JP2018200977A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing device and a substrate processing method which can improve effect of suppressing an intrusion of processing liquid into a lower surface of a substrate.SOLUTION: A second gas discharge part 81 is provided closer to a shaft line P1 than six support pins 13 erected around the shaft line P1 and at an outer periphery side of a substrate W, in a planar view of the substrate W held by a spin chuck 2. In addition to discharge of gas by a first gas discharge part 65, the second gas discharge part 81 discharges gas to the vicinities of parts at which the six support pins 13 respectively contact an end of the substrate W. More precisely, the second gas discharge part 81 discharges gas to parts, into which processing liquid is predicted to intrude because of deterioration in effect of suppressing the intrusion, at which the support pins 13 contact the end of the substrate W, from the vicinities of the support pins 13. Therefore, by reinforcing flowing of gas discharged by the first gas discharge part 65 at a pin point, the effect of suppressing the intrusion of the processing liquid into the lower surface of the substrate W can be improved.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for photomask, and a substrate for optical disk.

従来の基板処理装置は、スピンチャック、回転機構、処理液ノズル、および洗浄ブラシを備えている。スピンチャックは、回転可能なスピンベースと、スピンベースの外周側にリング状に立設された複数の支持部材とを備えている。スピンチャックは、複数の支持部材によって、スピンベースから離して基板を保持する。回転機構は、スピンチャックを回転させる。スピンチャックに保持されて回転する基板の上面に、処理液ノズルから処理液が供給される。この際、洗浄ブラシを基板の上面に接触させて基板をスクラブ洗浄する。   A conventional substrate processing apparatus includes a spin chuck, a rotation mechanism, a processing liquid nozzle, and a cleaning brush. The spin chuck includes a rotatable spin base and a plurality of support members provided in a ring shape on the outer peripheral side of the spin base. The spin chuck holds the substrate apart from the spin base by a plurality of support members. The rotation mechanism rotates the spin chuck. The processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle onto the upper surface of the substrate held and rotated by the spin chuck. At this time, the cleaning brush is brought into contact with the upper surface of the substrate to scrub the substrate.

また、処理液ノズルおよび洗浄ブラシの代わりに二流体ノズルを用いて、基板の上面に処理液をスプレーして、基板の上面を洗浄する場合もある。   In some cases, the upper surface of the substrate is cleaned by spraying the processing liquid on the upper surface of the substrate using a two-fluid nozzle instead of the processing liquid nozzle and the cleaning brush.

基板の上面に処理液を供給して行うスクラブ洗浄などの基板処理を行う場合、処理液のミストが発生する。処理液ミストが基板の下面に回り込むと、基板の下面に処理液が付着する。そのため、基板処理装置は、保護ディスクと気体吐出部とを備えている。保護ディスクは、スピンチャックに保持された基板とスピンベースとの間に設けられ、昇降可能である。また、保護ディスクは、基板処理のときに基板に近い位置に配置される。この状態のとき、基板中心の下方に設けられた気体吐出部は、スピンチャックに保持された基板と保護ディスクとの間に不活性ガスを吐出する。これにより、基板の下面への処理液の回り込みを抑制している（例えば、特許文献１参照）。   When performing substrate processing such as scrub cleaning performed by supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate, mist of the processing liquid is generated. When the processing liquid mist reaches the lower surface of the substrate, the processing liquid adheres to the lower surface of the substrate. Therefore, the substrate processing apparatus includes a protective disk and a gas discharge unit. The protective disk is provided between the substrate held by the spin chuck and the spin base and can be moved up and down. Further, the protective disk is disposed at a position close to the substrate during substrate processing. In this state, the gas discharge unit provided below the center of the substrate discharges an inert gas between the substrate held by the spin chuck and the protective disk. This suppresses the processing liquid from entering the lower surface of the substrate (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１５−００２３２８号公報JP-A-2015-002328

しかしながら、基板の下面への処理液の回り込みが十分に抑制できていない問題がある。例えば、洗浄ブラシによるスクラブ洗浄では、支持部材付近で基板の下面への洗浄液ミストの回り込みが発生する。これは、気体吐出部から吐出された不活性ガスの基板外周側への流れを支持部材が妨げたり、支持部材が基板と共に回転することで負圧が生じたりして、回り込み抑制の効果が低下していることが原因であると考えられている。基板の下面に処理液が回り込んで基板の下面（デバイス面）に処理液が付着すると、パーティクル発生の原因になる。なお、パーティクルの発生は、歩留まり低下を引き起こすので好ましくない。   However, there is a problem that the treatment liquid does not sufficiently suppress the lower surface of the substrate. For example, in scrub cleaning with a cleaning brush, cleaning liquid mist wraps around the lower surface of the substrate near the support member. This is because the support member hinders the flow of the inert gas discharged from the gas discharge part to the outer peripheral side of the substrate, or the support member rotates together with the substrate to generate a negative pressure, thereby reducing the effect of suppressing the wraparound. It is thought that the cause is. If the processing liquid wraps around the lower surface of the substrate and adheres to the lower surface (device surface) of the substrate, particles are generated. The generation of particles is not preferable because it causes a decrease in yield.

図１３は、支持部材付近で発生するパーティクルの様子を示す図である。図１３は、基板Ｗを上面側から見た図であり、点は、基板Ｗの下面に発生したパーティクルを示している。パーティクルは、支持部材から基板Ｗの内側に発生する。   FIG. 13 is a diagram illustrating a state of particles generated near the support member. FIG. 13 is a view of the substrate W viewed from the upper surface side, and dots indicate particles generated on the lower surface of the substrate W. FIG. Particles are generated inside the substrate W from the support member.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the effect of suppressing the flow of the processing liquid to the lower surface of the substrate.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられ、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第１気体吐出部と、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記第１気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に前記気体を吐出する第２気体吐出部と、を備えていることものである。   In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration. That is, the substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate holding unit having a spin base rotatable around a vertical axis and a plurality of support members erected on the outer peripheral side of the spin base and around the axis. The substrate holding unit that holds the substrate in a state where the spin base and the substrate are separated by the plurality of support members, a rotation drive mechanism that rotates the substrate holding unit around the axis, and the substrate Provided on the upper surface of the substrate held and rotated by the holding unit is a processing unit that supplies the processing liquid and processes the substrate, and is provided below the center of the substrate held by the substrate holding unit. The first gas discharge unit that discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows toward the outer peripheral side, and the substrate that is held by the substrate holding unit when the substrate is held in plan view, Multiple supports In addition to gas discharge by the first gas discharge portion, the gas is provided near the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate. And a second gas discharge part for discharging the gas.

本発明に係る基板処理装置によれば、第２気体吐出部は、基板保持部で保持された基板を平面視した際に、軸線周りに立設された複数の支持部材よりも軸線側でかつ、基板の外周側に設けられている。第２気体吐出部は、第１気体吐出部による気体の吐出に加えて、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近に気体を吐出する。すなわち、第２気体吐出部は、回り込み抑制効果が低下し、基板の下面に処理液が回り込むと考えられる支持部材と基板の端との接触部分付近に、支持部材の近くから気体を吐出する。そのため、第１気体吐出部による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, the second gas ejection unit is closer to the axis than the plurality of support members erected around the axis when the substrate held by the substrate holding unit is viewed in plan view. , Provided on the outer peripheral side of the substrate. The second gas discharge unit discharges gas in the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate, in addition to the gas discharge by the first gas discharge unit. That is, the second gas discharge unit discharges gas from the vicinity of the support member in the vicinity of the contact portion between the support member and the end of the substrate, where the effect of suppressing the wraparound decreases and the processing liquid flows around the lower surface of the substrate. Therefore, by strengthening the gas flow by the first gas discharge unit to a pinpoint, it is possible to improve the effect of suppressing the flow of the processing liquid to the lower surface of the substrate.

また、上述の基板処理装置において、前記第２気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも１つのスリット状の吐出口を有することが好ましい。   Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, the second gas discharge portion has a ring shape around the axis, and has at least one slit-like discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring. Is preferred.

例えば、二流体ノズルによる洗浄においては、基板下面の外周側の全周に処理液が回り込んで基板の下面に処理液が付着する。これにより、基板下面の外周側の全周にリング状のパーティクルが発生する。これは、上述の支持部材の影響とは別に、ブラシによるスクラブ洗浄に比べて、処理液ミストの量が多いことが原因であると考えられる。本発明のスリット状の吐出口によれば、支持部材と基板の端との接触部分を含む基板の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。そのため、基板下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   For example, in cleaning with a two-fluid nozzle, the processing liquid wraps around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate and adheres to the lower surface of the substrate. Thereby, ring-shaped particles are generated on the entire outer periphery of the lower surface of the substrate. This is considered to be caused by the fact that the amount of the treatment liquid mist is larger than the scrub cleaning with the brush, apart from the influence of the support member described above. According to the slit-like discharge port of the present invention, gas can be discharged over a wide range near the end of the substrate including the contact portion between the support member and the end of the substrate. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the treatment liquid from flowing around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate.

また、上述の基板処理装置において、前記第２気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手でかつ前記リングの全周にかけて形成された１つのスリット状の吐出口を有することが好ましい。これにより、第２気体吐出部は、支持部材と基板の端との接触部分を含む基板の端付近の全周に気体を吐出することができる。   Moreover, in the above-described substrate processing apparatus, the second gas discharge portion has a ring shape around the axis, and is formed in a single slit shape that is long along the outer periphery of the ring and extends over the entire periphery of the ring. It is preferable to have a discharge port. Thereby, the 2nd gas discharge part can discharge gas to the perimeter of the edge vicinity of the board | substrate including the contact part of a support member and the edge of a board | substrate.

また、上述の基板処理装置において、前記スリット状の吐出口は、前記複数の支持部材の各々に対向する部分のスリット幅が、前記対向する部分以外の部分のスリット幅よりも広くなるように構成されていることが好ましい。これにより、スリット状の吐出口は、複数の支持部材の各々に対向する部分で、対向する部分以外の部分よりも多くの気体を吐出することができる。   In the substrate processing apparatus described above, the slit-shaped discharge port is configured such that a slit width of a portion facing each of the plurality of support members is wider than a slit width of a portion other than the facing portion. It is preferable that Thereby, the slit-shaped discharge port can discharge more gas at a portion facing each of the plurality of support members than at a portion other than the facing portion.

また、上述の基板処理装置において、前記第２気体吐出部は、前記軸線周りにリング状に複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口は、前記回転駆動機構によって前記複数の支持部材と一緒に前記軸線周りに回転されるように構成されていることが好ましい。これにより、複数の支持部材と複数の吐出口の相対位置を維持できる。   In the substrate processing apparatus described above, the second gas discharge unit has a plurality of discharge ports in a ring shape around the axis, and the plurality of discharge ports are connected to the plurality of support members by the rotation drive mechanism. It is preferable to be configured to be rotated around the axis together. Thereby, the relative positions of the plurality of support members and the plurality of discharge ports can be maintained.

また、上述の基板処理装置は、前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた板状保護部材と、基板処理する場合に前記板状保護部材を上昇させる昇降機構とを更に備え、前記第１気体吐出部は、基板と前記板状保護部材との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、前記第２気体吐出部は、前記板状保護部材に設けられ、前記第２気体吐出部には、前記板状保護部材の内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることが好ましい。   In addition, the substrate processing apparatus described above further includes a plate-like protective member provided so as to be movable up and down between the spin base and the substrate, and an elevating mechanism that raises the plate-like protective member when the substrate is processed, The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows between the substrate and the plate-shaped protective member from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate, and the second gas discharge unit Preferably, the part is provided in the plate-like protection member, and gas is supplied to the second gas discharge part through a space provided in the plate-like protection member.

これにより、昇降可能な板状保護部材に設けられた第２気体吐出部に、板状保護部材の内部に設けられた空間を通じて気体を供給することができる。   Thereby, gas can be supplied to the 2nd gas discharge part provided in the plate-shaped protection member which can be raised / lowered through the space provided in the inside of the plate-shaped protection member.

また、上述の基板処理装置において、前記板状保護部材は、前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた保護板と、前記保護板と前記スピンベースとの間に昇降可能に設けられた気体案内板とを備え、前記第１気体吐出部は、基板と前記保護板との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、前記第２気体吐出部は、前記保護板と前記気体案内板との隙間で形成された少なくとも１つの吐出口を有し、前記第２気体吐出部には、前記保護板と前記気体案内板との間に形成された空間を通じて気体が供給され、前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を上昇させることが好ましい。   In the substrate processing apparatus described above, the plate-shaped protection member is provided so as to be movable up and down between the spin base and the substrate, and to be movable up and down between the protection plate and the spin base. The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows between the substrate and the protective plate from the center side of the substrate toward the outer periphery side of the substrate. The second gas discharge part has at least one discharge port formed by a gap between the protection plate and the gas guide plate, and the second gas discharge part includes the protection plate and the gas guide. It is preferable that gas is supplied through a space formed between the plate and the elevating mechanism raises the protective plate and the gas guide plate when the substrate is processed.

これにより、昇降可能な保護板と気体案内板との隙間で形成された吐出口を有する第２気体吐出部に、保護板と気体案内板との間に形成された空間を通じて気体を供給することができる。   Thereby, gas is supplied to the second gas discharge portion having the discharge port formed by the gap between the vertically movable protection plate and the gas guide plate through the space formed between the protection plate and the gas guide plate. Can do.

また、上述の基板処理装置において、前記気体案内板は、前記保護板に対して独立して昇降可能であり、前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を個々に上昇させると共に、前記吐出口を形成する前記隙間の幅を調整することが好ましい。昇降機構は、吐出口を形成する隙間の幅を調整することで、例えば、第２気体吐出部により吐出される気体の流速を調整することができる。   Further, in the above-described substrate processing apparatus, the gas guide plate can be moved up and down independently with respect to the protection plate, and the lifting mechanism raises the protection plate and the gas guide plate individually when processing the substrate. It is preferable to adjust the width of the gap forming the discharge port. The elevating mechanism can adjust the flow rate of the gas discharged by the second gas discharge unit, for example, by adjusting the width of the gap forming the discharge port.

また、上述の基板処理装置において、前記第２気体吐出部は、前記スピンベースに設けられ、前記第２気体吐出部には、前記スピンベースの内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることが好ましい。これにより、スピンベースに設けられた第２気体吐出部に、スピンベースの内部に設けられた空間を通じて気体を供給することができる。   In the above-described substrate processing apparatus, the second gas discharge unit is provided in the spin base, and gas is supplied to the second gas discharge unit through a space provided in the spin base. Is preferred. Thereby, gas can be supplied to the 2nd gas discharge part provided in the spin base through the space provided in the inside of the spin base.

