JP2017092291A - 電子装置、電子装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品群の高密度実装及び電磁干渉抑制が可能な電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１は、回路基板１０と、回路基板１０上に実装された電子部品２０と、電子部品２０が実装された回路基板１０上に設けられたフレキシブル基板３０と、フレキシブル基板３０上に実装された電子部品４０とを含む。フレキシブル基板３０は、電子部品２０の上面２０ａ及び側面２０ｂに接し、上面２０ａ及び側面２０ｂに対応する部位に電磁シールド層３１を有する。フレキシブル基板３０により、電子部品２０及び電子部品４０の実装密度の向上を図り、電子部品２０と電子部品４０の電磁干渉を電磁シールド層３１によって抑える。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子装置、電子装置の製造方法及び電子機器に関する。

回路基板上に搭載された半導体素子等の電子部品を、その電子部品を含む一定空間が封止できるサイズのバスタブ状の金属キャップで覆って電磁シールドし、電子部品群の電磁干渉を抑える技術が知られている。金属キャップに替えて、ベース基材とレジスト等の絶縁部材との間に銅（Ｃｕ）薄膜ベタパターン等の金属を挟んだフレキシブルシールド部材を成形して用い、電子部品を電磁シールドする技術も知られている。

特開２０００−１７４１５１号公報 特開２００７−３６０８６号公報

上記のような電磁シールド技術では、電子部品を覆う金属キャップやフレキシブルシールド部材が回路基板上で占有する面積が大きくなると、電子部品の実装可能エリアが減少し、回路基板上に実装される電子部品群の実装密度が低下する可能性がある。

本発明の一観点によれば、回路基板と、前記回路基板上に実装された第１電子部品と、前記第１電子部品が実装された前記回路基板上に設けられ、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板上に実装された第２電子部品とを含む電子装置が提供される。

また、本発明の一観点によれば、第１電子部品が実装された回路基板上に、第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板を、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、且つ、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に前記第１電磁シールド層が位置するように、設ける工程と、前記フレキシブル基板上に第２電子部品を実装する工程とを含む電子装置の製造方法が提供される。

また、本発明の一観点によれば、上記のような電子装置を備える電子機器が提供される。

開示の技術によれば、電子部品群の高密度実装及び電磁干渉抑制が可能な電子装置を実現することができる。また、そのような電子装置を備えた電子機器を実現することができる。

第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 電子装置の実装密度の説明図である。 第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図（その１）である。 第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図（その２）である。 別形態に係る電子装置の一例を示す図（その１）である。 別形態に係る電子装置の一例を示す図（その２）である。 別形態に係る電子装置の一例を示す図（その３）である。 第２の実施の形態に係る電子部品実装回路基板の説明図（その１）である。 第２の実施の形態に係る電子部品実装回路基板の説明図（その２）である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の説明図（その１）である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の説明図（その２）である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板形成方法の第１の例を示す図（その１）である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板形成方法の第１の例を示す図（その２）である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の端子形成方法の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の端子形成方法の別例を示す図である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板形成方法の第２の例を示す図である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板配設の説明図（その１）である。 第２の実施の形態に係るフレキシブル基板配設の説明図（その２）である。 第２の実施の形態に係る電子部品実装の説明図（その１）である。 第２の実施の形態に係る電子部品実装の説明図（その２）である。 第２の実施の形態に係る電子装置の別例を示す図（その１）である。 第２の実施の形態に係る電子装置の別例を示す図（その２）である。 電子機器の一例を示す図である。

まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１（Ａ）には、第１の実施の形態に係る電子装置の一例の要部平面を模式的に図示し、図１（Ｂ）には、図１（Ａ）のＬ１−Ｌ１線に沿った断面を模式的に図示している。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す電子装置１は、回路基板１０、電子部品２０、フレキシブル基板３０及び電子部品４０を含む。
回路基板１０には、各種回路基板を用いることができる。例えば、回路基板１０には、プリント基板が用いられる。回路基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、絶縁部１１内に設けられた導体部１２を含む。ここでは導体部１２として、回路基板１０の表面１０ａに設けられた端子（電極）１２ａ及び端子（電極）１２ｂ、並びに、端子１２ａ及び端子１２ｂに繋がるビア１２ｃ及び配線１２ｄを例示している。回路基板１０の絶縁部１１には、有機系、無機系の各種絶縁材料が用いられる。回路基板１０の導体部１２には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の各種導体材料が用いられる。

電子部品２０は、回路基板１０上に実装される。電子部品２０には、各種電子部品を用いることができる。例えば、電子部品２０には、半導体素子（半導体チップ）や、回路基板（パッケージ基板）上に実装された半導体チップを含む半導体装置（半導体パッケージ）が用いられる。電子部品２０は、図１（Ｂ）に示すように、回路基板１０の端子１２ａと対応する位置に、バンプ等の端子２１を有する。電子部品２０の端子２１と、回路基板１０の端子１２ａとが接合されることで、電子部品２０と回路基板１０とが電気的に接続される。

フレキシブル基板３０は、電子部品２０が実装された回路基板１０上に設けられる。フレキシブル基板３０は、端子（電極）、ビア、配線等の導体部を有する、柔軟性を持った回路基板である。フレキシブル基板３０は、電子部品２０の表面に沿って回路基板１０上に設けられ、図１（Ｂ）に示すように、電子部品２０の上面２０ａ及び側面２０ｂに接する。フレキシブル基板３０は、電子部品２０の上面２０ａ及び側面２０ｂに対応する部位に、電磁シールド層３１を有する。電磁シールド層３１には、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、フェライト、Ｃｕ、Ａｌ等の層、又はそのような材料を樹脂中に含有させたフィルムが用いられる。電磁シールド層３１の材料は、例えば、電子部品２０及び電子部品４０を伝搬する信号の周波数、電子部品２０及び電子部品４０から放射される電磁波の周波数等に基づいて、選択される。フレキシブル基板３０は更に、その導体部の一部として、図１（Ｂ）に示すように、回路基板１０の端子１２ｂと対応する位置に、端子（電極）３２を有する。フレキシブル基板３０の端子３２と、回路基板１０の端子１２ｂとが接合されることで、フレキシブル基板３０と回路基板１０とが電気的に接続される。

電子部品４０は、フレキシブル基板３０上に実装される。電子部品４０は、例えば、回路基板１０上の電子部品２０を覆う電磁シールド層３１の上方に位置するように、フレキシブル基板３０上に実装される。電子部品４０には、各種電子部品を用いることができる。例えば、電子部品４０には、半導体チップや半導体パッケージが用いられる。電子部品４０は、図１（Ｂ）に示すように、バンプ等の端子４１を有し、その端子４１がフレキシブル基板３０の導体部と接合される。これにより、電子部品４０が、フレキシブル基板３０の導体部と、及びフレキシブル基板３０（その導体部）を介して回路基板１０と、電気的に接続される。

