JP2017108089A - レーザ加工装置及びレーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加速度及び速度を上げることなく単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一方向に延びる加工領域をそれぞれ有する複数のウェーハを第１方向に並べて保持する保持部と、複数のウェーハにレーザ光を照射するレーザ照射部と、複数のウェーハとレーザ照射部とを第１方向及び第１方向に直交する第２方向に相対的に移動させる移動機構部と、複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に配置する調整機構部と、複数のウェーハとレーザ照射部とを第１方向に相対移動させながら同一直線上に配置された複数のウェーハの加工領域にレーザ光を照射することで加工領域をレーザ加工する制御部と、を備えたレーザ加工装置によって上記課題を解決する。
【選択図】図１

Description

本発明はレーザ加工装置及びレーザ加工方法に係り、特に複数枚のウェーハを同時に処理するレーザ加工装置及びレーザ加工方法に関する。

ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、ウェーハの切断予定ラインに沿ってウェーハの内部に多光子吸収による改質領域を形成するレーザ加工装置が知られている。

特許文献１には、ウェーハをＸ軸方向およびＹ軸方向にレーザ加工する場合に、ＸＹＺステージをＸ軸方向に一定速度で移動させてレーザビームを走査してＸ軸方向のレーザ加工を行った後、ＸＹＺステージをＹ軸方向に一定速度で移動させてレーザビームを走査してＹ軸方向のレーザ加工を行う技術が記載されている。

特開２０１１−０９１３２２号公報

レーザ加工の処理速度を上げるには、加工時におけるレーザとウェーハとの相対移動の加速度及び速度を上げることが一般的である。しかしながら、加速度及び速度を向上させるには、モータの大型化、オートフォーカスの高レスポンス化、レーザの高出力化及び高繰り返し周波数化、加速度アップに伴う振動の増加という課題があり、大幅な向上の実現は困難であった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、加速度及び速度を上げることなく単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するためにレーザ加工装置の一の態様は、少なくとも一方向に延びる加工領域をそれぞれ有する複数のウェーハを第１方向に並べて保持する保持部と、保持部に保持された複数のウェーハにレーザ光を照射するレーザ照射部と、保持部に保持された複数のウェーハとレーザ照射部とを第１方向及び第１方向に直交する第２方向に相対的に移動させる移動機構部と、保持部に保持された複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に配置する調整機構部と、保持部に保持された複数のウェーハとレーザ照射部とを第１方向に相対移動させながら同一直線上に配置された複数のウェーハの加工領域にレーザ光を照射することで加工領域をレーザ加工する制御部と、を備えた。

本態様によれば、複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に配置し、複数のウェーハとレーザ照射部とを第１方向に相対移動させながら同一直線上に配置された複数のウェーハの加工領域にレーザ光を照射することで加工領域をレーザ加工するようにしたので、ウェーハとレーザ照射部との相対移動の加速度及び速度を上げることなく単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させることができる。

調整機構部は、第１方向及び第２方向から形成される面に対して直交する第３方向を軸心として複数のウェーハのそれぞれを回転する回転調整機構部を備えることが好ましい。これにより、複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に適切に配置することができるので、精度よくレーザ加工することができる。

調整機構部は、複数のウェーハの第２方向の位置をそれぞれ調整する第２方向調整機構部を備えることが好ましい。これにより、複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に適切に配置することができるので、精度よくレーザ加工することができる。

調整機構部は、第１方向及び第２方向から形成される面に対する複数のウェーハの傾斜をそれぞれ調整するチルト調整機構部を備えることが好ましい。これにより、複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に適切に配置することができるので、精度よくレーザ加工することができる。

調整機構部は、複数のウェーハのレーザ照射部との距離をそれぞれ調整する高さ調整機構部を備えることが好ましい。これにより、精度良くレーザ加工することができる。

複数のウェーハを撮影する撮影部を備え、調整機構部は、撮影部の撮影結果に基づいて複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に配置することが好ましい。これにより、精度よくレーザ加工することができる。

移動機構部は、保持部を第１方向及び第１方向に直交する方向に相対的に移動させ、移動機構部の第１方向の移動に対応して移動機構部とは逆方向に移動するカウンターバランスを備えることが好ましい。これにより、保持部の移動によって平衡バランスを崩すことがなく、精度良くレーザ加工することができる。

第２方向の位置が異なる複数の加工領域にそれぞれレーザ光を照射する複数のレーザ照射部を備えることが好ましい。これにより、単位時間当たりのウェーハの処理枚数をさらに向上させることができる。

上記目的を達成するためにレーザ加工方法の一の態様は、少なくとも一方向に延びる加工領域をそれぞれ有する複数のウェーハを保持部において第１方向に並べて保持する保持工程と、保持部に保持された複数のウェーハにレーザ照射部においてレーザ光を照射するレーザ照射工程と、保持部とレーザ照射部とを第１方向及び第１方向に直交する第２方向に相対的に移動させる移動工程と、保持部に保持された複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に配置する調整工程と、保持部に保持された複数のウェーハとレーザ照射部とを第１方向に相対移動させながら同一直線上に配置された複数のウェーハの加工領域にレーザ光を照射することで加工領域をレーザ加工する制御工程と、を備えた。

本態様によれば、複数のウェーハのそれぞれの加工領域を第１方向に平行な同一直線上に配置し、複数のウェーハとレーザ照射部とを第１方向に相対移動させながら同一直線上に配置された複数のウェーハの加工領域にレーザ光を照射することで加工領域をレーザ加工するようにしたので、ウェーハとレーザ照射部との相対移動の加速度及び速度を上げることなく単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させることができる。

