JPH11289002A - Single wafer processing mechanism - Google Patents
Single wafer processing mechanismInfo
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- JPH11289002A JPH11289002A JP10091416A JP9141698A JPH11289002A JP H11289002 A JPH11289002 A JP H11289002A JP 10091416 A JP10091416 A JP 10091416A JP 9141698 A JP9141698 A JP 9141698A JP H11289002 A JPH11289002 A JP H11289002A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造工程に
おいて、被処理体、特に半導体ウェハにおける現像、洗
浄、エッチング等で用いられる枚葉処理チャックを改善
した枚葉処理機構に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single-wafer processing mechanism having an improved single-wafer processing chuck used for development, cleaning, etching, and the like of an object to be processed, particularly a semiconductor wafer, in a semiconductor manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の枚葉処理チャックにおけるウェハ
の固定機構は、次の（Ａ），（Ｂ）に代表されるものが
ある。 （Ａ）ウェハ裏面を真空引きで吸着し、ウェハを固定す
る機構。2. Description of the Related Art A wafer fixing mechanism in a conventional single-wafer processing chuck is represented by the following (A) and (B). (A) A mechanism for fixing the wafer by sucking the back surface of the wafer by evacuation.
【０００３】（Ｂ）ウェハ外周端部を複数のピンにより
挟み込み、ウェハを固定する機構。図５（ａ），（ｂ）
はそれぞれ、（Ａ）の機構に関する、ウェハ裏面の平面
図と、横からの概観図を示す。真空吸着チャック３１
は、回転駆動部３２にその中心軸が固定されている。ウ
ェハ３３は、真空吸着チャック３１とウェハ３３の裏面
が部分的に接触し、真空引きで固定される。(B) A mechanism for fixing the wafer by sandwiching the outer peripheral edge of the wafer with a plurality of pins. FIG. 5 (a), (b)
3A and 3B show a plan view of the back surface of the wafer and a schematic view from the side of the mechanism of FIG. Vacuum suction chuck 31
Has its center axis fixed to the rotation drive unit 32. The wafer 33 is fixed by vacuum suction chuck 31 and the back surface of the wafer 33 in partial contact.
【０００４】このような機構では、図５（ａ）に示すよ
うに、ウェハ３３の裏面におけるウェハチャックの接触
部において、ダストが圧着され付着することがある（吸
着痕３４）。このダストは、ウェハの水平精度に誤差を
生じさせたり、以降の処理中に剥がれてウェハ表面に回
り込んで付着したりする。このようなダストの存在は、
製品歩留まりの低下の原因となる。In such a mechanism, as shown in FIG. 5 (a), dust may be pressed and adhered to the contact portion of the wafer chuck on the back surface of the wafer 33 (adsorption marks 34). The dust may cause an error in the horizontal accuracy of the wafer, or may be peeled off during the subsequent processing and adhere to the wafer surface. The presence of such dust
This causes a reduction in product yield.
【０００５】図６（ａ），（ｂ）はそれぞれ、（Ｂ）の
機構に関する、ウェハ表面から見た平面図と、横からの
概観図を示す。ピン保持式のウェハチャック３５は、回
転駆動部３２にその中心軸が固定されている。ウェハ３
３は、ウェハチャック３５の周囲の複数のピン３６によ
りウェハ１の外周部が挟み込まれることにより固定され
る。FIGS. 6 (a) and 6 (b) show a plan view from the wafer surface and a schematic view from the side of the mechanism of FIG. The center axis of the pin holding type wafer chuck 35 is fixed to the rotation drive unit 32. Wafer 3
3 is fixed by pinching the outer peripheral portion of the wafer 1 by a plurality of pins 36 around the wafer chuck 35.
