JP2017089009A - 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原子層成長装置は、基板上に薄膜を形成するための原子層成長装置であって、
成膜容器と、成膜容器内に位置し、基板を保持するためのステージと、ステージの上方に位置し、高周波電源と接続される電極と、成膜容器に形成された、成膜容器内に原料ガスを供給するためのガス導入部と、成膜容器に形成された、成膜容器から原料ガスを排気するための排気部を含み、排気部が形成された成膜容器の内壁を覆うように防着材が取り付けられ、成膜容器の内壁と防着材の間の空間に不活性ガスを流すことが可能である。
【選択図】図2
Description
原子層成長法により薄膜の形成を繰り返し行うと、成膜容器の内表面にも薄膜が付着する。成膜容器内表面に付着した薄膜の厚さが厚くなると、堆積した薄膜が剥離し、その一部分がパーティクルとなり、基板上に形成される薄膜の質が劣化する原因となる。そのため、成膜容器の内表面に付着した薄膜を定期的に除去することが好ましい。
さらに、特許文献2では、ALD(Atomic Layer Deposition)真空成膜装置において、反応室から排出される原料ガスが通過する排気ボックスがその内部に防着板が挿入されて構成され、排気ボックスの内壁面にシール機構が設けられ、このシール機構は、中空のシール部材からなり、該シール部材の内部にガスを連続的に導入して膨張させると、該排気ボックスの内部に向かって膨張して、挿入された防着板の表面に当接し、該排気ボックスの内壁と防着板の表面との隙間をシールするよう構成され、このシール部材には、導入したガスを吐出するための少なくとも1つの孔が設けられているものが提案されている。
基板上に薄膜を形成するための原子層成長装置であって、
成膜容器と、
前記成膜容器内に位置し、前記基板を保持するためのステージと、
前記ステージの上方に位置し、高周波電源と接続される電極と、
前記成膜容器に形成された、前記成膜容器内に原料ガスを供給するためのガス導入部と、
前記成膜容器に形成された、前記成膜容器から前記原料ガスを排気するための排気部を含み、
前記排気部が形成された前記成膜容器の内壁を覆うように防着材が取り付けられ、
前記成膜容器の前記内壁と前記防着材の間の空間に不活性ガスを流すことが可能である。
前記成膜容器の外部に位置し、前記排気部と接続する排気配管接続部と、
前記排気配管接続部と接続する排気配管を有し、
前記原料ガスは、前記排気配管を介して前記成膜容器から排出され、
前記排気配管接続部内に接続部不活性ガス供給路が形成され、
前記成膜容器の前記内壁と前記防着材の間の前記空間によって防着材不活性ガス供給路が形成され、
前記接続部不活性ガス供給路は前記防着材不活性ガス供給路と接続され、
不活性ガス供給部から供給された前記不活性ガスが、前記接続部不活性ガス供給路を介して前記防着材不活性ガス供給路に流入する。
前記フランジ部は前記成膜容器の前記内壁に前記ビスを用いて固定される。
成膜容器と、
前記成膜容器に設けられた排気用の開口部の外側に取り付けられ、外周面が前記開口部を超える大きさを有し、筒穴側に排気路が位置する筒状の排気配管接続部と、
前記成膜容器内側に位置して前記開口部に挿入して取り付けられ、筒穴側に排気路が位置する筒状の排気防着材と、を備え、
前記排気配管接続部に、
前記排気路と区画されて、不活性ガスが流れる接続部不活性ガス供給路と、前記接続部不活性ガス供給路に設けられて前記不活性ガスが前記開口部側に流れ出る接続部不活性ガス供給口と、が設けられ、
前記排気防着材に、
前記排気路と区画されて、前記開口部内周面および前記開口部周りの前記成膜容器内壁と前記排気防着材の間の隙間により形成され、前記接続部不活性ガス供給口に連通する防着材不活性ガス供給路と、前記防着材不活性ガス供給路に設けられて前記不活性ガスが前記成膜容器内部に流れ出る防着材不活性ガス排出口と、が設けられていることを特徴とする。
排気配管は、排気配管接続部に取り付け可能なものであってもよく、また、排気配管接続部に排気配管が一体になって接続されているものであってもよい。
成膜容器に設けられた排気用の開口部の外側に取り付けられ、外周面が前記開口部を超える大きさを有し、筒穴側に排気路が位置する筒状の排気配管接続部と、
前記成膜容器内側に位置して前記開口部に挿入して取り付けられ、筒穴側に排気路が位置する筒状の排気防着材と、を備え、
前記排気配管接続部に、
