JP2017091693A - 表示装置の製造方法及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザアブレーションにより有機膜を除去する場合であっても、レーザ照射面積の増大が抑制される表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置の製造方法は、複数の下部電極３０が形成される表示領域Ａ及び表示領域を囲む周辺領域Ｅを含む樹脂層２３に、表示領域を囲んで樹脂層を分断する帯状の溝４０を形成する工程と、樹脂層の上と溝の内側に、複数の下部電極の上に載るように、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程と、少なくとも溝の底面に有機エレクトロルミネッセンス層の一部を島状に残し、溝の底面が表示領域を囲んで連続して露出するように、パルスレーザを照射して、有機エレクトロルミネッセンス層を除去する工程と、有機エレクトロルミネッセンス層の上に、上部電極３４を形成する工程と、有機エレクトロルミネッセンス層を覆うように、封止層３５を形成する工程と、を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。

有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の表示装置では、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、ＯＬＥＤ）等の自発光素子をトランジスタ等のスイッチング素子を用いて制御し、画像を表示する場合がある。ここで、有機発光ダイオードに用いられる有機材料は、水や酸素と反応して劣化する場合がある。そのため、有機材料が外気に触れないように、有機ＥＬパネルを封止する場合がある。

下記特許文献１には、画素ごとに独立に形成され、平坦部と斜面部とを有する有機材料膜を含むＥＬ素子が記載されている。

また、下記特許文献２には、シール部材と画素領域の間に設けられた分断領域により分断された有機絶縁膜を有する有機ＥＬ表示装置が記載されている。

特開２００６−３０２８６０号公報 特開２００４−３３５２６７号公報

水や酸素は、表示装置の額縁領域から侵入して、表示領域と額縁領域にわたって形成された有機膜の内部を通って表示領域に到達する場合がある。そのため、表示領域の周囲の有機膜を除去して、表示領域に形成された有機膜に水や酸素が侵入することを防ぐ構造を採用する場合がある。

有機膜の除去は、レーザアブレーションにより行われる場合がある。その場合、表示領域の大きさに応じてレーザ照射面積が増大し、有機膜を除去するためのコストが増大する。また、レーザ照射面積が増大すると、照射熱により有機膜の特性が劣化したり、除去された有機膜が飛散することにより表示装置の品質が劣化したりする場合がある。

そこで、本発明は、レーザアブレーションにより有機膜を除去する場合であっても、レーザ照射面積の増大が抑制される表示装置の製造方法及び表示装置の提供を目的とする。

本発明の表示装置の製造方法は、複数の下部電極が形成される表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む樹脂層に、前記表示領域を囲んで前記樹脂層を分断する帯状の溝を形成する工程と、前記樹脂層の上と前記溝の内側に、前記複数の下部電極の上に載るように、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、少なくとも前記溝の底面に前記有機エレクトロルミネッセンス層の一部を島状に残し、前記溝の前記底面が前記表示領域を囲んで連続して露出するように、パルスレーザを照射して、前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に、上部電極を形成する工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うように、封止層を形成する工程と、を有する。

また、本発明の表示装置は、複数の下部電極が形成される表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含み、前記表示領域を囲んだ部分を分断する帯状の溝を有する樹脂層と、前記複数の下部電極の上に載るように、前記表示領域及び前記周辺領域に形成され、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に形成される上部電極と、前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うように形成される封止層と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記溝の内側と外側を分断しているが、前記溝の底面に島状に残っている。

本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの画素の等価回路図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの断面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第１の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第２の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第３の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第４の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第５の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルにおける溝の底面の上面図である。 本発明の実施形態の変形例に係る表示パネルにおける溝の底面の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第１の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第２の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第３の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第４の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第５の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第１の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第２の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第３の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第４の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第５の上面図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第６の上面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１を示す斜視図である。表示装置１は、上フレーム２と下フレーム３とで挟まれるように固定された表示パネル１０から構成されている。

