JP4204662B2 - イオン注入装置およびイオン注入方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はイオン注入装置およびイオン注入方法に関するものであり、更に詳しくは、大口径のウェーハに対して均一なイオン注入が可能であり、かつウェーハ内の半導体の1チップを注入単位としてイオン注入し得るイオン注入装置およびイオン注入方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハ内にドービング領域を形成させるために、イオンビームによって不純物イオンを打ち込むイオン注入は従来から広く行われており、種々の方式が採用されている。例えば固定されたウェーハに対して静電偏向または電磁偏向によってイオンビームをX方向(水平方向)とY方向(垂直方向)とにスキャンする方法、イオンビームをスキャンさせると共にウェーハもX方向とY方向とに機械的にスキャンさせる方法、イオンビームは固定しておきウェーハのみをX方向とY方向とに機械的にスキャンさせる方法などである。
【0003】
(従来例1)
図7は一般的に使用されているイオン注入装置、すなわち、固定されたウェーハWにイオンビームをスキャンさせる方式のイオン注入装置の一例の構成を示す図である。このイオン注入装置20は高電圧領域のシールドボックス20B内のイオン源21、イオン分析マグネット22、加速管24、および、これに接続されるグランド領域におけるイオンビーム集束用Qレンズ25、イオンビームを静電界によってY方向に偏向させるY方向偏向器26、同じくX方向に偏向させるX方向偏向器27、ウェーハWを保持するイオン注入室29とから構成されている。
【0004】
このような方式のイオン注入装置20はY方向偏向器26、X方向偏向器27が直列に配置されており、また入射角度を小さくするためにビームラインを長くしているので装置寸法が大になるほか、高度の偏向技術を要するという問題がある。そして、この問題はウェーハWが大口径になるほど顕著になり、イオン注入装置の設置面積、製造コストが飛躍的に増大する。
【0005】
(従来例2)
上記のイオン注入装置の大型化に対処するものとして、特開平3−71545号公報に係る「イオン注入装置」には、図8のAに示すように、スキャンされるイオンビームLがX軸駆動モータ33、Y軸駆動モータ34によって、X、Y方向に駆動され、開口遮弊板36A、36Bおよびこれらを駆動するモータ37A、37Bによって開口面積可変とされたビームマスク35を通過して、ティルト可能なプラテン32に保持されたウェーハWに入射する方式のスキャン機構31、および図8のBに示すように、スキャンされるイオンビームLが開口遮弊板46A、46Bおよびこれらを駆動するモータ47A、47Bによって開口面積可変とされたビームマスク45を通過し、X軸駆動モータ43、Y軸駆動モータ44によってX、Y方向に駆動されるティルト可能なプラテン42に保持されたウェーハWに入射する方式のスキャン機構41が開示されている。そして、これらのスキャン機構31、41は何れもイオンビームLの入射角度を小さくでき、イオン注入装置の小型化が可能であるとしている。
【0006】
しかし、図8のAに示されているビームマスク35とプラテン32との間の距離、および図8のBに示されているビームマスク45とプラテン42との間の距離は何れもウェーハWの直径と同程度以上に示されており、イオンビームLの入射角度が小さいとしても、ビームマスク35、45でカットされたイオンビームは、イオンビーム自身が持つ拡がりによってシャープカットされずに隣りのチップ領域まで注入される。また、実際のイオン注入時に生起する問題、例えば、ビームマスク35、45の開口面積内におけるイオンビームLの電流密度分布の不均一、イオン注入中におけるビーム電流の変動などによって生じるイオン注入の不均一については全く触れられていない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、イオン注入装置は半導体ウェーハの大口径化に伴って大型化する傾向にあるが、これを小型化せんとしてもイオン注入の均一性が失われ易く、ウェーハの大口径化に充分に対処し得ないのが現状である。