また、本発明に係る基板処理装置は、鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも１つのスリット状の吐出口を有する気体吐出部であって、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近を含む前記基板の端付近の全周に前記気体を吐出する前記気体吐出部と、を備えていることを特徴とするものである。   Further, the substrate processing apparatus according to the present invention is a substrate holding unit having a spin base rotatable around a vertical axis and a plurality of support members erected on the outer peripheral side of the spin base and around the axis. The substrate holding unit that holds the substrate in a state where the spin base and the substrate are separated by the plurality of support members, a rotation drive mechanism that rotates the substrate holding unit around the axis, and the substrate A processing unit for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate held and rotated by the holding unit and processing the substrate, and a ring shape around the axis, and at least one formed longitudinally along the outer periphery of the ring A gas discharge part having two slit-like discharge ports, when the substrate held by the substrate holding part is viewed in plan, on the axis side than the plurality of support members erected around the axis Or And the gas discharge section that is provided on the outer peripheral side of the substrate and discharges the gas to the entire periphery near the end of the substrate including the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate. It is characterized by that.

本発明に係る基板処理装置によれば、気体吐出部は、軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも１つのスリット状の吐出口を有する。また、気体吐出部は、基板保持部で保持された基板を平面視した際に、軸線周りに立設された複数の支持部材よりも軸線側でかつ、基板の外周側に設けられている。気体吐出部は、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近を含む基板の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。なお、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近は、基板の下面に処理液が回り込みやすいと考えられる部分である。すなわち、気体吐出部は、支持部材の近くから基板の端付近にピンポイントで気体を吐出する。そのため、基板下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, the gas discharge section has a ring shape around the axis, and has at least one slit-shaped discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring. In addition, the gas discharge unit is provided on the axis side of the plurality of support members standing around the axis line and on the outer peripheral side of the substrate when the substrate held by the substrate holding unit is viewed in plan. The gas discharge unit can discharge gas over a wide range near the end of the substrate including the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate. Note that the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate is a portion where the processing liquid is likely to flow around the lower surface of the substrate. In other words, the gas discharge unit discharges the gas pinpoint from the vicinity of the support member to the vicinity of the end of the substrate. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the treatment liquid from flowing around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate.

また、本発明に係る基板処理方法は、鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、を備えた基板処理装置による基板処理方法において、前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられた第１気体吐出部により、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第１気体吐出工程と、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられた第２気体吐出部により、前記第１気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に気体を吐出する第２気体吐出工程と、を備えていることを特徴とするものである。   Further, the substrate processing method according to the present invention is a substrate holding unit having a spin base rotatable around an axis in a vertical direction and a plurality of support members erected on the outer peripheral side of the spin base and around the axis. The substrate holding unit that holds the substrate in a state where the spin base and the substrate are separated by the plurality of support members, a rotation drive mechanism that rotates the substrate holding unit around the axis, and the substrate In a substrate processing method by a substrate processing apparatus, comprising: a processing unit that supplies a processing liquid to a top surface of a substrate that is held and rotated by a holding unit and processes the substrate; A first gas discharge step that discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate by the first gas discharge portion provided below, and held by the substrate holding portion When the obtained substrate is viewed in plan, the second gas discharge portion provided on the axis side of the plurality of support members and on the outer peripheral side of the substrate, in addition to the gas discharge by the first gas discharge portion. And a second gas discharge step of discharging gas in the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate.

本発明に係る基板処理方法によれば、第２気体吐出部は、基板保持部で保持された基板を平面視した際に、軸線周りに立設された複数の支持部材よりも軸線側でかつ、基板の外周側に設けられている。第２気体吐出部は、第１気体吐出部による気体の吐出に加えて、複数の支持部材の各々と基板の端との接触部分付近に気体を吐出する。すなわち、第２気体吐出部は、回り込み抑制効果が低下し、基板の下面に処理液が回り込むと考えられる支持部材と基板の端との接触部分付近に、支持部材の近くから気体を吐出する。そのため、第１気体吐出部による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   According to the substrate processing method of the present invention, the second gas ejection unit is closer to the axis side than the plurality of support members erected around the axis when the substrate held by the substrate holding unit is viewed in plan view. , Provided on the outer peripheral side of the substrate. The second gas discharge unit discharges gas in the vicinity of the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate, in addition to the gas discharge by the first gas discharge unit. That is, the second gas discharge unit discharges gas from the vicinity of the support member in the vicinity of the contact portion between the support member and the end of the substrate, where the effect of suppressing the wraparound decreases and the processing liquid flows around the lower surface of the substrate. Therefore, by strengthening the gas flow by the first gas discharge unit to a pinpoint, it is possible to improve the effect of suppressing the flow of the processing liquid to the lower surface of the substrate.

本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、第２気体吐出部は、回り込み抑制効果が低下し、基板の下面に処理液が回り込むと考えられる支持部材と基板の端との接触部分付近に、支持部材の近くから気体を吐出する。そのため、基板の下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention, the second gas discharge unit has a contact portion between the support member and the edge of the substrate, which is considered to have a reduced wraparound effect and the processing liquid wraps around the lower surface of the substrate. A gas is discharged near the support member in the vicinity. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the treatment liquid from flowing into the lower surface of the substrate.

実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1. FIG. スピンチャックの構成（第２吐出口を除く）を示す平面図である。It is a top view which shows the structure (except a 2nd discharge port) of a spin chuck. 実施例１に係る第２気体吐出部と気体流路を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the 2nd gas discharge part and gas flow path which concern on Example 1. FIG. スリット状の第２吐出口とその周辺の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of a slit-shaped 2nd discharge outlet and its periphery. スリット状の第２吐出口の一部を拡大した図である。It is the figure which expanded a part of slit-shaped 2nd discharge outlet. 実施例２に係る基板処理装置のスピンチャックとその周辺構成を概略構成図である。It is a schematic block diagram of the spin chuck of the substrate processing apparatus which concerns on Example 2, and its periphery structure. 実施例２に係る第２気体吐出部と気体流路を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the 2nd gas discharge part and gas flow path which concern on Example 2. FIG. 実施例３に係る第２気体吐出部と気体流路を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the 2nd gas discharge part and gas flow path which concern on Example 3. FIG. スリット状の第２吐出口の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of a slit-shaped 2nd discharge outlet. スリット状の第２吐出口の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of a slit-shaped 2nd discharge outlet. 第２吐出口の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification of a 2nd discharge outlet. 第２気体吐出部の変形例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the modification of a 2nd gas discharge part. 基板の下面に発生したパーティクルの様子を示す、基板の上面から見た平面図である。It is the top view seen from the upper surface of the board | substrate which shows the mode of the particle | grains which generate | occur | produced on the lower surface of the board | substrate.

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、基板処理装置１の概略構成図である。図２は、スピンチャック２の構成（第２吐出口８３を除く）を示す平面図である。図３は、第２気体吐出部８１と気体流路を示す縦断面図である。   Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the substrate processing apparatus 1. FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the spin chuck 2 (excluding the second discharge port 83). FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing the second gas discharge part 81 and the gas flow path.

＜基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１は、１枚の基板Ｗを順次処理する枚葉式の装置である。基板Ｗは、例えば直径３００ｍｍである円形基板が用いられる。基板処理装置１は、スピンチャック２、回転駆動機構３、飛散防止カップ５、処理機構７、および処理液供給機構９を備えている。 <Configuration of Substrate Processing Apparatus 1>
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that sequentially processes a single substrate W. As the substrate W, for example, a circular substrate having a diameter of 300 mm is used. The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 2, a rotation drive mechanism 3, a splash prevention cup 5, a processing mechanism 7, and a processing liquid supply mechanism 9.

スピンチャック２は、後述する６本の支持ピン１３によって、スピンベース１１と基板Ｗとを離した状態で、基板Ｗを水平姿勢で保持するものである。また、スピンチャック２は、基板Ｗを鉛直方向の軸線Ｐ１周りに回転可能に構成されている。スピンチャック２は、基板Ｗよりも大径のスピンベース１１と、支持ピン１３とを備えている。   The spin chuck 2 holds the substrate W in a horizontal posture in a state where the spin base 11 and the substrate W are separated by six support pins 13 described later. The spin chuck 2 is configured to be able to rotate the substrate W around the vertical axis P1. The spin chuck 2 includes a spin base 11 having a diameter larger than that of the substrate W and support pins 13.

なお、スピンチャック２は、本発明の基板保持部に相当する。処理機構７および処理液供給機構９は、本発明の処理部に相当する。支持ピン１３は、本発明の支持部材に相当する。   The spin chuck 2 corresponds to the substrate holder of the present invention. The processing mechanism 7 and the processing liquid supply mechanism 9 correspond to a processing unit of the present invention. The support pin 13 corresponds to the support member of the present invention.

スピンベース１１は、鉛直方向の軸線Ｐ１周りに回転可能に構成されている。スピンベース１１の下方には、ボス１５を介して回転軸１７が連結されている。回転軸１７は、回転駆動機構３からの駆動力を受けて軸線Ｐ１周りに回転する。すなわち、回転駆動機構３は、基板Ｗを保持するスピンチャック２を回転させるものである。回転駆動機構３は、電動モータ等を備えている。   The spin base 11 is configured to be rotatable around a vertical axis P1. Below the spin base 11, a rotating shaft 17 is connected via a boss 15. The rotating shaft 17 receives the driving force from the rotation driving mechanism 3 and rotates around the axis P1. That is, the rotation drive mechanism 3 rotates the spin chuck 2 that holds the substrate W. The rotation drive mechanism 3 includes an electric motor or the like.

６本の支持ピン１３は、図２のように、スピンベース１１の外周側でかつ、軸線Ｐ１周りにリング状に立設されている。すなわち、平面視で、６本の支持ピン１３は、周方向に等間隔に配置されている。なお、支持ピン１３は、６本で構成されているが、少なくとも３本以上で構成されていればよい。   As shown in FIG. 2, the six support pins 13 are erected in a ring shape on the outer peripheral side of the spin base 11 and around the axis P1. That is, the six support pins 13 are arranged at equal intervals in the circumferential direction in plan view. In addition, although the support pin 13 is comprised with six, it should just be comprised with at least 3 or more.

支持ピン１３は、胴部１９、傾斜部２１および当接部２３を備えている。胴部１９は、円柱状に形成されている。傾斜部２１は、胴部１９の上端に設けられ、略円錐状に形成されている。傾斜部２１は、スピンベース１１の回転中心（軸線Ｐ１）側の傾斜が緩やかになるように形成されている。６本の支持ピン１３の傾斜部２１には、橋を掛けるように、基板Ｗが載置される。当接部２３は、傾斜部２１の上端に設けられ、平面視で支持ピン１３の中心から外方に偏心した位置に設けられている。また、当接部２３は、基板Ｗを保持するときに、基板Ｗの端と当接する。   The support pin 13 includes a body portion 19, an inclined portion 21, and a contact portion 23. The trunk | drum 19 is formed in the column shape. The inclined portion 21 is provided at the upper end of the body portion 19 and is formed in a substantially conical shape. The inclined portion 21 is formed so that the inclination on the rotation center (axis line P1) side of the spin base 11 is gentle. The board | substrate W is mounted in the inclination part 21 of the six support pins 13 so that a bridge may be hung. The abutting portion 23 is provided at the upper end of the inclined portion 21 and is provided at a position eccentric to the outside from the center of the support pin 13 in plan view. Further, the abutting portion 23 abuts the end of the substrate W when holding the substrate W.

図１、図２において、６本の支持ピン１３のうち隣接する２つの支持ピン１３は、鉛直軸Ｐ２周りに回転可能に構成された可動支持ピン２５である。その他の支持ピン１３は固定支持ピン２６Ａ，２６Ｂである。なお、固定支持ピン２６Ａ，２６Ｂを区別しない場合は、固定支持ピン２６として説明する。可動支持ピン２５は、スピンベース１１を貫通する回転軸２７と連結する。また、回転軸２７の下端には、磁石保持部２９が形成されている。磁石保持部２９は、ピン駆動用永久磁石３１が埋設されている。   In FIG. 1 and FIG. 2, two adjacent support pins 13 among the six support pins 13 are movable support pins 25 configured to be rotatable around the vertical axis P2. The other support pins 13 are fixed support pins 26A and 26B. The fixed support pins 26 </ b> A and 26 </ b> B will be described as the fixed support pins 26 when not distinguished from each other. The movable support pin 25 is connected to a rotating shaft 27 that penetrates the spin base 11. A magnet holding portion 29 is formed at the lower end of the rotating shaft 27. The magnet holding portion 29 has a pin driving permanent magnet 31 embedded therein.

ピン駆動用永久磁石３１は、後述するカップ側永久磁石１０３または解除用永久磁石１０５の磁力により鉛直軸Ｐ２周りに回転される。ピン駆動用永久磁石３１等により可動支持ピン２５が回転されると、可動支持ピン２５と固定支持ピン２６とで挟み込んで保持したり、この保持を解除したりする。   The pin driving permanent magnet 31 is rotated around the vertical axis P <b> 2 by the magnetic force of a cup side permanent magnet 103 or a releasing permanent magnet 105 described later. When the movable support pin 25 is rotated by the pin driving permanent magnet 31 or the like, the movable support pin 25 is sandwiched and held between the movable support pin 25 and the fixed support pin 26, or this holding is released.

なお、図２において、実際、６本の支持ピン１３のうち、２つの可動支持ピン２５と２つの固定支持ピン２６Ａとによって、基板Ｗを保持する。すなわち、残りの２つの固定支持ピン２６Ｂは、基板Ｗが載置されるだけで、基板Ｗの挟み込みに参加していない。しかしながら、可動支持ピン２５の本数は、任意である。例えば、可動支持ピン２５が３本であれば、３本の可動支持ピン２５は、他の３本の固定支持ピン２６と共に基板Ｗを挟み込んでもよい。そのため、実際は４本の支持ピン１３によって基板Ｗを保持しているが、６本の支持ピン１３によって基板Ｗを保持すると説明する。   In FIG. 2, the substrate W is actually held by the two movable support pins 25 and the two fixed support pins 26A among the six support pins 13. That is, the remaining two fixed support pins 26 </ b> B are merely placed on the substrate W and do not participate in the sandwiching of the substrate W. However, the number of movable support pins 25 is arbitrary. For example, if there are three movable support pins 25, the three movable support pins 25 may sandwich the substrate W together with the other three fixed support pins 26. Therefore, although the substrate W is actually held by the four support pins 13, it will be described that the substrate W is held by the six support pins 13.

図１において、スピンベース１１の上面には、基板Ｗと略同径の保護ディスク３３が載置されている。なお、保護ディスク３３は、基板Ｗよりも大径で構成されてもよい。保護ディスク３３は、円板状の部材である。保護ディスク３３は、スピンベース１１の上面と、スピンチャック２で保持された基板Ｗとの間に、支持ピン１３に沿って昇降可能に設けられている。保護ディスク３３は、図２のように、１つの中央開口部３５と、６つの周辺切り欠き部３７とが形成されている。中央開口部３５には、後述する第１気体吐出部６５が配置されている。各周辺切り欠き部３７には、支持ピン１３が配置されている。保護ディスク３３については、後で説明する。保護ディスク３３は、本発明の板状保護部材に相当する。   In FIG. 1, a protection disk 33 having the same diameter as the substrate W is placed on the upper surface of the spin base 11. The protective disk 33 may be configured with a larger diameter than the substrate W. The protection disk 33 is a disk-shaped member. The protective disk 33 is provided between the upper surface of the spin base 11 and the substrate W held by the spin chuck 2 so as to be movable up and down along the support pins 13. As shown in FIG. 2, the protective disk 33 is formed with one central opening 35 and six peripheral notches 37. A first gas discharge portion 65 to be described later is disposed in the central opening portion 35. A support pin 13 is disposed in each peripheral notch 37. The protection disk 33 will be described later. The protection disk 33 corresponds to the plate-like protection member of the present invention.