前記排気路と区画されて、不活性ガスが流れる接続部不活性ガス供給路と、前記接続部不活性ガス供給路に設けられて前記不活性ガスが前記開口部側に流れ出る接続部不活性ガス供給口と、が設けられ、
前記排気防着材に、
前記排気路と区画されて、前記開口部内周面および前記開口部周りの前記成膜容器内壁と前記排気防着材の間の隙間により形成され、前記接続部不活性ガス供給口に連通する防着材不活性ガス供給路と、前記防着材不活性ガス供給路に設けられて前記不活性ガスが前記成膜容器内部に流れ出る防着材不活性ガス排出口と、が設けられていることを特徴とする。
まず、図1を参照して、本実施形態の原子層成長装置の構成を説明する。
図1は、本実施形態の原子層成長装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態の原子層成長装置10は、原料ガスと反応ガスとを交互に供給し、基板13上に原子層単位で薄膜を形成する。その際、反応活性を高めるため、基板13を加熱させることができる。特に、本実施形態では原料ガスとしてTMA(Tri−Methyl Aluminum)を用い、その際、反応活性を高めるため、プラズマを発生させることもできる。本実施形態では、プラズマの発生に平行平板電極を用いるが、この方式に限定されない。
上部電極12は、ステージ14上に設置した基板13の上方に位置するように設けられ、高周波電源15と接続されている。高周波電源15が所定の周波数の高周波電流を供給することにより、上部電極12とステージ14との間でプラズマが生成される。
ガス導入部20では、原料ガス、反応ガス、パージガスを成膜容器11内に供給する。
排気防着材31および排気配管接続部32のガスの流れは、基板13面に平行になるように開口部11Aおよび開口部11Bが形成されている。すなわち、この実施形態の原子層成長装置は、ラミナーフロー型の装置である。ただし、本発明としては、原子層成長装置がラミナーフロー型に限定されるものではない。
フランジ311の外側に位置する筒状の防着材本体310は、開口部11B内周面と全周に亘って隙間を有しており、該隙間が防着材不活性ガス供給路313を構成している。この隙間の量は、本発明としては特に限定されるものではないが、0.01〜5mmの範囲が好適であり、この実施形態では1mmとする。
例えば、フランジ311の内面を、敢えて粗面とし(例えばRa(算術平均粗さ)=3〜6μm)として、フランジ311内面を成膜容器11内壁に当接させて取り付けるようにしてもよい。
この粗面形状によってガスが流れる防着材不活性ガス供給路313が確保される。防着材不活性ガス供給路313は、少なくとも0.001mm以上を有するのが望ましい。
以下の実施形態2でも同様である。
なお、防着材不活性ガス供給路313は、防着材本体310の周壁によって、排気穴を構成する筒穴312とは区画されている。
防着材不活性ガス排出口314は、後述するように、防着材不活性ガス供給路313が複数本の接続部不活性ガス供給路323に接続されたシャワーヘッド構造を有している。
接続部不活性ガス供給路323は、ガスの流れ方向に沿って排気配管接続部32の軸方向に沿って形成され、軸方向中程でそれぞれ外周方向に向きを変えて排気配管接続部32の外周面に開口している。
接続部不活性ガス供給路323は、排気配管接続部32の内周壁によって排気穴を構成する筒穴322と区画されている。
また、接続部不活性ガス供給路323には、図示しない不活性ガス供給部から不活性ガスが供給され、該不活性ガスは、複数の接続部不活性ガス供給路323を通して、排気防着材側に送られ、接続部不活性ガス供給口324、防着材不活性ガス供給路313を通して防着材不活性ガス排出口314から成膜容器11内に不活性ガスが排出される。不活性ガスには例えば窒素、アルゴンなどを用いることができる。
上記不活性ガスの排出によって、排気防着材31と開口部11Bとの隙間への着膜が抑止され、さらに、排気配管接続部32と排気防着材31との隙間への着膜が抑止される。
次に、排気部の構成を変更した他の実施形態を図3に基づいて説明する。なお、排気部を除く他の構成は、実施形態1と同様であり、ここではその説明を省略する。
この実施形態の排気部30Aは、前記実施形態1と同様に、成膜容器11に設けられた排気用の開口部11Bに取り付けられる。排気部30Aは、筒状の排気防着材34と筒状の排気配管接続部35とを有している。
排気防着材34の成膜容器11への固定は、例えば2mm厚さのシムをフランジ341と成膜容器11内壁とに挿入し、ビス38で固定する。ビス38は、複数箇所で用いられる。その数は特に限定されない。
