JP2017103660A - 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 - Google Patents
回路装置、発振器、電子機器及び移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017103660A JP2017103660A JP2015236403A JP2015236403A JP2017103660A JP 2017103660 A JP2017103660 A JP 2017103660A JP 2015236403 A JP2015236403 A JP 2015236403A JP 2015236403 A JP2015236403 A JP 2015236403A JP 2017103660 A JP2017103660 A JP 2017103660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- temperature detection
- result
- conversion
- determination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 239
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 236
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 149
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 192
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 123
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 116
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 23
- 101710129178 Outer plastidial membrane protein porin Proteins 0.000 abstract description 47
- 102100037820 Voltage-dependent anion-selective channel protein 1 Human genes 0.000 abstract description 47
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 35
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101150113941 trt1 gene Proteins 0.000 description 4
- 241000594011 Leuciscus leuciscus Species 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 101100538446 Aspergillus terreus (strain NIH 2624 / FGSC A1156) trt2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100029010 D-aminoacyl-tRNA deacylase 1 Human genes 0.000 description 1
- 102100029011 D-aminoacyl-tRNA deacylase 2 Human genes 0.000 description 1
- 101000838688 Homo sapiens D-aminoacyl-tRNA deacylase 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000838681 Homo sapiens D-aminoacyl-tRNA deacylase 2 Proteins 0.000 description 1
- LYPFDBRUNKHDGX-SOGSVHMOSA-N N1C2=CC=C1\C(=C1\C=CC(=N1)\C(=C1\C=C/C(/N1)=C(/C1=N/C(/CC1)=C2/C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1)\C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1 Chemical compound N1C2=CC=C1\C(=C1\C=CC(=N1)\C(=C1\C=C/C(/N1)=C(/C1=N/C(/CC1)=C2/C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1)\C1=CC(O)=CC=C1)C1=CC(O)=CC=C1 LYPFDBRUNKHDGX-SOGSVHMOSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229960002197 temoporfin Drugs 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/06—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
- H03M1/08—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise
- H03M1/089—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise of temperature variations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/026—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using a memory for digitally storing correction values
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/20—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
- H03B5/24—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/34—Analogue value compared with reference values
- H03M1/38—Analogue value compared with reference values sequentially only, e.g. successive approximation type