【０００６】このような機構では、ピン３６がウェハ表
面から１ｍｍ以上突出している。このため、次のような
懸念がある。 （ｉ）ウェハ回転時の処理において、処理液がピン３６
に当たって跳ね、ウェハ３３への再付着による汚染が発
生する。 （ii）ウェハ回転時の処理において、ピン３６の存在に
より乱気流が発生し、ウェハ３３のピン周辺部分におい
て現像、エッチング等の処理に関し、処理ムラ３７が発
生する。 (iii) ウェハ回転時の処理において、ピン３６を経由し
てウェハ裏面の外周近傍部分に処理液が回り込む。この
処理液がエッチング液なら、裏面の外周近傍部分がエッ
チングされてしまう。 上記（ｉ），（ii），(iii) はいずれも製造歩留まりを
低下させる原因となる。In such a mechanism, the pins 36 protrude from the wafer surface by 1 mm or more. Therefore, there are the following concerns. (I) In the process at the time of wafer rotation, the processing liquid
, And contamination due to re-adhesion to the wafer 33 occurs. (Ii) In the process at the time of wafer rotation, turbulence is generated due to the presence of the pins 36, and processing irregularities 37 occur in the peripheral portions of the wafer 33, such as development and etching. (iii) In the processing during the rotation of the wafer, the processing liquid flows around the periphery of the back surface of the wafer via the pins 36. If this processing liquid is an etching liquid, the portion near the outer periphery of the back surface will be etched. All of the above (i), (ii), and (iii) cause a reduction in manufacturing yield.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の枚葉処理機構に
おいて、ウェハ裏面の真空チャックによるウェハの固定
機構では、ウェハ裏面にダストが付着する。また、ウェ
ハ外周端部をピンで挟み込むウェハの固定機構では、ピ
ンがウェハ表面より１ｍｍ以上突出しており、ウェハ回
転中の処理液の跳ね、ピン周辺部分におけるウェハ表面
の現像、エッチング等の処理ムラ、ウェハ裏面への処理
液の回り込みといった、製造工程における信頼性を低下
させる原因を抱えているという問題がある。In the conventional single-wafer processing mechanism, dust adheres to the back surface of the wafer in the mechanism for fixing the wafer by the vacuum chuck on the back surface of the wafer. Further, in the wafer fixing mechanism in which the outer peripheral edge of the wafer is sandwiched between the pins, the pins protrude by 1 mm or more from the wafer surface, and the processing liquid splashes during rotation of the wafer, and the processing unevenness such as development and etching of the wafer surface around the pins. In addition, there is a problem that the reliability of the manufacturing process is reduced, such as the spilling of the processing liquid onto the back surface of the wafer.
【０００８】この発明は上記のような事情を考慮し、そ
の課題は、信頼性や歩留まりの低下の原因をなくするよ
うに改善された、半導体ウェハの枚葉処理機構を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to provide a semiconductor wafer single-wafer processing mechanism improved so as to eliminate the causes of a decrease in reliability and yield.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明の枚葉処理装置
は、回転駆動部と、前記回転駆動部に中心軸が接続され
被処理体を所定位置に載せるため周辺各所に位置決め部
を有した回転ベースと、前記回転ベースの周辺において
位置決め部の相互間に設けられた被処理体の端面を保持
する保持部材と、前記回転ベースの上方に設けられ被処
理体への処理に対応した物質が送出される処理ノズルと
を具備し、前記回転ベースにおける被処理体の裏面の接
触位置からの前記位置決め部及び保持部材の突出高さＸ
ｍｍは、被処理体の端面の厚さをＡｍｍとすると、０＜
Ｘ＜Ａ＋０．５ｍｍであることを特徴とする。A single wafer processing apparatus according to the present invention has a rotary drive unit, and a central shaft connected to the rotary drive unit, and positioning units at various locations around the workpiece to place the workpiece at a predetermined position. A rotating base, a holding member that holds an end face of the processing object provided between the positioning portions around the rotation base, and a substance that is provided above the rotating base and that corresponds to processing on the processing object. And a projection height X of the positioning part and the holding member from the contact position of the back surface of the object to be processed on the rotating base.
mm is 0 <where A is the thickness of the end face of the object to be processed.
X <A + 0.5 mm.
