JPH0637077A - Treating apparatus - Google Patents

Treating apparatus

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JPH0637077A
JPH0637077A JP21373292A JP21373292A JPH0637077A JP H0637077 A JPH0637077 A JP H0637077A JP 21373292 A JP21373292 A JP 21373292A JP 21373292 A JP21373292 A JP 21373292A JP H0637077 A JPH0637077 A JP H0637077A
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processing
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清久 立山
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent invasion of treating fluid to a rear surface of an element to be treated and to hold the element to be treated by utilizing a wind pressure of gas. CONSTITUTION:An element-to-be-treated holding mechanism 10 is formed on a spinning chuck 1 for holding a wafer W. The mechanism 10 is composed of a rotor 11 rotating upon receiving of a wind pressure of N2 gas, a plurality of element-to-be-treated holding pawls 12 arranged on a periphery of the chuck 1, and a transmission link 13 for transmitting a rotary motion of the rotor 11 to the pawls 12. Thus, the rotor 11 is rotated by the wind pressure of the gas to be supplied to the rear surface of the wafer W placed on the chuck 1, the rotary motion of the rotor 11 is transmitted to the pawls 12 through the link 13, and a peripheral edge of the wafer W is held by the pawls 12. Further, roundabout introduction of treating fluid to the rear surface of the wafer W can be prevented by the gas.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体を回転保持しつつ処理する処理装置に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for processing an object such as a semiconductor wafer while rotating it.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、被処理
体例えば半導体ウエハを水平に保持して回転させ、半導
体ウエハの表面に処理液(洗浄液)を供給すると共に、
例えばナイロンやモヘヤ等にて形成されるブラシを半導
体ウエハの表面に押し当てて表面の粒子汚染物を除去す
る処理装置が知られている。
2. Description of the Related Art As a conventional processing apparatus of this type, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer is horizontally held and rotated to supply a processing liquid (cleaning liquid) to the surface of the semiconductor wafer.
For example, a processing device is known in which a brush made of nylon or mohair is pressed against the surface of a semiconductor wafer to remove particle contaminants on the surface.

【0003】また、この種の処理装置において、半導体
ウエハの外周縁を3本以上の挾持爪で挾持するグリップ
チャック方式のものが採用されており、このグリップチ
ャック方式として、例えば特公平3−9607号公報に
記載の構造のものが知られている。この特公平3−96
07号公報に記載の技術は、処理室内に突設される回転
軸を筒状回転軸にて形成し、この筒状回転軸内に相対回
転又は相対移動可能に爪駆動軸を貫通し、この爪駆動軸
の突設側に可動爪操作リンクを介して可動爪を連結して
なる。そして、筒状駆動軸と爪駆動軸との間に付勢手段
を掛止すると共に、付勢手段に対向して設けられた可動
爪解除手段により爪駆動軸を介して半導体ウエハを挾持
・解放するように構成されている。
Further, a processing apparatus of this type employs a grip chuck method in which the outer peripheral edge of a semiconductor wafer is held by three or more holding claws. As this grip chuck method, for example, Japanese Patent Publication No. 9607/1990. The structure described in the publication is known. This special fair 3-96
According to the technique described in Japanese Patent Publication No. 07, the rotary shaft protruding in the processing chamber is formed of a tubular rotary shaft, and the pawl drive shaft is rotatably or movably penetrated into the tubular rotary shaft. A movable claw is connected to the protruding side of the claw drive shaft via a movable claw operation link. The biasing means is hooked between the tubular drive shaft and the pawl drive shaft, and the movable wafer releasing means provided opposite the biasing means holds and releases the semiconductor wafer via the pawl drive shaft. Is configured to.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、グリップチャック方式を
採用するため、保持される半導体ウエハの裏面に処理液
侵入防止用の気体(例えば窒素(N2 )ガス)を供給し
て両面処理を可能とすることができるが、筒状駆動軸内
に爪駆動軸を貫通する2重軸構造であり、しかも、筒状
駆動軸と爪駆動軸との間に付勢手段を掛止すると共に、
付勢手段に対向して設けられた可動爪解除手段により爪
駆動軸を介して半導体ウエハを挾持・解放する構造であ
るため、構造が複雑になると共に、2系統の駆動源が必
要となるので、装置全体が大型になるという問題があっ
た。
However, in the conventional processing apparatus of this type, since the grip chuck system is adopted, a gas (for example, nitrogen (N2)) for preventing the processing liquid from entering the back surface of the semiconductor wafer to be held. Gas) can be supplied to enable double-sided processing, but it has a double shaft structure in which the pawl drive shaft penetrates into the tubular drive shaft, and moreover, between the tubular drive shaft and the pawl drive shaft. While locking the biasing means,
Since the structure is such that the semiconductor wafer is held and released via the pawl drive shaft by the movable pawl releasing means provided so as to face the biasing means, the structure is complicated and two drive sources are required. However, there is a problem that the entire device becomes large.

【0005】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の裏面への処理液の侵入を防止すると共
に、処理液侵入防止用気体の風圧を利用して被処理体の
保持を行えるようにした処理装置を提供することを目的
とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to prevent the processing liquid from entering the back surface of the object to be processed and to hold the object to be processed by utilizing the wind pressure of the gas for preventing the invasion of the processing liquid. It is an object of the present invention to provide such a processing device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体を回転保持手段に
て保持すると共に、被処理体の表面に処理液を供給して
処理する処理装置を前提とし、上記回転保持手段に、上
記被処理体の裏面に向って気体を供給すると共に、この
気体の風圧により駆動して上記被処理体を保持する被処
理体保持機構を形成してなるものである。
In order to achieve the above object, the processing apparatus of the present invention holds the object to be processed by the rotation holding means and supplies the processing liquid to the surface of the object to be processed. On the premise of the processing device, the rotation holding means is supplied with a gas toward the back surface of the object to be processed, and a processing object holding mechanism for holding the object to be processed is driven by wind pressure of the gas. It will be done.