図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示パネル１０の上面図である。表示パネル１０は、表示領域Ａにマトリクス状に設けられた複数の画素を有し、画素を制御して画像を表示する。各画素は、隣り合う２本の走査線１２、映像信号線１３及び電源線１４により囲まれる領域に形成される。表示領域Ａは、周辺を第１帯領域Ｂで囲まれている。また、第１帯領域Ｂは、第２帯領域Ｃで囲まれている。第１帯領域Ｂと第２帯領域Ｃとの間には、コンタクト領域Ｄが設けられている。ここで、第１帯領域Ｂは、外部からの水分等の侵入を防ぐために設けられる溝が形成される領域である。第２帯領域Ｃは、２枚の基板を接着するためにシール材が設けられる領域である。コンタクト領域Ｄは、上部電極と共通電極とが電気的に接続される領域である。表示パネル１０は、表示パネル１０の外部機器と電気的に接続される端子１１を有する。端子１１は、第２帯領域Ｃによって囲まれる領域の外側に形成され、対向基板によって覆われることなく露出している。

図３は、本発明の実施形態に係る表示パネル１０の画素の等価回路図である。走査信号駆動回路からの信号を伝える走査線１２は、画素に形成された画素トランジスタＳＳＴのゲートに電気的に接続される。走査線１２は、１つの行に並ぶ画素トランジスタについて共通である。映像信号駆動回路からの信号を伝える映像信号線１３は、画素トランジスタＳＳＴのソースに電気的に接続される。映像信号線１３は、１つの列に並ぶ画素トランジスタについて共通である。画素トランジスタＳＳＴのドレインは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート及び蓄積容量Ｃｓに電気的に接続される。駆動トランジスタＤＲＴのドレインは電源線１４に電気的に接続され、ソースは有機発光ダイオードＯＬＥＤの陽極に電気的に接続される。また、蓄積容量Ｃｓの他端は、駆動トランジスタＤＲＴのソースに電気的に接続される。有機発光ダイオードＯＬＥＤの陰極は接地線（共通電極）に電気的に接続される。

走査線１２に走査信号が印加されると画素トランジスタＳＳＴがオン状態となる。その状態で映像信号線１３に映像信号電圧が印加されると蓄積容量Ｃｓに映像信号電圧が書き込まれ、駆動トランジスタＤＲＴのゲートに映像信号電圧が印加されて駆動トランジスタＤＲＴがオン状態となる。駆動トランジスタＤＲＴのドレインに電気的に接続された電源線１４には、有機発光ダイオードＯＬＥＤを発光させるための電源電圧が印加される。駆動トランジスタＤＲＴがオン状態となると、映像信号電圧の大きさに応じた電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層から形成される。発光層に電流が流れると、ホールと電子が再結合することにより発光材料が励起され、発光材料が低準位に遷移する際に光を発する。

図４は、本発明の実施形態に係る表示パネル１０の断面図である。図４では、図２のＩＶ−ＩＶ断面を示しており、後述するように一部の構成を省略して図示している。表示パネル１０は、ガラス等で形成される基板２０と、基板２０の上に形成される駆動トランジスタＤＲＴとを含む。駆動トランジスタＤＲＴは、基板２０の上に半導体層で形成されたチャネルと、第１絶縁層２１を隔てて形成されたゲート電極と、第２絶縁層２２を隔てて形成されたソース電極及びドレイン電極から構成される。駆動トランジスタＤＲＴが形成された複数の層、すなわち基板２０、第１絶縁層及び第２絶縁層２２をＴＦＴ層と称することとする。

ＴＦＴ層を覆うように、平坦化樹脂層２３が形成される。平坦化樹脂層２３は、複数の下部電極３０が形成される表示領域Ａ及び表示領域Ａを囲む周辺領域Ｅを含み、表示領域Ａを囲んだ部分を分断する帯状の溝４０を有する。平坦化樹脂層２３は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅに形成されるが、第１帯領域Ｂ及び第２帯領域Ｃには形成されない。複数の下部電極３０は、平坦化樹脂層２３の上に金属で形成されてよい。また、複数の下部電極３０の端部を覆うように、画素分離膜３２が形成される。画素分離膜３２は、周辺領域Ｅにも形成されるが、第１帯領域Ｂ及び第２帯領域Ｃには形成されない。コンタクト領域Ｄにおいては、画素分離膜３２は部分的に形成されている。