【0008】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、ウェーハが300mmφまたはそれ以上の大口径のウェーハに対して均一注入条件でのイオン注入が可能であり、かつウェーハ内における半導体の1チップを注入単位としてイオン注入の条件を制御し得る小型のイオン注入装置およびイオン注入方法を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は請求項1および請求項8の構成によって解決されるが、その解決手段を実施の形態によって説明すれば、本発明のイオン注入装置は、高電圧部には質量分離器と加速管との間にイオンを一時的に遮断し得るビーム遮断器が設置され、ビームライン部には少なくともイオンビームの集束レンズ、イオンビームをX、Y方向に微小角度だけスキャンさせるスキャナー、非接触ビーム電流計が設置され、エンドステーション部にはウェーハ内に形成されるチップの形状より僅かに大きい開口またはチップの形状より小さい開口を有しチップの直上に位置するように固定または移動可能に固定されたマスク、回転機構とティルト機構を備えウェーハを保持するプラテン、プラテンをX、Y方向へ高速で移動させる機械的駆動機構が設置され、更に、機械的駆動、回転機構、ティルト機構の作動を制御するためのウェーハ位置検出器が取り付けられている。また、エンドステーション部には、マスクまたはその同等物の開口とイオンビームのスキャン領域との整合性の確認と、その開口内におけるイオンビームの電流密度分布の測定を行なうビーム密度分布モニター、およびイオンビームの電流を測定して非接触ビーム電流計の計測値を校正するためのファラデー・カップが設置されている。
【0010】
上記のようなイオン注入装置によってウェーハ内に形成されるチップにイオン注入を行うには、ウェーハ位置検出器によって位置を検出しつつ、機械的駆動機構、回転機構、ティルト機構とによって、チップをプラテンと共にイオンビームの入射位置へ移動させて所定の入射角度に設定する。一方、イオン源から引き出され加速管によって所定のエネルギーに加速されたイオンビームをビームライン部へ導き、スキャナーによって微小角度だけスキャンさせチップに入射させる。また、マスクの開口がチップの形状より小さい場合には、更にチップをプラテンと共に機械的駆動機構によってX方向とY方向とにスキャンさせることによりウェーハ内のチップにイオン注入する。その間、非接触ビーム電流計の計測値が変動する場合には、所定のドーズ量が一様に得られるように、プラテンの機械的スキャンの速度、またはイオンビームのスキャンの速度を調整する。そして、イオン注入の開始直後から積算される非接触ビーム電流計の計測値が所定の積算値に達するとビーム遮断器を作動させイオン注入を停止する。
【0011】
また、イオン注入の前に、イオンビームの入射位置へウェーハに代えてビーム密度分布モニターを挿入し、その直上へ移動されるマスクまたはその同等物の開口とイオンビームのスキャン領域との整合性の確認、およびその開口内におけるイオンビームの電流密度分布の測定を行い、開口とイオンビームのスキャン領域とが一致していない場合にはスキャンの振幅を調整し、電流密度分布が一様でない場合には、イオンビームのスキャン速度を調整する。
【0012】
また、イオン注入の前に、イオンビームの入射位置にマスクまたはその同等物が存在し、ウェーハまたはビーム密度分布モニターが存在しない状態で、イオンビームの入射位置の下方に設置されたファラデー・カップによって開口を通過するビーム電流を測定し、その電流値を基準として非接触ビーム電流計の計測値の校正を行う。
【0013】
このようなイオン注入装置およびイオン注入方法を採用することにより、イオン注入装置が小型化されると共に、大口径のウェーハに対して面積的に均一なイオン注入を行うことが可能となり、かつ、ウェーハ内の半導体の1チップを注入単位としてイオンの注入エネルギー、注入量、ないしはイオン種等を制御することが可能になる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態によるイオン注入装置およびイオン注入方法について、図面を参照して具体的に説明する。