上記のような構成を有する電子装置１において、例えば、電子部品４０が電磁波を発生するものであって、その電磁波が電子部品２０に到達すると電子部品２０の動作に不具合が生じ得るようなものである場合を考える。この場合、電子部品４０で発生した電磁波の電子部品２０への到達は、フレキシブル基板３０の電磁シールド層３１によって抑えられる。また、電子部品２０が電磁波を発生するものであって、その電磁波が電子部品４０に到達すると電子部品４０の動作に不具合が生じ得るようなものである場合を考える。この場合、電子部品２０で発生した電磁波の電子部品４０への到達は、フレキシブル基板３０の電磁シールド層３１によって抑えられる。

このように電子装置１では、フレキシブル基板３０の電磁シールド層３１により、電子部品２０と電子部品４０の電磁干渉が抑えられる。これにより、電磁干渉による電子部品２０及び電子部品４０の動作の不具合を効果的に抑えることのできる、性能及び信頼性に優れた電子装置１が実現される。

更に、この電子装置１では、回路基板１０上に実装された電子部品２０が、その表面に沿ったフレキシブル基板３０で覆われ、そのフレキシブル基板３０上に電子部品４０が実装される。これにより、電子装置１では、高い実装密度が実現される。

ここで、図２は電子装置の実装密度の説明図である。図２（Ａ）には、比較例に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示し、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）にはそれぞれ、第１の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。

図２（Ａ）には、比較例として、電磁干渉し得る電子部品２０と電子部品４０が回路基板１０上に実装され、一方の電子部品２０がバスタブ形又は箱形の金属カバー５０で覆われた構成を有する電子装置１ａを図示している。

この図２（Ａ）に示す電子装置１ａでは、金属カバー５０によって電子部品２０と電子部品４０の電磁干渉が抑えられる。しかし、電子装置１ａでは、金属カバー５０を、電子部品２０とその周りの一定空間を封止するようなサイズとすると、その金属カバー５０の回路基板１０上での占有面積が大きくなる。その場合、電子部品２０と電子部品４０とを一定距離以上近接させて配置することができず、高密度に実装することが難しくなることが起こり得る。また、電子装置１ａでは、回路基板１０上の搭載部品数を一定数確保するために、回路基板１０の大型化（大面積化）を招くことも起こり得る。

一方、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）には、回路基板１０上に実装された電子部品２０が、その表面に沿ったフレキシブル基板３０で覆われ、そのフレキシブル基板３０上に電子部品４０が実装された、第１の実施の形態に係る電子装置１の例を図示している。

図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す電子装置１では、フレキシブル基板３０を、電子部品２０の上面２０ａ及び側面２０ｂに接するように、且つ、その電磁シールド層３１が、電子部品２０の上面２０ａ及び側面２０ｂと対応する部位に位置するように、設ける。フレキシブル基板３０は、回路基板１０と電気的に接続され、このようなフレキシブル基板３０上に、電子部品４０が実装される。

図２（Ｂ）には、電子部品２０の側方のフレキシブル基板３０上に電子部品４０が実装された構成を例示している。この図２（Ｂ）に示すような構成によれば、図２（Ａ）に示す電子装置１ａに比べて、電子部品２０と電子部品４０との近接配置が可能になり、実装密度の向上が図られる。また、図２（Ｃ）には、電子部品２０の上方のフレキシブル基板３０上に電子部品４０が実装された例を示している。この図２（Ｃ）に示すような構成によれば、電子部品２０と電子部品４０との近接配置による、より一層の実装密度の向上が図られる。

このように、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示す電子装置１では、図２（Ａ）に示す電子装置１ａに比べて、電子部品２０及び電子部品４０の実装密度が高い電子装置１が実現される。また、電子装置１では、高密度実装が可能になることで、回路基板１０の小型化（小面積化）や、それによる電子装置１の小型化も可能になる。

次に、第２の実施の形態について説明する。
ここでは、電子装置について、より具体的に説明する。
図３は第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図３には、第２の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。

図３に示すように、電子装置１Ａは、回路基板１００、電子部品２００群、フレキシブル基板３００及び電子部品４００群を含む。
回路基板１００には、例えば、プリント基板が用いられる。回路基板１００は、絶縁部１１０内に設けられた導体部１２０を含む。導体部１２０には、端子（電極）、ビア、配線等が含まれる。ここでは便宜上、導体部１２０として、回路基板１００の表面１００ａに設けられた端子（電極）１２１群及び端子（電極）１２２群のみを例示している。端子１２１群及び端子１２２群は、回路基板１００の内部に設けられる、図示しない配線やビア等の導体部に電気的に接続される。回路基板１００の絶縁部１１０には、有機系、無機系の各種絶縁材料が用いられる。回路基板１００の導体部１２０には、Ｃｕ、Ａｌ等の各種導体材料が用いられる。

電子部品２００群は、回路基板１００上に実装される。図３には、電子部品２００群として、電子装置１Ａの所定の一断面に位置する電子部品２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０，２８０を例示している。一例として、電子部品２１０は、ＬＳＩ（Large Scale Integration）チップ等の半導体チップである。電子部品２２０，２３０，２４０，２６０，２７０は、コンデンサやインダクタ等のチップ部品である。電子部品２５０は、センサやマイコン等のパッケージ部品である。電子部品２８０は、ＦＣＰ（Flip Chip Package）やＭＣＰ（Multi Chip Package）等の半導体パッケージである。電子部品２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０，２８０は、各々の端子２１１，２２１，２３１，２４１，２５１，２６１，２７１，２８１が、対応する位置の回路基板１００の端子１２１と接合され、それぞれ回路基板１００と電気的に接続される。

フレキシブル基板３００は、電子部品２００群（電子部品２１０〜２８０）が実装された回路基板１００上に設けられる。フレキシブル基板３００は、端子（電極）、ビア、配線等の導体部、及び電磁シールド層３０１群を有する、柔軟性を持った回路基板であって、電子部品２００群の表面に沿って回路基板１００上に設けられる。尚、図３では、フレキシブル基板３００の導体部（端子３４０を除く）の図示は省略している。図３には、電磁シールド層３０１群として、電子装置１Ａの所定の一断面に位置する電磁シールド層３１０及び電磁シールド層３８０を例示している。フレキシブル基板３００は、電子部品２００群の上面、又は上面と側面とに接して、それら電子部品２００群を覆い、縁部を回路基板１００の表面１００ａに接して、設けられる。

図３の例において、フレキシブル基板３００の、電子部品２１０の上面２１０ａ及び側面２１０ｂに接する部位内、並びに電子部品２８０の上面２８０ａ及び側面２８０ｂに接する部位内に、それぞれ電磁シールド層３１０並びに電磁シールド層３８０が設けられる。電磁シールド層３０１には、Ｎｉ、Ｆｅ、フェライト、Ｃｕ、Ａｌ等の材料が用いられる。電磁シールド層３０１の材料は、例えば、所定の電子部品２００及び電子部品４００を伝搬する信号の周波数、所定の電子部品２００及び電子部品４００から放射される電磁波の周波数等に基づいて、選択される。フレキシブル基板３００は、その縁部の、回路基板１００の端子１２２と対応する位置に設けられた端子（電極）３４０と、その回路基板１００の端子１２２とが接合され、回路基板１００と電気的に接続される。

