JP2017107751A - イオン注入方法およびイオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1(a)〜(e)は、ウェハWに入射するイオンビームBの角度特性を模式的に示す図である。本図に示すイオンビームBは、いずれもウェハWの表面に対して垂直に入射する場合、つまり、イオンビームBの入射角度が0度となる場合を示している。しかしながら、各図に示すイオンビームBは、ビームを構成するイオン粒子群の角度分布が異なる。
図3は、イオンビームBの照射によりゲート構造90の近傍に形成される不純物領域91を模式的に示す断面図である。本図は、ウェハ処理面上にゲート構造90が形成されたウェハWにイオンビームBを照射してゲート構造90の近傍にソース/ドレイン領域となる不純物領域91を形成するイオン注入処理を示す。ウェハWは、ウェハ処理面が(100)面となるシリコン基板である。ウェハWに入射するイオンビームBは、ウェハ処理面に対する注入角度が0度であり、注入角度分布の広がりの小さい平行ビームである。そのため、ウェハWに入射するイオン粒子の多くはウェハWの<100>方位の結晶軸に沿って入射し、強い軸チャネリング効果によってz方向に深く侵入する。その結果、イオン粒子が到達する不純物領域91の深さ方向の広がり幅z1が大きくなり、ゲート構造90の下方に回り込んで形成される不純物領域91のゲート長方向の広がり幅L1が小さくなる。なお、本図の左方に示すグラフは、深さ方向(z方向)の不純物濃度NDの分布を示し、本図の下方に示すグラフは、ゲート長方向の不純物濃度NDの分布を示す。
上述のように、ウェハに入射するイオンビームの注入角度分布は、ウェハに形成される不純物領域の分布形状に影響を与え、アニール処理後のウェハのキャリア濃度分布にも影響を及ぼしうる。一般に、ウェハのキャリア濃度分布が異なるとウェハのシート抵抗が異なりうることから、照射するイオンビームの注入角度分布とウェハのシート抵抗値との間には一定の相関性が成り立つことが予想される。そこで、本発明者らは、イオン注入後のウェハのシート抵抗を利用することにより、イオン注入に用いたイオンビームの注入角度分布の評価ができるかもしれないと考えた。特に、ウェハの向きを変えてイオンビームから見たx方向およびy方向のチャネリング条件を変化させることにより、x方向およびy方向のそれぞれについて注入角度分布の評価ができるかもしれないと考えた。
つづいて、上述の技術を利用したイオン注入装置10について説明する。図12は、実施の形態に係るイオン注入装置10を概略的に示す上面図であり、図13は、イオン注入装置10の概略構成を示す側面図である。
Claims (20)
- イオンビームをx方向に往復走査させ、ウェハをy方向に往復運動させてウェハにイオン注入するイオン注入方法であって、
所定の面チャネリング条件を満たすように配置された第1ウェハに前記イオンビームを照射し、ビーム照射後の前記第1ウェハの抵抗を測定することと、
所定の軸チャネリング条件を満たすように配置された第2ウェハに前記イオンビームを照射し、ビーム照射後の前記第2ウェハの抵抗を測定することと、
前記第1ウェハおよび前記第2ウェハの抵抗測定結果を用いて、前記イオンビームの前記ウェハに対する前記x方向および前記y方向の注入角度分布を調整することと、を備えることを特徴とするイオン注入方法。 - 前記注入角度分布は、電界および磁界の少なくとも一方を作用させて前記イオンビームを収束または発散させる二以上のレンズ装置を用いて、前記x方向および前記y方向のそれぞれについて独立に調整されることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入方法。
- 前記注入角度分布が調整されたイオンビームを被処理ウェハに照射することをさらに備え、
前記注入角度分布は、前記被処理ウェハに所望のキャリア濃度分布が形成されるように調整されることを特徴とする請求項2に記載のイオン注入方法。 - 前記被処理ウェハは、ウェハ処理面に形成される構造体を有し、
前記注入角度分布は、前記構造体の近傍におけるキャリア濃度分布の広がりが所望の分布となるように調整されることを特徴とする請求項3に記載のイオン注入方法。 - 前記構造体は、ゲート構造であり、
前記注入角度分布は、前記ゲート構造の近傍におけるキャリア濃度分布の深さ方向及びゲート長方向の広がりが所望の分布となるように調整されることを特徴とする請求項4に記載のイオン注入方法。 - 前記第1ウェハは、前記第1ウェハに入射するイオンビームの基準軌道に沿う方向と前記y方向の双方により規定される基準面に平行なチャネリング面を有する一方で、前記基準面と直交するチャネリング面を有しないように配向されることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のイオン注入方法。
- 前記第1ウェハは、ウェハ主面が(100)面である結晶性基板であり、前記第1ウェハの<110>方位と前記y方向との間のツイスト角が実質的に0度または45度となり、前記ウェハ主面の法線と前記基準軌道に沿う方向との間のチルト角が15度〜60度の範囲内となるように配置されることを特徴とする請求項6に記載のイオン注入方法。
- 前記第2ウェハは、前記第2ウェハに入射するイオンビームの基準軌道に沿う方向にチャネリング軸を有する一方で、前記第2ウェハに入射するイオンビームの基準軌道に沿う方向と前記y方向の双方により規定される基準面に平行または直交するチャネリング面を有しないように配向されることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のイオン注入方法。
- 前記第2ウェハは、ウェハ主面が(100)面である結晶性基板であり、前記第2ウェハの<110>方位と前記y方向との間のツイスト角が15度〜30度の範囲内となり、前記ウェハ主面の法線と前記基準軌道に沿う方向との間のチルト角が実質的に0度となるように配置されることを特徴とする請求項8に記載のイオン注入方法。
- 前記第1ウェハおよび前記第2ウェハは、ウェハ主面のオフ角が0.1度以下の結晶性基板であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のイオン注入方法。
- 前記第1ウェハの抵抗測定前にビーム照射後の前記第1ウェハにアニール処理を施すことと、前記第2ウェハの抵抗測定前にビーム照射後の前記第2ウェハにアニール処理を施すことの少なくとも一方をさらに備えることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載のイオン注入方法。
- 前記アニール処理は、900℃〜1000℃のアニール温度でなされることを特徴とする請求項11に記載のイオン注入方法。
- 所定のオフチャネリング条件を満たすように配置された第3ウェハに前記イオンビームを照射し、ビーム照射後の前記第3ウェハの抵抗を測定することと、
前記第3ウェハの抵抗測定結果を用いて前記イオンビームによるイオン注入量を調整することと、をさらに備えることを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載のイオン注入方法。 - 前記第3ウェハは、ウェハ主面が(100)面である結晶性基板であり、前記第3ウェハの<110>方位と前記y方向との間のツイスト角が15度〜30度の範囲内となり、前記ウェハ主面の法線と前記ウェハ主面に入射するイオンビームの基準軌道に沿う方向との間のチルト角が7度〜15度の範囲内となるように配置されることを特徴とする請求項13に記載のイオン注入方法。