【００１０】この発明では、位置決め部の相互間に被処
理体の保持部材が設けられ、その突出高さが被処理体の
表面から０．５ｍｍを越えない構成とされる。これによ
り、被処理体の高速回転時、乱気流や処理液の跳ね返り
が抑えられる。In the present invention, the holding member for the object to be processed is provided between the positioning portions, and the projecting height thereof does not exceed 0.5 mm from the surface of the object to be processed. Thereby, at the time of high-speed rotation of the object to be processed, turbulence and rebound of the processing liquid are suppressed.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１は、この発明の実施形態によ
る枚葉処理機構の要部の構成図であり、（ａ）は上から
見た平面図、（ｂ）は横から見た断面図を示す。回転駆
動部１の回転軸に回転ベース２の中心軸が接続されてい
る。この回転ベース２は、被処理体、例えば半導体ウェ
ハ（二点鎖線７）を所定位置に載せるため、周辺各所に
位置決め部２１を有している。ここでは、位置決め部２
１は、回転ベース２の周囲３個所に円弧状に所定の高さ
を持って均等に設けられる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a structural view of a main part of a single-wafer processing mechanism according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a plan view seen from above, and (b) is a cross section seen from the side. The figure is shown. The center axis of the rotation base 2 is connected to the rotation axis of the rotation drive unit 1. The rotation base 2 has positioning portions 21 at various locations around the object to be processed, for example, a semiconductor wafer (two-dot chain line 7) at a predetermined position. Here, the positioning unit 2
Numerals 1 are equally provided at three locations around the rotation base 2 in a circular arc shape having a predetermined height.
【００１２】また、回転ベース２の周辺において、位置
決め部２１の相互間に半導体ウェハの端面部分を保持す
るための保持部材４が設けられている。この保持部材４
は、位置決め部２１の円弧状の形を繋ぐようにはまり込
んでいる。この保持部材４は、実質的に位置決め部２１
と同じ高さを持って均等に設けられるのが好ましい。す
なわち、位置決め部２１と保持部材４により、搭載する
ウェハに適正な回転ベース２の外周枠が構成されると考
えてもよい。A holding member 4 for holding the end face portion of the semiconductor wafer is provided between the positioning portions 21 around the rotary base 2. This holding member 4
Are fitted so as to connect the arc-shaped shapes of the positioning portion 21. This holding member 4 is substantially positioned
It is preferable to be provided evenly with the same height as That is, it may be considered that the positioning unit 21 and the holding member 4 form an appropriate outer peripheral frame of the rotating base 2 on the wafer to be mounted.
【００１３】上記保持部材４は、例えば、それぞれ重心
がオフセットされた点に設けられるガイドピン４１によ
り回転ベース２と接続されている。保持部材４は、この
ガイドピン４１を軸として可動状態になっている。これ
により、回転ベース２の遠心力によって一方端側が回転
ベース２の外側に他方端側が回転ベース２の内側に移動
してウェハを保持するようになっている。The holding member 4 is connected to the rotating base 2 by, for example, guide pins 41 provided at points where the centers of gravity are offset. The holding member 4 is movable around the guide pin 41 as an axis. Thereby, the one end side moves outside the rotation base 2 and the other end side moves inside the rotation base 2 by the centrifugal force of the rotation base 2 to hold the wafer.
【００１４】チャック開ピン１０は、回転ベース２での
ウェハの出し入れの際、保持部材４を押し開くもので、
例えば、ウェハの搬送部と連動して作動する。なお、位
置決め部２１の半円状の切り欠き部２１１は、ウェハの
出し入れの際、ウェハの搬送部のアームの先端部が一時
的に入る部分である。The chuck opening pin 10 pushes and opens the holding member 4 when the wafer is taken in and out of the rotating base 2.
For example, it operates in conjunction with a wafer transfer unit. The semicircular notch 211 of the positioning unit 21 is a portion where the tip of the arm of the wafer transfer unit temporarily enters when the wafer is taken in and out.
【００１５】上記回転ベース２において、半導体ウェハ
（二点鎖線７で図示）を載せたとき、ウェハの裏面が接
触する位置２２からの上記位置決め部２１及び保持部材
４の突出高さＸｍｍは、ウェハの端面の厚さをＡｍｍと
すると、 ０＜Ｘ＜Ａ＋０．５ｍｍ を満足するように構成されている。When a semiconductor wafer (shown by a two-dot chain line 7) is placed on the rotating base 2, the height Xmm at which the positioning portion 21 and the holding member 4 project from a position 22 where the back surface of the wafer contacts is If the thickness of the end face is A mm, then 0 <X <A + 0.5 mm is satisfied.