図１に示すスピンベース１１には、支持ピン１３と後述する第１気体吐出部６５との間でかつ支持ピン１３側に、６つの開口部３９が形成されている。各開口部３９には、保護ディスク３３の下面に設けられた磁石保持下垂片４１が通されている。磁石保持下垂片４１には、磁極方向を上下方向に向けたディスク用永久磁石４３が埋設されている。図２の平面視において、６つのディスク用永久磁石４３は、軸線Ｐ１周りにリング状に配置されている。   In the spin base 11 shown in FIG. 1, six openings 39 are formed between the support pin 13 and a first gas discharge unit 65 described later and on the support pin 13 side. A magnet holding drooping piece 41 provided on the lower surface of the protective disk 33 is passed through each opening 39. A permanent magnet for disk 43 is embedded in the magnet holding drooping piece 41 with the magnetic pole direction in the vertical direction. In the plan view of FIG. 2, the six disk permanent magnets 43 are arranged in a ring shape around the axis P <b> 1.

スピンベース１１の下面には、移動ガイド部４５が設けられている。移動ガイド部４５は、リニア軸受け４７と規制ピン４９とを備えている。リニア軸受け４７は、規制ピン４９の軸部を鉛直方向に昇降自在に案内する。規制ピン４９は、その軸部の上端部がスピンベース１１を貫通して保護ディスク３３の下面に連結されている。規制ピン４９の軸部の下端には、フランジが形成されている。図２に示す平面視において、移動ガイド部４５は、３つ設けられている。３つの移動ガイド部４５は、軸線Ｐ１周りにリング状に等間隔に配置されている。   A movement guide unit 45 is provided on the lower surface of the spin base 11. The movement guide unit 45 includes a linear bearing 47 and a regulation pin 49. The linear bearing 47 guides the shaft portion of the regulation pin 49 so as to be movable up and down in the vertical direction. The upper end portion of the shaft portion of the restriction pin 49 passes through the spin base 11 and is connected to the lower surface of the protective disk 33. A flange is formed at the lower end of the shaft portion of the restriction pin 49. In the plan view shown in FIG. 2, three movement guide portions 45 are provided. The three movement guide portions 45 are arranged at regular intervals in a ring shape around the axis P1.

図１、図３において、回転軸１７には、ボス１５が連結されている。回転軸１７は中空に形成されている。その中空の回転軸１７の内部には、気体供給内側管５１と気体供給外側管５３が通されている。気体供給外側管５３は、気体供給内側管５１の外周で気体を通すように構成されている。気体供給内側管５１および気体供給外側管５３は、回転軸１７の内周面に当接しておらず、静止した状態を維持する。ボス１５の上面には、先端保持部５５が取り付けられている。先端保持部５５は、その中央に開口部５７を備えている。開口部５７には、軸受け部５９およびシール６１を介して保持筒６３が取り付けられている。保持筒６３は、気体供給内側管５１の先端側に取り付けられている。保持筒６４は、同様に、気体供給外側管５３の先端側に取り付けられている。   1 and 3, a boss 15 is connected to the rotating shaft 17. The rotating shaft 17 is formed hollow. A gas supply inner tube 51 and a gas supply outer tube 53 are passed through the hollow rotary shaft 17. The gas supply outer tube 53 is configured to allow gas to pass through the outer periphery of the gas supply inner tube 51. The gas supply inner tube 51 and the gas supply outer tube 53 are not in contact with the inner peripheral surface of the rotating shaft 17 and are kept stationary. A tip holding portion 55 is attached to the upper surface of the boss 15. The tip holding portion 55 has an opening 57 at the center thereof. A holding cylinder 63 is attached to the opening 57 via a bearing portion 59 and a seal 61. The holding cylinder 63 is attached to the distal end side of the gas supply inner pipe 51. Similarly, the holding cylinder 64 is attached to the distal end side of the gas supply outer pipe 53.

第１気体吐出部６５は、スピンチャック２で保持された基板Ｗの中心（軸線Ｐ１）の下方に設けられている。第１気体吐出部６５は、基板Ｗと保護ディスク３３との間を基板Ｗの中心側から基板Ｗの外周側に向けて気体が流れるように、基板Ｗの下面に気体を吐出する（噴き出す）。これにより、後述するように基板Ｗの上面に供給される処理液が基板Ｗの下面に回り込むことを抑制している。   The first gas discharge unit 65 is provided below the center (axis line P1) of the substrate W held by the spin chuck 2. The first gas discharge unit 65 discharges (spouts) the gas to the lower surface of the substrate W so that the gas flows between the substrate W and the protective disk 33 from the center side of the substrate W toward the outer peripheral side of the substrate W. . As a result, the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W is prevented from entering the lower surface of the substrate W as will be described later.

第１気体吐出部６５は、上部吐出部材６６と下部吐出部材６７とを備えている。先端保持部５５の上面には、下部吐出部材６７が取り付けられている。また、下部吐出部材６７の上面には、複数の脚部６８を介して、上部吐出部材６６が取り付けられている。下部吐出部材６７は、軸線Ｐ１が交わる部分に凹部６９および孔部７１が形成されている。上部吐出部材６６と下部吐出部材６７は、軸線Ｐ１周りのリングの全周を囲うようなスリット状の第１吐出口７３と、第１吐出口７３に気体を供給するための第１気体流路７５を形成する。気体供給内側管５１で送られた気体は、第１気体流路７５を通って、第１吐出口７３から、平面視で全方向に噴き出される。   The first gas discharge unit 65 includes an upper discharge member 66 and a lower discharge member 67. A lower discharge member 67 is attached to the upper surface of the tip holding portion 55. An upper discharge member 66 is attached to the upper surface of the lower discharge member 67 via a plurality of legs 68. The lower discharge member 67 has a recess 69 and a hole 71 at a portion where the axis P1 intersects. The upper discharge member 66 and the lower discharge member 67 include a slit-like first discharge port 73 that surrounds the entire circumference of the ring around the axis P <b> 1, and a first gas flow path for supplying gas to the first discharge port 73. 75 is formed. The gas sent by the gas supply inner pipe 51 passes through the first gas flow path 75 and is ejected from the first discharge port 73 in all directions in a plan view.

なお、図３に示す第１気体流路７５において、脚部６８が気体を通さないように見える。しかしながら、複数の脚部６８は、軸線Ｐ１周りに配置されており、隣接する２つの脚部６８の間を通過して気体供給内側管５１から第１吐出口７３に送られる。   In addition, in the 1st gas flow path 75 shown in FIG. 3, it seems that the leg part 68 does not let gas pass. However, the plurality of leg portions 68 are disposed around the axis P <b> 1, pass between the two adjacent leg portions 68, and are sent from the gas supply inner pipe 51 to the first discharge port 73.

図１において、基板処理装置１は、第１気体供給源７７Ａ、第１気体供給配管７７Ｂ、および開閉弁７７Ｃを備えている。第１気体供給配管７７Ｂの一端は、第１気体供給源７７Ａに接続され、第１気体供給配管７７Ｂの他端は、気体供給内側管５１に接続されている。第１気体供給配管７７Ｂには、気体の供給およびその供給停止を行う開閉弁７７Ｃが設けられている。供給する気体は、例えば窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ホーミングガス（Ｎ２＋Ｈ２）等の不活性ガス、あるいは空気が用いられる。なお、供給する気体は、後述する第２気体供給源９２Ａの場合も同じである。 In FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a first gas supply source 77A, a first gas supply pipe 77B, and an on-off valve 77C. One end of the first gas supply pipe 77B is connected to the first gas supply source 77A, and the other end of the first gas supply pipe 77B is connected to the gas supply inner pipe 51. The first gas supply pipe 77B is provided with an on-off valve 77C for supplying and stopping the supply of gas. As the gas to be supplied, for example, an inert gas such as nitrogen (N 2 ), argon (Ar), homing gas (N 2 + H 2 ), or air is used. The gas to be supplied is the same in the case of a second gas supply source 92A described later.

上述の第１気体吐出部６５による気体の吐出では、処理液の回り込み抑制効果が不十分な場合がある。そこで、基板処理装置１は、第１気体吐出部６５に加えて、第２気体吐出部８１とその供給系を備えている。   In the gas discharge by the first gas discharge unit 65 described above, the effect of suppressing the wraparound of the processing liquid may be insufficient. Therefore, the substrate processing apparatus 1 includes a second gas discharge unit 81 and its supply system in addition to the first gas discharge unit 65.

図４は、第２気体吐出部８１のスリット状の第２吐出口８３とその周辺の構成を示す平面図である。第２気体吐出部８１は、スリット状の第２吐出口８３を備えている。スリット状の第２吐出口８３は、図４のように、スピンチャック２で保持された基板Ｗを平面視した際に、６本の支持ピン１３よりも軸線Ｐ１側でかつ、基板Ｗまたはスピンベース１１の外周側に設けられている。すなわち、第２吐出口８３は、６本の支持ピン１３の内側でかつ６本の支持ピン１３の近くに設けられている。第２吐出口８３は、第１吐出口７３よりも外周に設けられている。第２気体吐出部８１は、図３のように、第１気体吐出部６５による気体の吐出に加えて、６本の支持ピン１３の各々と基板Ｗの端との接触部分付近に気体を吐出する。なお、第２吐出口８３は、本発明の吐出口に相当する。   FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the slit-like second discharge port 83 of the second gas discharge unit 81 and its periphery. The second gas discharge unit 81 includes a slit-like second discharge port 83. As shown in FIG. 4, the slit-like second discharge port 83 is located on the axis P <b> 1 side of the six support pins 13 and the substrate W or spin when the substrate W held by the spin chuck 2 is viewed in plan view. It is provided on the outer peripheral side of the base 11. That is, the second discharge port 83 is provided inside the six support pins 13 and close to the six support pins 13. The second discharge port 83 is provided on the outer periphery than the first discharge port 73. As shown in FIG. 3, the second gas discharge unit 81 discharges gas in the vicinity of the contact portion between each of the six support pins 13 and the end of the substrate W in addition to the gas discharge by the first gas discharge unit 65. To do. The second discharge port 83 corresponds to the discharge port of the present invention.

スリット状の第２吐出口８３は、単一で構成され、リング状に形成されている。すなわち、１つのスリット状の第２吐出口８３は、軸線Ｐ１周りにリング状であって、このリングＣＲの外周に沿って長手でかつリングＣＲの略全周にかけて形成されている。これにより、スリット状の第２吐出口８３は、支持ピン１３と基板Ｗの端との接触部分を含む基板Ｗの下面の端付近の略全周に気体を吐出することができる。そのため、基板Ｗの下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。なお、リングＣＲは、真円であることが好ましい。   The slit-like second discharge port 83 is configured as a single piece and is formed in a ring shape. That is, one slit-like second discharge port 83 is formed in a ring shape around the axis P1, and is formed along the outer periphery of the ring CR and substantially along the entire periphery of the ring CR. Thereby, the slit-like second discharge port 83 can discharge gas to substantially the entire periphery near the end of the lower surface of the substrate W including the contact portion between the support pin 13 and the end of the substrate W. Therefore, it is possible to improve the effect of preventing the processing liquid from flowing around the entire circumference on the outer peripheral side of the lower surface of the substrate W. The ring CR is preferably a perfect circle.

また、図５は、スリット状の第２吐出口８３の一部を拡大した図である。スリット状の第２吐出口８３は、図４、図５のように、６本の支持ピン１３の各々に対向する部分８３Ａのスリット幅ＨＢ１が、対向する部分８３Ａ以外の部分８３Ｂのスリット幅ＨＢ２よりも広くなるように構成されている（スリット幅ＨＢ１＞スリット幅ＨＢ２）。これにより、スリット状の第２吐出口８３は、６本の支持ピン１３の各々に対向する部分８３Ａで、対向する部分８３Ａ以外の部分８３Ｂよりも多くの気体を吐出することができる。   FIG. 5 is an enlarged view of a part of the slit-like second discharge port 83. As shown in FIGS. 4 and 5, the slit-like second discharge port 83 has a slit width HB1 of a portion 83A facing each of the six support pins 13, and a slit width HB2 of a portion 83B other than the facing portion 83A. (Slit width HB1> slit width HB2). Thereby, the slit-like second discharge port 83 can discharge more gas at the portion 83A facing each of the six support pins 13 than at the portion 83B other than the facing portion 83A.

第２気体吐出部８１の第２吐出口８３は、６本の支持ピン１３の各々と基板Ｗの端との接触部分付近（例えば基板Ｗの下面の端ＥＧ）を個々に通過するように平面視で放射状に気体を吐出する。部分８３Ａは、支持ピン１３と対向するが、部分８３Ａ以外の部分８３Ｂは、支持ピン１３と対向しない。そのため、部分８３Ｂから吐出された気体が基板の下面の端ＥＧ付近（図３参照）を通過するように、部分８３Ｂは形成されている。すなわち、支持ピン１３が存在すれば、部分８３Ｂから吐出される気体が支持ピン１３と接触する基板Ｗの端ＥＧ付近を通過するように、部分８３Ｂは形成されている。スリット状の第２吐出口８３は、基板Ｗの外周側でかつ斜め上を向くように形成されている。第２吐出口８３は、例えば、接触部分（または、基板Ｗの下面の端ＥＧ）付近を向くように形成されている。また、第１気体吐出部６５による気体の流れの影響があるので、第２吐出口８３は、接触部分（または、基板Ｗの下面の端ＥＧ）よりも基板Ｗの中心側の位置を向くように形成してもよい。すなわち、第２吐出口８３は、基板Ｗの端ＥＧより内側の基板Ｗの下面に吐出してもよい。   The second discharge port 83 of the second gas discharge unit 81 is flat so as to individually pass near the contact portion between each of the six support pins 13 and the end of the substrate W (for example, the end EG on the lower surface of the substrate W). The gas is ejected radially. The portion 83A faces the support pin 13, but the portion 83B other than the portion 83A does not face the support pin 13. Therefore, the portion 83B is formed so that the gas discharged from the portion 83B passes near the end EG (see FIG. 3) on the lower surface of the substrate. That is, the portion 83B is formed so that the gas discharged from the portion 83B passes near the end EG of the substrate W in contact with the support pin 13 if the support pin 13 is present. The slit-like second discharge port 83 is formed on the outer peripheral side of the substrate W and facing obliquely upward. For example, the second discharge port 83 is formed so as to face the vicinity of the contact portion (or the end EG on the lower surface of the substrate W). Further, since there is an influence of the gas flow by the first gas discharge unit 65, the second discharge port 83 is directed to the position on the center side of the substrate W with respect to the contact portion (or the end EG on the lower surface of the substrate W). You may form in. That is, the second discharge port 83 may discharge to the lower surface of the substrate W inside the end EG of the substrate W.