本発明によれば、ウェーハとレーザ照射部との相対移動の加速度及び速度を上げることなく単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させることができる。

レーザ加工装置の全体構成を示す平面図 図１のＡ方向から見た側面図 レーザ加工装置のシステム構成を示すブロック図 レーザ加工装置の全体構成を示す平面図 図４のＢ方向から見た側面図 レーザ加工装置のシステム構成を示すブロック図 レーザ加工装置の全体構成を示す平面図 図７のＣ方向から見た側面図 レーザ加工装置のシステム構成を示すブロック図 レーザ加工装置の全体構成を示す平面図 図１０のＤ方向から見た側面図 レーザ加工装置のシステム構成を示すブロック図 レーザ加工装置の全体構成を示す平面図 図１３のＥ方向から見た側面図 レーザ加工装置のシステム構成を示すブロック図 レーザ加工装置の全体構成を示す平面図 図１６のＦ方向から見た側面図 レーザ加工装置のシステム構成を示すブロック図

以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について詳説する。

〔レーザ加工装置の構成：第１の実施形態〕
図１は、第１の実施形態に係るレーザ加工装置１０の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＡ方向から見た側面図である。レーザ加工装置１０は、半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを個々のチップに分割するレーザダイシング装置であり、図１及び図２に示すように、Ｙベース１２、Ｙ軸ステージガイド１４、Ｙ軸ステージ１６、加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８、加工用Ｘ軸移動ステージ２０、第１微動Ｙ軸ステージ２２、第２微動Ｙ軸ステージ２４、第１θステージ２６、第２θステージ２８、第１ウェーハチャック３０、第２ウェーハチャック３２、第１Ｚ軸用コラム３４、第２Ｚ軸用コラム３６、第１アライメント用光学ユニット３８、第１加工用光学ユニット４０、第２アライメント用光学ユニット４２等を備えている。

Ｙベース１２は、Ｘ軸方向（第１方向の一例）及びＹ軸方向（第２方向の一例）から形成されるＸＹ平面に沿って配置された板状部材であり、Ｙ軸ステージ１６の基準平面を形成する。Ｙベース１２の上面には、Ｙ軸方向に沿ったＹ軸ステージガイド１４が設けられており、Ｙ軸ステージガイド１４には、ＸＹ平面に沿って配置された板状部材であるＹ軸ステージ１６の下面が係合している。Ｙ軸ステージ１６は、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の基準平面を形成し、Ｙ軸ステージガイド１４に沿って、後述する第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２を加工可能な範囲でＹ軸方向に移動可能に支持される。

Ｙ軸ステージ１６の上面には、Ｘ軸方向に沿った加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８が設けられている。加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８には、ＸＹ平面に沿って配置された板状部材である加工用Ｘ軸移動ステージ２０の下面が係合しており、加工用Ｘ軸移動ステージ２０は、加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８に沿ってＸ軸方向に移動可能に支持される。

加工用Ｘ軸移動ステージ２０の上面には、第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４がＸ軸方向に並べて設けられている。第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４（調整機構の一例）は、ＸＹ平面に沿った板状部材であり、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の上面においてそれぞれＹ軸方向に微小移動可能に支持されている。即ち、第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４は、複数のウェーハのＹ軸方向の位置をそれぞれ調整するＹ軸方向調整機構部（第２方向調整機構部の一例）として機能する。

また、第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４の上面には、それぞれ第１θステージ２６及び第２θステージ２８が設けられている。第１θステージ２６及び第２θステージ２８（調整機構の一例）はＸＹ平面に沿った板状部材であり、その中心に設けられたＺ軸方向に沿った軸を中心にＸＹ平面を回転可能に支持されており、Ｙベース１２に対してそれぞれθ方向に移動可能である。即ち、第１θステージ２６及び第２θステージ２８は、ＸＹ平面に対して直交するＺ軸方向（第３方向の一例）を軸心として複数のウェーハのそれぞれを回転する回転調整機構部として機能する。

第１θステージ２６及び第２θステージ２８の上面には、それぞれ第１ウェーハチャック３０及び第２ウェーハチャック３２が設けられている。第１ウェーハチャック３０及び第２ウェーハチャック３２は、ＸＹ平面に沿った円盤状部材であり、その上面にはそれぞれ第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２を載置可能な第１ウェーハ載置面３０ａ及び第２ウェーハ載置面３２ａを有している。第１ウェーハ載置面３０ａ及び第２ウェーハ載置面３２ａには、それぞれ多数の吸着穴（不図示）が形成されており、吸着穴にはウェーハ吸着用真空ポンプ（不図示）が接続される。このウェーハ吸着用真空ポンプを駆動することにより吸着穴からエアが吸引され、第１ウェーハ載置面３０ａに第１ウェーハＷ_１が、第２ウェーハ載置面３２ａに第２ウェーハＷ_２が吸着保持される。

このように、加工用Ｘ軸移動ステージ２０は、複数のウェーハをＸ軸方向に並べて保持する保持部として機能する。また、加工用Ｘ軸移動ステージ２０は加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８に沿ってＸ軸方向に移動可能に支持され、加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８が支持されるＹ軸ステージ１６はＹ軸ステージガイド１４に沿ってＹ軸方向に移動可能に支持されているため、Ｙ軸ステージガイド１４及び加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８は、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２と第１加工用光学ユニット４０とをＸ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動させる移動機構部として機能する。

