JP2017083163A - 熱処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】熱処理装置において、ヒータの故障を抑制できるようにする。
【解決手段】熱処理装置1は、被処理物100に熱処理を施すための熱処理装置である。熱処理装置1は、第1ヒータ33と、ファン7とを有している。第1ヒータ33は、二珪化モリブデンを主成分とする本体部と、金属を主成分とし本体部に導通可能に接触する端子部42,43とを有している。ファン7は、端子部42,43に冷却用の空気を供給するために用いられる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、被処理物を熱処理するための、熱処理装置に関する。
半導体素材などの被処理物に熱処理を行うための、熱処理装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の熱処理装置は、セラミックを焼成するための焼成装置である。この焼成装置は、ヒータとして、二珪化モリブデンヒータを有している。二珪化モリブデンヒータを用いることで、1400℃程度の極めて高温の雰囲気を生成することができる。
特開2011−246316号公報([0018],[0022])
二珪化モリブデンヒータは、二珪化モリブデンを主成分としており、通常、一部に曲げ形状を有する棒状に形成されている。このヒータは、端子部と、発熱部とを有している。端子部は、アルミニウムなどの金属が溶射されることで薄膜状に形成されている。この金属薄膜に、電線が接続される。電源から出力された電力は、電線および金属薄膜などを介して発熱部に伝わり、発熱部が発熱する。これにより、被処理物が収容されている炉内の雰囲気が加熱される。
ヒータ動作時の上記炉内の温度は、1400℃近い高温になる一方、炉の外部に配置された端子部の温度は、室温と大差ない値となる。このため、端子部と加熱部との間には、1000度以上の温度差が生じる。このため、ヒータには、約600℃になる領域が存在する。二珪化モリブデンは、約400℃〜600℃の温度領域において、酸化現象を生じる。ヒータの使用期間が長くなることで上記の酸化が進行すると、金属薄膜(端子部)と二珪化モリブデンとの接触部における二珪化モリブデンの酸化物が、粉化する。すなわち、二珪化モリブデンの粉化現象(ペスト)が生じる。接触部の二珪化モリブデンに粉化現象が生じると、二珪化モリブデンと金属薄膜との間で接触不良が生じる。その結果、加熱部に電力が伝わらず、ヒータが故障した状態となる。
しかしながら、特許文献1に記載の構成では、ヒータの粉化現象について、特に考慮されているわけではない。
本発明は、上記事情に鑑みることにより、熱処理装置において、ヒータの故障を抑制できるようにすることを、目的とする。
(1)上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる熱処理装置は、被処理物に熱処理を施すための熱処理装置であって、二珪化モリブデンを主成分とする本体部、および、前記二珪化モリブデンとは異なる導電性材料を主成分とし前記本体部に導通可能に接触する端子部、を有するヒータと、前記端子部に冷却用の媒体を供給するための冷却部材と、を備えている。
この構成によると、冷却部材は、ヒータの本体部における端子部との接触部を冷却することができる。これにより、二珪化モリブデンを主成分とする本体部の接触部は、酸化を生じるほどに高温になることを抑制される。その結果、上記接触部は、酸化による粉化(ペスト現象)を抑制されるので、端子部との導通状態を、より確実に維持できる。すなわち、ヒータの故障が、より確実に抑制される。したがって、本発明によると、熱処理装置において、ヒータの故障を抑制できる。
(2)好ましくは、前記冷却部材の位置は、前記端子部の位置よりも低い。
この構成によると、端子部から放出される熱は、自然対流によって上方へ逃げる。したがって、冷却部材を端子部の下方に配置することで、端子部からの熱を、スムーズに外部へ逃がすことができる。
(3)好ましくは、前記熱処理装置は、前記ヒータを収容するハウジングをさらに備え、前記ハウジングは、前記ヒータが収容される第1空間を形成するように離隔して配置された第1側壁および第2側壁を有し、前記第1側壁は、前記ハウジングの外部に開放された第1通気口を有しており、前記端子部は、前記第2側壁に隣接して配置されている。