図３のように、保護ディスク３３の内部には、空間ＳＰ１が設けられている。空間ＳＰ１は、略円板状の空間である。保護ディスク３３の軸線Ｐ１側の端部は、下方に延びたガイド部８５が設けられている。空間ＳＰ１は、ガイド部８５の内部にまで延びている。ガイド部８５には、空間ＳＰ１と第２気体流路７９とを連通させるための連通口８７が設けられている。ボス１５には、ガイド部８５が収まるガイド溝８９が形成されている。下部吐出部材６７には、上規制部６７Ａが設けられている。ガイド部８５を除く保護ディスク３３は、スピンベース１１の上面と上規制部６７Ａとの間で昇降可能である。   As shown in FIG. 3, a space SP1 is provided inside the protective disk 33. The space SP1 is a substantially disk-shaped space. A guide portion 85 extending downward is provided at the end of the protective disk 33 on the axis P1 side. The space SP1 extends to the inside of the guide portion 85. The guide portion 85 is provided with a communication port 87 for allowing the space SP1 and the second gas flow path 79 to communicate with each other. The boss 15 is formed with a guide groove 89 in which the guide portion 85 is accommodated. The lower discharge member 67 is provided with an upper restricting portion 67A. The protective disk 33 excluding the guide portion 85 can be moved up and down between the upper surface of the spin base 11 and the upper restricting portion 67A.

また、ボス１５と先端保持部５５は、第２気体流路７９を形成する。第２気体流路７９は、気体供給外側管５３で送られた気体を空間ＳＰ２に送るものである。なお、図３において、ボス１５と先端保持部５５は、分離しているように見える。しかしながら、例えば、第２気体流路７９は、気体供給内側管５１周りに等間隔に８方向に分岐して形成されており、第２気体流路７９が形成されていない部分で、ボス１５と先端保持部５５は連結されている。   Further, the boss 15 and the tip holding portion 55 form a second gas flow path 79. The second gas flow path 79 is for sending the gas sent by the gas supply outer pipe 53 to the space SP2. In FIG. 3, the boss 15 and the tip holding portion 55 appear to be separated. However, for example, the second gas flow path 79 is formed by branching in eight directions around the gas supply inner pipe 51 at equal intervals, and the portion where the second gas flow path 79 is not formed, The tip holding part 55 is connected.

また、基板処理装置１は、図１のように、第２気体供給源９２Ａ、第２気体供給配管９２Ｂ、および開閉弁９２Ｃを備えている。第２気体供給配管９２Ｂの一端は、第２気体供給源９２Ａに接続され、第２気体供給配管９２Ｂの他端は気体供給外側管５３に接続されている。第２気体供給配管９２Ｂには、気体の供給およびその供給停止を行う開閉弁９２Ｃが設けられている。なお、第２気体供給配管９２Ｂには、流量調整弁が設けられていてもよい。   Further, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a second gas supply source 92A, a second gas supply pipe 92B, and an on-off valve 92C. One end of the second gas supply pipe 92B is connected to the second gas supply source 92A, and the other end of the second gas supply pipe 92B is connected to the gas supply outer pipe 53. The second gas supply pipe 92B is provided with an open / close valve 92C for supplying and stopping the supply of gas. The second gas supply pipe 92B may be provided with a flow rate adjustment valve.

飛散防止カップ５は、スピンチャック２の周囲に設けられており、スピンチャック２に支持された基板Ｗから周囲に処理液が飛散することを防止する。飛散防止カップ５は、カップ昇降機構ＣＭにより鉛直方向に昇降可能に構成されている。カップ昇降機構ＣＭは、基板Ｗを受け渡す際の下位置と、基板Ｗを処理する際の上位置とにわたって飛散防止カップ５を昇降させる。カップ昇降機構ＣＭは、エアシリンダまたは電動モータ等を備えている。カップ昇降機構ＣＭは、本発明の昇降機構に相当する。   The splash prevention cup 5 is provided around the spin chuck 2 and prevents the processing liquid from splashing around the substrate W supported by the spin chuck 2. The anti-scattering cup 5 is configured to be vertically movable by a cup lifting mechanism CM. The cup raising / lowering mechanism CM raises / lowers the anti-scattering cup 5 over a lower position when the substrate W is delivered and an upper position when the substrate W is processed. The cup lifting mechanism CM includes an air cylinder or an electric motor. The cup lifting mechanism CM corresponds to the lifting mechanism of the present invention.

具体的には、飛散防止カップ５は、円筒部９３、下案内部９５、上案内部９７、および上縁部９８を備えている。上案内部９７と下案内部９５とで区切られた空間は、基板Ｗの処理時に周囲に飛散した処理液を回収する排液部１０１を形成する。下案内部９５は、内周側の先端部にカップ側永久磁石１０３が埋設されている。   Specifically, the anti-scattering cup 5 includes a cylindrical portion 93, a lower guide portion 95, an upper guide portion 97, and an upper edge portion 98. The space partitioned by the upper guide portion 97 and the lower guide portion 95 forms a drainage portion 101 that collects the processing liquid scattered around when the substrate W is processed. In the lower guide portion 95, a cup-side permanent magnet 103 is embedded in a tip portion on the inner peripheral side.

図２のように、カップ側永久磁石１０３は、平面視で軸線Ｐ１周りにリング状に形成されている。カップ側永久磁石１０３の半径方向の位置は、ディスク用永久磁石４３よりも外側であって、ピン駆動用永久磁石３１よりも内側（軸線Ｐ１側）である。カップ側永久磁石１０３は、その磁極方向が半径方向を向くように埋設されている。   As shown in FIG. 2, the cup-side permanent magnet 103 is formed in a ring shape around the axis P1 in a plan view. The radial position of the cup side permanent magnet 103 is outside the disk permanent magnet 43 and inside the pin driving permanent magnet 31 (on the axis P1 side). The cup side permanent magnet 103 is embedded so that the magnetic pole direction thereof faces the radial direction.

上縁部９８には、解除用永久磁石１０５が埋設されている。解除用永久磁石１０５は、平面視で軸線Ｐ１周りにリング状に形成されている。解除用永久磁石１０５の半径方向の位置は、ピン駆動用永久磁石３１よりも外側である。解除用永久磁石１０５は、その磁極方向が半径方向に向くように埋設されている。また、解除用永久磁石１０５の半径方向内側の磁極は、カップ側永久磁石１０３の半径方向外側の磁極と同じ磁極（例えばＮ極）となるように構成されている。   A release permanent magnet 105 is embedded in the upper edge portion 98. The release permanent magnet 105 is formed in a ring shape around the axis P1 in plan view. The radial position of the releasing permanent magnet 105 is outside the pin driving permanent magnet 31. The release permanent magnet 105 is embedded so that the magnetic pole direction thereof faces the radial direction. The magnetic pole on the radially inner side of the release permanent magnet 105 is configured to be the same magnetic pole (for example, N pole) as the magnetic pole on the radially outer side of the cup-side permanent magnet 103.

カップ側永久磁石１０３は、可動支持ピン２５のピン駆動用永久磁石３１に近づいた際に、磁力によって可動支持ピン２５を平面視で回転させて保持位置へ駆動し、その状態を維持させる。一方、解除用永久磁石１０５は、ピン駆動用永久磁石３１に近づいた際に、磁力によって可動支持ピン２５を平面視で回転させて開放位置に駆動し、その状態を維持させる。   When the cup-side permanent magnet 103 approaches the pin driving permanent magnet 31 of the movable support pin 25, the movable support pin 25 is rotated in a plan view by a magnetic force and is driven to the holding position, and the state is maintained. On the other hand, when the release permanent magnet 105 approaches the pin driving permanent magnet 31, the release permanent magnet 105 rotates the movable support pin 25 in a plan view by a magnetic force to drive to the open position, and maintains the state.

図１に示す処理機構７および処理液供給機構９は、スピンチャック２で保持されて回転駆動機構３で回転される基板Ｗの上面に、処理液を供給してブラシ１０７によるスクラブ処理するように構成されている。   The processing mechanism 7 and the processing liquid supply mechanism 9 shown in FIG. 1 supply a processing liquid to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 2 and rotated by the rotation driving mechanism 3 so as to be scrubbed by the brush 107. It is configured.

処理機構７は、本実施例において、ブラシ１０７、揺動アーム１０９、およびアーム駆動機構ＡＭを備えている。ブラシ１０７は、処理液を介して、基板Ｗの上面をスクラブ洗浄する。揺動アーム１０９の一端には、ブラシ１０７が取り付けられ、揺動アーム１０９は、その他端の軸線Ｐ３周りに揺動（旋回）可能に構成されている。アーム駆動機構ＡＭは、ブラシ１０７および揺動アーム１０９を軸線Ｐ３周りに回転させる。アーム駆動機構ＡＭは、電動モータ等を備えている。なお、ブラシ１０７は、電動モータ等を有する駆動機構（図示しない）により、鉛直方向の軸線Ｐ４周りに回転駆動される。また、ブラシ１０７から処理液を供給できるように構成されていてもよい。   In this embodiment, the processing mechanism 7 includes a brush 107, a swing arm 109, and an arm driving mechanism AM. The brush 107 scrubs the upper surface of the substrate W through the processing liquid. A brush 107 is attached to one end of the swing arm 109, and the swing arm 109 is configured to be swingable (turnable) around the axis P3 at the other end. The arm drive mechanism AM rotates the brush 107 and the swing arm 109 around the axis P3. The arm drive mechanism AM includes an electric motor or the like. The brush 107 is rotationally driven around the vertical axis P4 by a drive mechanism (not shown) having an electric motor or the like. Further, the processing liquid may be supplied from the brush 107.

処理液供給機構９は、処理液供給源１１１Ａ、処理液配管１１１Ｂ、開閉弁１１１Ｃ、および処理液ノズル１１１Ｄを備えている。処理液供給源１１１Ａは、処理液を供給する。処理液は、例えば、ＡＰＭ（アンモニア過酸化水素水混合溶液）、純水（ＤＩＷ）、炭酸水、水素水、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）、ＳＣ１、ＳＣ２、クエン酸水溶液、ＦＯＭ（フッ化水素酸／オゾンの混合薬液）、ＦＰＭ（フッ化水素酸／過酸化水素水／純水の混合薬液）、フッ化水素酸（ＨＦ）、ＨＣｌ、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（ＣＨＯＬＩＮＥ）が用いられる。 The processing liquid supply mechanism 9 includes a processing liquid supply source 111A, a processing liquid piping 111B, an on-off valve 111C, and a processing liquid nozzle 111D. The processing liquid supply source 111A supplies a processing liquid. The treatment liquid is, for example, APM (ammonia hydrogen peroxide solution mixed solution), pure water (DIW), carbonated water, hydrogen water, ammonia water (NH 4 OH), SC1, SC2, citric acid aqueous solution, FOM (hydrogen fluoride). Acid / ozone mixed chemical), FPM (hydrofluoric acid / hydrogen peroxide / pure water mixed chemical), hydrofluoric acid (HF), HCl, IPA (isopropyl alcohol), TMAH (tetramethylammonium hydroxide) ), Trimethyl-2-hydroxyethylammonium hydroxide aqueous solution (CHOLINE) is used.

処理液配管１１１Ｂの一端には、処理液供給源１１１Ａが接続され、処理液配管１１１Ｂの他端には、処理液ノズル１１１Ｄが接続されている。処理液配管１１１Ｂには、処理液の供給およびその供給停止を行う開閉弁１１１Ｃが設けられている。処理液ノズル１１１Ｄの先端は、基板Ｗの上面の回転中心（軸線Ｐ１）に向けられ、開閉弁１１１Ｃが開かれると、処理液ノズル１１１Ｄから吐出された処理液は、基板Ｗの上面の回転中心付近に着液する。   A processing liquid supply source 111A is connected to one end of the processing liquid pipe 111B, and a processing liquid nozzle 111D is connected to the other end of the processing liquid pipe 111B. The processing liquid piping 111B is provided with an on-off valve 111C for supplying and stopping the processing liquid. The tip of the processing liquid nozzle 111D is directed to the rotation center (axis line P1) of the upper surface of the substrate W, and when the on-off valve 111C is opened, the processing liquid discharged from the processing liquid nozzle 111D is rotated to the rotation center of the upper surface of the substrate W. Landing near.

上述した基板処理装置１の各構成は、制御部１１３によって統括的に制御される。制御部１１３は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）やメモリなどを備えている。制御部１１３は、例えば、カップ昇降機構ＣＭを操作して、飛散防止カップ５を昇降させる。また、制御部１１３は、アーム駆動機構ＡＭを操作してブラシ１０７を揺動させる。また、制御部１１３は、開閉弁７７Ｃ，９２Ｃ，１１１Ｃを操作して、各配管を開閉する。また、制御部１１３は、回転駆動機構３を操作して、スピンチャック２に保持された基板Ｗを回転する。   Each configuration of the above-described substrate processing apparatus 1 is comprehensively controlled by the control unit 113. The control unit 113 includes a CPU (Central Processing Unit), a memory, and the like. For example, the control unit 113 operates the cup lifting mechanism CM to raise and lower the scattering prevention cup 5. In addition, the control unit 113 operates the arm driving mechanism AM to swing the brush 107. Further, the control unit 113 operates the on-off valves 77C, 92C, and 111C to open and close each pipe. Further, the control unit 113 operates the rotation driving mechanism 3 to rotate the substrate W held on the spin chuck 2.

＜基板処理装置１の動作＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図１において、保護ディスク３３は、スピンベース１１側に位置する。また、飛散防止カップ５は、下位置に位置する。ブラシ１０７は、平面視でスピンチャック２の外方の待機位置に位置する。 <Operation of Substrate Processing Apparatus 1>
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described. In FIG. 1, the protection disk 33 is located on the spin base 11 side. Further, the anti-scattering cup 5 is located at the lower position. The brush 107 is located at a standby position outside the spin chuck 2 in plan view.

〔ステップＳ０１〕スピンチャック２への基板Ｗの載置
図示しない基板搬送機構は、スピンチャック２に基板Ｗを搬送する。図１において、基板Ｗを保持するための基板搬送機構のハンドは、符号ＨＤで示される。基板Ｗは、例えばデバイス面が下向きになるように、６本の支持ピン１３の傾斜部２１に載置される。飛散防止カップ５が下位置に位置しているので、解除用永久磁石１０５とピン駆動用永久磁石３１とが各々の磁力により反発または引き合って、可動支持ピン２５が開放位置に維持される。すなわち、スピンチャック２は、基板Ｗの保持を解除した状態で維持される。 [Step S01] Placement of Substrate W on Spin Chuck 2 A substrate transport mechanism (not shown) transports the substrate W to the spin chuck 2. In FIG. 1, the hand of the substrate transport mechanism for holding the substrate W is indicated by the symbol HD. The substrate W is placed on the inclined portions 21 of the six support pins 13 so that the device surface faces downward, for example. Since the anti-scattering cup 5 is located at the lower position, the release permanent magnet 105 and the pin driving permanent magnet 31 are repelled or attracted by their respective magnetic forces, and the movable support pin 25 is maintained at the open position. That is, the spin chuck 2 is maintained in a state in which the holding of the substrate W is released.