さらに、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層３３が、複数の下部電極３０の上に載るように、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅに形成される。本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝４０の内側と外側を分断しているが、溝の底面４０ａに第１の島状部分３３ａが残っている。言い換えると、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、第１帯領域Ｂに形成される溝の底面４０ａにおいて部分的に除去されており、除去部分が第１帯領域Ｂにおいて連続して表示領域Ａを囲んでいる。また、第２帯領域Ｃに有機エレクトロルミネッセンス層３３は形成されていない。コンタクト領域Ｄにおいても、有機エレクトロルミネッセンス層３３は部分的に除去されており、平坦化樹脂層２３の上に形成された共通電極３１が部分的に露出している。

有機エレクトロルミネッセンス層３３の上には、上部電極３４がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料によって形成される。上部電極３４は、表示領域Ａと、第２帯領域Ｃを除く周辺領域Ｅに形成される。上部電極３４の上には、有機エレクトロルミネッセンス層３３を覆うように封止層３５が形成される。封止層３５は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成されて、有機エレクトロルミネッセンス層３３等を保護する。なお、表示パネル１０の上面にはカラーフィルター及び対向基板が設けられるが、図４においては図示を省略している。

図５は、本発明の実施形態に係る表示パネル１０の製造工程を示すフローチャートである。また、図６Ａ〜Ｅは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第１〜５の上面図である。はじめに、基板２０の上に形成される層であって、駆動トランジスタＤＲＴ等を含むＴＦＴ層の形成が行われる（Ｓ１）。ＴＦＴ層の上に平坦化樹脂層２３が形成される（Ｓ２）。そして、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅを含む平坦化樹脂層２３に、表示領域Ａを囲んで平坦化樹脂層２３を分断する帯状の溝４０を、第１帯領域Ｂに形成する工程が行われる（Ｓ３）。溝４０を形成する工程では、併せて、第２帯領域Ｃに形成された平坦化樹脂層２３を除去する（Ｓ３）。

その後、表示領域Ａに複数の下部電極２６が形成され、コンタクト領域Ｄに共通電極３１が形成される（Ｓ４）。さらに、複数の下部電極２６の端部を覆うように、画素分離膜３２が形成される（Ｓ５）。画素分離膜３２は、周辺領域Ｅにも形成されてよいが、第１帯領域Ｂ、第２帯領域Ｃ及びコンタクト領域Ｄの一部を避けるように形成される。あるいは、周辺領域Ｅ全体に画素分離膜３２を形成した後、第１帯領域Ｂ、第２帯領域Ｃ及びコンタクト領域Ｄの一部から画素分離膜３２を除去してもよい。

続いて、平坦化樹脂層２３の上と溝４０の内側に、複数の下部電極３０の上に載るように、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程が行われる（Ｓ６）。ここで、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成してよい。有機エレクトロルミネッセンス層３３を表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成することで、マスク等を用いて有機エレクトロルミネッセンス層３３をパターニングする必要がなくなり、有機エレクトロルミネッセンス層３３が汚染されるおそれがなくなるため、表示パネル１０の品質を高く保つことができる。

有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程において、周辺領域Ｅに形成され、上部電極３４に電源を供給する共通電極３１の上に、有機エレクトロルミネッセンス層３３が形成される。共通電極３１は、一部が画素分離膜３２から露出しており、当該露出した部分の上に有機エレクトロルミネッセンス層３３が形成される。

また、有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程において、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、周辺領域Ｅに設けられる端子１１の上に形成される。端子１１は、図２に示すように、外部機器と電気的に接続される端子である。

図６Ａは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第１の上面図である。同図には、有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程（Ｓ６）を終えた段階における表示パネルを示している。本実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成され、端子１１を覆う。

