるが、共通配線ＣＭからどれだけ上方に離れた界面における反射が共通配線ＣＭの反射防止に関与するかは、共通配線ＣＭの幅で決まる。すなわち、光の干渉は各界面での反射光が重畳することで生じるが、反射抑制層ＬＡの幅は一例では３．０μｍ程度であり、この幅に比較して十分に上方の界面で生じる反射光は入射光の極角が大きいと重畳しない。使用者は、多くの場合には基板法線方向から液晶表示装置ＤＳＰを観察する。極角の小さい入射光は使用者によって遮られるので、ここでは極角の大きい入射光を考慮すれば良い。液晶層ＬＣの厚さは、反射抑制層ＬＡの幅と同程度であるため、第１配向膜１７と液晶層ＬＣの間の界面反射にまで着目すれば十分である。

注目する膜の上下界面での反射光が重畳した際に、２つの反射光の位相差が０．５波長であれば両者は打ち消し合い、反射光強度が低下する効果が得られる。干渉効果で２つの反射光が打ち消し合う条件は、一般には次式で表される。
０．５＋ｉ＝２ｎ（ｄ＋ｄ０）／λｃｏｓθ
ここでｉは０以上の整数であり、θは入射光の極角であり（基板法線方向でθ＝０°）、λは入射光の波長である。またｄは注目する膜の膜厚であり、ｎは注目する膜の屈折率である。ｄ０は注目する膜以外にも膜が存在していて、それらの界面からの反射光が干渉して生じる干渉光の効果を光路長で表したものであり、他の膜が存在しなければ０となる。このように干渉効果で２つの反射光が打ち消し合う条件は、ｉの数だけ存在し、それぞれｉ次の干渉条件と呼ぶことにする。

図９は、本実施形態の構造において、視感度が最大となる波長５５０ｎｍにおける反射率の第１配向膜１７の膜厚依存性を示す図である。図中の横軸は第１配向膜１７の膜厚（ｎｍ）であり、縦軸は反射率（％）である。図示したように、第１配向膜１７の膜厚と共に反射率の極小値が周期的に表れるのがわかる。また、反射率は膜厚とともに急峻に変化し、反射率の極小値は２．５％で膜厚７０ｎｍ付近にあるが、例えば膜厚が５ｎｍ程度まで減少すると反射率が約２倍に増大する。

反射抑制層ＬＡ、第４絶縁層１６、第１配向膜１７、液晶層ＬＣのうち、両界面における反射に着目するのは反射抑制層ＬＡ、第４絶縁層１６、第１配向膜１７なので、これらの膜厚が干渉効果に影響を及ぼす。反射抑制層ＬＡと第４絶縁層１６は無機膜であり、例えばスパッタ法やＣＶＤ法で成膜することができる。スパッタ法やＣＶＤ法は膜厚の均一性が極めて高いため、全域において干渉条件を満たす膜厚にすることができる。

一方で、第１配向膜１７は有機膜であり、上述のように配向膜材料の溶液を印刷法により塗布した後に焼成することで成膜される。したがって、コンタクトホールＣＨの周囲では、コンタクトホールＣＨに溶液が流入して第１配向膜１７の膜厚が不均一になり得るが、本実施形態では流入防止層３０を設けているので、コンタクトホールＣＨへの溶液の流入を防止できる。これにより、コンタクトホールＣＨの周囲でも第１配向膜１７の膜厚を、干渉条件を満たす膜厚、例えば図９において反射率が極小値の近傍となる５０ｎｍで均一に保つことができる。