〔ステップＳ０２〕スピンチャック２による基板Ｗの保持、および保護ディスク３３の上昇
基板Ｗを傾斜部２１に載置して基板搬送機構のハンドＨＤを退避した後、カップ昇降機構ＣＭは、飛散防止カップ５を上昇させる。飛散防止カップ５は、基板処理時の上位置に位置される。これにより、カップ側永久磁石１０３とピン駆動用永久磁石３１とが反発または引き合って、可動支持ピン２５が鉛直軸Ｐ２周りに回転して保持位置に維持される。これにより、図２において、６本の支持ピン１３の当接部２３で基板Ｗの端を当接しつつ、基板Ｗを挟み込む。すなわち、スピンチャック２は、６本の支持ピン１３によって、スピンベース１１と基板Ｗを離した状態で、基板Ｗを保持する。 [Step S02] Holding the substrate W by the spin chuck 2 and raising the protective disk 33 After placing the substrate W on the inclined portion 21 and retracting the hand HD of the substrate transport mechanism, the cup lifting mechanism CM Raise 5 The anti-scattering cup 5 is positioned at the upper position during substrate processing. Thereby, the cup side permanent magnet 103 and the pin driving permanent magnet 31 repel or attract each other, and the movable support pin 25 rotates around the vertical axis P2 and is maintained at the holding position. Thus, in FIG. 2, the substrate W is sandwiched while the ends of the substrate W are in contact with the contact portions 23 of the six support pins 13. That is, the spin chuck 2 holds the substrate W while the spin base 11 and the substrate W are separated by the six support pins 13.

また、飛散防止カップ５が上昇すると、カップ側永久磁石１０３と、保護ディスク３３のディスク用永久磁石４３とが反発して、飛散防止カップ５と共に保護ディスク３３が上昇する。そして、飛散防止カップ５が上位置に位置されると、保護ディスク３３は、図３に示す上規制部６７Ａに接触しつつ、処理位置に維持される。   When the anti-scattering cup 5 is raised, the cup-side permanent magnet 103 and the disk permanent magnet 43 of the protective disk 33 are repelled, and the protective disk 33 is raised together with the anti-scattering cup 5. When the anti-scattering cup 5 is positioned at the upper position, the protective disk 33 is maintained at the processing position while being in contact with the upper restricting portion 67A shown in FIG.

〔ステップＳ０３〕気体の吐出
第１気体吐出部６５および第２気体吐出部８１は、スピンチャック２に保持された基板Ｗの下面に気体を吐出する。具体的に説明する。 [Step S03] Gas Discharge The first gas discharge unit 65 and the second gas discharge unit 81 discharge gas onto the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 2. This will be specifically described.

第１気体吐出部６５は、基板Ｗの下面に回り込むことを抑制するために、基板Ｗと保護ディスク３３との間を基板Ｗの中心側から基板Ｗの外周側に向けて気体が流れるように、基板Ｗの下面に気体を吐出する。開閉弁７７Ｃが開かれると、第１気体供給源７７Ａから第１気体供給配管７７Ｂを通じて、気体供給内側管５１に気体が送られる。気体供給内側管５１に送られた気体は、上部吐出部材６６と下部吐出部材６７とで形成される第１気体流路７５に送られて、第１吐出口７３から吐出される。平面視で、スリット状の第１吐出口７３から全方向に気体が吐出される。   In order to prevent the first gas discharge unit 65 from entering the lower surface of the substrate W, the gas flows between the substrate W and the protection disk 33 from the center side of the substrate W toward the outer periphery side of the substrate W. Then, gas is discharged to the lower surface of the substrate W. When the on-off valve 77C is opened, gas is sent from the first gas supply source 77A to the gas supply inner pipe 51 through the first gas supply pipe 77B. The gas sent to the gas supply inner pipe 51 is sent to the first gas flow path 75 formed by the upper discharge member 66 and the lower discharge member 67 and is discharged from the first discharge port 73. Gas is discharged from the slit-like first discharge port 73 in all directions in a plan view.

吐出された気体は、基板Ｗの下面と保護ディスク３３との間を基板Ｗの中心側から基板Ｗの外側に向けて流れる。そして、気体は、基板Ｗおよび保護ディスク３３の端から支持ピン１３を除く全方向に噴き出される。これにより、基板Ｗの上面に供給される処理液が基板の下面に回り込むことを抑制する。   The discharged gas flows from the center side of the substrate W toward the outside of the substrate W between the lower surface of the substrate W and the protective disk 33. Then, the gas is ejected from the ends of the substrate W and the protective disk 33 in all directions except for the support pins 13. This suppresses the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate W from entering the lower surface of the substrate.

第１気体吐出部６５による気体の吐出は、処理液の回り込みを抑制する。しかしながら、第１気体吐出部６５による気体の吐出では、処理液の回り込み抑制効果が不十分な場合がある。そこで、第１気体吐出部６５により気体を吐出する際に、第２気体吐出部８１からも気体と吐出する。   The discharge of the gas by the first gas discharge unit 65 suppresses the wraparound of the processing liquid. However, the gas discharge by the first gas discharge unit 65 may have an insufficient effect of suppressing the wraparound of the processing liquid. Therefore, when gas is discharged by the first gas discharge unit 65, gas is also discharged from the second gas discharge unit 81.

第２気体吐出部８１は、基板Ｗを平面視した際に、リング状に立設された６本の支持ピンよりも軸線Ｐ１側でかつ、基板Ｗの外周側に設けられている。このように構成された第２気体吐出部８１は、６本の支持ピン１３の各々と基板Ｗの端との接触部分付近に気体を吐出する。   The second gas ejection part 81 is provided on the axis P1 side and on the outer peripheral side of the substrate W from the six support pins erected in a ring shape when the substrate W is viewed in plan view. The second gas discharge unit 81 configured in this manner discharges gas in the vicinity of the contact portion between each of the six support pins 13 and the end of the substrate W.

図１において、開閉弁９２Ｃが開かれると、第２気体供給源９２Ａから第２気体供給配管９２Ｂを通じて、気体供給外側管５３に気体が送られる。図３において、気体供給外側管５３に送られた気体は、ボス１５と先端保持部５５とで形成される第２気体流路７９、連通口８７、空間ＳＰ１と順番に送られて、スリット状の第２吐出口８３から吐出される。また、平面視で、スリット状の第２吐出口８３から全方向に気体が吐出される。さらに、第２吐出口８３は、６本の支持ピン１３の各々に対向する部分８３Ａのスリット幅ＨＢ１が、対向する部分８３Ａ以外の部分８３Ｂのスリット幅ＨＢ２よりも広くなるように構成されている。そのため、第２吐出口８３の対向する部分８３Ａからは、対向する部分８３Ａ以外の部分８３Ｂよりも多くの気体を吐出できる。また、スピンベース１１に立設された支持ピン１３と保護ディスク３３は一緒に回転するので、支持ピン１３と、スリット幅ＨＢ１の部分とが対向された状態が維持される。すなわち、支持ピン１３と部分Ｂ１との相対位置が維持される。   In FIG. 1, when the on-off valve 92C is opened, gas is sent from the second gas supply source 92A to the gas supply outer pipe 53 through the second gas supply pipe 92B. In FIG. 3, the gas sent to the gas supply outer tube 53 is sent in order to the second gas flow path 79 formed by the boss 15 and the tip holding portion 55, the communication port 87, and the space SP1, and is slit-shaped. From the second discharge port 83. Moreover, gas is discharged in all directions from the slit-like second discharge port 83 in plan view. Further, the second discharge port 83 is configured such that the slit width HB1 of the portion 83A facing each of the six support pins 13 is wider than the slit width HB2 of the portion 83B other than the facing portion 83A. . Therefore, more gas can be discharged from the facing portion 83A of the second discharge port 83 than in the portion 83B other than the facing portion 83A. In addition, since the support pin 13 and the protection disk 33 erected on the spin base 11 rotate together, the state where the support pin 13 and the slit width HB1 face each other is maintained. That is, the relative position between the support pin 13 and the portion B1 is maintained.

〔ステップＳ０４〕ブラシ１０７による洗浄処理
図１において、基板Ｗの下面への回り込み抑制効果が強化された状態で、基板Ｗの上面対してブラシ１０７によるスクラブ洗浄を実施する。回転駆動機構３は、回転軸１７およびスピンベース１１等のスピンチャック２を回転させる。これにより、基板Ｗは軸線Ｐ１周りに回転する。基板Ｗの回転後、回転する基板Ｗの上面の中心（軸線Ｐ１）に向けて、図示しないノズルにより、純水を供給するプレリンス処理を実施する。この処理は、ブラシ１０７の動作なしで行われる。プレリンス処理後、回転する基板Ｗの上面の中心（軸線Ｐ１）向けて、処理液ノズル１１１Ｄから処理液を吐出する。開閉弁１１１Ｃを開けると、処理液供給源１１１Ａから処理液配管１１１Ｂを通じて、処理液が処理液ノズル１１１Ｄに送られる。 [Step S04] Cleaning Process with Brush 107 In FIG. 1, scrub cleaning with the brush 107 is performed on the upper surface of the substrate W while the effect of suppressing the wraparound to the lower surface of the substrate W is enhanced. The rotation drive mechanism 3 rotates the spin chuck 2 such as the rotation shaft 17 and the spin base 11. As a result, the substrate W rotates around the axis P1. After the rotation of the substrate W, a pre-rinsing process for supplying pure water is performed by a nozzle (not shown) toward the center (axis line P1) of the upper surface of the rotating substrate W. This process is performed without the operation of the brush 107. After the pre-rinsing process, the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle 111D toward the center (axis line P1) of the upper surface of the rotating substrate W. When the on-off valve 111C is opened, the processing liquid is sent from the processing liquid supply source 111A to the processing liquid nozzle 111D through the processing liquid piping 111B.

処理液の吐出開始の際、アーム駆動機構ＡＭは、ブラシ１０７および揺動アーム１０９を飛散防止カップ５の外側の軸線Ｐ３周りに揺動させて、基板Ｗの上面の中心（軸線Ｐ１）付近の上方にブラシ１０７を移動させておく。ブラシ１０７を基板Ｗの上面に下降させた後、基板Ｗの上面に処理液を供給しながら、ブラシ１０７によるスクラブ洗浄を実施する。洗浄中、アーム駆動機構ＡＭは、基板Ｗの中心から基板Ｗの端までブラシ１０７を移動させる。なお。この移動は、往復移動であってもよい。ブラシ１０７の上昇および処理液供給の停止（開閉弁１１１Ｃを閉じる）により、スクラブ洗浄は終了する。アーム駆動機構ＡＭは、ブラシ１０７を待機位置に移動させる。   At the start of the discharge of the processing liquid, the arm drive mechanism AM swings the brush 107 and the swing arm 109 around the axis P3 outside the anti-scattering cup 5 and near the center (axis P1) of the upper surface of the substrate W. The brush 107 is moved upward. After the brush 107 is lowered onto the upper surface of the substrate W, scrub cleaning with the brush 107 is performed while supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate W. During the cleaning, the arm driving mechanism AM moves the brush 107 from the center of the substrate W to the end of the substrate W. Note that. This movement may be a reciprocating movement. The scrub cleaning is finished by raising the brush 107 and stopping the supply of the processing liquid (closing the on-off valve 111C). The arm drive mechanism AM moves the brush 107 to the standby position.

ブラシ１０７によるスクラブ洗浄（基板処理）する場合に、第１気体吐出部６５による気体の吐出に加えて、第２気体吐出部８１からも気体を吐出している。第２気体吐出部８１は、回り込み抑制効果が低下し、基板Ｗの下面に処理液が回り込むと考えられる支持ピン１３と基板Ｗの端との接触部分付近に、支持ピン１３の近くから直接気体を吐出する。そのため、第１気体吐出部６５による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板Ｗの下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   In the case of scrub cleaning (substrate processing) with the brush 107, in addition to gas discharge by the first gas discharge unit 65, gas is also discharged from the second gas discharge unit 81. The second gas discharge unit 81 has a reduced effect of suppressing the wraparound, and the gas is directly supplied from the vicinity of the support pin 13 in the vicinity of the contact portion between the support pin 13 and the end of the substrate W where the processing liquid is thought to flow around the lower surface of the substrate W. Is discharged. Therefore, by strengthening the gas flow by the first gas discharge unit 65 to a pinpoint, it is possible to improve the effect of suppressing the processing liquid from flowing into the lower surface of the substrate W.

スクラブ洗浄後、回転する基板Ｗの上面の中心（軸線Ｐ１）に向けて、図示しないノズルにより、純水を供給するポストリンス処理を実施する。この処理は、ブラシ１０７の動作なしで行われる。ポストリンス処理後、回転駆動機構３は、スクラブ洗浄時よりも速い回転速度で基板Ｗを回転させて、基板Ｗを乾燥させる。乾燥後、回転駆動機構３は、基板Ｗの回転を停止する。その後、開閉弁７７Ｃ，９２Ｃと閉じ、第１気体吐出部６５および第２気体吐出部８１による気体の吐出を停止する。   After the scrub cleaning, a post rinse process for supplying pure water is performed by a nozzle (not shown) toward the center (axis line P1) of the upper surface of the rotating substrate W. This process is performed without the operation of the brush 107. After the post-rinsing process, the rotation drive mechanism 3 rotates the substrate W at a rotation speed faster than that during scrub cleaning, and dries the substrate W. After drying, the rotation drive mechanism 3 stops the rotation of the substrate W. Thereafter, the on-off valves 77C and 92C are closed, and gas discharge by the first gas discharge unit 65 and the second gas discharge unit 81 is stopped.

気体の吐出停止後、カップ昇降機構ＣＭは、飛散防止カップ５を上位置から下位置に下降させる。この際、カップ側永久磁石１０３も下降し、６本の支持ピン１３による基板Ｗの保持を解除しつつ、保護ディスク３３をスピンベース１１上の待機位置に下降させる。飛散防止カップ５が下位置に位置すると、ピン駆動用永久磁石３１は、カップ側永久磁石１０３に代えて、解除用永久磁石１０５の磁力を受ける。そして、ピン駆動用永久磁石３１と解除用永久磁石１０５とが各々の磁力により反発または引き合い、可動支持ピン２５は、開放位置に維持される。その後、図示しない基板搬送機構のハンドＨＤが基板Ｗと保護ディスク３３との間に進入し、基板Ｗを保持して他の装置等に搬送する。   After the gas discharge is stopped, the cup lifting mechanism CM lowers the anti-scattering cup 5 from the upper position to the lower position. At this time, the cup-side permanent magnet 103 is also lowered, and the protective disk 33 is lowered to the standby position on the spin base 11 while releasing the holding of the substrate W by the six support pins 13. When the anti-scattering cup 5 is positioned at the lower position, the pin driving permanent magnet 31 receives the magnetic force of the releasing permanent magnet 105 instead of the cup side permanent magnet 103. Then, the pin driving permanent magnet 31 and the releasing permanent magnet 105 are repelled or attracted by their respective magnetic forces, and the movable support pin 25 is maintained in the open position. Thereafter, a hand HD of a substrate transport mechanism (not shown) enters between the substrate W and the protective disk 33, holds the substrate W, and transports it to another device or the like.