【0015】
図1は実施の形態のイオン注入装置10を概略的に示す側面図であり、その全体は高電圧部である高電圧ターミナル10A、ビームライン部10B、エンドステーション部10Eからなる真空系である。すなわち、シールドボックスS内の高電圧ターミナル10Aに周知のイオン源1、質量分離器2が収容され、更にスリット3a、ビーム遮断器3、可変スリット3bが配置されている。ビーム遮断器3は電圧を印加されることによりイオンビームLを跳ね上げ、可変スリット3bへ向かうイオンビームLを一時的に遮断することができる。高電圧ターミナル10Aには周知の加速管4が取り付けられており、その後段となるビームライン部10Bには、集束レンズ5a、イオンビームLをX方向とY方向とに電磁的に微小角度スキャンさせるオクタポール・スキャナー6、コンタミネーション粒子除去マグネット7、および集束レンズ5b、非接触ビーム電流計8が設けられている。
【0016】
集束レンズ5a、5bは電磁式であるが、静電式としてもよい。イオンビームLをスキャンさせる場合には集束レンズ5aを使用し、後述するイオンビームLをスキャンさせない場合には集束レンズ5bを使用する。イオンビームLのスキャンにはオクタポール・スキャナー6以外の電磁偏向型スキャナーを使用してもよく、勿論、静電偏向型スキャナーを使用してもよい。コンタミネーション粒子除去マグネット7は質量分離器2以降においてイオンが残留ガスと衝突して電荷が変化したイオンや中性粒子を除去するものであり、イオンビームLはコンタミネーション粒子除去マグネット7によって下方へ角度90度に曲げられている。そして、非接触ビーム電流計8はビームライン部10Bの下端部の外周に設けた磁性コアとコイルによってイオンビームLの電流を電磁気的に計測する。
【0017】
エンドステーション部10EのイオンビームLの入射位置には、ビーム密度分布モニター11とウェーハWを保持するプラテン13とが位置を交替して挿入されるようになっている。プラテン13にはウェーハW内に形成されるチップの1個の形状より僅かに大きい開口を有するマスク9がチップの直上に位置して回動可能に取り付けられていると共に、保持するウェーハWのツイスト角度を調整する回転機構14とウェーハWのティルト角度を調整するティルト機構15とが取り付けられており、これらを一体的にX、Y方向に高速で移動させるX方向機械的駆動機構16とY方向機械的駆動機構17とが連結して取り付けられている。なお、マスク9はウェーハWに形成させるチップのサイズに応じて交換可能とされている。
【0018】
ビーム密度分布モニター11は、微小なファラデー・カップが二次元に配置された測定ヘッドを有するものであるが、それ以外の方法によるものであってもよい。ビーム密度分布モニター11は、イオン注入の前に、イオンビームLの入射位置に挿入され、プラテン13に回動可能に固定されているマスク9をその直上へ回動させた後、マスク9の開口とイオンビームLのスキャン領域との整合性の確認、およびマスク9の開口内におけるビーム電流の密度分布の測定を行うためのものである。イオンビームLのスキャン領域が不適切な場合にはオクタポール・スキャナー6の振幅が調整され、電流の密度分布が一様でない場合には、イオンビームのスキャン速度が調整される。
【0019】
イオンビームLの入射位置の下方には、イオンビームLの電流を測定するためのファラデー・カップ12が配置されている。このファラデー・カップ12による測定値を基準にして上記の非接触ビーム電流計8の計測値があらかじめ校正される。また、エンドステーション部10Eの天井部にはウェーハ位置検出器19が固定されている。ウェーハ位置検出器19はCCD撮像カメラであり、ウェーハW内のアライメントマークを基準にしてウェーハ位置を検出するが、それ以外の検出器であってもよい。ウェーハ位置検出器19からの位置検出信号は図示しない制御部へ入力され、制御部は後述するプラテン13のX方向、Y方向への機械的駆動機構16、17および回転機構14、ティルト機構15の作動を制御するようになっている。
【0020】
