JP2017098530A - ウェハキャップ型充電式電源 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウェハキャップ型充電式電源を提供する。【解決手段】ウェハキャップ型充電式電源100は、デバイスウェハ102と、デバイスウェハの表面上に配置される充電式電源103と、充電式電源を封止するキャッピングウェハ104とを備える。充電式電源は、アノード構成要素116、カソード構成要素108および電解質構成要素114を含む。充電式電源とキャッピングウェハとの間に不活性ガスキャビティ122をさらに備えることが好ましい。【選択図】図1

Description

本発明は充電式電源に関する。
スマートフォン、ラップトップ、デジタルカメラ、腕時計などの電子デバイスは一般に、電源を必要とし、これは通常、充電式バッテリーパックの形態で提供される。これらの充電式バッテリーパックは、典型的に、電子デバイスのサイズおよび重量の大部分を占める。このような電子デバイスを小型化かつ/または軽量化する持続的な要求により、これらの電子デバイスを給電するための新たな解決策を見出すことが望ましい。
ほとんどの電子デバイスが複数の集積回路を含むと想定すれば、1つの解決策は、集積回路上にも充電式電源を製作することである。基板上に充電式バッテリーを製作するための既存の技術が存在するが、バッテリーに使用されている材料は、典型的に、可燃性である、および/または高温に敏感であり、これは集積回路の製造において一般的である。これらの材料は通常、水分にも敏感であり、気密密閉させるのが望ましい。
このため、本発明者は、製造中の熱による充電式電源の爆発のリスクを低下させ、かつ充電式電源が損傷を受けることを防止しながら、経時的にその電力容量を維持することができ、かつ基板上に製作され、集積回路内に含まれ得る充電式電源に対する当該技術分野における必要性を認識する。
図1は、本発明の実施形態によるウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。
図2Aは、本発明の実施形態による製造プロセス中の種々の段階でのウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。 図2Bは、本発明の実施形態による製造プロセス中の種々の段階でのウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。 図2Cは、本発明の実施形態による製造プロセス中の種々の段階でのウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。 図2Dは、本発明の実施形態による製造プロセス中の種々の段階でのウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。 図2Eは、本発明の実施形態による製造プロセス中の種々の段階でのウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。 図2Fは、本発明の実施形態による製造プロセス中の種々の段階でのウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。
図3は、本発明の実施形態によるウェハキャップ型充電式電源の製造方法を表すフローチャートである。
図4は、本発明の実施形態によるウェハキャップ型充電式電源の断面図を例証する。
図5は、本発明の実施形態による回路内に集積されたウェハキャップ型充電式電源を例証する。
図6は、本発明の実施形態による回路内に集積されたウェハキャップ型充電式電源を例証する。
本発明の実施形態は、ウェハキャップ型充電式電源を提供することができる。ウェハキャップ型充電式電源は、デバイスウェハと、デバイスウェハの表面上に配置される充電式電源と、充電式電源を封止するキャッピングウェハとを備え得る。充電式電源は、アノード構成要素、カソード構成要素、および電解質構成要素を含み得る。
本発明の実施形態は、集積充電式電源を有する回路を提供することができる。回路は、回路基板と、回路基板上に載置されるデバイスとを備え得る。デバイスは、デバイスウェハと、デバイスウェハの表面上に配置される充電式電源と、充電式電源とデバイスウェハとの間のキャビティを形成する、充電式電源の上に取り付けられるキャッピングウェハとを備え得る。回路は、回路基板上に載置される複数のデバイスをさらに備え得、デバイスは複数のデバイスのうちの少なくとも1つに電気接続され得る。
本発明の実施形態は、ウェハキャップ型充電式電源の製造方法を提供することができる。本方法は、上部ウェハおよびデバイスウェハを提供するステップと、デバイスウェハの表面上に充電式電源を形成するステップと、上部ウェハからキャッピングウェハを形成するステップと、充電式電源の上にキャッピングウェハを取り付けて、充電式電源を封止するステップと、を含み得る。