【0007】この発明において、上記被処理体保持機構
は気体の風圧により被処理体の保持・解放を司るもので
あれば、その構造は任意のものでよいが、好ましくは被
処理体保持機構を、気体の風圧により回転する回転体
と、回転保持手段の周辺部の少なくとも3箇所に配設さ
れる揺動可能な被処理体保持爪と、この被処理体保持爪
に上記回転体の回転運動を伝達する伝達リンクとで構成
するか、あるいは、被処理体保持機構を、気体の風圧に
より直線移動する移動体と、回転保持手段の周辺部の少
なくとも3箇所に揺動可能に配設されると共に、上記移
動体によって被処理体の保持又は解放位置に切換え可能
な被処理体保持爪とで構成する方がよい。
In the present invention, the structure for holding the object to be processed may have any structure as long as it can hold and release the object to be processed by the wind pressure of the gas, but preferably the mechanism for holding the object to be processed is used. , A rotating body that is rotated by the wind pressure of the gas, a swingable object-holding claw disposed at at least three locations around the rotation holding means, and a rotating motion of the rotating body on the object-holding claw. Or a transmission link for transmitting the object, or the target object holding mechanism is swingably arranged in at least three positions of a moving member that linearly moves by the wind pressure of the gas and a peripheral portion of the rotation holding unit. At the same time, it is preferable that the movable body is constituted by a processing object holding claw that can be switched to a holding or releasing position of the processing object.

【0008】上記被処理体保持機構を移動体と被処理体
保持爪とで構成する場合には、移動体をシリンダ内に摺
動自在に配設されるピストンにて形成し、上記シリンダ
における被処理体裏面と対向する部位に、上記ピストン
の移動に伴って開閉する気体吐出口を設けてなる方が好
ましい。
When the processing object holding mechanism is composed of a moving object and a processing object holding claw, the moving object is formed by a piston slidably arranged in the cylinder, and the object to be processed in the cylinder is It is preferable that a gas discharge port that opens and closes as the piston moves is provided at a portion facing the back surface of the processing body.

【0009】[0009]

【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、被処理体を保持する回転保持手段における被処
理体の裏面に向って気体を供給すると、この気体の風圧
を受けて被処理体保持機構が駆動し、気体は被処理体の
外周方向に向かって流れる。したがって、被処理体の裏
面への処理液の侵入を防止すると同時に、被処理体を保
持することができる。
According to the processing apparatus of the present invention configured as described above, when the gas is supplied toward the back surface of the object to be processed in the rotation holding means for holding the object, the wind pressure of the gas is received and the object to be processed is received. The treatment object holding mechanism is driven, and the gas flows toward the outer peripheral direction of the treatment object. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid from entering the back surface of the object to be processed and to hold the object to be processed at the same time.

【0010】また、被処理体保持機構を、気体の風圧を
受けて回転する回転体と、回転保持手段の周辺部の少な
くとも3箇所に配設される揺動可能な被処理体保持爪
と、この被処理体保持爪に回転体の回転運動を伝達する
伝達リンクとで構成することにより、構造を簡単にする
ことができると共に、装置全体の小型化を図ることがで
きる。
Further, the object-holding mechanism has a rotating body which is rotated by receiving a wind pressure of gas, and a swingable object-holding claw disposed at least at three positions around the rotation holding means. By configuring the processing object holding claw with the transmission link that transmits the rotational movement of the rotating body, the structure can be simplified and the size of the entire apparatus can be reduced.

【0011】また、被処理体保持機構を、気体の風圧に
より直線移動する移動体と、回転保持手段の周辺部の少
なくとも3箇所に揺動可能に配設されると共に、移動体
によって被処理体の保持又は解放位置に切換え可能な被
処理体保持爪とで構成することにより、構造を簡単にす
ることができ、装置全体の小型化が図れる上、気体の風
圧によって確実に被処理体を保持することができる。こ
の場合、移動体をシリンダ内に摺動自在に配設されるピ
ストンにて形成し、シリンダにおける被処理体裏面と対
向する部位に、ピストンの移動に伴って開閉する気体吐
出口を設けることにより、被処理体の保持と同時に、被
処理体の裏面への処理液の侵入を防止することができ
る。
Further, the object-holding mechanism is swingably arranged at least at three positions around the moving body which moves linearly by the wind pressure of the gas and around the rotation holding means, and the moving body holds the object to be treated. The object to be processed can be switched to the holding or releasing position, and the structure can be simplified, the overall size of the device can be reduced, and the object to be processed can be held securely by the wind pressure of the gas. can do. In this case, the moving body is formed by a piston slidably arranged in the cylinder, and a gas discharge port that opens and closes as the piston moves is provided in a portion of the cylinder that faces the back surface of the object to be processed. At the same time as holding the object to be processed, it is possible to prevent the processing liquid from entering the back surface of the object to be processed.

【0012】[0012]

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例では、この発明の処理装置
を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合について
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In this embodiment, a case where the processing apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning processing apparatus will be described.

【0013】◎第一実施例 上記半導体ウエハの洗浄処理装置は、図1及び図2に示
すように、被処理体である半導体ウエハW(以下にウエ
ハという)を水平状態に保持する回転保持手段であるス
ピンチャック1と、このスピンチャック1にて保持され
るウエハWの上面にジェットノズル7から供給される処
理液すなわち洗浄液を用いてウエハWの表面に付着する
粒子汚染物を洗浄除去するディスクブラシ2とで主要部
が構成されている。
First Embodiment As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor wafer cleaning apparatus described above has a rotation holding means for holding a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer), which is an object to be processed, in a horizontal state. And a disk for cleaning and removing particle contaminants adhering to the surface of the wafer W using a processing liquid, that is, a cleaning liquid supplied from a jet nozzle 7 on the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 1. The main part is constituted by the brush 2.