- H03M1/46—Analogue value compared with reference values sequentially only, e.g. successive approximation type with digital/analogue converter for supplying reference values to converter
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/66—Digital/analogue converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
【解決手段】 回路装置は、D/A変換器26と、温度センサー部10からの温度検出電圧VTDと、D/A変換器26からのD/A変換電圧VDACとの比較を行う比較部27と、比較部27の比較結果に基づく判定処理に基づいて、温度検出電圧VTDのA/D変換結果である温度検出データDTDを求める処理部23を含み、処理部23は、第1の出力タイミングの温度検出データに対する、次の第2の出力タイミングの温度検出データの変化がk×LSB以下となるように温度検出データを決定する。
【選択図】 図2
Description
1.1 通常動作モードの概要
まず本実施形態の手法について説明する。所与のアナログ信号をA/D変換してデジタルデータを取得する回路装置、特に、当該デジタルデータに基づいてデジタル信号処理部(例えばDSP,digital signal processor)において種々の処理を行う回路装置が知られている。一例としては、温度センサー部からの温度検出電圧のA/D変換結果である温度検出データに基づいて、デジタル処理により周波数の温度補償処理を行うDTCXOが知られている。
また必須の構成ではないが、本実施形態では上述した通常動作モードとは異なる方式のA/D変換を行ってもよい。上述したように、自然条件下での温度変化を考慮すれば、温度検出データDTDの変化がk×LSB以下に抑制される通常動作モードは合理的な方式と言える。しかしこれは、所与の出力タイミングで実際の温度(温度検出電圧VTD)に合致した適切な温度検出データDTDが求められていることが前提となる。例えば、回路装置の起動時等には、それ以前に温度検出データDTDが取得されていない。そのため、初期値として何らかの値、例えば15ビットであれば”100000000000000”といった中間的な値が設定され、当該初期値は実際の温度とは何ら関係ない値となる。
図4に本実施形態の回路装置の構成例を示す。この回路装置は、DTCXOやOCXO等のデジタル方式の発振器を実現する回路装置(半導体チップ)である。例えばこの回路装置と振動子XTALをパッケージに収納することで、デジタル方式の発振器が実現される。
次に、A/D変換部20の詳細について説明する。具体的には、A/D変換部20の構成例を説明した後、通常動作モード、ハイスピードモードのそれぞれの手法を説明する。
A/D変換部20の構成例は図2に示したとおりである。図2に示したようにA/D変換部20は、処理部23、レジスター部24、D/A変換器26(DACE、DACF)、比較部27を含む。また温度センサー部用アンプ28を含むことができる。処理部23、レジスター部24は、ロジック部22として設けられ、D/A変換器26、比較部27、温度センサー部用アンプ28は、アナログ部25として設けられる。
Vout1=Vth=(VTD+Vc) (1)
Vout2=−Gx×{(VDAC+Vc)−Vth}
=−Gx(VDAC−VTD) (2)
通常動作モードは、上述したようにA/D変換結果データの急激な変化に起因する不具合、例えば周波数ホッピングによる不具合等を抑止する手法である。まず図9を用いて、周波数ホッピングが原因で発生するGPS(Global Positioning System)の通信エラーについて説明する。
次に第1のA/D変換方式の具体例としてハイスピードモードについて説明する。ハイスピードモードは上述したように、MSB側とLSB側とで判定期間に差を設ける手法であるため、まず具体的な判定期間について説明する。
図13A、図13Bにハイスピードモードにおける判定期間の設定例を示す。図13Aの横軸は時間を表す。図13Aの上段はモードを表し、ここではハイスピードモードの中でも判定期間の長さが異なる3つのモード(モード1〜モード3)が設定されている。図13Aの下段は、15ビットのA/D変換結果データのうち、どのビットが判定対象となっているかを表すものである。D[x:y]との表記は、A/D変換結果データのうち、最下位ビット(LSB)から数えてyビット目からxビット目までのx−y+1ビットの幅を持つデータを表す。最下位ビットをD[0]としているため、例えばD[14:13]であれば最もMSB側の2ビットを表す。
図14Aは、ハイスピードモードにおける具体的な処理の流れを説明するフローチャートである。ハイスピードモードは、大きくD[14:13]を判定する部分(ステップS201〜S205)と、D[12:1]を判定する部分(ステップS206〜S213)とに分けられる。両者の差異は、MSB側への繰り上がり繰り下がりの有無である。以下詳細に説明する。
図4を用いて上述したように、本実施形態に係る回路装置は、D/A変換器26と、比較部27と、処理部23とを含むA/D変換部20と、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、発振周波数の周波数制御データを出力するデジタル信号処理部50と、デジタル信号処理部50からの周波数制御データと振動子XTALを用いて、周波数制御データにより設定される発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路140と、を含むものであってもよい。
周波数ホッピングを抑止するには、図16に示すように、第1の温度T1から第2の温度T2に温度が変化した場合に、第1の制御電圧VC1と第2の制御電圧VC2の差分電圧VDFの絶対値よりも小さい電圧幅で変化する出力電圧VQが、D/A変換部80から発振回路150に出力されるようにすればよい。
VA<(FD/FR)×VFS (3)
1/2i<(FD/FR) (4)
図19Aに温度センサー部10の第1の構成例を示す。図19Aの温度センサー部10は、電流源ISTと、電流源ISTからの電流がコレクターに供給されるバイポーラートランジスターTRTを有する。バイポーラートランジスターTRTは、そのコレクターとのベースが接続されるダイオード接続となっており、バイポーラートランジスターTRTのコレクターのノードに、温度特性を有する温度検出電圧VTDが出力される。温度検出電圧VTDの温度特性は、バイポーラートランジスターTRTのベース・エミッター間電圧の温度依存性によって生じる。図19Cに示すように温度検出電圧VTDは、負の温度特性(負の勾配を有する1次の温度特性)を有する。