図1は、本発明の実施形態によるウェハキャップ型充電式電源100の断面図を例証する。ウェハキャップ型充電式電源100は、デバイスウェハ102、充電式電源103、およびキャッピングウェハ104を含んでもよい。
デバイスウェハ102は、活性表面および裏面を有してもよい。充電式電源103は、デバイスウェハ102の裏面上に配置されてもよい。充電式電源103は、カソード集電体106、カソード構成要素108、電解質構成要素114、アノード構成要素116、およびアノード集電体120を含んでもよい。実施形態において、充電式電源103は、バッテリーまたはスーパーコンデンサ(すなわち、誘電体がない)として提供されてもよい。他のデバイスは、デバイスウェハ102の活性側上に形成されてもよい。
電解質構成要素114は、有機材料またはイオン液体材料の形態であってもよい。電解質構成要素114が炭酸プロピレン、炭酸エチレン、または炭酸ジメチルなどの有機材料により形成される場合、カソード集電体106、カソード構成要素108、アノード構成要素116、およびアノード集電体120は、アルミニウム、銅、または金などの良好な導電性の金属により形成されてもよい。電解質構成要素114が、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム([BMIM][Cl])、トリオクチルメチルアンモニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド([OMA][TFSI])、またはトリエチルスルホニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド([SET3][TFSI])などのイオン液体材料により形成される場合、カソード集電体106、カソード構成要素108、アノード構成要素116、およびアノード集電体120は多孔質炭素、グラフェン、またはカーボンナノチューブにより形成されてもよい。
電解質構成要素114がウェハキャップ型充電式電源100の製造プロセス中に、劣化、爆発、または損傷するのを防止するために、キャッピングウェハ104をデバイスウェハ102に取り付けて、低温、例えば、200℃未満で、充電式電源103を封止してもよい。図1に例証されるように、キャッピングウェハ104は、ビスマス−スズ合金から作製され得る結合材料118で充電式電源103の上に取り付けられてもよい。
さらに、真空チャンバまたは窒素などの不活性ガスを含有するチャンバにおいて充電式電源103の上にキャッピングウェハ104を取り付けることにより、真空または不活性ガスキャビティ122を形成してもよい。真空または不活性ガスキャビティ122は、充電式電源103の爆発のリスクをさらに低下させる。記載されるように、キャッピングウェハ104によって充電式電源103を封止することにより、水分バリアをつくることもでき、これは外部の水分がキャビティ122に進入するのを防止することができるため、充電式電源103の異なる構成要素の腐食を防止する。図1に示すように、カソード集電体106およびアノード集電体120は、キャッピングウェハ104の外側に延在して、充電式電源103を充電および放電するための他のデバイス(図示せず)への接続を可能にする。
以下、本発明の実施形態による複数のウェハキャップ型充電式電源の製造方法を、その製造プロセス中の種々の段階でのウェハキャップ型充電式電源の断面図を表す、図2A〜2Fに関して説明する。
図2Aにおいて、上部ウェハ201およびデバイスウェハ202は、製造プロセスの段階で提供されてもよい。この段階で、デバイスウェハ202の1つまたは両方の表面を活性にするように、デバイスウェハ202は、他の製造ステップをすでに受けている場合がある。例えば、デバイスウェハ202の表面または表面の一部は、正および/または負にドープされてもよい。さらにこの段階で、デバイスウェハ202の表面のうちの1つに金属層205が形成されてもよい。金属層205は、アルミニウム、銅、または金などの良好な導電性を有する金属により形成されてもよい。金属層205の厚みは、数マイクロメートル(ミクロン)の範囲であってもよい。
図2Bは、製造プロセスにおける後続の段階を表し、ここで金属層205の一部分がエッチングされてカソード集電体206を形成してもよい。カソード層207は、カソード集電体206の上に形成されてもよい。カソード層207は、多孔質炭素、グラフェン、またはカーボンナノチューブにより形成されてもよい。カソード層207の厚みは、数十から数百ミクロンの範囲であってもよい。一方、上部ウェハ201の一部分をエッチングして、最終的に形成される充電式電源を封止するのに十分な深さを有するキャビティ210および212を形成してもよい。