有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成した後、少なくとも溝の底面４０ａに有機エレクトロルミネッセンス層３３の一部を島状に残し、溝の底面４０ａが表示領域Ａを囲んで連続して露出するように、パルスレーザを照射して、有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する工程が行われる（Ｓ７）。次図において詳細に説明するように、当該工程によって、溝の底面４０ａに第１の島状部分３３ａを残して、有機エレクトロルミネッセンス層３３が分断される。

有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する工程では、併せて、共通電極３１の上で有機エレクトロルミネッセンス層３３が除去され、共通電極３１が露出される。また、有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する工程において、溝４０を囲む第２帯領域Ｃで、有機エレクトロルミネッセンス層３３が除去され、第２絶縁層２２が露出される。共通電極３１の上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３の除去と、第２帯領域Ｃに形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３の除去は、溝の底面４０ａに形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３の除去と同様に、パルスレーザを照射して行うが、ラインレーザを用いてもよいし、他の種類のレーザを用いることとしてもよい。

図６Ｂは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第２の上面図である。同図は、溝の底面４０ａ、共通電極３１及び第２帯領域Ｃの有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する工程（Ｓ７）を終えた段階における表示パネルを示している。有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝４０が形成される第１帯領域Ｂ、シール材が設けられる第２帯領域Ｃ及び共通電極３１が露出されるコンタクト領域Ｄにおいて除去される。

その後、有機エレクトロルミネッセンス層３３の上に、上部電極３４を形成する工程が行なわれる（Ｓ８）。上部電極３４は、表示領域Ａと、周辺領域Ｅのうち第２帯領域Ｃ以外の領域に連続的に形成される。上部電極３４を形成する工程において、上部電極３４は、共通電極３１の上に載るように形成される。これにより、上部電極３４と共通電極３１が電気的に接続され、上部電極３４に共通電位（接地電位）が供給される。また、上部電極３４を形成する工程において、周辺領域Ｅのうち第２帯領域Ｃを避けて第２帯領域Ｃで囲まれる領域に上部電極３４が形成される。これにより、第２帯領域Ｃに上部電極３４が形成されることが避けられ、後の工程でシールが確実に行えるようになる。

図６Ｃは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第３の上面図である。同図は、上部電極３４を形成する工程（Ｓ８）を終えた段階における表示パネルを示している。上部電極３４は、有機エレクトロルミネッセンス層３３に重ねて形成され、第２帯領域Ｃを除いて、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成される。

次に、有機エレクトロルミネッセンス層３３を覆うように、封止層３５を形成する工程が行なわれる（Ｓ９）。封止層３５は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成される。封止層３５を形成する工程において、エレクトロルミネッセンス層３３が除去された第２帯領域Ｃの面に載るように、封止層３５が形成される。これにより、周辺領域Ｅから外気や水分が侵入することが防がれる。

封止層３５を形成する工程において、封止層３５は、表示パネル１０全面に形成され、端子１１を覆うように形成される。これにより、より完全に有機エレクトロルミネッセンス層３３等を封止することができる。

図６Ｄは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第４の上面図である。同図は、封止層３５を形成する工程（Ｓ９）を終えた段階における表示パネルを示している。封止層３５は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成され、第２帯領域Ｃにも封止層３５が形成される。

さらに、封止層３５の上に、カラーフィルター及び対向基板３６が形成される（Ｓ１０）。ここで、対向基板３６は、第２帯領域Ｃに設けられるシール材によって、封止層３５と接着される。対向基板３６は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅを覆うように形成されるが、端子１１の上には形成されない。また、この工程において、第２帯領域Ｃの内側の領域であって、対向基板３６と封止層３５の間に、フィル材を設けてもよい。

封止層３５を形成する工程の後、カラーフィルター及び対向基板３６を形成する工程が行なわれた後、端子１１の上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５をエッチングにより除去する工程が行なわれる（Ｓ１１）。当該工程は、対向基板３６をマスクとしたエッチングにより行なわれる。対向基板３６をマスクとすることで、マスク形成工程やマスク除去工程を省略することができ、製造工程を短縮することができる。

