JP2017069532A - Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method - Google Patents

Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing the peripheral portion of a substrate well with no processing residual.SOLUTION: An open permanent magnet provided in non-rotational state forms a predetermined magnetic field generation region 129 which allows passage of each movable pin rotating as a swivel 107 rotates, and provided while biased with respect to the rotational direction of the swivel, so that only driving permanent magnets 156, corresponding to three movable pins 110 out of the six movable pins 110, can path. By giving an attraction force to the driving permanent magnets 156 of the movable pins 110, passing through the magnetic field generation region 129, a force for making the movable pins 110, energized to the holding position by a closing magnet 125, face toward the open position while resisting against the energization force, is generated.SELECTED DRAWING: Figure 9A-9B

Description

この発明は、基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法に関する。保持対象または処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate holding and rotating device, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method. Examples of substrates to be held or processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, Photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates and the like are included.

特許文献１は、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりに回転可能な回転台と、回転台を前記回転軸線回りに回転させる回転駆動ユニットと、回転台に配設され、基板を回転台表面から所定間隔を隔てて水平に位置決めする複数本（たとえば４本）の保持ピンとを備えた、回転式の基板保持回転装置を開示している。
複数本の保持ピンは、回転台に対して不動の固定ピンと、回転台に対して可動の可動ピンとを含む。可動ピンは、その中心軸線と同軸の回転軸線まわりに回転可能に設けられ、基板の周端縁に当接するための当接部を有している。当接部の回転により、当接部は、回転軸線から離れた遠い開放位置と、回転軸線に近づいた保持位置との間で変位する。当接部の回転軸には、ピン駆動用磁石が結合されている。 Patent Document 1 discloses a turntable that can rotate around a rotation axis along the vertical direction, a rotation drive unit that rotates the turntable around the rotation axis, and a turntable. Disclosed is a rotary substrate holding and rotating device including a plurality of (for example, four) holding pins that are horizontally positioned at intervals.
The plurality of holding pins include a fixed pin that does not move with respect to the turntable and a movable pin that is movable with respect to the turntable. The movable pin is provided so as to be rotatable about a rotation axis that is coaxial with the central axis thereof, and has a contact portion for contacting the peripheral edge of the substrate. Due to the rotation of the contact portion, the contact portion is displaced between a distant open position away from the rotation axis and a holding position approaching the rotation axis. A pin driving magnet is coupled to the rotating shaft of the contact portion.

可動ピンの開閉の切換えは、回転台の下方に配置された昇降磁石を用いて行われる（磁石切換え方式）。昇降磁石には、磁石昇降ユニットが結合されている。昇降磁石が所定の下位置にあるとき、昇降磁石がピン駆動用磁石に対向しないので、可動ピンには、当該可動ピンをその保持位置へと付勢する外力が働かない。そのため、昇降磁石が下位置にあるとき、可動ピンはその開放位置に保持されることになる。一方、昇降磁石が所定の上位置にあるとき、昇降磁石とピン駆動用磁石との間の磁気吸引力によって可動ピンがその保持位置に保持される。   Switching between opening and closing of the movable pin is performed using an elevating magnet disposed below the turntable (magnet switching method). A magnet lifting / lowering unit is coupled to the lifting / lowering magnet. When the elevating magnet is in the predetermined lower position, the elevating magnet does not face the pin driving magnet, so that an external force that urges the movable pin to its holding position does not act on the movable pin. Therefore, when the elevating magnet is in the lower position, the movable pin is held in the open position. On the other hand, when the elevating magnet is at a predetermined upper position, the movable pin is held at the holding position by the magnetic attractive force between the elevating magnet and the pin driving magnet.

特開２０１３−２２９５５２号公報JP 2013-229552 A

そして、上記の基板保持回転装置は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置に備えられており、基板保持回転装置によって回転させられている基板の上面に、処理液ノズルから処理液（洗浄薬液）が供給される。基板の上面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の上面の全域および基板の周端面が液処理される。また、基板処理の種類によっては、基板の下面の周縁部をも液処理したい場合もある。   The above substrate holding and rotating device is provided in a single wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one, and processing is performed from the processing liquid nozzle on the upper surface of the substrate rotated by the substrate holding and rotating device. Liquid (cleaning chemical) is supplied. The processing liquid supplied to the upper surface of the substrate flows toward the peripheral edge of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. Thereby, the whole area of the upper surface of the substrate and the peripheral end surface of the substrate are liquid-treated. Further, depending on the type of substrate processing, it may be desired to liquid-treat the peripheral portion of the lower surface of the substrate.

ところが、特許文献１に記載の構成では、液処理の間、複数本（たとえば４本）の保持ピンによって基板を終始接触支持しているため、基板の周端面における保持ピンの複数箇所の当接位置において処理液が回り込まず、基板の周縁部（基板の周端面および基板の下面の周縁部）に洗浄残りが生じるおそれがある。基板を回転させている間に基板の接触支持位置を変化させれば、基板の周縁部を洗浄残りなく洗浄できるが、そのような接触支持位置の変化を実現するためには、基板の処理中において、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開く必要がある。しかしながら、上記特許文献１に記載の磁石切換え方式の基板保持回転装置では、可動ピンの開閉を切り替えるための昇降磁石は非回転に設けられているから、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開くことはできない。仮に、上記特許文献１において回転台の回転中に昇降磁石を下位置に配置して、２つの可動ピンの双方を開状態とすれば、回転状態にある回転台から基板から離脱するおそれがある。   However, in the configuration described in Patent Document 1, the substrate is contacted and supported by a plurality of (for example, four) holding pins throughout the liquid treatment, so that a plurality of holding pins abut on the peripheral end surface of the substrate. There is a possibility that the processing liquid does not flow around at the position, and cleaning residue may be generated at the peripheral edge of the substrate (the peripheral edge of the substrate and the peripheral edge of the lower surface of the substrate). If the contact support position of the substrate is changed while the substrate is rotated, the peripheral portion of the substrate can be cleaned without remaining cleaning, but in order to realize such a change in the contact support position, during processing of the substrate In this case, it is necessary to selectively open only some of the plurality of holding pins provided on the rotating turntable. However, in the magnet switching type substrate holding and rotating apparatus described in Patent Document 1, the lifting magnets for switching the opening and closing of the movable pins are provided non-rotatingly, and therefore a plurality of rotating magnets provided on a rotating turntable are provided. Only some of the holding pins of the book cannot be selectively opened. If the elevating magnet is disposed at the lower position during rotation of the turntable in Patent Document 1 above and both the two movable pins are opened, the turntable may be detached from the turntable in the rotation state. .

そこで、この発明の一の目的は、基板を良好に支持して回転させることでき、かつ基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a magnet-switching-type substrate holding device that can support and rotate the substrate well and can change the contact support position of the substrate by the movable pin while the substrate is rotating. It is to provide a rotating device.
Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can satisfactorily process the peripheral portion of the substrate without any processing residue.

前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に当該付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置を提供する。   In order to achieve the above object, an invention according to claim 1 includes a turntable, a rotation drive unit that rotates the turntable around a rotation axis along a vertical direction, and a plurality of supports for horizontally supporting a substrate. A movable pin of the book, having a support portion provided so as to be movable between an open position far from the rotation axis and a holding position approaching the rotation axis, together with the turntable and around the rotation axis A movable pin provided to rotate, a biasing unit for biasing the support portion of each movable pin to the holding position, a driving magnet attached to each movable pin, and a non-rotating state An open magnet provided, which is a predetermined magnetic field generation region through which each movable pin that rotates with the rotation of the turntable can pass and is biased with respect to the rotation direction of the turntable and includes a plurality of movable pins. Some of them are movable Forming a magnetic field generating region provided so that only the driving magnet corresponding to the magnetic field can pass, and applying a repulsive force or an attractive force to the driving magnet of the movable pin passing through the magnetic field generating region, A substrate holding and rotating device is provided that includes an opening magnet that generates a force that causes the movable pin that is biased to the holding position to be directed to the opening position against the biasing force.

この構成によれば、回転台には複数本の可動ピンが設けられており、各可動ピンは、開放位置と保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有している。各可動ピンの支持部は、付勢ユニットによって保持位置に付勢されている。
また、基板保持回転装置には、開放磁石が非回転状態で設けられている。開放磁石は、回転台の回転に伴って回転している複数本の可動ピンのうち、回転台の回転方向に関して偏って設けられた磁界発生領域を通過する可動ピンに対応する駆動用磁石のみに反発力を生じさせるが、当該磁界発生領域を通過していない可動ピンに対応する駆動用磁石には、反発力または吸引力を与えない。この磁界発生領域は、複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられている。 According to this configuration, the rotary table is provided with a plurality of movable pins, and each movable pin has a support portion provided so as to be movable between an open position and a holding position. The support portion of each movable pin is biased to the holding position by the biasing unit.
The substrate holding and rotating device is provided with an open magnet in a non-rotating state. The open magnet is only a driving magnet corresponding to a movable pin that passes through a magnetic field generation region that is biased with respect to the rotation direction of the rotary table among the plurality of movable pins that rotate with the rotation of the rotary table. Although a repulsive force is generated, a repulsive force or an attractive force is not applied to the driving magnet corresponding to the movable pin that does not pass through the magnetic field generation region. This magnetic field generation region is provided so that only the driving magnets corresponding to some of the plurality of movable pins can pass through.

開放磁石によって反発力または吸引力が与えられる可動ピン（磁界発生領域を通過している可動ピン）には、当該可動ピンの支持部に、当該付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力が生じる。これにより、当該可動ピンの基板の周縁部に対する押圧力を緩めることができる。このとき、可動ピンの支持部に生じる、開放位置に向かわせる力が付勢ユニットからの付勢力を上回る反発力または吸引力を上回ると、基板の周縁部と可動ピンの支持部との間に隙間が形成され、その結果、支持部が基板を支持しないようになる。また、回転台の回転による各可動ピンの位相変化に伴い、磁界発生領域を通過している可動ピンが順次に入れ換わる。これにより、回転台の回転に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。基板の接触支持位置を変化させることが可能である。   For a movable pin to which a repulsive force or attractive force is applied by an open magnet (a movable pin passing through a magnetic field generation region), the support portion of the movable pin is directed to the open position against the biasing force. Power is generated. Thereby, the pressing force with respect to the peripheral part of the board | substrate of the said movable pin can be loosened. At this time, if the force that is generated in the support portion of the movable pin and directed toward the open position exceeds the repulsive force or suction force that exceeds the biasing force from the biasing unit, the gap between the peripheral portion of the substrate and the support portion of the movable pin A gap is formed, and as a result, the support portion does not support the substrate. In addition, the movable pins passing through the magnetic field generation region are sequentially replaced with the phase change of each movable pin due to the rotation of the turntable. Thereby, the contact support position of the board | substrate by a movable pin can be changed with rotation of a turntable. It is possible to change the contact support position of the substrate.

一方、開放磁石によって反発力および吸引力が与えられない可動ピン（磁界発生領域を通過していない可動ピン）は、その支持部が開放位置のまま保持される。これにより、当該可動ピンによって基板の周縁部を支持することできる。これにより、基板を良好に支持して回転させることができる。
以上により、基板を良好に支持して回転させることできると共に、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供できる。 On the other hand, the movable pin (movable pin not passing through the magnetic field generation region) to which no repulsive force and attractive force are applied by the open magnet is held in the open position. Thereby, the peripheral part of a board | substrate can be supported by the said movable pin. As a result, the substrate can be favorably supported and rotated.
As described above, it is possible to provide a magnet-switching-type substrate holding and rotating device that can support and rotate the substrate satisfactorily and can change the contact support position of the substrate by the movable pins while the substrate is rotating.

請求項２に記載の発明は、前記開放磁石と前記駆動用磁石との間の距離が変化するように前記開放磁石および前記回転台を相対移動させる第１の相対移動ユニットをさらに含む、請求項１に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、第１の相対移動ユニットによって開放磁石および回転台を相対移動させることにより、開放磁石と駆動用磁石との間の距離を変化させることができる。したがって、開放磁石および回転台を相対移動させることにより、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域が発生する状態と、当該磁界発生領域が発生しない状態とを切り換えることができる。 The invention according to claim 2 further includes a first relative movement unit that relatively moves the opening magnet and the turntable so that a distance between the opening magnet and the driving magnet changes. 1. A substrate holding and rotating apparatus according to 1.
According to this configuration, the distance between the open magnet and the drive magnet can be changed by relatively moving the open magnet and the turntable by the first relative movement unit. Therefore, by relatively moving the open magnet and the turntable, it is possible to switch between a state in which a magnetic field generation region is generated in a region through which each driving magnet passes and a state in which the magnetic field generation region is not generated.

請求項３に記載の発明は、前記第１の相対移動ユニットは、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる、請求項２に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、開放磁石および回転台の相対位置が第１の位置にある状態では、磁界発生領域を通過している可動ピンに、開放磁石から反発力または吸引力が与えることができ、基板の回転中に可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。一方、開放磁石および回転台の相対位置が第２の位置にある状態では、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域が発生しないので、基板の回転中に可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができない。 According to a third aspect of the present invention, the first relative movement unit includes a first position that forms the magnetic field generation region in a region through which each driving magnet passes the open magnet and the turntable, and The substrate holding and rotating device according to claim 2, wherein the substrate holding and rotating device is moved relative to a second position where the magnetic field generation region is not formed in a region through which the driving magnet passes.
According to this configuration, in a state where the relative position of the open magnet and the turntable is in the first position, a repulsive force or an attractive force can be applied from the open magnet to the movable pin passing through the magnetic field generation region. The contact support position of the substrate by the movable pin can be changed during the rotation of the substrate. On the other hand, when the relative position of the open magnet and the turntable is in the second position, no magnetic field generation region is generated in the region through which each drive magnet passes, so that the substrate support support position by the movable pin during the rotation of the substrate Cannot be changed.

請求項４に記載の発明は、前記開放磁石および前記回転台が前記第１の位置にある状態で、前記可動ピンの前記支持部は、前記開放位置と前記保持位置との間の中間位置に配置される、請求項３に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、開放磁石および回転台の相対位置が第１の位置にある状態では、磁界発生領域を通過している可動ピンに、付勢ユニットによって与えられる付勢力を上回る反発力または吸引力が与えられる。これにより、可動ピンの支持部は、開放位置と保持位置との間の中間位置に配置される。 According to a fourth aspect of the present invention, in the state where the opening magnet and the turntable are in the first position, the support portion of the movable pin is at an intermediate position between the opening position and the holding position. It is a board | substrate holding | maintenance rotation apparatus of Claim 3 arrange | positioned.
According to this configuration, in the state where the relative position of the open magnet and the turntable is in the first position, the repulsive force or attraction exceeding the urging force applied by the urging unit to the movable pin passing through the magnetic field generation region. Power is given. Thereby, the support part of a movable pin is arrange | positioned in the intermediate position between an open position and a holding position.

請求項５に記載の発明は、前記付勢ユニットは、各駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与え、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する閉塞磁石を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、閉塞磁石によって、各可動ピンの支持部が保持位置に付勢される。これにより、各可動ピンの支持部を保持位置に付勢する構成を簡単に実現できる。 According to a fifth aspect of the present invention, the biasing unit includes a closing magnet that applies a repulsive force or an attractive force to each driving magnet and biases the support portion of each movable pin to the holding position. A substrate holding and rotating device according to any one of claims 1 to 4.
According to this configuration, the support portion of each movable pin is biased to the holding position by the closing magnet. Thereby, the structure which urges | biases the support part of each movable pin to a holding position is easily realizable.

請求項６に記載の発明は、前記閉塞磁石および前記回転台を、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットをさらに含む、請求項５に記載の基板保持回転装置である。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a third position where the closing magnet and the turntable are provided with the repulsive force or the attractive force between the closing magnet and the driving magnet, The substrate holding and rotating device according to claim 5, further comprising a second relative movement unit that moves relative to a fourth position that does not apply the repulsive force and the attractive force to a driving magnet. .

この構成によれば、閉塞磁石および回転台の相対位置を、第３の位置と第４の位置との間で切り換えることにより、各可動ピンの支持部が保持位置に付勢されている状態と、各可動ピンの支持部が保持位置に付勢されていない状態とを切り換えることができる。
請求項７に記載の発明は、前記開放磁石は、前記回転台の周方向に間隔を空けて設けられた複数個の開放磁石を含み、各駆動用磁石が通過する領域に形成される前記磁界発生領域は、前記回転台の回転方向に間欠的な領域である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。 According to this configuration, by switching the relative position of the closing magnet and the turntable between the third position and the fourth position, the support portion of each movable pin is biased to the holding position; It is possible to switch between the state in which the support portion of each movable pin is not biased to the holding position.
According to a seventh aspect of the present invention, the open magnet includes a plurality of open magnets provided at intervals in the circumferential direction of the turntable, and the magnetic field formed in a region through which each drive magnet passes. The generation region is the substrate holding and rotating device according to any one of claims 1 to 6, wherein the generation region is an intermittent region in a rotation direction of the turntable.

この構成によれば、磁界発生領域を回転台の回転方向に間欠的な領域とすることができるから、基板の周縁部に設けられる複数本の可動ピンのうち、互いに隣り合わない可動ピンに対して同時に、開放磁石からの反発力または吸引力を及ばさせることができる。これにより、互いに隣り合わない可動ピンを同時に非支持状態とすることができ、換言すれば、残りの可動ピンで基板を支持できるから、幾つかの可動ピンが基板の支持を解除した場合において基板をより一層安定して支持して回転させることできる。   According to this configuration, since the magnetic field generation region can be an intermittent region in the rotation direction of the turntable, the movable pins that are not adjacent to each other among the plurality of movable pins provided on the peripheral edge of the substrate. At the same time, a repulsive force or attractive force from the open magnet can be exerted. As a result, the movable pins that are not adjacent to each other can be unsupported at the same time. In other words, since the substrate can be supported by the remaining movable pins, the substrate is supported when some of the movable pins release the support of the substrate. Can be more stably supported and rotated.

請求項８に記載の発明は、前記可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、全ての前記可動ピンに対応して取り付けられた前記駆動用磁石は、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、互いに等しい磁極方向を有するように設けられており、前記複数の前記開放磁石は、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在せず、かつ前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が磁界発生領域内に存在している状態で、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在しないように配置されている、請求項７に記載の基板保持回転装置である。   In the invention according to claim 8, the movable pin is provided separately from the first movable pin group including at least three movable pins and the first movable pin group, and includes at least three movable pins. The drive magnets including the second movable pin group and attached to all the movable pins are provided to have the same magnetic pole direction with respect to a direction perpendicular to the axis along the rotation axis. The plurality of open magnets correspond to the second movable pin group in a state where the drive magnets corresponding to the first movable pin group are present in the magnetic field generation region. In the state where the drive magnet does not exist in the magnetic field generation region and each drive magnet corresponding to the second movable pin group exists in the magnetic field generation region, the first movable pin group Each corresponding drive magnet is within the magnetic field generation region. It is arranged so as not to standing, a substrate holding and rotating device according to claim 7.

この構成によれば、各第１の可動ピン群が基板の周縁部を接触支持している場合には、各第２の可動ピン群は、基板の支持に関与していない。また、各第２の可動ピン群が基板の周縁部を接触支持している場合には、各第１の可動ピン群は、基板の支持に関与していない。したがって、回転台の回転による各可動ピンの位相変化に伴い、３本以上の可動ピンを含む第１の可動ピン群によって基板が支持されている状態と、３本以上の可動ピンを含む第２の可動ピン群によって基板が支持されている状態との間で遷移される。すなわち、回転台が一周回転する毎に、第１の可動ピン群と第２の可動ピン群との間で複数回基板が持ち換えられる。   According to this structure, when each 1st movable pin group contacts and supports the peripheral part of a board | substrate, each 2nd movable pin group is not concerned in support of a board | substrate. Moreover, when each 2nd movable pin group is contacting and supporting the peripheral part of a board | substrate, each 1st movable pin group is not concerned in support of a board | substrate. Therefore, with the phase change of each movable pin due to the rotation of the turntable, the state in which the substrate is supported by the first movable pin group including three or more movable pins and the second including three or more movable pins. Transition is made between the state in which the substrate is supported by the movable pin group. That is, every time the turntable rotates once, the substrate is exchanged a plurality of times between the first movable pin group and the second movable pin group.

