JP2017103282A - プリント配線板 - Google Patents

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layer
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稲垣　靖
Yasushi Inagaki
靖 稲垣
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

【課題】信頼性の高いプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板１０は第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有する最下の樹脂絶縁層５０と、最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓ側に埋まっていて、第１面Ｆを向いている電極９２を有する半導体素子９０と、最下の樹脂絶縁層５０内に形成されている導体ポスト３６と、最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層５８と、最下の樹脂絶縁層５０に形成され、第１導体層５８と導体ポスト３６を接続する第１ビア導体６０（６０ｆ）と、第１導体層５８と半導体素子９０の電極９２を接続する第２ビア導体６０（６０ｓ）とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子を内蔵するプリント配線板に関する。
特許文献１は、特許文献１の図１と図２に電子部品を樹脂層に内蔵する方法を開示している。特許文献１の図２（Ａ）によれば、２つの樹脂層を貫通し、導体層に至るスルーホールが形成されている。そして、特許文献１の図２（Ｂ）に示されるように、特許文献１はスルーホールの内部にめっき導体を形成している。
特開２０１０−８７０８５号公報
[特許文献１の課題]
特許文献１の図２（Ｂ）に示されるように、特許文献１は、スルーホールの内壁上のみにめっき導体を形成していて、スルーホールをめっき導体で充填していない。特許文献１のスルーホールの内壁上のみに形成されているめっき導体は特許文献１のスルーホール導体と称される。特許文献１のスルーホール導体は２つの樹脂層を貫通し、スルーホールの内壁上のみに形成されている。電子部品の熱膨張係数と特許文献１のスルーホール導体の熱膨張係数は大きく異なると考えられる。そのため、特許文献１の電子部品内蔵基板がヒートサイクルを受けると、特許文献１のスルーホール導体を介する接続信頼性が低くなると考えられる。
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する最下の樹脂絶縁層と、前記最下の樹脂絶縁層の第２面側に埋まっていて、前記第１面を向いている電極を有する半導体素子と、上面と前記上面と反対側の下面を有し、前記上面が前記第１面を向くように、前記最下の樹脂絶縁層内に形成されている導体ポストと、前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記最下の樹脂絶縁層に形成され、前記第１導体層と前記導体ポストの前記上面を接続する第１ビア導体と、前記最下の樹脂絶縁層に形成され、前記第１導体層と前記電極を接続する第２ビア導体と、を有する。
本発明の実施形態によれば、半導体素子を収容する最下の樹脂絶縁層の第１面側と第２面側が導体ポストと第１ビア導体を介して接続される。第１ビア導体の長さが短くなる。そのため、半導体素子を収容する最下の樹脂絶縁層の第１面側の導体と第２面側の導体との間の接続信頼性が高くなる。
図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図を示し、図１（Ｂ）は半田バンプを有するプリント配線板の断面図を示し、図１（Ｃ）は高さＨＰ、ＨＳと差ｄ２を示す。 第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第１実施形態の各改変例のプリント配線板の断面図。 図６（Ａ）は本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図６（Ｂ）は第２実施形態のプリント配線板の平面図であり、図６（Ｃ）は第２実施形態の第１改変例のプリント配線板の断面図であり、図６（Ｄ）は第１のシールド層を示す。 図７（Ａ）と図７（Ｂ）はシールド構造の第３例を示し、図７（Ｃ）はシールド構造の第４例を示す。 図８（Ａ）は導体ポストの下面と導体ポスト用パッドを示す平面図であり、図８（Ｂ）は導体ポスト用パッドと最下のパッドを示す平面図であり、図８（Ｃ）は第１実施形態の第２改変例の中間基板の断面図であり、図８（Ｄ）はシールド構造の第５例の断面図であり、図８（Ｅ）は開口部を有するシールド構造を示す。 第２実施形態のプリント配線板の製造工程図。
図１（Ａ）は、第１実施形態のプリント配線板１０の断面図を示す。