図６Ｅは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程を示す第５の上面図である。同図は、端子１１の上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５をエッチングにより除去する工程（Ｓ１１）を終えた段階における表示パネルを示している。対向基板３６は、第２帯領域Ｃに設けられるシール材によって接着される。端子１１は、対向基板３６をマスクとしたエッチングにより露出している。以上で本実施形態に係る表示パネル１０の製造工程が終了する。

図７は、本発明の実施形態に係る表示パネル１０における溝の底面４０ａの上面図である。同図では、説明を簡明にするため、有機エレクトロルミネッセンス層３３のみを図示している。有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａにおいて除去されるものの、第１の島状部分３３ａが残っている。溝４０は、表示領域Ａを囲むように帯状に設けられており、溝の底面４０ａにおいて有機エレクトロルミネッセンス層３３が連続して除去されている。そのため、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａにおいて、溝４０の内側に形成された部分と溝４０の外側に形成された部分とに分断されている。また、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａにおいて全て除去されることなく、比較的大口径のパルスレーザの照射によって間欠的に除去され、第１の島状部分３３ａが残されている。

同図では、パルスレーザの第１のスポットＬａ１と、第２のスポットＬａ２と、第３のスポットＬａ３を仮想的に示している。ここで、第１のスポットＬａ１と第２のスポットＬａ２は互いに重なるように照射され、第２のスポットＬａ２と第３のスポットＬａ３も互いに重なるように照射される。このようにして、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａにおいて、第１の島状部分３３ａを残すように、連続して除去される。溝の底面４０ａにおいて、有機エレクトロルミネッセンス層３３は平面視において波型に除去されており、多数の円弧の一部が一定の規則で重なって形成される形状になっている。また、エレクトロルミネッセンス層３３が島状に残っている箇所（第１の島状部分３３ａが設けられている箇所）について、溝４０を横断する方向に測ったエレクトロルミネッセンス層３３の除去幅の合計（Ｗ１＋Ｗ１）は、エレクトロルミネッセンス層３３が島状に残っていない箇所について、溝４０を横断する方向に測ったエレクトロルミネッセンス層３３の除去幅（Ｗ２）より広い。つまり、Ｗ２＜２×Ｗ１である。これにより、エレクトロルミネッセンス層３３を島状に残す場合であっても、水分等が侵入することが抑制される。

本実施形態に係る表示パネル１０によれば、周辺領域Ｅから、有機エレクトロルミネッセンス層３３を介して、表示領域Ａに水分等が侵入することが防止される。そのため、表示パネル１０の劣化が防止され、表示品質が高く保たれる。また、溝の底面４０ａに第１の島状部分３３ａが残されることで、レーザアブレーションにより有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する場合であっても、レーザ照射面積の増大が抑制される。そのため、表示パネル１０の製造時間が短縮化され、製造コストが低減される。

なお、コンタクト領域Ｄにおいても、有機エレクトロルミネッセンス層３３の一部を除去して、第１の島状部分３３ａを残すこととしてもよい。その場合、上部電極３４と共通電極３１の電気的接続を確保しつつ、レーザ照射を最小限に抑えることができるため、表示パネル１０の製造時間が短縮化され、製造コストが低減される。

図８は、本発明の実施形態の変形例に係る表示パネル１０における溝の底面４０ａの上面図である。本変形例に係る表示パネル１０は、溝の底面４０ａにおける有機エレクトロルミネッセンス層３３の除去の態様のみが、図６に示した実施形態に係る表示パネル１０と相違する。本変形例では、溝の底面４０ａにおける有機エレクトロルミネッセンス層３３に比較的小口径のパルスレーザが照射されて、照射範囲が重畳するように照射位置をずらして有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する。その結果、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａにおいて全て除去されることなく、第２の島状部分３３ｂが残される。本変形例の場合も、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａに島状に残り、溝の底面４０ａが表示領域Ａを囲んで連続して露出することとなる。