【００１６】すなわち、ウェハを回転ベース２に載せた
とき、位置決め部２１及び保持部材４の突出高さがウェ
ハの表面から０．５ｍｍを越えないように構成される。
しかも、均等な高さで回転ベース２の外周枠を構成する
ように設けられているのである。ここでは、より好まし
い一例として位置決め部２１及び保持部材４の突出高さ
がウェハの表面より低いようになっている。That is, when the wafer is placed on the rotating base 2, the protruding height of the positioning portion 21 and the holding member 4 does not exceed 0.5 mm from the surface of the wafer.
In addition, they are provided so as to form the outer peripheral frame of the rotating base 2 at a uniform height. Here, as a more preferable example, the projecting height of the positioning portion 21 and the holding member 4 is set lower than the surface of the wafer.
【００１７】このように、位置決め部２１及び保持部材
４の突出高さが搭載する半導体ウェハの表面から０．５
ｍｍを越えないように構成されれば、従来技術のように
所々にウェハ保持用のピンが１ｍｍ以上突出している構
成に比べて、ウェハの高速回転時、処理液の跳ね返り、
気流の乱れによる処理ムラが抑えられる。また、突出し
たピンでは処理液が溜まり易く、ピンを経由して処理液
がウェハの裏面へ回り込むといった従来の問題も改善さ
れ、処理液がウェハの裏面へ回り込みにくくなった。こ
れにより、製品歩留まりの低下を減少させる。As described above, the projecting height of the positioning portion 21 and the holding member 4 is set at 0.5 mm from the surface of the semiconductor wafer to be mounted.
mm, the processing solution rebounds during high-speed rotation of the wafer, as compared to a configuration in which pins for holding a wafer protrude more than 1 mm in places as in the related art.
Processing unevenness due to airflow turbulence is suppressed. In addition, the processing liquid easily accumulates on the protruding pins, and the conventional problem that the processing liquid flows to the back surface of the wafer via the pin is also improved, and the processing liquid is less likely to flow to the back surface of the wafer. As a result, a decrease in product yield is reduced.
【００１８】図１によれば、さらなる特徴として、上記
回転ベース２の下部において中心軸の周りに例えばＮ2
ガス供給用のブロック５が設けられている。回転ベース
２には、その内部を貫通しブロック５からのガスが送り
込まれる供給口２３が配備されている。ブロック５は回
転ベース２の回転時においても固定されている。６はラ
ビリンスシールを示しており、ガス供給時の漏れを低減
する。According to FIG. 1, a further feature is that, for example, N 2 around the central axis at the lower part of the rotary base 2
A block 5 for gas supply is provided. The rotary base 2 is provided with a supply port 23 through which the gas from the block 5 is fed. The block 5 is fixed even when the rotation base 2 rotates. Reference numeral 6 denotes a labyrinth seal for reducing leakage at the time of gas supply.
【００１９】上記構成によれば、回転ベース２の回転
時、供給口２３にブロック５からＮ2ガスが送り込ま
れ、回転ベース２とウェハの裏面との間の空間の気圧が
高められる構成になっている。According to the above configuration, when the rotary base 2 rotates, the N 2 gas is sent from the block 5 to the supply port 23 to increase the pressure in the space between the rotary base 2 and the back surface of the wafer. ing.
【００２０】なお、回転ベース２の上記位置決め部２１
及び保持部材４に隣接した周辺個所２２がウェハの裏面
周囲の接触位置に対応する。この周辺個所２２から回転
ベース２の中心に向かってはウェハの裏面との接触を避
けるため徐々にウェハとの隔たりが大きくなる。The positioning portion 21 of the rotary base 2
The peripheral portion 22 adjacent to the holding member 4 corresponds to a contact position around the back surface of the wafer. The distance from the peripheral portion 22 toward the center of the rotary base 2 gradually increases to avoid contact with the back surface of the wafer.
【００２１】供給口２３は、回転ベース２とウェハの裏
面との間隔が上記回転ベース２の周辺個所２２の近傍に
比べて広くなった空間の周辺に設けられる。このような
空間の気圧が高められることによって、処理液のウェハ
の裏面への回り込みを抑える効果はさらに高められる。The supply port 23 is provided in the periphery of a space where the distance between the rotary base 2 and the back surface of the wafer is wider than the vicinity of the peripheral portion 22 of the rotary base 2. By increasing the air pressure in such a space, the effect of suppressing the processing liquid from flowing around to the back surface of the wafer is further enhanced.