請求項９に記載の発明は、前記第１の可動ピン群は、前記第２の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、前記第１および第２の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、前記複数の開放磁石は、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項８に記載の基板保持回転装置である。   According to a ninth aspect of the present invention, the first movable pin group includes the same number of the movable pins as the second movable pin group, and the first and second movable pin groups are arranged around the turntable. The plurality of movable pins included in each movable pin group are arranged at equal intervals alternately with respect to the direction, and the plurality of open magnets includes the number of the movable pins included in each movable pin group. The substrate holding and rotating device according to claim 8, wherein the same number is arranged at equal intervals in the circumferential direction of the turntable.

この構成によれば、第１および第２の可動ピン群が回転台の周方向に関し交互に配置されており、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように設けられているので、３つ以上の第１の可動ピン群によって基板が支持されている状態および３つ以上の第２の可動ピン群によって基板が支持されている状態とのそれぞれにおいて、各可動ピン群によって基板を良好に支持できる。   According to this configuration, the first and second movable pin groups are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable, and the plurality of movable pins included in each movable pin group are provided at equal intervals. Therefore, each movable pin in each of a state in which the substrate is supported by three or more first movable pin groups and a state in which the substrate is supported by three or more second movable pin groups The substrate can be favorably supported by the group.

また、複数の開放磁石が、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されているので、複数の開放磁石により形成される磁界発生領域を、各可動ピン群に含まれる可動ピンに対応する駆動用磁石が同時に通過するような形状に設けることができる。
請求項１０に記載の発明は、前記回転台の回転速度および／または前記開放磁石の周方向長さは、１つの前記開放磁石によって形成される前記磁界発生領域が前記回転台の周方向に関し前記可動ピンの周方向の配置間隔と一致するように設けられている、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。 In addition, since the plurality of open magnets are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the turntable, the number of the movable pins included in each movable pin group, the magnetic field generation region formed by the plurality of open magnets Can be provided in such a shape that the driving magnets corresponding to the movable pins included in each movable pin group pass simultaneously.
According to a tenth aspect of the present invention, the rotational speed of the turntable and / or the circumferential length of the open magnet is such that the magnetic field generation region formed by one open magnet is related to the circumferential direction of the turntable. The substrate holding and rotating device according to any one of claims 7 to 9, wherein the substrate holding and rotating device is provided so as to coincide with a circumferential arrangement interval of the movable pins.

この構成によれば、１つの開放磁石によって形成される磁界発生領域が回転台の周方向に関し可動ピンの周方向の配置間隔と一致しているので、回転台に設けられる複数本の可動ピンの状態を１つずつ切り換えることができる。
請求項１１に記載の発明は、前記開放磁石によって発生する磁界と前記閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を遮蔽する遮蔽部材をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。 According to this configuration, since the magnetic field generation region formed by one open magnet coincides with the arrangement interval in the circumferential direction of the movable pin in the circumferential direction of the rotary table, the plurality of movable pins provided on the rotary table The state can be switched one by one.
The invention according to claim 11 further includes a shielding member that shields interference between the magnetic field generated by the open magnet and the magnetic field generated by the closing magnet. Holding and rotating device.

この構成によれば、開放磁石によって発生する磁界と、閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を確実に防止できる。
前記の目的を達成するための請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板保持回装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置である。 According to this configuration, it is possible to reliably prevent interference between the magnetic field generated by the open magnet and the magnetic field generated by the closing magnet.
In order to achieve the above object, a twelfth aspect of the invention is directed to a substrate holding circuit device according to any one of claims 1 to 11 and a main surface of a substrate held by the substrate holding rotation device. On the other hand, a substrate processing apparatus includes a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid.

この構成によれば、処理液供給ユニットから処理液が基板の主面に供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。この発明では、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能である。そのため、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。   According to this configuration, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit to the main surface of the substrate. The processing liquid supplied to the main surface of the substrate flows toward the peripheral edge of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. Thereby, the peripheral part of a board | substrate is liquid-processed with a process liquid. In the present invention, the contact support position of the substrate by the movable pin can be changed during the rotation of the substrate. Therefore, the peripheral edge of the substrate can be processed satisfactorily without any processing residue.

請求項１３に記載の発明は、前記開放磁石および前記回転台を、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニットおよび前記第１の相対移動ユニットを制御する制御ユニットとをさらに含み、前記制御ユニットは、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを実行する、請求項１２に記載の基板処理装置である。   The invention according to claim 13 includes a first position for forming the magnetic field generating region in a region through which the driving magnet passes through the open magnet and the turntable, and each drive magnet passes through the open magnet and the turntable. A first relative movement unit that moves relative to a second position that does not form the magnetic field generation region in a region through which the drive magnet passes, the rotation drive unit, the treatment liquid supply unit, and the first relative And a control unit for controlling the moving unit, the control unit rotating a rotating table around the rotation axis, and a processing liquid on a substrate rotating with the rotation of the rotating table. In parallel with the processing liquid supply step for supplying the rotating table, the rotating table rotating step, and the processing liquid supplying step, the open magnet for disposing the relative position of the opening magnet and the rotating table at the first position. Performing the positioning step, a substrate processing apparatus according to claim 12.

この構成によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、開放磁石および回転台の相対位置を、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域を形成する第１の位置に配置する。この場合、回転台の回転位相の変化に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。 According to this configuration, the processing liquid is supplied to the main surface of the substrate in the rotating state. The processing liquid supplied to the main surface of the substrate flows toward the peripheral edge of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. Thereby, the peripheral part of a board | substrate is liquid-processed with a process liquid.
In parallel with the rotation of the turntable and the supply of the processing liquid, the relative positions of the open magnet and the turntable are arranged at a first position where a magnetic field generation region is formed in a region through which each drive magnet passes. In this case, the contact support position of the substrate by the movable pin can be changed with the change of the rotation phase of the turntable. Therefore, it is possible to supply the processing liquid over the entire peripheral edge of the substrate, whereby the peripheral edge of the substrate can be satisfactorily processed without remaining processing.

前記の目的を達成するための請求項１４に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に当該付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置と、前記開放磁石および前記回転台を、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを含む、基板処理方法である。   In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 14 includes a turntable, a rotation drive unit for rotating the turntable around a rotation axis along a vertical direction, and a plurality of supports for horizontally supporting a substrate. A movable pin of the book, having a support portion provided so as to be movable between an open position far from the rotation axis and a holding position approaching the rotation axis, together with the turntable and around the rotation axis A movable pin provided to rotate, a biasing unit for biasing the support portion of each movable pin to the holding position, a driving magnet attached to each movable pin, and a non-rotating state An open magnet provided, which is a predetermined magnetic field generation region through which each movable pin that rotates with the rotation of the turntable can pass and is biased with respect to the rotation direction of the turntable and includes a plurality of movable pins. Some allowed A magnetic field generating region provided so that only the driving magnet corresponding to the pin can pass is formed, a repulsive force or an attractive force is applied to the driving magnet of the movable pin passing through the magnetic field generating region, and the urging unit A substrate holding and rotating device including an opening magnet that generates a force that causes the support portion of the movable pin biased to the holding position to be directed to the opening position against the biasing force, and the opening. The magnetic field is generated in a first position where the magnetic field generating region is formed in a region where each driving magnet passes through the open magnet and the rotating table, and in a region where each driving magnet passes. A substrate processing method executed in a substrate processing apparatus including a first relative movement unit that moves relative to a second position that does not form a region, wherein the rotating table is moved around the rotation axis. In parallel with the rotating table rotating step for rotating, the processing liquid supplying step for supplying the processing liquid to the substrate rotating with the rotation of the rotating table, the rotating table rotating step and the processing liquid supplying step, And an open magnet placement step of placing a relative position of the open magnet and the turntable at the first position.

この方法によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、開放磁石および回転台の相対位置を、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域を形成する第１の位置に配置する。この場合、回転台の回転位相の変化に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。 According to this method, the processing liquid is supplied to the main surface of the substrate in the rotating state. The processing liquid supplied to the main surface of the substrate flows toward the peripheral edge of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. Thereby, the peripheral part of a board | substrate is liquid-processed with a process liquid.
In parallel with the rotation of the turntable and the supply of the processing liquid, the relative positions of the open magnet and the turntable are arranged at a first position where a magnetic field generation region is formed in a region through which each drive magnet passes. In this case, the contact support position of the substrate by the movable pin can be changed with the change of the rotation phase of the turntable. Therefore, it is possible to supply the processing liquid over the entire peripheral edge of the substrate, whereby the peripheral edge of the substrate can be satisfactorily processed without remaining processing.

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining an internal layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of a processing unit provided in the substrate processing apparatus. 図３は、前記基板処理装置に備えられたスピンチャックのより具体的な構成を説明するための平面図である。FIG. 3 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck provided in the substrate processing apparatus. 図４は、図３の構成の底面図である。FIG. 4 is a bottom view of the configuration of FIG. 図５は、図３の切断面線V−Vから見た断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the section line VV in FIG. 図６は、図５の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。6 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the configuration of FIG. 図７は、スピンチャックに備えられた可動ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the movable pin provided in the spin chuck. 図８Ａ−８Ｂは、内側昇降永久磁石および外側昇降磁石がともに下位置にある状態、および内側昇降永久磁石が上位置にありかつ外側昇降磁石が下位置にある状態における、各可動ピンの状態を示す模式的な図である。8A-8B show the state of each movable pin in a state where both the inner elevating permanent magnet and the outer elevating magnet are in the lower position, and in a state where the inner elevating permanent magnet is in the upper position and the outer elevating magnet is in the lower position. It is a schematic diagram shown. 図８Ｃは、内側昇降永久磁石および外側昇降磁石がともに上位置にある状態における、各可動ピンの状態を示す模式的な図である。FIG. 8C is a schematic diagram showing a state of each movable pin in a state where both the inner elevating permanent magnet and the outer elevating magnet are in the upper position. 図９Ａ−９Ｂは、回転台が一回転する間における、各可動ピンの状態遷移を示す図である。9A-9B are diagrams illustrating state transition of each movable pin during one rotation of the turntable. 図９Ｃ−９Ｄは、図９Ｂに続く、各可動ピンの開閉の状態を示す図である。9C-9D are diagrams illustrating the open / close state of each movable pin following FIG. 9B. 図９Ｅ−９Ｆは、図９Ｄに続く、各可動ピンの開閉の状態を示す図である。9E-9F are diagrams illustrating the open / close state of each movable pin following FIG. 9D. 図１０は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。FIG. 10 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus. 図１１は、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための流れ図である。FIG. 11 is a flowchart for explaining an example of processing liquid processing executed by the substrate processing apparatus. 図１２Ａ−１２Ｂは、前記処理液処理の処理例を説明するための図解的な図である。12A-12B are schematic diagrams for explaining a processing example of the processing liquid processing. 図１２Ｃ−１２Ｄは、図１２Ｂに続く工程を説明するための図解的な図である。12C-12D are schematic diagrams for explaining the process following FIG. 12B. 図１２Ｅは、図１２Ｄに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 12E is a schematic diagram for explaining a process following FIG. 12D. 図１２Ｆは、図１２Ｅに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 12F is a schematic diagram for explaining a process following FIG. 12E. 図１２Ｇは、図１２Ｆに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 12G is a schematic diagram for explaining a process following FIG. 12F. 図１３Ａ−１３Ｂは、可動ピンが保持位置にあるとき、および可動ピンが中間位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。FIGS. 13A to 13B are diagrams illustrating the wraparound state of the processing liquid when the movable pin is at the holding position and when the movable pin is at the intermediate position. 図１３Ｃは、基板の周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。FIG. 13C is a cross-sectional view showing the flow of the processing liquid and the inert gas at the peripheral edge of the substrate.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハ（半導体基板）からなる円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持するロードポートＬＰと、基板Ｗの姿勢を上下反転させる反転ユニットＴＵと、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２とを含む。ロードポートＬＰおよび処理ユニット２は、水平方向に間隔を空けて配置されている。反転ユニットＴＵは、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining an internal layout of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W made of a semiconductor wafer (semiconductor substrate) one by one with a processing liquid or a processing gas. The substrate processing apparatus 1 includes a load port LP that holds a plurality of carriers C, a reversing unit TU that flips the posture of the substrate W up and down, and a plurality of processing units 2 that process the substrate W. The load port LP and the processing unit 2 are arranged at an interval in the horizontal direction. The reversing unit TU is disposed on the transport path of the substrate W transported between the load port LP and the processing unit 2.

基板処理装置１は、図１に示すように、さらに、ロードポートＬＰと反転ユニットＴＵとの間に配置されたインデクサロボットＩＲと、反転ユニットＴＵと処理ユニット２との間に配置されたセンターロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御ユニット３とを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰに保持されているキャリアＣから反転ユニットＴＵに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、反転ユニットＴＵからロードポートＬＰに保持されているキャリアＣに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。同様に、センターロボットＣＲは、反転ユニットＴＵから処理ユニット２に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、処理ユニット２から反転ユニットＴＵに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。センターロボットＣＲは、さらに、複数の処理ユニット２の間で基板Ｗを搬送する。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 further includes an indexer robot IR disposed between the load port LP and the reversing unit TU, and a center robot disposed between the reversing unit TU and the processing unit 2. It includes a CR and a control unit 3 that controls the operation of the apparatus provided in the substrate processing apparatus 1 and the opening and closing of valves. The indexer robot IR carries a plurality of substrates W one by one from the carrier C held in the load port LP to the reversing unit TU, and a plurality of sheets are transferred from the reversing unit TU to the carrier C held in the load port LP. The substrates W are transferred one by one. Similarly, the center robot CR transports a plurality of substrates W from the reversing unit TU to the processing unit 2 one by one, and transports the plurality of substrates W from the processing unit 2 to the reversing unit TU one by one. The center robot CR further transports the substrate W between the plurality of processing units 2.

インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ１を備えている。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨ１を水平に移動させる。さらに、インデクサロボットＩＲは、ハンドＨ１を昇降させ、当該ハンドＨ１を鉛直軸線まわりに回転させる。同様に、センターロボットＣＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ２を備えている。センターロボットＣＲは、ハンドＨ２を水平に移動させる。さらに、センターロボットＣＲは、ハンドＨ２を昇降させ、当該ハンドＨ２を鉛直軸線まわりに回転させる。   The indexer robot IR includes a hand H1 that supports the substrate W horizontally. The indexer robot IR moves the hand H1 horizontally. Further, the indexer robot IR moves the hand H1 up and down and rotates the hand H1 around the vertical axis. Similarly, the center robot CR includes a hand H2 that supports the substrate W horizontally. The center robot CR moves the hand H2 horizontally. Further, the center robot CR moves the hand H2 up and down and rotates the hand H2 around the vertical axis.

キャリアＣには、デバイス形成面である基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられた状態（上向き姿勢）で基板Ｗが収容されている。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａ（図２等参照）が上向きの状態でキャリアＣから反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、反転ユニットＴＵによって、基板Ｗを反転させる。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂ（図２等参照）が上に向けられる。その後、制御ユニット３は、センターロボットＣＲによって、裏面Ｗｂが上向きの状態で反転ユニットＴＵから処理ユニット２に基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、処理ユニット２によって基板Ｗの裏面Ｗｂを処理させる。   The carrier C accommodates the substrate W in a state where the surface Wa of the substrate W, which is a device formation surface, is directed upward (upward posture). The control unit 3 causes the indexer robot IR to transfer the substrate W from the carrier C to the reversing unit TU with the surface Wa (see FIG. 2 or the like) facing upward. Then, the control unit 3 reverses the substrate W by the reversing unit TU. Thereby, the back surface Wb (refer FIG. 2 etc.) of the board | substrate W is faced up. Thereafter, the control unit 3 causes the center robot CR to transfer the substrate W from the reversing unit TU to the processing unit 2 with the back surface Wb facing upward. Then, the control unit 3 causes the processing unit 2 to process the back surface Wb of the substrate W.

基板Ｗの裏面Ｗｂが処理された後は、制御ユニット３は、センターロボットＣＲによって、裏面Ｗｂが上向きの状態で処理ユニット２から反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、反転ユニットＴＵによって基板Ｗを反転させる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａが上向きの状態で反転ユニットＴＵからキャリアＣに基板Ｗを搬送させる。これにより、処理済みの基板ＷがキャリアＣに収容される。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲ等にこの一連動作を繰り返し実行させることにより、複数枚の基板Ｗを一枚ずつ処理させる。   After the back surface Wb of the substrate W is processed, the control unit 3 causes the center robot CR to transfer the substrate W from the processing unit 2 to the reversing unit TU with the back surface Wb facing upward. Then, the control unit 3 reverses the substrate W by the reversing unit TU. Thereby, the surface Wa of the substrate W is directed upward. Thereafter, the control unit 3 causes the indexer robot IR to transfer the substrate W from the reversing unit TU to the carrier C with the surface Wa facing upward. Thereby, the processed substrate W is accommodated in the carrier C. The control unit 3 causes the indexer robot IR or the like to repeatedly execute this series of operations, thereby processing a plurality of substrates W one by one.

図２は、基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図３は、基板処理装置１に備えられたスピンチャック５のより具体的な構成を説明するための平面図である。図４は、図３の構成の底面図である。図５は、図３の切断面線V−Vから見た断面図である。図６は、図５の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。図７は、スピンチャック５に備えられた可動ピン１１０の近傍の構成を拡大して示す断面図である。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2 provided in the substrate processing apparatus 1. FIG. 3 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck 5 provided in the substrate processing apparatus 1. FIG. 4 is a bottom view of the configuration of FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the section line VV in FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the configuration of FIG. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration in the vicinity of the movable pin 110 provided in the spin chuck 5.

図２に示すように、処理ユニット２は、内部空間を有する箱形の処理チャンバー４と、処理チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持回転装置）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（裏面（一方主面）Ｗｂ）に向けて、薬液（処理液）の一例としてのオゾン含有フッ酸溶液（以下、ＦＯＭという）を供給するための薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面にリンス液（処理液）としての水を供給するための水供給ユニット（処理液供給ユニット）８と、基板Ｗの上面に接触して当該上面をスクラブ洗浄するための洗浄ブラシ１０と、洗浄ブラシ１０を駆動するための洗浄ブラシ駆動ユニット１１と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（表面（他方主面）Ｗａ）に保護気体としての不活性ガスを供給するための保護気体供給ユニット１２と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ（図示しない）とを含む。   As shown in FIG. 2, the processing unit 2 includes a box-shaped processing chamber 4 having an internal space, and a vertical position passing through the center of the substrate W while holding a single substrate W in a horizontal posture in the processing chamber 4. A spin chuck (substrate holding and rotating device) 5 that rotates the substrate W around the rotation axis A1 and a chemical solution (processing) toward the upper surface (back surface (one main surface) Wb) of the substrate W held by the spin chuck 5 A chemical solution supply unit (processing solution supply unit) 7 for supplying an ozone-containing hydrofluoric acid solution (hereinafter referred to as FOM) as an example, and a rinse solution (on the top surface of the substrate W held by the spin chuck 5). A water supply unit (treatment liquid supply unit) 8 for supplying water as a treatment liquid), a cleaning brush 10 for contacting the upper surface of the substrate W and scrubbing the upper surface, and the cleaning brush 10 A cleaning brush drive unit 11 for carrying out, a protective gas supply unit 12 for supplying an inert gas as a protective gas to the lower surface (front surface (the other main surface) Wa) of the substrate W held by the spin chuck 5; And a cylindrical processing cup (not shown) surrounding the spin chuck 5.

図２に示すように、処理チャンバー４は、箱状の隔壁（図示しない）と、隔壁の上部から隔壁内（処理チャンバー４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット。図示しない）と、隔壁の下部から処理チャンバー４内の気体を排出する排気装置（図示しない）とを含む。ＦＦＵおよび排気装置により、処理チャンバー４内にダウンフロー（下降流）が形成される。   As shown in FIG. 2, the processing chamber 4 includes a box-shaped partition wall (not shown), and an FFU (fan filter) as a blower unit that sends clean air from the upper part of the partition wall into the partition wall (corresponding to the processing chamber 4). A unit (not shown) and an exhaust device (not shown) for discharging the gas in the processing chamber 4 from the lower part of the partition wall. A downflow (downflow) is formed in the processing chamber 4 by the FFU and the exhaust device.

