JP2017111995A - ショートアーク型放電ランプ - Google Patents
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Abstract
【課題】発光管の内部に一対の陰極と陽極が対向して配置され、前記陰極は、その少なくとも先端側の一部に酸化トリウム(ThO2)が含有されており、前記陰極の先端表面を除く表面には炭化層が形成されてなるショートアーク型放電ランプにおいて、炭化層の脱炭の進行を有効に抑え、陰極中の酸化トリウムの還元を長期間にわたって維持できるようにした陰極構造を提供する。【解決手段】陰極1上の炭化層2の表面に高融点金属からなる反応抑制被覆層3が形成される。【選択図】図1
Description
この発明は、酸化トリウムが含有された陰極を有するショートアーク型放電ランプに関するものであり、特に、陰極に炭化層が形成されてなるショートアーク型放電ランプに係わるものである。
従来、高入力・高輝度のショートアーク型放電ランプにおいては、陰極にエミッター材として酸化トリウムを含有して、電子放出特性を高めるようにしたものが多用されている。
そして、酸化トリウムを含有した陰極においては、一般に、酸化トリウムの還元反応を促進するために、先端部近傍に炭化層を形成している。例えば、特開平10−283921号公報(特許文献1)などがそれである。
そして、酸化トリウムを含有した陰極においては、一般に、酸化トリウムの還元反応を促進するために、先端部近傍に炭化層を形成している。例えば、特開平10−283921号公報(特許文献1)などがそれである。
図4にその作用模式図が示されていて、陰極80の構成材料であるタングステン81中に酸化トリウムTOが含有され、陰極80の外表面にはその最先端部を除いて炭化層82が形成されている。
この炭化層82は、陰極材料であるタングステンと炭素が反応して生成された炭化タングステンからなる。
2W + C → W2C
そして、ランプの点灯により、陰極80の温度が上昇し、2000℃程度以上から、炭化層82において酸化トリウムが還元される。
ThO2 + W2C → Th + 2W + CO2
ThO2 + 2W2C → Th + 4W + 2CO
炭化層82で還元されて生成されたトリウムTは、陰極表面を表面拡散により先端側に向かって輸送される。
この炭化層82は、陰極材料であるタングステンと炭素が反応して生成された炭化タングステンからなる。
2W + C → W2C
そして、ランプの点灯により、陰極80の温度が上昇し、2000℃程度以上から、炭化層82において酸化トリウムが還元される。
ThO2 + W2C → Th + 2W + CO2
ThO2 + 2W2C → Th + 4W + 2CO
炭化層82で還元されて生成されたトリウムTは、陰極表面を表面拡散により先端側に向かって輸送される。
ところで、陰極の外表面に形成された炭化層(W2C)は、ランプ動作中に発光管内の不純ガス(H2O、H等)と反応してCOやCH等を生成することにより、炭化層中の炭素濃度の低下(以下、脱炭とも称す)を招く。このように炭化層で脱炭が進行すると、寿命に至らない点灯時間においても陰極外表面から炭素が消失し、陰極の酸化トリウム(ThO2)の還元を維持することが困難となる。その結果、安定した点灯持続が困難となるという問題がある。
また、上記COやCH等の生成ガスが放電空間内に大量に放出されると、当該生成ガスが陽極と反応し陽極表面を劣化させる恐れがあり、この場合には寿命を悪化させる一因となる。具体的には、陽極側の高温領域に炭素が付着し、タングステンカーバイト(W2C、WC)が生成されるが、このW2C及びWCは融点が低いため、高温に耐えられず溶融し、陽極形状が悪化してしまうという不具合を起こす。
また、上記COやCH等の生成ガスが放電空間内に大量に放出されると、当該生成ガスが陽極と反応し陽極表面を劣化させる恐れがあり、この場合には寿命を悪化させる一因となる。具体的には、陽極側の高温領域に炭素が付着し、タングステンカーバイト(W2C、WC)が生成されるが、このW2C及びWCは融点が低いため、高温に耐えられず溶融し、陽極形状が悪化してしまうという不具合を起こす。