【００２２】また、回転ベース２の端面２４は上記位置
決め部２１または保持部材４の延在を含んで中心軸から
遠ざかる方向にテーパ形状を有している。この形状は、
回転ベース２の回転時、乱気流を低減する作用がある。
換言すれば、ウェハ外周の気流を整流する効果がある。The end face 24 of the rotary base 2 has a tapered shape in a direction away from the center axis including the positioning portion 21 or the holding member 4. This shape
When the rotation base 2 rotates, it has an effect of reducing turbulence.
In other words, there is an effect of rectifying the airflow around the wafer.
【００２３】図２は、図１の点線の円で囲んだＦ２部分
の、回転ベースの端面と半導体ウェハの保持部材の部分
的な拡大図を示している。保持部材４の突出高さが半導
体ウェハ７の表面より低く構成されている図示しない
が、位置決め部２１も同様の突出高さを有するのが好ま
しい。FIG. 2 is a partially enlarged view of the end face of the rotary base and the holding member for the semiconductor wafer in a portion F2 surrounded by a dotted circle in FIG. Although not shown, the protrusion height of the holding member 4 is lower than the surface of the semiconductor wafer 7, it is preferable that the positioning portion 21 also has the same protrusion height.
【００２４】半導体ウェハの厚さは様々で、例えば０．
２ｍｍ〜１．０ｍｍといったものがある。これは保持部
材４及び位置決め部２１の突出高さが半導体ウェハ７の
表面より低く構成されたものであるが、突出高さがウェ
ハ７の表面と実質同じ高さの状態でもどちらでもこの発
明の効果が得られる。The thickness of the semiconductor wafer may vary, for example,
There is such as 2 mm to 1.0 mm. Although the projecting height of the holding member 4 and the positioning portion 21 is configured to be lower than the surface of the semiconductor wafer 7, the present invention is applicable to both cases where the projecting height is substantially the same as the surface of the wafer 7. The effect is obtained.
【００２５】すなわち、保持部材４及び位置決め部２１
がウェハ７の表面より突出しない構成によっても、ウェ
ハの高速回転時、処理液の跳ね返り、気流の乱れによる
処理ムラ、処理液のウェハの裏面への回り込みが抑えら
れる。That is, the holding member 4 and the positioning portion 21
Does not protrude from the front surface of the wafer 7, even when the wafer rotates at a high speed, the processing liquid rebounds, the processing unevenness due to the turbulence of the air flow, and the processing liquid flowing to the back surface of the wafer are suppressed.
【００２６】特に、レジスト塗布に関する処理は、この
ように保持部材４及び位置決め部２１がウェハ７の表面
より突出しない構成が望ましい。エッチング、洗浄に関
する処理なら、位置決め部２１及び保持部材４の突出高
さがウェハの表面から０．５ｍｍを越えないように構成
すれば、この発明の効果は発揮できる。もちろん、エッ
チング、洗浄に関する処理でも、このように保持部材４
及び位置決め部２１がウェハ７の表面より突出しない構
成も好ましい。In particular, for the processing relating to the resist coating, it is desirable that the holding member 4 and the positioning portion 21 do not protrude from the surface of the wafer 7 as described above. In the case of processing related to etching and cleaning, the effects of the present invention can be exerted if the protruding height of the positioning portion 21 and the holding member 4 does not exceed 0.5 mm from the surface of the wafer. Of course, even in the processing related to etching and cleaning, the holding member 4
A configuration in which the positioning portion 21 does not protrude from the surface of the wafer 7 is also preferable.
【００２７】図３は、図１の枚葉処理機構を示す概観図
である。図１と同様の個所には同一の符号を付してい
る。周囲にリフレクタ８、処理ノズル９を示した。ま
た、上部には参考までにウェハ搬送部の一例を簡略化し
て示している。FIG. 3 is a schematic view showing the single-wafer processing mechanism of FIG. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. A reflector 8 and a processing nozzle 9 are shown around the periphery. In addition, an example of a wafer transfer unit is simplified in the upper part for reference.