図2Cに示される製造段階では、カソード層207の一部分をエッチングしてカソード構成要素208を形成してもよい。電解質層213は、カソード構成要素208およびカソード集電体206の上に形成されてもよい。電解質層213は、炭酸プロピレン、炭酸エチレン、もしくは炭酸ジメチルなどの有機材料により形成されてもよく、または1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム([BMIM][Cl])、トリオクチルメチルアンモニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド([OMA][TFSI])、もしくはトリエチルスルホニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド([SET3][TFSI])などのイオン性液体材料により形成されてもよい。電解質層213の厚みは、数十から数百ミクロンの範囲であってもよい。適切なマスキング技術(簡略化のために図示せず)により、キャビティ210の深さを元のままに維持しながら、キャビティ212を深くするために、さらなるエッチングを行ってもよい。後の製造段階において示すように、これにより上部ウェハ201の研磨が可能になるために別個のキャッピングウェハが形成され得る。
図2Dは、製造プロセスにおけるさらなる時点を表し、ここで電解質層213がエッチングされて、カソード構成要素208を封入する電解質構成要素214を形成してもよい。アノード層215は、電解質構成要素214およびカソード集電体206の上に形成されてもよい。アノード層216は、多孔質炭素、グラフェン、またはカーボンナノチューブにより形成されてもよい。アノード層215の厚みは、数十から数百ミクロンの範囲であってもよい。図2Dに示すように、結合材料層218は、上部ウェハ201の上側水平面上に堆積させてもよい。結合材料層218は、ビスマス−スズ合金により形成されてもよい。結合材料層218の厚みは、数ミクロンの範囲であってもよい。
図2Eに示される製造段階では、アノード層215の一部分をエッチングしてアノード構成要素216を形成してもよい。金属層219は、アノード構成要素216、電解質構成要素214、およびカソード集電体206上に形成されてもよい。金属層219は、アルミニウム、銅、または金などの良好な導電性を有する金属により形成されてもよい。金属層219の厚みは、数ミクロンの範囲であってもよい。適切なマスキング技術(簡略化のために図示せず)により、図2Eに示すように、残留する表面上に結合材料層218を残しながら、キャビティ210および212における結合材料層218を除去してもよい。さらに、上部ウェハ201は、充電式電源の上に取り付けられる準備において、垂直に反転させてもよい。点線221は、キャッピングウェハを形成するために上部ウェハ201が研磨されるレベルの境界を示す。
図2Fは、製造プロセスにおけるよりさらなる段階を表し、ここで金属層219の一部分がエッチングされてアノード集電体220を形成してもよい。製造プロセスにおけるこの時点で、充電式電源が形成される。次いで、真空チャンバまたは不活性ガスを含有するチャンバの内部において、上部ウェハ201は、200℃未満であり得る低温で、結合材料118により充電式電源の上に取り付けられてもよい。真空または不活性ガスを含有するキャビティ222は、このように形成される。その後、上部ウェハ201は、図2Eに示す点線221まで研磨されてキャッピングウェハ204を形成してもよい。次いで、デバイスウェハ202は、点線223でダイカットされて個々のウェハキャップ型充電式電源200を形成してもよい。
図2A〜2Fが2つのウェハキャップ型充電式電源200の製造を例証する場合でも、複数のウェハキャップ型充電式電源200が、あらゆる従来のサイズのウェハ上に同時に形成されてもよいことが理解されるべきである。
図3は、本発明の実施形態による複数のウェハキャップ型充電式電源を製造する方法300を例証する。図3の考察は、図2A〜2Fを参照するが、方法300が図2A〜2Fにおいて表される具体的な実施形態に限定されず、より一般的に適用可能であることを理解すべきである。
図3に示すように、方法300は、2つの経路(一方は充電式電源の形成、および他方はキャッピングウェハの形成)を含んでもよく、これらは最終的に複数のウェハキャップ型充電式電源(例えば、ウェハキャップ型充電式電源200)を形成するために、合わせられてもよい。