この発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて、発光管の内部に一対の陰極と陽極が対向して配置され、前記陰極は、その少なくとも先端側の一部に酸化トリウム(ThO2)が含有されており、前記陰極の先端表面を除く表面には炭化層が形成されてなるショートアーク型放電ランプにおいて、炭化層の脱炭の進行を有効に抑え、陰極中の酸化トリウムの還元を長期間にわたって維持できるようにした陰極構造を提供しようとするものである。
上記課題を解決するために、この発明では、陰極の外表面の炭化層の表面に高融点金属からなる反応抑制被覆層が形成されていることを特徴とする。
また、前記反応抑制被覆層は、高融点金属としてタングステン(W)又はレニウム(Re)の何れかが用いられていることを特徴とする。
また、前記反応抑制被腹層は、少なくとも1μm以上の厚みを有していることを特徴とする。
また、前記反応抑制被覆層は、高融点金属としてタングステン(W)又はレニウム(Re)の何れかが用いられていることを特徴とする。
また、前記反応抑制被腹層は、少なくとも1μm以上の厚みを有していることを特徴とする。
本発明によれば、酸化トリウムが含有されるとともに、外表面に炭化層が形成された陰極において、前記炭化層の表面に高融点金属からなる反応抑制被覆層が形成されていることにより、該炭化層と発光管内の不純ガスと前記炭化層が反応することを抑制でき、脱炭現象の進行が抑制される。これにより、陰極先端側の表面での炭素の枯渇が抑制されて、酸化トリウムの還元作用が長時間持続して、長時間に亘って安定的な点灯が維持されるという効果を奏する。
図1はこの発明のショートアーク型放電ランプに用いられる陰極構造を示し、陰極1は、タングステン中に酸化トリウム(ThO2)が含有されたトリエーテッドタングステン(いわゆる、トリタン)からなる。
この陰極1の先端テーパー部1aの表面には、炭化タングステン(W2C)からなる炭化層2が形成されている。この炭化層2は、陰極1の先端部に設けられているものではあるが、先端面1bを含むアークが形成される最先端部には形成されていない。
通常、この陰極1に含有された酸化トリウムは、ランプ点灯中に高温になることで炭化層2中の炭素によって還元され、トリウム原子となって陰極表面を表面拡散して、温度が高い先端面1b側へと移動する。これにより、陰極先端における仕事関数を小さくして電子放出特性を良好なものにしている。
この陰極1の先端テーパー部1aの表面には、炭化タングステン(W2C)からなる炭化層2が形成されている。この炭化層2は、陰極1の先端部に設けられているものではあるが、先端面1bを含むアークが形成される最先端部には形成されていない。
通常、この陰極1に含有された酸化トリウムは、ランプ点灯中に高温になることで炭化層2中の炭素によって還元され、トリウム原子となって陰極表面を表面拡散して、温度が高い先端面1b側へと移動する。これにより、陰極先端における仕事関数を小さくして電子放出特性を良好なものにしている。
そして、前記陰極1の炭化層2の表面には、タングステン又はレニウムなどの高融点金属からなる被覆層3が積層して形成されている。この被覆層3は、炭化層2が放電空間に露出する外表面領域を覆うように形成されていて、炭化層2が放電空間内のH2O、H等の不純ガスと反応することを抑制する反応抑制被覆層として機能している。
また、炭化層2は、点灯初期(始動後の立ち上がり期間)に、放電空間内のXeイオンなどのイオン衝撃によって飛散することがあるが、前記被覆層3によって保護されて飛散することがない。
この反応抑制被覆層3は、例えば、スパッタリング法によって形成することができる。
また、炭化層2は、点灯初期(始動後の立ち上がり期間)に、放電空間内のXeイオンなどのイオン衝撃によって飛散することがあるが、前記被覆層3によって保護されて飛散することがない。
この反応抑制被覆層3は、例えば、スパッタリング法によって形成することができる。
陰極表面にスパッタリング法によって均一なタングステン(W)被膜を形成する場合、W被膜の厚みは1μm以上であることが望ましい。1μmを下回る膜厚では、例えば、被覆するタングステンが島状に偏って付着することが起こりやすく、均一なW被膜の形成が難しいためである。そのため、当該陰極1の炭化層2の表面に形成されるW被膜3の厚みは、少なくとも1μm以上とすることが望ましい。
前記したように、反応抑制被覆層3は、炭化層2が不純ガスと反応することを防止するものであり、図1の実施例では、炭化層2の全領域において被覆層3が形成されている。