本実施例によれば、第２気体吐出部８１は、スピンチャック２で保持された基板Ｗを平面視した際に、軸線Ｐ１周りに立設された６本の支持ピン１３よりも軸線Ｐ１側でかつ、基板Ｗの外周側に設けられている。第２気体吐出部８１は、第１気体吐出部６５による気体の吐出に加えて、６本の支持ピン１３の各々と基板Ｗの端との接触部分付近に気体を吐出する。すなわち、第２気体吐出部８１は、回り込み抑制効果が低下し、基板Ｗの下面に処理液が回り込むと考えられる支持ピン１３と基板Ｗの端との接触部分付近に、支持ピン１３の近くから直接気体を吐出する。そのため、第１気体吐出部６５による気体の流れをピンポイントに強化することで、基板Ｗの下面への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   According to the present embodiment, the second gas ejection unit 81 has the axis P1 side relative to the six support pins 13 erected around the axis P1 when the substrate W held by the spin chuck 2 is viewed in plan. And provided on the outer peripheral side of the substrate W. In addition to gas discharge by the first gas discharge unit 65, the second gas discharge unit 81 discharges gas in the vicinity of the contact portion between each of the six support pins 13 and the end of the substrate W. That is, the second gas ejection unit 81 has a reduced sneaking effect and the vicinity of the contact portion between the support pin 13 and the end of the substrate W where the processing liquid is thought to wrap around the lower surface of the substrate W. Direct gas is discharged. Therefore, by strengthening the gas flow by the first gas discharge unit 65 to a pinpoint, it is possible to improve the effect of suppressing the processing liquid from flowing into the lower surface of the substrate W.

また、第２気体吐出部８１は、軸線Ｐ１周りにリング状であって、このリングＣＲの外周に沿って長手でかつリングＣＲの略全周にかけて形成された１つのスリット状の第２吐出口８３を有している。これにより、第２気体吐出部８１は、支持ピン１３と基板Ｗの端との接触部分を含む基板Ｗの下面の端付近の略全周に気体を吐出することができる。そのため、基板Ｗの下面の外周側の略全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   The second gas discharge portion 81 has a ring shape around the axis P1 and is formed along the outer periphery of the ring CR and is formed in a slit-like second discharge port extending substantially over the entire periphery of the ring CR. 83. Thereby, the second gas discharge unit 81 can discharge gas to substantially the entire periphery near the end of the lower surface of the substrate W including the contact portion between the support pin 13 and the end of the substrate W. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the wrapping of the processing liquid to substantially the entire periphery on the outer peripheral side of the lower surface of the substrate W.

また、基板処理装置１は、スピンベース１１と基板Ｗとの間に昇降可能に設けられた保護ディスク３３と、基板処理する場合に保護ディスク３３を上昇させるカップ昇降機構ＣＭとを更に備えている。第１気体吐出部６５は、基板Ｗと保護ディスク３３との間を基板Ｗの中心側から基板Ｗの外周側に向けて気体が流れるように基板Ｗの下面に気体を吐出し、第２気体吐出部８１は、保護ディスク３３に設けられ、第２気体吐出部８１には、保護ディスク３３の内部に設けられた空間ＳＰ１を通じて気体が供給される。   The substrate processing apparatus 1 further includes a protective disk 33 that can be moved up and down between the spin base 11 and the substrate W, and a cup lifting mechanism CM that lifts the protective disk 33 when the substrate is processed. . The first gas discharge unit 65 discharges gas to the lower surface of the substrate W so that the gas flows between the substrate W and the protective disk 33 from the center side of the substrate W toward the outer peripheral side of the substrate W, and the second gas The discharge part 81 is provided on the protection disk 33, and gas is supplied to the second gas discharge part 81 through a space SP <b> 1 provided inside the protection disk 33.

これにより、昇降可能な保護ディスク３３に設けられた第２気体吐出部８１に、保護ディスク３３の内部に設けられた空間ＳＰ１を通じて気体を供給することができる。   Thereby, the gas can be supplied to the second gas discharge portion 81 provided on the protection disk 33 that can be moved up and down through the space SP <b> 1 provided inside the protection disk 33.

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図６は、基板処理装置のスピンチャックとその周辺構成を概略構成図である。図７は、第２気体吐出部８１とその流路を示す縦断面図である。   Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the description which overlaps with Example 1 is abbreviate | omitted. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of the spin chuck and its peripheral configuration of the substrate processing apparatus. FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the second gas discharge part 81 and its flow path.

実施例１では、第２気体吐出部８１には、保護ディスク３３の内部に設けられた空間ＳＰ１を通じて、気体が供給された。この点、第２気体吐出部１２０には、保護ディスク１２２と気体案内板１２４との間に形成された空間ＳＰ２を通じて、気体が供給される。具体的に説明する。   In Example 1, the gas was supplied to the second gas ejection unit 81 through the space SP <b> 1 provided inside the protection disk 33. In this regard, gas is supplied to the second gas discharge unit 120 through a space SP2 formed between the protective disk 122 and the gas guide plate 124. This will be specifically described.

基板処理装置１は、保護ディスク１２２と気体案内板１２４とを備えている。保護ディスク１２２は、本発明の保護板に相当する。保護ディスク１２２は、円板状の部材である。保護ディスク１２２は、スピンベース１１と、スピンチャック２で保持された基板Ｗとの間に、昇降可能に設けられている。なお、保護ディスク１２２は、実施例１のように、気体を送るための空間ＳＰ１を内部に備えていない。   The substrate processing apparatus 1 includes a protective disk 122 and a gas guide plate 124. The protection disk 122 corresponds to the protection plate of the present invention. The protection disk 122 is a disk-shaped member. The protection disk 122 is provided between the spin base 11 and the substrate W held by the spin chuck 2 so as to be able to move up and down. In addition, the protection disk 122 does not include the space SP1 for sending gas inside as in the first embodiment.

気体案内板１２４は、保護ディスク１２２とスピンベース１１との間に設けられている。気体案内板１２４は、保護ディスク１２２と独立して昇降可能に設けられている。保護ディスク１２２と気体案内板１２４は、これらの間に空間ＳＰ２を形成する。気体案内板１２４は、保護ディスク１２２よりも大径で構成される。保護ディスク１２２は、空間ＳＰ２の天井面ＵＳを形成する。気体案内板１２４は、空間ＳＰ２の底面ＢＳと基板Ｗの外周側の側面ＧＳを形成する。また、後述する連通口１４３等が基板Ｗの中心側の側面ＴＳを形成する。   The gas guide plate 124 is provided between the protective disk 122 and the spin base 11. The gas guide plate 124 is provided so as to be movable up and down independently of the protective disk 122. The protective disk 122 and the gas guide plate 124 form a space SP2 therebetween. The gas guide plate 124 has a larger diameter than the protective disk 122. The protection disk 122 forms the ceiling surface US of the space SP2. The gas guide plate 124 forms the bottom surface BS of the space SP2 and the side surface GS on the outer peripheral side of the substrate W. Further, a communication port 143 and the like described later form a side surface TS on the center side of the substrate W.

なお、側面ＧＳは、傾斜しており、例えば、側面ＧＳを基板Ｗの下面に向けて延長すると、基板Ｗの端付近を通過するようになっている。また、気体案内板１２４の周縁部１２４Ａは、保護ディスク１２２の上面に沿うように、水平に延びて形成されている。この点、周縁部１２４Ａは、水平に延びずに、基板Ｗの外周側に斜め上に延びるように構成されていてもよい。   The side surface GS is inclined. For example, when the side surface GS is extended toward the lower surface of the substrate W, the side surface GS passes through the vicinity of the end of the substrate W. Further, the peripheral edge portion 124 </ b> A of the gas guide plate 124 is formed to extend horizontally so as to follow the upper surface of the protective disk 122. In this regard, the peripheral edge portion 124A may be configured to extend obliquely upward to the outer peripheral side of the substrate W without extending horizontally.

第２気体吐出部１２０は、図２に示す第２吐出口８３と同様に、スリット状の第２吐出口１２６を備えている。スリット状の第２吐出口１２６は、保護ディスク１２２と気体案内板１２４との隙間ＧＰによって形成されている。   Similar to the second discharge port 83 shown in FIG. 2, the second gas discharge unit 120 includes a slit-shaped second discharge port 126. The slit-shaped second discharge port 126 is formed by a gap GP between the protective disk 122 and the gas guide plate 124.

次に、気体案内板１２４の昇降駆動について説明する。気体案内板１２４は、保護ディスク１２２と独立して昇降する。図６のように、気体案内板１２４の下面には、第２磁石保持下垂片１２８が設けられている。第２磁石保持下垂片１２８には、磁極方向を上下方向に向けた案内板用永久磁石１２９が埋設されている。スピンベース１１には、第２磁石保持下垂片１２８を通すための６つの開口部１３１が設けられている。また、気体案内板１２４には、保護ディスク１２２の下面に設けられた磁石保持下垂片４１を通すための６つの開口部１３３が設けられている。   Next, raising / lowering driving of the gas guide plate 124 will be described. The gas guide plate 124 moves up and down independently of the protective disk 122. As shown in FIG. 6, a second magnet holding drooping piece 128 is provided on the lower surface of the gas guide plate 124. A guide plate permanent magnet 129 is embedded in the second magnet holding drooping piece 128 with the magnetic pole direction in the vertical direction. The spin base 11 is provided with six openings 131 through which the second magnet holding drooping piece 128 passes. Further, the gas guide plate 124 is provided with six openings 133 through which the magnet holding drooping piece 41 provided on the lower surface of the protective disk 122 is passed.

本実施例の基板処理装置１は、昇降部材１３５と案内板昇降機構ＧＭとを備えている。昇降部材１３５には、昇降用永久磁石１３６が埋設されている。案内板昇降機構ＧＭは、電動モータ等を備えており、気体案内板１２４を駆動させる。案内板昇降機構ＧＭは、本発明の昇降機構に相当する。移動ガイド部４５の規制ピン４９は、スピンベース１１および気体案内板１２４を貫通して保護ディスク１２２の下面に連結される。   The substrate processing apparatus 1 of the present embodiment includes an elevating member 135 and a guide plate elevating mechanism GM. An elevating permanent magnet 136 is embedded in the elevating member 135. The guide plate lifting mechanism GM includes an electric motor or the like and drives the gas guide plate 124. The guide plate lifting mechanism GM corresponds to the lifting mechanism of the present invention. The restriction pin 49 of the movement guide portion 45 passes through the spin base 11 and the gas guide plate 124 and is connected to the lower surface of the protection disk 122.

次に、第２気体吐出部１２０への気体の供給経路について説明する。図７のように、ボス１５と先端保持部５５は、第２気体流路１４１および連通口１４３を形成する。気体供給外側管５３を通じて送られた気体は、第２気体流路１４１を通って連通口１４３から空間ＳＰ２に送られる。   Next, a gas supply path to the second gas discharge unit 120 will be described. As shown in FIG. 7, the boss 15 and the tip holding portion 55 form a second gas channel 141 and a communication port 143. The gas sent through the gas supply outer pipe 53 is sent from the communication port 143 to the space SP2 through the second gas flow path 141.

次に、基板処理装置１の動作に関し、本実施例に係る部分について説明する。図５において、カップ昇降機構ＣＭは、下位置から上位置に飛散防止カップ５を上昇させる。飛散防止カップ５が上昇されると、カップ側永久磁石１０３の磁力により、６本の支持ピン１３によって基板Ｗを保持し、また、保護ディスク１２２を処理位置に上昇させる。また、この際、案内板昇降機構ＧＭは、昇降用永久磁石１３６を昇降させて、気体案内板１２４の上下方向の位置を調整する。   Next, regarding the operation of the substrate processing apparatus 1, a part according to the present embodiment will be described. In FIG. 5, the cup elevating mechanism CM raises the anti-scattering cup 5 from the lower position to the upper position. When the anti-scattering cup 5 is raised, the magnetic force of the cup-side permanent magnet 103 holds the substrate W by the six support pins 13 and raises the protective disk 122 to the processing position. At this time, the guide plate elevating mechanism GM moves the elevating permanent magnet 136 up and down to adjust the vertical position of the gas guide plate 124.

すなわち、案内板昇降機構ＧＭにより昇降用永久磁石１３６を上昇させると、昇降用永久磁石１３６と、気体案内板１２４の案内板用永久磁石１２９とが反発して、昇降用永久磁石１３６の上昇と共に、案内板用永久磁石１２９も上昇する。スリット状の第２吐出口１２６は、保護ディスク１２２と気体案内板１２４との隙間ＧＰで形成されている。カップ昇降機構ＣＭおよび案内板昇降機構ＧＭにより、スリット状の第２吐出口１２６は、隙間ＧＰが予め設定された幅になるように調整される。   That is, when the elevating permanent magnet 136 is raised by the guide plate elevating mechanism GM, the elevating permanent magnet 136 and the guide plate permanent magnet 129 of the gas guide plate 124 are repelled, and as the elevating permanent magnet 136 rises. The guide plate permanent magnet 129 also rises. The slit-like second discharge port 126 is formed by a gap GP between the protective disk 122 and the gas guide plate 124. The slit-shaped second discharge port 126 is adjusted by the cup lifting mechanism CM and the guide plate lifting mechanism GM so that the gap GP has a preset width.

図７において、第１気体吐出部６５は、気体を吐出する。気体供給外側管５３に送られた気体は、ボス１５と先端保持部５５と下部吐出部材６７で形成される第２気体流路１４１、連通口１４３、空間ＳＰ２と順番に送られて、スリット状の第２吐出口１２６から吐出される。   In FIG. 7, the 1st gas discharge part 65 discharges gas. The gas sent to the gas supply outer pipe 53 is sent in order to the second gas flow path 141, the communication port 143, and the space SP2 formed by the boss 15, the tip holding portion 55, and the lower discharge member 67, and is slit-shaped. From the second discharge port 126.