この構成によると、第1通気口が設けられていることにより、ハウジング内の熱を、よりスムーズにハウジングの外部に逃がすことができる。また、たとえば、熱処理装置における各部材のレイアウトの都合上、ヒータの端子部を第1通気口の近傍に配置できない場合、この端子部は、第2側壁に隣接して配置される場合がある。このような場合であっても、冷却部材が設けられていることにより、ヒータの接触部は、十分に冷却される。すなわち、ヒータを第1通気口の近傍に配置しなくてもよく、熱処理装置内におけるヒータのレイアウトの自由度を、より高くすることができる。
(4)より好ましくは、前記冷却部材は、気流を発生させるためのファンを含み、前記第2側壁は、前記第1空間と、前記ヒータとは別の部材が収容される第2空間とを仕切るように構成されており、前記第2側壁は、前記第2空間内の気体を前記第1空間へ導くことが可能な第2通気口を有している。
この構成によると、ファンの動作によって、第2空間内の低温の気体が第2通気口を通って第1空間に導入され、この気体の流れによって、ヒータの端子部の熱が効率よく逃がされる。これにより、ヒータの接触部を、より効率的に冷却できる。また、第2空間内にも気流が生じることで、第2空間も冷却することができる。たとえば、第2空間に発熱する機器が配置されている場合に、当該機器も冷却される。
(5)好ましくは、前記熱処理装置は、前記端子部と前記本体部との接触部に関する温度を検出するための温度センサをさらに備え、前記冷却部材は、前記温度が所定の第1しきい値以上である場合に、前記冷却媒体を前記端子部へ供給するように構成されている。
この構成によると、ヒータの接触部を冷却する必要のある場合に限って、冷却部材を動作させることができる。したがって、ヒータの接触部を不必要に冷却せずに済み、ヒータで消費されるエネルギーを、より少なくできる。
(6)好ましくは、前記熱処理装置は、前記端子部と前記本体部との接触部に関する温度を検出するための温度センサと、所定の報知部材と、をさらに備え、前記報知部材は、前記温度が所定の第2しきい値以上である場合に、所定の報知動作を行うように構成されている。
この構成によると、ヒータの接触部の温度が過度に高くなる前に、接触部が高温であることを、報知部材によって作業員などに報知することができる。これにより、たとえば、接触部に酸化が生じる前に、ヒータへの通電を停止するなどの措置を講ずることが可能となる。
本発明によると、熱処理装置において、ヒータの故障を抑制できる。
本発明の実施形態にかかる熱処理装置の模式的な斜視図であり、筐体の一部を切断した状態を示している。 ヒータユニットの模式的な平面図である。 図2のIII−III線に沿う断面図であり、ヒータユニットの主要部を示している。 熱処理装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しつつ説明する。尚、本発明は、被処理物を熱処理するための熱処理装置として広く適用することができる。
図1は、本発明の実施形態にかかる熱処理装置の模式的な斜視図であり、筐体の一部を切断した状態を示している。
図1を参照して、熱処理装置1は、被処理物100に熱処理を施すために設けられている。本実施形態では、熱処理装置1は、半導体製造用の熱処理装置であり、円板状の被処理物100に酸化処理・拡散処理などを施すことが可能に構成されている。熱処理装置1は、たとえば、工場のクリーンルームに設置される。
熱処理装置1は、ハウジング2と、第1搬送機構3と、第2搬送機構4と、ボート5と、ヒータユニット6と、ファン(冷却部材)7と、電気機器8と、温度センサ9と、を有している。
ハウジング2は、熱処理装置1の種々の部材を収容するために設けられており、熱処理装置1の外殻部として設けられている。
ハウジング2は、第1収容室11と、第2収容室12と、第3収容室13と、を有している。
第1収容室11、第2収容室12、および第3収容室13は、それぞれ、箱状に形成されており、第1空間11a、第2空間12a、および第3空間13aを形成している。第1〜第3空間11a〜13aのそれぞれに、部材を収容可能である。本実施形態では、第1収容室11、第2収容室12、および第3収容室13は、それぞれ、中空の立方体状に形成されている。本実施形態では、第1収容室11および第2収容室12は、水平方向に並んで配置されている。また、第1収容室11および第2収容室12は、第3収容室13の上方に配置されている。
第1収容室11は、ヒータユニット6と、ファン7とを収容している。第2収容室12は、電気機器8を収容している。第3収容室13は、第1搬送機構3と、第2搬送機構4とを収容している。