フランジ341外側に位置する筒状の防着材本体340は、開口部11Bの軸方向範囲で、開口部11Bの内周面と全周に亘って隙間を有しており、該隙間が防着材不活性ガス供給路343を構成している。この隙間の量は、本発明としては特に限定されるものではないが、0.01〜5mmの範囲内が好適である。この実施形態では1mmとする。
防着材不活性ガス供給路343は、筒状の防着材本体340の周壁によって筒穴342とは区画されている。
なお、防着材不活性ガス排出口344は、後述するように、防着材不活性ガス供給路343が複数本の接続部不活性ガス供給路353に接続されたシャワーヘッド構造を有している。
さらに、排気防着材34は、排気防着材本体340の内周側に連なって軸方向外側に伸長する防着排気配管340Aを有しており、その管穴342Aは筒穴342に連通している。
排気配管接続部35は、成膜容器11の外壁に取り付けられ、取り付けに際しては、排気配管接続部35の先端面と成膜容器11の外壁面との間には、Oリング332を介在させて封止性を高めている。また、排気防着材34の先端面は、取り付け後に、成膜容器外壁面に倣うように位置する。これにより排気配管接続部35の先端面と排気防着材34の先端面とが付き合わせ状態になる。
接続部不活性ガス供給路353は、排気配管接続部35の周壁および防着排気配管340Aによって、排気穴を構成する筒穴342と区画されている。
筒穴352内には、終端に至る直前まで小隙間を残して防着排気配管340Aが伸長して、その終端が閉じられており、終端近くで、防着排気配管340A側方に、取り付け穴35Aに向けた連結穴340Bが形成されている。
防着排気配管340Aの外周面と、排気配管接続部35の筒穴352の内周面との間には隙間が設けられており、該隙間が接続部不活性ガス第2供給路355を構成している。
防着材不活性ガス供給路343と、接続部不活性ガス第2供給路355との合計ガスコンダクタンスの比は0.01〜100であることが好ましく、さらには1:1であることが好ましい。成膜容器11側と排気配管41側へ等量の不活性ガスを供給するためである。ガスコンダクタンスは不活性ガス供給路の流路幅と流路長により制御することが可能である。
また、接続部不活性ガス供給路353には、図示しない不活性ガス供給部から不活性ガスが供給され、該不活性ガスは、複数の接続部不活性ガス供給路353を通して、排気防着材側に送られ、接続部不活性ガス供給口354、防着材不活性ガス供給路343を通して防着材不活性ガス排出口344から成膜容器11内に不活性ガスが排出される。不活性ガスには例えば窒素、アルゴンなどを用いることができる。
さらに、接続部不活性ガス供給路353に送られた不活性ガスの一部は、接続部不活性ガス第2供給路355に送られ、防着排気配管340Aと防着排気延長管340Cとの接続部の隙間周辺、排気配管接続部35と排気配管41との接続部の隙間周辺を通って、防着排気延長管340Cの先端から排気配管41の管路方向に沿って排出される。
上記不活性ガスの排出によって、防着排気配管340Aと排気配管接続部35との隙間、防着排気配管340Aと延長管340Cとの隙間に対する着膜を抑制することができる。
この結果、開口部11B及び排気配管接続部35をメンテナンスフリーとすることができる。
図4は、本実施形態の原子層堆積方法の一例を示すフローチャートである。図5(a)〜(d)は、基板Sの上に薄膜が形成される工程を示す図である。
本実施形態では、ステップs1のみでなく、後述するステップs2〜4も含めて、常に不活性ガスを供給する。そのため、ステップs1において、成膜容器11の内部に原料ガスを供給する際に、成膜容器11とインジェクタ防着材22との隙間および成膜容器11と排気防着材31との隙間に原料ガスが入り込むのを抑制することができる。
パージガスは、例えば、0.1秒間、成膜容器11の内部に供給する。排気部30が成膜容器11の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。排気部30は、例えば、2秒間、成膜容器11の内部の原料ガス110やパージガス112を排気する。図5(b)に示されるように、ステップs2によって、成膜容器11の内部にパージガス112が供給され、基板Sの上に吸着していない原料ガス110が成膜容器11からパージされる。