第１Ｚ軸用コラム３４は、第１アライメント用光学ユニット３８及び第１加工用光学ユニット４０をＸ軸方向について固定し、Ｚ軸方向及びＹ軸方向へ移動するためのガイドである。第１Ｚ軸用コラム３４には、第１アライメント用光学ユニット３８及び第１加工用光学ユニット４０がＺ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に支持されている。同様に、第２Ｚ軸用コラム３６は、第２アライメント用光学ユニット４２をＸ軸方向について固定し、Ｚ軸方向及びＹ軸方向へ移動するためのガイドであり、第２Ｚ軸用コラム３６には、第２アライメント用光学ユニット４２がＺ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に支持されている。また、第１アライメント用光学ユニット３８及び第２アライメント用光学ユニット４２は、それぞれの観察点（撮影点）間のＸ軸方向の距離が第１ウェーハチャック３０及び第２ウェーハチャック３２の中心間のＸ軸方向の距離と同じ距離となる位置に配置されている。

第１アライメント用光学ユニット３８及び第２アライメント用光学ユニット４２（撮影部の一例）は、ＩｎＧａＡｓ（Indium Gallium Arsenide（インジウムガリウムヒ化物)）等の材料を用いた撮像素子を有する近赤外線カメラである。第１アライメント用光学ユニット３８は、第１ウェーハチャック３０の載置面に載置された第１ウェーハＷ_１のパターン面の画像データを取得し、第２アライメント用光学ユニット４２は、第２ウェーハチャック３２の載置面に載置された第２ウェーハＷ_２のパターン面の画像データを取得する。

第１加工用光学ユニット４０（レーザ照射部の一例）は、図示しないレーザ発振器及びコンデンスレンズを有しており、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射する。また、第１加工用光学ユニット４０は、オートフォーカス機構を備えており、照射したレーザ光のうち第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２から反射したレーザ光を受光して合焦情報を取得し、取得した合焦情報に基づいて、レーザ光の集光点のウェーハ厚み方向の位置が一定となるように第１加工用光学ユニット４０のコンデンスレンズの位置を制御する。

また、レーザ加工装置１０は、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２を第１ウェーハチャック３０及び第２ウェーハチャック３２にロードし、第１ウェーハチャック３０及び第２ウェーハチャック３２から第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２をアンロードするウェーハ交換用装置（不図示）を備えている。このウェーハ交換用装置は、レーザ加工装置１０のウェーハ処理枚数（ここでは２枚）に応じたハンド数であることが望ましい。

〔レーザ加工装置の制御ユニット〕
図３は、レーザ加工装置１０のシステム構成を示すブロック図である。レーザ加工装置１０は、システム制御部５０、Ｘ軸方向制御部５２、Ｙ軸方向制御部５４、θ方向制御部５６、アライメント用光学ユニット制御部５８、及び加工制御部６０等を備えている。

システム制御部５０（制御部の一例）は、レーザ加工装置１０を構成する各部を統括的に制御する。

Ｘ軸方向制御部５２は、モータ（不図示）を駆動することで加工用Ｘ軸移動ステージ２０を制御し、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２をＸ軸方向に移動させる。Ｙ軸方向制御部５４は、モータ（不図示）を駆動することでＹ軸ステージ１６を制御し、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２をＹ軸方向に移動させるとともに、モータ（不図示）を駆動することで第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４を制御し、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２をＹ軸方向に微動させる。θ方向制御部５６は、モータ（不図示）を駆動することで第１θステージ２６及び第２θステージ２８を制御し、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２をθ方向に回転移動させる。

アライメント用光学ユニット制御部５８は、第１アライメント用光学ユニット３８及び第２アライメント用光学ユニット４２を制御し、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のパターン面の画像データを取得し、システム制御部５０に出力する。システム制御部５０は、入力された画像データ（撮影結果の一例）に基づいて、Ｙ軸方向制御部５４を介して第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４を制御し、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のＹ軸方向を微調整する。さらに、θ方向制御部５６を介して第１θステージ２６及び第２θステージ２８を制御し、Ｙ軸方向を微調整した第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のθ方向を調整する。

加工制御部６０は、第１アライメント用光学ユニット３８の出力画像データに基づいて第１加工用光学ユニット４０を制御し、集光点がウェーハ厚み方向に一定となるように第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２にレーザ光を照射させる。

〔レーザ加工装置の動作〕
次に、レーザ加工装置１０の動作（レーザ加工方法）について説明する。レーザ加工を行う第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２は、それぞれ少なくとも一方向に延びる加工領域を有している。本実施形態では、表面に沿った直交する２方向（例えば、オリフラに平行な方向と直交する方向）に個々のチップに区画する加工ライン（加工領域）を有している。

まず、図示しないウェーハ交換用装置により、第１ウェーハチャック３０に第１ウェーハＷ_１をロードし、第２ウェーハチャック３２に第２ウェーハＷ_２をロードする（保持工程の一例）。

次に、Ｘ軸方向制御部５２及びＹ軸方向制御部５４は、加工用Ｘ軸移動ステージ２０及びＹ軸ステージ１６によって第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、それぞれ第１アライメント用光学ユニット３８及び第２アライメント用光学ユニット４２のＺ軸方向直下に移動させる。

続いて、アライメント用光学ユニット制御部５８が第１アライメント用光学ユニット３８によって第１ウェーハＷ_１を観察する。この観察結果に基づいて、θ方向制御部５６は第１θステージ２６によって第１ウェーハＷ_１のθ方向のアライメントを行い、第１ウェーハＷ_１の加工領域をＸ軸方向と平行にする。これと同時に、アライメント用光学ユニット制御部５８が第２アライメント用光学ユニット４２によって第２ウェーハＷ_２を観察し、この観察結果に基づいて、θ方向制御部５６が第２θステージ２８により第２ウェーハＷ_２のθ方向のアライメントを行い、第２ウェーハＷ_２の加工領域をＸ軸方向と平行にする。