図１（Ａ）に示されるようにプリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有する最下の樹脂絶縁層５０と、最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓ側に埋まっていて、第１面Ｆを向いている電極９２を有する半導体素子９０と、最下の樹脂絶縁層５０内に形成されている導体ポスト３６と、最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層５８と、最下の樹脂絶縁層５０に形成され、第１導体層５８と導体ポスト３６を接続する第１ビア導体６０（６０ｆ）と、第１導体層５８と半導体素子９０の電極９２を接続する第２ビア導体６０（６０ｓ）とを有する。
図１（Ａ）に示されるように、プリント配線板１０は、さらに、第２面上に第２導体層３４を有しても良い。第２導体層３４は第１面Ｆと対向している第３面Ｔと第３面Ｔと反対側の第４面Ｂとを有する。導体ポスト３６の下面３６Ｂと第３面Ｔが接する。図１（Ａ）では、第２導体層３４は最下の樹脂絶縁層５０に埋まっていて、第４面Ｂが第２面Ｓから露出している。第２導体層３４は、半導体素子９０を搭載するための導体（搭載用導体）３４Ｄを有する。第２導体層３４の内、導体ポスト３６の下面３６Ｂの下に形成されている導体は、導体ポスト３６用のパッド（導体ポスト用パッド）３４Ｐである。導体ポスト用パッド３４Ｐの形状は円柱である。図８（Ａ）は、導体ポスト用パッド３４Ｐと導体ポスト用パッド３４Ｐに直接接続している導体ポスト３６の下面３６Ｂを示している。図８（Ａ）は平面図である。実線は導体ポスト用パッド３４Ｐの外周を示し、点線は導体ポスト３６の下面３６Ｂの外周を示す。導体ポスト用パッドの外周は導体ポスト３６の下面３６Ｂの外周より外に位置している。導体ポスト用パッド３４Ｐの全外周は導体ポスト３６から露出する。第４面Ｂは粗面を有することが好ましい。
図１（Ａ）に示されるように、プリント配線板１０は、さらに、最下の樹脂絶縁層５０と第１導体層５８上に形成されている最上の樹脂絶縁層１５０と最上の樹脂絶縁層１５０上に形成されている最上の導体層１５８と最上の樹脂絶縁層１５０を貫通し、第１導体層５８と最上の導体層１５８を接続する最上のビア導体１６０を有してもよい。プリント配線板１０は、さらに、最上の樹脂絶縁層１５０と最上の導体層１５８上にソルダーレジスト層７０を有しても良い。ソルダーレジスト層７０は最上の導体層１５８を露出するための開口７２を有する。開口７２により露出される最上の導体層１５８はパッド７４として機能する。
半導体素子等の電子部品９０は搭載用導体回路３４Ｄ上に導電性ペースト８０を介して搭載される。半導体素子９０は厚み９０Ｔを有する。厚み９０Ｔは半導体素子の裏面９０Ｂと電極９２の上面との間の距離である。厚み９０Ｔは５０μｍ以上、１５０μｍ以下である。半導体素子９０は高さＨＳを有する。高さＨＳの基準は第２面Ｓである。高さＨＳは第２面から電極９２の上面までの距離である。高さＨＳは５０μｍ以上、１５０μｍ以下である。導電性ペースト８０の例は、半田ペーストや銀ペーストである。導電性ペースト８０に高い熱伝導率を有する金属ペーストが用いられる。半導体素子からの熱が金属ペーストを介し外部に放出される。第２導体層３４の第４面Ｂが粗面を有すると、第４面Ｂの表面積が大きくなる。半導体素子から第２導体層３４に熱が伝わり、第２導体層３４の粗面を介し熱が効率的に外部に放出される。第２導体層３４の第４面Ｂ上に放熱用のフィンを取り付けることができる。半導体素子の誤動作が防止される。
導体ポスト３６は、第２面Ｓから第１面Ｆに向かって延びていて、第１面Ｆを向いている上面３６Ｔと上面と反対側の下面３６Ｂを有する。下面３６Ｂは第２面Ｓを向いている。導体ポスト３６は長さｂを有する。長さｂは上面３６Ｔと下面３６Ｂとの間の距離である。長さｂは５０μｍ以上、２００μｍ以下である。下面３６Ｂと第２面Ｓとの間に距離Ｋ３が存在している。上面３６Ｔと第１面Ｆとの間に距離Ｋ１が存在している。距離Ｋ１は距離Ｋ３より大きい。距離Ｋ１は０より大きい。距離Ｋ３は０以上である。半導体素子９０の電極９２の上面と第１面Ｆとの間に距離Ｋ２が存在している。導体ポスト３６の形状の例は円柱である。導体ポスト３６の直径ａは５０μｍ以上、２００μｍ以下である。導体ポスト３６は高さＨＰを有する。高さＨＰの基準は第２面Ｓである。高さＨＰは第２面Ｓから上面３６Ｔまでの距離である。高さＨＰは５０μｍ以上、１５０μｍ以下である。導体ポスト３６は半導体素子９０を囲んでいる。プリント配線板１０は少なくとも２列の導体ポスト３６を有することが好ましい。そして、半導体素子９０に最も近い列に属する導体ポスト３６中のグランド用の導体ポストの数は、半導体素子９０から最も遠い列に属する導体ポスト３６中のグランド用の導体ポストの数より多いことが好ましい。グランド用の導体ポストはグランドと電気的に繋がっている。半導体素子９０に最も近い列に属する全ての導体ポスト３６がグランド用の導体ポストであってもよい。半導体素子９０がシールドされる。