【００２８】リフレクタ８は、この枚葉処理機構が納ま
っている図示しないチャンバの内側に、上記回転ベース
２を主に囲むように設けられ、処理液の跳ねを防止しつ
つ排出に導く作用を有する。The reflector 8 is provided inside the chamber (not shown) in which the single-wafer processing mechanism is housed so as to mainly surround the rotary base 2, and has a function of preventing the processing liquid from jumping and discharging the processing liquid. .
【００２９】処理ノズル９は、回転ベース２の上方に設
けられ、ウェハへの処理に対応した物質が送出される。
例えば、この枚葉処理機構が、洗浄処理をするものであ
れば、純水、エッチング処理をするものであればエッチ
ング液、現像処理をするものであれば、なら現像液等で
ある。洗浄とエッチングなど複数の用途を一つのチャン
バで行う枚葉処理機構であれば、処理ノズル９は複数設
けられる。The processing nozzle 9 is provided above the rotary base 2 and sends out a substance corresponding to processing on a wafer.
For example, if the single-wafer processing mechanism performs a cleaning process, pure water is used. If the single-wafer processing mechanism performs an etching process, the etching solution is used. In the case of a single-wafer processing mechanism that performs a plurality of uses such as cleaning and etching in one chamber, a plurality of processing nozzles 9 are provided.
【００３０】ウェハ搬送部は、例えば、３本のアーム１
１ａ，１１ｂ，１１ｃでウェハ７の端面を挟み込み移動
する。ウェハの出し入れの際、位置決め部２１の半円状
の切り欠き部２１１，２１２，２１３に、それぞれのア
ーム１１ａ，１１ｂ，１１ｃの先端を挿入してウェハを
挟んだり離したりする。The wafer transfer section includes, for example, three arms 1
The end face of the wafer 7 is sandwiched and moved by 1a, 11b and 11c. When the wafer is taken in and out, the tips of the arms 11a, 11b, and 11c are inserted into the semicircular cutouts 211, 212, and 213 of the positioning unit 21 to sandwich or separate the wafer.
【００３１】図４は、図１の回転ベースの分解図であ
る。回転ベース２の下方にはガス供給用のブロック５、
回転駆動部１を示している。位置決め部２１は、回転ベ
ース２と一体的に形成されている。保持部材４それぞれ
は、位置決め部２１の相互間に円弧状の形を繋ぐように
同じ高さではまり込む。各保持部材４は、重心がオフセ
ットされた開口４３を介する上述したガイドピン４１に
より回転ベース２と接続され、このガイドピン４１を軸
として可動状態となる。FIG. 4 is an exploded view of the rotation base of FIG. Below the rotary base 2, a block 5 for gas supply,
The rotation drive unit 1 is shown. The positioning part 21 is formed integrally with the rotation base 2. Each of the holding members 4 fits at the same height so as to connect an arc shape between the positioning portions 21. Each holding member 4 is connected to the rotary base 2 by the above-described guide pin 41 through the opening 43 whose center of gravity is offset, and is movable around the guide pin 41 as an axis.
【００３２】回転ベース２は、例えば３０００ｒｐｍで
回転する。各保持部材４は、回転ベース２の回転始動
後、およそ５０ｒｐｍに達すると、遠心力によって一方
端側が回転ベースの外側に他方端側が回転ベースの内側
に移動してウェハを保持する。このように保持部材４を
作動させるように構成すれば、ウェハの保持に関しては
問題ない。また、処理するウェハの厚さによって保持部
材４の厚さ、あるいは材質を変えることも可能である。The rotation base 2 rotates at, for example, 3000 rpm. When the rotation of the rotation base 2 reaches about 50 rpm after the rotation of the rotation base 2 is started, one end moves to the outside of the rotation base and the other end moves to the inside of the rotation base by centrifugal force to hold the wafer. If the holding member 4 is configured to operate as described above, there is no problem in holding the wafer. The thickness or material of the holding member 4 can be changed depending on the thickness of the wafer to be processed.