次に、システム制御部５０は、第１アライメント用光学ユニット３８及び第２アライメント用光学ユニット４２の観察結果から、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のＹ軸方向の位置ずれを検出する。この検出した位置ずれに対して、Ｙ軸方向制御部５４は、第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４により第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のＹ軸方向の位置を微調整し、Ｙ軸方向の位置ずれを無くす。これにより、第１ウェーハＷ_１の加工領域と第２ウェーハＷ_２の加工領域とがＸ軸方向に平行な同一直線上に配置される（調整工程の一例）。

このように、第１微動Ｙ軸ステージ２２、第２微動Ｙ軸ステージ２４、第１θステージ２６、及び第２θステージ２８は、複数のウェーハのそれぞれの加工領域をＸ軸方向に平行な同一直線上に配置する調整機構部として機能する。

Ｘ軸方向制御部５２は、このようにアライメントした第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の２枚のウェーハを、加工用Ｘ軸移動ステージ２０により第１加工用光学ユニット４０よりもＸ軸方向の一方側（例えば図１において第１加工用光学ユニット４０の右側）に移動させる。

そして、Ｘ軸方向制御部５２の制御により加工用Ｘ軸移動ステージ２０を移動（相対移動の一例）させながら（移動工程の一例）、加工制御部６０の制御により第１加工用光学ユニット４０から第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の同一直線上に配置された加工領域にレーザを照射し（レーザ照射工程の一例）、２枚のウェーハの加工を行う（制御工程の一例）。

ここで、Ｘ軸方向制御部５２は、第１加工用光学ユニット４０の位置に被加工ウェーハ（例えば第１ウェーハＷ_１）が到達するまで加工用Ｘ軸移動ステージ２０を加速させ、第１加工用光学ユニット４０の位置に到達してからレーザを被加工ウェーハに照射中は一定速度で移動させる。さらに、Ｘ軸方向制御部５２は、第１加工用光学ユニット４０の位置を被加工ウェーハ（例えば第２ウェーハＷ_２）が通過した時点で加工用Ｘ軸移動ステージ２０を減速させる。

第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の１つの加工領域の加工を終了すると、Ｙ軸方向制御部５４は、Ｙ軸ステージ１６をＹ軸方向に移動させることで次の加工領域を第１加工用光学ユニット４０の照射位置に移動させ、Ｘ軸方向制御部５２が再び加工用Ｘ軸移動ステージ２０をＸ軸方向に移動させることで、次の加工領域のレーザ加工を行う。

第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のＸ軸方向に配置された全ての加工領域のレーザ加工が終了したら、第１θステージ２６及び第２θステージ２８により第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２を回転（通常は９０°）させ、直交する２方向の加工領域のうちまだ加工を行っていない方向の加工領域の加工を行う。例えば、オリフラに平行な方向の加工領域のレーザ加工を先に行った場合は、次にオリフラに直交する方向の加工領域のレーザ加工を行う。

全ての加工領域のレーザ加工が終了したら、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２を第１ウェーハチャック３０及び第２ウェーハチャック３２からアンロードする。

このように、本実施形態によれば、Ｘ軸方向に２枚のウェーハを配置し、Ｘ軸方向の移動加減速回数及びＹ軸方向の移動の回数をウェーハ１枚の場合と同様にして２枚のウェーハを同時に加工する。これにより、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の加工時の加速度及び速度を上げずとも、１枚のウェーハのみの加工を行った場合と比較して、単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させることができる。

さらに、本実施形態によれば、加工時の加速度及び速度を上げていないため、加工制御部６０の出力するレーザの高出力化、高繰り返し周波数化、及びオートフォーカスの高レスポンス化が不要であり、加速度アップに伴う振動の増加も発生しないという利点がある。また、ウェーハのロード、アンロード及びアライメントを複数枚同時に行うことで、さらに処理時間短縮が可能となる。

〔第２の実施形態〕
図４〜図６を用いて第２の実施形態に係るレーザ加工装置６２について説明する。なお、図１〜図３に示すレーザ加工装置１０と共通する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図４は、第２の実施形態に係るレーザ加工装置６２の全体構成を示す平面図であり、図５は、図４のＢ方向から見た側面図である。また、図６は、レーザ加工装置６２のシステム構成を示すブロック図である。

レーザ加工装置６２は、レーザ加工装置１０の構成に加え、第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６４、第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６６、第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ６８、及び第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ７０を備えている。

第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６４及び第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６６は、Ｙ軸ステージ１６の上面であって、加工用Ｘ軸移動ステージガイド１８に関して対称にそれぞれＸ軸方向に沿って設けられている。

第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ６８は、下面が第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６４と係合しており、第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６４に沿ってＸ軸方向に移動可能に支持される。また、第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ７０は、下面が第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６６と係合しており、第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージガイド６６に沿ってＸ軸方向に移動可能に支持される。

Ｘ軸方向制御部５２は、モータ（不図示）を駆動することで加工用Ｘ軸移動ステージ２０を制御し、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２をＸ軸方向に移動させる。このとき、同時にモータ（不図示）を駆動することで、第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ６８及び第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ７０を加工用Ｘ軸移動ステージ２０のＸ軸方向の移動に対応して加工用Ｘ軸移動ステージ２０とはＸ軸方向の逆方向に移動させる。ここで、加工用Ｘ軸移動ステージ２０によりＹ軸ステージ１６に生じる反力と第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ６８及び第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ７０の移動により生じる反力とが相殺され、また加工用Ｘ軸移動ステージ２０と第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ６８及び第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ７０との両者の重心移動が相殺されるように、第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ６８及び第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ７０を移動させる。