ヒーター14Aの付近に位置する成膜容器11の内壁は、ヒーター14Aにより500℃程度の高温に加熱することが可能となる。そのため、ヒーター14Aの付近に位置する成膜容器11の内壁に付着した薄膜は、ガスエッチングにより除去することが可能となる。
20μmの成膜を実施した後、防着材不活性ガス供給路、接続部不活性ガス供給路、接続部不活性ガス第2供給路部分にあたる排気防着材、排気配管接続部の内壁の膜厚を目視にて観察したところ、目視で観察されるAlNO薄膜の干渉膜は観測されず、その堆積量は50nm以下であることが確認された。排気部のメンテナンスは排気防着材及びビス、排気配管、防着排気延長管のみであり、開口部、排気配管接続部はメンテナンスフリーとすることが可能となった。
11 成膜容器
11A 開口部
11B 開口部
13 基板
14 ステージ
14A ヒーター
15 高周波電源
20 ガス導入部
21 インジェクタ
22 インジェクタ防着材
30 排気部
30A 排気部
31 排気防着材
32 排気配管接続部
34 排気防着材
35 排気配管接続部
35A 取り付け穴
38 ビス
40 排気配管
41 排気配管
310 防着材本体
311 フランジ
312 筒穴
322 筒穴
313 防着材不活性ガス供給路
314 防着材不活性ガス排出口
323 接続部不活性ガス供給路
324 接続部不活性ガス供給口
330 Oリング
331 Oリング
332 Oリング
333 Oリング
340A 防着排気配管
340B 連結穴
340C 防着排気延長管
341 フランジ
342 筒穴
342A 管穴
342B 管穴
343 防着材不活性ガス供給路
344 防着材不活性ガス排出口
352 筒穴
353 接続部不活性ガス供給路
354 接続部不活性ガス供給口
355 接続部不活性ガス第2供給路
356 接続部不活性ガス第2供給口
S 基板
102 吸着層
104 薄膜層
110 原料ガス
112 パージガス
114 反応ガス
Claims (10)
- 基板上に薄膜を形成するための原子層成長装置であって、
成膜容器と、
前記成膜容器内に位置し、前記基板を保持するためのステージと、
前記ステージの上方に位置し、高周波電源と接続される電極と、
前記成膜容器に形成された、前記成膜容器内に原料ガスを供給するためのガス導入部と、
前記成膜容器に形成された、前記成膜容器から前記原料ガスを排気するための排気部を含み、
前記排気部が形成された前記成膜容器の内壁を覆うように防着材が取り付けられ、
前記成膜容器の前記内壁と前記防着材の間の空間に不活性ガスを流すことが可能である原子層成長装置。 - 前記成膜容器の外部に位置し、前記排気部と接続する排気配管接続部と、
前記排気配管接続部と接続する排気配管を有し、
前記原料ガスは、前記排気配管を介して前記成膜容器から排出され、
前記排気配管接続部内に接続部不活性ガス供給路が形成され、
前記成膜容器の前記内壁と前記防着材の間の前記空間によって防着材不活性ガス供給路が形成され、
前記接続部不活性ガス供給路は前記防着材不活性ガス供給路と接続され、
不活性ガス供給部から供給された前記不活性ガスが、前記接続部不活性ガス供給路を介して前記防着材不活性ガス供給路に流入する請求項1記載の原子層成長装置。 - 前記防着材は前記成膜容器の前記内壁に、ビスを用いて固定される請求項1又は2記載の原子層成長装置。
- 前記防着材はフランジ部を有し、
前記フランジ部は前記成膜容器の前記内壁に前記ビスを用いて固定される請求項3記載の原子層成長装置。 - 前記不活性ガスは前記ビスの位置まで流入する求項3又は4記載の原子層成長装置。
- 前記防着材は、前記成膜容器の前記内壁の全面を覆うように取り付けられている請求項1〜5のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記排気部が形成された前記成膜容器の前記内壁は円形状を有している請求項1〜6のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記不活性ガスは窒素またはアルゴンである請求項1〜7のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記基板はガラス基板である請求項1〜8のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
- 前記電極と前記ステージとの間にプラズマが発生する請求項1〜9のいずれか一項に記載の原子層成長装置。
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