最下の樹脂絶縁層５０は最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆから導体ポスト３６の上面３６Ｔに至る第１ビア導体６０（６０ｆ）用の開口５１ｆを有する。開口５１ｆは深さｆ１を有する。深さｆ１は距離Ｋ１と等しい。深さｆ１は５μｍ以上、５０μｍ以下である。
最下の樹脂絶縁層５０は最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆから半導体素子の電極の上面に至る第２ビア導体６０（６０ｓ）用の開口５１ｓを有する。開口５１ｓは深さｆ２を有する。深さｆ２は距離Ｋ２と等しい。深さｆ２は５μｍ以上、５０μｍ以下である。
第１ビア導体６０（６０ｆ）は、図３（Ｄ）に示されるように、開口５１ｆ内に形成されている。従って、第１ビア導体６０ｆは長さｆ１を有する。長さｆ１と深さｆ１は等しい。第１ビア導体６０ｆは導体ポスト３６の上面３６Ｔに繋がっている。
第２ビア導体６０ｓは、図３（Ｄ）に示されるように、開口５１ｓ内に形成されている。従って、第２ビア導体６０ｓは長さｆ２を有する。長さｆ２と深さｆ２は等しい。第２ビア導体６０ｓは半導体素子９０の電極の上面に繋がっている。
導体ポスト３６の高さＨＰと半導体素子９０の高さＨＳは等しいことが好ましい。第１ビア導体６０ｆの長さｆ１と第２ビア導体６０ｓの長さｆ２が等しくなる。そのため、プリント配線板１０がヒートサイクルを受けても、第１ビア導体６０ｆと第２ビア導体６０ｓの一方にストレスが集中しがたい。第１ビア導体６０ｆや第２ビア導体６０ｓを介する接続信頼性が低下しがたい。また、同様な条件で開口５１ｆと開口５１ｓを形成することができる。工程が簡単になる。
プリント配線板１０の中央領域に形成されている半導体素子９０の強度はプリント配線板１０の外周領域に形成されている導体ポスト３６の強度より高い。そのため、プリント配線板の外周領域の強度がプリント配線板の中央領域の強度より小さくなりやすい。強度の差が大きいと、半導体素子９０と導体ポスト３６との間の最下の樹脂絶縁層５０にクラックが発生しやすい。クラックを防止するため、強度の差は小さいことが望ましい。例えば、導体ポスト３６の体積を大きくすることで強度の差を小さくすることができる。導体ポスト３６の長さｂや導体ポストの直径ａが大きいと、強度の差は小さくなると考えられる。長さｂと直径ａの内、直径ａが大きくなるとプリント配線板１０のサイズが大きくなる。プリント配線板１０のサイズが大きいと、プリント配線板１０の反りやうねりが大きくなりやすい。そのため、直径ａを大きくすることで、クラックを防止することは難しいと考えられる。それに対し、長さｂが大きくなっても、プリント配線板１０のサイズは大きく変わらない。従って、長さｂを調整することで、クラックを防止することが好ましい。長さｂを厚み９０Ｔより大きくすることで、クラックが発生しがたくなる。
半導体素子９０は最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓ側に埋まっている。そのため、最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓ側の強度は最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ側の強度より高いと考えられる。最下の樹脂絶縁層５０内の半導体素子９０の位置はクラックの一因と考えられる。導体ポスト３６の径は第１ビア導体６０ｆの径より大きい。そのため、高さＨＰを高くすることで、最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ側の強度は高くなると考えられる。従って、高さＨＰを高くすることで、半導体素子９０の位置に関わるクラックの発生は抑えられると推察される。そのため、高さＨＰと高さＨＳが異なる場合、高さＨＰが高さＨＳより高いことが好ましい。第１ビア導体６０ｆの長さｆ１が第２ビア導体６０ｓの長さｆ２がより短いことが好ましい。実施形態では、第１面側Ｆと第２面側Ｓは導体ポスト３６と第１ビア導体６０ｆで接続されている。そのため、導体ポスト３６の高さを容易に調整することができる。高さＨＰが高さＨＳより高い場合、高さＨＰと高さＨＳとの差ｄ１は２０μｍ以下である。差ｄ１が２０μｍを越えると、第１ビア導体６０ｆの長さと第２ビア導体６０ｓの長さの差が大きすぎる。第１ビア導体６０ｆ、もしくは、第２ビア導体６０ｓにストレスが集中しやすい。ビア導体６０ｆ、６０ｓを介する接続信頼性が低下しやすい。
距離Ｋ１と距離Ｋ２との比（Ｋ１／Ｋ２）は０．６以上、０．９以下であることが望ましい。比（Ｋ１／Ｋ２）が０．６未満であると、第１ビア導体６０ｆの長さと第２ビア導体６０ｓの長さの差が大きすぎる。接続信頼性が低下する。比（Ｋ１／Ｋ２）が０．９を超えると、導体ポスト３６の体積を大きくすることで生まれる効果が小さくなる。
高さＨＳが高さＨＰより高い場合、高さＨＰと高さＨＳとの差ｄ２（図１（Ｃ））は、１０μｍ以下である。差ｄ２が１０μｍを越えると、強度の差が大きすぎる。ビア導体６０ｆ、６０ｓを介する接続信頼性が低下する。