第3収容室13は、カセット通過口14と、カセット台15と、を有している。
カセット通過口14は、第3収容室13の1つの側壁13bに形成されており、第3収容室13の内部の第3空間13aを、当該第3収容室13の外部の空間に開放している。カセット通過口14は、カセット101を第3収容室13に対して出し入れするために設けられている。
カセット101は、被処理物100を収容した状態で搬送するために用いられる。カセット101は、円板状の被処理物100を複数枚収容することが可能に構成されている。カセット101は、たとえば作業員によってカセット通過口14から第1収容室11内に挿入され、カセット台15に置かれる。
カセット台15に置かれたカセット101内の被処理物100は、第1搬送機構3によって、カセット101から取り出され、ボート5に置かれる。ボート5は、第2搬送機構4に支持されたタワー状の部材である。ボート5は、複数の被処理物100を上下に間隔をあけた状態で支持するように構成されている。
第1搬送機構3は、カセット101とボート5との間で被処理物100を搬送するために設けられている。第1搬送機構3は、たとえば、上下に移動可能な可動部3aと、この可動部3aに支持され且つ被処理物100を保持可能なアーム部3bとを有している。
アーム部3bは、被処理物100をカセット101に対して出し入れ可能に構成されている。また、アーム部3bは、被処理物100をボート5に対して出し入れ可能に構成されている。第1搬送機構3によってボート5に置かれた被処理物100は、第2搬送機構4によって、上下方向に搬送される。
第2搬送機構4は、ボート5を支持する可動部4aを有している。可動部4aは、ボート5と一体的に上下に移動可能に構成されている。ボート5は、可動部4aとともに、上下に変位することで、第3収容室13と、第1収容室11のヒータユニット6との間を、上下方向に変位される。
第1収容室11は、第1側壁11bと、第2側壁11cと、底壁11dと、天壁11eとを有している。これら第1側壁11b,第2側壁11c,底壁11d,天壁11eによって、第1空間11aが形成されている。
第1側壁11bおよび第2側壁11cは、それぞれ、金属板などを用いて平板状に形成されており、ヒータユニット6(第1ヒータ33)を挟むようにして離隔して配置されている。本実施形態では、第1側壁11bは、第2側壁11cと平行に配置されている。
第1側壁11bは、ハウジング2の外殻部の一部を構成している。第1側壁11bは、複数の第1通気口21,22を有している。第1通気口21,22は、第1収容室11内の第1空間11aとハウジング2の外部の領域との間で空気を通過させるために設けられており、ハウジング2の外部に開放されている。
第1通気口21は、たとえば、第1側壁11bの上端部および下端部のそれぞれに形成された通気口である。本実施形態では、第1通気口21は、合計で4つ設けられている。第1通気口22は、たとえば、第1側壁11bの上端部に形成されており、水平に延びる円筒状の空間を形成している。また、本実施形態では、第1通気口22は、第1収容室11の上端の隅部に形成されている。
第2側壁11cは、第1側壁11bと離隔して配置されている。第2側壁11cは、ヒータユニット6(第1ヒータ33)が収容される第1空間11aと、ヒータユニット6とは別の部材(電気機器8)が収容される第2空間12aとを仕切るように構成されている。すなわち、第2側壁11cは、第2収容室12の一部でもある。
第2側壁11cは、第2通気口23を有している。第2通気口23は、第2空間12aを第1空間11aに開放させるために設けられており、第2空間12a内の気体を第1空間11aへ導くことが可能である。第2通気口23は、たとえば、第2側壁11cの下端部に形成されている。
第2通気口23と第1通気口22とは、上下方向における位置が異なっている。具体的には、上下方向において、第1通気口22の位置は、第2通気口23の位置よりも高い。また、本実施形態では、第1側壁11bおよび第2側壁11cと平行で且つ水平に延びる方向としての横方向において、第1通気口22の位置と、第2通気口23の位置とは、異なっている。本実施形態では、第1通気口22は、第1収容室11の左上端に配置されている。一方、第2通気口23は、第1収容室11の下端右寄りに配置されている。