第１配向膜１７の膜厚をコンタクトホールＣＨの周囲で干渉条件を満たす膜厚に保つことで、共通配線ＣＭによる反射率を、コンタクトホールＣＨの近傍を含め概ね全域で最小化することが可能となる。したがって、明所で液晶表示装置ＤＳＰが使用される場合であってもコントラスト比を好適に保ち、液晶表示装置ＤＳＰの表示品位を高めることができる。
以上述べた他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態では、流入防止層３０の形状において第１実施形態と相違する。第１実施形態と同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図１０は、本実施形態に係る流入防止層３０を説明するための図であって、コンタクトホールＣＨの近傍の模式的な断面を示している。この図に示す流入防止層３０は、コンタクトホールＣＨの内部に形成され、コンタクトホールＣＨの周縁に延出していない。流入防止層３０は、第１実施形態と同じく、ポジ型の有機透明レジストなどの材料で形成することができる。

図１０の例において、流入防止層３０は、コンタクトホールＣＨの大部分を満たしている。一例として、コンタクトホールＣＨの中心における深さは４μｍであり、同じくコンタクトホールＣＨの中心における流入防止層３０の厚さＨは３μｍである。例えば、流入防止層３０の厚さＨは、第３絶縁層１５の厚さ（例えば約１．５μｍ）、第４絶縁層１６の厚さ（例えば約１２０ｎｍ）、カラーフィルタ層ＣＦの厚さ（例えば約１．５μｍ）よりも大きい。

なお、厚さＨはコンタクトホールＣＨの深さ未満である必要はなく、コンタクトホールＣＨの深さと同等であっても良い。また、厚さＨは、コンタクトホールＣＨの深さより大きくても良い。この場合には、流入防止層３０がコンタクトホールＣＨの全てを満たし、かつコンタクトホールＣＨから突出する。

第１配向膜１７は、第１実施形態と同じく、第４絶縁層１６や第２電極Ｅ２とともに流入防止層３０を覆っている。コンタクトホールＣＨに流入防止層３０が配置されているので、第１配向膜１７の成膜時に溶液がコンタクトホールＣＨに流れ込む量を低減できる。これにより、第１配向膜１７の膜厚をコンタクトホールＣＨの近傍でも最適化することが可能となり、干渉効果を利用した共通配線ＣＭの反射防止効果を得ることができる。

なお、図１０の例においては流入防止層３０がコンタクトホールＣＨの内部にのみ配置されているが、第１実施形態と同じくその一部がコンタクトホールＣＨの周縁に延出して凸部を形成しても良い。

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態では、流入防止層３０の形状において上述の各実施形態と相違する。上述の各実施形態と同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図１１は、流入防止層３０の形状を示す平面図であって、流入防止層３０とともに第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が備える他の主要な要素を示している。本実施形態において、流入防止層３０は、走査線ＧＬに沿って第１方向Ｘに延びる主部３２と、主部３２から延出した延出部３３とを備えている。

主部３２は、複数のコンタクトホールＣＨを連続的に覆っている。延出部３３は、共通配線ＣＭに沿って主部３２から延出している。主部３２は、遮光層ＢＭと平面視で重なっている。延出部３３は、その大部分が遮光層ＢＭと平面視で重なっておらず、共通配線ＣＭ、信号線ＳＬ、及び反射抑制層ＬＡと平面視で重なっている。スペーサＳＰは、主部３２の両側に突出する一対の延出部３３の間に位置している。

図１１の例においては、第１方向Ｘに並ぶ共通配線ＣＭのそれぞれに対して、主部３２の両側から延出部３３が延出している。但し、延出部３３は、主部３２の一方の側にのみ設けられても良い。また、延出部３３は、全ての共通配線ＣＭに対して設けられる必要はなく、例えばスペーサＳＰと重なる共通配線ＣＭのみに対して設けられても良い。

図１２は、図１１のＣ−Ｃ’に沿う表示パネルＰＮＬの断面図である。この図に示す表示パネルＰＮＬは、第１実施形態と同じく、第３絶縁層１５、第４絶縁層１６、第１配向膜１７、信号線ＳＬ、中継電極ＲＥ、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、カラーフィルタ層ＣＦ（カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ）、共通配線ＣＭ、反射抑制層ＬＡ、平坦化層２１、第２配向膜２２、遮光層ＢＭ、スペーサＳＰ、及び液晶層ＬＣなどを備えている。表示パネルＰＮＬは、図５及び図６に示した他の要素も備えるが、ここでは図示を省略している。