本実施例によれば、基板処理装置１は、スピンベース１１と基板Ｗとの間に昇降可能に設けられた保護ディスク１２２と、保護ディスク１２２とスピンベース１１との間に、昇降可能に設けられた気体案内板１２４とを備えている。第１気体吐出部６５は、基板Ｗと保護ディスク１２２との間を基板Ｗの中心側から基板Ｗの外周側に向けて気体が流れるように基板Ｗの下面に気体を吐出する。第２気体吐出部１２０は、保護ディスク１２２と気体案内板１２４との隙間ＧＰで形成された第２吐出口１２６を有し、第２気体吐出部１２０には、保護ディスク１２２と気体案内板１２４との間に形成された空間ＳＰ２を通じて気体が供給される。カップ昇降機構ＣＭおよび案内板昇降機構ＧＭは、基板処理する場合に保護ディスク１２２および気体案内板１２４を上昇させる。   According to the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 is provided with a protection disk 122 that can be moved up and down between the spin base 11 and the substrate W, and between the protection disk 122 and the spin base 11. The gas guide plate 124 is provided. The first gas discharge unit 65 discharges gas to the lower surface of the substrate W so that the gas flows between the substrate W and the protection disk 122 from the center side of the substrate W toward the outer periphery side of the substrate W. The second gas discharge unit 120 has a second discharge port 126 formed by a gap GP between the protection disk 122 and the gas guide plate 124. The second gas discharge unit 120 includes the protection disk 122 and the gas guide plate 124. Gas is supplied through the space SP2 formed between the two. The cup elevating mechanism CM and the guide plate elevating mechanism GM raise the protective disk 122 and the gas guide plate 124 when the substrate is processed.

これにより、昇降可能な保護ディスク１２２と気体案内板１２４との隙間ＧＰで形成された第２吐出口１２６を有する第２気体吐出部１２０に、保護ディスク１２２と気体案内板１２４との間に形成された空間ＳＰ２を通じて気体を供給することができる。   Thus, the second gas discharge part 120 having the second discharge port 126 formed by the gap GP between the vertically movable protection disk 122 and the gas guide plate 124 is formed between the protection disk 122 and the gas guide plate 124. Gas can be supplied through the space SP2.

また、気体案内板１２４は、保護ディスク１２２に対して独立して昇降可能である。カップ昇降機構ＣＭおよび案内板昇降機構ＧＭは、基板処理する場合に保護ディスク１２２および気体案内板１２４を個々に上昇させると共に、第２吐出口１２６を形成する隙間ＧＰの幅を調整する（図７の丸で囲まれた図参照）。カップ昇降機構ＣＭおよび案内板昇降機構ＧＭは、第２吐出口１２６を形成する隙間ＧＰの幅を調整することで、例えば、第２気体吐出部１２０により吐出される気体の流速を調整することができる。   The gas guide plate 124 can be moved up and down independently of the protective disk 122. The cup elevating mechanism CM and the guide plate elevating mechanism GM individually raise the protective disk 122 and the gas guide plate 124 when the substrate is processed, and adjust the width of the gap GP forming the second discharge port 126 (FIG. 7). (See the circled figure). The cup lifting mechanism CM and the guide plate lifting mechanism GM can adjust the flow rate of the gas discharged by the second gas discharge unit 120 by adjusting the width of the gap GP forming the second discharge port 126, for example. it can.

次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１および２と重複する説明は省略する。図８は、第２気体吐出部１５０とその流路を示す縦断面図である。   Next, Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the description which overlaps with Example 1 and 2 is abbreviate | omitted. FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the second gas discharge part 150 and its flow path.

実施例１では、第２気体吐出部８１（第２吐出口８３）は、保護ディスク３３に設けられ、第２気体吐出部８１には、保護ディスク３３の内部に設けられた空間ＳＰ１を通じて気体が供給された。この点、実施例３では、保護ディスク３３は設けられていない。第２気体吐出部１５０（第２吐出口１５１）は、スピンベース１５３に設けられ、第２気体吐出部１５０には、スピンベース１５３の内部に設けられた空間ＳＰ３を通じて気体が供給される。   In the first embodiment, the second gas discharge unit 81 (second discharge port 83) is provided in the protection disk 33, and gas is passed through the space SP <b> 1 provided in the protection disk 33 to the second gas discharge unit 81. Supplied. In this regard, in the third embodiment, the protective disk 33 is not provided. The second gas discharge unit 150 (second discharge port 151) is provided in the spin base 153, and gas is supplied to the second gas discharge unit 150 through a space SP3 provided in the spin base 153.

図８を参照する。第２気体吐出部１５０は第２吐出口１５１を備えている。本実施例のスピンベース１５３の上面には、第２気体吐出部１５０、すなわち第２吐出口１５１が設けられている。スピンベース１５３の内部には、気体を流すための空間ＳＰ３が設けられている。空間ＳＰ３と連通する第２気体流路１５５は、例えば、ボス１５と先端保持部５５と下部吐出部材６７によって形成されている。気体供給外側管５３から送られた気体は第２気体流路１５５を通じて空間ＳＰ３に送られ、第２吐出口１５１から吐出される。   Please refer to FIG. The second gas discharge unit 150 includes a second discharge port 151. A second gas discharge unit 150, that is, a second discharge port 151 is provided on the upper surface of the spin base 153 of this embodiment. Inside the spin base 153, a space SP3 for flowing a gas is provided. The second gas channel 155 communicating with the space SP3 is formed by, for example, the boss 15, the tip holding portion 55, and the lower discharge member 67. The gas sent from the gas supply outer tube 53 is sent to the space SP3 through the second gas flow path 155 and is discharged from the second discharge port 151.

本実施例によれば、スピンベース１１に設けられた第２気体吐出部１５０に、スピンベース１５３の内部に設けられた空間ＳＰ３を通じて気体を供給することができる。   According to the present embodiment, gas can be supplied to the second gas ejection unit 150 provided in the spin base 11 through the space SP3 provided in the spin base 153.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

（１）上述した各実施例では、例えばスリット状の第２吐出口８３は、６本の支持ピン１３の各々に対向する部分８３Ａのスリット幅ＨＢ１が、対向する部分８３Ａ以外の部分８３Ｂのスリット幅ＨＢ２よりも広くなるように構成されていた。この点、図９のように、スリット状の第２吐出口１６０は、リングＣＲの略全周にかけて同じスリット幅で形成されてもよい。これにより、略全方向に均等に気体を吐出することができる。なお、図９〜図１１において、保護ディスク３３にハッチングを付して示し、保護ディスク３３のうち第２吐出口１６０等は、ハッチングを付していない。   (1) In each of the above-described embodiments, for example, the slit-like second discharge port 83 has the slit width HB1 of the portion 83A facing each of the six support pins 13 so that the slit of the portion 83B other than the facing portion 83A. It was configured to be wider than the width HB2. In this regard, as shown in FIG. 9, the slit-like second discharge port 160 may be formed with the same slit width over substantially the entire circumference of the ring CR. Thereby, gas can be discharged uniformly in almost all directions. 9 to 11, the protection disk 33 is indicated by hatching, and the second discharge port 160 and the like of the protection disk 33 are not hatched.

（２）上述した各実施例および変形例（１）では、スリット状の１つの第２吐出口８３，１２６，１５１は、リング状に形成されていた。この点、スリット状の複数の第２吐出口によって、軸線Ｐ１周りにリング状に形成されてもよい。例えば、図１０において、支持ピン１３と第２吐出口１６２とが１対１の関係になるように、スリット状の６つの第２吐出口１６２でリング状に形成されてもよい。これにより、スリット状の第２吐出口１６２は、支持ピン１３と基板Ｗの端との接触部分を含む基板Ｗの下面の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。なお、支持ピン１３に対応する部分は符号１６２Ａで示し、対応する部分１６２Ａ以外の部分を符号１６２Ｂで示す。   (2) In each of the above-described embodiments and modification (1), one slit-like second discharge port 83, 126, 151 is formed in a ring shape. In this regard, a plurality of slit-like second discharge ports may be formed in a ring shape around the axis P1. For example, in FIG. 10, the support pins 13 and the second discharge ports 162 may be formed in a ring shape with six slit-shaped second discharge ports 162 so that the relationship is 1: 1. Thereby, the slit-like second discharge port 162 can discharge gas over a wide range near the end of the lower surface of the substrate W including the contact portion between the support pin 13 and the end of the substrate W. Note that a portion corresponding to the support pin 13 is denoted by reference numeral 162A, and a portion other than the corresponding portion 162A is denoted by reference numeral 162B.

また、図１０において、スリット状の６つの第２吐出口１６２によってリング状に形成されているが、次のように構成してもよい。すなわち、略半円のスリット状の２つの第２吐出口によってリング状に形成されてもよい。また、略１／４円のスリット状の４つの第２吐出口によってリング状に形成されてもよい。なお、これらの場合、各第２吐出口は、支持ピン１３に対向するように配置される。   In FIG. 10, the slit-shaped six second discharge ports 162 are formed in a ring shape, but may be configured as follows. That is, it may be formed in a ring shape by two semicircular slit-shaped second discharge ports. Moreover, it may be formed in a ring shape by four second discharge ports having a slit shape of approximately ¼ circle. In these cases, each second discharge port is disposed so as to face the support pin 13.

（３）上述した各実施例は、第２吐出口８３，１２６，１５１は、スリット状であった。この点、図１１のように、第２吐出口１６４は、スリット状でなく、例えば、正方形、多角形、円形、および楕円形で形成されていてもよい。この場合、支持ピンと第２吐出口とが１対１の関係になるように構成される。なお、吐出口１６２（または上述の吐出口１６４）は、回転駆動機構３によって支持ピン１３と一緒に軸線Ｐ１周りに回転されるように構成されている。これにより、支持ピン１３と第２吐出口１６４（または上述の吐出口１６４）の相対位置を維持できる。   (3) In each of the above-described embodiments, the second discharge ports 83, 126, 151 are slit-shaped. In this regard, as shown in FIG. 11, the second discharge port 164 may be formed in, for example, a square, a polygon, a circle, and an ellipse instead of the slit shape. In this case, the support pin and the second discharge port are configured to have a one-to-one relationship. The discharge port 162 (or the above-described discharge port 164) is configured to be rotated around the axis P1 together with the support pin 13 by the rotation driving mechanism 3. Thereby, the relative position of the support pin 13 and the 2nd discharge outlet 164 (or above-mentioned discharge outlet 164) can be maintained.

（４）上述した各実施例および各変形例では、本発明の処理部に相当する処理機構７および処理液供給機構９は、処理液ノズル１１１Ｄから処理液を基板Ｗの上面に供給し、ブラシ１０７によるスクラブ処理を行っていた。しかしながら、基板処理は、そのような処理に限定されない。   (4) In each of the embodiments and modifications described above, the processing mechanism 7 and the processing liquid supply mechanism 9 corresponding to the processing unit of the present invention supply the processing liquid from the processing liquid nozzle 111D to the upper surface of the substrate W, and brush The scrub process by 107 was performed. However, the substrate processing is not limited to such processing.

図１において、揺動アーム１０９の先端には、ブラシ１０７が取り付けられている。このブラシ１０７に代えて、二流体ノズルを取り付けてもよい。すなわち、この変形例の処理機構（図示しない）は、二流体ノズル（図示しない）、揺動アーム１０９、およびアーム駆動機構ＡＭを備えている。また、二流体ノズルには、処理液供給機構９からの処理液と、不活性ガス供給源（図示しない）からの不活性ガスとが供給されるように構成されている。制御部１１３は、処理液供給のための開閉弁と、不活性ガス供給のための開閉弁を各々操作して、二流体ノズルから処理液を不活性ガスと共に噴射する。すなわち、処理液と不活性ガスとを混合して気液混合流体を生成し、生成した気液混合流体を噴射する（スプレーする）。   In FIG. 1, a brush 107 is attached to the tip of the swing arm 109. Instead of the brush 107, a two-fluid nozzle may be attached. That is, the processing mechanism (not shown) of this modification includes a two-fluid nozzle (not shown), a swing arm 109, and an arm drive mechanism AM. The two-fluid nozzle is configured to be supplied with the processing liquid from the processing liquid supply mechanism 9 and the inert gas from an inert gas supply source (not shown). The control unit 113 operates the on-off valve for supplying the processing liquid and the on-off valve for supplying the inert gas, respectively, and jets the processing liquid together with the inert gas from the two-fluid nozzle. That is, the gas-liquid mixed fluid is generated by mixing the treatment liquid and the inert gas, and the generated gas-liquid mixed fluid is ejected (sprayed).

二流体ノズルを用いて基板処理する場合、図２，９，１０のように、第２気体吐出部８１は、軸線Ｐ１周りにリング状であって、このリングＣＲの外周に沿って長手に形成された少なくとも１つのスリット状の第２吐出口８３，１２６，１５１を有することが好ましい。   When processing a substrate using a two-fluid nozzle, as shown in FIGS. 2, 9, and 10, the second gas discharge portion 81 is ring-shaped around the axis line P <b> 1 and is formed longitudinally along the outer periphery of the ring CR. It is preferable to have at least one slit-like second discharge port 83, 126, 151.

二流体ノズルによる洗浄においては、基板Ｗ下面の外周側の全周に処理液が回り込んで基板Ｗの下面に処理液が付着する。これにより、基板Ｗ下面の外周側の全周にリング状のパーティクルが発生する。これは、上述の支持ピン１３の影響とは別に、ブラシ１０７によるスクラブ洗浄に比べて、処理液ミストの量が多いことが原因であると考えられる。本発明のスリット状の第２吐出口８３等は、例えば支持ピン１３と基板Ｗの端との接触部分を含む基板Ｗの下面の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。そのため、基板Ｗ下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   In the cleaning with the two-fluid nozzle, the processing liquid flows around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate W and adheres to the lower surface of the substrate W. Thereby, ring-shaped particles are generated on the entire outer periphery of the lower surface of the substrate W. This is considered to be caused by the fact that the amount of the processing liquid mist is larger than the scrub cleaning by the brush 107 apart from the influence of the support pins 13 described above. The slit-shaped second discharge port 83 and the like of the present invention can discharge gas over a wide range near the end of the lower surface of the substrate W including the contact portion between the support pin 13 and the end of the substrate W, for example. Therefore, it is possible to improve the effect of suppressing the wrapping of the processing liquid around the entire outer periphery of the lower surface of the substrate W.

（５）上述した各実施例および各変形例では、例えば図３のように、第２気体吐出部８１の第２吐出口８３は、保護ディスク３３に直接設けられていた。この点、図１２のように、第２吐出口８３は、気体を案内するため、保護ディスク３３から突出する案内部材１６６を介して保護ディスク３３に設けられていてもよい。この場合、第２気体吐出部８１は、第２吐出口８３と案内部材１６６とを備えている。   (5) In each of the above-described embodiments and modifications, for example, as shown in FIG. 3, the second discharge port 83 of the second gas discharge unit 81 is directly provided in the protective disk 33. In this regard, as shown in FIG. 12, the second discharge port 83 may be provided in the protective disk 33 through a guide member 166 protruding from the protective disk 33 in order to guide the gas. In this case, the second gas discharge unit 81 includes a second discharge port 83 and a guide member 166.

（６）上述した実施例１では、保護ディスク３３には、ガイド部８５が設けられ、ボス１５には、ガイド溝８９が設けられていた。この点、図７、図８のように、ガイド部８５およびガイド溝８９が設けられていない構成であってもよい。   (6) In the first embodiment described above, the protective disk 33 is provided with the guide portion 85, and the boss 15 is provided with the guide groove 89. In this regard, as shown in FIG. 7 and FIG. 8, the guide portion 85 and the guide groove 89 may not be provided.