Ｘ軸方向に２枚のウェーハＷ_１及びウェーハＷ_２を並べて配置し、２枚を同時に処理すると、加工用Ｘ軸移動ステージ２０のＸ軸方向移動量が大きくなり、Ｙ軸ステージ１６のＸ軸方向の中心に関して左右の重量バランスが大きく変化する。レーザ加工装置６２によれば、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の移動に伴って第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ６８及び第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ７０をＸ軸方向の反対方向に移動させるので、Ｙ軸ステージ１６のＸ軸方向の中心に対して平衡バランスをとることができる。したがって、レーザ加工装置６２のバランスを崩すことなく、高精度にレーザ加工を行うことができる。

〔第３の実施形態〕
図７〜図９を用いて第３の実施形態に係るレーザ加工装置７２について説明する。なお、図４〜図６に示すレーザ加工装置６２と共通する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図７は、第３の実施形態に係るレーザ加工装置７２の全体構成を示す平面図であり、図８は、図７のＣ方向から見た側面図である。また、図９は、レーザ加工装置７２のシステム構成を示すブロック図である。

レーザ加工装置７２は、レーザ加工装置６２の構成に加え、加工用Ｘ軸移動ステージ２０と第１微動Ｙ軸ステージ２２との間に第１微動Ｚ軸ステージ７４及び第１チルトステージ７８、加工用Ｘ軸移動ステージ２０と第２微動Ｙ軸ステージ２４との間に第２微動Ｚ軸ステージ７６及び第２チルトステージ８０を備えている。

第１微動Ｚ軸ステージ７４及び第２微動Ｚ軸ステージ７６は、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の上面にＸ軸方向に並べて設けられている。第１微動Ｚ軸ステージ７４及び第２微動Ｚ軸ステージ７６はＸＹ平面に沿った板状部材であり、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の上面においてそれぞれＺ軸方向に微小移動可能に支持されている。即ち、第１微動Ｚ軸ステージ７４及び第２微動Ｚ軸ステージ７６（調整機構部の一例）は、複数のウェーハの第１加工用光学ユニット４０との距離をそれぞれ調整する高さ調整機構部として機能する。

Ｚ軸方向制御部８２は、モータ（不図示）を駆動することで第１微動Ｚ軸ステージ７４を制御し、第１ウェーハＷ_１をＺ軸方向に微動させる。また、モータ（不図示）を駆動することで第２微動Ｚ軸ステージ７６を制御し、第２ウェーハＷ_２をＺ軸方向に微動させる。第１微動Ｚ軸ステージ７４及び第２微動Ｚ軸ステージ７６により、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のＺ軸方向高さを一定とすることで、より高精度なレーザ加工を行うことができる。

第１微動Ｚ軸ステージ７４及び第２微動Ｚ軸ステージ７６の上面には、それぞれ第１チルトステージ７８及び第２チルトステージ８０（調整機構部の一例）が設けられている。第１チルトステージ７８及び第２チルトステージ８０は板状部材であり、それぞれ第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の表面の向きを加工用Ｘ軸移動ステージ２０に対して傾けるチルト調整可能に支持されている。即ち、第１チルトステージ７８及び第２チルトステージ８０は、ＸＹ平面に対する複数のウェーハの傾斜をそれぞれ調整するチルト調整機構部として機能する。

チルト制御部８４は、モータ（不図示）を駆動することで第１チルトステージ７８を制御し、第１ウェーハＷ_１の向きを調整する。また、チルト制御部８４は、モータ（不図示）を駆動することで第２チルトステージ８０を制御し、第２ウェーハＷ_２の向きを調整する。第１チルトステージ７８及び第２チルトステージ８０により、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の加工用Ｘ軸移動ステージ２０に対する向きを調整することで、より高精度なレーザ加工を行うことができる。

〔第４の実施形態〕
図１０〜図１２を用いて第４の実施形態に係るレーザ加工装置８６について説明する。なお、図７〜図９に示すレーザ加工装置７２と共通する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１０は、第４の実施形態に係るレーザ加工装置８６の全体構成を示す平面図であり、図１１は、図１０のＤ方向から見た側面図である。また、図１２は、レーザ加工装置８６のシステム構成を示すブロック図である。

レーザ加工装置８６は、レーザ加工装置７２の構成に加え、第２加工用光学ユニット８８を備えている。第２加工用光学ユニット８８は、第２Ｚ軸用コラム３６にＺ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に支持されている。

第２加工用光学ユニット８８は、第１加工用光学ユニット４０と同様に、図示しないレーザ発振器及びコンデンスレンズを有している。また、第２加工用光学ユニット８８はオートフォーカス機構を備えており、加工制御部６０は、第２加工用光学ユニット８８から取得した合焦情報に基づいて、レーザ光の集光点のウェーハ厚み方向の位置が一定となるように第２加工用光学ユニット８８のコンデンスレンズの位置を制御する。

このように構成されたレーザ加工装置８６は、まず、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のアライメントを行う。

その後、Ｘ軸方向制御部５２の制御により加工用Ｘ軸移動ステージ２０をＸ軸方向、例えば、第１ウェーハＷ_１を第２加工用光学ユニット８８より右側から、第２ウェーハＷ_２が第１加工用光学ユニット４０を越えるまで、左方向に移動させながら、加工制御部６０の制御により第１加工用光学ユニット４０及び第２加工用光学ユニット８８からレーザを照射することで、第１加工用光学ユニット４０により第１ウェーハＷ_１の加工を行った後、引き続き第２ウェーハＷ_２の加工を行うと同時に、第２加工用光学ユニット８８により、異なるＹ座標における加工領域に対して、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の加工を行う。