同図では、パルスレーザの第４のスポットＬｂ１と、第５のスポットＬｂ２と、第６のスポットＬｂ３を仮想的に示している。ここで、第４のスポットＬｂ１と第５のスポットＬｂ２は互いに重なるように照射され、第５のスポットＬｂ２と第６のスポットＬｂ３も互いに重なるように照射される。このようにして、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａにおいて、第２の島状部分３３ｂを残すように、連続して除去される。溝の底面４０ａにおいて、有機エレクトロルミネッセンス層３３は平面視において波型に除去されており、多数の円弧の一部が一定の規則で重なって形成される形状になっている。また、エレクトロルミネッセンス層３３が島状に残っている箇所（第２の島状部分３３ｂが設けられている箇所）について、溝４０を横断する方向に測ったエレクトロルミネッセンス層３３の除去幅の合計（Ｗ３＋Ｗ３）は、エレクトロルミネッセンス層３３が島状に残っていない箇所について、溝４０を横断する方向に測ったエレクトロルミネッセンス層３３の除去幅（Ｗ４）より広い。つまり、Ｗ４＜２×Ｗ３である。これにより、エレクトロルミネッセンス層３３を島状に残す場合であっても、水分等が侵入することが抑制される。

本変形例に係る表示パネル１０によっても、周辺領域Ｅから、有機エレクトロルミネッセンス層３３を介して、表示領域Ａに水分等が侵入することが防止される。そのため、表示パネル１０の劣化が防止され、表示品質が高く保たれる。また、溝の底面４０ａに第２の島状部分３３ｂが残されることで、レーザアブレーションにより有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する場合であっても、レーザ照射面積の増大が抑制される。そのため、表示パネル１０の製造時間が短縮化され、製造コストが低減される。

図９Ａは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第１の上面図である。同図には、有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程を終えた段階における表示パネルを示している。本変形例において、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成され、端子１１を覆う。

図９Ｂは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第２の上面図である。本変形例において、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝の底面４０ａ及び共通電極３１の上で除去され、第２帯領域Ｃにおいて除去されない。同図では、有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する工程を終えた段階における表示パネルを示している。有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝４０が形成される第１帯領域Ｂ及び共通電極３１が露出されるコンタクト領域Ｄにおいて除去される。本変形例では、溝の底面４０ａ及び共通電極３１の上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３をパルスレーザの照射により除去するが、第２帯領域Ｃに形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３は除去しないため、レーザ照射面積をより低減することができる。

図９Ｃは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第３の上面図である。同図は、上部電極３４を形成する工程を終えた段階における表示パネルを示している。上部電極３４は、有機エレクトロルミネッセンス層３３に重ねて形成され、第２帯領域Ｃを除いて、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成される。

図９Ｄは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第４の上面図である。同図は、封止層３５を形成する工程を終えた段階における表示パネルを示している。封止層３５は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成され、第２帯領域Ｃにも封止層３５が形成される。

図９Ｅは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第１の変形例を示す第５の上面図である。同図は、対向基板３６を第２帯領域Ｃに設けられたシール材によって封止層３５に接着する工程が行なわれ、端子１１の上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５をエッチングにより除去する工程を終えた段階における表示パネルを示している。対向基板３６は、第２帯領域Ｃに設けられたシール材によって封止層３５と接着される。端子１１は、対向基板３６をマスクとしたエッチングにより露出している。

図１０は、本発明の実施形態に係る表示パネル１０の製造工程の第２の変形例を示すフローチャートである。また、図１１Ａ〜Ｆは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第１〜６の上面図である。本変形例に係る製造工程は、図５に示した製造工程と、有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程までは同様である。すなわち、はじめにＴＦＴ層を形成し（Ｓ２１）、平坦化樹脂層２３を形成する（Ｓ２２）。そして、第１帯領域Ｂの溝４０の形成と第２帯領域Ｃの平坦化樹脂層２３の除去を行い（Ｓ２３）、表示領域Ａの下部電極３０とコンタクト領域Ｄの共通電極３１を形成する（Ｓ２４）。さらに、画素分離膜３２を形成し（Ｓ２５）、有機エレクトロルミネッセンス層３３を表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの第２帯領域Ｃ以外に形成する（Ｓ２６）。

図１１Ａは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第１の上面図である。同図には、有機エレクトロルミネッセンス層３３を形成する工程（Ｓ２６）を終えた段階における表示パネルを示している。本実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス層３３は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成され、端子１１を覆う。