方法300の第1の経路は、デバイスウェハ(例えば、デバイスウェハ202)を提供することによるステップ302から始まる。ステップ304では、第1の金属層(例えば、金属層205)が、デバイスウェハの表面のうちの1つの面上に形成される。ステップ306で第1の金属層の一部分がエッチングされて、カソード集電体(例えば、カソード集電体206)を形成する。ステップ308では、カソード層(例えば、カソード層207)がカソード集電体の上に形成される。ステップ310でカソード層の一部分がエッチングされて、カソード構成要素(例えば、カソード構成要素208)を形成する。ステップ312では、電解質層(例えば、電解質層213)がカソード構成要素およびカソード集電体の上に形成される。ステップ314で電解質層の一部分がエッチングされて、カソード構成要素を封入する電解質構成要素(例えば、電解質構成要素214)を形成する。ステップ316では、アノード層(例えば、アノード層215)が電解質構成要素およびカソード集電体の上に形成される。ステップ318でアノード層の一部分がエッチングされて、アノード構成要素(例えば、アノード構成要素216)を形成する。ステップ320では、第2の金属層(例えば、金属層219)がアノード構成要素、電解質構成要素、およびカソード集電体の上に形成される。ステップ322で第2の金属層の一部分がエッチングされて、アノード集電体(例えば、アノード集電体220)を形成する。方法300の製造プロセスにおけるこの時点で、充電式電源が形成される。
方法300の第2の経路は、上部ウェハ(例えば、上部ウェハ201)を提供することによるステップ324から始まる。ステップ326では、上部ウェハの一部分がエッチングされて、ステップ322で形成される充電式電源を封止するのに十分な深さであるキャビティ(例えば、キャビティ210および212)を形成する。ステップ326では、適切なマスキング技術により、いかなる充電式電源も封止しないステップ324で形成されるキャビティ(例えば、キャビティ212)の選択物がエッチングによってさらに深くされる。ステップ330では、キャビティの内部に水平面を含む、上部ウェハの上側水平面上に結合材料層(例えば、結合材料層218)を堆積させる。適切なマスキング技術により、すべてのキャビティ内の結合材料層の部分が除去される(例えば、図2Eに示すように)。方法300の製造プロセスのこの時点で、上部ウェハは、ステップ322で形成される充電式電源の上に取り付けられる状態にある。
ステップ334では、ステップ332で記載される状態の上部ウェハが、200℃未満であり得る低温で結合材料により、ステップ322で形成される充電式電源の上に取り付けられる。真空またはインターガスキャビティ(例えば、キャビティ222)が充電式電源と上部ウェハとの間に形成されるように、真空チャンバまたは不活性ガスを含有するチャンバ内に取り付けが行われる。ステップ336で上部ウェハが研磨されてキャッピングウェハ(例えば、キャッピングウェハ204)を形成する。ステップ338でデバイスウェハがダイカットされて複数のウェハキャップ型充電式電源(例えば、ウェハキャップ型充電式電源200)を形成する。
図4は、本発明の実施形態によるウェハキャップ型充電式電源400の断面図を例証する。ウェハキャップ型充電式電源100または200と同様に、ウェハキャップ型充電式電源400は、デバイスウェハ402、キャッピングウェハ404、カソード集電体406、カソード構成要素408、電解質構成要素414、アノード構成要素416、結合材料418、およびアノード集電体420を含んでもよい。ウェハキャップ型充電式電源400は、同様の材料を使用して、かつ同様の条件下で、ウェハキャップ型充電式電源100または200と実質的に同様の方式で製造されてもよい。所与の電力密度に関して、ウェハキャップ型充電式電源100または200とは異なり、ウェハキャップ型充電式電源400は、より幅広いにもかかわらず、より細いアスペクト比を可能にする。
図4において、カソード集電体406およびアノード集電体420は、デバイスウェハ402上に形成されてもよい。次いで、カソード構成要素408およびアノード構成要素416はそれぞれ、カソード集電体406およびアノード集電体420上に形成されてもよい。図4で分かるように、カソード構成要素408およびアノード構成要素416は、同じ水平面に実質的に形成されてもよい。電解質構成要素414はカソード構成要素408およびアノード構成要素416の上に形成されて、充電式電源を効果的に形成する。キャッピングウェハ404は、200℃未満であり得る低温で、結合材料418により充電式電源の上に取り付けられてもよい。
図5は、本発明の実施形態による回路内に集積されたウェハキャップ型充電式電源500を例証する。ウェハキャップ型充電式電源100または200と同様に、ウェハキャップ型充電式電源500は、デバイスウェハ502、キャッピングウェハ504、カソード集電体506、カソード構成要素508、電解質構成要素514、アノード構成要素516、結合材料518、およびアノード集電体520を含んでもよい。さらに、ウェハキャップ型充電式電源500は、ウェハキャップ型充電式電源500が、はんだボール528を介して回路基板524のトレース530および532に電気接続され得るようにスルーホールビア526を含む。
