JP2017081770A - シリコンナノ粒子の製造方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
レーザ出力:2W
単位長さ100μmあたりのレーザパルス数:1000回
パルス周波数:8KHz
レーザビーム走査速度:0.8mm/s
照射角度1:0°
照射角度2:0°
上下基板間距離:2mm
レーザ出力:2W
単位長さ100μmあたりのレーザパルス数:1000回
パルス周波数:8KHz
レーザビーム走査速度:0.8mm/s
照射角度1:20°
照射角度2:20°
上下基板間距離:2mm
下基板加熱温度:室温
雰囲気:Ar
レーザ出力:1W
単位長さ100μmあたりのレーザパルス数:10回
パルス周波数:8KHz
レーザビーム走査速度:80mm/s
照射角度1:20°
照射角度2:20°
上下基板間距離:2mm
下基板加熱温度:室温
雰囲気:Ar
レーザ出力:2W
単位長さ100μmあたりのレーザパルス数:100回
パルス周波数:8KHz
レーザビーム走査速度:8mm/s
照射角度1:20°
照射角度2:20°
上下基板間距離:3mm
下基板加熱温度:室温
雰囲気:Ar
レーザ出力:2W
単位長さ100μmあたりのレーザパルス数:1000回
パルス周波数:8KHz
レーザビーム走査速度:0.8mm/s
照射角度1:20°
照射角度2:20°
上下基板間距離:2mm
下基板加熱温度:400℃
雰囲気:Ar
12…プラズマ
14…シリコンナノ粒子
20…下基板
22…ステージ
24…ヒータ
30…パルスレーザ
31…レーザ制御装置
34…レーザビーム
40…上基板
50…容器
52…透明窓
54…ガス流入口
56…ガス流出口
Claims (9)
- 透明な上基板を通して廃シリコン粉末にパルスレーザを照射し、
レーザ照射による加熱作用とプラズマ発生によって廃シリコン粉末の一部を蒸発させ、
結晶化されたシリコンナノ粒子を前記上基板の下面に堆積させることを特徴とするシリコンナノ粒子の製造方法。 - 前記パルスレーザから照射されるレーザビームが廃シリコン粉末上を走査するようにされていることを特徴とする請求項1に記載のシリコンナノ粒子の製造方法。
- 前記レーザビームの廃シリコン粉末に対する照射角度が所定範囲とされていることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンナノ粒子の製造方法。
- 前記パルスレーザから照射されるレーザビームの累積パルス数を変えることにより、茶色、緑色、又は灰色のシリコンナノ粒子を生成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のシリコンナノ粒子の製造方法。
- 廃シリコン粉末が堆積される下基板と、
パルスレーザと、
該パルスレーザで発生したレーザビームを透過させると共に、レーザ照射による加熱作用とプラズマ発生によって蒸発し、結晶化されたシリコンナノ粒子を下面に堆積させる透明な上基板と、
を備えたことを特徴とするシリコンナノ粒子の製造装置。 - 前記下基板及び上基板を走査するステージを更に備えたことを特徴とする請求項5に記載のシリコンナノ粒子の製造装置。
- 少なくとも前記下基板及び上基板を収容する容器と、
該容器にガスを供給する手段と、
前記ガスの流量を制御する手段と、
を更に備えたことを特徴とする請求項5又は6に記載のシリコンナノ粒子の製造装置。 - 前記上基板がガラス板とされていることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載のシリコンナノ粒子の製造装置。
- 前記パルスレーザから照射されるレーザビームの累積パルス数を制御する手段を更に備えたことを特徴とする請求項5乃至8のいずれかに記載のシリコンナノ粒子の製造装置。
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JP2015209337A JP6614651B2 (ja) | 2015-10-23 | 2015-10-23 | シリコンナノ粒子の製造方法及び装置 |
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JP6614651B2 JP6614651B2 (ja) | 2019-12-04 |
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CN111137896A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-12 | 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司 | 一种微米硅粉的制备方法 |
WO2023218673A1 (ja) | 2022-05-12 | 2023-11-16 | エム・テクニック株式会社 | 単結晶球状シリコンナノ粒子の製造方法 |
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2015
- 2015-10-23 JP JP2015209337A patent/JP6614651B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111137896A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-12 | 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司 | 一种微米硅粉的制备方法 |
CN111137896B (zh) * | 2020-01-03 | 2021-08-03 | 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司 | 一种微米硅粉的制备方法 |
WO2023218673A1 (ja) | 2022-05-12 | 2023-11-16 | エム・テクニック株式会社 | 単結晶球状シリコンナノ粒子の製造方法 |
WO2023218617A1 (ja) | 2022-05-12 | 2023-11-16 | エム・テクニック株式会社 | 単結晶球状シリコンナノ粒子 |
KR20230159459A (ko) | 2022-05-12 | 2023-11-21 | 엠. 테크닉 가부시키가이샤 | 단결정 구상 실리콘 나노 입자의 제조 방법 |
KR20230159458A (ko) | 2022-05-12 | 2023-11-21 | 엠. 테크닉 가부시키가이샤 | 단결정 구상 실리콘 나노 입자 |
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JP6614651B2 (ja) | 2019-12-04 |
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