図２に示すように、スピンチャック５は、鉛直方向に沿う回転軸線Ａ１のまわりに回転可能な回転台１０７を備えている。回転台１０７の回転中心の下面にボス１０９を介して回転軸１０８が結合されている。回転軸１０８は、中空軸であって、鉛直方向に沿って延びており、回転駆動ユニット１０３からの駆動力を受けて、回転軸線Ａ１まわりに回転するように構成されている。回転駆動ユニット１０３は、たとえば、回転軸１０８を駆動軸とする電動モータであってもよい。   As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 includes a turntable 107 that can rotate around a rotation axis A1 along the vertical direction. A rotating shaft 108 is coupled to the lower surface of the rotation center of the turntable 107 via a boss 109. The rotation shaft 108 is a hollow shaft, extends along the vertical direction, and is configured to rotate around the rotation axis A <b> 1 upon receiving a driving force from the rotation drive unit 103. The rotation drive unit 103 may be an electric motor having the rotation shaft 108 as a drive shaft, for example.

図２に示すように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿ってほぼ等間隔を開けて設けられた複数本（この実施形態では６本）の可動ピン１１０を備えている。各可動ピン１１０は、ほぼ水平な上面を有する回転台１０７から一定の間隔を開けた上方の基板保持高さにおいて、基板Ｗを水平に保持するように構成されている。すなわち、スピンチャック５に備えられる保持ピンは、全て可動ピン１１０である。   As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 is further provided with a plurality of (six in this embodiment) movable pins provided at substantially equal intervals along the circumferential direction on the peripheral portion of the upper surface of the turntable 107. 110 is provided. Each movable pin 110 is configured to hold the substrate W horizontally at an upper substrate holding height spaced apart from the turntable 107 having a substantially horizontal upper surface. That is, all the holding pins provided in the spin chuck 5 are the movable pins 110.

回転台１０７は、水平面に沿った円盤状に形成されていて、回転軸１０８に結合されたボス１０９に結合されている。
図３に示すように、各可動ピン１１０は、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿って等間隔に配置されている。各可動ピン１１０は、互いに共通の諸元を有している。６本の可動ピン１１０は、互いに隣り合わない３本の可動ピン１１０ごとに一つの群に設定されている。図３では、可動ピン１１０ａ、可動ピン１１０ｃおよび可動ピン１１０ｅの群と、可動ピン１１０ｂ、可動ピン１１０ｄおよび可動ピン１１０ｆとの群が、互いに別の群に設定されている。 The turntable 107 is formed in a disc shape along a horizontal plane, and is connected to a boss 109 connected to a rotation shaft 108.
As shown in FIG. 3, the movable pins 110 are arranged at equal intervals along the circumferential direction on the peripheral edge of the upper surface of the turntable 107. Each movable pin 110 has specifications common to each other. The six movable pins 110 are set in one group for each of the three movable pins 110 that are not adjacent to each other. In FIG. 3, the group of the movable pin 110a, the movable pin 110c, and the movable pin 110e and the group of the movable pin 110b, the movable pin 110d, and the movable pin 110f are set to different groups.

換言すると、６本の可動ピン１１０は、第１の可動ピン群１１１（図９Ａ等）に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅ（１１０）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆ（１１０）とを含み、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２（図９Ａ等）に含まれる可動ピン１１０とは、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。第１の可動ピン群１１１に着目すれば、３本の可動ピン１１０は等間隔（１２０°間隔）に配置されている。また、第２の可動ピン群１１２に着目すれば、３本の可動ピン１１０は等間隔（１２０°間隔）に配置されている。   In other words, the six movable pins 110 are included in the three movable pins 110a, 110c, and 110e (110) included in the first movable pin group 111 (FIG. 9A and the like) and the second movable pin group 112. 3 movable pins 110b, 110d, 110f (110), and the movable pins 110 included in the first movable pin group 111 and the movable pins included in the second movable pin group 112 (FIG. 9A, etc.). 110 are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable 107. Focusing on the first movable pin group 111, the three movable pins 110 are arranged at equal intervals (120 ° intervals). If attention is paid to the second movable pin group 112, the three movable pins 110 are arranged at equal intervals (120 ° intervals).

各可動ピン１１０は、回転台１０７に結合された下軸部１５１と、下軸部１５１の上端に一体的に形成された上軸部（支持部）１５２とを含み、下軸部１５１および上軸部１５２がそれぞれ円柱形状に形成されている。上軸部１５２は、下軸部１５１の中心軸線から偏心して設けられている。下軸部１５１の上端と上軸部１５２の下端との間をつなぐ表面は、上軸部１５２から下軸部１５１の周面に向かって下降するテーパ面１５３を形成している。   Each movable pin 110 includes a lower shaft portion 151 coupled to the turntable 107 and an upper shaft portion (support portion) 152 formed integrally with the upper end of the lower shaft portion 151. Each of the shaft portions 152 is formed in a cylindrical shape. The upper shaft portion 152 is provided eccentric from the center axis of the lower shaft portion 151. The surface connecting the upper end of the lower shaft portion 151 and the lower end of the upper shaft portion 152 forms a tapered surface 153 that descends from the upper shaft portion 152 toward the peripheral surface of the lower shaft portion 151.

図７に示すように、可動ピン１１０は、下軸部１５１がその中心軸線と同軸の回転軸線Ａ３まわりに回転可能であるように回転台１０７に結合されている。より詳細には、下軸部１５１の下端部には、回転台１０７に対して軸受け１５４を介して支持された支持軸１５５が設けられている。支持軸１５５の下端には、駆動用永久磁石（駆動用磁石）１５６を保持した磁石保持部材１５７が結合されている。駆動用永久磁石１５６は、たとえば、磁極方向を可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向に向けて配置されている。各駆動用永久磁石１５６は、当該駆動用永久磁石１５６に対応する可動ピン１１０に外力が付与されていない状態で、回転軸線Ａ３に直交する方向（回転軸線に沿う軸線に直交する方向）に関し互いに等しい磁極方向を有するように設けられている。   As shown in FIG. 7, the movable pin 110 is coupled to the turntable 107 so that the lower shaft portion 151 can rotate around the rotation axis A <b> 3 coaxial with the central axis thereof. More specifically, a support shaft 155 that is supported by a rotary table 107 via a bearing 154 is provided at the lower end portion of the lower shaft portion 151. A magnet holding member 157 holding a driving permanent magnet (driving magnet) 156 is coupled to the lower end of the support shaft 155. The driving permanent magnet 156 is disposed, for example, with the magnetic pole direction oriented in a direction orthogonal to the rotation axis A3 of the movable pin 110. Each of the driving permanent magnets 156 is mutually in relation to a direction orthogonal to the rotation axis A3 (a direction orthogonal to the axis along the rotation axis) in a state where no external force is applied to the movable pin 110 corresponding to the driving permanent magnet 156. They are provided to have equal magnetic pole directions.

駆動用永久磁石１５６は、閉塞永久磁石（閉塞磁石）１２５からの吸引磁力（弾性押圧部材による弾性押圧力を上回る磁力）を受けたときに、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動するように配置されている。
図２に示すように、回転台１０７の下方には、複数の開放永久磁石（開放磁石）１２７が回転台１０７の周方向に沿って配置されている。具体的には、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなす３つ（各可動ピン群１１１，１１２に含まれる可動ピン１１０の数と同数））の開放永久磁石１２７が、互いに共通の高さ位置でかつ回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置されている。３つの開放永久磁石１２７は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。開放永久磁石１２７は、より具体的には、回転軸線Ａ１に対して、駆動用永久磁石１５６と略同じ位置か、駆動用永久磁石１５６よりも若干径方向の外方に配置されている（図３および図４では、略同じ位置の場合を示している）。各開放永久磁石１２７の周方向長さ(角度)は、約３０°である。各開放永久磁石１２７の周方向長さ(角度)を約３０°とした理由は、後述するように基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転させたときに、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６が通過する環状領域に形成される磁界発生領域１２９（図９Ａ等参照）の周方向長さが、約６０°（可動ピン１１０の周方向の配置間隔）と略一致するように設定したものである。 The driving permanent magnet 156 has a holding position in which the upper shaft portion 152 approaches the rotation axis A1 when receiving an attractive magnetic force (a magnetic force exceeding the elastic pressing force by the elastic pressing member) from the closing permanent magnet (blocking magnet) 125. It is arranged to move to.
As shown in FIG. 2, a plurality of open permanent magnets (open magnets) 127 are arranged below the turntable 107 along the circumferential direction of the turntable 107. Specifically, the three open permanent magnets 127 (the same number as the number of movable pins 110 included in each movable pin group 111, 112) having an arc shape centering on the rotation axis A1 have a common height. Are arranged at intervals and in the circumferential direction of the turntable 107. The three open permanent magnets 127 have the same specifications as each other, and are arranged at equal intervals in the circumferential direction on the circumference coaxial with the rotation axis A1. Each open permanent magnet 127 is arranged along a plane (horizontal plane) orthogonal to the rotation axis A1. More specifically, the open permanent magnet 127 is disposed at substantially the same position as the drive permanent magnet 156 or slightly outward in the radial direction with respect to the rotation axis A1 (see FIG. 3 and FIG. 4 show a case of substantially the same position). The circumferential length (angle) of each open permanent magnet 127 is about 30 °. The reason why the circumferential length (angle) of each open permanent magnet 127 is about 30 ° is that the rotation of the turntable 107 when the substrate W is rotated at a liquid processing speed (for example, about 500 rpm) as will be described later. The circumferential length of the magnetic field generating region 129 (see FIG. 9A and the like) formed in the annular region through which the driving permanent magnet 156 that rotates with the rotation passes is about 60 ° (the circumferential arrangement interval of the movable pins 110). It is set so as to substantially match.

各開放永久磁石１２７の磁極方向は、この実施形態では、上下方向に沿っている。各開放永久磁石１２７の上面は、閉塞永久磁石１２５の上面の磁極と反対の磁極をリング状に有している。閉塞永久磁石１２５の上面がたとえばＳ極である場合には、各開放永久磁石１２７の上面も同極性のＳ極を有している。
開放永久磁石１２７には、当該複数の開放永久磁石１２７を一括して昇降させる外側昇降ユニット（第１の相対移動ユニット）１２８が連結されている。外側昇降ユニット１２８は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、外側昇降ユニット１２８が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、外側昇降ユニット１２８は開放永久磁石１２７を個別に昇降させるようにしてもよい。 In this embodiment, the magnetic pole direction of each open permanent magnet 127 is in the vertical direction. The upper surface of each open permanent magnet 127 has a magnetic pole opposite to the magnetic pole on the upper surface of the closed permanent magnet 125 in a ring shape. When the upper surface of the closed permanent magnet 125 is, for example, the south pole, the upper surface of each open permanent magnet 127 also has the south pole of the same polarity.
The open permanent magnet 127 is connected to an outer lifting unit (first relative movement unit) 128 that lifts and lowers the plurality of open permanent magnets 127 at once. The outer lifting / lowering unit 128 includes, for example, a cylinder that is extendable in the vertical direction, and is supported by the cylinder. Further, the outer elevating unit 128 may be configured using an electric motor. Further, the outer elevating unit 128 may elevate the open permanent magnet 127 individually.

開放永久磁石１２７が、その磁極が駆動用永久磁石１５６に対して上下方向に接近する上位置（第１の位置。図１２Ｃ参照）に配置され、かつ開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６とが横方向に対向する状態では、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に磁力が作用する。
図２に示すように、回転台１０７の下方には、閉塞永久磁石（閉塞磁石）１２５が配置されている。閉塞永久磁石１２５には、当該閉塞永久磁石１２５を昇降させる内側昇降ユニット（第２の相対移動ユニット）１２６が連結されている。内側昇降ユニット１２６は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、内側昇降ユニット１２６が、駆動モータを用いて構成されていてもよい。 The open permanent magnet 127 is disposed at an upper position (first position; see FIG. 12C) in which the magnetic pole approaches the drive permanent magnet 156 in the vertical direction, and the open permanent magnet 127 and the drive permanent magnet 156 In the state where the two are opposed to each other in the lateral direction, a magnetic force acts between the open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156.
As shown in FIG. 2, a closed permanent magnet (blocking magnet) 125 is disposed below the turntable 107. An inner lifting / lowering unit (second relative movement unit) 126 that lifts and lowers the closing permanent magnet 125 is connected to the closing permanent magnet 125. The inner lifting / lowering unit 126 includes, for example, a cylinder that is extendable in the vertical direction, and is supported by the cylinder. Further, the inner lifting unit 126 may be configured using a drive motor.

閉塞永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。閉塞永久磁石１２５は、より具体的には、回転軸線Ａ１に対して、後述する保護ディスク側永久磁石１６０よりも遠く、かつ駆動用永久磁石１５６よりも近い位置に配置されている。つまり、平面視において、円環状の閉塞永久磁石１２５は、保護ディスク側永久磁石１６０と駆動用永久磁石１５６との間に位置している。また、閉塞永久磁石１２５は、保護ディスク側永久磁石１６０よりも低い位置に配置されている。閉塞永久磁石１２５の磁極方向は、この実施形態では、水平方向、すなわち回転台１０７の回転半径方向に沿っている。保護ディスク側永久磁石１６０が下面にＳ極を有する場合には、閉塞永久磁石１２５は、回転半径方向内方に同じ磁極、すなわちＳ極をリング状に有するように構成される。   The closing permanent magnet 125 is formed in an annular shape coaxial with the rotation axis A1, and is disposed along a plane (horizontal plane) orthogonal to the rotation axis A1. More specifically, the closing permanent magnet 125 is disposed at a position farther than a protective disk side permanent magnet 160 described later and closer to the driving permanent magnet 156 with respect to the rotational axis A1. That is, in a plan view, the annular closed permanent magnet 125 is located between the protective disk side permanent magnet 160 and the driving permanent magnet 156. Further, the closing permanent magnet 125 is disposed at a position lower than the protective disk side permanent magnet 160. In this embodiment, the magnetic pole direction of the closing permanent magnet 125 is in the horizontal direction, that is, the rotational radius direction of the turntable 107. When the protection disk side permanent magnet 160 has the south pole on the lower surface, the closing permanent magnet 125 is configured to have the same magnetic pole, that is, the south pole in a ring shape inward in the rotational radius direction.

閉塞永久磁石１２５が、リング状の磁極を駆動用永久磁石１５６に対して水平方向に対向させる上位置（第３の位置。図８Ｂおよび図１２Ｂ参照）に配置された状態では、閉塞永久磁石１２５と駆動用永久磁石１５６との間に働く磁力によって、可動ピン１１０が保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持されることになる。
回転台１０７の下方には、開放永久磁石１２７によって発生する磁界と閉塞永久磁石１２５によって発生する磁界とを遮蔽する遮蔽部材１３０が設けられている。遮蔽部材１３０は、遮蔽部材１３０は、回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置された平面視円弧状の３つ（開放永久磁石１２７の個数と同数）の遮弊板１３１を有する。各遮弊板１３１は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなしている。３つの遮弊板１３１は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各遮弊板１３１は、閉塞永久磁石１２５の内側に配置されている。３つの遮弊板１３１は３つの開放永久磁石１２７に一対一対応で設けられている。互いに対応する一組の遮弊板１３１および開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１からみて互いに同じ角度方向に配置されている。また、互いに対応する一組の遮弊板１３１および開放永久磁石１２７は、互いに等しい。各遮弊板１３１は、閉塞永久磁石１２５と一体昇降可能に閉塞永久磁石１２５に取り付けられていてもよいし、回転台１０７に対して相対回転不能かつ相対昇降不能に設けられた別の支持部材に取り付けられていてもよい。各遮弊板１３１の上下幅は、開放永久磁石１２７によって発生する磁界と閉塞永久磁石１２５によって発生する磁界とを完全に遮蔽できるような寸法に設定されている。 In the state where the closing permanent magnet 125 is disposed at the upper position (the third position, see FIGS. 8B and 12B) where the ring-shaped magnetic pole faces the driving permanent magnet 156 in the horizontal direction, the closing permanent magnet 125. The movable pin 110 is driven to the holding position by the magnetic force acting between the driving permanent magnet 156 and the driving permanent magnet 156, and is held at the holding position.
Below the turntable 107, a shielding member 130 that shields the magnetic field generated by the open permanent magnet 127 and the magnetic field generated by the closing permanent magnet 125 is provided. The shielding member 130 has three shielding plates 131 (the same number as the number of open permanent magnets 127) having a circular arc shape in a plan view and spaced apart in the circumferential direction of the turntable 107. Each shielding plate 131 has an arc shape centered on the rotation axis A1. The three shielding plates 131 have the same specifications as each other, and are arranged at equal intervals in the circumferential direction on the circumference coaxial with the rotation axis A1. Each shielding plate 131 is disposed inside the closed permanent magnet 125. The three shielding plates 131 are provided in a one-to-one correspondence with the three open permanent magnets 127. A pair of shielding plates 131 and open permanent magnets 127 corresponding to each other are disposed in the same angular direction as viewed from the rotation axis A1. Further, the pair of shielding plates 131 and the open permanent magnets 127 corresponding to each other are equal to each other. Each blocking plate 131 may be attached to the closing permanent magnet 125 so as to be able to move up and down integrally with the closing permanent magnet 125, or another support member provided so as not to rotate relative to the turntable 107 and not to move up and down. It may be attached to. The vertical width of each shielding plate 131 is set to a dimension that can completely shield the magnetic field generated by the open permanent magnet 127 and the magnetic field generated by the closing permanent magnet 125.

図７を参照して前述したように、可動ピン１１０は、回転軸線Ａ２から偏心した位置に上軸部１５２を有している。すなわち、上軸部１５２の中心軸線Ｂは回転軸線Ａ２からずれている。したがって、下軸部１５１の回転により、上軸部１５２は、（中心軸線Ｂが）回転軸線Ａ１から離れた遠い開放位置（後述する図８Ａ参照）と、中心軸線Ｂが）回転軸線Ａ１に近づいた保持位置（後述する図８Ｂ参照）との間で変位することになる。可動ピン１１０の上軸部１５２は、ばね等の弾性押圧部材（図示しない）の弾性押圧力によって開放位置へと付勢されている。したがって、駆動用永久磁石１５６が閉塞永久磁石１２５からの吸引磁力を受けないときには、回転軸線Ａ１から離れた開放位置に可動ピン１１０が位置している。   As described above with reference to FIG. 7, the movable pin 110 has the upper shaft portion 152 at a position eccentric from the rotation axis A2. That is, the center axis B of the upper shaft portion 152 is deviated from the rotation axis A2. Accordingly, the rotation of the lower shaft portion 151 causes the upper shaft portion 152 to approach the rotation axis A1 (the center axis B) is far away from the rotation axis A1 (see FIG. 8A described later) and the center axis B). And the holding position (see FIG. 8B described later). The upper shaft portion 152 of the movable pin 110 is biased to the open position by an elastic pressing force of an elastic pressing member (not shown) such as a spring. Therefore, when the driving permanent magnet 156 does not receive the attractive magnetic force from the closing permanent magnet 125, the movable pin 110 is located at an open position away from the rotation axis A1.

図２に示すように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面と可動ピン１１０による基板保持高さとの間に配置された保護ディスク１１５を備えている。保護ディスク１１５は、回転台１０７に対して上下動可能に結合されており、回転台１０７の上面に近い下位置と、当該下位置よりも上方において可動ピン１１０に保持された基板Ｗの下面に微小間隔を開けて接近した接近位置との間で移動可能である。保護ディスク１１５は、基板Ｗよりも僅かに大径の大きさを有する円盤状の部材であって、可動ピン１１０に対応する位置には当該可動ピン１１０を回避するための切り欠き１１６が形成されている。   As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 further includes a protective disk 115 disposed between the upper surface of the turntable 107 and the substrate holding height by the movable pin 110. The protection disk 115 is coupled to the turntable 107 so as to be movable up and down, and is provided at a lower position near the upper surface of the turntable 107 and on a lower surface of the substrate W held by the movable pin 110 above the lower position. It is possible to move between close positions that are close to each other with a small gap. The protective disk 115 is a disk-like member having a slightly larger diameter than the substrate W, and a notch 116 for avoiding the movable pin 110 is formed at a position corresponding to the movable pin 110. ing.