【0014】スピンチャック1は、図示しない駆動モー
タによって回転される中空円筒状の回転軸4の上端部に
水平に連結する回転板5と、この回転板5上に形成され
てウエハWを水平状態に保持する被処理体保持機構10
(以下に保持機構という)とで構成されており、回転軸
4の中空部には、洗浄処理液侵入防止用気体(N2 ガ
ス)の供給通路3が設けられている。
The spin chuck 1 includes a rotary plate 5 horizontally connected to an upper end of a hollow cylindrical rotary shaft 4 rotated by a drive motor (not shown), and a wafer W formed on the rotary plate 5 in a horizontal state. To be processed object holding mechanism 10
(Hereinafter referred to as a holding mechanism), and a supply passage 3 for a cleaning treatment liquid intrusion prevention gas (N2 gas) is provided in the hollow portion of the rotary shaft 4.

【0015】上記保持機構10は、図3ないし図5に示
すように、回転軸4の上端に連結されてN2 ガスの風圧
を受けて回転する回転体11と、回転板5の周辺部の6
箇所に配設される揺動可能な被処理体保持爪12(以下
に保持爪という)と、各保持爪12に回転体11の回転
運動を伝達する伝達リンク13とで構成されている。こ
の場合、回転体11は、図6に示すように、円柱状のボ
ス部14aから放射方向に向って突出する6本の脚片1
4bを有する回転伝達部14と、この回転伝達部14の
上方に連結軸15及びキー15aをもって連結される外
周面に6枚の傾斜状羽根片16aを突設する回転羽根1
6とで構成されており、水平面に対して例えば約30度
に傾斜する各傾斜状羽根片16aの下面に、回転板5の
基部5aに設けられたN2 ガス供給通路3と連通する通
路5bから上方に向って噴射されるN2 ガスが衝突し得
るようになっている。したがって、図示しないN2 ガス
供給源から回転軸4のN2 ガス供給通路3内に供給され
て通路5bから噴射されるN2 ガスの風圧を受けて回転
羽根16が回転すると共に、回転伝達部14が回転する
ことができる。また、N2 ガスは回転羽根16の下面に
衝突した後、外周方向に流れてウエハWの裏面への洗浄
液の回り込み侵入を防止することができる。
As shown in FIGS. 3 to 5, the holding mechanism 10 is connected to the upper end of the rotary shaft 4 and is rotated by the wind pressure of N 2 gas, and the rotary member 11 and the peripheral portion of the rotary plate 5.
It is composed of a swingable object holding claw 12 (hereinafter referred to as a holding claw) disposed at a position, and a transmission link 13 for transmitting the rotational movement of the rotating body 11 to each holding claw 12. In this case, as shown in FIG. 6, the rotary body 11 includes the six leg pieces 1 protruding from the cylindrical boss portion 14a in the radial direction.
4b, and a rotary blade 1 having six inclined blade pieces 16a projectingly provided on an outer peripheral surface connected to the rotation transmitting portion 14 with a connecting shaft 15 and a key 15a above the rotation transmitting portion 14.
6 and the lower surface of each inclined blade piece 16a inclined at about 30 degrees with respect to the horizontal plane, from the passage 5b communicating with the N2 gas supply passage 3 provided in the base 5a of the rotary plate 5. The N2 gas injected upward can collide. Therefore, the rotary blade 16 is rotated by the wind pressure of the N2 gas supplied from the N2 gas supply source (not shown) into the N2 gas supply passage 3 of the rotary shaft 4 and injected from the passage 5b, and the rotation transmission portion 14 is rotated. can do. Further, the N2 gas collides with the lower surface of the rotary blade 16 and then flows in the outer peripheral direction to prevent the cleaning liquid from wrapping around and entering the back surface of the wafer W.

【0016】上記保持爪12は支点ピン17aをもって
回転板5の外周片部に水平方向に揺動可能に枢着される
揺動リンク17の一端に固定ねじ12aをもって立設さ
れる円柱状基部12bと、この円柱状基部12bの上部
に突設されてウエハWの縁部を載置するウエハ載置フラ
ンジ12cと、このウエハ載置フランジ12cの上方突
出側の頂部に設けられるウエハ案内用テーパー部12d
とで構成されている。このように構成される保持爪12
は、ウエハWの非保持状態において、フォーク状の搬送
アーム(図示せず)によって外部から搬送されて上方か
ら落し込まれるウエハWをウエハ案内用テーパー部12
dで案内して、ウエハ載置フランジ12c上に仮載置す
ることができる。
The holding claw 12 is a cylindrical base 12b which is erected at one end of a swinging link 17 pivotally mounted on the outer peripheral piece of the rotary plate 5 so as to swing horizontally by a fulcrum pin 17a with a fixing screw 12a. A wafer mounting flange 12c protruding from the top of the cylindrical base 12b for mounting the edge of the wafer W, and a wafer guiding taper provided on the top of the wafer mounting flange 12c on the upward protruding side. 12d
It consists of and. The holding claw 12 configured in this way
In the non-holding state of the wafer W, the wafer guiding taper portion 12 holds the wafer W which is transferred from the outside by a fork-shaped transfer arm (not shown) and dropped from above.
It can be temporarily mounted on the wafer mounting flange 12c by being guided by d.