ここで、Ｘ軸方向制御部５２は、第２加工用光学ユニット８８の位置（レーザ照射位置）に第１ウェーハＷ_１が到達するまで加工用Ｘ軸移動ステージ２０を加速させ、第２加工用光学ユニット８８の位置に到達してから一定速度で移動させる。さらに、Ｘ軸方向制御部５２は、第１加工用光学ユニット４０の位置を第２ウェーハＷ_２が通過した時点で加工用Ｘ軸移動ステージ２０を減速させる。

第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の第１加工用光学ユニット４０及び第２加工用光学ユニット８８に対応する加工領域の加工を終了すると、Ｙ軸方向制御部５４は、Ｙ軸ステージ１６をＹ軸方向に移動させることで次の加工領域を第１加工用光学ユニット４０及び第２加工用光学ユニット８８の照射位置に移動させ、Ｘ軸方向制御部５２が再び加工用Ｘ軸移動ステージ２０をＸ軸方向（今度は右方向）に移動させることで、次の加工領域のレーザ加工を行う。

第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のＸ軸方向に配置された全ての加工領域のレーザ加工が終了したら、第１θステージ２６及び第２θステージ２８により第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２を９０°回転させ、直交する２方向の加工領域のうちまだ加工を行っていない方向の加工領域の加工を行う。

これにより、ウェーハ１枚を加工する場合と同じ加工用Ｘ軸移動ステージ２０のＸ軸方向の加減速回数で、またＹ軸方向の移動回数は加工用光学ユニットの総数に応じ、約１／２で２枚のウェーハの加工が可能である。したがって、単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させることができる。

〔第５の実施形態〕
図１３〜図１５を用いて第５の実施形態に係るレーザ加工装置９０について説明する。なお、図１０〜図１２に示すレーザ加工装置８６と共通する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１３は、第５の実施形態に係るレーザ加工装置９０の全体構成を示す平面図であり、図１４は、図１３のＥ方向から見た側面図である。また、図１５は、レーザ加工装置９０のシステム構成を示すブロック図である。

レーザ加工装置９０は、レーザ加工装置８６の構成に加え、第１ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器９２及び第２ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器９４を備えている。

第１ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器９２は、第１Ｚ軸用コラム３４に支持されており、第１ウェーハチャック３０の第１ウェーハ載置面３０ａの表面高さ及び第１ウェーハ載置面３０ａに載置された第１ウェーハＷ_１の表面高さを非接触で検出する。表面高さの検出の際には、加工用Ｘ軸移動ステージ２０によるＸ軸方向の移動、Ｙ軸ステージ１６によるＹ軸方向の移動、第１θステージ２６によるθ方向の回転移動を行うことで、第１ウェーハ載置面３０ａ及び第１ウェーハＷ_１の各位置における表面高さを検出することができる。

第２ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器９４は、第２Ｚ軸用コラム３６に支持されており、第２ウェーハチャック３２の第２ウェーハ載置面３２ａの表面高さ及び第２ウェーハ載置面３２ａに載置された第２ウェーハＷ_２の表面高さを非接触で検出する。第１ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器９２と同様に、表面高さの検出の際に、Ｘ軸方向の移動、Ｙ軸方向の移動、θ方向の回転移動を行うことで、第２ウェーハ載置面３２ａ及び第２ウェーハＷ_２の各位置における表面高さを検出することができる。

高さ検出制御部９６は、この検出結果をシステム制御部５０に出力する。システム制御部５０は、この検出結果に基づいて、Ｚ軸方向制御部８２を介して第１微動Ｚ軸ステージ７４及び第２微動Ｚ軸ステージ７６を制御することで、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のＺ軸方向高さを一定とすることができ、より高精度なレーザ加工を行うことができる。また、第１ウェーハＷ_１と第２ウェーハＷ_２の相対的な表面高さが予め測定されるため、例えば第１ウェーハＷ_１の加工後に第２ウェーハＷ_２を連続して加工する際にも、第２ウェーハＷ_２の突入高さが予測可能となり、オートフォーカス機能の性能向上が可能となる。

また、システム制御部５０は、この検出結果に基づいて、チルト制御部８４を介して第１チルトステージ７８及び第２チルトステージ８０を制御することで、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２の加工用Ｘ軸移動ステージ２０に対する向きを一定とすることができ、より高精度なレーザ加工を行うことができる。

〔第６の実施形態〕
図１６〜図１８を用いて第６の実施形態に係るレーザ加工装置１００について説明する。なお、これまで図１３〜図１５に示すレーザ加工装置９０と共通する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１６は、第６の実施形態に係るレーザ加工装置１００の全体構成を示す平面図であり、図１７は、図１６のＦ方向から見た側面図である。また、図１８は、レーザ加工装置１００のシステム構成を示すブロック図である。

レーザ加工装置１００は、レーザ加工装置９０の構成に加え、第３微動Ｙ軸ステージ１０２、第３θステージ１０４、第３ウェーハチャック１０６、第３Ｚ軸用コラム１０８、第３アライメント用光学ユニット１１０、第３加工用光学ユニット１１２、及び第３ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器１１４等を備えている。

第３微動Ｙ軸ステージ１０２は、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の上面に、第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４とともにＸ軸方向に並べて設けられている。第３微動Ｙ軸ステージ１０２の構成及び作用は、第１微動Ｙ軸ステージ２２及び第２微動Ｙ軸ステージ２４と同様である。