回転軸１０８は、中空軸であって、その内部に、不活性ガス供給管１７０が挿通されている。不活性ガス供給管１７０の下端には不活性ガス供給源からの、保護気体の一例としての不活性ガスを導く不活性ガス供給路１７２が結合されている。不活性ガス供給路１７２に導かれる不活性ガスとして、ＣＤＡ（低湿度の清浄空気）や窒素ガス等の不活性ガスを例示できる。不活性ガス供給路１７２の途中には、不活性ガスバルブ１７３および不活性ガス流量調整バルブ１７４が介装されている。不活性ガスバルブ１７３は、不活性ガス供給路１７２を開閉する。不活性ガスバルブ１７３を開くことによって、不活性ガス供給管１７０へと不活性ガスが送り込まれる。この不活性ガスは、後述する構成によって、保護ディスク１１５と基板Ｗの下面との間の空間に供給される。このように、不活性ガス供給管１７０、不活性ガス供給路１７２および不活性ガスバルブ１７３などによって、前述の保護気体供給ユニット１２が構成されている。   The rotating shaft 108 is a hollow shaft, and an inert gas supply pipe 170 is inserted through the rotating shaft 108. An inert gas supply path 172 that guides an inert gas as an example of a protective gas from an inert gas supply source is coupled to the lower end of the inert gas supply pipe 170. Examples of the inert gas guided to the inert gas supply path 172 include an inert gas such as CDA (clean air with low humidity) and nitrogen gas. In the middle of the inert gas supply path 172, an inert gas valve 173 and an inert gas flow rate adjustment valve 174 are interposed. The inert gas valve 173 opens and closes the inert gas supply path 172. By opening the inert gas valve 173, the inert gas is fed into the inert gas supply pipe 170. This inert gas is supplied to a space between the protective disk 115 and the lower surface of the substrate W by a configuration described later. As described above, the protective gas supply unit 12 is configured by the inert gas supply pipe 170, the inert gas supply path 172, the inert gas valve 173, and the like.

保護ディスク１１５は、基板Ｗと同程度の大きさを有するほぼ円盤状の部材である。保護ディスク１１５の周縁部には、可動ピン１１０に対応する位置に、可動ピン１１０の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン１１０を縁取るように切り欠き１１６が形成されている。保護ディスク１１５の中央領域には、ボス１０９に対応した円形の開口が形成されている。   The protective disk 115 is a substantially disk-shaped member having a size similar to that of the substrate W. A cutout 116 is formed on the peripheral edge of the protection disk 115 at a position corresponding to the movable pin 110 so as to border the movable pin 110 with a certain distance from the outer peripheral surface of the movable pin 110. A circular opening corresponding to the boss 109 is formed in the central region of the protection disk 115.

図３および図５に示すように、ボス１０９よりも回転軸線Ａ１から遠い位置には、保護ディスク１１５の下面に、回転軸線Ａ１と平行に鉛直方向に延びたガイド軸１１７が結合されている。ガイド軸１１７は、この実施形態では、保護ディスク１１５の周方向に等間隔を開けた３箇所に配置されている。より具体的には、回転軸線Ａ１から見て、１本おきの可動ピン１１０に対応する角度位置に３本のガイド軸１１７がそれぞれ配置されている。ガイド軸１１７は、回転台１０７の対応箇所に設けられたリニア軸受け１１８と結合されており、このリニア軸受け１１８によって案内されながら、鉛直方向、すなわち回転軸線Ａ１に平行な方向へ移動可能である。したがって、ガイド軸１１７およびリニア軸受け１１８は、保護ディスク１１５を回転軸線Ａ１に平行な上下方向に沿って案内する案内ユニット１１９を構成している。   As shown in FIGS. 3 and 5, a guide shaft 117 extending in the vertical direction in parallel with the rotation axis A <b> 1 is coupled to the lower surface of the protective disk 115 at a position farther from the rotation axis A <b> 1 than the boss 109. In this embodiment, the guide shaft 117 is disposed at three locations that are equally spaced in the circumferential direction of the protective disk 115. More specifically, three guide shafts 117 are arranged at angular positions corresponding to every other movable pin 110 as viewed from the rotation axis A1. The guide shaft 117 is coupled to a linear bearing 118 provided at a corresponding portion of the turntable 107, and is movable in the vertical direction, that is, in a direction parallel to the rotation axis A1 while being guided by the linear bearing 118. Therefore, the guide shaft 117 and the linear bearing 118 constitute a guide unit 119 that guides the protective disk 115 along the vertical direction parallel to the rotation axis A1.

ガイド軸１１７は、リニア軸受け１１８を貫通しており、その下端に、外向きに突出したフランジ１２０を備えている。フランジ１２０がリニア軸受け１１８の下端に当接することにより、ガイド軸１１７の上方への移動、すなわち保護ディスク１１５の上方への移動が規制される。すなわち、フランジ１２０は、保護ディスク１１５の上方への移動を規制する規制部材である。   The guide shaft 117 passes through the linear bearing 118, and has a flange 120 protruding outward at the lower end thereof. When the flange 120 abuts on the lower end of the linear bearing 118, the upward movement of the guide shaft 117, that is, the upward movement of the protective disk 115 is restricted. That is, the flange 120 is a regulating member that regulates the upward movement of the protective disk 115.

ガイド軸１１７よりも回転軸線Ａ１から遠い外方であって、かつ可動ピン１１０よりも回転軸線Ａ１に近い内方の位置には、保護ディスク側永久磁石１６０を保持した磁石保持部材１６１が、保護ディスク１１５の下面に固定されている。保護ディスク側永久磁石１６０は、この実施形態では、磁極方向を上下方向に向けて磁石保持部材１６１に保持されている。たとえば、保護ディスク側永久磁石１６０は、下側にＳ極を有し、上側にＮ極を有するように磁石保持部材１６１に固定されていてもよい。磁石保持部材１６１は、この実施形態では、周方向に等間隔を開けて６箇所に設けられている。より具体的には、回転軸線Ａ１から見て、隣り合う可動ピン１１０の間（この実施形態では中間）に対応する角度位置に、各磁石保持部材１６１が配置されている。さらに、回転軸線Ａ１からみて６個の磁石保持部材１６１によって分割（この実施形態では等分）される６個の角度領域のうち、一つおきの角度領域内（この実施形態では当該角度領域の中央位置）に、３本のガイド軸１１７がそれぞれ配置されている。   A magnet holding member 161 holding the protective disk side permanent magnet 160 is protected at an outer position farther from the rotation axis A1 than the guide shaft 117 and closer to the rotation axis A1 than the movable pin 110. It is fixed to the lower surface of the disk 115. In this embodiment, the protective disk side permanent magnet 160 is held by the magnet holding member 161 with the magnetic pole direction directed in the vertical direction. For example, the protective disk side permanent magnet 160 may be fixed to the magnet holding member 161 so as to have an S pole on the lower side and an N pole on the upper side. In this embodiment, the magnet holding members 161 are provided at six locations at equal intervals in the circumferential direction. More specifically, each magnet holding member 161 is arranged at an angular position corresponding to between the adjacent movable pins 110 (in the present embodiment) as viewed from the rotation axis A1. Further, among the six angular regions divided (equally divided in this embodiment) by the six magnet holding members 161 as viewed from the rotation axis A1, within every other angular region (in this embodiment, in the angular region). Three guide shafts 117 are arranged at the center position).

図４に示すように、回転台１０７には、６個の磁石保持部材１６１に対応する６箇所に、貫通孔１６２が形成されている。各貫通孔１６２は、対応する磁石保持部材１６１をそれぞれ回転軸線Ａ１と平行な鉛直方向に挿通させることができるように形成されている。保護ディスク１１５が下位置にあるとき、磁石保持部材１６１は貫通孔１６２を挿通して回転台１０７の下面よりも下方に突出しており、保護ディスク側永久磁石１６０は、回転台１０７の下面よりも下方に位置している。   As shown in FIG. 4, through-holes 162 are formed in the turntable 107 at six locations corresponding to the six magnet holding members 161. Each through hole 162 is formed so that the corresponding magnet holding member 161 can be inserted in a vertical direction parallel to the rotation axis A1. When the protection disk 115 is in the lower position, the magnet holding member 161 is inserted through the through hole 162 and protrudes downward from the lower surface of the turntable 107, and the protection disk side permanent magnet 160 is lower than the lower surface of the turntable 107. Located below.

閉塞永久磁石１２５が上位置（図１２Ｂ参照）にあるとき、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間に反発磁力が働き、保護ディスク側永久磁石１６０は、上向きの外力を受ける。それによって、保護ディスク１１５は、保護ディスク側永久磁石１６０を保持している磁石保持部材１６１から上向きの力を受けて、基板Ｗの下面に接近した処理位置に保持される。   When the closed permanent magnet 125 is in the upper position (see FIG. 12B), a repulsive magnetic force acts between the closed permanent magnet 125 and the protective disk side permanent magnet 160, and the protective disk side permanent magnet 160 receives an upward external force. As a result, the protective disk 115 receives an upward force from the magnet holding member 161 holding the protective disk side permanent magnet 160 and is held at a processing position close to the lower surface of the substrate W.

閉塞永久磁石１２５が、上位置（図１２Ｂ参照）から下方に離間する下位置（第４の位置。図１２Ｂ等参照）に配置された状態では、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間の反発磁力は小さく、そのため、保護ディスク１１５は、自重によって回転台１０７の上面に近い下位置に保持される。また、閉塞永久磁石１２５が駆動用永久磁石１５６に対向しないので、可動ピン１１０には、当該可動ピン１１０をその保持位置へと付勢する外力が働かない。   In a state where the closing permanent magnet 125 is disposed at a lower position (fourth position; see FIG. 12B, etc.) that is spaced downward from the upper position (see FIG. 12B), the closing permanent magnet 125 and the protection disk side permanent magnet 160 Therefore, the protective disk 115 is held at a lower position near the upper surface of the turntable 107 by its own weight. Further, since the closing permanent magnet 125 does not face the driving permanent magnet 156, an external force that urges the movable pin 110 to its holding position does not act on the movable pin 110.

そのため、閉塞永久磁石１２５が下位置にあるとき、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近い下位置にあり、可動ピン１１０はその開放位置に保持されることになる。この状態では、スピンチャック５に対して基板Ｗを搬入および搬出するセンターロボットＣＲは、そのハンドＨ２を保護ディスク１１５と基板Ｗの下面との間の空間に進入させることができる。   Therefore, when the closed permanent magnet 125 is in the lower position, the protective disk 115 is in the lower position near the upper surface of the turntable 107, and the movable pin 110 is held in the open position. In this state, the center robot CR that carries the substrate W in and out of the spin chuck 5 can cause the hand H2 to enter the space between the protective disk 115 and the lower surface of the substrate W.

保護ディスク側永久磁石１６０と、閉塞永久磁石１２５と、内側昇降ユニット１２６とは、永久磁石１２５，１６０の間の反発力によって保護ディスク１１５を回転台１０７の表面から上方へと浮上させて処理位置へと導く磁気浮上ユニット１４１を構成している。また、駆動用永久磁石１５６と、閉塞永久磁石１２５と、内側昇降ユニット１２６とは、永久磁石１２５，１５６の間の磁力によって可動ピン１１０をその保持位置に保持する磁気駆動ユニット１４２を構成している。   The protective disk-side permanent magnet 160, the closed permanent magnet 125, and the inner lifting / lowering unit 126 cause the protective disk 115 to float upward from the surface of the turntable 107 by the repulsive force between the permanent magnets 125, 160. The magnetic levitation unit 141 leading to is constructed. The driving permanent magnet 156, the closing permanent magnet 125, and the inner lifting / lowering unit 126 constitute a magnetic driving unit 142 that holds the movable pin 110 in its holding position by the magnetic force between the permanent magnets 125 and 156. Yes.

すなわち、磁気浮上ユニット１４１および磁気駆動ユニット１４２は、閉塞永久磁石１２５と、内側昇降ユニット１２６とを共有している。そして、閉塞永久磁石１２５が上位置にあるときに、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間の磁気反発力によって保護ディスク１１５が接近位置に保持され、かつ閉塞永久磁石１２５と駆動用永久磁石１５６との間の磁気吸引力によって可動ピン１１０がその保持位置に保持される。   That is, the magnetic levitation unit 141 and the magnetic drive unit 142 share the closed permanent magnet 125 and the inner lifting / lowering unit 126. When the closed permanent magnet 125 is in the upper position, the protective disk 115 is held in the approach position by the magnetic repulsive force between the closed permanent magnet 125 and the protective disk side permanent magnet 160, and is driven with the closed permanent magnet 125. The movable pin 110 is held in the holding position by the magnetic attractive force between the permanent magnet 156 for use.

図６に拡大して示すように、回転軸１０８の上端に結合されたボス１０９は、不活性ガス供給管１７０の上端部を支持するための軸受けユニット１７５を保持している。軸受けユニット１７５は、ボス１０９に形成された凹所１７６に嵌め込まれて固定されたスペーサ１７７と、スペーサ１７７と不活性ガス供給管１７０との間に配置された軸受け１７８と、同じくスペーサ１７７と不活性ガス供給管１７０との間において軸受け１７８よりも上方に設けられた磁性流体軸受け１７９とを備えている。   As shown in an enlarged view in FIG. 6, the boss 109 coupled to the upper end of the rotating shaft 108 holds a bearing unit 175 for supporting the upper end portion of the inert gas supply pipe 170. The bearing unit 175 includes a spacer 177 fitted and fixed in a recess 176 formed in the boss 109, a bearing 178 disposed between the spacer 177 and the inert gas supply pipe 170, and the spacer 177. A magnetic fluid bearing 179 provided above the bearing 178 between the active gas supply pipe 170 and the active gas supply pipe 170 is provided.

図５に示すように、ボス１０９は、水平面に沿って外方に突出したフランジ１８１を一体的に有しており、このフランジ１８１に回転台１０７が結合されている。さらに、フランジ１８１には、回転台１０７の内周縁部を挟み込むように前述のスペーサ１７７が固定されていて、このスペーサ１７７に、カバー１８４が結合されている。カバー１８４は、ほぼ円盤状に形成されており、不活性ガス供給管１７０の上端を露出させるための開口を中央に有し、この開口を底面とした凹所１８５がその上面に形成されている。凹所１８５は、水平な底面と、その底面の周縁から外方に向かって斜め上方に立ち上がった倒立円錐面状の傾斜面１８３とを有している。凹所１８５の底面には、整流部材１８６が結合されている。整流部材１８６は、回転軸線Ａ１のまわりに周方向に沿って間隔を開けて離散的に配置された複数個（たとえば４個）の脚部１８７を有し、この脚部１８７によって凹所１８５の底面から間隔をあけて配置された底面１８８を有している。底面１８８の周縁部から、外方に向かって斜め上方へと延びた倒立円錐面からなる傾斜面１８９が形成されている。   As shown in FIG. 5, the boss 109 integrally has a flange 181 protruding outward along a horizontal plane, and the turntable 107 is coupled to the flange 181. Further, the above-mentioned spacer 177 is fixed to the flange 181 so as to sandwich the inner peripheral edge of the turntable 107, and the cover 184 is coupled to the spacer 177. The cover 184 is formed in a substantially disk shape, and has an opening for exposing the upper end of the inert gas supply pipe 170 at the center, and a recess 185 having the opening as a bottom surface is formed on the upper surface thereof. . The recess 185 has a horizontal bottom surface and an inverted conical inclined surface 183 that rises obliquely upward from the periphery of the bottom surface outward. A rectifying member 186 is coupled to the bottom surface of the recess 185. The rectifying member 186 has a plurality of (for example, four) leg portions 187 that are discretely arranged at intervals along the circumferential direction around the rotation axis A <b> 1, and the leg portions 187 define the recesses 185. It has a bottom surface 188 that is spaced from the bottom surface. An inclined surface 189 made of an inverted conical surface extending obliquely upward toward the outside from the peripheral edge of the bottom surface 188 is formed.

図５および図６に示すように、カバー１８４の上面外周縁には外向きにフランジ１８４ａが形成されている。このフランジ１８４ａは、保護ディスク１１５の内周縁に形成された段差部１１５ａと整合するようになっている。すなわち、保護ディスク１１５が基板Ｗの下面に接近した接近位置にあるとき、フランジ１８４ａと段差部１１５ａとが合わさり、カバー１８４の上面と保護ディスク１１５の上面とが同一平面内に位置して、平坦な不活性ガス流路を形成する。   As shown in FIGS. 5 and 6, a flange 184 a is formed outwardly on the outer periphery of the upper surface of the cover 184. The flange 184a is aligned with a step portion 115a formed on the inner peripheral edge of the protective disk 115. That is, when the protective disk 115 is in an approach position close to the lower surface of the substrate W, the flange 184a and the stepped portion 115a are combined, and the upper surface of the cover 184 and the upper surface of the protective disk 115 are located in the same plane and are flat. An inert gas flow path is formed.

このような構成により、不活性ガス供給管１７０の上端から流出する不活性ガスは、カバー１８４の凹所１８５内において整流部材１８６の底面１８８によって区画された空間に出る。この不活性ガスは、さらに、凹所１８５の傾斜面１８３および整流部材１８６の傾斜面１８９によって区画された放射状の流路１８２を介して、回転軸線Ａ１から離れる放射方向に向かって吹き出されることになる。この不活性ガスは、保護ディスク１１５と可動ピン１１０によって保持された基板Ｗの下面との間の空間に不活性ガスの気流を形成し、当該空間から基板Ｗの回転半径方向外方へ向かって吹き出す。   With such a configuration, the inert gas flowing out from the upper end of the inert gas supply pipe 170 exits into the space defined by the bottom surface 188 of the rectifying member 186 in the recess 185 of the cover 184. This inert gas is further blown out in the radial direction away from the rotation axis A1 through the radial flow path 182 defined by the inclined surface 183 of the recess 185 and the inclined surface 189 of the rectifying member 186. become. This inert gas forms an air flow of the inert gas in a space between the protective disk 115 and the lower surface of the substrate W held by the movable pin 110, and the substrate W is directed outward in the rotational radius direction from the space. Blow out.

図５に示すように、保護ディスク１１５の上面の周縁部および保護ディスク１１５の周端は、円環状のカバー１９１によって保護されている。カバー１９１は、上面の周縁部から径方向外方に向けて水平方向に張り出す円環板部１９２と、円環板部１９２の周端から垂下する円筒部１９３とを含む。円環板部１９２の外周は、回転台１０７の周端よりも外方に位置している。円環板部１９２および円筒部１９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。円環板部１９２の内周の、可動ピン１１０に対応する位置には、該可動ピン１１０を回避するための切り欠き１９４が形成されている。切り欠き１９４は、可動ピン１１０の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン１１０を縁取るように形成されている。円環板部１９２および円筒部１９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。   As shown in FIG. 5, the peripheral edge of the upper surface of the protective disk 115 and the peripheral edge of the protective disk 115 are protected by an annular cover 191. The cover 191 includes an annular plate portion 192 that protrudes in the horizontal direction from the peripheral edge portion of the upper surface in the radially outward direction, and a cylindrical portion 193 that hangs down from the peripheral end of the annular plate portion 192. The outer periphery of the annular plate portion 192 is located outward from the peripheral end of the turntable 107. The annular plate portion 192 and the cylindrical portion 193 are integrally formed using, for example, a resin material having chemical resistance. A cutout 194 for avoiding the movable pin 110 is formed at a position corresponding to the movable pin 110 on the inner periphery of the annular plate portion 192. The notch 194 is formed so as to border the movable pin 110 with a certain distance from the outer peripheral surface of the movable pin 110. The annular plate portion 192 and the cylindrical portion 193 are integrally formed using, for example, a resin material having chemical resistance.

カバー１９１の円環板部１９２は、可動ピン１１０によって保持された基板Ｗの周縁部において不活性ガスの流路を絞る絞り部１９０（図１３Ｃ参照）を上面に有している。この絞り部１９０によって、カバー１９１と基板Ｗの下面との間の空間から外方に吹き出される不活性ガス流の流速が高速になるので、基板Ｗの上面の処理液（薬液やリンス液）が基板Ｗの下面の周縁部よりも内側に進入することを確実に回避または抑制することができる。   The annular plate portion 192 of the cover 191 has a throttle portion 190 (see FIG. 13C) on the upper surface that restricts the flow path of the inert gas at the peripheral edge portion of the substrate W held by the movable pin 110. The throttle unit 190 increases the flow rate of the inert gas flow blown outward from the space between the cover 191 and the lower surface of the substrate W, so that the processing liquid (chemical solution or rinsing liquid) on the upper surface of the substrate W is increased. Can be reliably avoided or suppressed from entering inside the peripheral edge of the lower surface of the substrate W.