【0017】上記のように構成される保持爪12の揺動
リンク17の他端部と回転体11の回転伝達部14に設
けられた脚片14bの先端部とにはそれぞれヒンジピン
13aをもって伝達リンク13が枢着されて、回転体1
1の回転運動を保持爪12の揺動リンク17に伝達する
と共に、保持爪12をスピンチャック1の回転中心に対
して接離移動すなわちウエハWの保持・解放方向に移動
することができるようになっている。なお、伝達リンク
13は回転板5の上面に設けられた案内溝5cに沿って
摺動自在に配設されている(図3参照)。
A hinge pin 13a is provided between the other end of the swinging link 17 of the holding claw 12 and the tip of the leg piece 14b provided on the rotation transmitting section 14 of the rotating body 11 with the hinge pin 13a. 13 is pivotally attached to the rotating body 1.
1 is transmitted to the swing link 17 of the holding claw 12, and the holding claw 12 can be moved toward and away from the rotation center of the spin chuck 1, that is, in the holding and releasing directions of the wafer W. Has become. The transmission link 13 is slidably arranged along a guide groove 5c provided on the upper surface of the rotary plate 5 (see FIG. 3).

【0018】上記ディスクブラシ2は、スピンチャック
1の側方に配設される操作アーム6の先端部の下面に回
転(自転及び公転)可能に装着される円盤2aの下面に
多数植設される例えばナイロンあるいはモヘヤ等にて形
成されている。このディスクブラシ2は、図示しない駆
動手段によって駆動する操作アーム6によってスピンチ
ャック1の回転板5上に回転(θ)移動すると共に、垂
直方向(Z)に移動するように構成されており、待機中
にブラシ洗浄器8によって洗浄されるようになってい
る。
A large number of disk brushes 2 are planted on the lower surface of a disk 2a which is rotatably (rotated and revolved) mounted on the lower surface of the distal end portion of an operation arm 6 disposed on the side of the spin chuck 1. For example, it is made of nylon or mohair. The disc brush 2 is configured to rotate (θ) on the rotary plate 5 of the spin chuck 1 by an operation arm 6 driven by a driving unit (not shown) and move in the vertical direction (Z), and is in a standby state. It is adapted to be cleaned by the brush cleaner 8.

【0019】一方、ジェットノズル7は、図1に示すよ
うに、スピンチャック1に関してディスクブラシ2と対
向する側に配設されており、操作機構9によって垂直方
向(Z)及び水平方向(X)に移動可能なアーム7aの
先端部に装着されている。このジェットノズル7は、デ
ィスクブラシ2の使用時にウエハWの上面に移動して図
示しない洗浄液供給源から供給される洗浄液をディスク
ブラシ2の近傍位置に散布し得るようになっている。
On the other hand, as shown in FIG. 1, the jet nozzle 7 is arranged on the side facing the disk brush 2 with respect to the spin chuck 1, and is operated by the operating mechanism 9 in the vertical direction (Z) and the horizontal direction (X). It is attached to the tip of the movable arm 7a. The jet nozzle 7 is adapted to move to the upper surface of the wafer W when the disc brush 2 is used and to spray a cleaning liquid supplied from a cleaning liquid supply source (not shown) to a position near the disk brush 2.

【0020】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハWを洗浄処理する場合には、まず、
図示しないフォーク状のウエハ搬送アームにて搬送され
るウエハWを解放状態におかれた保持爪12のウエハ載
置フランジ12c上に仮載置した後、ウエハ搬送アーム
を下方に移動させてスピンチャック1から後退させる。
次に、N2 ガス供給源から回転軸4のN2 ガス供給通路
3内にN2 ガスを供給すると、N2 ガスはN2 ガス供給
通路3から通路5bを通って上方に噴射されるて回転体
11の傾斜状羽根片16aの下面に衝突する。傾斜状羽
根片16aは水平面に対して約30度傾斜しているの
で、N2 ガスの衝突力の水平方向分力によって回転体1
1が水平方向に回転する。この回転体11の水平方向の
回転は伝達リンク13を介して保持爪12の揺動リンク
17に伝達され、保持爪12がスピンチャック1の中心
方向に向って移動して、ウエハWの周縁部を挟持保持す
る。
In the processing apparatus of the present invention configured as described above, when cleaning the wafer W, first,
After the wafer W transferred by a not-shown fork-shaped wafer transfer arm is temporarily mounted on the wafer mounting flange 12c of the holding claw 12 in the released state, the wafer transfer arm is moved downward to perform spin chucking. Retreat from 1.
Next, when N2 gas is supplied from the N2 gas supply source into the N2 gas supply passage 3 of the rotating shaft 4, the N2 gas is injected upward from the N2 gas supply passage 3 through the passage 5b to incline the rotor 11. It collides with the lower surface of the blade 16a. Since the inclined blade piece 16a is inclined about 30 degrees with respect to the horizontal plane, the rotor 1 is rotated by the horizontal component force of the collision force of N2 gas.
1 rotates horizontally. The horizontal rotation of the rotating body 11 is transmitted to the swing link 17 of the holding claw 12 via the transmission link 13, the holding claw 12 moves toward the center of the spin chuck 1, and the peripheral portion of the wafer W is moved. To hold.

【0021】上記のようにしてウエハWの周縁部を挾持
保持した状態で、図示しない駆動モータが駆動して回転
軸4を回転してウエハWを水平回転する。そして、ディ
スクブラシ2とジェットノズル7をウエハWの上方に移
動すると共に、ジェットノズル7からウエハWの表面に
洗浄液を散布して、ディスクブラシ2によってウエハW
の表面を擦りながら洗浄し表面に付着する粒子汚染物等
を除去する。この洗浄は、ジェットノズル7から洗浄液
を散布するジェット洗浄単独で行ってもよく、ディスク
ブラシ2近傍に洗浄液を供給しつつ洗浄するブラシ洗浄
単独で行ってもよく、また、両者を交互に行う、同時に
行うなど、被処理体の種類や洗浄状態に応じて、種々変
更設定して行うようにしてもよい。このとき、ウエハW
の裏面側にはN2 ガスが供給されており、しかも外周方
向に向って流れているので、洗浄液はウエハWの裏面に
回り込む虞れはない。
While the peripheral portion of the wafer W is held and held as described above, the drive motor (not shown) drives the rotary shaft 4 to rotate the wafer W horizontally. Then, the disc brush 2 and the jet nozzle 7 are moved above the wafer W, the cleaning liquid is sprayed from the jet nozzle 7 onto the surface of the wafer W, and the disc brush 2 causes the wafer W to move.
The surface of is cleaned while rubbing to remove particle contaminants and the like adhering to the surface. This cleaning may be performed only by jet cleaning in which the cleaning liquid is sprayed from the jet nozzle 7, or by brush cleaning alone in which the cleaning liquid is supplied to the vicinity of the disc brush 2, and both are alternately performed. Depending on the type and cleaning state of the object to be processed, such as simultaneous execution, various changes may be set. At this time, the wafer W
Since the N2 gas is supplied to the back surface of the wafer W and flows toward the outer peripheral direction, there is no possibility that the cleaning liquid will go around to the back surface of the wafer W.