電子部品４００群は、フレキシブル基板３００上に実装される。図３には、電子部品４００群として、電子装置１Ａの所定の一断面に位置する電子部品４１０及び電子部品４８０を例示している。電子部品４１０は、例えば、電磁シールド層３１０の上方に位置するように、フレキシブル基板３００上に実装され、電子部品４８０は、例えば、電磁シールド層３８０の上方に位置するように、フレキシブル基板３００上に実装される。一例として、電子部品４１０は、ＦＣＰやＭＣＰ等の半導体パッケージであり、電子部品４８０は、ＬＳＩチップ等の半導体チップである。例えば、電子部品２１０及び電子部品４１０の少なくとも一方が、電磁波を発生する電子部品とされ、電子部品２８０及び電子部品４８０の少なくとも一方が、電磁波を発生する電子部品とされる。電子部品４１０及び電子部品４８０は、各々の端子４１１及び端子４８１がフレキシブル基板３００の導体部と接合される。電子部品４１０及び電子部品４８０は、フレキシブル基板３００の導体部と、及びフレキシブル基板３００（その端子３４０を含む導体部）を介して回路基板１００と、それぞれ電気的に接続される。

フレキシブル基板３００について更に説明する。
図４は第２の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図４には、図３のＸ部を拡大して模式的に図示している。

図４に示すように、フレキシブル基板３００は、ベース層３２０及び配線層３３０、並びにそれらの間に介在される電磁シールド層３１０を有する。
ベース層３２０は、電子部品２００群（図４では電子部品２１０）が実装された回路基板１００側に対向される層である。ベース層３２０には、伸縮性を有する材料が用いられる。ベース層３２０には、伸縮性と共に、粘着性を有する材料が用いられてよい。ベース層３２０に粘着性を有する材料を用いることで、回路基板１００上に実装された電子部品２００群の表面（上面、又は上面と側面）に、フレキシブル基板３００を接着し、固定することが可能になる。ベース層３２０には、例えば、熱可塑性エラストマーが用いられる。ベース層３２０に用いることのできる熱可塑性エラストマーとしては、ポリオレフィン系、ポリブタジエン系、スチレン−ブタジエン系、スチレン−イソプレン系等の熱可塑性エラストマーを挙げることができる。

配線層３３０は、ベース層３２０の表面３２０ａ（上面）に、電磁シールド層３０１群（図４では電磁シールド層３１０）を部分的に挟んで、積層される。配線層３３０は、絶縁部３３１、及び絶縁部３３１の内部及び表面に設けられた導体部３３２を有する。導体部３３２には、電子部品４００群の端子（図４では電子部品４１０の端子４１１）が接合される端子（電極）３３２ａ、並びに端子３３２ａと電気的に接続されたビア３３２ｂ及び配線３３２ｃが含まれる。絶縁部３３１には、伸縮性を有する材料が用いられる。絶縁部３３１には、例えば、熱可塑性エラストマーが用いられる。絶縁部３３１に用いることのできる熱可塑性エラストマーとしては、ポリオレフィン系、ポリブタジエン系、スチレン−ブタジエン系、スチレン−イソプレン系等の熱可塑性エラストマーを挙げることができる。

電磁シールド層３０１群、図４では電磁シールド層３１０を例にするが、ベース層３２０と配線層３３０の間に介在される。電磁シールド層３１０には、Ｎｉ、Ｆｅ等、電磁波を遮蔽又は吸収する各種電磁シールド材料が用いられる。電磁シールド層３１０としては、例えば、電磁シールド材料の箔が用いられる。このほか、電磁シールド層３１０としては、例えば、電磁シールド材料の粒子（粉末）をエポキシ等の樹脂中に含有、分散させたフィルムが用いられてよい。電磁シールド層３１０は、フレキシブル基板３００を、電子部品２００群が実装された回路基板１００上に設けた時に（図３）、電磁シールドされるべき電子部品２００（図４では電子部品２１０）を覆うようになる位置とサイズで、設けられる。電磁シールド層３１０以外の電磁シールド層３０１又は電磁シールド層３０１群についても同様である。

フレキシブル基板３００と回路基板１００との電気的な接続に用いられる端子３４０は、配線層３３０内の導体部３３２、例えば配線３３２ｃと電気的に接続され、一部がベース層３２０の表面３２０ｂ（下面）から露出するように、設けられる。

図４では、図３に示す電子装置１Ａの、電子部品２１０及び電子部品４１０とそれらの間の電磁シールド層３１０とが含まれる部位を例にして説明した。図３に示す電子装置１Ａの、電子部品２８０及び電子部品４８０とそれらの間の電磁シールド層３８０とが含まれる部位等も、この図４について述べたのと同様の構成とされる。

ベース層３２０、電磁シールド層３１０等の電磁シールド層３０１、及び配線層３３０を有するフレキシブル基板３００は、予め準備した各層を熱圧着して一体化する熱圧着法や、各層を下から順に形成していくビルドアップ法等を用いて、形成することができる。尚、この点については後述する（図１２〜図１６）。

上記図３及び図４に示すような構成を有する電子装置１Ａにおいて、フレキシブル基板３００は、ベース層３２０、及び配線層３３０の絶縁部３３１に、伸縮性を持たせることで、回路基板１００上の電子部品２００群の表面に沿った形状で設けることが可能になる。フレキシブル基板３００は、例えば、ラミネータを用いて、電子部品２００群が実装された回路基板１００上にラミネートすることによって、電子部品２００群の表面に沿った形状となるように変形させて、設けることができる。

伸縮性を持たせるフレキシブル基板３００の、ベース層３２０、及び配線層３３０の絶縁部３３１（図４）には、例えば上記のように熱可塑性エラストマーが用いられる。この場合、ベース層３２０と絶縁部３３１には、同種又は異種の熱可塑性エラストマーを用いることができる。

ベース層３２０と、配線層３３０の絶縁部３３１とに、異種の熱可塑性エラストマーを用いる場合には、例えば、配線層３３０の絶縁部３３１の方が、ベース層３２０に比べて、伸縮性が低くなるような材料を用いる。フレキシブル基板３００を、回路基板１００上の電子部品２００群の表面に沿った形状となるように変形させて設ける際に、配線層３３０の絶縁部３３１の伸縮を抑えて、導体部３３２の変形、それによる導体部３３２の断線、信頼性の低下を抑えるためである。例えば、配線層３３０の絶縁部３３１には、ポリブタジエン系熱可塑性エラストマーを用い、ベース層３２０には、スチレン系熱可塑性エラストマーを用いる。ポリブタジエン系熱可塑性エラストマーは、ＪＩＳ Ｋ６２５１（旧ＪＩＳ Ｋ６３０１）に準じて測定される３００％引張応力が４ＭＰａ〜１１ＭＰａであり、スチレン系熱可塑性エラストマーは、同３００％引張応力が０．５ＭＰａ〜１．２ＭＰａである。ポリブタジエン系熱可塑性エラストマーを配線層３３０の絶縁部３３１に用い、スチレン系熱可塑性エラストマーをベース層３２０に用いることで、上記のような配線層３３０の導体部３３２の変形、それによる信頼性の低下等を抑えることが可能になる。