図２に示すように、薬液供給ユニット１３は、ＦＯＭ（薬液）を基板Ｗの上面に向けて吐出する薬液ノズル６と、薬液ノズル６が先端部に取り付けられたノズルアーム２１と、ノズルアーム２１を移動させることにより、薬液ノズル６を移動させるノズル移動ユニット２２とを含む。
薬液ノズル６は、たとえば、連続流の状態でＦＯＭを吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向にＦＯＭを吐出する垂直姿勢でノズルアーム２１に取り付けられている。ノズルアーム２１は水平方向に延びており、スピンチャック５の周囲で鉛直方向に延びる所定の揺動軸線（図示しない）まわりに旋回可能に設けられている。 As shown in FIG. 2, the chemical liquid supply unit 13 includes a chemical liquid nozzle 6 that discharges FOM (chemical liquid) toward the upper surface of the substrate W, a nozzle arm 21 with the chemical liquid nozzle 6 attached to the tip, and a nozzle arm 21. And a nozzle moving unit 22 for moving the chemical nozzle 6 by moving the nozzle.
The chemical nozzle 6 is, for example, a straight nozzle that discharges FOM in a continuous flow state, and is attached to the nozzle arm 21 in a vertical posture that discharges FOM in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate W, for example. The nozzle arm 21 extends in the horizontal direction, and is provided to be rotatable around a predetermined swing axis (not shown) extending in the vertical direction around the spin chuck 5.

薬液供給ユニット１３は、薬液ノズル６にＦＯＭを案内する薬液配管１４と、薬液配管１４を開閉する薬液バルブ１５とを含む。薬液バルブ１５が開かれると、ＦＯＭ供給源からのＦＯＭが、薬液配管１４から薬液ノズル６に供給される。これにより、ＦＯＭが、薬液ノズル６から吐出される。
ノズル移動ユニット２２は、揺動軸線まわりにノズルアーム２１を旋回させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル６を水平に移動させる。ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル６が平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。さらに、ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置と、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。 The chemical liquid supply unit 13 includes a chemical liquid pipe 14 that guides the FOM to the chemical liquid nozzle 6 and a chemical liquid valve 15 that opens and closes the chemical liquid pipe 14. When the chemical solution valve 15 is opened, FOM from the FOM supply source is supplied from the chemical solution pipe 14 to the chemical solution nozzle 6. As a result, the FOM is discharged from the chemical nozzle 6.
The nozzle moving unit 22 moves the chemical liquid nozzle 6 horizontally along a trajectory passing through the center of the upper surface of the substrate W in plan view by turning the nozzle arm 21 around the swing axis. The nozzle moving unit 22 is between a processing position where the FOM discharged from the chemical liquid nozzle 6 is deposited on the upper surface of the substrate W and a home position where the chemical liquid nozzle 6 is set around the spin chuck 5 in plan view. The chemical nozzle 6 is moved horizontally. Furthermore, the nozzle moving unit 22 has a central position where the FOM ejected from the chemical liquid nozzle 6 is deposited on the center of the upper surface of the substrate W, and the FOM ejected from the chemical liquid nozzle 6 is deposited on the peripheral edge of the upper surface of the substrate W. The chemical nozzle 6 is moved horizontally between the peripheral positions. The center position and the peripheral position are both processing positions.

なお、薬液ノズル６は、吐出口が基板Ｗの上面の所定位置（たとえば中央部）に向けて固定的に配置された固定ノズルであってもよい。
図２に示すように、水供給ユニット８は水ノズル４１を含む。水ノズル４１は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。水ノズル４１には、水供給源からの水が供給される水配管４２が接続されている。水配管４２の途中部には、水ノズル４１からの水の供給／供給停止を切り換えるための水バルブ４３が介装されている。水バルブ４３が開かれると、水配管４２から水ノズル４１に供給された連続流の水が、水ノズル４１の下端に設定された吐出口から吐出される。また、水バルブ４３が閉じられると、水配管４２から水ノズル４１への水の供給が停止される。水は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）である。ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。 The chemical nozzle 6 may be a fixed nozzle in which the discharge port is fixedly arranged toward a predetermined position (for example, the central portion) on the upper surface of the substrate W.
As shown in FIG. 2, the water supply unit 8 includes a water nozzle 41. The water nozzle 41 is, for example, a straight nozzle that discharges liquid in a continuous flow state, and is fixedly disposed above the spin chuck 5 with its discharge port directed toward the center of the upper surface of the substrate W. A water pipe 42 to which water from a water supply source is supplied is connected to the water nozzle 41. A water valve 43 for switching supply / stop of water from the water nozzle 41 is interposed in the middle of the water pipe 42. When the water valve 43 is opened, the continuous flow of water supplied from the water pipe 42 to the water nozzle 41 is discharged from the discharge port set at the lower end of the water nozzle 41. When the water valve 43 is closed, the supply of water from the water pipe 42 to the water nozzle 41 is stopped. The water is, for example, deionized water (DIW). Not only DIW but also carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and dilute concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm) hydrochloric acid water may be used.

なお、水ノズル４１は、それぞれ、スピンチャック５に対して固定的に配置されている必要はなく、たとえば、スピンチャック５の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの上面における水の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。
洗浄ブラシ１０は、たとえばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。洗浄ブラシ１０は、その下面に、平坦状の洗浄面１０ａを有している。洗浄面１０ａが、基板Ｗの上面と接触する接触面として機能する。 Each of the water nozzles 41 does not have to be fixedly arranged with respect to the spin chuck 5. For example, the water nozzle 41 is attached to an arm that can swing in a horizontal plane above the spin chuck 5. A so-called scan nozzle may be employed in which the liquid landing position on the upper surface of the substrate W is scanned by rocking.
The cleaning brush 10 is a sponge-like scrub member made of, for example, PVA (polyvinyl alcohol) and has a cylindrical shape. The cleaning brush 10 has a flat cleaning surface 10a on its lower surface. The cleaning surface 10 a functions as a contact surface that contacts the upper surface of the substrate W.

洗浄ブラシ駆動ユニット１１は、洗浄ブラシ１０を先端部に保持する揺動アーム４７と、揺動アーム４７を駆動するためのアーム駆動ユニット４８とを含む。アーム駆動ユニット４８は、揺動アーム４７を、鉛直方向に延びる揺動軸線Ａ２回りに揺動させたり、揺動アーム４７を上下動させたりすることができるように構成されている。この構成により、基板Ｗがスピンチャック５に保持されて回転しているときに、洗浄ブラシ１０を、基板Ｗの上方の位置と、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置との間で水平に移動させることができる。   The cleaning brush drive unit 11 includes a swing arm 47 that holds the cleaning brush 10 at the tip, and an arm drive unit 48 that drives the swing arm 47. The arm drive unit 48 is configured so that the swing arm 47 can swing around the swing axis A2 extending in the vertical direction, and the swing arm 47 can be moved up and down. With this configuration, when the substrate W is held and rotated by the spin chuck 5, the cleaning brush 10 is moved between a position above the substrate W and a home position set to the side of the spin chuck 5. It can be moved horizontally.

さらに、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの上面（裏面Ｗｂ）に押し付け、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で基板Ｗの半径方向に移動(スキャン)させることもできる。
このスクラブ洗浄の際に、水ノズル４１から水（たとえば純水（deionized water：脱
イオン水））が供給されることによって、基板Ｗの裏面Ｗｂの異物が取れやすくなり、また、洗浄ブラシ１０によって擦り落とされた異物を基板Ｗ外へと排出することができる。 Further, the cleaning surface 10 a of the cleaning brush 10 is pressed against the upper surface (back surface Wb) of the substrate W, and the pressing position of the cleaning brush 10 is set between the central portion of the substrate W and the peripheral portion of the substrate W in the radial direction of the substrate W. It can also be moved (scanned).
During this scrub cleaning, water (for example, deionized water) is supplied from the water nozzle 41, so that foreign matters on the back surface Wb of the substrate W can be easily removed. The foreign matter thus scraped off can be discharged out of the substrate W.

図８Ａ〜８Ｃは、各可動ピン１１０の状態を示す模式的な図である。図８Ａには、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７がともに下位置にある状態を示す。図８Ｂには、閉塞永久磁石１２５が上位置にあり、かつ開放永久磁石１２７が下位置（第２の位置）にある状態を示す。図８Ｃには、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７がともに上位置にある状態を示す。   8A to 8C are schematic views showing the state of each movable pin 110. FIG. FIG. 8A shows a state where both the closed permanent magnet 125 and the open permanent magnet 127 are in the lower position. FIG. 8B shows a state where the closed permanent magnet 125 is in the upper position and the open permanent magnet 127 is in the lower position (second position). FIG. 8C shows a state where both the closed permanent magnet 125 and the open permanent magnet 127 are in the upper position.

前述のように、各可動ピン１１０において、弾性押圧部材（図示しない）によって可動ピン１１０が保持位置に付勢されている。そのため、可動ピン１１０に外力が作用していない状態では、弾性押圧部材（図示しない）からの弾性押圧力を受けて、可動ピン１１０は開放位置へと付勢される。可動ピン１１０が開放位置にある状態では、駆動用永久磁石１５６は、たとえばＮ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＳ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。   As described above, in each movable pin 110, the movable pin 110 is biased to the holding position by an elastic pressing member (not shown). Therefore, in a state where no external force is applied to the movable pin 110, the movable pin 110 is biased to the open position in response to an elastic pressing force from an elastic pressing member (not shown). In a state where the movable pin 110 is in the open position, the driving permanent magnet 156 is configured such that, for example, the N pole faces inward in the radial direction of the turntable 107 and the S pole faces outward in the radial direction of the turntable 107. Is arranged.

図８Ａに示すように、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７がともに下位置にある状態では、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７からの磁力が駆動用永久磁石１５６に作用しない。そのため、可動ピン１１０に外力が作用せず、可動ピン１１０は開放位置に位置している。
図８Ａに示す状態から、閉塞永久磁石１２５を上昇させ、上位置に配置する。閉塞永久磁石１２５の上面が駆動用永久磁石１５６に接近することにより、駆動用永久磁石１５６に吸引磁力が発生し、駆動用永久磁石１５６と閉塞永久磁石１２５との間に吸引力が発生する。閉塞永久磁石１２５が上位置に配置された状態において、駆動用永久磁石１５６に働く吸引磁力の大きさは弾性押圧部材による弾性押圧力を上回っており、これにより、上軸部１５２が、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置から、回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動する。これにより、可動ピン１１０が保持位置へと付勢される。この状態では、図８Ｂに示すように、駆動用永久磁石１５６は、たとえばＳ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＮ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。 As shown in FIG. 8A, in the state where both the closed permanent magnet 125 and the open permanent magnet 127 are in the lower position, the magnetic force from the closed permanent magnet 125 and the open permanent magnet 127 does not act on the driving permanent magnet 156. Therefore, an external force does not act on the movable pin 110, and the movable pin 110 is located in the open position.
From the state shown in FIG. 8A, the closing permanent magnet 125 is raised and disposed at the upper position. When the upper surface of the closing permanent magnet 125 approaches the driving permanent magnet 156, an attractive magnetic force is generated in the driving permanent magnet 156, and an attractive force is generated between the driving permanent magnet 156 and the closing permanent magnet 125. In the state in which the closing permanent magnet 125 is disposed at the upper position, the magnitude of the attractive magnetic force acting on the driving permanent magnet 156 exceeds the elastic pressing force by the elastic pressing member, whereby the upper shaft portion 152 is rotated by the rotation axis. It moves from the open position separated from A1 (see FIG. 2) to the holding position approaching the rotation axis A1. As a result, the movable pin 110 is biased to the holding position. In this state, as shown in FIG. 8B, the driving permanent magnet 156 is configured such that, for example, the S pole faces inward in the radial direction of the turntable 107 and the N pole faces outward in the radial direction of the turntable 107. Is arranged.

図８Ｂに示す状態から、開放永久磁石１２７を上昇させ、上位置に配置する。すなわち、図８Ｃに示すように、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７のそれぞれをともに上位置に配置する。開放永久磁石１２７の上面が駆動用永久磁石１５６に接近することにより、駆動用永久磁石１５６に吸引磁力が発生し、駆動用永久磁石１５６と開放永久磁石１２７との間に吸引力が発生する。換言すると、閉塞永久磁石１２５によって保持位置に付勢されている当該可動ピン１１０に、このような付勢力に抗って開放位置に向わせる力が生じる。この実施形態では、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７のそれぞれがともに上位置に配置された状態において、開放永久磁石１２７から駆動用永久磁石１５６に働く吸引磁力の大きさ（と弾性押圧部材による弾性押圧力との合力）は、閉塞永久磁石１２５から駆動用永久磁石１５６に働く吸引磁力の大きさを僅かに上回っている。そのため、開放永久磁石１２７を上位置に配置した状態では、可動ピン１１０が開放位置に向けて微小量回動する結果、図８Ｃに示すように、開放位置と保持位置との間に設定された中間位置へと上軸部１５２が移動する。可動ピン１１０が中間位置にあるときは、可動ピン１１０が保持位置にあるときと比較して、上軸部１５２の中心軸線Ｂが、例えばコンマ数ｍｍの範囲で回転軸線Ａ１から離反する方向にある。   From the state shown in FIG. 8B, the open permanent magnet 127 is raised and placed in the upper position. That is, as shown in FIG. 8C, both the closed permanent magnet 125 and the open permanent magnet 127 are arranged at the upper position. When the upper surface of the open permanent magnet 127 approaches the drive permanent magnet 156, an attractive magnetic force is generated in the drive permanent magnet 156, and an attractive force is generated between the drive permanent magnet 156 and the open permanent magnet 127. In other words, the movable pin 110 that is biased to the holding position by the closing permanent magnet 125 generates a force that is directed to the open position against such a biasing force. In this embodiment, the magnitude of the attractive magnetic force acting on the drive permanent magnet 156 from the open permanent magnet 127 (with the elastic pressing member) in a state where both the closed permanent magnet 125 and the open permanent magnet 127 are disposed at the upper position. (The resultant force with the elastic pressing force) is slightly larger than the magnitude of the attractive magnetic force acting from the closed permanent magnet 125 to the driving permanent magnet 156. Therefore, in a state where the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position, the movable pin 110 is rotated between the open position and the hold position as shown in FIG. The upper shaft portion 152 moves to the intermediate position. When the movable pin 110 is in the intermediate position, the central axis B of the upper shaft portion 152 is away from the rotation axis A1 within a range of, for example, a comma number of mm, compared to when the movable pin 110 is in the holding position. is there.

図９Ａ〜９Ｆは、回転台１０７に設けられた複数本の可動ピン１１０を示す図である。
開放永久磁石１２７が上位置に配置された状態（図８Ｃに示す状態）で、かつ回転台１０７の回転状態では、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６が通過する環状領域に、回転台１０７の周方向に沿って延びる帯状の３つ（開放永久磁石１２７の個数と同数）の磁界発生領域１２９が間欠的に設けられている（周方向に互いに間隔を空けて配置されている）。各磁界発生領域１２９は、近接している開放永久磁石１２７の磁力によって形成される磁界が存在する領域である。回転台１０７の回転状態では、各磁界発生領域１２９の周方向長さ（角度）が、対応する開放永久磁石１２７の周方向長さ（角度）に比べて長くなる。各磁界発生領域１２９（図９Ａ等参照）の周方向長さ（角度）は、約６０°に設定されている。 9A to 9F are views showing a plurality of movable pins 110 provided on the turntable 107.
In the state where the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position (the state shown in FIG. 8C) and the rotating table 107 is rotated, an annular region through which the driving permanent magnet 156 that rotates as the rotating table 107 rotates is passed. In addition, three strip-shaped magnetic field generating regions 129 (the same number as the number of open permanent magnets 127) extending along the circumferential direction of the turntable 107 are provided intermittently (disposed at intervals in the circumferential direction). ing). Each magnetic field generation region 129 is a region where there is a magnetic field formed by the magnetic force of the open permanent magnet 127 that is in close proximity. In the rotation state of the turntable 107, the circumferential length (angle) of each magnetic field generation region 129 is longer than the circumferential length (angle) of the corresponding open permanent magnet 127. The circumferential length (angle) of each magnetic field generation region 129 (see FIG. 9A and the like) is set to about 60 °.

回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６が通過する前記の環状領域には、６０°の周方向長さ（角度）を有する３つの磁界発生領域１２９が等角度間隔に配置されている。この場合、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を同時に通過するか、あるいは第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を同時に通過する。換言すると、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を通過している状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６は磁界発生領域１２９を通過していない。また、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を通過している状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６は磁界発生領域１２９を通過していない。   Three magnetic field generation regions 129 having a circumferential length (angle) of 60 ° are arranged at equiangular intervals in the annular region through which the driving permanent magnet 156 that rotates with the rotation of the turntable 107 passes. ing. In this case, three driving permanent magnets 156 corresponding to the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 pass through the magnetic field generation region 129 at the same time, or included in the second movable pin group 112. Three driving permanent magnets 156 corresponding to the three movable pins 110 passing through the magnetic field generation region 129 simultaneously. In other words, in the state where the three driving permanent magnets 156 corresponding to the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 pass through the magnetic field generation region 129, the second movable pin group 112 includes The three driving permanent magnets 156 corresponding to the three movable pins 110 included do not pass through the magnetic field generation region 129. In addition, the three movable permanent magnets 156 corresponding to the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are included in the first movable pin group 111 when passing through the magnetic field generation region 129. The three driving permanent magnets 156 corresponding to the three movable pins 110 do not pass through the magnetic field generation region 129.

開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、６本の可動ピン１１０のうち、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６に対応する３つの可動ピン１１０が保持位置から中間位置に配置される。そして、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石との間で切り換えられる。すなわち、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、中間位置に配置される３つの可動ピン１１０が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０との間で切り換えられる。   In the state where the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position, among the six movable pins 110, the three movable pins 110 corresponding to the three driving permanent magnets 156 passing through the magnetic field generation region 129 simultaneously. Arranged from the holding position to the intermediate position. The three permanent magnets for driving 156 passing through the magnetic field generation region 129 simultaneously with the phase change of each movable pin 110 due to the rotation of the turntable 107 are included in the first movable pin group 111. The driving permanent magnets corresponding to the movable pins 110 and the driving permanent magnets corresponding to the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are switched. That is, with the phase change of each movable pin 110 due to the rotation of the turntable 107, the three movable pins 110 arranged at the intermediate position are the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, Switching between the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 is performed.

図９Ａに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅと３つの開放永久磁石１２７とが回転台１０７の周方向に揃っており、そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅに対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）が、それぞれ磁界発生領域１２９内に存在している。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅに開放永久磁石１２７からの吸引磁力が発生し、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。一方、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆに対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）は磁界発生領域１２９内に存在しない。そのため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。図９Ａに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒに進んだ状態を図９Ｂに示す。   In the state shown in FIG. 9A, the three movable pins 110a, 110c, 110e included in the first movable pin group 111 and the three open permanent magnets 127 are aligned in the circumferential direction of the turntable 107. Three driving permanent magnets 156 (see FIG. 8C, etc.) corresponding to the three movable pins 110a, 110c, 110e included in one movable pin group 111 are present in the magnetic field generation region 129, respectively. Therefore, an attractive magnetic force from the open permanent magnet 127 is generated on the three movable pins 110 a, 110 c, 110 e included in the first movable pin group 111, and the three movable pins included in the first movable pin group 111. 110a, 110c, and 110e are disposed at an intermediate position (open). On the other hand, the three driving permanent magnets 156 (see FIG. 8C and the like) corresponding to the three movable pins 110b, 110d, and 110f included in the second movable pin group 112 do not exist in the magnetic field generation region 129. Therefore, the three movable pins 110b, 110d, and 110f included in the second movable pin group 112 are arranged at the holding position (close). FIG. 9B shows a state where the rotational phase of the turntable 107 has advanced in the rotational direction Dr from the state shown in FIG. 9A.