- 前記第3ウェハは、ウェハ主面近傍がアモルファス化された基板であることを特徴とする請求項13に記載のイオン注入方法。
- 前記ウェハの抵抗測定は、四探針法を用いて前記ウェハのシート抵抗を測定することであることを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載のイオン注入方法。
- 前記第1ウェハおよび前記第2ウェハには第1イオン注入装置により生成される第1イオンビームが照射され、前記注入角度分布の調整は前記第1イオンビームに対してなされ、
前記イオン注入方法は、
前記第1イオン注入装置とは異なる第2イオン注入装置により生成される第2イオンビームを前記所定の面チャネリング条件を満たすように配置された第4ウェハに照射し、ビーム照射後の前記第4ウェハの抵抗を測定することと、
前記第2イオンビームを前記所定の軸チャネリング条件を満たすように配置された第5ウェハに照射し、ビーム照射後の前記第5ウェハの抵抗を測定することと、をさらに備え、
前記注入角度分布の調整は、前記第1ウェハと前記第4ウェハの抵抗の比較結果および前記第2ウェハと前記第5ウェハの抵抗の比較結果を用いてなされることを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載のイオン注入方法。 - イオンビームに電界および磁界の少なくとも一方を作用させて前記イオンビームを収束または発散させる二以上のレンズ装置と、
前記イオンビームをx方向に往復走査させるビーム走査器と、
前記往復走査されるイオンビームが照射されるウェハをy方向に往復運動させるプラテン駆動装置と、
ビーム照射後のウェハの抵抗を測定する抵抗測定器と、
前記抵抗測定器の測定結果に基づいて前記二以上のレンズ装置の動作パラメータを決定してイオン注入処理を実行する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
所定の面チャネリング条件を満たすように前記プラテン駆動装置に配置された第1ウェハにイオンビームを照射させ、照射後の前記第1ウェハの抵抗を前記抵抗測定器により測定させ、
所定の軸チャネリング条件を満たすように前記プラテン駆動装置に配置された第2ウェハにイオンビームを照射させ、照射後の前記第2ウェハの抵抗を前記抵抗測定器により測定させ、
前記第1ウェハおよび前記第2ウェハの抵抗測定結果を用いて前記二以上のレンズ装置の動作パラメータを決定し、前記イオンビームの前記ウェハに対する前記x方向および前記y方向の注入角度分布を調整することを特徴とするイオン注入装置。 - 前記ウェハのアニール装置をさらに備え、
前記制御装置は、前記第1ウェハの抵抗測定前にビーム照射後の前記第1ウェハを前記アニール装置を用いてアニールさせ、前記第2ウェハの抵抗測定前にビーム照射後の前記第2ウェハを前記アニール装置によりアニールさせることを特徴とする請求項18に記載のイオン注入装置。 - イオンビームをx方向に往復走査させ、ウェハをy方向に往復運動させてウェハにイオン注入するイオン注入方法であって、
前記x方向および前記y方向の注入角度分布が調整されたイオンビームを被処理ウェハに照射して、前記被処理ウェハに所望のキャリア濃度分布を形成することを特徴とするイオン注入方法。
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JP2015240793A JP6588323B2 (ja) | 2015-12-10 | 2015-12-10 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
TW105132581A TWI683352B (zh) | 2015-12-10 | 2016-10-07 | 離子植入方法及離子植入裝置 |
KR1020160131101A KR102523948B1 (ko) | 2015-12-10 | 2016-10-11 | 이온주입방법 및 이온주입장치 |
CN201610898648.4A CN106920741B (zh) | 2015-12-10 | 2016-10-14 | 离子注入方法及离子注入装置 |
US15/374,181 US10121666B2 (en) | 2015-12-10 | 2016-12-09 | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019096477A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置およびイオン注入装置の制御方法 |
KR20200010066A (ko) | 2018-07-18 | 2020-01-30 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입방법 및 이온주입장치 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6644596B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2020-02-12 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
DE102017117999A1 (de) * | 2017-08-08 | 2019-02-14 | Infineon Technologies Ag | Ionenimplantationsvorrichtung und verfahren zum herstellen vonhalbleitervorrichtungen |
CN107993912A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-05-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种校准离子注入机的离子注入角度的方法 |
KR102506098B1 (ko) * | 2019-09-11 | 2023-03-06 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 웨이퍼 결정 배향을 추정하는 방법 및 시스템 |
CN113616159A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-11-09 | 昌乐县人民医院 | 一种基于位移偏离的离子束校准装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61251079A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JPH0637163A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-10 | Sony Corp | イオン注入評価法 |
JPH07172990A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Nec Corp | 半導体基板及び半導体装置 |
JP2005236007A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20060289798A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-12-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods & apparatus for ion beam angle measurement in two dimensions |