図３及び図４に示す電子装置１Ａでは、電磁シールド層３１０及び電磁シールド３８０を含むフレキシブル基板３００が、回路基板１００上に実装された電子部品２１０並びに電子部品２８０の表面に接して設けられる。電子部品２１０は、その上面２１０ａ及び側面２１０ｂに対応する部位に設けられた電磁シールド層３１０で覆われ、電子部品２８０は、その上面２８０ａ及び側面２８０ｂに対応する部位に設けられた電磁シールド層３８０で覆われる。そして、フレキシブル基板３００の、電子部品２１０を覆う電磁シールド層３１０の上方に、電子部品４１０が実装され、電子部品２８０を覆う電磁シールド層３８０の上方に、電子部品４８０が実装される。

電子装置１Ａでは、電子部品２１０及び電子部品４１０の少なくとも一方が、電磁波を発生する電子部品とされ、電子部品２８０及び電子部品４８０の少なくとも一方が、電磁波を発生する電子部品とされる。電子装置１Ａによれば、電子部品２１０と電子部品４１０の電磁干渉が、それらの間に介在する電磁シールド層３１０によって抑えられ、電子部品２８０と電子部品４８０の電磁干渉が、それらの間に介在する電磁シールド層３８０によって抑えられる。

電子装置１Ａでは、このように電子部品２１０と電子部品４１０の電磁干渉、及び電子部品２８０と電子部品４８０の電磁干渉を抑えることで、高密度実装が可能になると共に、回路基板１００の大面積化、電子装置１Ａの大型化を抑えることが可能になる。

ここで、別形態に係る電子装置について述べる。
図５〜図７は別形態に係る電子装置の一例を示す図である。図５〜図７にはそれぞれ、別形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。

電子装置の分野では、電子部品の高密度実装と、低コストとを両立するパッケージ技術が求められる。例えば、ＬＳＩチップやチップ部品（コンデンサ、インダクタ等）といった異種部品を同一回路基板上に実装するパッケージ技術がある。このうち、回路基板上に多数の部品を実装するための技術として、例えば、図５及び図６に示すような技術がある。

図５に示す電子装置１Ｂは、電子部品２００Ｂ群を内蔵した回路基板１００Ｂ、いわゆる部品内蔵基板を用い、そのような回路基板１００Ｂ上に更に電子部品２００群を実装した構造を有する。また、図６に示す電子装置１Ｃは、電子部品２００群を実装した回路基板１００上に、電子部品２００Ｃ群を実装した別の回路基板１００Ｃを、バンプ５００Ｃを用いて接合した、いわゆるＰｏＰ（Package on Package）構造を有する。

近年では、センサモジュール等の付加価値の高いモジュールの需要が高まっており、パッケージに搭載される部品数が増大する傾向にある。例えば、図５に示す電子装置１Ｂで搭載部品数を増大させようとすると、回路基板１００Ｂの内蔵部品数や回路基板１００Ｂ上の実装部品数の増大により、回路基板１００Ｂの厚みや面積が大きくなり、電子装置１Ｂが大型化する。また、図６に示す電子装置１Ｃでは、回路基板１００と回路基板１００Ｃの重ね合わせによって電子装置１Ｃが大型になり易く、回路基板１００又は回路基板１００Ｃに高背の部品を搭載するような場合には、電子装置１Ｃが一層大型化する。

このような大型化を招く電子装置１Ｂや電子装置１Ｃのような構造を採用する方法のほか、搭載部品数を増大させる方法として、回路基板上の実装部品間隔を狭める方法がある。但し、実装部品間隔を狭めることで、部品間に電磁干渉が発生してしまうような場合には、電磁シールド機能を持たせる必要が生じる。このような電磁シールド機能を持たせた電子装置の一例が図７である。

図７に示す電子装置１Ｄは、回路基板１００上に実装される電子部品２００群のうち、電磁波を発生する、例えば電子部品２１０及び電子部品２８０に、それぞれ金属カバー６１０及び金属カバー６８０を被せた、いわゆる気密封止構造を有する。このように電子部品２１０及び電子部品２８０をそれぞれ金属カバー６１０及び金属カバー６８０で覆うことで、互いの電磁干渉、又は各々と他の電子部品との電磁干渉を抑える。

しかし、このような気密封止構造では、金属カバー６１０を電子部品２１０とその周りの一定空間を封止するようなサイズとし、また、金属カバー６８０を電子部品２８０とその周りの一定空間を封止するようなサイズとすると、気密封止エリアの面積が大きくなる。即ち、金属カバー６１０及び金属カバー６８０の、回路基板１００上での占有面積が大きくなる。その結果、電子部品２１０と電子部品２８０を一定距離以上近接させることができず、また、電子部品２１０や電子部品２８０に他の電子部品（例えば電子部品２４０や電子部品２６０）を一定距離以上近接させることができず、高密度実装が難しくなる。

これに対し、上記電子装置１Ａ（図３及び図４）では、電子部品２１０及び電子部品２８０に接するように設けられるフレキシブル基板３００の電磁シールド層３１０及び電磁シールド層３８０でそれぞれ電子部品２１０及び電子部品２８０が覆われる。そのフレキシブル基板３００上の、電子部品２１０及び電子部品２８０の上方にそれぞれ電子部品４１０及び電子部品４８０が実装される。このようにして、電磁干渉し得る電子部品２１０と電子部品４１０、電子部品２８０と電子部品４８０が、いずれも近接して配置される。他の電子部品２２０〜２７０は、互いに近接させて配置することができ、また、電子部品２２０を電子部品２１０に近接させて配置したり、電子部品２７０を電子部品２８０に近接させて配置したりすることもできる。

電子装置１Ａでは、電子部品２００群及び電子部品４００群の高密度実装が可能であり、それにより、回路基板１００の大面積化、電子装置１Ａの大型化を抑えることが可能になる。上記の金属カバー６１０及び金属カバー６８０による気密封止構造を採用する電子装置１Ｄに比べて、小型の電子装置１Ａが実現可能となり、上記の部品内蔵基板を用いる電子装置１ＢやＰｏＰ構造の電子装置１Ｃに比べて、小型、低背の電子装置１Ａが実現可能となる。

続いて、上記のような構成を有する電子装置１Ａの形成方法について、図８〜図２０を参照して説明する。
図８及び図９は第２の実施の形態に係る電子部品実装回路基板の説明図である。図８には、第２の実施の形態に係る電子部品実装回路基板の要部平面を模式的に図示している。図９には、図８のＬ２−Ｌ２線に沿った断面を模式的に図示している。

例えば、図８及び図９に示すような、電子部品２００群が実装された回路基板１００を準備する。
ここで、電子部品２００群は、各々の端子が、回路基板１００の対応する端子１２１と接合される。例えば、図９に示すように、電子部品２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０，２８０の各々の端子２１１，２２１，２３１，２４１，２５１，２６１，２７１，２８１が、回路基板１００の対応する端子１２１と接合される。例えば、半田等の接合材が用いられ、電子部品２００群の各々の端子が回路基板１００の対応する端子１２１と接合される。

図１０及び図１１は第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の説明図である。図１０には、第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の要部平面を模式的に図示している。図１１には、図１０のＬ３−Ｌ３線に沿った断面を模式的に図示している。尚、図１０では、フレキシブル基板３００内の配線３３２ｃの一部を模式的に図示している。