【0022】なお、上記実施例では、保持爪12が6箇
所に配設される場合について説明したが、必ずしも保持
爪12の数は6個である必要はなく、少なくとも3箇所
に配設されていればよい。また、保持・解放動作する保
持爪12の他にウエハWを載置のみ可能とする固定保持
爪を併設してもよい。例えば、上記実施例における等間
隔の3箇所を保持・解放動作する保持爪12とし、残り
の3箇所に配設される保持爪を固定保持爪とすることも
可能である。また、保持爪12のクランプ力の調節機能
を設ける方が好ましく、この調節手段として、例えばN
2 ガスの供給圧を調整するか、揺動リンク17の支点ピ
ン17aの位置を調節するか、揺動リンク17にストッ
パーを設けるとか、スプリングを付設するとか、あるい
は、回転体11の傾斜状羽根片16aの傾斜角を調節す
るなどの方法を採用することができる。
In the above-described embodiment, the case where the holding claws 12 are arranged at six positions has been described, but the number of the holding claws 12 does not necessarily have to be six, and the holding claws 12 are arranged at at least three positions. Just do it. Further, in addition to the holding claw 12 that holds and releases, a fixed holding claw that can only mount the wafer W may be provided. For example, it is possible to use the holding claws 12 for holding / releasing operation at three equally spaced positions in the above-described embodiment, and the holding claws arranged at the remaining three positions as fixed holding claws. Further, it is preferable to provide a function of adjusting the clamping force of the holding claw 12, and as the adjusting means, for example, N
2 Adjust the gas supply pressure, adjust the position of the fulcrum pin 17a of the swing link 17, provide the swing link 17 with a stopper, attach a spring, or the slanted blade of the rotating body 11. A method such as adjusting the inclination angle of the piece 16a can be adopted.

【0023】◎第二実施例 図7はこの発明の処理装置の第二実施例の要部の概略平
面図、図8は第二実施例における要部断面図が示されて
いる。
Second Embodiment FIG. 7 is a schematic plan view of the essential parts of a second embodiment of the processing apparatus of the present invention, and FIG. 8 is a sectional view of the essential parts of the second embodiment.

【0024】第二実施例における処理装置は供給される
N2 ガスの気圧(圧力)によって更に確実にウエハWを
保持し得るようにした場合である。
The processing apparatus in the second embodiment is a case in which the wafer W can be held more reliably by the atmospheric pressure (pressure) of the supplied N 2 gas.

【0025】すなわち、保持機構10を供給されるN2
ガスの風圧により直線移動する移動体18と、スピンチ
ャック1の周辺部の少なくとも3箇所に揺動可能に配設
されると共に、移動体18によってウエハWの保持又は
解放位置に切換え可能な保持爪12とで構成した場合で
ある。この場合、移動体18は、回転板5上に配設され
る複数(図面では6つの場合を示す)のシリンダ18a
内にそれぞれ摺動自在に配設されるピストンにて形成さ
れている。また、シリンダ18aは通路18cを介して
N2 ガス供給通路3と連通し、シリンダ18aにおける
ウエハWの裏面と対向する部位には、移動体すなわちピ
ストン18の移動に伴って開閉する気体吐出口であるN
2 ガス吐出口18bが穿設されている。
That is, N2 supplied to the holding mechanism 10
A movable body 18 that linearly moves by the wind pressure of the gas, and a holding claw that is swingably arranged at least at three locations around the spin chuck 1 and that can be switched to a holding or releasing position of the wafer W by the moving body 18. This is the case when it is configured with 12. In this case, the moving body 18 includes a plurality of cylinders 18 a (six cases are shown in the drawing) arranged on the rotary plate 5.
Each of them is formed of a piston that is slidably disposed therein. Further, the cylinder 18a communicates with the N2 gas supply passage 3 through the passage 18c, and a portion of the cylinder 18a facing the back surface of the wafer W is a gas discharge port that opens and closes as the moving body, that is, the piston 18 moves. N
2 Gas discharge port 18b is provided.

【0026】また、保持爪12は、支点ピン12eをも
って回転板5の周辺部に水平方向に揺動(回転)可能に
取付けられており、ピストン18と係合する側と反対側
には、スプリング19aの付勢力によって常時保持爪1
2を解放位置に押圧する押圧体19が当接係合してい
る。
Further, the holding claw 12 is attached to the peripheral portion of the rotary plate 5 so as to be capable of swinging (rotating) in the horizontal direction with a fulcrum pin 12e, and a spring is provided on the side opposite to the side engaging with the piston 18. Always holding claw 1 by the urging force of 19a
A pressing body 19 for pressing 2 to the release position is in abutting engagement.