このような構成により、第2通気口23から第1通気口22へ斜め上方に向かう気流A1が生じる。このような気流A1によって、ヒータユニット6の後述する端子部42,43に、冷却用の空気が効率よく当てられる。
第1収容室11に開放されている第2収容室12は、電気機器8を収容する電気室として設けられている。第2収容室12は、第2側壁11cと、第3側壁12bとを有している。
第3側壁12bは、第2側壁11cと平行に延びる平板状に形成されている。第3側壁12bは、ハウジング2の外殻部の一部を構成している。第3側壁12bは、第3通気口24を有している。第3通気口24は、第2収容室12内の第2空間12aとハウジング2の外部の領域との間で空気を通過させるために設けられており、ハウジング2の外部に開放されている。第3通気口24は、たとえば、第3側壁12bの下端部に形成されている。上記の構成を有する第2側壁11cと第3側壁12bとの間に、電気機器8が配置されている。電気機器8は、熱処理装置1を動作させるために設けられており、第2収容室12に配置されている。
電気機器8は、制御装置25と、電源装置26と、報知部材27とを有している。
制御装置25は、CPU(Central Processing Unit),ROM(Read Only Memory),RAM(Random Access Memory)を含んでおり、ヒータユニット6およびファン7などの機器を制御する。電源装置26は、ヒータユニット6、ファン7、制御装置25、および報知部材27などに電力を供給する。
次に、ヒータユニット6およびファン7について説明する。
図2は、ヒータユニット6の模式的な平面図である。図3は、図2のIII−III線に沿う断面図であり、ヒータユニット6の主要部を示している。図1〜図3を参照して、ヒータユニット6は、前述したように、第1収容室11に配置されている。ヒータユニット6は、被処理物100に供給される反応ガスを加熱するために設けられている。
ヒータユニット6は、外筒31と、チューブ32と、第1ヒータ33と、第2ヒータ34と、を有している。
外筒31は、ヒータユニット6の外殻部として設けられている。外筒31は、たとえば、上下に延びる円筒状に形成されている。外筒31の上端部は、閉じられている。一方、外筒31の下端部は、下方に向けて開放されており、第1収容室11の底壁11dに支持されている。外筒31の内部に、チューブ32が配置されている。
チューブ32は、ボート5に保持された被処理物100に熱処理を施すために設けられている。チューブ32は、たとえば、上端が閉じられた円筒状に形成されており、外筒31と同心に配置されている。外筒31は、第1収容室11の底壁11dに支持されており、この底壁11dに形成された開口部(図示せず)に開放されている。チューブ32は、第2搬送機構4によって上下に変位されるボート5を受け容れ可能に配置されている。
上下方向における外筒31の中間部には、第1台座35および第2台座36が設けられている。第1台座35および第2台座36は、それぞれ、対応する第1ヒータ33および第2ヒータ34を保持している。各ヒータ33,34は、外筒31の内部を加熱するために設けられている。各ヒータ33,34は、二珪化モリブデンヒータである。本実施形態では、各ヒータ33,34の最高温度は、約1400℃程度である。ヒータ33,34として二珪化モリブデンヒータを用いることにより、ヒータユニット6内の雰囲気を迅速に加熱可能である。
第1ヒータ33は、本体部41と、2つの端子部42,43とを有している。
本体部41は、二珪化モリブデンを主成分として形成されている。本体部41は、一部に屈曲した部分を有する細長い棒状に形成されており、一対のベース部44,45と、発熱部46とを有している。
ベース部44,45は、それぞれ、直線状に延びており互いに平行である。ベース部44,45は、第1台座35および外筒31を貫通している。ベース部44,45のそれぞれの中間部は、第1台座35によって支持されている。ベース部44,45のそれぞれの一端部は、外筒31の内部において、L字状に屈曲している。ベース部44,45のそれぞれの一端部から、発熱部46が延びている。
発熱部46は、外筒31の内部に配置されており、たとえば、U字状に形成されている。発熱部46は、外筒31とチューブ32との間に配置されている。この構成により、発熱部46が発熱することで、チューブ32内に供給された反応ガスが加熱される。上記の構成を有する本体部41に、端子部42,43が接続されている。