例えば、図１０及び図１１に示すようなフレキシブル基板３００を準備する。フレキシブル基板３００は、ベース層３２０と、ベース層３２０上に電磁シールド層３０１群を挟んで設けられた配線層３３０と、縁部に設けられた端子３４０とを有する。

ここでは電磁シールド層３０１群として、３つの電磁シールド層３１０、電磁シールド層３８０及び電磁シールド層３９０（図１０）を例示する。電磁シールド層３１０、電磁シールド層３８０及び電磁シールド層３９０はそれぞれ、回路基板１００上の３箇所の電子部品２１０、電子部品２８０及び電子部品２９０（図８）に対応する位置に設けられる。尚、電子部品２９０は、例えば、マイコン等のパッケージ部品である。

配線層３３０は、絶縁部３３１と、フレキシブル基板３００上に実装される電子部品４００群の端子（図２０の端子４１１及び端子４８１等）に対応する位置に設けられた端子３３２ａと、それと電気的に接続されるビア３３２ｂ及び配線３３２ｃとを含む。ビア３３２ｂ及び配線３３２ｃは、フレキシブル基板３００の縁部に設けられる端子３４０と電気的に接続される。

フレキシブル基板３００は、例えば、次のような方法を用いて形成することができる。
図１２及び図１３は第２の実施の形態に係るフレキシブル基板形成方法の第１の例を示す図である。図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）には、配線層形成工程の要部断面を模式的に図示している。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）には、熱圧着工程の要部断面を模式的に図示している。

まず、図１２（Ａ）に示すように、絶縁部３３１ａ（上記絶縁部３３１の一部）を形成し、その上に、所定のパターン形状の配線３３２ｃを形成する。絶縁部３３１ａには、例えば、感光性又は非感光性の熱可塑性エラストマー（ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー等）を用いることができる。配線３３２ｃは、例えば、絶縁部３３１ａ上にＣｕ等の箔を貼付し、その箔を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで、形成することができる。或いは、絶縁部３３１ａ上に、フォトリソグラフィ技術とめっき等の導体形成技術を用いて、所定のパターンの配線３３２ｃを形成してもよい。

次いで、図１２（Ｂ）に示すように、配線３３２ｃが形成された絶縁部３３１ａ上に、更に絶縁部３３１ｂ（上記絶縁部３３１の一部）を形成し、形成した絶縁部３３１ｂに、配線３３２ｃに通じる開口部３３１ｂａを形成する。絶縁部３３１ｂには、例えば、感光性又は非感光性の熱可塑性エラストマー（ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー等）を用いることができる。絶縁部３３１ｂに感光性の熱可塑性エラストマーを用いる場合には、その露光及び現像により、開口部３３１ｂａを形成する。絶縁部３３１ｂに非感光性の熱可塑性エラストマーを用いる場合には、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、開口部３３１ｂａを形成する。

次いで、図１２（Ｃ）に示すように、絶縁部３３１ｂの開口部３３１ｂａ内及び表面の一部に導体材料を形成し、ビア３３２ｂ及び端子３３２ａを形成する。例えば、フォトリソグラフィ技術により、開口部３３１ｂａを含む端子３３２ａの形成領域に開口部を有するレジストを形成し、それをマスクにしてめっき等の導体形成技術によりＣｕ等の導体材料を形成することで、ビア３３２ｂ及び端子３３２ａを形成する。形成後、レジストを除去することで、図１２（Ｃ）のような状態が得られる。

例えば、この図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）に示すような方法を用いて、フレキシブル基板３００の配線層３３０を形成する。配線層３３０の厚さは、例えば、１００μｍとすることができる。

尚、ここでは１層の配線３３２ｃ（及びビア３３２ｂ）を例にしたが、２層以上の配線３３２ｃを形成してもよく、その場合は、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）の例に従う工程を繰り返し、所望の層数の配線３３２ｃを形成すればよい。

配線層３３０と共に、図１３（Ａ）に示すようなベース層３２０、及び電磁シールド層３０１を準備する。
ベース層３２０には、例えば、熱可塑性エラストマー（スチレン系熱可塑性エラストマー等）を用いることができる。ベース層３２０の厚さは、例えば、１００μｍとすることができる。

電磁シールド層３０１には、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、フェライト、Ｃｕ、Ａｌ等の箔を用いることができる。電磁シールド層３０１には、箔のほか、Ｎｉ、Ｆｅ、フェライト、Ｃｕ、Ａｌ等の粒子をエポキシ等の樹脂中に含有、分散させたフィルムを用いてもよい。電磁シールド層３０１の材料は、例えば、所定の電子部品２００及び電子部品４００を伝搬する信号の周波数、所定の電子部品２００及び電子部品４００から放射される電磁波の周波数等に基づいて、選択される。電磁シールド層３０１の厚さは、例えば、５０μｍとすることができる。電磁シールド層３０１は、フレキシブル基板３００が後述のように回路基板１００上に電子部品２００群の表面に沿って設けられた時に、電磁シールドされるべき電子部品２００を覆うようになる位置とサイズで、設けられる。

図１３（Ａ）に示すような３層の配線層３３０、電磁シールド層３０１及びベース層３２０を準備し、これら３層を、例えば、温度１５０℃で圧力２０ＭＰａの条件で真空プレスする。これにより、配線層３３０、電磁シールド層３０１及びベース層３２０を熱圧着して一体化し、図１３（Ｂ）に示すようなフレキシブル基板３００を得る。

ここで、フレキシブル基板３００の端子３４０は、例えば、次の図１４又は図１５に示すように形成することができる。
図１４は第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の端子形成方法の一例を示す図である。図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）には、端子形成工程の一例の要部断面を模式的に図示している。

図１４に示す方法では、上記図１２（Ａ）に示した絶縁部３３１ａに、これを貫通し且つ配線３３２ｃに接続されるＣｕ等の電極部３４１（端子３４０の一部）を形成する。電極部３４１は、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いた孔あけ加工、又はレーザー加工技術を用いた孔あけ加工によって絶縁部３３１ａに孔を形成し、その孔に導体形成技術等を用いてＣｕ等の導体を形成することで、得られる。このような電極部３４１及び配線３３２ｃを形成した絶縁部３３１ａ上に、上記図１２（Ｂ）の例に従って開口部３３１ｂａを有する絶縁部３３１ｂを形成し、上記図１２（Ｃ）の例に従ってビア３３２ｂ及び端子３３２ａを形成する。これにより、図１４（Ａ）に示すような配線層３３０を得る。

この配線層３３０と一体化するベース層３２０には、図１４（Ａ）に示すように、配線層３３０の電極部３４１と対応する位置に、ベース層３２０を貫通するＣｕ等の電極部３４２（端子３４０の一部）を形成する。電極部３４２は、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いた孔あけ加工、又はレーザー加工技術を用いた孔あけ加工によってベース層３２０に孔を形成し、その孔に導体形成技術等を用いてＣｕ等の導体を形成することで、得られる。

そして、このような配線層３３０とベース層３２０とを、図１４（Ｂ）に示すように、電磁シールド層３０１を挟んで熱圧着し、一体化する。その際、対応する位置に設けた配線層３３０の電極部３４１とベース層３２０の電極部３４２とを接合することで、端子３４０を形成する。