第１実施形態のプリント配線板１０は最下の樹脂絶縁層５０に半導体素子９０を収容している。そのため、最下の樹脂絶縁層５０の厚みは厚くなりやすい。もし、最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ側の導体と第２面Ｓ側の導体がビア導体のみで接続されると、ビア導体の長さが長くなる。ビア導体用の開口が深いので、ビア導体を形成するための技術が難しくなる。ビア導体に大きなボイドが入りやすい。ビア導体を形成する膜の厚みが薄くなる。その結果、ビア導体を介する接続信頼性が低くなる。それに対し、実施形態では、最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ側の導体と第２面Ｓ側の導体が導体ポスト３６と第１ビア導体６０ｆを介して接続される。第１面Ｆ側の導体の例は第１導体層である。第２面Ｓ側の導体の例は導体ポスト３６の下面３６Ｂや第２導体層３４である。導体ポスト３６が存在するので、第１ビア導体６０ｆ用の開口５１ｆの深さが小さくなる。開口５１ｆをめっきで充填することが容易になる。第１ビア導体６０ｆがボイドを含まない。あるいは、第１ビア導体６０ｆが接続信頼性に関わるボイドを含まない。更に、第２導体層３４が最下の樹脂絶縁層５０に埋まっている。そして、第２導体層３４上に導体ポスト３６が形成されている。そのため、導体ポスト３６の高さＨＰを容易に高くすることが出来る。従って、プリント配線板１０が最下の樹脂絶縁層５０に埋まっている第２導体層３４を有すると、プリント配線板１０の接続信頼性が高くなりやすい。
図５（Ａ）に第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面が示される。
第１実施形態の第１改変例では、導体ポスト３６の下面３６Ｂ下に第２導体層３４が形成されていない。導体ポスト３６の下面３６Ｂが、最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓから露出している。図５（Ａ）に示されるように、導体ポスト３６の下面３６Ｂは最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓから凹んでもよい。
図５（Ａ）では、第２導体層３４は搭載用導体回路３４Ｄだけで形成されている。第１実施形態の第１改変例では、導体ポスト３６の下面３６Ｂが外部に露出する。そのため、第１実施形態の第１改変例のプリント配線板１０がマザーボードや電子部品に接続される時、データは第２導体層を通ることなく導体ポスト３６に伝送される。データが劣化しがたい。また、導体ポスト３６の下面３６Ｂはマザーボードや電子部品と接続するための端子として働く。導体ポスト３６の下面３６Ｂの下に第２導体層３４が形成されていないので、隣接する導体ポスト３６間の距離が短くなる。プリント配線板のサイズが小さくなる。高密度なプリント配線板を提供することができる。プリント配線板の反りが小さくなる。プリント配線板１０に高機能な電子部品やマザーボードを搭載することができる。図５（Ａ）のプリント配線板１０から搭載用導体回路３４Ｄを除去することができる。その場合、プリント配線板１０は第２導体層３４を有していない。導体ポスト３６の下面３６Ｂと導電性ペースト８０が露出する。導体ポスト３６の下面３６Ｂと導電性ペースト８０は最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓから凹んでもよい。
図５（Ｂ）に第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面が示される。図１（Ａ）では、第２導体層３４は最下の樹脂絶縁層５０に埋まっている。それに対し、図５（Ｂ）では、第２導体層３４は最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓから突出している。それ以外、図１（Ａ）のプリント配線板１０と図５（Ｂ）のプリント配線板１０は同様である。
図５（Ｃ）に第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板の断面が示される。図５（Ｃ）では、図１（Ａ）のプリント配線板１０に最下の導体層３５が追加されている。最下の導体層３５は第２導体層３４の第４面Ｂと最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓ上に形成されている。最下の導体層３５は導体ポスト用パッド３４Ｐに接続する最下のパッド３５Ｐを有し、導体ポスト用パッド３４Ｐと最下のパッド３５Ｐは直接接続する。最下のパッド３５Ｐの形状は円柱である。図８（Ｂ）は導体ポスト用パッド３４Ｐと最下のパッド３５Ｐの平面図である。図８（Ｂ）は導体ポスト用パッド３４Ｐのサイズと最下のパッド３５Ｐのサイズを示す。最下のパッド３５Ｐの外周が実線で示され、導体ポスト用パッド３４Ｐの外周が点線で示されている。最下のパッド３５Ｐは導体ポスト用パッド３４Ｐより大きい。最下の導体層３５は最下のパッド３５Ｐのみで形成されていることが好ましい。最下の導体層３５が搭載用導体回路３４Ｄの下に導体回路を有しないと、中央領域の強度と外周領域の強度の差が小さくなる。また、半導体素子９０と導体ポスト用パッド３４Ｐとの間の間隔を小さくすることが出来る。プリント配線板１０のサイズが小さくなる。最下の導体層３５が搭載用導体回路３４Ｄの下に導体回路を有すると、半導体素子からの熱が効率的に放出される。