この炭化層2と不純ガスの反応は、温度依存性があり、高温領域でその反応が進行する。そのため、反応がそれほど促進することが予想されない温度領域においては、必ずしも必要ない。
そのような実施形態を表したものが図2に示されている。
即ち、炭化層2を覆う被覆層3は、炭化層2の高温になる領域、即ち、陰極1の先端側に対応した領域のみを覆うように形成されているものである。
このように、炭化層2のどの領域を被覆すべきかは、ランプの特性(入力、封入物量、形状等)によって決定される。
この炭化層2と不純ガスの反応は、温度依存性があり、高温領域でその反応が進行する。そのため、反応がそれほど促進することが予想されない温度領域においては、必ずしも必要ない。
そのような実施形態を表したものが図2に示されている。
即ち、炭化層2を覆う被覆層3は、炭化層2の高温になる領域、即ち、陰極1の先端側に対応した領域のみを覆うように形成されているものである。
このように、炭化層2のどの領域を被覆すべきかは、ランプの特性(入力、封入物量、形状等)によって決定される。
図1、2の実施例に基づく陰極構造の一数値例を挙げると以下のとおりである。
<陰極>
陰極径:φ10mm
全長:35mm
先端径:φ0.6mm
先端テーパー角:50°
陰極材料:2wt%トリア(ThO2)ドープタングステン
<炭化層(W2C)>
先端から3mmを除き、先端テーパー部に形成。
層厚:約20μm
<反応抑制被覆層>
材料:タングステン(W)
層厚:2μm
先端から2mmを除き、先端テーパー部の全域に、スパッタリング法によりタングステン層を形成。
<陰極>
陰極径:φ10mm
全長:35mm
先端径:φ0.6mm
先端テーパー角:50°
陰極材料:2wt%トリア(ThO2)ドープタングステン
<炭化層(W2C)>
先端から3mmを除き、先端テーパー部に形成。
層厚:約20μm
<反応抑制被覆層>
材料:タングステン(W)
層厚:2μm
先端から2mmを除き、先端テーパー部の全域に、スパッタリング法によりタングステン層を形成。
図1、2の実施例では、陰極1は全体に酸化トリウムが含有されたトリエーテッドタングステンで構成されたものを示したが、図3には他の実施例が示されていて、この例では、先端部のみを酸化トリウムが含有されたトリエーテッドタングステンとする構造とされている。
陰極1は、純タングステンからなる本体部11と、その先端に接合された先端部12とからなり、該先端部12は、タングステン中に酸化トリウムが含有されたトリエーテッドタングステンからなる。なお、前記本体部11と先端部12とは、拡散接合されていることが好ましい。
このような構造の場合、炭化層2は、酸化トリウムが含有された先端部12の外表面に形成されている。
そして、その炭化層2の表面に反応抑制被覆層3が積層して形成されているものである。
陰極1は、純タングステンからなる本体部11と、その先端に接合された先端部12とからなり、該先端部12は、タングステン中に酸化トリウムが含有されたトリエーテッドタングステンからなる。なお、前記本体部11と先端部12とは、拡散接合されていることが好ましい。
このような構造の場合、炭化層2は、酸化トリウムが含有された先端部12の外表面に形成されている。
そして、その炭化層2の表面に反応抑制被覆層3が積層して形成されているものである。
本発明に係る図3の形態の陰極の製造方法を説明する。
(1)純タングステンからなる本体部11と、酸化トリウムを含有するトリエーテッドタングステンからなる先端部12とを拡散接合により接合する。
(2)陰極1の先端をテーパー状に切削加工する。
(3)硝化綿と酢酸ブチルの混合溶液に炭素粉末を加えた混合溶液を刷毛により、陰極1の先端テーパー部1aの外表面の所定の位置、特に先端部12の外表面に塗り、乾燥させる。溶液を乾燥させた陰極1を真空高温炉に入れ、1800℃に昇温し、30分保持して炭化層2を形成する。その後、室温まで冷却し、炭化した陰極を取り出す。ここで、炭化層形成の成否は、X線解析(XDR)装置で確認することができる。
(4)陰極1表面の炭化層2の表面にスパッタリング法によってタングステン粒子を付着・堆積させて反応抑制被覆層3を形成する。
(1)純タングステンからなる本体部11と、酸化トリウムを含有するトリエーテッドタングステンからなる先端部12とを拡散接合により接合する。
(2)陰極1の先端をテーパー状に切削加工する。