【0027】なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。
Since the other parts of the second embodiment are the same as those of the first embodiment, the same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0028】上記のように構成される第二実施例の処理
装置において、ウエハWを洗浄処理する場合には、上記
第一実施例と同様に、まず、図示しないフォーク状のウ
エハ搬送アームにて搬送されるウエハWを解放状態にお
かれた保持爪12上に仮載置した後、ウエハ搬送アーム
を下方に移動させてスピンチャック1から後退させる。
次に、N2 ガス供給源から回転軸4のN2 ガス供給通路
3内にN2 ガスを供給すると、N2 ガスはN2 ガス供給
通路3から通路18cを通ってシリンダ18a内を流
れ、ピストン18を外周方向へ押圧する。ピストン18
の移動によって保持爪12がスプリング19aの付勢力
に抗して保持側に回転して、ウエハWの周縁部を挟持保
持する。
In the processing apparatus of the second embodiment configured as described above, when cleaning the wafer W, first, as in the first embodiment, first, a fork-shaped wafer transfer arm (not shown) is used. After the wafer W to be transferred is temporarily placed on the holding claw 12 in the released state, the wafer transfer arm is moved downward and retracted from the spin chuck 1.
Next, when N2 gas is supplied from the N2 gas supply source into the N2 gas supply passage 3 of the rotating shaft 4, the N2 gas flows from the N2 gas supply passage 3 through the passage 18c into the cylinder 18a, and the piston 18 is rotated in the outer peripheral direction. Press to. Piston 18
The holding claw 12 rotates to the holding side against the biasing force of the spring 19a by holding the wafer W, and holds and holds the peripheral edge of the wafer W.

【0029】上記のようにしてウエハWの周縁部を挾持
保持した状態で、上記第一実施例と同様に、図示しない
駆動モータが駆動して回転軸4を回転してウエハWを水
平回転する。そして、ディスクブラシ2とジェットノズ
ル7をウエハWの上方に移動すると共に、ジェットノズ
ル7からウエハWの表面に洗浄液を散布して、ディスク
ブラシ2によってウエハWの表面を擦りながら洗浄し表
面に付着する粒子汚染物等を除去する。このとき、シリ
ンダ18a内に供給されたN2 ガスが、ピストン18の
移動に伴って開放したN2 ガス吐出口18bからウエハ
Wの裏面側に供給された後、外周方向に向って流れてい
るので、洗浄液はウエハWの裏面に回り込む虞れはな
い。
With the peripheral portion of the wafer W held as described above, the drive motor (not shown) drives the rotary shaft 4 to rotate the wafer W horizontally as in the first embodiment. . Then, the disc brush 2 and the jet nozzle 7 are moved above the wafer W, the cleaning liquid is sprayed from the jet nozzle 7 onto the surface of the wafer W, and the disc brush 2 cleans the surface of the wafer W while rubbing the surface of the wafer W to adhere to the surface. Remove particulate contaminants. At this time, since the N2 gas supplied into the cylinder 18a is supplied to the back surface side of the wafer W from the N2 gas discharge port 18b opened as the piston 18 moves, it flows toward the outer peripheral direction. There is no possibility that the cleaning liquid will flow around the back surface of the wafer W.

【0030】したがって、第二実施例における処理装置
によれば、N2 ガスの供給のみでウエハWを保持するこ
とができるので、スピンチャック1の回転状態に左右さ
れることなく、確実にウエハWを保持することができ
る。
Therefore, according to the processing apparatus of the second embodiment, the wafer W can be held only by supplying the N 2 gas, so that the wafer W can be reliably held without being influenced by the rotation state of the spin chuck 1. Can be held.

【0031】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は、図1に示すような単独の半導体ウエハの洗浄装置
として使用される他、後述する半導体ウエハの塗布現像
装置等に組込まれて使用される。
The processing apparatus of the present invention configured as described above is used as a single semiconductor wafer cleaning apparatus as shown in FIG. 1 and is also used by being incorporated in a semiconductor wafer coating / developing apparatus described later. To be done.

【0032】上記半導体ウエハの塗布現像装置は、図9
に示すように、ウエハWに種々の処理を施す処理機構が
配置された処理機構ユニット30と、処理機構ユニット
30にウエハWを自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機
構20とで主要部が構成されている。
The semiconductor wafer coating and developing apparatus is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the main parts are a processing mechanism unit 30 in which a processing mechanism for performing various processes on the wafer W is arranged, and a loading / unloading mechanism 20 for automatically loading / unloading the wafer W into / from the processing mechanism unit 30. It is configured.

【0033】搬入・搬出機構20は、処理前のウエハW
を収納するウエハキャリア21と、処理後のウエハWを
収納するウエハキャリア22と、ウエハWを吸着保持す
るア−ム23と、このア−ム23をX,Y(水平),Z
(垂直)及びθ(回転)方向に移動させる移動機構24
と、ウエハWがアライメントされかつ処理機構ユニット
30との間でウエハWの受け渡しがなされるアライメン
トステージ25とを備えている。
The loading / unloading mechanism 20 is used for the wafer W before processing.
, A wafer carrier 22 for storing the processed wafer W, an arm 23 for adsorbing and holding the wafer W, and the arm 23 for X, Y (horizontal), Z.
Moving mechanism 24 for moving in the (vertical) and θ (rotation) directions
And an alignment stage 25 for aligning the wafer W and transferring the wafer W to and from the processing mechanism unit 30.

【0034】処理機構ユニット30には、アライメント
ステージ25よりX方向に形成された搬送路31に沿っ
て移動自在に搬送機構32が設けられており、この搬送
機構32にはY,Z及びθ方向に移動自在にメインアー
ム33が設けられている。搬送路31の一方の側には、
ウエハWとレジスト液膜との密着性を向上させるための
アドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構34
と、ウエハWに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を
加熱蒸発させるためのプリベーク機構35と、過熱処理
されたウエハWを冷却する冷却機構36とが配置されて
いる。搬送路31の他方の側にはウエハWの表面にレジ
ストを塗布する処理液塗布機構37と、ウエハWの表面
に付着する粒子汚染物等を洗浄処理する洗浄処理装置3
8(この発明の処理装置)とが配置されている。
The processing mechanism unit 30 is provided with a transfer mechanism 32 that is movable along a transfer path 31 formed in the X direction from the alignment stage 25. The transfer mechanism 32 has Y, Z and θ directions. A main arm 33 is provided so as to be freely movable. On one side of the transport path 31,
An adhesion processing mechanism 34 for performing an adhesion processing for improving the adhesion between the wafer W and the resist liquid film.
A pre-baking mechanism 35 for heating and evaporating the solvent remaining in the resist applied to the wafer W, and a cooling mechanism 36 for cooling the overheated wafer W are arranged. On the other side of the transfer path 31, a processing liquid coating mechanism 37 for coating a resist on the surface of the wafer W, and a cleaning processing device 3 for cleaning particle contaminants and the like adhering to the surface of the wafer W.
8 (processing device of the present invention).