図１５は第２の実施の形態に係るフレキシブル基板の端子形成方法の別例を示す図である。図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）には、端子形成工程の別例の要部断面を模式的に図示している。

図１５に示す方法では、まず、上記図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）の例に従って配線層３３０、電磁シールド層３０１及びベース層３２０を熱圧着し、一体化する。
その後、レーザーを用いた孔あけ加工により、ベース層３２０側から配線層３３０の配線３３２ｃに達する孔、又は図１５（Ａ）に示すような、ベース層３２０及び配線層３３０を貫通する孔３４３を形成する。例えばこのようなベース層３２０を貫通して配線層３３０の配線３３２ｃに通じる孔３４３を形成した後、図１５（Ｂ）に示すように、その孔３４３内に導体形成技術等を用いてＣｕ等の導体材料を形成することで、端子３４０を形成する。

例えば、この図１４又は図１５に示すような方法を用いて、端子３４０を形成する。
フレキシブル基板３００は、上記のような熱圧着法のほか、次のような方法を用いて形成することもできる。

図１６は第２の実施の形態に係るフレキシブル基板形成方法の第２の例を示す図である。図１６（Ａ）〜図１６（Ｄ）には、ビルドアップ工程の要部断面を模式的に図示している。

まず、図１６（Ａ）に示すように、ベース層３２０上に、電磁シールド層３０１を形成する。ベース層３２０には、例えば、熱可塑性エラストマー（スチレン系熱可塑性エラストマー等）を用いることができる。ベース層３２０の厚さは、例えば、１００μｍとすることができる。このようなベース層３２０上に、電磁シールド層３０１として、Ｎｉ、フェライト等の箔、又はＮｉ、フェライト等の粒子を含むフィルムを形成する。電磁シールド層３０１の厚さは、例えば、５０μｍとすることができる。電磁シールド層３０１は、フレキシブル基板３００が後述のように回路基板１００上に電子部品２００群の表面に沿って設けられた時に、電磁シールドされるべき電子部品２００を覆うようになる位置とサイズで、設けられる。

その後は、上記図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）で述べたのと同様の工程を実施し、電磁シールド層３０１を形成したベース層３２０上に、配線層３３０を形成する。即ち、図１６（Ｂ）に示すように、熱可塑性エラストマー（ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー等）を用いて絶縁部３３１ａを形成し、その上に、Ｃｕ等を用いて所定のパターン形状の配線３３２ｃを形成する。次いで、図１６（Ｃ）に示すように、熱可塑性エラストマー（ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー等）を用いて、配線３３２ｃに通じる開口部３３１ｂａを有する絶縁部３３１ｂを形成する。次いで、図１６（Ｄ）に示すように、絶縁部３３１ｂの開口部３３１ｂａ内及び表面の一部にＣｕ等の導体材料を形成し、ビア３３２ｂ及び端子３３２ａを形成する。このようにして、電磁シールド層３０１を形成したベース層３２０上に、配線層３３０を形成する。配線層３３０の厚さは、例えば、１００μｍとすることができる。

例えば、この図１６（Ａ）〜図１６（Ｄ）に示すようなビルドアップ法を用いて、フレキシブル基板３００を形成してもよい。
尚、このようなビルドアップ法を用いる場合も、端子３４０は、上記図１４又は図１５に示したような方法で形成することができる。即ち、図１４の例に従い、図１６（Ａ）の工程において、ベース層３２０の所定の位置にＣｕ等の電極部３４２を形成し、図１６（Ｂ）の工程において、その電極部３４２に対応して、絶縁部３３１ａにＣｕ等の電極部３４１を形成することで、端子３４０を形成する。又は、図１５の例に従い、図１６（Ｄ）の工程まで行った後に、ベース層３２０を貫通して配線層３３０の配線３３２ｃに通じる孔３４３等を形成し、そこにＣｕ等の導体材料を形成することで、端子３４０を形成する。

図１７及び図１８は第２の実施の形態に係るフレキシブル基板配設の説明図である。図１７には、第２の実施の形態に係るフレキシブル基板を配設した電子部品実装回路基板の要部平面を模式的に図示している。図１８（Ａ）には、フレキシブル基板配設の第１の工程を示し、図１８（Ｂ）には、フレキシブル基板配設の第２の工程を示している。図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）には、図１７のＬ４−Ｌ４線に沿った位置に相当する要部断面を模式的に図示している。尚、図１７では、フレキシブル基板３００内の配線３３２ｃの一部を模式的に図示し、図１８では、フレキシブル基板３００内のビア３３２ｂ及び配線３３２ｃの図示を省略している。

図１８（Ａ）に示すように、電子部品２００群が実装された回路基板１００上に、フレキシブル基板３００を、そのベース層３２０を電子部品２００群及び回路基板１００の側に対向させて、配置する。そして、配置したフレキシブル基板３００を、例えば、真空ラミネータを用い、温度１２０℃で圧力１０ＭＰａの条件で、電子部品２００群が実装された回路基板１００にラミネートする。これにより、図１８（Ｂ）及び図１７に示すような状態を得る。

図１８（Ｂ）に示すように、フレキシブル基板３００を電子部品２００群及び回路基板１００の側にラミネートすることで、フレキシブル基板３００は、回路基板１００上の電子部品２００群の表面（上面、又は上面と側面）に沿った形状に変形する。フレキシブル基板３００は、ラミネートの際、そのベース層３２０及び配線層３３０（その絶縁部３３１）が有する伸縮性により、配線層３３０内の導体部の断線等を抑えて、電子部品２００群の表面に沿った形状に柔軟に変形する。ラミネートに伴う変形により、フレキシブル基板３００のベース層３２０が電子部品２００群の表面に接する。ベース層３２０に粘着性を有するものを用いていると、フレキシブル基板３００がそのベース層３２０によって電子部品２００群の表面及び回路基板１００の表面に接着され、固定される。

フレキシブル基板３００内の所定の位置に所定のサイズで予め設けられている電磁シールド層３０１群、即ち電磁シールド層３１０，３８０，３９０（図１７）は、フレキシブル基板３００がラミネートされた時に、それぞれ電子部品２１０，２８０，２９０（図１７）を覆う。例えば、図１８（Ｂ）に示すように、電子部品２１０の上面２１０ａ及び側面２１０ｂに対応する部位に電磁シールド層３１０が配置され、電子部品２１０が電磁シールド層３１０で覆われる。更に、図１８（Ｂ）に示すように、電子部品２８０の上面２８０ａ及び側面２８０ｂに対応する部位に電磁シールド層３８０が配置され、電子部品２８０が電磁シールド層３１０で覆われる。図１７に示す電子部品２９０についても同様である。

フレキシブル基板３００のラミネート法には、例えば、フレキシブル基板３００を、回路基板２００上の電子部品２００群の配置、形状等に基づいて設定された所定の位置に配置し、その状態からラミネータを用いてラミネートする方法がある。

フレキシブル基板３００は、ラミネートの際、その端子３４０が回路基板１００の端子１２２に接合される。端子３４０は、フレキシブル基板３００がラミネートされた時に回路基板１００の端子１２２と接合されるような位置に、予めフレキシブル基板３００に設けられる。フレキシブル基板３００と回路基板１００とは、互いの端子３４０と端子１２２とが接合されることで、電気的に接続される。