(3)硝化綿と酢酸ブチルの混合溶液に炭素粉末を加えた混合溶液を刷毛により、陰極1の先端テーパー部1aの外表面の所定の位置、特に先端部12の外表面に塗り、乾燥させる。溶液を乾燥させた陰極1を真空高温炉に入れ、1800℃に昇温し、30分保持して炭化層2を形成する。その後、室温まで冷却し、炭化した陰極を取り出す。ここで、炭化層形成の成否は、X線解析(XDR)装置で確認することができる。
(4)陰極1表面の炭化層2の表面にスパッタリング法によってタングステン粒子を付着・堆積させて反応抑制被覆層3を形成する。
以上のように、本発明によれば、陰極表面の炭化層の表面に反応抑制被覆層を形成したので、炭化層中の炭素が発光管内の不純ガスと反応することが防止され、炭素量の減少(脱炭)が抑制されて枯渇することがなく、陰極中の酸化トリウムの還元反応が長時間に亘って維持されて、安定的な点灯が維持されるものである。
1 陰極
1a 先端テーパー部
1b 先端面
11 本体部(純タングステン)
12 先端部(酸化トリウム含有)
2 炭化層
3 反応抑制被覆層
1a 先端テーパー部
1b 先端面
11 本体部(純タングステン)
12 先端部(酸化トリウム含有)
2 炭化層
3 反応抑制被覆層
Claims (3)
- 発光ガスが封入された発光管の内部に一対の陰極と陽極が対向して配置され、前記陰極は、その少なくとも先端側の一部に酸化トリウム(ThO2)が含有されており、前記陰極の先端表面を除く表面には炭化層が形成されてなるショートアーク型放電ランプにおいて、
前記炭化層の表面に高融点金属からなる反応抑制被覆層が形成されていることを特徴とするショートアーク型放電ランプ。 - 前記反応抑制被覆層は、高融点金属としてタングステン(W)又はレニウム(Re)の何れかが用いられていることを特徴とする請求項1に記載のショートアーク型放電ランプ。
- 前記反応抑制被腹層は、少なくとも1μm以上の厚みを有していることを特徴とする請求項1または2に記載のショートアーク型放電ランプ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015246004A JP2017111995A (ja) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | ショートアーク型放電ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015246004A JP2017111995A (ja) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | ショートアーク型放電ランプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017111995A true JP2017111995A (ja) | 2017-06-22 |
Family
ID=59079542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015246004A Pending JP2017111995A (ja) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | ショートアーク型放電ランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017111995A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019204625A (ja) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | ウシオ電機株式会社 | 高圧放電ランプ |
JP7454134B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-03-22 | ウシオ電機株式会社 | 放電ランプ及び放電ランプに用いられる陽極 |
-
2015
- 2015-12-17 JP JP2015246004A patent/JP2017111995A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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