【００３３】保持部材４の材質は、セラミック、テフロ
ンが適当である。処理によっては、ウェハに悪影響を与
えなければ金属でもよい場合がある。ガイドピン４１の
材質は、セラミック、ステンレスやチタンなどの金属が
考えられる。回転ベース２の材質は、セラミックか樹脂
系（テフロン）が適当である。また、ガス供給用のブロ
ック５の材質は適当に選べばよい。また、供給ガスはＮ
2 に限らず、処理するウェハに対して不活性とみられる
清浄な空気なら他のガスでもかまわない。The material of the holding member 4 is suitably ceramic or Teflon. In some processes, metal may be used as long as it does not adversely affect the wafer. The material of the guide pin 41 may be a metal such as ceramic, stainless steel, or titanium. The material of the rotating base 2 is suitably ceramic or resin (Teflon). The material of the gas supply block 5 may be appropriately selected. The supply gas is N
The gas is not limited to 2, and any other gas may be used as long as it is clean air that is considered inert to the wafer to be processed.
【００３４】以上のような実施形態の構成によれば、被
処理体である半導体ウェハの高速回転時、乱気流や処理
液の跳ね返り、処理ムラ及び処理液の裏面への回り込み
が抑えられる。この結果、この発明の枚葉処理機構は、
信頼性や歩留まりの低下の原因がなくなるように改善さ
れる。According to the configuration of the above embodiment, when the semiconductor wafer as the object to be processed is rotated at a high speed, turbulence, rebound of the processing liquid, processing unevenness, and wraparound of the processing liquid to the back surface are suppressed. As a result, the single wafer processing mechanism of the present invention
Improvements are made so as to eliminate the cause of the decrease in reliability and yield.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
被処理体（ウェハ）の位置決め部とその相互間の保持部
材が、突出高さとして被処理体の表面から０．５ｍｍを
越えない構成とされる。これにより、被処理体の高速回
転時、乱気流や処理液の跳ね返りが抑えられ，信頼性や
歩留まりの低下の原因を大幅に低減した枚葉処理機構が
提供できる。As described above, according to the present invention,
The positioning portion of the object to be processed (wafer) and the holding member therebetween are configured so that the projecting height does not exceed 0.5 mm from the surface of the object to be processed. Accordingly, when the object to be processed is rotated at a high speed, turbulence and rebound of the processing liquid are suppressed, and a single-wafer processing mechanism can be provided in which the causes of reduction in reliability and yield are greatly reduced.
【図１】 この発明の実施形態による枚葉処理機構の要
部の構成図であり、（ａ）は上から見た平面図、（ｂ）
は横から見た断面図を示す。FIG. 1 is a configuration diagram of a main part of a single-wafer processing mechanism according to an embodiment of the present invention, where (a) is a plan view as viewed from above, and (b).
Shows a cross-sectional view as viewed from the side.
【図２】図１（ｂ）の一部の拡大図。FIG. 2 is an enlarged view of a part of FIG.
【図３】図１の枚葉処理機構を示す概観図。FIG. 3 is a schematic view showing a single-wafer processing mechanism of FIG. 1;
【図４】図１の回転ベースの分解図。FIG. 4 is an exploded view of the rotation base of FIG. 1;
【図５】ウェハ裏面を真空引きで吸着し、ウェハを固定
する機構を示す従来例であり、（ａ），（ｂ）はそれぞ
れ、ウェハ裏面の平面図と、横からの概観図。FIGS. 5A and 5B are a conventional example showing a mechanism for fixing the wafer by sucking the back surface of the wafer by evacuation. FIGS. 5A and 5B are a plan view of the back surface of the wafer and a schematic view from the side.
【図６】ウェハ外周端部を複数のピンにより挟み込み、
ウェハを固定する機構を示す従来例であり、（ａ），
（ｂ）はそれぞれ、ウェハ表面から見た平面図と、横か
らの概観図。FIG. 6 is a diagram in which an outer peripheral end portion of a wafer is sandwiched by a plurality of pins;
It is a conventional example showing a mechanism for fixing a wafer.
(B) is a plan view as viewed from the wafer surface and an overview from the side.