図１２の例においては、第３絶縁層１５とカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの積層順が入れ替えられている。すなわち、信号線ＳＬは第３絶縁層１５で覆われ、第３絶縁層１５がカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢで覆われている。第１電極Ｅ１は、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの上にそれぞれ形成されている。第１電極Ｅ１及びカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、第４絶縁層１６で覆われている。

流入防止層３０の主部３２は、複数のコンタクトホールＣＨを連続的に覆っている。図１２の例において、流入防止層３０は、第２実施形態と同様にコンタクトホールＣＨの大部分を満たしている。流入防止層３０は、コンタクトホールＣＨの位置に比べ、他の位置では薄くなっている。例えば、流入防止層３０の材料の成膜とパターニングによりコンタクトホールＣＨの内部にのみ流入防止層３０を形成し、その後に再び流入防止層３０の材料を第１基板ＳＵＢ１の全体に成膜することで、図示したように厚さが異なる流入防止層３０を得ることができる。

流入防止層３０は、スペーサＳＰと対向する位置に、第２基板ＳＵＢ２に向けて突出した凸部３４を有している。この凸部３４は、共通配線ＣＭ及び反射抑制層ＬＡによって流入防止層３０が隆起した領域に相当する。

流入防止層３０は第１配向膜１７で覆われている。また、スペーサＳＰは第２基板ＳＵＢ２に形成され、第２配向膜２２によって覆われている。凸部３４は、第１配向膜１７及び第２配向膜２２を介してスペーサＳＰに押し当てられている。このように、凸部３４とスペーサＳＰにより、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップが所定の距離に保たれる。

外力により第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とがずれた場合、第１配向膜１７と第２配向膜２２の当接部分に力が加わり、第１配向膜１７及び第２配向膜２２の少なくとも一方が剥離することがある。この場合、剥離部分及びその近傍で液晶層ＬＣの配向が乱れ、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間に電圧が印加されていない暗状態での透過率が増大し、コントラスト比が低下し得る。

これに対し、本実施形態では、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とにずれが生じた場合であっても、第１配向膜１７及び第２配向膜２２の当接部分を限られた領域に限定できるため、剥離が生じた場合であってもその影響を低減できる。すなわち、図１１に示したようにスペーサＳＰが第１方向Ｘに長尺であれば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが第１方向Ｘにずれた場合であっても、第１配向膜１７及び第２配向膜２２の当接部分は共通配線ＣＭ上となる。さらに、流入防止層３０が共通配線ＣＭに沿う延出部３３を備えているために、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが第２方向Ｙにずれた場合であっても、第１配向膜１７及び第２配向膜２２の当接部分は共通配線ＣＭ上となる。したがって、外力により剥離が生じ得る領域は共通配線ＣＭ上に限定され、その影響が及ぶ領域も限定的となる。

さらに、延出部３３を設けたことで、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが第２方向Ｙにずれた場合であってもスペーサＳＰが各配向膜１７，２２を介して流入防止層３０（延出部３３）に押し当てられるので、セルギャップを好適に保つことができる。

また、ここまで述べた効果は、流入防止層３０の平面分布を変更することで得られるものであり、特別な製造プロセスを追加する必要がない。
その他、本実施形態からは上述した各実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態では、反射抑制層ＬＡの構造において上述した各実施形態と相違する。上述の各実施形態と同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図１３は、本実施形態における反射抑制層ＬＡを説明するための図であって、反射抑制層ＬＡの近傍における概略的な断面を示している。図示した反射抑制層ＬＡは、第１保護膜４０と、半透過膜４１と、干渉膜４２と、第２保護膜４３とを備え、窒化チタン膜などの光吸収層を備えていない。