JP2010040576A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | 半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2298880A1 (fr) * | 1975-01-22 | 1976-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif d'implantation ionique |
JPS57182956A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Hitachi Ltd | Ion-implantation device |
JPH038323A (ja) | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Nec Corp | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
JPH0362442A (ja) | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
JP4204662B2 (ja) * | 1998-04-02 | 2009-01-07 | 株式会社アルバック | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
US6555832B1 (en) | 1999-10-13 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Determining beam alignment in ion implantation using Rutherford Back Scattering |
US7282721B2 (en) * | 2001-08-30 | 2007-10-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for tuning ion implanters |
JP4251453B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2009-04-08 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法 |
JP2005353537A (ja) | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
CN1291445C (zh) * | 2004-06-18 | 2006-12-20 | 清华大学 | 离子注入机中的靶盘角度控制与扫描运动机构 |
KR100538813B1 (ko) * | 2004-07-31 | 2005-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트랜지스터 파라미터의 균일도 확보를 위한 이온주입 장치및 그를 이용한 이온주입 방법 |
JP2006245506A (ja) | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP5057008B2 (ja) | 2005-09-05 | 2012-10-24 | 株式会社アルバック | イオン注入装置 |
KR100755069B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불균일한 이온주입에너지를 갖도록 하는 이온주입장치 및방법 |
JP5311112B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2013-10-09 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
JP2011086643A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Panasonic Corp | 不純物注入方法及びイオン注入装置 |
CN104183446B (zh) * | 2013-05-27 | 2017-07-18 | 斯伊恩股份有限公司 | 高能量离子注入装置 |
JP6117136B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-04-19 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置、ビームエネルギー測定装置、及びビームエネルギー測定方法 |
-
2015
- 2015-12-10 JP JP2015240793A patent/JP6588323B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-07 TW TW105132581A patent/TWI683352B/zh active
- 2016-10-11 KR KR1020160131101A patent/KR102523948B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-14 CN CN201610898648.4A patent/CN106920741B/zh active Active
- 2016-12-09 US US15/374,181 patent/US10121666B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61251079A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JPH0637163A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-10 | Sony Corp | イオン注入評価法 |
JPH07172990A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-11 | Nec Corp | 半導体基板及び半導体装置 |
JP2005236007A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20060289798A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-12-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods & apparatus for ion beam angle measurement in two dimensions |
JP2009524195A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 2つの次元でイオンビーム角を測定する方法及び装置 |
JP2010040576A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | 半導体基板の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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