端子部42,43は、本体部41のベース部44,45と対応する電線47,48との電気的な接続を、より確実にするために設けられている。電線47,48は、たとえば、電源装置26と電気的に接続されている。端子部42,43は、外筒31の外部に配置されており、外筒31と第2側壁11cとの間に位置している。端子部42,43は、第2側壁11cに隣接して配置されている。端子部42,43は、それぞれ、ベース部44,45の対応する接触部44a,45aに金属材料を溶射することで形成されており、円筒形状を有している。この金属材料として、アルミニウム合金を例示することができる。このように、端子部42,43は、二珪化モリブデンとは異なる導電性材料としての金属を主成分としており、本体部41の対応する接触部44a,45aと導通可能に接触している。本実施形態では、接触部44a,45aは、ベース部44,45の他端部の外周部である。
端子部42,43と対応する電線47,48とは、たとえば、溶接、はんだなどによって、互いに固定されている。端子部42,43(接触部44a,45a)は、ファン7によって冷却されることが可能に構成されている。
ファン7は、冷却部材として設けられており、第1ヒータ33の端子部42,43に、冷却用の媒体としての空気を供給するように構成されている。ファン7は、気流を発生させることが可能であればよく、構造は限定されない。ファン7として、プロペラファン、クロスフローファンなどを例示することができる。
本実施形態では、ファン7は、ヒータユニット6の外筒31と第2側壁11cとの間に配置されており、第2側壁11cに隣接している。また、本実施形態では、上下方向(鉛直方向)において、ファン7の位置は、第1ヒータ33の端子部42,43の位置よりも低い。
ファン7は、ケーシング7aを有している。ケーシング7aは、たとえば円柱状に形成されている。本実施形態では、ケーシング7aの軸線が第1収容室11の底壁11dに対して傾斜するように、ケーシング7aが配置されている。ケーシング7aは、吸気口と送風口とを有している。ケーシング7aの吸気口は、第2通気口23に隣接して配置されており、第2通気口23を向いている。ケーシング7aの送風口は、第1ヒータ33の端子部42,43を向いている。ケーシング7aは、第1収容室11の底壁11dに固定されている。
なお、本実施形態では、ケーシング7aの送風口は、第1ヒータ33の端子部42,43と直接向かい合う形態を例に説明するけれども、この通りでなくてもよい。たとえば、ケーシング7aの送風口は、第1収容室11のうち第2側壁11cと直交する壁部に向けられていてもよい。この場合、ケーシング7aの送風口からの気流は、上記の壁部ではね返されて端子部42,43に当たる。
ファン7は、電線49を介して電源装置26と電気的に接続されており、電源装置26から電力を与えられることにより、気流A1を発生するように動作する。すなわち、ファン7が動作することにより、気流A1が発生する。この気流A1が生じることにより、ハウジング2の外部の空気は、第3通気口24を通って第2収容室12に入り、制御装置25および電源装置26と第2収容室12の壁との間を通過する。第2収容室12の空気は、さらに、第2通気口23を通ってファン7の吸気口から送風口へ送られ、第1ヒータ33の端子部42,43に当てられ、その後、第1通気口22を通ってハウジング2の外部に排出される。なお、気流A1は、第1通気口21を通ってハウジング2の外部に排出されてもよい。
ファン7の動作は、制御装置25によって制御される。制御装置25は、温度センサ9および報知部材27に接続されている。
温度センサ9は、第1ヒータ33の端子部42,43と本体部41との接触部44a,45aに関する温度を検出するために設けられている。温度センサ9は、たとえば、第1台座35に取り付けられている。本実施形態では、温度センサ9は非接触式のセンサであり、端子部42,43の外表面の温度を測定することが可能である。端子部42,43の温度は、実質的に、接触部44a,45aの温度と同じである。なお、温度センサ9は、接触部44a,45aの温度を直接的または間接的に測定することが可能であればよく、具体的な構成は限定されない。温度センサ9による検出温度(温度t)を示す電気信号は、図示しない電線を介して、制御装置25へ出力される。
報知部材27は、たとえば、アラーム装置であり、第2収容室12内に設置されている。報知部材27は、スピーカなどを備えており、警告音を発することが可能である。なお、報知部材27は、作業員に異常を報知できればよく、具体的な構成は特に限定されない。報知部材27の動作は、制御装置25によって制御される。