図2はエンドステーション部10E内における機器配置を示す概略図である。非接触ビーム電流計8を通過して下方へ向かうイオンビームLがマスク9の開口を通過してビーム密度分布モニター11に入射している場合を示す。後述の図3も参照して、マスク9はXYテーブル18に取り付けられている。また、ウェーハWを保持するプラテン13は回転機構14とティルト機構15を備えると共に、支持柱15sを介してX方向機械的駆動機構16に固定され、X方向機械的駆動機構16はY方向機械的駆動機構17と連結されている。
【0021】
また、前述したように、ビーム密度分布モニター11を移動させた時にイオンビームLが入射する位置にファラデー・カップ12が設置されておりビーム電流を測定できるようになっている。イオン注入に際しては、ビーム密度分布モニター11と位置を交替してウェーハWを保持するプラテン13がイオンビームLの入射位置へ移動される。すなわち、ウェーハ位置検出器19によって位置を検出されつつ、ウェーハWがプラテン13と共にX方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17によってイオンビームLの入射位置へ移動され、回転機構14、ティルト機構15によってウェーハW内のチップが所定の入射角度に位置決めされる。
【0022】
図3はイオンビームLに対するプラテン13の配置を示す概略図である。なお図3はティルトされていないウェーハWを示している。イオンビームLの入射位置へプラテン13が移動されると共にマスク9がチップの直上へ配置され、図示されていないオクタポール・スキャナー6によってX方向、Y方向に微小角度でスキャンされるイオンビームLがマスク9の開口を通過してウェーハW内の所定のチップに入射する。同時に、XYテーブル18上において、Y方向機械的駆動機構17はX方向機械的駆動機構16を紙面に平行に左右の方向へ移動させ、そのX方向機械的駆動機構16はプラテン13を紙面に垂直な方向へ移動させるることによりプラテン13はX方向とY方向にスキャンされる。そして、図2を参照し、非接触ビーム電流計8の計測値はプリアンプ8Aを経てX方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17の駆動電源へ入力されており、イオン注入中における非接触ビーム電流計8の計測値が変動すると、所定のドーズ量が一様に得られるように、X方向機械的駆動機構16とY方向機械的駆動機構17の速度、すなわち、機械的スキャンの速度が調整されるようになっている。また、イオン注入が開始されると非接触ビーム電流計8による計測値が積算され、その積算値が所定の値に達して所定のドーズ量が得られるとビーム遮断器3が作動されイオン注入が停止されるようになっている。
【0023】
実施の形態のイオン注入装置10は以上のように構成されるが、次にイオン注入方法について説明する。注入するイオン種はボロン(B)、燐(P)、砒素(As)、その他の中から目的に応じて選択される。なお、ウェーハWは図示を省略したロードロック室を経由して真空系へ導入され、搬送ロボットによってプラテン13の静電チャック等に保持されているものとする。
【0024】
図1を参照して、高電圧ターミナル10Aのイオン源1で生成され引き出されたイオンは質量分離器2によって注入に使用するイオンのみが選択される。選択されたイオンはスリット3a、電圧が印加されていないビーム遮断器3、可変スリット3bを通過して加速管4へ導かれ、加速管4によって所定のエネルギーまで加速される。
【0025】
加速されたイオンビームLはビームライン部10Bへ入り、集束レンズ5aによって絞られ、オクタポール・スキャナー6によってX方向とY方向との二次元に微小角度スキャンされる。スキャンされたイオンビームLはコンタミネーション粒子除去マグネット7によって下方へ角度90度に曲げられる。このコンタミネーション粒子除去マグネット7は質量分離マグネットであり、ビームライン部10Bに残留するガスと衝突して電荷が変化したイオンや中性粒子が除去される。コンタミネーション粒子が除去されたイオンビームLはこの場合には作動されない集束レンズ5bを通過し、非接触ビーム電流計8でビーム電流が計測されて、エンドステーション部10Eへ入射する。