次に本実施形態の種々の変形例について説明する。図21に本実施形態の変形例の回路装置の構成例を示す。図21の回路装置は、温度センサー部10からの温度検出電圧VTDのA/D変換を行い、温度検出データDTDを出力するA/D変換部20と、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、発振周波数の周波数制御データDDSを出力するデジタル信号処理部50と、発振信号生成回路140を含む。
図22Aに、本実施形態の回路装置500を含む発振器400の構成例を示す。図22Aに示すように、発振器400は、振動子420と回路装置500を含む。振動子420と回路装置500は、発振器400のパッケージ410内に実装される。そして振動子420の端子と、回路装置500(IC)の端子(パッド)は、パッケージ410の内部配線により電気的に接続される。
DTD…温度検出データ、FD…許容周波数ドリフト、FR…周波数可変範囲、
IS…電流源、S1〜S4…スイッチ素子、TDAC…期間、TP…所定期間、
Tr…トランジスター、VFS…フルスケール電圧、XTAL…振動子、
10…温度センサー部、20…A/D変換部、22…ロジック部、23…処理部、
24…レジスター部、25…アナログ部、26…D/A変換器、27…比較部、
28…温度センサー部用アンプ、50…デジタル信号処理部、80…D/A変換部、
140…発振信号生成回路、142…可変容量回路、150…発振回路、
160…バッファー回路、206…自動車、207…車体、208…制御装置、
209…車輪、400…発振器、410…パッケージ、420…振動子、
500…回路装置、510…通信部、520…処理部、530…操作部、
540…表示部、550…記憶部
Claims (12)
- D/A変換器と、
温度センサー部からの温度検出電圧と、前記D/A変換器からのD/A変換電圧との比較を行う比較部と、
前記比較部の比較結果に基づいて判定処理を行い、前記判定処理に基づいて、前記温度検出電圧のA/D変換結果である温度検出データを求める処理部と、
を含み、
A/D変換でのデータの最小分解能をLSBとした場合に、
前記処理部は、
第1の出力タイミングの前記温度検出データを第1の温度検出データとし、前記第1の出力タイミングの次の第2の出力タイミングの前記温度検出データを第2の温度検出データとした場合に、前記第1の温度検出データに対する前記第2の温度検出データの変化がk×LSB(kはk<jを満たす整数、jはA/D変換の分解能を表す整数)以下となるように、前記温度検出データを求めることを特徴とする回路装置。 - 請求項1に記載の回路装置において、
途中結果データ又は最終結果データである結果データを記憶するレジスター部を含み、
前記処理部は、
前記比較部の比較結果に基づいて前記判定処理を行い、前記判定処理に基づいて前記結果データの更新処理を行い、
前記D/A変換器は、
前記更新処理後の前記結果データのD/A変換を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項2に記載の回路装置において、
前記比較部は、
前回の前記結果データを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記温度検出電圧とを比較し、
前記処理部は、
前記比較結果に基づいて前記判定処理を行い、前記結果データをk×LSB以下の範囲で更新する前記更新処理を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項2に記載の回路装置において、
前記比較部は、
前回の出力タイミングでの前記温度検出データに対応する前回の前記最終結果データを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記温度検出電圧とを比較して第1の比較結果を出力し、
前記比較部は、
前回の前記最終結果データがk×LSB以下の範囲で更新されたデータを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記温度検出電圧とを比較して第2の比較結果を出力し、
前記処理部は、
前記第1の比較結果及び前記第2の比較結果に基づく前記判定処理を行い、前記判定処理に基づいて、前回の前記最終結果データをk×LSB以下の範囲で更新して、今回の前記最終結果データとして決定する前記更新処理を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項2に記載の回路装置において、
前記比較部は、
前回の出力タイミングでの前記温度検出データに対応する前回の前記最終結果データを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記温度検出電圧を比較する第1の比較結果を出力し、
前記比較部は、
前回の前記最終結果データに1LSBが加算された第2のデータを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記温度検出電圧を比較する第2の比較結果を出力し、
前記処理部は、
前記第1の比較結果に基づく前記判定処理の結果が、前記温度検出電圧が前記D/A変換電圧よりも大きいアップ判定であり、前記第2の比較結果に基づく前記判定処理の結果も前記アップ判定である場合は、今回の前記最終結果データを、前記第2のデータに決定し、
前記第1の比較結果に基づく前記判定処理の結果が、前記温度検出電圧が前記D/A変換電圧よりも小さいダウン判定であり、前記第2の比較結果に基づく前記判定処理の結果も前記ダウン判定である場合は、今回の前記最終結果データを、前回の前記最終結果データから1LSBを減算したデータに決定することを特徴とする回路装置。 - 請求項2に記載の回路装置において、
前記比較部は、
前回の出力タイミングでの前記温度検出データに対応する前回の前記最終結果データを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記温度検出電圧を比較する第1の比較結果を出力し、
前記比較部は、
前回の前記最終結果データから1LSBが減算された第2のデータを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記温度検出電圧を比較する第2の比較結果を出力し、
前記処理部は、
前記第1の比較結果に基づく前記判定処理の結果が、前記温度検出電圧が前記D/A変換電圧よりも大きいアップ判定であり、前記第2の比較結果に基づく前記判定処理の結果も前記アップ判定である場合は、今回の前記最終結果データを、前回の前記最終結果データに1LSBを加算したデータに決定し、