第2ヒータ34は、本実施形態では、第1ヒータ33と水平方向に並んで配置されている。第2ヒータ34と第1ヒータ33は、平面視において、互いに対称な形状となるように向かい合って配置されている。
第2ヒータ34は、本体部51と、端子部52,53とを有している。第2ヒータ34の本体部51および端子部52,53の構成は、それぞれ、第1ヒータ33の対応する本体部41および端子部42,43の構成と同様であるので、詳細な説明は省略する。第2ヒータ34の本体部51は、第2台座36に保持されている。第2ヒータ34の端子部52,53は、図示しない電線を介して電源装置26と電気的に接続されている。第2ヒータ34の端子部52,53は、第1側壁11bの第1通気口21に隣接して配置されており、第1通気口21から導入される外気を受けて、自然冷却される。
次に、熱処理装置1における動作の一例を説明する。図4は、熱処理装置1の動作の一例を説明するためのフローチャートである。図4に示すフローチャートを説明する場合、図1〜図3も適宜参照しつつ説明する。
熱処理装置1の制御装置25は、まず温度センサ9の検出温度、すなわち、接触部44a,45aの温度tが所定の第1しきい値t1以上であるか否かを判定する(ステップS1)。第1しきい値t1は、たとえば、100℃であり、第1ヒータ33の接触部44a,45aが酸化反応を生じる温度よりも十分に低い値である。
接触部44a,45aの温度tが第1しきい値t1未満である場合(ステップS1でNO)、制御装置25は、ファン7の電源をオフにし、ファン7を駆動しない(ステップS2)。これにより、ファン7は動作せず、ファン7による気流は生じない。
一方、接触部44a,45aの温度tが第1しきい値以上である場合(ステップS1でYES)、制御装置25は、ファン7の電源をオンにし、ファン7を駆動させる(ステップS3)。これにより、気流A1が発生し、冷却用の空気が端子部42,43へ与えられ、接触部44a,45aが冷却される。
次に、制御装置25は、接触部44a,45aの温度tが所定の第2しきい値以上であるか否かを判定する(ステップS4)。第2しきい値t2は、たとえば、150℃であり、第1しきい値t1よりも大きい。第2しきい値t2は、第1ヒータ33の本体部41の接触部44a,45aが酸化反応を生じる温度に比較的近い温度であるけれども、酸化反応を生じない程度の温度である。なお、第1しきい値t1,t2を設定するにあたり、第1ヒータ33の接触部44a,45aが酸化現象を生じる温度領域(400℃〜600℃)にあるときの、温度センサ9の検出温度を考慮することで、第1ヒータ33の接触部44a,45の冷却不足が生じることを抑制する。
接触部44a,45aの温度tが第2しきい値t2未満である場合(ステップS4でNO)、制御装置25は、報知部材27の電源をオフにし、アラームを鳴らさない(ステップS5)。これにより、報知部材27による報知は行われない。一方、接触部44a,45aの温度tが第2しきい値以上である場合(ステップS4でYES)、制御装置25は、報知部材27の電源をオンにすることで、アラームを鳴らす(ステップS6)。これにより、報知部材27は、警告音を発する。この警告音によって、作業員は、第1ヒータ33の本体部41の接触部44a,45aに酸化反応が生じるおそれのあることを、知ることができる。
以上説明したように、本発明の実施形態にかかる熱処理装置1によると、ファン7は、第1ヒータ33における端子部42,43との接触部44a,45aを冷却することができる。これにより、二珪化モリブデンを主成分とする本体部41の接触部44a,45aは、酸化を生じるほどに高温になることを抑制される。その結果、接触部44a,45aは、酸化による粉化(ペスト現象)を抑制されるので、端子部42,43との導通状態を、より確実に維持できる。すなわち、第1ヒータ33の故障が、より確実に抑制される。したがって、熱処理装置1において、第1ヒータ33の故障を抑制できる。
また、熱処理装置1によると、ファン7の位置は、端子部42,43の位置よりも低い。この構成によると、第1ヒータ33の端子部42,43から放出される熱は、自然対流によって上方へ逃げる。したがって、ファン7を端子部42,43の下方に配置することで、端子部42,43からの熱を、スムーズに外部へ逃がすことができる。