また、ラミネート前にフレキシブル基板３００の端子３４０と回路基板１００の端子１２２とを直接、又は半田や導電性接着剤等の接合材を用いて接続しておき、その状態からラミネータを用いてラミネートする方法もある。

また、ラミネート前のフレキシブル基板３００に端子３４０は設けず、ラミネート後に、フレキシブル基板３００の導体部と回路基板１００の端子１２２とに電気的に接続される位置に孔あけ加工及び導体形成を行って端子３４０を形成する方法もある。ラミネート後で、更に後述の電子部品４００群の実装後に、このような端子３４０の形成を行ってもよい。

ラミネート時に端子３４０と端子１２２とが電気的に接続されるように、端子３４０を含めたフレキシブル基板３００の導体部３３２、及び端子１２２を含めた回路基板１００の導体部１２０の、平面レイアウト、平面形状、平面サイズ等を設定することができる。

図１９及び図２０は第２の実施の形態に係る電子部品実装の説明図である。図１９には、第２の実施の形態に係る電子部品が実装された電子装置の要部平面を模式的に図示している。図２０（Ａ）には、電子部品実装の第１の工程を示し、図２０（Ｂ）には、電子部品実装の第２の工程を示している。図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）には、図１９のＬ５−Ｌ５線に沿った位置に相当する要部断面を模式的に図示している。尚、図１９では、フレキシブル基板３００内の配線３３２ｃの一部を模式的に図示し、図２０では、フレキシブル基板３００内のビア３３２ｂ及び配線３３２ｃの図示を省略している。

図１９並びに図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）に示すように、回路基板１００上の電子部品２００群の表面に沿って設けられたフレキシブル基板３００の上に、電子部品４００群、この例では電子部品４１０、電子部品４８０及び電子部品４９０（図１９）が実装される。電子部品４１０，４８０，４９０はそれぞれ、回路基板１００上の電子部品２１０，２８０，２９０（図１９）の上方で、フレキシブル基板３００の電磁シールド層３１０，３８０，３９０（図１９）の上方に、実装される。例えば、図２０（Ａ）に示すように、電子部品４１０の端子４１１及び電子部品４８０の端子４８１がそれぞれ、フレキシブル基板３００の対応する端子３３２ａと位置合わせされ、図２０（Ｂ）に示すように、対応する端子３３２ａと接合される。電子部品４９０についても同様である。例えば、半田等の接合材が用いられ、電子部品４００群の各々の端子がフレキシブル基板３００の対応する端子３３２ａと接合される。これにより、図２０（Ｂ）及び図１９に示すような電子装置１Ａが得られる。

上記電子装置１Ａに関する実施例を以下に示す。
〔実施例１〕
スチレン系熱可塑性エラストマーを用いた厚さ１００μｍのベース層３２０、Ｎｉ箔を用いた厚さ５０μｍの電磁シールド層３１０，３８０，３９０、及び、ポリブタジエン系熱可塑性エラストマーを用いた厚さ１００μｍの配線層３３０を準備した（図１２及び図１３）。これら３層を、温度１５０℃で圧力２０ＭＰａの条件で真空プレスし、熱圧着することで、フレキシブル基板３００を得た（図１３）。フレキシブル基板３００には、配線層３３０の導体部３３２に電気的に接続された端子３４０を形成した（図１４又は図１５）。

得られたフレキシブル基板３００を、電子部品２００群が実装された回路基板１００上に、真空ラミネータを用い、温度１２０℃で圧力１０ＭＰａの条件でラミネートし、同時にフレキシブル基板３００の端子３４０を回路基板１００の端子１２２に接合した（図１７及び図１８）。

その後、回路基板１００上の電子部品２１０，２８０，２９０の上方で、フレキシブル基板３００の電磁シールド層３１０，３８０，３９０の上方に、電子部品４１０，４８０，４９０を実装し、電子装置１Ａを得た（図１９及び図２０）。

このような電子装置１Ａを形成した後、電気試験を行い、電磁シールド効果に問題なく、電子装置１Ａが正常動作することを確認した。
〔実施例２〕
実施例１の、Ｎｉ箔を用いた電磁シールド層３１０，３８０，３９０を、フェライト粒子（粉末）をエポキシ樹脂に分散させたフィルムを用いた電磁シールド層３１０，３８０，３９０に替えて、実施例１と同様のプロセスで電子装置１Ａを得た。

このような電子装置１Ａを形成した後、電気試験を行い、電磁シールド効果に問題なく、電子装置１Ａが正常動作することを確認した。
また、図２１及び図２２は第２の実施の形態に係る電子装置の別例を示す図である。図２１には、第２の実施の形態に係る電子装置の別例の要部平面を模式的に図示し、図２２には、図２１のＬ６−Ｌ６線に沿った断面を模式的に図示している。尚、図２１では、フレキシブル基板３００内の配線３３２ｃの一部を模式的に図示し、図２２では、フレキシブル基板３００内のビア３３２ｂ及び配線３３２ｃの図示を省略している。

図２１及び図２２に示す電子装置１Ａａは、フレキシブル基板３００の、電子部品２５０の上面２５０ａ及び側面２５０ｂに対応する部位に、電磁シールド層３０１として更に電磁シールド層３５０が設けられた構成を有する。この電磁シールド層３５０の上方に、電子部品４００として更に電子部品４５０が実装される。電子部品４５０は、図２２に示すように、その端子４５１が、フレキシブル基板３００の端子３３２ａに接合され、フレキシブル基板３００と電気的に接続される。電子装置１Ａａは、このような点で、上記電子装置１Ａと相違する。

電子装置１Ａａにおいて、電子部品２５０は、センサパッケージ、無線通信パッケージ、マイコン等のパッケージ部品とされる。電子部品４５０も同様に、センサパッケージ、無線通信パッケージ、マイコン等のパッケージ部品とされる。電子部品２５０と電子部品４５０との間に電磁シールド層３５０が介在することで、電子部品２５０と電子部品４５０の電磁干渉が効果的に抑えられる。

以上述べた電子装置１Ａ及び電子装置１Ａａのように、フレキシブル基板３００の電磁シールド層３０１群は、回路基板１００上の電子部品２００群の、各種電子部品２００に対応して、設けることができる。そして、設けた電磁シールド層３０１の上方に、各種電子部品４００を実装することができる。

尚、電磁シールド層３０１の上方には、必ずしも電子部品４００が実装されることを要しない。電子部品２００が電磁シールド層３０１で覆われていることで、当該電子部品２００への外部からの電磁波の入射を効果的に抑えることが可能になる。

また、以上説明した第１の実施の形態に係る電子装置１、並びに第２の実施の形態に係る電子装置１Ａ及び電子装置１Ａａは、各種電子機器に用いることができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に用いることができる。

図２３は電子機器の一例を示す図である。
図２３に示すように、例えば第２の実施の形態で述べた電子装置１Ａが、電子機器７００に搭載（内蔵）される。上記のように、電子装置１Ａでは、フレキシブル基板３００の電磁シールド層３０１を挟んで配置される、回路基板１００上の電子部品２００と、フレキシブル基板３００上の電子部品４００との、電磁干渉が抑えられる。これにより、性能、信頼性の高い電子機器７００が実現される。電子装置１Ａでは、回路基板１００上における電子部品２００及び電子部品４００の高密度実装が可能であり、それにより、回路基板１００の大型化、電子装置１Ａの大型化が抑えられる。これにより、大型化を抑えた電子機器７００が実現される。