前記第1の比較結果に基づく前記判定処理の結果が、前記温度検出電圧が前記D/A変換電圧よりも小さいダウン判定であり、前記第2の比較結果に基づく前記判定処理の結果も前記ダウン判定である場合は、今回の前記最終結果データを、前記第2のデータに決定することを特徴とする回路装置。 - 請求項5又は6に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前記第1の比較結果に基づく前記判定処理の結果、及び前記第2の比較結果に基づく前記判定処理の結果の一方が前記アップ判定であり、且つ他方が前記ダウン判定である場合は、今回の前記最終結果データを、前回の前記最終結果データに決定することを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の回路装置において、
1回のA/D変換期間での前記温度検出電圧の電圧変化量が、k×LSBに対応する電圧以下となるように、前記A/D変換期間が設定されることを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記D/A変換器と、前記比較部と、前記処理部とを含むA/D変換部と、
前記温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、前記発振周波数の周波数制御データを出力するデジタル信号処理部と、
前記デジタル信号処理部からの前記周波数制御データと振動子を用いて、前記周波数制御データにより設定される前記発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路と、
を含むことを特徴とする回路装置。 - 請求項9に記載の回路装置と、
前記振動子と、
を含むことを特徴とする発振器。 - 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする移動体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236403A JP6750211B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
CN201610997562.7A CN107017885B (zh) | 2015-12-03 | 2016-11-10 | 电路装置、振荡器、电子设备和移动体 |
US15/366,291 US10601428B2 (en) | 2015-12-03 | 2016-12-01 | Circuit device, oscillator, electronic apparatus, and moving object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236403A JP6750211B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017103660A true JP2017103660A (ja) | 2017-06-08 |
JP2017103660A5 JP2017103660A5 (ja) | 2019-01-17 |
JP6750211B2 JP6750211B2 (ja) | 2020-09-02 |
Family
ID=58799360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015236403A Active JP6750211B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10601428B2 (ja) |
JP (1) | JP6750211B2 (ja) |
CN (1) | CN107017885B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210069924A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-14 | 주식회사 라온솔루션 | 배터리 수명관리기능을 포함하는 신재생 에너지 센서보드 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101655533B1 (ko) * | 2014-09-22 | 2016-09-07 | 현대자동차주식회사 | 스위칭 소자의 온도 센싱 장치 |
CN108896170B (zh) * | 2018-05-22 | 2021-08-06 | 淮北九略企业管理咨询有限公司 | 一种数字式照明亮度检测传感器 |
JP2021150806A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 半導体集積回路及び受信装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10126267A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | A/d変換器 |
JP2000278045A (ja) * | 1999-03-22 | 2000-10-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | デジタル温度補償発振器及びその周波数安定化方法 |
JP2013191976A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Renesas Electronics Corp | 集積回路 |
JP2013211611A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | A/d変換回路及び電子機器 |
JP2014135603A (ja) * | 2013-01-09 | 2014-07-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | アナログ−デジタル変換回路及びアナログ−デジタル変換方法 |
JP2014236398A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発振装置、電子機器、および移動体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6482809A (en) | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Kinseki Ltd | Digital temperature compensated crystal oscillator |
JPH0556356A (ja) | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Olympus Optical Co Ltd | 信号処理回路 |
JPH05113434A (ja) | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Yamatake Honeywell Co Ltd | ガスクロマトグラフ |
JP3293756B2 (ja) | 1997-02-27 | 2002-06-17 | キンセキ株式会社 | 電圧制御回路及びそれを用いた温度補償型圧電発振器 |