また、熱処理装置1によると、第1通気口21,22が設けられている。これにより、ハウジング2内の熱を、よりスムーズにハウジング2の外部に逃がすことができる。また、本実施形態のように、熱処理装置1における各部材のレイアウトの都合上、第1ヒータ33の端子部42,43を第1通気口21,22の近傍に配置できない場合、端子部42,43は、第2側壁11cに隣接して配置される。このような場合であっても、ファン7が設けられていることにより、第1ヒータ33の接触部44a,45aは、十分に冷却される。すなわち、第1ヒータ33を第1通気口21,22の近傍に配置しなくてもよく、熱処理装置1内における第1ヒータ33のレイアウトの自由度を、より高くすることができる。その結果、熱処理装置1のハウジング2内におけるデッドスペースを可及的に小さくできるので、熱処理装置1を、より小型にすることができる。
また、熱処理装置1によると、ファン7の動作によって、第2収容室12の第2空間12a内の低温の空気が第2通気口23を通って第1収容室11の第1空間11aに導入され、この空気の流れ(気流A1)によって、第1ヒータ33の端子部42,43からの熱が効率よく逃がされる。これにより、第1ヒータ33の接触部44a,45aを、より効率的に冷却できる。また、第2収容室12の第2空間12a内にも気流A1が生じることで、第2収容室12内の第2空間12aも冷却することができる。したがって、第2収容室12内の電気機器8も冷却される。
また、熱処理装置1によると、接触部44a,45aに関する温度tが第1しきい値t1以上である場合に、ファン7が動作し、冷却用の空気が端子部42,43へ供給される。この構成によると、第1ヒータ33の接触部44a,45aを冷却する必要のある場合に限って、ファン7を動作させることができる。したがって、第1ヒータ33の接触部44a,45aを不必要に冷却せずに済み、第1ヒータ33で消費されるエネルギーを、より少なくできる。
また、熱処理装置1によると、報知部材27は、接触部44a,45aに関する温度tが第2しきい値t2以上である場合に、警告音を発するように構成されている。この構成によると、第1ヒータ33の接触部44a,45aの温度が過度に高くなる前に、接触部44a,45aが高温であることを、報知部材27によって作業員などに報知することができる。これにより、たとえば、接触部44a,45aに酸化が生じる前に、第1ヒータ33への通電を停止するなどの措置を講ずることが可能となる。
以上、本発明の実施形態について説明したけれども、本発明は上述の実施の形態に限られるものではない。本発明は、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能である。
(1)上述の実施形態では、ヒータユニット6に、水平方向に並ぶ2つのヒータ33,34が設けられる形態を例に説明した。しかしながら、この通りでなくてもよい。たとえば、ヒータユニット6において、上下方向に並ぶ複数のヒータが設けられていてもよい。このような構成により、外筒31内の雰囲気を、より均一な温度に加熱することができる。
(2)上述の実施形態では、冷却部材としてファン7が用いられる形態を例に説明した。しかしながら、この通りでなくてもよい。冷却部材は、第1ヒータ33の接触部44a,45の温度上昇を抑制できる構成であればよく、冷凍機などの他の構成であってもよい。
(3)また、上述の実施形態では、熱処理装置1が半導体用の熱処理装置である形態を例に説明した。しかしながら、この通りでなくてもよい。たとえば、半導体以外の他の部品を製造するための熱処理装置に本発明が適用されてもよい。
本発明は、熱処理装置として、広く適用することができる。
1 熱処理装置
2 ハウジング
7 ファン(冷却部材)
9 温度センサ
11a 第1空間
11b 第1側壁
11c 第2側壁
12a 第2空間
21,22 第1通気口
23 第2通気口
27 報知部材
33 第1ヒータ(ヒータ)
41 本体部
42,43 端子部
44a,45a 接触部
100 被処理物
t1 第1しきい値
t2 第2しきい値
t 温度