ここでは、電子機器７００に第２の実施の形態で述べた電子装置１Ａを搭載する例を示したが、第２の実施の形態で述べた電子装置１Ａａや、第１の実施の形態で述べた電子装置１も同様に搭載することが可能であり、同様の効果を得ることが可能である。

以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 回路基板と、
前記回路基板上に実装された第１電子部品と、
前記第１電子部品が実装された前記回路基板上に設けられ、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に実装された第２電子部品と
を含むことを特徴とする電子装置。

（付記２） 前記第２電子部品は、前記第１電磁シールド層の上方に位置することを特徴とする付記１に記載の電子装置。
（付記３） 前記フレキシブル基板は、
前記第１電子部品及び前記回路基板の側の第１層と、
前記第１層上に前記第１電磁シールド層を部分的に挟んで設けられた第２層と
を含むことを特徴とする付記１又は２に記載の電子装置。

（付記４） 前記第１層は、前記第１電子部品の上面及び側面に接着されることを特徴とする付記３に記載の電子装置。
（付記５） 前記第２層は、絶縁部と、前記絶縁部内に設けられた導体部とを含み、
前記第２電子部品は、前記導体部と電気的に接続されることを特徴とする付記３又は４に記載の電子装置。

（付記６） 前記フレキシブル基板は、前記導体部と電気的に接続された端子が設けられ前記回路基板に接する部位を有し、前記端子を用いて前記回路基板と電気的に接続されることを特徴とする付記５に記載の電子装置。

（付記７） 前記第１層及び前記第２層は、伸縮性を有し、
前記第２層は、前記第１層よりも伸縮性が低いことを特徴とする付記３乃至６のいずれかに記載の電子装置。

（付記８） 前記回路基板上に実装された第３電子部品を更に含み、
前記フレキシブル基板は、前記第１電子部品及び前記第３電子部品が実装された前記回路基板上に設けられ、前記第３電子部品に接することを特徴とする付記１乃至７のいずれかに記載の電子装置。

（付記９） 前記フレキシブル基板は、前記第３電子部品の上面及び側面に接し、前記第３電子部品の上面及び側面に対応する部位に第２電磁シールド層を有することを特徴とする付記８に記載の電子装置。

（付記１０） 第１電子部品が実装された回路基板上に、第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板を、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、且つ、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に前記第１電磁シールド層が位置するように、設ける工程と、
前記フレキシブル基板上に第２電子部品を実装する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。

（付記１１） 前記フレキシブル基板を設ける工程は、前記フレキシブル基板を、ラミネータを用いて、前記第１電子部品が実装された前記回路基板上にラミネートする工程を含むことを特徴とする付記１０に記載の電子装置の製造方法。

（付記１２） 前記フレキシブル基板は、
前記第１電子部品及び前記回路基板の側の第１層と、
前記第１層上に前記第１電磁シールド層を部分的に挟んで設けられた第２層と
を含むことを特徴とする付記１０又は１１に記載の電子装置の製造方法。

（付記１３） 前記第２層は、絶縁部と、前記絶縁部内に設けられた導体部とを含み、
前記第２電子部品を実装する工程は、前記第２電子部品を前記導体部と電気的に接続する工程を含むことを特徴とする付記１２に記載の電子装置の製造方法。

（付記１４） 前記フレキシブル基板は、前記導体部と電気的に接続された端子が設けられ前記回路基板に接する部位を有し、
前記フレキシブル基板を設ける工程は、前記端子を用いて前記フレキシブル基板を前記回路基板と電気的に接続する工程を含むことを特徴とする付記１３に記載の電子装置の製造方法。

（付記１５） 回路基板と、
前記回路基板上に実装された第１電子部品と、
前記第１電子部品が実装された前記回路基板上に設けられ、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に実装された第２電子部品と
を含む電子装置を備えることを特徴とする電子機器。

１，１ａ，１Ａ，１Ａａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 電子装置
１０，１００，１００Ｂ，１００Ｃ 回路基板
１０ａ，１００ａ，３２０ａ，３２０ｂ 表面
１１，１１０，３３１，３３１ａ，３３１ｂ 絶縁部
１２，１２０，３３２ 導体部
１２ａ，１２ｂ，２１，３２，４１，１２１，１２２，２１１，２２１，２３１，２４１，２５１，２６１，２７１，２８１，３３２ａ，３４０，４１１，４５１，４８１ 端子
１２ｃ，３３２ｂ ビア
１２ｄ，３３２ｃ 配線
２０，４０，２００，２００Ｂ，２００Ｃ，２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０，２７０，２８０，２９０，４００，４１０，４５０，４８０，４９０ 電子部品
２０ａ，２１０ａ，２５０ａ，２８０ａ 上面
２０ｂ，２１０ｂ，２５０ｂ，２８０ｂ 側面
３０，３００ フレキシブル基板
３１，３０１，３１０，３５０，３８０，３９０ 電磁シールド層
５０，６１０，６８０ 金属カバー
３２０ ベース層
３３０ 配線層
３３１ｂａ 開口部
３４１，３４２ 電極部
３４３ 孔
５００Ｃ バンプ
７００ 電子機器

Claims (8)

1. 回路基板と、
   前記回路基板上に実装された第１電子部品と、
   前記第１電子部品が実装された前記回路基板上に設けられ、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板と、
   前記フレキシブル基板上に実装された第２電子部品と
   を含むことを特徴とする電子装置。
2. 前記フレキシブル基板は、
   前記第１電子部品及び前記回路基板の側の第１層と、
   前記第１層上に前記第１電磁シールド層を部分的に挟んで設けられた第２層と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記第２層は、絶縁部と、前記絶縁部内に設けられた導体部とを含み、
   前記第２電子部品は、前記導体部と電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
4. 前記フレキシブル基板は、前記導体部と電気的に接続された端子が設けられ前記回路基板に接する部位を有し、前記端子を用いて前記回路基板と電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
5. 前記第１層及び前記第２層は、伸縮性を有し、
   前記第２層は、前記第１層よりも伸縮性が低いことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の電子装置。
6. 第１電子部品が実装された回路基板上に、第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板を、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、且つ、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に前記第１電磁シールド層が位置するように、設ける工程と、
   前記フレキシブル基板上に第２電子部品を実装する工程と
   を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
7. 前記フレキシブル基板を設ける工程は、前記フレキシブル基板を、ラミネータを用いて、前記第１電子部品が実装された前記回路基板上にラミネートする工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
8. 回路基板と、
   前記回路基板上に実装された第１電子部品と、
   前記第１電子部品が実装された前記回路基板上に設けられ、前記第１電子部品の上面及び側面に接し、前記第１電子部品の上面及び側面に対応する部位に第１電磁シールド層を有するフレキシブル基板と、
   前記フレキシブル基板上に実装された第２電子部品と
   を含む電子装置を備えることを特徴とする電子機器。

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