【0026】
図2も参照してエンドステーション部10Eでは、イオン注入の前に、先ず、イオンビームLの入射位置へビーム密度分布モニター11が挿入され、マスク9がプラテン13からビーム密度分布モニター11の直上へ回動される。マスク9の開口を通過したイオンビームLはビーム密度分布モニター11に入射する。この状態においてマスク9の開口とイオンビームLのスキャン領域との整合性の確認と、マスク9の開口内におけるビーム電流の密度分布の測定とが行われる。そしてマスク9の開口とイオンビームLのスキャン領域が一致していない場合には、オクタポール・スキャナー6の振幅が調整され、ビーム電流の密度分布が一様でない場合にはイオンビームのスキャン速度が調整される。マスク9の開口はチップ形状より小であってもよい。その後、ビーム密度分布モニター11はマスク9の開口の直下から待機位置へ移動される。
【0027】
ビーム密度分布モニター11をマスク9の開口の直下から移動させることにより、イオンビームLは下方のファラデー・カップ12に到達し、マスク9の開口を通過するビーム電流が測定される。そして、ビームライン部10Bの非接触ビーム電流計8の計測値がファラデー・カップ12の電流値と一致するように校正される。このようにしてイオンビームLの調整が完了すると、ウェーハWをイオンビームLの入射位置へ移動させるために、一旦、イオンビームLが遮断される。
【0028】
すなわち、高電圧ターミナル10Aのビーム遮断器3に電圧を印加することによって、イオンビームLは跳ね上げられて可変スリット3bを通過することができずビームライン部10Bからエンドステーション部10Eへの入射が遮断される。そして、プラテン13に保持されたウェーハWがウェーハ位置検出器19によって位置を検出されつつ、X方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17によってイオンビームLの入射位置の方へ移動されると共にマスク9はウェーハW内のチップ上へ配置され、当該チップは回転機構14によって必要な回転を与えられ、ティルト機構15によって所定の入射角度に位置決めされる。
【0029】
次いで、ビーム遮断器3に印加されている電圧がゼロとされて、イオン注入が開始される。この時マスクの開口がチップの形状より小さい場合にはウェーハW内のチップをプラテン13と共にX方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17によって高速で機械的にスキャンさせる。そして、イオン注入の間に非接触ビーム電流計8の計測値が変動すると、その計測値はプリアンプ8Aを経てプテラン13のX方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17の駆動電源へ入力され、例えば計測値が低い方へドリフトすると注入量が一定になるようにプテラン13の機械的スキャン速度が低下される。そのほかイオンビームLのスキャン速度を調整するようにしてもよい。一方、イオン注入の開始と同時に非接触ビーム電流計8の計測値が積算され、その積算値が所定の値に達すると、ビーム遮断器3に電圧が印加されてイオンビームLが遮断され、所定のチップに所定のエネルギーのイオンが所定のドーズ量で均一に注入される。
【0030】
引き続いて、同一ウェーハW内の他のチップにイオン注入する場合には、上述したと同様にして、ウェーハ位置検出器19とX方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17、回転機構14、ティルト機構15とによって、ウェーハW内の他のチップがイオン注入に備えてマスク9と共にイオンビームLの入射位置に位置決めされ、続いてビーム遮断器3への印加電圧がゼロとされてイオン注入が行われる。この場合の注入エネルギー、ドーズ量は先行してイオン注入したチップへの注入エネルギー、ドーズ量とは無関係に任意に設定される。この様にして、ウェーハW内の半導体の1チップを注入単位とし、注入エネルギー、注入量、ないしはイオン種を変化させてのイオン注入が行われる。
【0031】