次に、溝の底面４０ａと、共通電極３１の上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する（Ｓ２７）。有機エレクトロルミネッセンス層３３の除去は、パルスレーザによって行い、有機エレクトロルミネッセンス層３３は島状に残される。島状に残される有機エレクトロルミネッセンス層３３の形状は、図６に示す第１の島状部分３３ａと同様の形状であってもよいし、図７に示す第２の島状部分３３ｂと同様の形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。ここで、第２帯領域Ｃに形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去しない点が、図５に示す製造工程との違いである。

図１１Ｂは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第２の上面図である。同図は、溝の底面４０ａ及び共通電極３１の上の有機エレクトロルミネッセンス層３３を除去する工程（Ｓ２７）を終えた段階における表示パネルを示している。有機エレクトロルミネッセンス層３３は、溝４０が形成される第１帯領域Ｂ及び共通電極３１が露出されるコンタクト領域Ｄにおいて除去される。

その後、表示領域Ａと、第２帯領域Ｃ以外の周辺領域Ｅに上部電極３４を形成する（Ｓ２８）。そして、表示パネル１０の全面に封止層３５を形成する（Ｓ２９）。

図１１Ｃは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第３の上面図である。同図は、上部電極３４を形成する工程（Ｓ２８）を終えた段階における表示パネルを示している。上部電極３４は、有機エレクトロルミネッセンス層３３に重ねて形成され、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成される。

図１１Ｄは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第４の上面図である。同図は、封止層３５を形成する工程（Ｓ２９）を終えた段階における表示パネルを示している。封止層３５は、表示領域Ａ及び周辺領域Ｅの全面に形成される。

封止層３５を形成した後、端子１１及び第２帯領域Ｃに形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５をレーザによって除去する（Ｓ３０）。これにより、端子１１と、第２帯領域Ｃの第２絶縁層２２が露出される。本変形例では、有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５の除去は、ラインレーザによって行われる。ラインレーザを用いることで、広い面積にレーザを照射することができ、短時間に効率良く端子１１及び第２帯領域Ｃの第２絶縁層２２を露出させることができる。もっとも、ラインレーザ以外の種類のレーザによって、有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５の除去を行ってもよい。

図１１Ｅは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第５の上面図である。同図は、端子１１及び第２帯領域Ｃに形成された有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５をラインレーザにより除去する工程（Ｓ３０）を終えた段階における表示パネルを示している。レーザアブレーションにより有機エレクトロルミネッセンス層３３及び封止層３５が除去された結果、第２帯領域Ｃの第２絶縁層２２と端子１１は露出している。

最後に、カラーフィルター及び対向基板を形成する（Ｓ３１）。対向基板３６は、前の工程において露出された第２帯領域Ｃの第２絶縁層２２とシール材によって接着される。以上で本変形例に係る表示パネル１０の製造工程は終了する。

図１１Ｆは、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造工程の第２の変形例を示す第６の上面図である。同図は、カラーフィルター及び対向基板３６を形成する工程（Ｓ３１）を終えた段階における表示パネルを示している。対向基板３６は、第２帯領域Ｃにおいて第２絶縁層２２と接着され、端子１１は露出している。

本発明の実施形態として上述した表示装置１を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。例えば、溝の底面４０ａに残される有機エレクトロルミネッセンス層３３は、第１の島状部分３３ａや第２の島状部分３３ｂのような形状の他、様々な形状を有してよい。本発明において、有機エレクトロルミネッセンス層３３は白色タイプでなくてもよく、赤、緑又は青の三色にて発光する有機エレクトロルミネッセンス層を塗り分けるタイプのものであってもよい。この塗り分けタイプの有機エレクトロルミネッセンス層は、ホール注入層と、ホール注入層上のホール輸送層と、ホール輸送層上の有機発光層と、有機発光層上の電子輸送層と、電子輸送層上の電子注入層を有する。各色に塗り分けられているのは、発光層である。その他の層は赤、緑及び青について共通であり、平面レイアウトは等しい。有機エレクトロルミネッセンス層３３以外の層も水分侵入経路となり得るために、本発明の適用が有効である。塗り分けタイプの場合、カラーフィルターは用いられなくても良く、対向基板３６は円偏光板やタッチパネルを含むものとしてよい。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１ 表示装置、２ 上フレーム、３ 下フレーム、１０ 表示パネル、１１ 端子、１２ 走査信号線、１３ 映像信号線、１４ 電源線、２０ 基板、２１ 第１絶縁層、２２ 第２絶縁層、２３ 平坦化樹脂層、３０ 下部電極、３１ 共通電極、３２ 画素分離膜、３３ 有機エレクトロルミネッセンス層、３３ａ 第１の島状部分、３３ｂ 第２の島状部分、３４ 上部電極、３５ 封止層、３６ 対向基板、４０ 溝、４０ａ 溝の底面。