JP2002198737A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 温度補償型圧電発振器及びそれを用いた移動体通信機 |
JP3501760B2 (ja) | 2001-01-24 | 2004-03-02 | 富士通フロンテック株式会社 | A/d変換器、映像表示装置及びa/d変換方法 |
JP4999955B2 (ja) | 2010-04-12 | 2012-08-15 | 株式会社半導体理工学研究センター | アナログ−デジタル変換器の動作試験方法、アナログ−デジタル変換器およびアナログ−デジタル変換器の動作試験装置 |
JP5729544B2 (ja) | 2011-02-03 | 2015-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 温度検出回路 |
JP6083214B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-02-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、及び移動体 |
-
2015
- 2015-12-03 JP JP2015236403A patent/JP6750211B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-10 CN CN201610997562.7A patent/CN107017885B/zh active Active
- 2016-12-01 US US15/366,291 patent/US10601428B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10126267A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | A/d変換器 |
JP2000278045A (ja) * | 1999-03-22 | 2000-10-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | デジタル温度補償発振器及びその周波数安定化方法 |
JP2013191976A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Renesas Electronics Corp | 集積回路 |
JP2013211611A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Seiko Epson Corp | A/d変換回路及び電子機器 |
JP2014135603A (ja) * | 2013-01-09 | 2014-07-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | アナログ−デジタル変換回路及びアナログ−デジタル変換方法 |
JP2014236398A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発振装置、電子機器、および移動体 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210069924A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-14 | 주식회사 라온솔루션 | 배터리 수명관리기능을 포함하는 신재생 에너지 센서보드 |
KR102353853B1 (ko) * | 2019-12-04 | 2022-01-20 | 주식회사 라온솔루션 | 배터리 수명관리기능을 포함하는 신재생 에너지 센서보드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170163265A1 (en) | 2017-06-08 |
US10601428B2 (en) | 2020-03-24 |
JP6750211B2 (ja) | 2020-09-02 |
CN107017885B (zh) | 2022-02-08 |
CN107017885A (zh) | 2017-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6638340B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP6766427B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP6728652B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法 | |
JP6720687B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
CN107017885B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备和移动体 | |
CN107017839B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 | |
JP6772542B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP2017199948A (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP6834579B2 (ja) | 回路装置、発振器、電子機器、移動体及び回路装置の製造方法 | |
CN107017882B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备和移动体 | |
US10218375B2 (en) | Circuit device, oscillator, electronic apparatus, and vehicle | |
CN107017887B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备和移动体 | |
CN107017837B (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 | |
US10623003B2 (en) | Circuit device, oscillator, electronic apparatus, and vehicle | |
JP2017085536A (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181129 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6750211 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |