JP2017073516A - Manufacturing method of one-side circuit board and manufacturing method of multilayer circuit board using the same - Google Patents
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Description
本発明は、絶縁層の片面に導体回路層が形成されている片面回路基板の製造方法と、その片面回路基板を用いた多層回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a single-sided circuit board in which a conductor circuit layer is formed on one side of an insulating layer, and a method for manufacturing a multilayer circuit board using the single-sided circuit board.
従来、この種の片面回路基板の製造方法として、絶縁層の表側面に導体回路層を形成し、次いで、絶縁層の裏側面から導体回路層へ向けて非貫通孔を形成し、次いで、非貫通孔にめっきを充填することで絶縁層の裏側面から突出する導電性バンプを形成する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, as a method for manufacturing this type of single-sided circuit board, a conductive circuit layer is formed on the front side surface of the insulating layer, and then a non-through hole is formed from the back side surface of the insulating layer toward the conductive circuit layer. A method of forming a conductive bump protruding from the back side surface of an insulating layer by filling a through hole with plating is known (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上述の片面回路基板の導電性バンプを別の回路基板の導体回路層に向け、それら片面回路基板と別の回路基板とをボンディングシートで接着することにより、多層回路基板を製造する場合、導電性バンプと導体回路層との間で接続不良が生じるという問題が考えられる。 However, when manufacturing a multilayer circuit board by directing the conductive bumps of the above-mentioned single-sided circuit board to the conductor circuit layer of another circuit board and bonding the single-sided circuit board and another circuit board with a bonding sheet, There may be a problem that a connection failure occurs between the conductive bump and the conductor circuit layer.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、接続不良を低減することが可能な片面回路基板の製造方法及びそれを用いてなる多層回路基板の製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a single-sided circuit board capable of reducing connection failures and a method for manufacturing a multilayer circuit board using the same.
本発明に係る片面回路基板の製造方法は、絶縁層の表裏の両面に第1導体層を形成することと、前記絶縁層の表裏のうち一方側の前記第1導体層と前記絶縁層とを貫通して他方側の前記第1導体層を底部とする非貫通孔を形成することと、前記他方側の第1導体層に前記非貫通孔側から凹部を形成することと、前記凹部に第2導体層を形成することと、前記非貫通孔内に、前記第2導体層と前記一方側の第1導体層とを電気的に接続する層間接続導体を形成することと、前記他方側の第1導体層を除去して、前記絶縁層の他方側の面から突出する前記第2導体層により導電性バンプを形成することと、前記一方側の第1導体層の一部を除去して導体回路層を形成することと、を含む片面回路基板の製造方法である。 In the method for manufacturing a single-sided circuit board according to the present invention, the first conductor layer is formed on both the front and back surfaces of the insulating layer, and the first conductor layer and the insulating layer on one side of the front and back surfaces of the insulating layer are formed. Forming a non-through hole penetrating and having the first conductor layer on the other side as a bottom; forming a recess in the first conductor layer on the other side from the non-through hole side; Forming a two-conductor layer, forming an interlayer connection conductor that electrically connects the second conductor layer and the first conductor layer on the one side in the non-through hole, and the other side Removing the first conductor layer, forming a conductive bump with the second conductor layer protruding from the other surface of the insulating layer, and removing a portion of the first conductor layer on the one side; Forming a conductor circuit layer. A method for manufacturing a single-sided circuit board.
以下、本発明の一実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。図1には、本実施形態の片面回路基板10が示されている。片面回路基板10は、本発明の「絶縁層」に相当する絶縁性基材11と、絶縁性基材11の表裏の一方側の面である回路形成面111に積層される導体回路層12と、絶縁性基材11の表裏の他方側の面であるバンプ形成面112から突出する導電性バンプ13と、を有している。絶縁性基材11は、絶縁性樹脂のシート(例えば、ガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ)で構成されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a single-
絶縁性基材11には、導電用貫通孔14が形成されている。導電用貫通孔14は、バンプ形成面112側へ向かうに従って縮径されるテーパー形状になっている。導電用貫通孔14内には、電解めっきが充填されてビア導体15が形成され、そのビア導体15によって導電性バンプ13と導体回路層12との間が接続されている。
A conductive through
導電性バンプ13は、導体回路層12とは異なる金属によって構成されている。一方、ビア導体15は、導体回路層12と同じ金属で構成されている。なお、導体回路層12は、銅で構成されていて、導電性バンプ13は、スズで構成されている。
The
導電性バンプ13は、電解スズめっきからなり、第1電解めっき層45を構成する。また、導体回路層12は、銅箔37と、銅箔37上に積層される電解めっき膜47Mとからなる。ビア導体15上に配置される導体回路層12の電解めっき膜47Mは、ビア導体15と一体に形成されている。具体的には、電解めっき膜47Mとビア導体15とは、共に電解銅めっきからなり、第2電解めっき層47を構成する。第2電解めっき層47は、導電性バンプ13と銅箔37とを電気的に接続し、本発明に係る層間接続導体17を構成する。
The
本実施形態の片面回路基板10は、以下のようにして製造される。
(1)図2(A)に示すように、支持基板30の表裏の両面に、剥離フィルム31、キャリア付き銅箔33、絶縁性基材11、銅箔37を順に重ねる。支持基板30は、絶縁性基材11と同様に、絶縁性樹脂のシート(例えば、ガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ)により構成されている。キャリア付き銅箔33は、キャリア34と銅箔35を貼り合わせた構造になっていて、支持基板30の表側の面であるF面30Fに重ねられるキャリア付き銅箔33は、キャリア34をF面30F側に向けて配置され、支持基板30の裏側の面であるS面30Sに重ねられるキャリア付き銅箔33は、キャリア34をS面30S側に向けて配置される。また、キャリア付き銅箔33は、キャリア34と銅箔35の外周部同士を接着してなり、キャリア付き銅箔33のうちキャリア34と銅箔35とが接着されていない中央部に、絶縁性基材11と銅箔37とが重ねられる。剥離フィルム31は、絶縁性基材11と略同じ大きさになっていて、絶縁性基材11の真下位置に配置される。銅箔37は、キャリア付き銅箔33の銅箔35より厚くなっている。具体的には、銅箔37の厚みは約18μmで、銅箔35の厚みは約9μmになっている。なお、銅箔35及び銅箔37が本発明の「第1導体層」に相当する。
The single-
(1) As shown to FIG. 2 (A), the
(2)図2(B)に示すように、加熱プレス処理が行われ、支持基板30、剥離フィルム31、キャリア付き銅箔33、絶縁性基材11及び銅箔37が一体化する。なお、このとき、支持基板30のF面30F側の剥離フィルム31は、F面30Fに埋没してF面30と面一になる。S面30S側の剥離フィルム31についても同様になっている。
(2) As shown in FIG. 2 (B), a heat press process is performed, and the
(3)図3(A)に示すように、支持基板30のF面30F側とS面30S側とから銅箔37に、例えば、CO2レーザが照射されて、銅箔37と絶縁性基材11を貫通し且つ銅箔35を底部とする非貫通孔41が形成される。次いで、非貫通孔41の側面及び底面に残留する樹脂残渣を除去するためにデスミア処理が行われる。なお、図3(B)に拡大して示されるように、非貫通孔41は、支持基板30側が縮径されるテーパー形状に形成される。
(3) As shown in FIG. 3A, the
(4)エッチング処理が行われ、図4(A)に示すように、非貫通孔41内に露出する銅箔35に、椀状の凹部42が形成される。このとき、銅箔35に凹部42を形成するためのエッチング液によって、銅箔37もエッチングされる。その結果、図3(B)から図4(A)への変化に示すように、銅箔37が薄くなる。
(4) Etching is performed, and a bowl-
(5)図4(B)に示すように、銅箔37上に、所定パターンのめっきレジスト43が形成される。
(5) As shown in FIG. 4B, a predetermined pattern of plating
(6)キャリア付き銅箔33をめっきリードとする電解スズめっき処理が行われ、図5に示すように、電解スズめっきが凹部42内に充填されて第1電解めっき層45(本発明の「第2導体層」に相当する。)が形成される。このとき、第1電解めっき層45は、非貫通孔41にも突入する。
(6) An electrolytic tin plating process using the copper foil with
(7)次いで、キャリア付き銅箔33をめっきリードとする電解銅めっき処理が行われ、図6(A)に示すように、電解銅めっきが非貫通孔41内に充填されて、第1電解めっき層45と銅箔37とを電気的に接続する第2電解めっき層47が形成されると共に、銅箔37のうちめっきレジスト43から露出している部分の上に電解めっき膜47Mが形成される。
(7) Next, an electrolytic copper plating process using the copper foil with
(8)キャリア付き銅箔33をめっきリードとする電解スズめっき処理が行われ、図6(B)に示すように、電解めっき膜47M上に金属レジスト48が形成される。なお、金属レジスト48は、本発明の「第3導体層」に相当し、第1電解めっき層45と同じ金属、即ち、スズで形成される。
(8) An electrolytic tin plating process is performed using the copper foil with
(9)図7(A)に示すように、めっきレジスト43が剥離される。
(9) As shown in FIG. 7A, the
(10)図7(B)に示すように、キャリア付き銅箔33における銅箔35の中央部が外周部から切り離されて、支持基板30のF面30F側とS面30S側から中間基材50が1つずつ得られる。なお、図7(B)の例では、S面30S側の中間基材50は、F面30F側の中間基材50と同じ構造になっているが、異なる構造であってもよい。
(10) As shown in FIG. 7B, the center part of the
(11)図8(A)に示すように、中間基材50の表裏の両面にエッチング処理が行われ、絶縁性基材11の回路形成面111側では、銅箔37のうち金属レジスト48で覆われていない部分が除去され、絶縁性基板11のバンプ形成面112側では、銅箔35が除去される。このエッチング処理では、アルカリエッチング液が用いられ、銅で形成される銅箔37が、スズで形成される金属レジスト48に対して選択的にエッチングされる。
(11) As shown in FIG. 8A, etching treatment is performed on both the front and back surfaces of the
(12)中間基材50の表側と裏側とに剥離液が吹き付けられて、図8(B)に示すように、金属レジスト48が除去されると共に、銅箔37と、第2電解めっき層47の一部(絶縁性基材11の回路形成面111より外側に配置される部分)とにより、導体回路層12が形成される。このとき、絶縁性基材11のバンプ形成面112から突出する第1電解めっき層45が一部削られて、導電性バンプ13となる。以上で片面回路基板10が完成する。
(12) A peeling solution is sprayed on the front side and the back side of the
片面回路基板10は、図9に示す多層回路基板100の製造に用いられる。多層回路基板100は、両面回路基板70の表裏の両面に複数の片面回路基板10を積層してなる。両面回路基板70は、絶縁性樹脂のシート(例えば、ガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ)からなる絶縁性基材71と、絶縁性基材71の表側面であるF面71F上と裏側面であるS面71S上とに形成される導体回路層72,72と、を有している。導体回路層72,72同士は、絶縁性基材71を貫通するビア導体75により電気的に接続されている。
The single-sided
絶縁性基材71のF面71F側の複数の片面回路基板10は、導電性バンプ13を両面回路基板70側へ向けて配置されていて、両面回路基板70から離れて配置される片面回路基板10の導電性バンプ13は、その片面回路基板10より1つ内側(両面回路基板70側)の片面回路基板10の導体回路層12に接続されている。また、複数の片面回路基板10のうち最内の片面回路基板10の導電性バンプ13は、両面回路基板70の導体回路層72に接続されている。片面回路基板10,10の絶縁性基材11,11同士の間、及び、片面回路基板10の絶縁性基材11と両面回路基板70の絶縁性基材71との間は、接着層77により接着されている。なお、絶縁性基材11,11同士の間に配置される接着層77は、導体回路層12とほぼ同じ厚さになっていて、絶縁性基材11と絶縁性基材71との間に配置される接着層77は、導体回路層72とほぼ同じ厚さとなっている。
The plurality of single-sided
絶縁性基材71のS面71S側の複数の片面回路基板10は、上述したF面71F側の複数の片面回路基板10と同様の構造をなしている。また、S面71S側においても、片面回路基板10,10同士の間、及び、片面回路基板10と両面回路基板70との間は、接着層77により接着されている。
The plurality of single-sided
多層回路基板100は、以下のようにして製造される。
(1)図10に示すように、両面回路基板70における絶縁性基材71のF面71FとS面71Sとに、複数の片面回路基板10と複数の接着層77とが交互に積層される。この積層にあたっては、両面回路基板70と複数の片面回路基板10とに形成されている図示しないピン挿通孔にピンが挿通されることにより、それら両面回路基板70と複数の片面回路基板10とが水平方向で位置合わせされる。片面回路基板10は、導電性バンプ13を両面回路基板70側に向けて配置される。ここで、接着層77には、バンプ挿通孔77Aが貫通形成されていて、そのバンプ挿通孔77Aに導電性バンプ13が挿通される。
The
(1) As shown in FIG. 10, a plurality of single-sided
(2)加熱プレス処理により、片面回路基板10と両面回路基板70とが接着層77により接着されると共に、片面回路基板10の導電性バンプ13が両面回路基板70の導体回路層72に圧着されて導電性バンプ13と導体回路層72とが電気的に接続される。また、片面回路基板10,10同士が接着層77にて接着されると共に、両面回路基板70から遠い側の片面回路基板10の導電性バンプ13がバンプ挿通孔77Aに挿通されて両面回路基板70に近い側の片面回路基板10の導体回路層12に圧着され、導電性バンプ13と導体回路層12とが電気的に接続される。以上で多層回路基板100が完成する。
(2) The single-sided
本実施形態の片面回路基板10の製造方法によれば、絶縁性基材11のバンプ形成面112側から第1電解めっき層45と第2電解めっき層47(層間接続導体17)を順番に形成するので、従来の片面回路基板10の製造方法のように回路形成面111側から第2電解めっき層47と第1電解めっき層45を順番に形成する場合と比較して、片面回路基板10のS面10Sから導電性バンプ13を突出させ易くなる。これにより、片面回路基板10を用いて製造される多層回路基板100において、導電性バンプ13の接続不良を抑えることが可能となる。しかも、非貫通孔41はバンプ形成面112側が縮径されるテーパー形状になっているので、非貫通孔41をめっきで充填する際に空気が入り込むことが抑えられ、非貫通孔41内に形成される層間接続導体17(ビア導体15)の電気接続性の向上を図ることが可能となる。
According to the method for manufacturing the single-sided
また、本実施形態の片面回路基板10の製造方法によれば、支持基板30の表側と裏側とで中間基材50を形成して、それぞれの中間基材50から片面回路基板10を得ることができるので、片面回路基板10の生産効率の向上を図ることが可能となる。
Further, according to the method for manufacturing the single-sided
また、本実施形態の多層回路基板100の製造方法では、片面回路基板10,10同士の間、及び、片面回路基板10と両面回路基板70との間を接着する接着層77に、片面回路基板10の導電性バンプ13が挿通されるバンプ挿通孔77Aが貫通形成されているので、導電性バンプ13を片面回路基板10の導体回路層12及び両面回路基板70の導体回路層72に圧着させ易くなり、導電性バンプ13と導体回路層12,72との間の接続不良を抑えることが可能となる。
In the manufacturing method of the
[他の実施形態]
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the embodiments described below are also included in the technical scope of the present invention, and various modifications are possible within the scope of the invention other than the following. It can be changed and implemented.
(1)上記実施形態の多層回路基板100の製造方法では、両面回路基板70の表側と裏側に積層される片面回路基板10の数が同じになっていたが、異なっていてもよい(図11参照)。
(1) In the method of manufacturing the
(2)上記実施形態の多層回路基板100において、片面回路基板10は、両面回路基板70の表裏の片方にのみ積層されてもよい。その際、片面回路基板70は、複数積層されてもよいし(図12(A)参照)、1つだけ積層されてもよい(図12(B)参照)。
(2) In the
(3)上記実施形態の片面回路基板10の製造方法では、電解めっき処理により金属レジスト48を形成していたが、金属レジスト48の代わりに樹脂保護膜を形成してもよい。
(3) In the method for manufacturing the single-sided
10 片面回路基板
11 絶縁性基材
12 導体回路層
13 導電性バンプ
17 層間接続導体
30 支持基板
35,37 銅箔(第1導体層)
41 非貫通孔
42 凹部
45 第1電解めっき層(第2導体層)
47 第2電解めっき層
48 金属レジスト(第3導体層)
77 接着層
77A バンプ挿通孔
100 多層回路基板
DESCRIPTION OF
41
47 Second
77
Claims (9)
前記絶縁層の表裏のうち一方側の前記第1導体層と前記絶縁層とを貫通して他方側の前記第1導体層を底部とする非貫通孔を形成することと、
前記他方側の第1導体層に前記非貫通孔に連通する凹部を形成することと、
前記凹部に第2導体層を形成することと、
前記非貫通孔内に、前記第2導体層と前記一方側の第1導体層とを電気的に接続する層間接続導体を形成することと、
前記他方側の第1導体層を除去して、前記絶縁層の他方側の面から突出する前記第2導体層により導電性バンプを形成することと、
前記一方側の第1導体層の一部を除去して導体回路層を形成することと、を含む片面回路基板の製造方法。 Forming a first conductor layer on both sides of the insulating layer;
Forming a non-through hole with the bottom of the first conductor layer on the other side penetrating the first conductor layer and the insulating layer on one side of the front and back of the insulating layer;
Forming a recess communicating with the non-through hole in the first conductor layer on the other side;
Forming a second conductor layer in the recess;
Forming an interlayer connection conductor for electrically connecting the second conductor layer and the first conductor layer on the one side in the non-through hole;
Removing the first conductor layer on the other side and forming a conductive bump with the second conductor layer protruding from the other side surface of the insulating layer;
A method for producing a single-sided circuit board, comprising: removing a part of the first conductor layer on one side to form a conductor circuit layer.
前記絶縁層の表裏の両面に前記第1導体層を形成するにあたり、支持基板の表裏の両面に、前記他方側の第1導体層と、前記絶縁層と、前記一方側の第1導体層と、を順に積層し、
前記支持基板の表側と裏側の両方において、前記非貫通孔、前記第2導体層及び前記層間接続導体を形成してから、前記他方側の第1導体層を前記支持基板から剥がす。 It is a manufacturing method of the single-sided circuit board according to claim 1,
In forming the first conductor layer on both the front and back surfaces of the insulating layer, the other side first conductor layer, the insulating layer, and the one side first conductor layer are formed on both the front and back surfaces of the support substrate. , In order,
After forming the non-through hole, the second conductor layer, and the interlayer connection conductor on both the front side and the back side of the support substrate, the first conductor layer on the other side is peeled off from the support substrate.
前記導体回路層の形成を行うにあたり、さらに、前記一方側の第1導体層と前記層間接続導体の上に前記第2導体層と同じ材料からなる第3導体層でエッチングレジストを形成し、前記第3導体層に対して前記第1導体層を選択的にエッチングすることを含む。 A method for producing a single-sided circuit board according to claim 1 or 2,
In forming the conductor circuit layer, an etching resist is further formed on the first conductor layer on the one side and the interlayer connection conductor with a third conductor layer made of the same material as the second conductor layer, Selectively etching the first conductor layer with respect to the third conductor layer.
前記他方側の第1導体層の除去と前記導体回路層の形成とを同一のエッチング工程で行う。 A method for producing a single-sided circuit board according to claim 3,
The removal of the first conductor layer on the other side and the formation of the conductor circuit layer are performed in the same etching process.
前記非貫通孔を形成するにあたり、前記他方側の第1導体層へ向かって徐々に縮径される形状に前記非貫通孔を形成する。 A method for manufacturing a single-sided circuit board according to any one of claims 1 to 4,
In forming the non-through hole, the non-through hole is formed in a shape that gradually decreases in diameter toward the first conductor layer on the other side.
表裏の両面に導体回路層を有する両面回路基板を、前記片面回路基板の他方側の面に接着層を挟んで重ねることと、
前記片面回路基板と前記両面回路基板とをプレスにより一体化させることと、を含む多層回路基板の製造方法。 Forming a single-sided circuit board according to any one of claims 1 to 5,
Stacking a double-sided circuit board having conductor circuit layers on both sides of the front and back with an adhesive layer sandwiched between the other side of the single-sided circuit board;
A method of manufacturing a multilayer circuit board, comprising: integrating the single-sided circuit board and the double-sided circuit board by pressing.
前記両面回路基板の表裏の両面に前記接着層を挟んで前記片面回路基板を重ね、
前記両面回路基板と複数の前記片面回路基板とをプレスにより多層状に一体化させる。 A method for producing a multilayer circuit board according to claim 6,
Stacking the single-sided circuit board with the adhesive layer sandwiched between both sides of the double-sided circuit board,
The double-sided circuit board and the plurality of single-sided circuit boards are integrated in a multilayer shape by pressing.
前記片面回路基板と前記両面回路基板を重ねるにあたり、前記両面回路基板の表側と裏側の少なくとも一方に複数の前記片面回路基板を重ね合わせると共に、前記片面回路基板同士の間に前記接着層を挟んで重ね合わせる。 A method for producing a multilayer circuit board according to claim 6 or 7,
When stacking the single-sided circuit board and the double-sided circuit board, a plurality of the single-sided circuit boards are stacked on at least one of the front side and the back side of the double-sided circuit board, and the adhesive layer is sandwiched between the single-sided circuit boards. Overlapping.
前記片面回路基板の他方側の面に前記接着層を重ねる前に、前記接着層に前記導電性バンプが挿通されるバンプ挿通孔を貫通形成しておく。 A method for manufacturing a multilayer circuit board according to any one of claims 6 to 8,
Before the adhesive layer is stacked on the other surface of the single-sided circuit board, a bump insertion hole through which the conductive bump is inserted is formed through the adhesive layer.
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