第２保護膜４３は共通配線ＣＭを覆い、干渉膜４２は第２保護膜４３を覆い、半透過膜４１は干渉膜４２を覆い、第１保護膜４０は半透過膜４１を覆っている。このような反射抑制層ＬＡは、第１実施形態と同じく第４絶縁層１６によって覆われ、さらに第１配向膜１７が第４絶縁層１６を覆っている。

一例として、半透過膜４１は厚さが約１０μｍのモリブデンタングステン合金膜であり、第２保護膜４３は厚さが約７０ｎｍのモリブデンタングステン合金膜である。また、第１保護膜４０は厚さが約５０ｎｍのＩＴＯ膜であり、干渉膜４２は厚さが約５０ｎｍのＩＴＯ膜である。第１保護膜４０及び第２保護膜４３は、隣接する各層の反応を防ぎ、表示パネルＰＮＬの信頼性を高める役割を担う。
なお、ここで挙げた各要素の材料及び厚さは例示に過ぎず、種々の変形が可能である。

表示パネルＰＮＬに入射し、反射抑制層ＬＡに到達した外光の一部は、半透過膜４１で反射される。半透過膜４１は厚さが極めて薄いために、外光の一部は半透過膜４１を透過する。この透過光は、第２保護膜４３で反射される。すなわち、第２保護膜４３は、反射膜として機能する。第２保護膜４３の厚さは半透過膜４１の厚さよりも十分に大きいため、半透過膜４１を透過した光の殆どは第２保護膜４３の表面で反射されるか吸収され、共通配線ＣＭの側へは透過しない。このような構成においては、干渉膜４２及び半透過膜４１の厚さを適切な大きさとすることで、半透過膜４１の反射光と、第２保護膜４３の反射光とが打ち消し合い、反射防止能を得ることができる。

また、第１実施形態と同様に、第４絶縁層１６や第１配向膜１７を適切な厚さとすることで、これらの両界面における反射光を干渉効果により打ち消すことができる。図１４は、本実施形態の構造において、視感度が最大となる波長５５０ｎｍにおける反射率の第１配向膜１７の膜厚依存性を示す図である。図９の場合と同じく、図中の横軸は第１配向膜１７の膜厚（ｎｍ）であり、縦軸は反射率（％）である。図示したように、反射率は９０ｎｍ付近で約０．４％の極小値を示す。第１配向膜１７の成膜時に印刷する溶液の量を調整し、第１配向膜１７の膜厚を９０ｎｍ程度にすることで、共通配線ＣＭの反射率を全域に亘って極小値に抑制することができる。

なお、本実施形態における反射抑制層ＬＡの構成は、上述した各実施形態のいずれにも適用することができる。第３実施形態に適用する場合には、第４絶縁層１６と第１配向膜１７との間に流入防止層３０が介在する。

（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態では、カラーフィルタ層ＣＦの形状の変形例を開示する。上述の各実施形態と同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図１５は、第５実施形態におけるカラーフィルタ層ＣＦの平面形状を示す図である。ここでは、カラーフィルタ層ＣＦを構成するカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、スイッチング素子ＳＷ、中継電極ＲＥ、及びコンタクトホールＣＨなどの第１基板ＳＵＢ１に設けられる要素を示し、他の要素の図示を省略している。図４の例と同じく、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、いずれも隣り合う２本の信号線ＳＬの間で連続的に延び、第１方向Ｘに並んでいる。

本実施形態において、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、凸部５１と、凹部５２とをそれぞれ備えている。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの凸部５１及び凹部５２は、各画素のコンタクトホールＣＨと同じく第１方向Ｘに並んでいる。

図１５の例においては、最上段及び最下段の走査線ＧＬと重なる凸部５１はそれぞれカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの図中左側の側辺に設けられ、これら走査線ＧＬと重なる凹部５２はそれぞれカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの図中右側の側辺に設けられている。一方で、中段の走査線ＧＬと重なる凸部５１はそれぞれカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの図中右側の側辺に設けられ、この走査線ＧＬと重なる凹部５２はそれぞれカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの図中左側の側辺に設けられている。