(1)上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる熱処理装置は、被処理物に熱処理を施すための熱処理装置であって、二珪化モリブデンを主成分とする本体部、および、前記二珪化モリブデンとは異なる導電性材料を主成分とし前記本体部に導通可能に接触する端子部、を有するヒータと、前記ヒータを収容するハウジングと、前記端子部に冷却用の媒体を供給するための冷却部材と、を備え、前記ハウジングは、前記ヒータが収容される第1空間を形成するように離隔して配置された第1側壁および第2側壁を有し、前記冷却部材は、気流を発生させるためのファンを含み、前記第2側壁は、前記第1空間と、前記ヒータとは別の部材が収容される第2空間とを仕切るように構成されており、前記第2側壁は、前記第2空間内の気体を前記第1空間へ導くことが可能な第2通気口を有し、前記ファンは、前記第2空間内の前記気体を前記第2通気口を通して前記第1空間に導入し且つ前記気体を前記端子部に向けて送るように構成されている。
この構成によると、冷却部材は、ヒータの本体部における端子部との接触部を冷却することができる。これにより、二珪化モリブデンを主成分とする本体部の接触部は、酸化を生じるほどに高温になることを抑制される。その結果、上記接触部は、酸化による粉化(ペスト現象)を抑制されるので、端子部との導通状態を、より確実に維持できる。すなわち、ヒータの故障が、より確実に抑制される。したがって、本発明によると、熱処理装置において、ヒータの故障を抑制できる。さらに、ファンの動作によって、第2空間内の低温の気体が第2通気口を通って第1空間に導入され、この気体の流れによって、ヒータの端子部の熱が効率よく逃がされる。これにより、ヒータの接触部を、より効率的に冷却できる。また、第2空間内にも気流が生じることで、第2空間も冷却することができる。たとえば、第2空間に発熱する機器が配置されている場合に、当該機器も冷却される。
(3)好ましくは、前記第1側壁は、前記ハウジングの外部に開放された第1通気口を有している。
(4)より好ましくは、前記ファンは、前記第2側壁に隣接して配置されている。
(5)好ましくは、前記熱処理装置は、前記端子部と前記本体部との接触部に関する温度を検出するための温度センサをさらに備え、前記冷却部材は、前記温度が所定の第1しきい値以上である場合に、前記媒体を前記端子部へ供給するように構成されている。

Claims (6)

  1. 被処理物に熱処理を施すための熱処理装置であって、
    二珪化モリブデンを主成分とする本体部、および、前記二珪化モリブデンとは異なる導電性材料を主成分とし前記本体部に導通可能に接触する端子部、を有するヒータと、
    前記端子部に冷却用の媒体を供給するための冷却部材と、
    を備えていることを特徴とする、熱処理装置。
  2. 請求項1に記載の熱処理装置であって、
    前記冷却部材の位置は、前記端子部の位置よりも低いことを特徴とする、熱処理装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載の熱処理装置であって、
    前記ヒータを収容するハウジングをさらに備え、
    前記ハウジングは、前記ヒータが収容される第1空間を形成するように離隔して配置された第1側壁および第2側壁を有し、
    前記第1側壁は、前記ハウジングの外部に開放された第1通気口を有しており、
    前記端子部は、前記第2側壁に隣接して配置されていることを特徴とする。熱処理装置。
  4. 請求項3に記載の熱処理装置であって、
    前記冷却部材は、気流を発生させるためのファンを含み、
    前記第2側壁は、前記第1空間と、前記ヒータとは別の部材が収容される第2空間とを仕切るように構成されており、
    前記第2側壁は、前記第2空間内の気体を前記第1空間へ導くことが可能な第2通気口を有していることを特徴とする、熱処理装置。
  5. 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の熱処理装置であって、
    前記端子部と前記本体部との接触部に関する温度を検出するための温度センサをさらに備え、
    前記冷却部材は、前記温度が所定の第1しきい値以上である場合に、前記冷却媒体を前記端子部へ供給するように構成されていることを特徴とする、熱処理装置。
  6. 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の熱処理装置であって、
    前記端子部と前記本体部との接触部に関する温度を検出するための温度センサと、
    所定の報知部材と、
    をさらに備え、
    前記報知部材は、前記温度が所定の第2しきい値以上である場合に、所定の報知動作を行うように構成されていることを特徴とする、熱処理装置。
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