[第２実施形態]
図６（Ａ）は本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図６（Ｂ）は第２実施形態のプリント配線板の平面図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示されている位置Ｙ１を通り、第１面Ｆに平行な平面で図６（Ａ）のプリント配線板１０を切断することで得られる。図６（Ａ）は、図６（Ｂ）の点Ｘ１と点Ｘ１の間のプリント配線板１０の断面図である。
第２実施形態のプリント配線板は、図１（Ａ）のプリント配線板１０にシールド構造（第１例のシールド構造）３７が加えられている。図６（Ｂ）に示されるように、シールド構造３７は半導体素子９０と導体ポスト３６との間に形成されている。そして、シールド構造３７は半導体素子を完全に囲んでいる。半導体素子９０は４つの壁Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４で形成されるシールド構造３７で囲まれている。図６（Ａ）や図６（Ｂ）に示されるように、図６（Ａ）のシールド構造３７は壁３７で形成されている。シールド構造の高さと導体ポストの高さは略等しいことが好ましい。シールド構造３７は導体で形成されていて、グランドに繋がっていることが好ましい。シールド構造により半導体素子９０がシールドされる。そのため、導体ポスト３６を伝送するデータが半導体素子９０からの電磁波により劣化し難い。
図６（Ｃ）に第２実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面が示される。
第２実施形態の第１改変例では、搭載用導体（搭載用導体回路）３４Ｄのサイズは半導体素子９０のサイズより大きい。また、シールド構造（第２例のシールド構造）３７は搭載用導体回路３４Ｄに電気的に繋がっていて、最下の樹脂絶縁層５０を貫通している。搭載用導体回路３４Ｄ上にシールド構造３７が形成されている。シールド構造３７は搭載用導体回路３４Ｄの外周領域に形成されている。シールド構造３７と搭載用導体回路３４Ｄが繋がっているので、搭載用導体回路３４Ｄはシールド層（第２のシールド層）３４Ｅとして機能する。第１導体層５８はシールド構造３７に電気的に繋がっている第１のシールド層５８Ｅを有する。半導体素子９０が第１のシールド層５８Ｅで覆われるように、第１のシールド層５８Ｅは最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ上に形成されている。また、第１のシールド層５８Ｅは第２のシールド層３４Ｅと対向している。半導体素子９０は第１のシールド層５８Ｅと第２のシールド層３４Ｅで挟まれる。そして、半導体素子９０はシールド構造３７で囲まれる。半導体素子９０はシールド構造３７とシールド層５８Ｅ、３４Ｅで立体的にシールドされている。そのため、導体ポスト３６を伝送するデータが半導体素子９０からの電磁波により劣化し難い。第１のシールド層５８Ｅと第２のシールド層３４Ｅとシールド構造３７は電気的にグランドに繋がっている。図６（Ｄ）に第１のシールド層５８Ｅの例が示されている。シールド層５８Ｅは開口３７０を有し、開口３７０内に第２ビア導体６０ｓのランド６０ｓＬが形成されている。
図６（Ｂ）のシールド構造３７では、シールド構造は連続している。それに対し、図７（Ａ）と図７（Ｂ）に示されるシールド構造３７の第３例では、シールド構造３７は複数のシールド用の導体ポスト３９で形成されている。図７（Ｂ）の平面図は図６（Ｂ）と同様に図７（Ａ）のプリント配線板
を位置Ｙ１を通る平面で切断することで得られる。
第３例のシールド用の導体ポスト３９は最下の樹脂絶縁層５０を貫通しない。シールド用の導体ポスト３９の径は導体ポスト３６の径より小さい。プリント配線板１０がシールド構造３７を有しても、プリント配線板のサイズが大きくなり難い。シールド構造３７の形状を除き、図６（Ａ）のプリント配線板と図７（Ａ）のプリント配線板は同様である。シールド用の導体ポスト３９の高さと導体ポスト３６の高さは略等しい。
図６（Ｃ）のシールド構造３７では、シールド構造は連続している。それに対し、図７（Ｃ）に示されるシールド構造３７の第４例では、シールド構造３７は複数のシールド用の導体ポスト３９で形成されている。第４例のシールド用の導体ポスト３９は最下の樹脂絶縁層５０を貫通している。シールド用の導体ポスト３９の径は導体ポスト３６の径より小さい。プリント配線板１０がシールド構造３７を有しても、プリント配線板のサイズが大きくなり難い。シールド構造の形状を除き、図６（Ｃ）のプリント配線板と図７（Ｃ）のプリント配線板は同様である。従って、図７（Ｃ）のプリント配線板は第４例のシールド構造３７に繋がる第１のシールド層５８Ｅと第２のシールド層３４Ｅを有する。