図９Ｂに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅと３つの開放永久磁石１２７とは回転台１０７の周方向にずれているが、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは、未だ磁界発生領域１２９内に存在している。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置されたままである。一方、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは、対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）が磁界発生領域１２９内に存在しないために保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置されたままである。図９Ｂに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｃに示す。   In the state shown in FIG. 9B, the three movable pins 110a, 110c, 110e included in the first movable pin group 111 and the three open permanent magnets 127 are displaced in the circumferential direction of the turntable 107. The three movable pins 110a, 110c, and 110e included in the movable pin group 111 still exist in the magnetic field generation region 129. Therefore, the three movable pins 110a, 110c, and 110e included in the first movable pin group 111 remain arranged at the intermediate position (open). On the other hand, the three movable pins 110b, 110d, and 110f included in the second movable pin group 112 have no corresponding three driving permanent magnets 156 (see FIG. 8C and the like) in the magnetic field generation region 129. It remains in the holding position (close). FIG. 9C shows a state in which the rotation phase of the turntable 107 has further advanced in the rotation direction Dr from the state shown in FIG. 9B.

図９Ｃに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅが、それぞれ磁界発生領域１２９外に逸脱する。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。その代り、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが磁界発生領域１２９内に入るため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。図９Ｃに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｄに示す。   In the state shown in FIG. 9C, the three movable pins 110a, 110c, and 110e included in the first movable pin group 111 deviate from the magnetic field generation region 129, respectively. Therefore, the three movable pins 110a, 110c, 110e included in the first movable pin group 111 are arranged at the holding position (close). Instead, since the three movable pins 110b, 110d, and 110f included in the second movable pin group 112 enter the magnetic field generation region 129, the three movable pins 110b and 110b included in the second movable pin group 112 are included. 110d and 110f are arranged at an intermediate position (open). FIG. 9D shows a state where the rotational phase of the turntable 107 has further advanced in the rotational direction Dr from the state shown in FIG. 9C.

図９Ｄに示す状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆと３つの開放永久磁石１２７とは回転台１０７の周方向に揃っている。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。一方、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは、対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）が磁界発生領域１２９内に存在しないために保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置されたままである。図９Ｄに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｅに示す。   In the state shown in FIG. 9D, the three movable pins 110b, 110d, 110f included in the second movable pin group 112 and the three open permanent magnets 127 are aligned in the circumferential direction of the turntable 107. Therefore, the three movable pins 110a, 110c, 110e included in the first movable pin group 111 are arranged at the intermediate position (open). On the other hand, the three movable pins 110a, 110c, and 110e included in the first movable pin group 111 have no corresponding three drive permanent magnets 156 (see FIG. 8C and the like) in the magnetic field generation region 129. It remains in the holding position (close). FIG. 9E shows a state where the rotational phase of the turntable 107 has further advanced in the rotational direction Dr from the state shown in FIG. 9D.

図９Ｅに示す状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが、それぞれ磁界発生領域１２９外に逸脱する。そのため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。その代り、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅが磁界発生領域１２９内に入るため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。図９Ｅに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｆに示す。   In the state shown in FIG. 9E, the three movable pins 110b, 110d, and 110f included in the second movable pin group 112 deviate from the magnetic field generation region 129, respectively. Therefore, the three movable pins 110b, 110d, and 110f included in the second movable pin group 112 are arranged at the holding position (close). Instead, since the three movable pins 110a, 110c, and 110e included in the first movable pin group 111 enter the magnetic field generation region 129, the three movable pins 110a and 110a included in the first movable pin group 111 are included. 110c and 110e are arranged at an intermediate position (open). FIG. 9F shows a state where the rotational phase of the turntable 107 has further advanced in the rotational direction Dr from the state shown in FIG. 9E.

図９Ｆに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅが、それぞれ磁界発生領域１２９外に逸脱する。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。その代り、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが磁界発生領域１２９内に入るため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。図９Ｃに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｄに示す。   In the state shown in FIG. 9F, the three movable pins 110a, 110c, 110e included in the first movable pin group 111 deviate from the magnetic field generation region 129, respectively. Therefore, the three movable pins 110a, 110c, 110e included in the first movable pin group 111 are arranged at the holding position (close). Instead, since the three movable pins 110b, 110d, and 110f included in the second movable pin group 112 enter the magnetic field generation region 129, the three movable pins 110b and 110b included in the second movable pin group 112 are included. 110d and 110f are arranged at an intermediate position (open). FIG. 9D shows a state where the rotational phase of the turntable 107 has further advanced in the rotational direction Dr from the state shown in FIG. 9C.

図１０は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 制御ユニット３は、予め定められたプログラムに従って、回転駆動ユニット１０３、ノズル移動ユニット２２、アーム駆動ユニット４８、内側昇降ユニット１２６、外側昇降ユニット１２８等の動作を制御する。さらに、制御ユニット３は、薬液バルブ１５、水バルブ４３、不活性ガスバルブ１７３、不活性ガス流量調整バルブ１７４等の開閉動作等を制御する。   FIG. 10 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the main part of the substrate processing apparatus 1. The control unit 3 controls operations of the rotation drive unit 103, the nozzle moving unit 22, the arm drive unit 48, the inner lifting unit 126, the outer lifting unit 128, and the like according to a predetermined program. Furthermore, the control unit 3 controls the opening / closing operation of the chemical liquid valve 15, the water valve 43, the inert gas valve 173, the inert gas flow rate adjustment valve 174, and the like.

図１１は、処理ユニット２によって実行される処理液処理としての洗浄処理の一例を説明するための流れ図である。図１２Ａ〜１２Ｇは、前記処理の処理例を説明するための図解的な図である。図１３Ａ，１３Ｂは、可動ピン１１０が保持位置にあるとき、および可動ピン１１０が中間位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。図１３Ｃは、基板Ｗの周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。   FIG. 11 is a flowchart for explaining an example of the cleaning process as the processing liquid process executed by the processing unit 2. 12A to 12G are schematic diagrams for explaining a processing example of the processing. FIGS. 13A and 13B are diagrams illustrating the wraparound state of the processing liquid when the movable pin 110 is at the holding position and when the movable pin 110 is at the intermediate position. FIG. 13C is a cross-sectional view showing the flow of the processing liquid and the inert gas at the peripheral edge of the substrate W.

図１、図２〜図７および図１１を参照しながら説明する。また、図１２Ａ〜１２Ｇおよび図１３Ａ〜１３Ｃについては適宜参照する。
処理ユニット２は、たとえば、アニール装置や成膜装置等の前処理装置で処理された後の基板Ｗ（以下、「未洗浄基板」とい場合がある。）Ｗを処理対象としている。基板Ｗの一例として円形のシリコン基板を挙げることができる。処理ユニット２は、たとえば、基板Ｗにおける表面Ｗａ（他方主面。デバイス形成面）と反対側の裏面Ｗｂ（一方主面。デバイス非形成面）を洗浄する。 This will be described with reference to FIGS. 1, 2 to 7 and 11. Further, FIGS. 12A to 12G and FIGS. 13A to 13C are referred to as appropriate.
The processing unit 2 uses, for example, a substrate W (hereinafter, may be referred to as an “uncleaned substrate”) W that has been processed by a preprocessing apparatus such as an annealing apparatus or a film forming apparatus. An example of the substrate W is a circular silicon substrate. For example, the processing unit 2 cleans the back surface Wb (one main surface, device non-forming surface) opposite to the front surface Wa (the other main surface, device forming surface) of the substrate W.

未洗浄基板Ｗが収容されたキャリアＣは、前処理装置から基板処理装置１に搬送され、ロードポートＬＰに載置される。キャリアＣには、基板Ｗの表面Ｗａを上に向けた状態で基板Ｗが収容されている。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａが上向きの状態でキャリアＣから反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニットＴＵによって反転させる（Ｓ１：基板反転）。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、センターロボットＣＲのハンドＨ２によって、反転ユニットＴＵから基板Ｗを取り出し、その裏面Ｗｂを上方に向けた状態で処理ユニット２内に搬入させる（ステップＳ２）。   The carrier C in which the uncleaned substrate W is accommodated is transferred from the pretreatment apparatus to the substrate processing apparatus 1 and placed on the load port LP. The carrier C accommodates the substrate W with the surface Wa of the substrate W facing up. The control unit 3 causes the indexer robot IR to transfer the substrate W from the carrier C to the reversing unit TU with the surface Wa facing upward. Then, the control unit 3 reverses the conveyed substrate W by the reversing unit TU (S1: substrate reversal). Thereby, the back surface Wb of the substrate W is directed upward. Thereafter, the control unit 3 takes out the substrate W from the reversing unit TU with the hand H2 of the center robot CR, and carries it into the processing unit 2 with its back surface Wb facing upward (step S2).

基板Ｗの搬入に先立って、薬液ノズル６は、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、洗浄ブラシ１０も、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７はともに下位置に配置されており、そのため、駆動用永久磁石１５６が閉塞永久磁石１２５からの吸引磁力、および開放永久磁石１２７からの吸引磁力をそれぞれ受けない。弾性押圧部材（図示しない）からの弾性押圧力以外に各可動ピン１１０に外力が作用しないため、図８Ａに示すように、各可動ピン１１０は開放位置に位置している。   Prior to the loading of the substrate W, the chemical nozzle 6 is retracted to the home position set on the side of the spin chuck 5. The cleaning brush 10 is also retracted to the home position set on the side of the spin chuck 5. Further, both the closed permanent magnet 125 and the open permanent magnet 127 are arranged at the lower position. Therefore, the driving permanent magnet 156 receives the attractive magnetic force from the closed permanent magnet 125 and the attractive magnetic force from the open permanent magnet 127, respectively. Absent. Since the external force does not act on each movable pin 110 other than the elastic pressing force from the elastic pressing member (not shown), each movable pin 110 is located at the open position as shown in FIG. 8A.

また、閉塞永久磁石１２５が下位置に配置されており、そのため閉塞永久磁石１２５は回転台１０７から下方に大きく離れているので、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間に働く反発磁力は小さい。そのため、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近接した下位置に位置している。よって、可動ピン１１０による基板保持高さと保護ディスク１１５の上面との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２が入り込むことができる十分な空間が確保されている。   Further, since the closing permanent magnet 125 is arranged at the lower position, and the closing permanent magnet 125 is greatly separated downward from the rotary table 107, the repulsion acting between the closing permanent magnet 125 and the protective disk side permanent magnet 160 is applied. Magnetic force is small. Therefore, the protective disk 115 is located at a lower position close to the upper surface of the turntable 107. Accordingly, a sufficient space is secured between the height of the substrate held by the movable pin 110 and the upper surface of the protection disk 115 in which the hand H2 of the center robot CR can enter.

センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の上端よりも高い位置で基板Ｗを保持した状態で当該基板Ｗをスピンチャック５の上方まで搬送する。その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、図１２Ａに示すように、回転台１０７の上面に向かって下降する。次に、制御ユニット３は、内側昇降ユニット１２６を制御して、閉塞永久磁石１２５（内側昇降磁石）を上位置まで上昇させる（開放磁石配置工程。ステップＳ３）。それによって、図８Ｂに示すように各可動ピン１１０が開放位置から保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持される。これにより、６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが握持される。基板Ｗは、その表面Ｗａを下方に向け、かつその裏面Ｗｂを上方に向けた状態でスピンチャック５に保持される。   The hand H <b> 2 of the center robot CR transports the substrate W to above the spin chuck 5 while holding the substrate W at a position higher than the upper end of the movable pin 110. Thereafter, the hand H2 of the center robot CR descends toward the upper surface of the turntable 107 as shown in FIG. 12A. Next, the control unit 3 controls the inner lifting / lowering unit 126 to raise the closing permanent magnet 125 (inner lifting / lowering magnet) to the upper position (open magnet arrangement step, step S3). Thereby, as shown in FIG. 8B, each movable pin 110 is driven from the open position to the holding position, and is held at the holding position. As a result, the substrate W is held by the six movable pins 110. The substrate W is held by the spin chuck 5 with its front surface Wa facing downward and its back surface Wb facing upward.

その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の間を通ってスピンチャック５の側方へと退避していく。
また、閉塞永久磁石１２５が上位置へと上昇する過程で、閉塞永久磁石１２５が保護ディスク側永久磁石１６０に下方から接近して、それらの永久磁石１２５，１６０の間の距離が縮まり、それに応じて、それらの間に働く反発磁力が大きくなる。この反発磁力によって、保護ディスク１１５が回転台１０７の上面から基板Ｗに向かって浮上する。そして、閉塞永久磁石１２５が上位置に達するときまでに、図１２Ｂに示すように、保護ディスク１１５が基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に微小間隔を開けて接近した接近位置に達し、ガイド軸１１７の下端に形成されたフランジ１２０がリニア軸受け１１８に当接する。これにより、保護ディスク１１５は、前記接近位置に保持されることになる。この状態で、制御ユニット３は不活性ガスバルブ１７３を開き、図１２Ｂに示すように、不活性ガスの供給を開始する（Ｓ４：不活性ガス供給開始）。供給された不活性ガスは、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出され、整流部材１８６等の働きによって、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。 Thereafter, the hand H2 of the center robot CR is retracted to the side of the spin chuck 5 through the movable pins 110.
Further, in the process in which the closing permanent magnet 125 rises to the upper position, the closing permanent magnet 125 approaches the protective disk side permanent magnet 160 from below, and the distance between the permanent magnets 125 and 160 is reduced accordingly. Thus, the repulsive magnetic force acting between them increases. Due to the repulsive magnetic force, the protective disk 115 floats from the upper surface of the turntable 107 toward the substrate W. Then, by the time when the closing permanent magnet 125 reaches the upper position, as shown in FIG. 12B, the protective disk 115 reaches the approach position where it approaches the surface Wa (lower surface) of the substrate W with a minute gap therebetween, and the guide shaft 117 A flange 120 formed at the lower end of the shaft abuts on the linear bearing 118. As a result, the protection disk 115 is held at the approach position. In this state, the control unit 3 opens the inert gas valve 173 and starts the supply of the inert gas as shown in FIG. 12B (S4: start of inert gas supply). The supplied inert gas is discharged from the upper end of the inert gas supply pipe 170, and a narrow space between the protective disk 115 at the approach position and the surface Wa (lower surface) of the substrate W by the function of the rectifying member 186 and the like. The air is blown out radially about the rotation axis A1.

その後、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１０３を制御して、回転台１０７の回転を開始し（回転台回転工程）、これによって、図１２Ｃに示すように基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる（ステップＳ５）。基板Ｗの回転速度は、予め定める液処理速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。   Thereafter, the control unit 3 controls the rotation drive unit 103 to start the rotation of the rotating table 107 (rotating table rotating step), thereby rotating the substrate W around the rotation axis A1 as shown in FIG. 12C. (Step S5). The rotation speed of the substrate W is increased to a predetermined liquid processing speed (within 300 to 1500 rpm, for example, 500 rpm) and maintained at the liquid processing speed.

基板Ｗの回転速度が液処理速度に達した後、制御ユニット３は、ＦＯＭを基板Ｗの裏面Ｗｂに供給するＦＯＭ供給工程（処理液供給工程。ステップＳ６）を行う。ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット２２を制御することにより、薬液ノズル６をホーム位置から中央位置に移動させる。これにより、薬液ノズル６が基板Ｗの中央部の上方に配置される。薬液ノズル６が基板Ｗの上方に配置された後、制御ユニット３は、薬液バルブ１５を開くことにより、薬液ノズル６の吐出口からＦＯＭが吐出され、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に供給されたＦＯＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの裏面Ｗｂを周縁部に向けて放射状に広がる。そのため、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域にＦＯＭが行き渡らせることができる。   After the rotation speed of the substrate W reaches the liquid processing speed, the control unit 3 performs an FOM supply process (processing liquid supply process, step S6) for supplying the FOM to the back surface Wb of the substrate W. In the FOM supply step (S6), the control unit 3 controls the nozzle moving unit 22 to move the chemical liquid nozzle 6 from the home position to the center position. As a result, the chemical nozzle 6 is disposed above the central portion of the substrate W. After the chemical liquid nozzle 6 is disposed above the substrate W, the control unit 3 opens the chemical liquid valve 15 so that FOM is discharged from the discharge port of the chemical liquid nozzle 6, and the liquid is deposited on the center of the back surface Wb of the substrate W. To do. The FOM supplied to the central portion of the back surface Wb of the substrate W receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and spreads radially toward the peripheral portion of the back surface Wb of the substrate W. Therefore, the FOM can be spread over the entire back surface Wb of the substrate W.

ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、ＦＯＭに含まれるオゾンの酸化作用により、シリコン基板である基板Ｗの裏面Ｗｂにシリコン酸化膜が形成される。また、ＦＯＭに含まれるフッ酸の酸化膜エッチング作用により、基板Ｗの裏面Ｗｂに形成されている傷（欠け、凹み等）が除去され、また、基板Ｗの裏面Ｗｂから異物（パーティクル、不純物、当該基板Ｗの裏面Ｗｂの剥れ等）も除去される。   In the FOM supply step (S6), a silicon oxide film is formed on the back surface Wb of the substrate W, which is a silicon substrate, by the oxidizing action of ozone contained in the FOM. Further, scratches (chips, dents, etc.) formed on the back surface Wb of the substrate W are removed by the oxide film etching action of hydrofluoric acid contained in the FOM, and foreign substances (particles, impurities, etc.) are removed from the back surface Wb of the substrate W. The peeling of the back surface Wb of the substrate W) is also removed.

ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）において、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出された不活性ガスは、整流部材１８６等の働きによって、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。この不活性ガスは、図１３Ｃに示すように、さらに、保護ディスク１１５の周縁部に配置されたカバー１９１の円環板部１９２に形成された絞り部１９０（第１の段部１９０ａおよび第２の段部１９０ｂ）と基板Ｗの周縁部との間に形成されるオリフィスによって加速され、基板Ｗの側方に高速の吹き出し気流を形成する。この実施形態では、保護ディスク１１５を用いた基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に対する不活性ガスの供給により、基板Ｗの表面Ｗａ（下面）への処理液の回り込みを完全に防止するのではなく、基板Ｗの表面Ｗａ（下面）の周縁領域（基板Ｗの周端から１．０ｍｍ程度の微小範囲）のみ処理液をあえて回り込ませ、当該表面Ｗａ（下面）の周縁領域を洗浄している。そして、高速の吹き出し気流を形成することにより、その回り込み量を精度良く制御している。この回り込み量は、基板Ｗの上面への処理液の供給流量、基板Ｗの下面への不活性ガスの供給流量、基板Ｗの回転速度等に依存している。   In the FOM supply step (T6), the inert gas discharged from the upper end of the inert gas supply pipe 170 is protected from the protection disk 115 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W by the action of the rectifying member 186 and the like. The air is blown out radially about the rotation axis A1 toward the narrow space between the two. As shown in FIG. 13C, the inert gas is further reduced by a throttle portion 190 (first step portion 190a and second step portion 190a formed on the annular plate portion 192 of the cover 191 disposed on the peripheral portion of the protective disk 115. Are accelerated by an orifice formed between the step portion 190b) and the peripheral portion of the substrate W, and a high-speed blown airflow is formed on the side of the substrate W. In this embodiment, the supply of the inert gas to the surface Wa (lower surface) of the substrate W using the protective disk 115 does not completely prevent the processing liquid from entering the surface Wa (lower surface) of the substrate W. Only the peripheral area of the surface Wa (lower surface) of the substrate W (a minute range of about 1.0 mm from the peripheral edge of the substrate W) is intentionally introduced to clean the peripheral area of the surface Wa (lower surface). Then, by forming a high-speed blowing airflow, the amount of wraparound is accurately controlled. This amount of wraparound depends on the supply flow rate of the processing liquid to the upper surface of the substrate W, the supply flow rate of the inert gas to the lower surface of the substrate W, the rotational speed of the substrate W, and the like.