（７）上述した各実施例および各変形例において、図１等に示すスピンチャック２は、上下逆のものであってもよい。この場合、基板Ｗの下面を基板処理した際に、保護ディスク３３と対向する基板Ｗの上面に処理液が回り込むことを抑制する。   (7) In the above-described embodiments and modifications, the spin chuck 2 shown in FIG. 1 and the like may be upside down. In this case, when the lower surface of the substrate W is processed, the processing liquid is prevented from flowing into the upper surface of the substrate W facing the protective disk 33.

（８）上述した各実施例および各変形例において、図１等のように、第１気体吐出部６５が設けられていたが、第１気体吐出部６５および第１気体吐出部６５に気体を送るための構成を省略してもよい。この場合、第２気体吐出部８１は、本発明の気体吐出部に相当する。   (8) In each of the above-described embodiments and modifications, the first gas discharge unit 65 is provided as shown in FIG. 1 and the like, but gas is supplied to the first gas discharge unit 65 and the first gas discharge unit 65. The configuration for sending may be omitted. In this case, the 2nd gas discharge part 81 is corresponded to the gas discharge part of this invention.

本変形例によれば、第２気体吐出部８１，１２０，１５０は、軸線Ｐ１周りにリング状であって、このリングＣＲの外周に沿って長手に形成された少なくとも１つのスリット状の第２吐出口８３，１２６，１５１，１６０，１６２を有する。また、第２気体吐出部８１，１２０，１５０は、スピンチャック２で保持された基板Ｗを平面視した際に、軸線Ｐ１周りに立設された６本の支持ピン１３よりも軸線Ｐ１側でかつ、基板Ｗの外周側に設けられている。第２気体吐出部８１等は、６本の支持ピン１３の各々と基板Ｗの端との接触部分付近を含む基板Ｗの下面の端付近に広範囲に気体を吐出することができる。なお、６本の支持ピン１３の各々と基板Ｗの端との接触部分付近は、基板Ｗの下面に処理液が回り込みやすいと考えられる部分である。すなわち、第２気体吐出部８１等は、支持ピン１３の近くから基板Ｗの下面の端付近にピンポイントで気体を吐出する。そのため、基板Ｗの下面の外周側の全周への処理液の回り込み抑制効果を改善できる。   According to this modification, the second gas discharge portions 81, 120, 150 are ring-shaped around the axis P1, and are at least one slit-shaped second formed longitudinally along the outer periphery of the ring CR. Discharge ports 83, 126, 151, 160, 162 are provided. In addition, the second gas ejection units 81, 120, and 150 are located closer to the axis P1 than the six support pins 13 provided around the axis P1 when the substrate W held by the spin chuck 2 is viewed in plan. And it is provided on the outer peripheral side of the substrate W. The second gas discharge unit 81 and the like can discharge gas over a wide range near the end of the lower surface of the substrate W including the vicinity of the contact portion between each of the six support pins 13 and the end of the substrate W. In addition, the vicinity of the contact portion between each of the six support pins 13 and the end of the substrate W is a portion where the processing liquid is likely to enter the lower surface of the substrate W. That is, the second gas discharge unit 81 and the like discharge gas at a pinpoint from the vicinity of the support pin 13 to the vicinity of the end of the lower surface of the substrate W. Therefore, it is possible to improve the effect of preventing the processing liquid from flowing around the entire circumference on the outer peripheral side of the lower surface of the substrate W.

なお、第２気体吐出部８１等は、軸線Ｐ１周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手でかつそのリングの全周にかけて形成された１つのスリット状の第２吐出口８３，１２６，１５１を有する場合があるとする。この場合、第２気体吐出部８１等は、６本の支持ピン１３の各々と基板Ｗの端との接触部分付近を含む基板Ｗの下面の端付近の全周に気体を吐出することができる。   The second gas discharge portion 81 and the like are ring-shaped around the axis P1, and are formed along one outer periphery of the ring and are formed in a single slit-shaped second discharge port 83 formed over the entire periphery of the ring. , 126, 151. In this case, the second gas discharge unit 81 or the like can discharge gas to the entire periphery near the end of the lower surface of the substrate W including the vicinity of the contact portion between each of the six support pins 13 and the end of the substrate W. .

１ … 基板処理装置
２ … スピンチャック
３ … 回転駆動機構
７ … 処理機構
９ … 処理液供給機構
１１，１５３ … スピンベース
１３ … 支持ピン
３３，１２２ … 保護ディスク
６５ … 第１気体吐出部
７３ … 第１吐出口
８１，１２０，１５０ … 第２気体吐出部
８３，１２６，１５１，１６０，１６２，１６４ … 第２吐出口
８３Ａ，１６２Ａ … 支持ピンに対向する部分
８３Ｂ，１６２Ｂ … 対向する部分以外の部分
１１３ … 制御部
１２４ … 気体案内板
ＣＲ … リング
ＣＭ … カップ昇降機構
ＧＭ … 案内板昇降機構
ＧＰ … 隙間
ＨＢ１，ＨＢ２ … スリット幅
Ｐ１ … 軸線
ＳＰ１〜ＳＰ３ … 空間
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate processing apparatus 2 ... Spin chuck 3 ... Rotation drive mechanism 7 ... Processing mechanism 9 ... Treatment liquid supply mechanism 11,153 ... Spin base 13 ... Support pin 33, 122 ... Protection disk 65 ... 1st gas discharge part 73 ... 1st 1 discharge port 81, 120, 150 ... 2nd gas discharge part 83, 126, 151, 160, 162, 164 ... 2nd discharge port 83A, 162A ... Parts which oppose support pin 83B, 162B ... Parts other than the part which opposes 113 ... Control unit 124 ... Gas guide plate CR ... Ring CM ... Cup lifting mechanism GM ... Guide plate lifting mechanism GP ... Gap HB1, HB2 ... Slit width P1 ... Axis SP1-SP3 ... Space

Claims (11)

鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、
前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、
前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられ、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第１気体吐出部と、
前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記第１気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に前記気体を吐出する第２気体吐出部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holder having a spin base rotatable around a vertical axis, and a plurality of support members erected on an outer peripheral side of the spin base and around the axis, wherein the plurality of support members The substrate holding unit for holding the substrate in a state in which the spin base and the substrate are separated from each other;
A rotation drive mechanism for rotating the substrate holding portion around the axis;
A processing unit for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate held and rotated by the substrate holding unit and processing the substrate;
A first gas discharge unit that is provided below the center of the substrate held by the substrate holding unit and discharges gas to the lower surface of the substrate so that gas flows from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate;
When the substrate held by the substrate holding part is viewed in plan, the first gas discharge is provided on the axis side and on the outer peripheral side of the substrate with respect to the plurality of support members erected around the axis. In addition to gas discharge by the unit, a second gas discharge unit that discharges the gas in the vicinity of a contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第２気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも１つのスリット状の吐出口を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the second gas discharge section has a ring shape around the axis, and has at least one slit-shaped discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring. 請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第２気体吐出部は、前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手でかつ前記リングの全周にかけて形成された１つのスリット状の吐出口を有することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The second gas discharge section has a ring shape around the axis, and has one slit-shaped discharge port that is long along the outer periphery of the ring and is formed over the entire periphery of the ring. Substrate processing apparatus. 請求項２または３に記載の基板処理装置において、
前記スリット状の吐出口は、前記複数の支持部材の各々に対向する部分のスリット幅が、前記対向する部分以外の部分のスリット幅よりも広くなるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 2 or 3,
The slit-shaped discharge port is configured such that a slit width of a portion facing each of the plurality of support members is wider than a slit width of a portion other than the facing portion. Processing equipment. 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第２気体吐出部は、前記軸線周りにリング状に複数の吐出口を有し、
前記複数の吐出口は、前記回転駆動機構によって前記複数の支持部材と一緒に前記軸線周りに回転されるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The second gas discharge part has a plurality of discharge ports in a ring shape around the axis,
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of discharge ports are configured to be rotated about the axis together with the plurality of support members by the rotation driving mechanism. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた板状保護部材と、基板処理する場合に前記板状保護部材を上昇させる昇降機構とを更に備え、
前記第１気体吐出部は、基板と前記板状保護部材との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、
前記第２気体吐出部は、前記板状保護部材に設けられ、前記第２気体吐出部には、前記板状保護部材の内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus in any one of Claim 1 to 5,
A plate-like protection member provided between the spin base and the substrate so as to be movable up and down, and a lifting mechanism for raising the plate-like protection member when the substrate is processed;
The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that gas flows between the substrate and the plate-shaped protective member from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate,
The substrate is characterized in that the second gas discharge part is provided on the plate-like protective member, and gas is supplied to the second gas discharge part through a space provided inside the plate-like protective member. Processing equipment. 請求項６に記載の基板処理装置において、
前記板状保護部材は、前記スピンベースと基板との間に昇降可能に設けられた保護板と、前記保護板と前記スピンベースとの間に昇降可能に設けられた気体案内板とを備え、
前記第１気体吐出部は、基板と前記保護板との間を基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出し、
前記第２気体吐出部は、前記保護板と前記気体案内板との隙間で形成された少なくとも１つの吐出口を有し、前記第２気体吐出部には、前記保護板と前記気体案内板との間に形成された空間を通じて気体が供給され、
前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を上昇させることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6,
The plate-like protective member includes a protective plate provided to be movable up and down between the spin base and the substrate, and a gas guide plate provided to be movable up and down between the protective plate and the spin base,
The first gas discharge unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that the gas flows from the center side of the substrate toward the outer peripheral side of the substrate between the substrate and the protective plate,
The second gas discharge part has at least one discharge port formed by a gap between the protection plate and the gas guide plate, and the second gas discharge part includes the protection plate, the gas guide plate, Gas is supplied through the space formed between
The lifting mechanism raises the protective plate and the gas guide plate when processing a substrate. 請求項７に記載の基板処理装置において、
前記気体案内板は、前記保護板に対して独立して昇降可能であり、
前記昇降機構は、基板処理する場合に前記保護板および気体案内板を個々に上昇させると共に、前記吐出口を形成する前記隙間の幅を調整することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 7,
The gas guide plate can be moved up and down independently of the protection plate,
In the substrate processing apparatus, the lifting mechanism raises the protective plate and the gas guide plate individually when the substrate is processed, and adjusts the width of the gap forming the discharge port. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２気体吐出部は、前記スピンベースに設けられ、前記第２気体吐出部には、前記スピンベースの内部に設けられた空間を通じて気体が供給されることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus in any one of Claim 1 to 5,
The substrate processing apparatus, wherein the second gas discharge unit is provided in the spin base, and gas is supplied to the second gas discharge unit through a space provided in the spin base. 鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、
前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、
前記軸線周りにリング状であって、このリングの外周に沿って長手に形成された少なくとも１つのスリット状の吐出口を有する気体吐出部であって、前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記軸線周りに立設された前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられ、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近を含む前記基板の端付近の全周に前記気体を吐出する前記気体吐出部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holder having a spin base rotatable around a vertical axis, and a plurality of support members erected on an outer peripheral side of the spin base and around the axis, wherein the plurality of support members The substrate holding unit for holding the substrate in a state in which the spin base and the substrate are separated from each other;
A rotation drive mechanism for rotating the substrate holding portion around the axis;
A processing unit for supplying a processing liquid to the upper surface of the substrate held and rotated by the substrate holding unit and processing the substrate;
A gas discharge part having a ring shape around the axis and having at least one slit-like discharge port formed longitudinally along the outer periphery of the ring, the substrate held by the substrate holding part being planar When viewed, the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate is provided on the axis side of the plurality of support members erected around the axis and on the outer peripheral side of the substrate. The gas discharge part for discharging the gas to the entire periphery near the end of the substrate including the vicinity;
A substrate processing apparatus comprising: 鉛直方向の軸線周りに回転可能なスピンベースおよび、前記スピンベースの外周側でかつ前記軸線周りに立設された複数の支持部材を有する基板保持部であって、前記複数の支持部材によって、前記スピンベースと基板とを離した状態で、基板を保持する前記基板保持部と、
前記基板保持部を前記軸線周りに回転させる回転駆動機構と、
前記基板保持部で保持されて回転する基板の上面に、処理液を供給して基板処理する処理部と、を備えた基板処理装置による基板処理方法において、
前記基板保持部で保持された基板の中心の下方に設けられた第１気体吐出部により、基板の中心側から基板の外周側に向けて気体が流れるように基板の下面に気体を吐出する第１気体吐出工程と、
前記基板保持部で保持された基板を平面視した際に、前記複数の支持部材よりも前記軸線側でかつ、基板の外周側に設けられた第２気体吐出部により、前記第１気体吐出部による気体の吐出に加えて、前記複数の支持部材の各々と前記基板の端との接触部分付近に気体を吐出する第２気体吐出工程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
A substrate holder having a spin base rotatable around a vertical axis, and a plurality of support members erected on an outer peripheral side of the spin base and around the axis, wherein the plurality of support members The substrate holding unit for holding the substrate in a state in which the spin base and the substrate are separated from each other;
A rotation drive mechanism for rotating the substrate holding portion around the axis;
In a substrate processing method by a substrate processing apparatus comprising: a processing unit that supplies a processing liquid to a top surface of a substrate that is held and rotated by the substrate holding unit;
A first gas discharge unit provided below the center of the substrate held by the substrate holding unit discharges gas to the lower surface of the substrate so that gas flows from the center side of the substrate toward the outer periphery side of the substrate. 1 gas discharge step;
When the substrate held by the substrate holding part is viewed in plan, the first gas discharging part is provided by the second gas discharging part provided on the axis side of the plurality of support members and on the outer peripheral side of the substrate. In addition to gas discharge by the second gas discharge step of discharging gas near the contact portion between each of the plurality of support members and the end of the substrate;
A substrate processing method characterized by comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN215390401U (en) * 2019-12-19 2022-01-04 株式会社斯库林集团 Slit nozzle and substrate processing apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019545A (en) * 2004-07-02 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment equipment
JP2012195346A (en) * 2011-03-15 2012-10-11 Renesas Electronics Corp Wet processing apparatus and manufacturing method for wet processing apparatus
JP2013229552A (en) * 2011-12-19 2013-11-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
JP2017069263A (en) * 2015-09-28 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate holding device
JP2017069532A (en) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
JP2017069531A (en) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11289002A (en) * 1998-04-03 1999-10-19 Toshiba Microelectronics Corp Single wafer processing mechanism
US9589818B2 (en) * 2012-12-20 2017-03-07 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019545A (en) * 2004-07-02 2006-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment equipment
JP2012195346A (en) * 2011-03-15 2012-10-11 Renesas Electronics Corp Wet processing apparatus and manufacturing method for wet processing apparatus
JP2013229552A (en) * 2011-12-19 2013-11-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
JP2017069263A (en) * 2015-09-28 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate holding device
JP2017069532A (en) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
JP2017069531A (en) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate holding rotating device and substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method

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