第３θステージ１０４は、第３微動Ｙ軸ステージ１０２の上面に設けられている。第３θステージ１０４の構成及び作用は、第１θステージ２６及び第２θステージ２８と同様である。

第３ウェーハチャック１０６は、第３θステージ１０４の上面に設けられている。第３ウェーハチャック１０６の構成及び作用は、第１ウェーハチャック３０及び第２ウェーハチャック３２と同様である。

第３Ｚ軸用コラム１０８は、第３アライメント用光学ユニット１１０及び第３加工用光学ユニット１１２をＸ軸方向について固定し、Ｚ軸方向及びＹ軸方向へ移動するためのガイドである。第３アライメント用光学ユニット１１０は、第２アライメント用光学ユニット４２との観察点間のＸ軸方向の距離が、第２ウェーハチャック３２及び第３ウェーハチャック１０６の中心間のＸ軸方向の距離と同じ距離となる位置に配置されている。

第３アライメント用光学ユニット１１０の構成及び作用は、第１アライメント用光学ユニット３８及び第２アライメント用光学ユニット４２と同様である。第３アライメント用光学ユニット１１０は、第３ウェーハチャック１０６の載置面に載置された第３ウェーハＷ_３のパターン面の画像データを取得する。

第３加工用光学ユニット１１２の構成及び作用は、第１加工用光学ユニット４０及び第２加工用光学ユニット８８と同様である。

第３加工用光学ユニット１１２は、オートフォーカス機構を備えており、加工制御部６０は、第３加工用光学ユニット１１２から取得した合焦情報に基づいて、レーザ光の集光点のウェーハ厚み方向の位置が一定となるように第３加工用光学ユニット１１２のコンデンスレンズの位置を制御する。

第３ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器１１４は、第３Ｚ軸用コラム１０８に支持されており、第３ウェーハチャック１０６の第３ウェーハ載置面１０６ａの表面高さ及び第３ウェーハ載置面１０６ａに載置された第３ウェーハＷ_３の表面高さを非接触で検出する。第１ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器９２及び第２ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器９４と同様に、表面高さの検出の際には、加工用Ｘ軸移動ステージ２０によるＸ軸方向の移動、Ｙ軸ステージ１６によるＹ軸方向の移動、第３θステージ１０４によるθ方向の回転移動を行うことで、第３ウェーハ載置面１０６ａ及び第３ウェーハＷ_３の各位置における表面高さを検出することができる。

このように構成されたレーザ加工装置１００は、図示しないウェーハ交換用装置により、第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３をそれぞれ第１ウェーハチャック３０、第２ウェーハチャック３２及び第３ウェーハチャック１０６にロードし、これまでと同様に、第１ウェーハＷ_１及び第２ウェーハＷ_２のθ方向のアライメントを行う。

また、同時にアライメント用光学ユニット制御部５８の制御に応じて第３アライメント用光学ユニット１１０が第３ウェーハＷ_３を観察し、観察結果に基づいて、θ方向制御部５６は第３θステージ１０４を制御して第３ウェーハＷ_３のθ方向のアライメントを行い、第３ウェーハＷ_３の加工領域をＸ軸方向と平行にする。

次に、システム制御部５０は、第１アライメント用光学ユニット３８、第２アライメント用光学ユニット４２、及び第３アライメント用光学ユニット１１０の観察結果から、第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３のＹ軸方向の位置ずれを検出し、Ｙ軸方向制御部５４の制御により第１微動Ｙ軸ステージ２２、第２微動Ｙ軸ステージ２４、及び第３微動Ｙ軸ステージ１０２が第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３のＹ軸方向の位置を微調整し、Ｙ軸方向の位置ずれを無くす。これにより、第１ウェーハＷ_１の加工領域と第２ウェーハＷ_２の加工領域と第３ウェーハＷ_３の加工領域とがＸ軸方向に平行な同一直線上に配置される。

そして、Ｘ軸方向制御部５２の制御により加工用Ｘ軸移動ステージ２０をＸ軸方向、例えば、第１ウェーハＷ_１を第３加工用光学ユニット１１２より右側から、第３ウェーハＷ_３が第１加工用光学ユニット４０を越えるまで、左方向に移動させながら、加工制御部６０の制御により第１加工用光学ユニット４０、第２加工用光学ユニット８８、及び第３加工用光学ユニット１１２からレーザを照射し、第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３の３枚のウェーハの異なるＹ座標における加工領域（第２方向の位置が異なる複数の加工領域の一例）について加工を行う。

ここで、Ｘ軸方向制御部５２は、第３加工用光学ユニット１１２の位置に第１ウェーハＷ_１が到達するまで加工用Ｘ軸移動ステージ２０を加速させ、第１加工用光学ユニット４０の位置に到達してから一定速度で移動させる。さらに、Ｘ軸方向制御部５２は、第１加工用光学ユニット４０の位置を第３ウェーハＷ_３が通過した時点で加工用Ｘ軸移動ステージ２０を減速させる。

第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３の第１加工用光学ユニット４０、第２加工用光学ユニット８８、及び第３加工用光学ユニット１１２に対応する加工領域の加工を終了すると、Ｙ軸方向制御部５４は、Ｙ軸ステージ１６をＹ軸方向に移動させることで次の加工領域を第１加工用光学ユニット４０の照射位置に移動させ、Ｘ軸方向制御部５２が再び加工用Ｘ軸移動ステージ２０をＸ軸方向（今度は右方向）に移動させることで、次の加工領域のレーザ加工を行う。