以上は本実施の形態のイオン注入装置10において、オクタポール・スキャナー6によるX方向、Y方向へのイオンビームLの微小角度のスキャンと、X方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17によるプラテン13の機械的スキャンとを組み合わせ、入射角度が可及的に一定になるようにしてウェーハWにイオン注入する場合を説明したが、オクタポール・スキャナー6によるイオンビームLのスキャンをX方向のみとし、プラテン13をY方向のみに移動させるか、それとは逆に、オクタポール・スキャナー6によるイオンビームLのスキャンをY方向のみとし、プラテン13をX方向のみに移動させてイオン注入することも可能である。また、オクタポール・スキャナー6によるイオンビームLのスキャンは停止し、プラテン13のX方向とY方向への二次元の機械的スキャンのみによってイオン注入を行うこともできる。この場合においては、集束レンズ5aは作動されずコンタミネーション粒子除去マグネット7を通過した後のイオンビームLが集束レンズ5bで集束される。また前述したようにマスク9の開口はチップの寸法よりも小さい面積の開口を用いてもよい。
【0032】
本実施の形態のイオン注入装置10は上述したように、オクタポール・スキャナー6によってイオンビームLをX、Y方向に微小角度スキャンさせると共に、エンドステーション10Eへ入射されるイオンビームLに対し、マスク9を伴うウェーハW内のチップをプラテン13と共にX方向機械的駆動機構16とY方向機械的駆動機構17とで機械的にスキャンさせるようにしているので、大口径のウェーハWに対してもイオンビームLの入射角度を小にして均一性の高いイオン注入が可能であることから、イオン注入装置10を小型化することができ、設置面積を抑え、設置するクリーンルームの建設費を低減させることができる。
【0033】
また、半導体ウェーハの製造に際しては、イオン種、注入エネルギー、ドーズ量等の注入条件の最適化が図られているが、従来のようにそれぞれの注入条件について1枚の大口径のウェーハWを当てるとすると無駄になる部分を生じて製造原価が増大するに対し、本実施の形態のイオン注入装置10は、1枚のウェーハWの中で1チップを注入単位として注入条件を変えることができ、単価の高い大口径のウェーハWを使用する場合に大幅なコスト削減を可能とする。
【0034】
また、ウェーハが大口径化する一方、半導体デバイスの構造は微細化、複雑化しており、それに伴ってコンタミネーション粒子の除去やイオンビームLのスキャン用の機器が電気的、電磁気的に複雑化しており、機器重量や使用電力の増大をもたらしているが、本実施の形態のイオン注入装置10は、イオンビームLの入射角度を小さく維持することができ、かつビーム電流を常時計測して注入条件の均一化を図っているので、機器が小型化されるのみならず電気的、電磁気的な負担が軽減されることにより機器重量や使用電力の増大が抑制され、イオン注入装置の製造コスト、運転経費が大幅に削減される。
【0035】
本発明の実施の形態のイオン注入装置およびイオン注入方法は以上のように構成され作用するが、勿論、本発明はこれに限られることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0036】
例えば本実施の形態においては、コンタミネーション粒子除去マグネット7によるイオンビームLの曲げ角度を下向きの90度としたが、これを下向き45度としてもよく曲げ角度は特に限定されない。また、イオンビームLを下方へ曲げるのではなく、図4に示すように側方へ水平に曲げるようにしてもよい。すなわち、図4はイオンビームLを側方へ水平に曲げたイオン注入装置10’を上方から見た概略的な平面図であり、側面図である図1に対応する図である。各構成要素には図1と同一の符号、または(’)を付した同一の符号を付しており、それらの説明は省略する。
【0037】