また、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、制御ユニット３は、外側昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２７をそれまでの下位置から上位置に上昇させ、上位置に保持する。薬液ノズル６からのＦＯＭの吐出とほぼ同じタイミングで、制御ユニット３は、開放永久磁石１２７を上位置に配置する。開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、６本の可動ピン１１０のうち、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６に対応する３つの可動ピン１１０が保持位置から中間位置に配置される。そして、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、図１２Ｃ，１２Ｄに示すように、中間位置に配置される３つの可動ピン１１０が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０との間で切り換えられる。これにより、図９Ａ〜図９Ｃに示すように、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ａ等参照）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ｃ等参照）との間で遷移される。すなわち、回転台１０７の回転位相の変化に伴って、基板Ｗの周縁部における可動ピン１１０の接触支持位置を変化させることができる。   In the FOM supply step (S6), the control unit 3 controls the outer elevating unit 128 to raise the open permanent magnet 127 from the previous lower position to the upper position and hold it in the upper position. The control unit 3 arranges the open permanent magnet 127 at the upper position at almost the same timing as the discharge of the FOM from the chemical nozzle 6. In the state where the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position, among the six movable pins 110, the three movable pins 110 corresponding to the three driving permanent magnets 156 passing through the magnetic field generation region 129 simultaneously. Arranged from the holding position to the intermediate position. Then, with the phase change of each movable pin 110 due to the rotation of the turntable 107, as shown in FIGS. 12C and 12D, the first movable pin group 111 includes three movable pins 110 arranged at an intermediate position. The three movable pins 110 and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are switched. As a result, as shown in FIGS. 9A to 9C, the state in which the substrate W is supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 (see FIG. 9A and the like) and the second movable pin The transition is made between the state in which the substrate W is supported by the three movable pins 110 included in the pin group 112 (see FIG. 9C and the like). That is, the contact support position of the movable pin 110 at the peripheral edge of the substrate W can be changed with the change in the rotation phase of the turntable 107.

基板Ｗにおける可動ピン１１０の所期の支持位置（周方向の６か所）におけるＦＯＭの回り込みについて検討する。可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭは、図１３Ａに示すように、基板Ｗの周端面に接触する上軸部１５２と干渉する。そのため、所期の支持位置（周方向の６か所）において可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。   Considering the FOM wraparound at the desired support positions (six circumferential positions) of the movable pin 110 on the substrate W. In a state where the movable pin 110 is positioned at the holding position, the FOM supplied to the upper surface of the substrate W interferes with the upper shaft portion 152 that contacts the peripheral end surface of the substrate W as shown in FIG. Therefore, in a state where the movable pin 110 is positioned at the holding position at the intended support position (six positions in the circumferential direction), the FOM supplied to the upper surface of the substrate W is transferred to the lower surface of the substrate W through the peripheral end surface of the substrate W. It is not possible to wrap around the peripheral area.

一方、可動ピン１１０が中間位置に位置する状態では、図１３Ｂに示すように、基板Ｗの周端面と所定のギャップ（微小ギャップ）が形成されている。このギャップは、開放永久磁石１２７の上位置の位置（すなわち、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間の間隔）を細かく調整することにより、ギャップを所望の大きさに調整することができる。このギャップを介して基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。たとえばギャップは、コンマ数ｍｍのオーダー（微小ギャップ）である。この場合、ＦＯＭの毛細管力により、微小ギャップを介してＦＯＭを基板Ｗの周端面および基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。   On the other hand, in the state where the movable pin 110 is located at the intermediate position, as shown in FIG. 13B, a predetermined gap (a minute gap) is formed with the peripheral end surface of the substrate W. The gap can be adjusted to a desired size by finely adjusting the position of the upper position of the open permanent magnet 127 (that is, the distance between the open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156). it can. The FOM supplied to the upper surface of the substrate W through this gap can be made to wrap around the peripheral area of the lower surface of the substrate W through the peripheral end surface of the substrate W. For example, the gap is on the order of a few millimeters of comma (a minute gap). In this case, the capillary force of the FOM can cause the FOM to wrap around the peripheral edge surface of the substrate W and the lower surface of the substrate W through the minute gap.

ＦＯＭの吐出開始から所定の期間が経過すると、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）が終了する。具体的には、制御ユニット３は、薬液バルブ１５を閉じて、薬液ノズル６からのＦＯＭの吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、薬液ノズル６を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル６が基板Ｗの上方から退避させられる。
ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給開始される（Ｓ７；リンス工程。処理液供給工程）。 When a predetermined period elapses from the start of FOM ejection, the FOM supply step (S6) ends. Specifically, the control unit 3 closes the chemical liquid valve 15 and stops the discharge of the FOM from the chemical liquid nozzle 6. The control unit 3 moves the chemical nozzle 6 from the center position to the home position. As a result, the chemical nozzle 6 is retracted from above the substrate W.
Subsequent to the end of the FOM supply process (S6), the supply of water, which is a rinse liquid, to the back surface Wb of the substrate W is started (S7; rinse process; treatment liquid supply process).

具体的には、制御ユニット３は、図１２Ｅに示すように、水バルブ４３を開いて、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に向けて水ノズル４１から水を吐出させる。水ノズル４１から吐出された水は、ＦＯＭによって覆われている基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液した水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの裏面Ｗｂ上を基板Ｗの周縁部に向けて流れ、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域へと広がる。そのため、基板Ｗ上のＦＯＭが、水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂに付着したＦＯＭが水に置換される。   Specifically, as shown in FIG. 12E, the control unit 3 opens the water valve 43 and discharges water from the water nozzle 41 toward the center of the back surface Wb of the substrate W. The water discharged from the water nozzle 41 is deposited on the central portion of the back surface Wb of the substrate W covered with the FOM. The water that has landed on the center of the back surface Wb of the substrate W receives centrifugal force due to the rotation of the substrate W, flows on the back surface Wb of the substrate W toward the peripheral edge of the substrate W, and reaches the entire area of the back surface Wb of the substrate W. And spread. Therefore, the FOM on the substrate W is washed away by water and discharged around the substrate W. Thereby, the FOM adhering to the back surface Wb of the substrate W is replaced with water.

また、リンス工程（Ｓ７）では、開放永久磁石１２７は上位置に保持されている。開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、６本の可動ピン１１０のうち、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６に対応する３つの可動ピン１１０が保持位置から中間位置に配置される。そして、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、図１２Ｅ，１２Ｆに示すように、中間位置に配置される３つの可動ピン１１０が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０との間で切り換えられる。これにより、図９Ａ〜図９Ｃに示すように、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ａ等参照）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ｃ等参照）との間で遷移される。すなわち、回転台１０７の回転位相の変化に伴って、可動ピン１１０による基板Ｗの支持位置を変化させることができる。   In the rinsing step (S7), the open permanent magnet 127 is held at the upper position. In the state where the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position, among the six movable pins 110, the three movable pins 110 corresponding to the three driving permanent magnets 156 passing through the magnetic field generation region 129 simultaneously. Arranged from the holding position to the intermediate position. Then, in accordance with the phase change of each movable pin 110 due to the rotation of the turntable 107, the first movable pin group 111 includes three movable pins 110 arranged at intermediate positions as shown in FIGS. 12E and 12F. The three movable pins 110 and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are switched. As a result, as shown in FIGS. 9A to 9C, the state in which the substrate W is supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 (see FIG. 9A and the like) and the second movable pin The transition is made between the state in which the substrate W is supported by the three movable pins 110 included in the pin group 112 (see FIG. 9C and the like). That is, the support position of the substrate W by the movable pin 110 can be changed with the change of the rotation phase of the turntable 107.

基板Ｗにおける可動ピン１１０の支持位置（周方向の６か所）におけるＦＯＭの回り込みについて検討する。可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭは、図１３Ａに示すように、基板Ｗの周端面に接触する上軸部１５２と干渉する。そのため、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。   Consider the wraparound of the FOM at the support positions (six locations in the circumferential direction) of the movable pin 110 on the substrate W. In a state where the movable pin 110 is positioned at the holding position, the FOM supplied to the upper surface of the substrate W interferes with the upper shaft portion 152 that contacts the peripheral end surface of the substrate W as shown in FIG. For this reason, the FOM supplied to the upper surface of the substrate W cannot wrap around the peripheral area of the lower surface of the substrate W through the peripheral end surface of the substrate W.

一方、可動ピン１１０が中間位置に位置する状態では、図１３Ｂに示すように、基板Ｗの周端面と所定のギャップ（微小ギャップ）が形成されている。このギャップは、開放永久磁石１２７の上位置の位置（すなわち、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間の間隔）を細かく調整することにより、ギャップを所望の大きさに調整することができる。このギャップを介して基板Ｗの上面に供給された水を基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。たとえばギャップは、コンマ数ｍｍのオーダー（微小ギャップ）である。この場合、ＦＯＭの毛細管力により、微小ギャップを介してＦＯＭを基板Ｗの周端面および基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。これにより、基板Ｗの周端面や基板Ｗの下面の周縁領域に付着したＦＯＭを洗い流すことができる。   On the other hand, in the state where the movable pin 110 is located at the intermediate position, as shown in FIG. 13B, a predetermined gap (a minute gap) is formed with the peripheral end surface of the substrate W. The gap can be adjusted to a desired size by finely adjusting the position of the upper position of the open permanent magnet 127 (that is, the distance between the open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156). it can. The water supplied to the upper surface of the substrate W through this gap can be made to wrap around the peripheral area of the lower surface of the substrate W through the peripheral end surface of the substrate W. For example, the gap is on the order of a few millimeters of comma (a minute gap). In this case, the capillary force of the FOM can cause the FOM to wrap around the peripheral edge surface of the substrate W and the lower surface of the substrate W through the minute gap. Thereby, FOM adhering to the peripheral edge surface of the substrate W or the peripheral region of the lower surface of the substrate W can be washed away.

水の吐出開始から、所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、図１２Ｆに示すように、洗浄ブラシ１０による基板Ｗの裏面Ｗｂのスクラブ洗浄を実行する（Ｓ８：ブラシ洗浄工程。処理液供給工程）。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂに対して、水を供給しながら洗浄ブラシ１０によるスクラブ洗浄が行われる。具体的には、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、揺動アーム４７を揺動軸線Ａ２周りに揺動させて、洗浄ブラシ１０をホーム位置から基板Ｗの上方へ配置させるとともに、洗浄ブラシ１０を降下させて、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの裏面Ｗｂに押し付ける。そして、制御ユニット３は、図１２Ｇに示すようにアーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で移動（スキャン）させる。これにより、洗浄ブラシ１０の押付け位置が基板Ｗの裏面Ｗｂの全域を走査し、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域が洗浄ブラシ１０によりスクラブされる。ブラシ洗浄工程（Ｓ８）では、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）で剥離された異物が、洗浄ブラシ１０によるスクラブによりにより掻き取られる。そして、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物は、水により洗い流される。これにより、剥離された異物を基板Ｗの裏面Ｗｂから除去できる。   When a predetermined period elapses from the start of water discharge, the control unit 3 controls the arm driving unit 48 to perform scrub cleaning of the back surface Wb of the substrate W with the cleaning brush 10 as shown in FIG. 12F ( S8: Brush cleaning process, treatment liquid supply process). Thereby, scrub cleaning with the cleaning brush 10 is performed on the back surface Wb of the substrate W while supplying water. Specifically, the control unit 3 controls the arm drive unit 48 to swing the swing arm 47 around the swing axis A2 so that the cleaning brush 10 is disposed above the substrate W from the home position. Then, the cleaning brush 10 is lowered and the cleaning surface 10a of the cleaning brush 10 is pressed against the back surface Wb of the substrate W. Then, the control unit 3 controls the arm drive unit 48 as shown in FIG. 12G to move (scan) the pressing position of the cleaning brush 10 between the central portion of the substrate W and the peripheral portion of the substrate W. Let Accordingly, the pressing position of the cleaning brush 10 scans the entire area of the back surface Wb of the substrate W, and the entire area of the back surface Wb of the substrate W is scrubbed by the cleaning brush 10. In the brush cleaning step (S8), the foreign matter peeled off in the FOM supply step (S6) is scraped off by scrubbing with the cleaning brush 10. And the foreign material scraped off with the washing brush 10 is washed away with water. Thereby, the separated foreign matter can be removed from the back surface Wb of the substrate W.

洗浄ブラシ１０の往動が予め定める回数（たとえば４回）行われた後、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０をスピンチャック５の上方からホーム位置に戻す。これにより、ブラシ洗浄工程（Ｓ８）は終了する。また、制御ユニット３は、水バルブ４３を開いたままの状態に維持する。これにより、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給され、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物が基板Ｗ外に排出される（Ｓ９：最終リンス工程。処理液供給工程）。   After the forward movement of the cleaning brush 10 is performed a predetermined number of times (for example, 4 times), the control unit 3 controls the arm drive unit 48 to return the cleaning brush 10 from above the spin chuck 5 to the home position. Thereby, the brush cleaning step (S8) ends. Further, the control unit 3 keeps the water valve 43 open. As a result, water, which is a rinsing liquid, is supplied to the back surface Wb of the substrate W, and the foreign matter scraped off by the cleaning brush 10 is discharged out of the substrate W (S9: final rinsing step, treatment liquid supplying step).

水の供給開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、水バルブ４３を閉じて、水ノズル４１からの水の吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、保護液バルブ４５を閉じて、不活性ガス供給管１７０からの不活性ガスの吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、外側昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２７を下位置まで下降させる。これ以降は、基板Ｗは６本の可動ピン１１０によって挟持され、これにより基板Ｗが強固に保持される。   When a predetermined period elapses from the start of water supply, the control unit 3 closes the water valve 43 and stops water discharge from the water nozzle 41. Further, the control unit 3 closes the protective liquid valve 45 and stops the discharge of the inert gas from the inert gas supply pipe 170. Further, the control unit 3 controls the outer lifting / lowering unit 128 to lower the open permanent magnet 127 to the lower position. Thereafter, the substrate W is held between the six movable pins 110, whereby the substrate W is firmly held.

次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ１０）が行われる。具体的には、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）から最終リンス工程（Ｓ９）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。   Next, a spin dry process (step S10) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control unit 3 controls the rotational drive unit 17 so that the rotational speed is higher than the rotational speed from the FOM supply step (S6) to the final rinse step (S9) (for example, several thousand rpm). The substrate W is accelerated, and the substrate W is rotated at the drying rotation speed. Thereby, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried.

そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１１）。
そして、制御ユニット３は、内側昇降ユニット１２６を制御することにより、閉塞永久磁石１２５を下方位置へと下降させる（ステップＳ１２）。これにより、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間の距離が広がり、それらの間の磁気反発力が減少していく。それに伴い、保護ディスク１１５は、回転台１０７の上面に向かって降下していく。これにより、保護ディスク１１５の上面と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２を進入させることができるだけの空間が確保される。一方、閉塞永久磁石１２５が駆動用永久磁石１５６に対向しなくなるので、可動ピン１１０を保持位置へと付勢する外力が失われ、弾性押圧部材（図示しない）からの弾性押圧力を受けて、可動ピン１１０は開放位置へと配置されることになる。これによって、基板Ｗの握持が解除される。 When a predetermined period elapses after high-speed rotation of the substrate W is started, the control unit 3 controls the rotation drive unit 17 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 (step S11).
Then, the control unit 3 controls the inner lifting / lowering unit 126 to lower the closed permanent magnet 125 to the lower position (step S12). As a result, the distance between the closed permanent magnet 125 and the protective disk side permanent magnet 160 increases, and the magnetic repulsive force between them decreases. Accordingly, the protective disk 115 is lowered toward the upper surface of the turntable 107. Thereby, a space that allows the hand H2 of the center robot CR to enter is secured between the upper surface of the protection disk 115 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W. On the other hand, since the closing permanent magnet 125 does not face the driving permanent magnet 156, the external force for urging the movable pin 110 to the holding position is lost, and an elastic pressing force from an elastic pressing member (not shown) is received. The movable pin 110 is placed in the open position. Thereby, the holding of the substrate W is released.

次に、処理チャンバー４内から基板Ｗが搬出される（ステップＳ１３）。具体的には、制御ユニット３は、全てのノズル等がスピンチャック５の上方から退避している状態で、センターロボットＣＲを制御し、ハンドＨ２を保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間に確保された空間に進入させる。そして、ハンドＨ２は、可動ピン１１０に保持されている基板Ｗをすくい取り、その後に、スピンチャック５の側方へと退避する。これにより、洗浄処理済みの基板Ｗが処理チャンバー４から搬出される。   Next, the substrate W is unloaded from the processing chamber 4 (step S13). Specifically, the control unit 3 controls the center robot CR in a state where all the nozzles and the like are retracted from above the spin chuck 5, and moves the hand H <b> 2 to the protective disk 115 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W. Enter the space secured between the two. Then, the hand H2 scoops the substrate W held on the movable pin 110, and then retracts to the side of the spin chuck 5. Thereby, the cleaned substrate W is carried out of the processing chamber 4.

制御ユニット３は、センターロボットＣＲのハンドＨ２によって、洗浄処理済みの基板Ｗを反転ユニットＴＵに搬送させる。そして、制御ユニット３は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニットＴＵによって反転させる（ステップＳ１４）。これにより、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲのハンドＨ１によって、反転ユニットＴＵから基板Ｗを取り出し、洗浄処理済みの基板Ｗを、その表面Ｗａを上に向けた状態でキャリアＣに収容する。洗浄処理済みの基板Ｗが収容されたキャリアＣ、基板処理装置１から、露光装置等の後処理装置に向けて搬送される。   The control unit 3 transports the substrate W after the cleaning process to the reversing unit TU by the hand H2 of the center robot CR. Then, the control unit 3 reverses the transported substrate W by the reversing unit TU (step S14). Thereby, the surface Wa of the substrate W is directed upward. Thereafter, the control unit 3 takes out the substrate W from the reversing unit TU by the hand H1 of the indexer robot IR, and stores the substrate W after the cleaning process in the carrier C with its surface Wa facing up. From the carrier C and the substrate processing apparatus 1 in which the cleaned substrate W is accommodated, it is transported toward a post-processing apparatus such as an exposure apparatus.

以上により、この実施形態によれば、回転台１０７の回転および処理液の供給（図１１のＳ６〜Ｓ９）に並行して、開放永久磁石１２７を上位置に配置する。開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴い、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ａ等参照）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ｃ等参照）との間で遷移される。すなわち、回転台１０７の回転位相の変化に伴って、基板Ｗにおける可動ピン１１０による接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板Ｗの周縁部の全域に処理液（ＦＯＭ、水）を供給することが可能であり、これにより、基板Ｗの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。   As described above, according to this embodiment, the open permanent magnet 127 is arranged at the upper position in parallel with the rotation of the turntable 107 and the supply of the processing liquid (S6 to S9 in FIG. 11). In the state where the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position, the substrate W is moved by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 in accordance with the phase change of each movable pin 110 due to the rotation of the turntable 107. Transition between a state in which the substrate W is supported (see FIG. 9A and the like) and a state in which the substrate W is supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (see FIG. 9C and the like). Is done. That is, as the rotational phase of the turntable 107 changes, the contact support position of the movable pin 110 on the substrate W can be changed. Therefore, it is possible to supply the processing liquid (FOM, water) to the entire periphery of the peripheral portion of the substrate W, whereby the peripheral portion of the substrate W can be satisfactorily processed without any processing residue using the processing liquid. it can.

以上、この発明の一実施形態について説明したが、本願発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、回転軸線Ａ３に直交する方向に関し、閉塞永久磁石１２５を内側に、開放永久磁石１２７を外側にそれぞれ配置したが、この配置位置が逆であってもよい。
また、開放永久磁石１２７の磁極方向が上下方向に沿っているとして説明したが、開放永久磁石１２７の磁極方向が、可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向であってもよい。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
For example, with respect to the direction orthogonal to the rotation axis A3, the closed permanent magnet 125 is disposed on the inner side and the open permanent magnet 127 is disposed on the outer side, but this arrangement position may be reversed.
Further, although the magnetic pole direction of the open permanent magnet 127 is described as being along the vertical direction, the magnetic pole direction of the open permanent magnet 127 may be a direction orthogonal to the rotation axis A3 of the movable pin 110.

また、駆動用永久磁石１５６との間に吸引磁力を発生させるための磁石としての機能と、保護ディスク側永久磁石１６０との間に反発磁力を発生させるための磁石としての機能を担保させたが、保護ディスク側永久磁石１６０との間に反発磁力を発生させるための磁石を閉塞永久磁石１２５とは別に設け、閉塞永久磁石１２５には、駆動用永久磁石１５６との間に吸引磁力を発生させるための磁石としての機能を担保させるようにしてもよい。   In addition, the function as a magnet for generating an attractive magnetic force with the driving permanent magnet 156 and the function as a magnet for generating a repulsive magnetic force with the protective disk side permanent magnet 160 are ensured. In addition, a magnet for generating a repulsive magnetic force is provided between the protective disk-side permanent magnet 160 and the closed permanent magnet 125, and the closed permanent magnet 125 generates an attractive magnetic force with the driving permanent magnet 156. For this reason, the function as a magnet may be secured.