トレース530はカソード集電体506に、およびトレース532はアノード集電体520に効果的に接続されてもよい。トレース530および532は、回路基板524上に形成されるかまたは載置される複数のデバイスのうちの少なくとも1つを経由させて接続してもよい。例えば、図5において、トレース530および532は、デバイス534および536に接続されてもよい。デバイス534および536は、ウェハキャップ型充電式電源500によって給電されるか、またはウェハキャップ型充電式電源500を充電するために電力を供給してもよい。例えば、デバイス534は、次いでウェハキャップ型充電式電源500中に貯蔵され得る、電磁エネルギーを集めるフォトダイオードであってもよく、デバイス536は、適切な電力調整構成要素を有する発光ダイオード(LED)であり、該LEDを点灯させるために、ウェハキャップ型充電式電源500からの電力を変換してもよい。
ウェハキャップ型充電式電源500を含む、図5の回路は、その後ポットされるかまたはプラスチック成形物中に封入されてもよい。プラスチック成形物またはポッティングに必要とされる典型的な高温にもかかわらず、キャッピングウェハ504は、充電式電源を遮蔽して、充電式電源が劣化するのを防止する。
図6は、本発明の実施形態による回路内に集積されたウェハキャップ型充電式電源600を例証する。ウェハキャップ型充電式電源100または200と同様に、ウェハキャップ型充電式電源600は、デバイスウェハ602、キャッピングウェハ604、カソード集電体606、カソード構成要素608、電解質構成要素614、アノード616、結合材料618、およびアノード集電体620を含んでもよい。さらに、ウェハキャップ型充電式電源600は、ウェハキャップ型充電式電源600が、デバイスウェハ602の反対側の活性表面上にトレース630および632に電気接続され得るようにスルーホールビア626を含む。トレース630はカソード集電体606に、およびトレース632はアノード集電体620に効果的に接続されてもよい。
図6において、トレース630および632は、デバイス基板602の活性表面上に形成される単一デバイス638に接続されることを示す。しかしながら、当業者は、トレース630および632が、デバイス基板602の活性表面上に形成され得る複数のデバイスに接続されてもよいことを理解するであろう。図5に示す回路内のように、ウェハキャップ型充電式電源600は、デバイス基板602の活性表面上のデバイスに電力を供給するか、またはデバイス基板602の活性表面上のデバイスによって、充電されてもよい。
図5の回路と同様に、ウェハキャップ型充電式電源600を含む、図6の回路は、その後ポットされるかまたはプラスチック成形物中に封入されてもよい。プラスチック成形物またはポッティングに必要とされる典型的な高温にもかかわらず、キャッピングウェハ604は、充電式電源を遮蔽して、充電式電源が劣化するのを防止する。
下記は、本開示において使用される特定の用語の説明である。
「エッチングする」または「エッチング」という用語は、エッチング完了後、材料の少なくとも一部分が残るように、一般に、材料をパターニングする製作プロセスを説明するために、本明細書において使用される。例えば、シリコンをエッチングするプロセスは、シリコンの上にマスキング層(例えば、フォトレジストまたはハードマスク)をパターニングするステップと、その後、マスキング層によってもう保護されていないシリコンの領域を除去するステップと、を伴うことを理解すべきである。したがって、エッチングプロセスが完了後、マスクによって保護されたシリコンの領域が残る。しかしながら、別の実施例において、エッチングはまた、マスクを使用しないプロセスを指すことがあるが、エッチングプロセスが完了後、やはり材料の少なくとも一部分が残る。
「形成」、「形成する」、「堆積する」、または「配置する」という用語は、材料層を基板または別の材料層に適用する行為を説明するために、本明細書において使用される。このような用語は、これらに限定されないが熱成長、スパッタリング、蒸発、化学蒸着、エピタキシャル成長、電気めっきなどを含む、予想されるあらゆる層形成技術を説明することを意味する。種々の実施形態によれば、例えば、堆積は任意の適切な周知の方法により実行されてもよい。例えば、堆積は材料を基板上に、成長させる、被覆する、または転写する任意のプロセスを含むことができる。一部の周知の技術としてはとりわけ、物理蒸着(PVD)、化学蒸着(CVD)、電気化学蒸着(ECD)、分子線エピタキシー(MBE)、原子層堆積(ALD)、およびプラズマ強化型CVD(PECVD)が挙げられる。