図5は図4の側方へ水平に曲げられたイオンビームLに対するプラテン13’およびX方向機械的駆動機構16’、Y方向機械的駆動機構17’の配置を示す概略図であり図3に対応する図である。すなわち、入射するイオンビームLに対して、マスク9’を伴いウェーハWを保持したプラテン13’を機械的にスキャンさせるために、XYテーブル18’を挿通して、Y方向機械的駆動機構17’はX方向機械的機構16’を紙面に平行に上下方向に移動させ、そのX方向機械的駆動機構16’は回転機構14’、ティルト機構15’を備えたプラテン13’を紙面に垂直な方向へ移動させることにより、ウェーハWが機械的にX、Y方向にスキャンされる。
【0038】
また本実施の形態においては、チップの寸法違いに応じて交換可能とされたマスク9を採用したが、図6に示すように、チップの寸法に応じた複数個の開口とビームをスキャンしない場合にビームスポット寸法を整形するために用いるチップ寸法よりも小さい複数個の開口を同一円周上に分配して形成させたロータリー・マスク9Rを採用してもよい。すなわち、図6のAはロータリー・マスク9Rの平面図であり、図6のBは図6のAにおける[B]−[B]線方向の断面図である。駆動ギヤ9Aに噛み合う従動ギヤ9B内の同一円周上に開口面積の異なる開口91 、92 、93 、94 、95 、96 、97 、98 がチップの寸法違いとビームスポット寸法の整形に応じて形成されており、駆動ギヤ9Aによって従動ギヤ9Bを回転軸Oの回りに回動させることにより、プラテン13上のウェーハWに形成させるチップの形状によって最も適切な開口を選んで使用することができる。
【0039】
また本実施の形態においては、マスク9をX、Yテーブル18に固定したがその場合には、プラテン13にティルト角度を与える場合に、マスク9にも同様なティルト角度を与える機構が付加される。
【0040】
また本実施の形態においては、ビーム密度分布モニター11を使用する場合にはマスク9をXYテーブル18から回動させたが、ビーム密度分布モニター11にマスク9と同等なマスクを設けてもよい。
【0041】
また本実施の形態においては、イオン注入中において非接触ビーム電流計8の計測値が変動する場合、所定のドーズ量を得るために、X方向機械的駆動機構16、Y方向機械的駆動機構17によるプラテン13の機械的スキャンの速度にフィードバックさせたが、オクタポール・スキャナー6によるイオンビームLの電磁気的スキャンの速度にフィードバックさせて、ドーズ量が一様に得られるようにしてもよい。
【0042】
また本実施の形態においては、電磁偏向型スキャナーとしてのオクタポール・スキャナー6を使用したが、前述したようにX、Y静電偏向型スキャナーを採用してもよい。
【0043】
また本実施の形態においては特に示さなかったが、イオン注入中にウェーハWに発生する正電荷のチャージアップを防止するために低エネルギーの電子をウェーハWに供給するエレクトロフラッドガンをマスク9の近傍に設置してもよく、また発生する二次電子のサプレッションのためにマスク9に直流の負電位を与えてもよい。
【0044】
また本実施の形態においては、イオン源が1個である場合を示したが、イオン種の異なるイオン源を2個とすることも可能である。例えば図1に示したイオン注入装置10のオクタポール・スキャナー6より後方のビームライン部10Bに側方からボロン(B)のイオン源を一体化させ、それに伴い必要なエネルギー減速電極、偏向器等を付加するようにしてもよい。
【0045】
【発明の効果】
本発明のイオン注入装置およびイオン注入方法は上記のような形態で実施され、以下に述べるような効果を奏する。
【0046】
微小角度スキャンされるイオンビームに対してウェーハを保持するプラテンを高速で二次元に機械的スキャンさせる方式を採用しているので、ウェーハが大口径であっても均一な注入条件でのイオン注入が可能である。その結果、イオン注入装置の小型化ができ、それに伴って電気的、電磁気的な機器の複雑化が回避され機器重量、使用電力の増大が抑制される。また、それに応じてイオン注入装置の設置面積を小さくすることができ、必要なクリーンルームの建設費を抑制し得る。
【0047】
更には、大口径のウェーハに作成される半導体の1チップを注入単位として注入エネルギー、ドーズ量、注入イオン種等の条件を任意に選択してイオン注入し得るので、大口径のウェーハ1枚に対して1条件でイオン注入する場合に比較して半導体デバイスの製造コストの大幅な削減を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態のイオン注入装置の全体の概略的な側面図である。