シールド構造３７の第５例が図８（Ｄ）に示されている。第５例では、シールド構造３７が第１のシールド構造３７１と第１のシールド構造３７１上の第２のシールド構造３７２で形成されている。第１のシールド構造３７１と導体ポスト３６は同時に形成される。工程が簡単である。第１のシールド構造３７１の高さと導体ポスト３６の高さは略等しい。第２のシールド構造３７２と第１ビア導体６０ｆは同時に形成される。工程が簡単である。第２のシールド構造３７２の長さと第１ビア導体６０ｆの長さは略等しい。第１のシールド構造３７１は壁で形成される。もしくは、第１のシールド構造３７１はシールド用の導体ポスト３９で形成される。第２のシールド構造３７２は壁で形成される。あるいは、第２のシールド構造３７２は各シールド用の導体ポスト上に形成されるビア導体で形成される。
第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板や第１実施形態の各改変例のプリント配線板を採用することができる。第２実施形態の各改変例のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板や第１実施形態の各改変例のプリント配線板を採用することができる。シールド構造３７は導体ポスト３６と半導体素子９０との間に形成されている最下の樹脂絶縁層５０の強度を高くする。導体ポスト３６と半導体素子９０との間に形成されている最下の樹脂絶縁層５０にクラックが発生しがたい。壁からなるシールド構造３７は図８（Ｅ）に示されるように開口部３７３を有しても良い。シールド構造３７と半導体素子９０との間に形成されている最下の樹脂絶縁層５０とシールド構造３７の外に形成されている最下の樹脂絶縁層５０がシールド構造３７の開口部３７３内で繋がる。プリント配線板がシールド構造３７を有しても、最下の樹脂絶縁層５０にクラック等の不具合が発生しがたい。
[プリント配線板の製造方法]
図２〜図４は第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す。
支持板３０が準備される。支持板３０の例は両面銅張積層板である。支持板３０に銅箔２８が積層される（図２（Ａ））。銅箔２８上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する銅箔２８上に電解銅めっきにより電解銅めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。電解銅めっき膜から成る第２導体層３４が形成される（図２（Ｂ））。第２導体層３４は、搭載用導体回路３４Ｄと導体ポスト用パッド３４Ｐを含む。銅箔２８と第２導体層３４上に開口２４Ａを有するめっきレジスト２４が形成される（図２（Ｃ））。開口２４Ａは導体ポスト用パッド３４Ｐを部分的に露出する。開口２４Ａ内がめっき２２で充填される。導体ポスト用パッド３４Ｐ上に導体ポスト３６が形成される（図２（Ｄ））。
めっきレジスト２４が除去される。導体ポスト３６が露出される（図３（Ａ））。搭載用導体回路３４Ｄ上に導電性ペースト８０を介して半導体素子９０が搭載される（図３（Ｂ））。半導体素子９０は、電極９２が上を向くように導電性ペースト８０上に搭載される。銅箔２８と第２導体層３４と半導体素子９０上に最下の樹脂絶縁層５０が形成される。最下の樹脂絶縁層５０は、第２面Ｓと、第２面と反対側の第１面Ｆとを有する。第２面Ｓは銅箔２８と対向している。第２導体層３４と半導体素子９０は最下の樹脂絶縁層５０の第２面Ｓ側に埋められる。レーザで最下の樹脂絶縁層５０に導体ポスト３６に至る第１ビア導体用の開口５１ｆと半導体素子９０の電極９２に至る第２ビア導体用の開口５１ｓが形成される（図３（Ｃ））。無電解めっき膜が、最下の樹脂絶縁層５０の第１面上とビア導体用の開口５１ｆ、５１ｓ内に形成される。その後、無電解めっき膜上にめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜が形成される。ビア導体用の開口５１ｆ、５１ｓ内に電解めっきが充填され第１ビア導体６０ｆと第２ビア導体６０ｓが形成される。めっきレジストが除去される。電解めっき膜から露出する無電解めっき膜が除去され、第１導体層５８が形成される（図３（Ｄ））。半導体素子９０を収容するため、最下の樹脂絶縁層５０の厚みは厚くなりやすい。しかしながら、実施形態は導体ポスト３６を有する。そのため、第１ビア導体用の開口５１ｆの深さが浅くなる。第１ビア導体用の開口５１ｆをめっきで充填することが容易になる。第２ビア導体用の開口５１ｓは半導体素子９０の電極９２に至る。第２ビア導体用の開口５１ｓをめっきで充填することが容易になる。ビア導体６０ｆ、６０ｓを介する接続信頼性が高くなる。
最下の樹脂絶縁層５０及び第１導体層５８上に最上の樹脂絶縁層１５０が形成される。最上の樹脂絶縁層１５０にレーザにより第１導体層５８に至るビア導体用の開口１５１が形成される（図４（Ａ））。図３（Ｄ）と同様な工程で最上の導体層１５８と最上のビア導体１６０が形成される（図４（Ｂ））。最上の樹脂絶縁層１５０上にパッド７４を露出する開口７２を有するソルダーレジスト層７０が形成される（図４（Ｃ））。図４（Ｃ）に示される中間基板１１０が支持板３０上に形成される。図４（Ｃ）の中間基板１１０は図１（Ａ）のプリント配線板１０と銅箔２８で形成されている。