この場合、閉塞永久磁石１２５の磁極方向が、上下方向でなく可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向であってもよい。
また、前述の実施形態では、磁界発生領域１２９を、３本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石１５６（すなわち３つの駆動用永久磁石１５６）が同時に通過するように設けたが、全部で６つの駆動用永久磁石１５６のうち１本または２本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石１５６（すなわち１つまたは２つの駆動用永久磁石１５６）が同時に通過するように設けられていてもよい。この場合、３本の可動ピン１１０からなる第１および第２の可動ピン群１１１，１１２で基板Ｗを持ち換える構成ではなく、６本の可動ピン１１０のうち、１本または２本の可動ピン１１０が同時に中間位置に配置され、このような動作が、６本の可動ピン１１０に関して順次行われる。 In this case, the magnetic pole direction of the closing permanent magnet 125 may be a direction orthogonal to the rotational axis A3 of the movable pin 110 instead of the vertical direction.
Further, in the above-described embodiment, the magnetic field generation region 129 is provided so that the driving permanent magnets 156 corresponding to the three movable pins 110 (that is, the three driving permanent magnets 156) pass through at the same time. Even if the driving permanent magnets 156 corresponding to one or two movable pins 110 out of the six driving permanent magnets 156 (that is, one or two driving permanent magnets 156) are provided so as to pass simultaneously. Good. In this case, the first and second movable pin groups 111 and 112 including the three movable pins 110 are not configured to change the substrate W, but one or two of the six movable pins 110 are movable pins. 110 are simultaneously disposed at the intermediate position, and such an operation is sequentially performed with respect to the six movable pins 110.

また、開放永久磁石１２７を上位置に配置することにより、可動ピン１１０を保持位置から中間位置に配置するとして説明したが、開放永久磁石１２７を上位置に配置した状態で、可動ピン１１０が保持位置に配置されたままであってもよい。しかしながら、この場合、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間で生じる吸引磁力により、可動ピン１１０（上軸部１５２）の基板Ｗの周端縁に対する押圧力を緩めることはできる。つまり、開放永久磁石１２７を上位置に配置することにより、可動ピン１１０を変位させることはしないが、可動ピン１１０の押圧力（開閉力）を調整することができる。この場合、開放永久磁石１２７の上位置を調整することにより、可動ピン１１０の押圧力（開閉力）をさらに細かく調整することができる。すなわち、ギャップの調整だけでなく、微妙な押圧力（挟持力）の調整を行うことができる。   In addition, it has been described that the movable pin 110 is disposed in the middle position from the holding position by disposing the open permanent magnet 127 in the upper position, but the movable pin 110 is retained in a state where the open permanent magnet 127 is disposed in the upper position. It may remain in place. However, in this case, the pressing force with respect to the peripheral edge of the substrate W of the movable pin 110 (upper shaft portion 152) can be relaxed by the attractive magnetic force generated between the open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156. That is, by disposing the open permanent magnet 127 in the upper position, the movable pin 110 is not displaced, but the pressing force (opening / closing force) of the movable pin 110 can be adjusted. In this case, the pressing force (opening / closing force) of the movable pin 110 can be adjusted more finely by adjusting the upper position of the open permanent magnet 127. That is, not only the gap but also a delicate pressing force (clamping force) can be adjusted.

また、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に生じる吸引磁力、および閉塞永久磁石１２５と駆動用永久磁石１５６との間に生じる吸引磁力により駆動用永久磁石１５６を駆動させるものとして説明したが、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に生じる反発磁力および／または開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に生じる反発磁力により駆動用永久磁石１５６を駆動させるようにしてもよい。   Further, the driving permanent magnet 156 is driven by the attractive magnetic force generated between the open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156 and the attractive magnetic force generated between the closed permanent magnet 125 and the driving permanent magnet 156. However, the driving permanent magnet 156 is driven by the repulsive magnetic force generated between the open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156 and / or the repulsive magnetic force generated between the open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156. It may be.

また、駆動用永久磁石１５６を保持位置に付勢する付勢ユニットとして閉塞永久磁石１２５を設けたが、閉塞永久磁石１２５に代えて、駆動用永久磁石１５６を保持位置に付勢するばね等の弾性押圧ユニットを設けるようにしてもよい。
また、可動ピン１１０の個数を６個としたが、６個以上とすることもできる。この場合、可動ピン１１０の個数が偶数個であれば、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の個数と、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の個数と互いに同数とすることができ、レイアウトの観点から望ましい。たとえば、可動ピン１１０の個数を８個とする場合、各可動ピン群１１１，１１２に含まれる可動ピンの個数が４つになるが、この場合、開放永久磁石１２７の個数も、可動ピン１１０の個数と同数の４つである。 Further, the closing permanent magnet 125 is provided as an urging unit that urges the driving permanent magnet 156 to the holding position, but instead of the closing permanent magnet 125, a spring or the like that urges the driving permanent magnet 156 to the holding position. An elastic pressing unit may be provided.
Further, although the number of movable pins 110 is six, it may be six or more. In this case, if the number of movable pins 110 is an even number, the number of movable pins 110 included in the first movable pin group 111 is the same as the number of movable pins 110 included in the second movable pin group 112. It is desirable from the viewpoint of layout. For example, when the number of movable pins 110 is eight, the number of movable pins included in each of the movable pin groups 111 and 112 is four. In this case, the number of open permanent magnets 127 is also the number of movable pins 110. It is four, the same number as the number.

たとえば、処理対象面が、基板Ｗの裏面（デバイス非形成面）Ｗｂであるとして説明したが、基板Ｗの表面（デバイス形成面）Ｗａを処理対象面としてもよい。この場合、反転ユニットＴＵを廃止することもできる。
また、一連の処理液処理が、異物の除去に限られず、金属の除去、膜中に埋設された不純物の除去を目的とするものであってもよい。また、一連の処理液処理が、洗浄処理ではなくエッチング処理であってもよい。 For example, the processing target surface has been described as being the back surface (device non-forming surface) Wb of the substrate W, but the front surface (device forming surface) Wa of the substrate W may be the processing target surface. In this case, the reversing unit TU can be abolished.
Further, the series of treatment liquid treatments is not limited to the removal of foreign substances, but may be intended to remove metals and impurities embedded in the film. Further, the series of processing liquid processing may be etching processing instead of cleaning processing.

前述の実施形態では、薬液としてＦＯＭを用いたが、基板Ｗに供給される薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。   In the above-described embodiment, FOM is used as the chemical solution, but the chemical solution supplied to the substrate W is, for example, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide solution, organic acid (for example, citric acid). , Oxalic acid, etc.), an organic alkali (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.), an organic solvent (eg, IPA: isopropyl alcohol, etc.), and a surfactant and a corrosion inhibitor.

基板Ｗに供給される薬液として、より好ましくは、ＤＨＦ（希釈フッ酸）、ＢＨＦ（バファードフッ酸）、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨおよびＨ２Ｏ２を含む液）、ＦＰＭ（ＨＦおよびＨ２Ｏ２を含む液）等を用いることができる。すなわち、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６，Ｔ６）に代えて、これらの薬液うちの１つを含む薬液を基板Ｗの処理対象面に供給する薬液供給工程を実行することができ、この薬液供給工程において使用される薬液として、ＤＨＦ、ＢＨＦ、ＳＣ１、ＦＰＭ等を用いることができる。これらの液が薬液として用いられる場合、基板Ｗの処理対象面はベアシリコンである必要はなく、基板Ｗの処理対象面が、酸化膜（たとえばシリコン酸化膜）および／または窒化膜（たとえばシリコン窒化膜）を含んでいてもよい。 More preferably, as the chemical solution supplied to the substrate W, DHF (diluted hydrofluoric acid), BHF (buffed hydrofluoric acid), SC1 (liquid containing NH 4 OH and H 2 O 2 ), FPM (HF and H 2 O 2) . For example). That is, instead of the FOM supply step (S6, T6), a chemical solution supply step of supplying a chemical solution containing one of these chemical solutions to the surface to be processed of the substrate W can be executed, and used in this chemical solution supply step. As the chemical solution to be used, DHF, BHF, SC1, FPM, or the like can be used. When these liquids are used as chemicals, the surface to be processed of the substrate W does not need to be bare silicon, and the surface to be processed of the substrate W is an oxide film (for example, silicon oxide film) and / or a nitride film (for example, silicon nitride). Film).

また、前述の説明では、薬液工程（Ｓ７〜Ｓ９）の全期間において、開放永久磁石１２７を上位置に配置するとして説明したが、薬液工程（Ｓ７〜Ｓ９）のうちの一部の期間のみ開放永久磁石１２７を上位置に配置するようにしてもよい。
また、前述の説明では、リンス工程（Ｓ７〜Ｓ９）の全期間において、開放永久磁石１２７を上位置に配置するとして説明したが、リンス工程（Ｓ７〜Ｓ９）のうちの一部の期間のみ、開放永久磁石１２７を上位置に配置するようにしてもよい。 In the above description, the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position in the entire period of the chemical liquid process (S7 to S9). However, only a part of the chemical liquid process (S7 to S9) is opened. The permanent magnet 127 may be arranged at the upper position.
Further, in the above description, the open permanent magnet 127 is disposed at the upper position in the entire period of the rinsing process (S7 to S9), but only in a part of the rinsing process (S7 to S9). You may make it arrange | position the open permanent magnet 127 in an upper position.

また、前述の処理液処理からブラシ洗浄工程（Ｓ８）を廃止することもできる。この場合最終リンス工程（Ｓ９）を行う必要性がないから、リンス工程（Ｓ９）を併せて廃止することもできる。
また、処理対象面が、基板Ｗの上面であるとして説明したが、基板Ｗの下面を処理対象面としてもよい。この場合、基板Ｗの下面に処理液を供給するのであるが、基板Ｗの周縁部における基板支持位置において基板Ｗの下面から基板Ｗの上面への回り込みを許容することにより、基板Ｗの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。 Further, the brush cleaning step (S8) can be abolished from the treatment liquid treatment described above. In this case, since there is no need to perform the final rinsing step (S9), the rinsing step (S9) can also be abolished.
In addition, although the processing target surface has been described as the upper surface of the substrate W, the lower surface of the substrate W may be the processing target surface. In this case, the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate W, but the peripheral portion of the substrate W is allowed to wrap around from the lower surface of the substrate W to the upper surface of the substrate W at the substrate support position in the peripheral portion of the substrate W. Can be processed satisfactorily with the treatment liquid without any remaining treatment.

また、基板処理装置１が円板状の半導体基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 Moreover, although the case where the substrate processing apparatus 1 is an apparatus which processes a disk-shaped semiconductor substrate was demonstrated, the substrate processing apparatus 1 is an apparatus which processes polygonal substrates, such as a glass substrate for liquid crystal display devices. Also good.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ ：基板処理装置
１０７ ：回転台
１１０ ：可動ピン
１１１ ：第１の可動ピン群
１１２ ：第２の可動ピン群
１２５ ：閉塞永久磁石
１２６ ：内側昇降ユニット
１２７ ：開放永久磁石
１２８ ：外側昇降ユニット
１２９ ：磁界発生領域
１３０ ：遮蔽部材
Ｗ ：基板 1: substrate processing apparatus 107: turntable 110: movable pin 111: first movable pin group 112: second movable pin group 125: closed permanent magnet 126: inner lifting unit 127: open permanent magnet 128: outer lifting unit 129 : Magnetic field generation region 130: Shielding member W: Substrate

Claims (14)

回転台と、
前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、
基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、
各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、
各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、
非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に当該付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置。 A turntable,
A rotation drive unit that rotates the turntable around a rotation axis along the vertical direction;
A plurality of movable pins for horizontally supporting the substrate, and having a support portion provided so as to be movable between an open position far from the rotation axis and a holding position approaching the rotation axis. A movable pin provided to rotate about the rotation axis together with the turntable;
A biasing unit that biases the support portion of each movable pin to the holding position;
A drive magnet attached to each movable pin;
Open magnets provided in a non-rotating state, a predetermined magnetic field generation region through which each movable pin that rotates with the rotation of the turntable can pass and is biased with respect to the rotation direction of the turntable and a plurality Forming a magnetic field generation region provided so that only the drive magnets corresponding to some of the movable pins can pass therethrough, and the repulsive force or the repulsion force on the drive magnets of the movable pins passing through the magnetic field generation region An opening magnet that applies a suction force to the support portion of the movable pin that is biased to the holding position by the biasing unit to generate a force that is directed to the opening position against the biasing force. , Substrate holding and rotating device. 前記開放磁石と前記駆動用磁石との間の距離が変化するように前記開放磁石および前記回転台を相対移動させる第１の相対移動ユニットをさらに含む、請求項１に記載の基板保持回転装置。   2. The substrate holding and rotating apparatus according to claim 1, further comprising a first relative movement unit that relatively moves the open magnet and the turntable so that a distance between the open magnet and the drive magnet changes. 前記第１の相対移動ユニットは、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる、請求項２に記載の基板保持回転装置。   The first relative movement unit includes a first position that forms the magnetic field generation region in a region through which each driving magnet passes, and a region in which each driving magnet passes through the open magnet and the turntable. The substrate holding / rotating device according to claim 2, wherein the substrate holding / rotating device is moved relative to a second position where a magnetic field generation region is not formed. 前記開放磁石および前記回転台が前記第１の位置にある状態で、前記可動ピンの前記支持部は、前記開放位置と前記保持位置との間の中間位置に配置される、請求項３に記載の基板保持回転装置。   The said support part of the said movable pin is arrange | positioned in the intermediate position between the said open | release position and the said holding | maintenance position in the state which has the said open | release magnet and the said turntable in the said 1st position. Substrate holding and rotating device. 前記付勢ユニットは、各駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与え、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する閉塞磁石を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。   5. The biasing unit according to claim 1, wherein the biasing unit includes a closing magnet that applies a repulsive force or an attractive force to each driving magnet and biases the support portion of each movable pin to the holding position. The substrate holding and rotating device according to one item. 前記閉塞磁石および前記回転台を、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットをさらに含む、請求項５に記載の基板保持回転装置。   The repulsion between the closing magnet and the turntable between the third position where the closing magnet gives the repulsive force or the attractive force between the closing magnet and the driving magnet, and between the closing magnet and the driving magnet. The substrate holding and rotating apparatus according to claim 5, further comprising a second relative movement unit that relatively moves between a force and a fourth position that does not apply the suction force. 前記開放磁石は、前記回転台の周方向に間隔を空けて設けられた複数個の開放磁石を含み、各駆動用磁石が通過する領域に形成される前記磁界発生領域は、前記回転台の回転方向に間欠的な領域である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。   The open magnet includes a plurality of open magnets provided at intervals in the circumferential direction of the turntable, and the magnetic field generation region formed in a region through which each drive magnet passes is a rotation of the turntable. The substrate holding | maintenance rotation apparatus as described in any one of Claims 1-6 which is an area | region intermittent in a direction. 前記可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、
全ての前記可動ピンに対応して取り付けられた前記駆動用磁石は、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有するように設けられており、
前記複数の前記開放磁石は、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在せず、かつ前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が磁界発生領域内に存在している状態で、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在しないように配置されている、請求項７に記載の基板保持回転装置。 The movable pin includes a first movable pin group including at least three movable pins, and a second movable pin group provided separately from the first movable pin group and including at least three movable pins. ,
The drive magnets attached corresponding to all the movable pins are provided so as to have the same magnetic pole direction with respect to the direction perpendicular to the axis along the rotation axis,
The plurality of open magnets, each driving magnet corresponding to the second movable pin group in a state where each driving magnet corresponding to the first movable pin group is present in the magnetic field generation region. Are not present in the magnetic field generation region and each of the driving magnets corresponding to the second movable pin group is present in the magnetic field generation region, each corresponding to the first movable pin group. The substrate holding and rotating device according to claim 7, wherein the driving magnet is disposed so as not to exist in the magnetic field generation region. 前記第１の可動ピン群は、前記第２の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、
前記第１および第２の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、
前記複数の開放磁石は、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項８に記載の基板保持回転装置。 The first movable pin group includes the same number of the movable pins as the second movable pin group,
The first and second movable pin groups are arranged alternately with respect to the circumferential direction of the turntable, and a plurality of movable pins included in each movable pin group are arranged at equal intervals.
9. The substrate holding and rotating apparatus according to claim 8, wherein the plurality of open magnets are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the turntable in the same number as the number of movable pins included in each movable pin group. 前記回転台の回転速度および／または前記開放磁石の周方向長さは、１つの前記開放磁石によって形成される前記磁界発生領域が前記回転台の周方向に関し前記可動ピンの周方向の配置間隔と一致するように設けられている、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。   The rotational speed of the turntable and / or the circumferential length of the open magnet is such that the magnetic field generation region formed by one open magnet is the interval between the movable pins in the circumferential direction with respect to the circumferential direction of the turntable. The substrate holding | maintenance rotation apparatus as described in any one of Claims 7-9 provided so that it may correspond. 前記開放磁石によって発生する磁界と前記閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を遮蔽する遮蔽部材をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。   The substrate holding | maintenance rotation apparatus as described in any one of Claims 1-10 which further contains the shielding member which shields interference with the magnetic field generate | occur | produced by the said open magnet, and the magnetic field generate | occur | produced by the said obstruction | occlusion magnet. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板保持回装置と、
前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置。 The substrate holding and turning device according to any one of claims 1 to 11,
A substrate processing apparatus, comprising: a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to a main surface of the substrate held by the substrate holding and rotating apparatus. 前記開放磁石および前記回転台を、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、
前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニットおよび前記第１の相対移動ユニットを制御する制御ユニットとをさらに含み、
前記制御ユニットは、
前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを実行する、請求項１２に記載の基板処理装置。 The open magnet and the turntable, the open magnet and the turntable, the first position that forms the magnetic field generation region in the region through which each drive magnet passes, and the region through which each drive magnet passes through A first relative movement unit that moves relative to a second position that does not form a magnetic field generation region;
A control unit for controlling the rotation drive unit, the treatment liquid supply unit, and the first relative movement unit;
The control unit is
A rotating table rotating step of rotating the rotating table around the rotation axis;
A treatment liquid supply step for supplying a treatment liquid to the substrate rotating with the rotation of the turntable;
The open magnet arrangement step of arranging a relative position of the open magnet and the turntable at the first position in parallel with the turntable rotation step and the treatment liquid supply step. Substrate processing equipment. 回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に当該付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置と、前記開放磁石および前記回転台を、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを含む、基板処理方法。 A rotary table, a rotary drive unit that rotates the rotary table around a rotation axis along the vertical direction, and a plurality of movable pins for horizontally supporting the substrate, the remote open position being far from the rotation axis And a support position provided so as to be movable between the rotation position and the holding position close to the rotation axis, and a movable pin provided to rotate around the rotation axis together with the rotary table, and the support of each movable pin An urging unit for urging a portion to the holding position, a driving magnet attached to each movable pin, and an open magnet provided in a non-rotating state, with the rotation of the turntable It is a predetermined magnetic field generation region through which each movable pin that can rotate can pass, and only a drive magnet that is biased with respect to the rotation direction of the rotary table and that corresponds to some of the plurality of movable pins can pass. In The movable pin that forms a separated magnetic field generation region, applies a repulsive force or an attractive force to the driving magnet of the movable pin that passes through the magnetic field generation region, and is biased to the holding position by the biasing unit A substrate holding and rotating device, the opening magnet and the turntable including the opening magnet and the rotating table. The substrate holding and rotating device includes: an opening magnet that generates a force that causes the supporting portion to move toward the opening position against the biasing force. Relative to the base between a first position where the magnetic field generation region is formed in a region where each driving magnet passes and a second position where the magnetic field generation region is not formed in a region where each driving magnet passes A substrate processing method executed in a substrate processing apparatus including a first relative movement unit to be moved,
A rotating table rotating step of rotating the rotating table around the rotation axis;
A treatment liquid supply step for supplying a treatment liquid to the substrate rotating with the rotation of the turntable;
A substrate processing method comprising: an opening magnet arrangement step of arranging a relative position of the opening magnet and the rotation table at the first position in parallel with the rotation table rotation step and the processing liquid supply step.
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