【0035】以上のように構成される半導体ウエハ塗布
現像装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・
搬出機構20のア−ム23によってウエハキャリア21
から搬出されてアライメントステージ25上に載置され
る。次いで、アライメントステージ25上のウエハW
は、搬送機構32のメインアーム33に保持されて、各
処理機構34〜38へと搬送されて適宜処理後に洗浄処
理が施される。そして、処理後のウエハWはメインアー
ム33によってアライメントステージ25に戻され、更
にア−ム23により搬送されてウエハキャリア22に収
納される。
In the semiconductor wafer coating / developing apparatus constructed as described above, first, the unprocessed wafer W is loaded and unloaded.
The wafer carrier 21 is moved by the arm 23 of the carry-out mechanism 20.
And is placed on the alignment stage 25. Next, the wafer W on the alignment stage 25
Is held by the main arm 33 of the transport mechanism 32, transported to each of the processing mechanisms 34 to 38, and appropriately subjected to a cleaning process. Then, the processed wafer W is returned to the alignment stage 25 by the main arm 33, further transported by the arm 23, and stored in the wafer carrier 22.

【0036】上記実施例では被処理体が半導体ウエハの
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウ
エハに限られるものではなく、例えばLCD基板あるい
はプリント基板、フォトマスク、セラミック基板、コン
パクトディスクなどについて同様に洗浄等の処理を施す
ものについても適用できるものである。
In the above embodiment, the case where the object to be processed is a semiconductor wafer has been described, but the object to be processed is not necessarily limited to the semiconductor wafer, and may be, for example, an LCD substrate or a printed circuit board, a photomask, a ceramic substrate, a compact disc, or the like. Similarly, the present invention can also be applied to those that are subjected to processing such as cleaning.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。
As described above, since the processing apparatus of the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.

【0038】1)請求項1記載の処理装置によれば、被
処理体を保持する回転保持手段に、被処理体の裏面に向
って気体を供給すると共に、この気体の風圧により駆動
して被処理体を保持する被処理体保持機構を形成するの
で、被処理体の裏面への処理液の侵入を防止すると同時
に、被処理体を保持することができる。
1) According to the processing apparatus of the first aspect, the gas is supplied to the rotation holding means for holding the object to be processed toward the back surface of the object to be processed and driven by the wind pressure of the gas to be processed. Since the target object holding mechanism for holding the target object is formed, it is possible to prevent the processing liquid from entering the back surface of the target object and simultaneously hold the target object.

【0039】2)請求項2記載の処理装置によれば、被
処理体保持機構を、気体の風圧により回転する回転体
と、回転保持手段の周辺部の少なくとも3箇所に配設さ
れる揺動可能な被処理体保持爪と、この被処理体保持爪
に回転体の回転運動を伝達する伝達リンクとで構成する
ので、構造を簡単にすることができると共に、装置全体
の小型化が図れる。
2) According to the processing apparatus of the second aspect, the object holding mechanism has a rotating body which is rotated by the wind pressure of the gas and a swing which is arranged at least at three positions around the rotating holding means. Since it is composed of a possible treatment object holding claw and a transmission link for transmitting the rotational movement of the rotating body to the treatment object holding claw, the structure can be simplified and the overall size of the apparatus can be reduced.

【0040】3)請求項3記載の処理装置によれば、被
処理体保持機構を、気体の風圧により直線移動する移動
体と、回転保持手段の周辺部の少なくとも3箇所に揺動
可能に配設されると共に、移動体によって被処理体の保
持又は解放位置に切換え可能な被処理体保持爪とで構成
するので、構造を簡単にすることができ、装置全体の小
型化が図れる上、気体の風圧によって確実に被処理体を
保持することができる。
3) According to the processing apparatus of the third aspect, the object holding mechanism is swingably arranged at least at three positions, namely, the moving object which moves linearly by the wind pressure of the gas and the peripheral portion of the rotation holding means. Since it is provided with a processing object holding claw that can be switched to a holding or releasing position of the processing object by a moving object, the structure can be simplified and the size of the entire device can be reduced, and the gas can be reduced. The object to be processed can be reliably held by the wind pressure.

【0041】4)請求項4記載の処理装置によれば、移
動体をシリンダ内に摺動自在に配設されるピストンにて
形成し、シリンダにおける被処理体裏面と対向する部位
に、ピストンの移動に伴って開閉する気体吐出口を設け
るので、上記3)に加えて被処理体の保持と同時に、被
処理体の裏面への処理液の侵入を防止することができ
る。
4) According to the processing apparatus of the fourth aspect, the movable body is formed by a piston slidably arranged in the cylinder, and the piston is provided at a portion of the cylinder facing the rear surface of the workpiece. Since the gas discharge port that opens and closes in accordance with the movement is provided, in addition to the above 3), at the same time as holding the object to be processed, it is possible to prevent the processing liquid from entering the back surface of the object to be processed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の処理装置の第一実施例を示す概略斜
視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a first embodiment of a processing apparatus of the present invention.

【図2】第一実施例の処理装置の要部を示す概略斜視図
である。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing a main part of the processing apparatus of the first embodiment.