あるカラーフィルタの凸部５１は、このカラーフィルタに隣り合うカラーフィルタの凹部５２の一部を塞いでおり、これら凸部５１と凹部５２で開口部ＣＦａが形成されている。コンタクトホールＣＨは、開口部ＣＦａに配置されている。

画素が高精細化され、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの第１方向Ｘにおける幅が小さくなる場合には、図４に示したような円形の開口部ＣＦａを安定的に形成できない可能性がある。これに対し、本実施形態のような凸部５１と凹部５２を用いれば、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢの幅が小さい場合であっても安定的に開口部ＣＦａを形成することができる。
なお、本実施形態におけるカラーフィルタ層ＣＦの構成は、上述した各実施形態のいずれにも適用することができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…液晶表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＣＭ…共通配線、ＬＡ…反射抑制層、ＣＦ…カラーフィルタ層、ＣＨ…コンタクトホール、１３…第１絶縁層、１４…第２絶縁層、１５…第３絶縁層、１６…第４絶縁層、１７…第１配向膜、２２…第２配向膜、３０…流入防止層。

Claims (10)

1. 第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に封入された液晶層と、を備える液晶表示装置であって、
   前記第１基板は、
   走査線及び信号線と、
   前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、
   第１電極と、
   カラーフィルタ層と、
   前記信号線に沿って前記第１電極に接触した共通配線と、
   前記共通配線上に位置する反射抑制層と、
   前記反射抑制層及び前記第１電極を覆う絶縁層と、
   少なくとも前記絶縁層及び前記カラーフィルタ層に形成された開口部により形成されるコンタクトホールを通じて、前記スイッチング素子と電気的に接続された第２電極と、
   前記コンタクトホールを囲う凸部を形成する流入防止層と、
   前記絶縁層、前記第２電極、及び前記流入防止層を覆う配向膜と、
   を備える、液晶表示装置。
2. 前記流入防止層は、前記コンタクトホールを覆うとともに、端部が前記コンタクトホールの外に位置し、
   前記端部により前記凸部が形成されている、
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記流入防止層の厚さは、前記配向膜の厚さの５０％以上である、
   請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に封入された液晶層と、を備える液晶表示装置であって、
   前記第１基板は、
   走査線及び信号線と、
   前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、
   第１電極と、
   カラーフィルタ層と、
   前記信号線に沿って前記第１電極に接触した共通配線と、
   前記共通配線上に位置する反射抑制層と、
   前記反射抑制層及び前記第１電極を覆う絶縁層と、
   少なくとも前記絶縁層及び前記カラーフィルタ層に形成された開口部により形成されるコンタクトホールを通じて、前記スイッチング素子と電気的に接続された第２電極と、
   前記コンタクトホールの内部に配置された流入防止層と、
   前記絶縁層、前記第２電極、及び前記流入防止層を覆う配向膜と、
   を備える、液晶表示装置。
5. 前記流入防止層の厚さは、前記絶縁層の厚さよりも大きい、
   請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記流入防止層は、隣り合う画素の前記コンタクトホールを連続的に覆っている、
   請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２基板は、前記液晶層に突出したスペーサを備え、
   前記流入防止層は、前記液晶層に突出するとともに前記スペーサに押し当てられる凸部を有している、
   請求項４乃至６のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 前記流入防止層は、前記走査線に対向する主部と、前記主部から延出するとともに前記信号線に対向する延出部と、を備えている、
   請求項４乃至７のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. 前記反射抑制層は、前記共通配線に向かう光、及び、前記共通配線で反射した光を吸収する光吸収層を含む、
   請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
10. 前記反射抑制層は、
    前記共通配線に向かう光の一部を反射するとともに、当該光の一部を透過する半透過膜と、
    前記半透過膜を透過した光を反射する反射膜と、
    前記半透過膜と前記反射膜との間に配置された干渉膜と、
    を含む、請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。

Images