JP2017104952A - 研削装置 - Google Patents
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- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 18
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 18
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
Description
2 ・・・ 研削手段
21・・・ 砥石
22・・・ スピンドル
23・・・ スピンドル送り機構
23a・・・ボールネジ
23b・・・モータ
23c・・・スライダ
3 ・・・ ウェハチャック(保持手段)
4 ・・・ コラム
5 ・・・ ウェハ保持機構
51・・・ チャックベース
52・・・ チャック
53・・・ 吸着体
54・・・ 管路
6 ・・・ ウェハ回転機構
61・・・ モータ
61a・・・出力軸
61b・・・ベルト
62・・・ ロータリージョイント
62a・・・プーリ
63・・・ エアベアリング
63a・・・ロータ
63b・・・ステータ
63c・・・ボルト
7 ・・・ インデックステーブル
8 ・・・ 傾斜手段
81・・・ チルトテーブル
82・・・ 固定支持部
82a・・・ボルト
83・・・ 可動支持部
83a・・・ナット
83b・・・チルト用ボールネジ
83c・・・チルト用モータ
9 ・・・ 温度計測手段
9a ・・・接触式温度センサ
9b ・・・非接触式温度センサ
10・・・ ロードセル
11・・・ 制御装置(制御手段)
A1・・・ (研削手段の)回転軸
A2・・・ (ウェハチャックの)回転軸
V ・・・ 鉛直方向
W ・・・ ウェハ
Claims (3)
- ウェハを保持する保持手段と、前記ウェハを研削する研削手段と、鉛直方向に伸縮自在な昇降手段で前記保持手段を前記研削手段に対して傾斜可能な傾斜手段と、を備えた研削装置であって、
前記昇降手段の温度を計測する温度計測手段と、
研削加工前後の前記昇降手段の計測温度に応じて、前記昇降手段の熱変形量を演算し、該熱変形量をキャンセルするように前記昇降手段の伸縮量を補正する制御手段と、
を備えていることを特徴とする研削装置。 - 研削加工の際に前記昇降手段に作用する圧力を計測する圧力計測手段を備え、
前記制御手段は、前記昇降手段に作用する圧力に応じて、前記昇降手段の圧縮量を演算し、該圧縮量をキャンセルするように前記昇降手段の伸縮量を補正することを特徴とする請求項1記載の研削装置。 - 前記温度計測手段は、前記昇降手段の近傍に配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015241637A JP6632356B2 (ja) | 2015-12-10 | 2015-12-10 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015241637A JP6632356B2 (ja) | 2015-12-10 | 2015-12-10 | 研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017104952A true JP2017104952A (ja) | 2017-06-15 |
JP6632356B2 JP6632356B2 (ja) | 2020-01-22 |
Family
ID=59058520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015241637A Active JP6632356B2 (ja) | 2015-12-10 | 2015-12-10 | 研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6632356B2 (ja) |
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- 2015-12-10 JP JP2015241637A patent/JP6632356B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP6632356B2 (ja) | 2020-01-22 |
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