中間基板１１０が支持板３０から分離される（図４（Ｄ））。中間基板１１０から銅箔２８が除去される。図１（Ａ）に示されるプリント配線板１０が完成する。パッド７４と導体ポスト用バッド３４Ｐ上に半田バンプ７６Ｆ、７６Ｓが形成されると、図１（Ｂ）に示される半田バンプを有するプリント配線板が完成する。
図１（Ａ）に示されるプリント配線板のソルダーレジスト層７０とパッド７４上に保護膜が貼りつけられる。第２導体層３４の内、搭載用導体回路３４Ｄ上に保護膜が貼りつけられる。その後、導体ポスト用パッド３４Ｐが除去される。保護膜が除去される。図５（Ａ）に示される、プリント配線板１０が完成する。第２面Ｓ上に保護膜を形成することなく、第２導体層３４が除去されると、図５（Ａ）に示されるプリント配線板１０から搭載用導体回路３４Ｄが除去される。
[第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の製造方法]
図２（Ａ）に示される支持板３０と銅箔２８が準備される。銅箔２８上に導体ポスト３６を形成するためのめっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する銅箔２８上に導体ポスト３６が形成される。めっきレジストが除去される。銅箔２８の中央領域に導電性ペースト８０が形成される。導電性ペースト上に半導体素子９０が搭載される。その後、半導体素子９０と導体ポスト３６が埋められるように、銅箔２８上に最下の樹脂絶縁層５０が形成される。それから、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）、図４（Ａ）、図４（Ｂ）と図４（Ｃ）に示される工程が行われる。図８（Ｃ）に示される中間基板１１０が形成される。図８（Ｃ）の中間基板１１０は、第２導体層以外の第２改変例のプリント配線板と銅箔２８で形成される。中間基板１１０が支持板３０から分離される。中間基板１１０の銅箔２８から第２導体層３４が形成される。図５（Ｂ）に示されるプリント配線板１０が完成する。
[第１実施形態の第３改変例に係るプリント配線板のプリント配線板の製造方法]
図４（Ｄ）に示される中間基板１１０が準備される。銅箔２８から最下の導体層３５が形成される。図５（Ｃ）に示されるプリント配線板１０が完成する。図５（Ｃ）のプリント配線板１０は搭載用導体回路３４Ｄの下に最下の導体層３５を有していない。しかしながら、銅箔２８から搭載用導体回路３４Ｄの下に最下の導体層３５を形成することができる。
[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
図２（Ｂ）に示されるように、銅箔２８上に搭載用導体回路３４Ｄと導体ポスト用パッド３４Ｐが形成される。その後、銅箔２８と搭載用導体回路３４Ｄと導体ポスト用パッド３４Ｐ上にめっきレジストが形成される（図９（Ａ））。図２（Ｃ）のめっきレジストはシールド構造３７を形成するための開口を有していない。それに対し、図９（Ａ）のめっきレジストはシールド構造３７を形成するための開口２４Ｓを有する。開口２４Ｓは搭載用導体回路３４Ｄと導体ポスト用パッド３４Ｐとの間の銅箔２８を露出している。そして、図２（Ｄ）と同様にめっきレジストの開口２４Ａ、２４Ｓに導体ポスト３６とシールド構造３７が同時に形成される。その後、図３（Ａ）以降の工程が行われる。図６（Ａ）に示さるプリント配線板が形成される。開口２４Ｓの形状を変えることで、図６（Ｂ）や図７（Ｂ）のシールド構造３７が得られる。
図６（Ａ）や図７（Ａ）では、図３（Ｃ）でシールド構造３７に至る開口が形成されない。それに対し、図８（Ｄ）では、図３（Ｃ）で第１のシールド構造３７１に至る開口が形成される。そして、図３（Ｄ）でシールド構造３７に至る開口に第２のシールド構造３７２が形成される。
図３（Ａ）に示される途中基板が準備される。途中基板は第１のシールド層を有する。その後、導体ポストが埋められるように、めっきレジストが形成される。めっきレジストにシールド構造３７を形成するための開口２４Ｓが形成される（図９（Ｃ））。図９（Ｃ）の開口２４Ｓは第１のシールド層を形成する搭載用導体回路３４Ｄに至っている。図９（Ｃ）の開口２４Ｓ内にシールド構造３７が形成される。シールド構造３７の高さは導体ポスト３６の高さより高い。図９（Ｃ）のめっきレジストが除去される。それから、搭載用導体回路３４Ｄ上に導電性ペーストを介し半導体素子９０が搭載される。シールド構造３７と導体ポスト３６と半導体素子９０が埋められるように、銅箔２８上に最下の樹脂絶縁層５０が形成される。最下の樹脂絶縁層５０を研磨することで、シールド構造３７だけが露出される。その後、図３（Ｃ）に示されるように、開口５１ｆ、５１ｓが形成される。図３（Ｄ）に示されるようにビア導体６０ｆ、６０ｓが形成される。その時、第１導体層５８が形成される。第１導体層はシールド構造３７に繋がる第２のシールド層５８Ｅを有する。それから、図４以降の工程が行われる。図６（Ｃ）や図７（Ｃ）に示されるプリント配線板が完成する。
１０ プリント配線板
３４ 第２導体層
３６ 導体ポスト
５０ 最下の樹脂絶縁層
５８ 第１導体層
６０ｆ 第１ビア導体