【図3】第一実施例における被処理体保持機構を示す平
面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a target object holding mechanism in the first embodiment.

【図4】第一実施例における被処理体保持機構の断面側
面図である。
FIG. 4 is a sectional side view of a target object holding mechanism in the first embodiment.

【図5】第一実施例における回転体、被処理体保持爪及
び伝達リンクを示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a rotating body, an object-to-be-processed holding claw, and a transmission link in the first embodiment.

【図6】第一実施例における回転体を示す分解斜視図で
ある。
FIG. 6 is an exploded perspective view showing a rotating body in the first embodiment.

【図7】この発明の処理装置の第二実施例の要部を示す
概略平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view showing a main part of a second embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【図8】第二実施例の処理装置の要部を示す断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the main parts of the processing apparatus of the second embodiment.

【図9】この発明の処理装置を半導体ウエハ塗布現像装
置に適用した状態の全体を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing an overall state in which the processing apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer coating / developing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スピンチャック(回転保持手段) 10 被処理体保持機構 11 回転体 12 被処理体保持爪 13 伝達リンク 17 揺動リンク 18 ピストン(移動体) 18a シリンダ 18b Nガス吐出口(気体吐出口) W 半導体ウエハ(被処理体) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 spin chuck (rotation holding means) 10 processing object holding mechanism 11 rotating body 12 processing object holding claw 13 transmission link 17 swing link 18 piston (moving body) 18a cylinder 18b N gas discharge port (gas discharge port) W semiconductor Wafer (object to be processed)

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年8月21日[Submission date] August 21, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0024[Name of item to be corrected] 0024

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0024】 第二実施例における処理装置は供給され
るN2 ガスの気圧によって更に確実にウエハWを保持し
得るようにした場合である。
The processing apparatus in the second embodiment is a case in which the wafer W can be held more reliably by the atmospheric pressure of the supplied N 2 gas.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0025[Name of item to be corrected] 0025

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0025】 すなわち、保持機構10を供給されるN
2 ガスの風圧(圧力)により直線移動する移動体18
と、スピンチャック1の周辺部の少なくとも3箇所に揺
動可能に配設されると共に、移動体18によってウエハ
Wの保持又は解放位置に切換え可能な保持爪12とで構
成した場合である。この場合、移動体18は、回転板5
上に配設される複数(図面では6つの場合を示す)のシ
リンダ18a内にそれぞれ摺動自在に配設されるピスト
ンにて形成されている。また、シリンダ18aは通路1
8cを介してN2 ガス供給通路3と連通し、シリンダ1
8aにおけるウエハWの裏面と対向する部位には、移動
体すなわちピストン18の移動に伴って開閉する気体吐
出口であるN2 ガス吐出口18bが穿設されている。
That is, N supplied to the holding mechanism 10
2 Moving body 18 that moves linearly by the wind pressure (pressure) of gas
And a holding claw 12 that is swingably disposed at at least three locations around the spin chuck 1 and that can be switched to a holding or releasing position of the wafer W by the moving body 18. In this case, the moving body 18 is the rotating plate 5
It is formed of pistons slidably arranged in a plurality of cylinders 18a (six cases are shown in the drawing) arranged above. Further, the cylinder 18a has a passage 1
The cylinder 1 communicates with the N2 gas supply passage 3 via 8c.
An N2 gas discharge port 18b, which is a gas discharge port that opens and closes in accordance with the movement of the moving body, that is, the piston 18, is formed in a portion of 8a that faces the back surface of the wafer W.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体を回転保持手段にて保持すると
共に、被処理体の表面に処理液を供給して処理する処理
装置において、 上記回転保持手段に、上記被処理体の裏面に向って気体
を供給すると共に、この気体の風圧により駆動して上記
被処理体を保持する被処理体保持機構を形成してなるこ
とを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus for holding an object to be processed by a rotation holding means and supplying a processing liquid to the surface of the object to be processed, wherein the rotation holding means faces the back surface of the object to be processed. And a gas is supplied to the object to be processed, and the object to be processed holding mechanism is formed to hold the object to be processed by being driven by the wind pressure of the gas.
【請求項2】 被処理体保持機構を、気体の風圧により
回転する回転体と、回転保持手段の周辺部の少なくとも
3箇所に配設される揺動可能な被処理体保持爪と、この
被処理体保持爪に上記回転体の回転運動を伝達する伝達
リンクとで構成してなることを特徴とする請求項1記載
の処理装置。
2. An object-to-be-processed holding mechanism is rotated by a wind pressure of a gas, an object-to-be-processed holding claw disposed at at least three locations around a rotation holding means, and the object to be processed. The processing device according to claim 1, wherein the processing device holding claw comprises a transmission link for transmitting the rotational movement of the rotating body.
【請求項3】 被処理体保持機構を、気体の風圧により
直線移動する移動体と、回転保持手段の周辺部の少なく
とも3箇所に揺動可能に配設されると共に、上記移動体
によって被処理体の保持又は解放位置に切換え可能な被
処理体保持爪とで構成してなることを特徴とする請求項
1記載の処理装置。
3. The object-to-be-processed holding mechanism is swingably arranged at least at three locations around a moving body that linearly moves by the wind pressure of a gas and around a rotation holding means, and the object to be treated is treated by the moving body. The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing object holding claw is capable of switching to a body holding or releasing position.
【請求項4】 移動体をシリンダ内に摺動自在に配設さ
れるピストンにて形成し、上記シリンダにおける被処理
体裏面と対向する部位に、上記ピストンの移動に伴って
開閉する気体吐出口を設けてなることを特徴とする請求
項3記載の処理装置。
4. A gas discharge port which is formed by a piston slidably disposed in a cylinder, and which is opened and closed in accordance with the movement of the piston at a portion of the cylinder facing the rear surface of the object to be treated. The processing apparatus according to claim 3, further comprising:
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