１…回転駆動部 ２…回転ベース ２１…位置決め部 ２３…ガスが送り込まれる供給口４…保持部材 ２４…回転ベースの端面 ５…ガス供給用のブロック ６…ラビリンスシール ７…半導体ウェハ ８…リフレクタ ９…処理ノズル １０…チャック開ピン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Rotation drive part 2 ... Rotation base 21 ... Positioning part 23 ... Supply port 4 into which gas is sent 4 ... Holding member 24 ... End face of rotation base 5 ... Gas supply block 6 ... Labyrinth seal 7 ... Semiconductor wafer 8 ... Reflector 9 ... Processing nozzle 10 ... Chuck opening pin
Claims (7)
に載せるため周辺各所に位置決め部を有した回転ベース
と、 前記回転ベースの周辺において位置決め部の相互間に設
けられた被処理体の端面を保持する保持部材と、 前記回転ベースの上方に設けられ被処理体への処理に対
応した物質が送出される処理ノズルとを具備し、 前記回転ベースにおける被処理体の裏面の接触位置から
の前記位置決め部及び保持部材の突出高さＸｍｍは、被
処理体の端面の厚さをＡｍｍとすると、０＜Ｘ＜Ａ＋
０．５ｍｍであることを特徴とする枚葉処理機構。A rotation drive unit, a rotation base having a center axis connected to the rotation drive unit, and positioning bases at various locations around the rotation base for mounting an object to be processed at a predetermined position; and a rotation base around the rotation base. A holding member for holding an end face of the processing object provided between the processing base and a processing nozzle provided above the rotary base and delivering a substance corresponding to processing on the processing target; The projection height Xmm of the positioning portion and the holding member from the contact position on the back surface of the object to be processed is 0 <X <A +, where Amm is the thickness of the end surface of the object to be processed.
A single-wafer processing mechanism having a thickness of 0.5 mm.
周りに設けられたガス供給用のブロックと、 前記回転ベース内部を貫通し前記ブロックからのガスが
送り込まれる供給口とを具備し、 前記回転ベースと被処理体の裏面との間の空間の気圧が
高められる構成になっていることを特徴とする請求項１
に記載の枚葉処理機構。2. A rotary power supply, comprising: a block for supplying gas provided around a central axis below the rotary base; and a supply port through which the gas from the block passes through the inside of the rotary base. 2. A structure in which a pressure in a space between the base and the back surface of the object is increased.
2. The single-wafer processing mechanism according to 1.
持部材に隣接した周辺個所が被処理体の裏面の接触位置
に対応し、中心に向かっては被処理体の裏面との接触を
避ける形状となっていることを特徴とする請求項１また
は２に記載の枚葉処理機構。3. The rotating base has a shape in which peripheral portions adjacent to the positioning portion and the holding member correspond to contact positions on the back surface of the object to be processed, and a shape avoiding contact with the back surface of the object to be processed toward the center. The single-wafer processing mechanism according to claim 1 or 2, wherein:
に同じ突出高さで設けられることを特徴とする請求項１
ないし３いずれか一つに記載の枚葉処理機構。4. The device according to claim 1, wherein the holding member is provided at substantially the same height as the positioning portion.
4. The single-wafer processing mechanism according to any one of 3. to 3. above.
が被処理体の表面と実質同じ高さかそれより低いことを
特徴とする請求項１ないし４いずれか一つに記載の枚葉
処理機構。5. The single-wafer processing mechanism according to claim 1, wherein the projecting height of the positioning portion and the holding member is substantially the same as or lower than the surface of the object to be processed. .
または保持部材の延在を含んで中心軸から遠ざかる方向
にテーパ形状を有することを特徴とする請求項１ないし
５いずれか一つに記載の枚葉処理機構。6. The rotating base according to claim 1, wherein an end face of the rotating base has a tapered shape in a direction away from a central axis including an extension of the positioning portion or the holding member. Single wafer processing mechanism.
トされた１点を軸として可動状態になっており、遠心力
によって一方端側が回転ベースの外側に他方端側が回転
ベースの内側に移動して被処理体を保持することを特徴
とする請求項１ないし６いずれか一つに記載の枚葉処理
機構。7. Each of the holding members is movable about a point at which the center of gravity is offset, and one end moves to the outside of the rotating base and the other end moves to the inside of the rotating base due to centrifugal force. The single-wafer processing mechanism according to any one of claims 1 to 6, wherein the processing body is held.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091416A JPH11289002A (en) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Single wafer processing mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10091416A JPH11289002A (en) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Single wafer processing mechanism |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289002A true JPH11289002A (en) | 1999-10-19 |
Family
ID=14025780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10091416A Abandoned JPH11289002A (en) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Single wafer processing mechanism |
Country Status (1)
| Country | Link |
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