Claims (8)

1. 複数の下部電極が形成される表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む樹脂層に、前記表示領域を囲んで前記樹脂層を分断する帯状の溝を形成する工程と、
   前記樹脂層の上と前記溝の内側に、前記複数の下部電極の上に載るように、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、
   少なくとも前記溝の底面に前記有機エレクトロルミネッセンス層の一部を島状に残し、前記溝の前記底面が前記表示領域を囲んで連続して露出するように、パルスレーザを照射して、前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去する工程と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に、上部電極を形成する工程と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うように、封止層を形成する工程と、
   を有する表示装置の製造方法。
2. 前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程において、前記周辺領域に形成され、前記上部電極に電源を供給する共通電極の上に、前記有機エレクトロルミネッセンス層が形成され、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去する工程において、前記共通電極の上で前記有機エレクトロルミネッセンス層が除去され、
   前記上部電極を形成する工程において、前記上部電極は、前記共通電極の上に載るように形成される、
   請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去する工程において、前記溝を囲む帯領域で、前記有機エレクトロルミネッセンス層が除去され、
   前記上部電極を形成する工程において、前記周辺領域のうち前記帯領域を避けて前記帯領域で囲まれる領域に前記上部電極が形成され、
   前記封止層を形成する工程において、前記エレクトロルミネッセンス層が除去された前記帯領域の面に載るように、前記封止層が形成される、
   請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程において、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記周辺領域に設けられる端子の上に形成され、
   前記封止層を形成する工程において、前記封止層は、前記端子を覆うように形成され、
   前記封止層を形成する工程の後、前記端子の上に形成された前記有機エレクトロルミネッセンス層及び前記封止層をエッチングにより除去する工程をさらに有する、
   請求項３に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程において、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記周辺領域に設けられる端子の上に形成され、
   前記上部電極を形成する工程において、前記周辺領域のうち前記溝を囲む帯領域を避けて前記帯領域で囲まれる領域に前記上部電極が形成され、
   前記封止層を形成する工程において、前記封止層は、前記端子を覆うように形成され、
   前記封止層を形成する工程の後、前記溝を囲む帯領域に形成された前記有機エレクトロルミネッセンス層及び前記封止層と、前記端子の上に形成された前記有機エレクトロルミネッセンス層及び前記封止層とをレーザを照射して除去する工程をさらに有する、
   請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
6. 複数の下部電極が形成される表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含み、前記表示領域を囲んだ部分を分断する帯状の溝を有する樹脂層と、
   前記複数の下部電極の上に載るように、前記表示領域及び前記周辺領域に形成され、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層の上に形成される上部電極と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うように形成される封止層と、を有し、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記溝の内側と外側を分断しているが、前記溝の底面に島状に残っている、
   表示装置。
7. 前記溝の底面において、前記有機エレクトロルミネッセンス層は平面視において波型に除去されている、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記エレクトロルミネッセンス層が前記島状に残っている箇所について、前記溝を横断する方向に測った前記エレクトロルミネッセンス層の除去幅の合計は、前記エレクトロルミネッセンス層が前記島状に残っていない箇所について、前記溝を横断する方向に測った前記エレクトロルミネッセンス層の除去幅より広い、
   請求項７に記載の表示装置。

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