第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３のＸ軸方向に配置された全ての加工領域のレーザ加工が終了したら、第１θステージ２６、第２θステージ２８、及び第３θステージ１０４により第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３を９０°回転させ、直交する２方向の加工領域のうちまだ加工を行っていない方向の加工領域の加工を行う。

全ての加工領域のレーザ加工が終了したら、第１ウェーハＷ_１、第２ウェーハＷ_２、及び第３ウェーハＷ_３を第１ウェーハチャック３０、第２ウェーハチャック３２、及び第３ウェーハチャック１０６からアンロードする。

このように、本実施形態によれば、Ｘ軸方向に３枚のウェーハを配置し、Ｘ軸方向の移動及びＹ軸方向の移動の回数をウェーハ１枚の場合と同様にして３枚のウェーハを同時に加工する。これにより、ウェーハ１枚を加工する場合と同じ加工用Ｘ軸移動ステージ２０のＸ軸方向の加減速回数で３枚のウェーハの加工が可能である。また、Ｙ軸方向の移動回数も加工用光学ユニットの総数に応じ、約１／３へ低減される。したがって、加工用Ｘ軸移動ステージ２０の加工時の加速度及び速度を上げずとも、１枚のウェーハのみの加工を行った場合と比較して、単位時間当たりのウェーハの処理枚数を向上させることができる。Ｘ軸方向に４枚以上のウェーハを配置することも可能である。

本発明の技術的範囲は、上記の実施形態に記載の範囲には限定されない。各実施形態における構成等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、各実施形態間で適宜組み合わせることができる。

１０，６２，７２，８６，９０，１００…レーザ加工装置、１６…Ｙ軸ステージ、２０…加工用Ｘ軸移動ステージ、２２…第１微動Ｙ軸ステージ、２４…第２微動Ｙ軸ステージ、２６…第１θステージ、２８…第２θステージ、３０…第１ウェーハチャック、３２…第２ウェーハチャック、３８…第１アライメント用光学ユニット、４０…第１加工用光学ユニット、４２…第２アライメント用光学ユニット、６８…第１カウンターバランス用Ｘ軸ステージ、７０…第２カウンターバランス用Ｘ軸ステージ、７４…第１微動Ｚ軸ステージ、７６…第２微動Ｚ軸ステージ、７８…第１チルトステージ、８０…第２チルトステージ、８８…第２加工用光学ユニット、９２…第１ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器、９４…第２ウェーハ表面・チャック表面測定用高さ検出器、Ｗ_１…第１ウェーハ、Ｗ_２…第２ウェーハ

Claims (9)

1. 少なくとも一方向に延びる加工領域をそれぞれ有する複数のウェーハを第１方向に並べて保持する保持部と、
   前記保持部に保持された複数のウェーハにレーザ光を照射するレーザ照射部と、
   前記保持部に保持された複数のウェーハと前記レーザ照射部とを前記第１方向及び前記第１方向に直交する第２方向に相対的に移動させる移動機構部と、
   前記保持部に保持された複数のウェーハのそれぞれの加工領域を前記第１方向に平行な同一直線上に配置する調整機構部と、
   前記保持部に保持された複数のウェーハと前記レーザ照射部とを前記第１方向に相対移動させながら前記同一直線上に配置された複数のウェーハの加工領域に前記レーザ光を照射することで前記加工領域をレーザ加工する制御部と、
   を備えたレーザ加工装置。
2. 前記調整機構部は、前記第１方向及び前記第２方向から形成される面に対して直交する第３方向を軸心として前記複数のウェーハのそれぞれを回転する回転調整機構部を備えた請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記調整機構部は、前記複数のウェーハの前記第２方向の位置をそれぞれ調整する第２方向調整機構部を備えた請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。
4. 前記調整機構部は、前記第１方向及び前記第２方向から形成される面に対する前記複数のウェーハの傾斜をそれぞれ調整するチルト調整機構部を備えた請求項１から３のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
5. 前記調整機構部は、前記複数のウェーハの前記レーザ照射部との距離をそれぞれ調整する高さ調整機構部を備えた請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
6. 前記複数のウェーハを撮影する撮影部を備え、
   前記調整機構部は、前記撮影部の撮影結果に基づいて前記複数のウェーハのそれぞれの加工領域を前記第１方向に平行な同一直線上に配置する請求項１から５のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
7. 前記移動機構部は、前記保持部を前記第１方向及び前記第１方向に直交する方向に相対的に移動させ、
   前記移動機構部の前記第１方向の移動に対応して前記移動機構部とは逆方向に移動するカウンターバランスを備えた請求項１から６のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
8. 前記第２方向の位置が異なる複数の加工領域にそれぞれ前記レーザ光を照射する複数のレーザ照射部を備えた請求項１から７のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
9. 少なくとも一方向に延びる加工領域をそれぞれ有する複数のウェーハを保持部において第１方向に並べて保持する保持工程と、
   前記保持部に保持された複数のウェーハにレーザ照射部においてレーザ光を照射するレーザ照射工程と、
   前記保持部と前記レーザ照射部とを前記第１方向及び前記第１方向に直交する第２方向に相対的に移動させる移動工程と、
   前記保持部に保持された複数のウェーハのそれぞれの加工領域を前記第１方向に平行な同一直線上に配置する調整工程と、
   前記保持部に保持された複数のウェーハと前記レーザ照射部とを前記第１方向に相対移動させながら前記同一直線上に配置された複数のウェーハの加工領域に前記レーザ光を照射することで前記加工領域をレーザ加工する制御工程と、
   を備えたレーザ加工方法。

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