【図2】エンドステーション部の機器配置を示す拡大概略図である。
【図3】イオンビームに対するとプラテンの配置を示す概略図である。
【図4】イオンビームを側方へ曲げたイオン注入装置の平面図である。
【図5】図4の場合のイオンビームに対するとプラテンの配置を示す概略図である。
【図6】ロータリー・マスクを示し、Aは平面図であり、BはAにおける[B]−[B]線方向の断面図である。
【図7】従来例1のイオン注入装置の概略的な側面図である。
【図8】従来例2のイオン注入装置のスキャン機構を示す断面図であり、Aはマスクが二次元にスキャンされる機構、Bはプラテンがスキャンされる機構である。
【符号の説明】
1 イオン源
2 質量分離器
3 ビーム遮断器
4 加速管
5 集束レンズ
6 オクタポール・スキャナー
7 コンタミネーション粒子除去マグネット
8 非接触ビーム電流計
9 マスク
10 イオン注入装置
10A 高電圧ターミナル
10B ビームライン部
10E エンドステーション部
11 ビーム密度分布モニター
12 ファラデー・カップ
13 プラテン
14 回転機構
15 ティルト機構
16 X方向機械的駆動機構
17 Y方向機械的駆動機構
18 XYテーブル
19 ウェーハ位置検出器
Claims (5)
- イオン源と、前記イオン源から引き出されたイオンを質量分離する質量分離器と、前記イオンを加速させる加速管と、前記質量分離器と前記加速管との間に配置されイオンビームを遮断可能なビーム遮断器とを有する高電圧部と、
ウェーハを保持するプラテンと、前記ウェーハに注入される前記イオンが通過する開口を有するマスクと、前記マスクが固定されるステージと、前記プラテンを前記ウェーハの面内で回転させる回転機構と、前記プラテンを傾けるティルト機構と、前記ステージ上で前記プラテンを前記ステージの面内2方向に移動させる機械的駆動機構と、前記ウェーハの位置を検出するウェーハ位置検出器とを有するエンドステーション部と、
前記イオンビームを集束する集束レンズと、前記イオンビームを前記2方向へスキャンさせることが可能なスキャナーと、前記イオンビームの電流を計測する非接触ビーム電流計とを有し、前記高電圧部と前記エンドステーション部との間に設けられたビームライン部と、
前記回転機構、前記ティルト機構及び前記機械的駆動機構を制御するとともに、前記非接触ビーム電流計の計測値に基づいて、前記機械的駆動機構による前記プラテンの前記2方向へのスキャン速度または前記スキャナーによる前記イオンビームの前記2方向へのスキャン速度を調整することで、前記ウェーハに対しチップ領域を注入単位とする前記イオンのドーズ量を制御する制御部と
を具備するイオン注入装置。 - 請求項1に記載のイオン注入装置であって、
前記ビーム遮断器は、前記非接触ビーム電流計による計測値の積算値が所定の値に達したとき、前記イオンビームを遮断する
イオン注入装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のイオン注入装置であって、
前記エンドステーション部は、前記スキャナーによる前記イオンビームのスキャン振幅またはスキャン速度を調整するための、前記イオンビームの入射位置へ移動可能なビーム密度分布モニターをさらに有する
イオン注入装置。 - 請求項1から請求項3の何れか1項に記載のイオン注入装置であって、
前記エンドステーション部は、前記非接触ビーム電流計の計測値を校正するための、前記イオンビームの電流値を測定可能なファラデー・カップをさらに有する
イオン注入装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のイオン注入装置であって、
前記マスクは、前記チップのサイズ違いに対応する複数の開口が同一円周上に形成された円板を有するロータリー・マスクであり、前記チップのサイズに応じて前記複数の開口から対応するサイズの開口が選択される
イオン注入装置。
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