説明の全体にわたって使用される「基板」または「ウェハ」は、最も一般的には、シリコンであると考えられる。しかしながら、基板またはウェハは、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム等などの任意の広範な半導体材料でもあり得る。他の実施形態において、基板またはウェハは、ガラスまたはサファイヤなどの電気的に非伝導性であってもよい。
本明細書において使用する場合、「マスク」または「マスキング」は、マスクされていない材料の一部分の選択的除去(例えば、エッチング)を可能にする任意の適切な材料を含んでもよい。一部の実施形態によれば、マスキング構造は、ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)、ポリ(メチルグルタルイミド)(PMGI)、フェノールホルムアルデヒド樹脂、好適なエポキシ等などのフォトレジストを含んでもよい。
本発明のいくつかの実施形態は、本明細書において具体的に例証され、かつ/または説明される。しかしながら、本発明の修正および改変は、上記の教示によって包含され、本発明の趣旨および意図する範囲を逸脱することなく、添付の特許請求の範囲内であることが理解されよう。

Claims (15)

  1. デバイスであって、
    デバイスウェハと、
    前記デバイスウェハの表面上に配置される充電式電源であって、アノード構成要素、カソード構成要素、および電解質構成要素を含む、充電式電源と、
    前記充電式電源を封止するキャッピングウェハと、を備える、デバイス。
  2. 前記充電式電源と前記キャッピングウェハとの間に形成されるキャビティ内に提供される不活性ガスをさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
  3. 前記充電式電源と前記キャッピングウェハとの間に形成されるキャビティ内に提供される真空をさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
  4. 前記キャッピングウェハが、200℃未満の温度で、結合材料により前記充電式電源の上に取り付けられる、請求項1に記載のデバイス。
  5. 前記電解質構成要素が、有機材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
  6. 前記電解質構成要素が、イオン液体材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
  7. 前記カソード構成要素が前記デバイスウェハ上の第1の集電体上に形成され、前記アノード構成要素が前記デバイスウェハ上の第2の集電体上に形成され、かつ前記電解質構成要素が前記カソード構成要素および前記アノード構成要素上に形成される、請求項1に記載のデバイス。
  8. 前記カソード構成要素およびアノード構成要素が、同じ水平面に実質的に形成される、請求項7に記載のデバイス。
  9. 回路であって、
    回路基板と、
    前記回路基板上に載置されるデバイスと、を備える回路であって、前記デバイスが、
    デバイスウェハと、
    前記デバイスウェハの表面上に配置される充電式電源と、
    前記充電式電源と前記デバイスウェハとの間にキャビティを形成する、前記充電式電源の上に取り付けられるキャッピングウェハと、を備える、回路。
  10. 前記デバイスが、はんだボールにより前記回路基板上に直接載置される、請求項9に記載の回路。
  11. 前記デバイスが、スルーホールビアにより前記回路基板上に直接載置される、請求項9に記載の回路。
  12. 前記回路が、前記回路上に載置される複数のデバイスをさらに備え、前記デバイスが、前記複数のデバイスのうちの少なくとも1つに電気接続される、請求項9に記載の回路。
  13. 前記キャビティが、不活性ガスで充填される、請求項9に記載の回路。
  14. デバイスを製造する方法であって、
    上部ウェハおよびデバイスウェハを提供することと、
    前記デバイスウェハの表面上に充電式電源を形成することと、
    前記上部ウェハからキャッピングウェハを形成することと、
    前記充電式電源の上に前記キャッピングウェハを取り付けて、前記充電式電源を封止することと、を含む、方法。
  15. 前記キャッピングウェハが、200℃未満の温度で、結合材料により前記充電式電源の上に取り付けられる、請求項14に記載の方法。
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