６０ｓ 第２ビア導体
７０ ソルダーレジスト層
１５０ 最上の樹脂絶縁層

Claims (17)

  1. 第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する最下の樹脂絶縁層と、
    前記最下の樹脂絶縁層の第２面側に埋まっていて、前記第１面を向いている電極を有する半導体素子と、
    上面と前記上面と反対側の下面を有し、前記上面が前記第１面を向くように、前記最下の樹脂絶縁層内に形成されている導体ポストと、
    前記第１面上に形成されている第１導体層と、
    前記最下の樹脂絶縁層に形成され、前記第１導体層と前記導体ポストの前記上面を接続する第１ビア導体と、
    前記最下の樹脂絶縁層に形成され、前記第１導体層と前記電極を接続する第２ビア導体と、を有するプリント配線板。
  2. 請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第２面上に形成されていて、前記下面に接続している第２導体層を有する。
  3. 請求項２のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記第１面と対向している第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し、前記下面と前記第３面が接し、前記第２導体層は前記最下の樹脂絶縁層に埋まっていて、前記第４面が前記第２面から露出している。
  4. 請求項２のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記第１面と対向している第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し、前記下面と前記第３面が接し、前記第２導体層は前記最下の樹脂絶縁層の前記第２面から突出している。
  5. 請求項３のプリント配線板であって、さらに、前記第２導体層の前記第４面と前記最下の樹脂絶縁層の第２面上に形成されている最下の導体層を有し、前記最下の導体層は前記最下の樹脂絶縁層の前記第２面から突出している。
  6. 請求項２のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記導体ポストに接続する導体ポスト用パッドを有し、前記導体ポストの前記下面と前記導体ポスト用パッドの前記第３面は直接接続し、前記導体ポスト用パッドの全外周は前記導体ポストから露出する。
  7. 請求項５のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記導体ポストに接続する導体ポスト用パッドを有し、前記導体ポストの前記下面と前記導体ポスト用パッドの前記第３面は直接接続し、前記導体ポスト用パッドの全外周は前記導体ポストから露出し、前記最下の導体層は前記導体ポスト用パッドに接続する最下のパッドを有し、前記導体ポスト用パッドと前記最下のパッドは直接接続し、前記導最下のパッドの全外周は前記導体ポスト用パッドから露出する。
  8. 請求項１のプリント配線板であって、前記導体ポストの形状は円柱である。
  9. 請求項１のプリント配線板であって、前記上面と前記第１面との間の距離は距離Ｋ１であって、前記電極と前記第１面との間の距離が距離Ｋ２である時、距離Ｋ１と距離Ｋ２との比（Ｋ１／Ｋ２）は０．６以上、０．９以下である。
  10. 請求項２のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記半導体素子を搭載するための搭載用導体を有する。
  11. 請求項２のプリント配線板であって、前記第２導体層は前記第１面と対向している第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有し、前記第４面は粗面を有する。
  12. 請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記半導体素子と前記導体ポストとの間にシールド構造を有し、前記シールド構造は前記半導体素子を囲んでいる。
  13. 請求項１２のプリント配線板であって、前記シールド構造はグランドに繋がり、複数のシールド用導体ポストで形成されている。
  14. 請求項１２のプリント配線板であって、前記シールド構造はグランドに繋がり、導体からなる壁で形成されている。
  15. 請求項１４のプリント配線板であって、前記壁は開口部を有している。
  16. 請求項１４のプリント配線板であって、前記壁は前記半導体素子を完全に囲んでいる。
  17. 請求項２のプリント配線板であって、さらに、前記半導体素子と前記導体ポストとの間にシールド構造を有し、前記シールド構造は前記半導体素子を囲んでいて、前記第１導体層は前記半導体素子上に第１のシールド層を有し、前記第２導体層は前記半導体素子下に第２のシールド層を有し、前記シールド構造は前記第１のシールド層と前記第２のシールド層を接続している。
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