JP2017079254A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁のために厚い絶縁膜2aが表面に形成されている半導体基板1上に、抵抗素子4を形成す際、その抵抗素子4を窒化膜3で挟み込み、かつその窒化膜を隙間なく接合させることで、窒化膜によって抵抗素子が包囲された構造とし、さらに抵抗素子4の電気的な接続を形成するための引出電極5の引出部上で窒化膜6を開口する構造とする。
【選択図】図1
Description
100:モータ駆動回路、101:昇圧コンバータ、102:平滑コンデンサ、103:インバータ回路、200:電圧検出回路、201:オペアンプ、200a〜200e:抵抗、300:抵抗チップ、301:実装基板、302:オペアンプ集積回路、303:チップ抵抗、400:オペアンプチップ、501:ダイパッド、502:補助電極、503:樹脂層
Claims (4)
- 半導体基板上に積層された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された抵抗素子とを備えた半導体装置において、
少なくとも前記絶縁膜の一部を第1の窒化膜で構成し、該第1の窒化膜上に前記抵抗素子を配置し、
前記抵抗素子の引出電極表面のコンタクト部を除き、前記抵抗素子を第2の窒化膜で被覆し、
前記第1の窒化膜と前記第2の窒化膜とが直接接合する接合部を前記抵抗素子の周囲に形成することで、前記抵抗素子が、前記第1の窒化膜と前記第2の窒化膜によって包囲されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記引出電極を層間絶縁膜と配線金属膜を多層に積層した多層配線構造とし、表面に積層した前記配線金属膜表面に前記コンタクト部を形成し、
前記多層配線構造を含む前記抵抗素子が、前記第1の窒化膜と前記第2の窒化膜によって包囲されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2いずれか記載の半導体装置において、
前記半導体装置が外部引出用端子を備えた実装用部材に載置され、
前記抵抗素子の前記コンタクト部が、接続部材により前記外部引出用端子と接続し、
該外部引出用端子の少なくとも一部が露出するように前記半導体装置および前記実装用部材が封止樹脂により封止されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3いずれか記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする半導体装置。
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