JP2017069285A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】一方の分割予定ラインが非連続に形成されたウエーハをレーザー加工する際に、一方の分割予定ラインの端部が他方の分割予定ラインにＴ字路となる交点付近で既に形成された改質層にレーザービームが照射されることを抑制し、レーザービームの反射又は散乱を防止し、漏れ光によるデバイスの損傷を防止可能な加工方法を提供する。【解決手段】第１分割予定ライン１３ａに沿って改質層を形成する第１方向改質層１７形成ステップと、第２分割予定ライン１３ｂに沿って改質層を形成する第２方向改質層１９形成ステップと、第１分割予定ラインにＴ字路となって交わる第２分割予定ラインに第２方向改質層を形成するＴ字路加工ステップを含み、第１方向改質層形成ステップ及び第２方向改質層形成ステップでは、波長１３４２ｎｍのレーザービームを使用し、Ｔ字路加工ステップでは波長１０６４ｎｍのレーザービームを使用する。【選択図】図６

Description

本発明は、シリコンウエーハ等のウエーハの加工方法に関する。

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは、携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。

ウエーハの分割には、ダイシングソーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイヤモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードを、３００００ｒｐｍ程度の高速で回転させつつウエーハへと切り込ませることでウエーハを切削し、ウエーハを個々のデバイスチップへと分割する。

一方、近年では、レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が開発され、実用化されている。レーザービームを用いてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法として、以下に説明する第１及び第２の加工方法が知られている。

第１の加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を分割予定ラインに対応するウエーハの内部に位置付けて、レーザービームを分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後分割装置によりウエーハに外力を付与してウエーハを改質層を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である（例えば、特許第３４０８８０５号参照）。

第２の加工方法は、ウエーハに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のレーザービームを分割予定ラインに対応する領域に照射してアブレーション加工により加工溝を形成し、その後外力を付与してウエーハを加工溝を分割起点として個々のデバイスチップに分割する方法である（例えば、特開平１０−３０５４２０号参照）。

上記第１の加工方法では、加工屑の発生もなく、従来一般的に用いられてきた切削ブレードによるダイシングに比較し、カットラインの極小化や無水加工等のメリットがあり、盛んに用いられている。

また、レーザービームの照射によるダイシング方法では、プロジェクションウエーハに代用されるような分割予定ライン（ストリート）が非連続的な構成のウエーハを加工できるというメリットがある（例えば、特開２０１０−１２３７２３号参照）。分割予定ラインが非連続的なウエーハの加工では、分割予定ラインの設定に従ってレーザービームの出力をオン／オフして加工する。

特許第３４０８８０５号公報 特開平１０−３０５４２０号公報 特開２０１０−１２３７２３号公報

しかし、第１の方向に連続的に伸長する分割予定ラインに第２の方向に伸長する分割予定ラインがＴ字路となって突き当たる交点付近では、次のような問題がある。

（１）デバイスの一辺に平行な第１分割予定ラインの内部に先に第１改質層が形成された第１分割予定ラインにＴ字路となって交わる第２分割予定ラインの内部に第２改質層を形成すると、レーザービームの集光点がＴ字路の交点に近付くにつれて既に形成された第１改質層に第２分割予定ラインを加工するレーザービームの一部が照射されて、レーザービームの反射又は散乱が発生し、デバイス領域に光が漏れ、この漏れ光によりデバイスに損傷を与えデバイスの品質を低下させるという問題がある。

（２）反対に、デバイスの一辺に平行な第１分割予定ラインに改質層を形成する前に、第１分割予定ラインにＴ字路となって突き当たる第２分割予定ラインに沿ってウエーハの内部に先に改質層を形成すると、Ｔ字路の交点近傍に形成された改質層から発生するクラックの進行を遮断する改質層がＴ字路の交点に存在しないことに起因して、Ｔ字路の交点からクラックが１〜２ｍｍ程度伸長してデバイスに至り、デバイスの品質を低下させるという問題がある。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、少なくとも一方の分割予定ラインが非連続に形成されたウエーハをレーザー加工する際に、一方の分割予定ラインの端部が他方の分割予定ラインにＴ字路となって突き当たる交点付近で既に形成された改質層にレーザービームが照射されることを抑制し、改質層でのレーザービームの反射又は散乱を防止し、漏れ光によるデバイスの損傷を防止可能なウエーハの加工方法を提供することである。

本発明によると、第１の方向に形成された複数の第１分割予定ラインと該第１の方向と交差する第２の方向に形成された複数の第２分割予定ラインとで区画された各領域にデバイスが形成され、該第１分割予定ラインと該第２分割予定ラインのうち少なくとも該第２分割予定ラインが非連続に形成されているウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、該第１分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第１分割予定ラインに沿った複数層の第１方向改質層を形成する第１方向改質層形成ステップと、該第１方向改質層形成ステップを実施した後、該第２分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第２分割予定ラインに沿った複数層の第２方向改質層を形成する第２方向改質層形成ステップと、該第１方向改質層形成ステップ及び該第２方向改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与し、該第１方向改質層及び該第２方向改質層を破断起点にウエーハを該第１分割予定ライン及び該第２分割予定ラインに沿って破断して個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、該第２方向改質層形成ステップは、該第１方向改質層が形成された該第１分割予定ラインにＴ字路となって交わる該第２分割予定ラインの内部に第２方向改質層を形成するＴ字路加工ステップを含み、該Ｔ字路加工ステップでは、波長が１０６４ｎｍのレーザービームに照射されることを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。

好ましくは、該Ｔ字路加工ステップ以外の第１方向改質層形成ステップ及び該第２方向改質層形成ステップでは、波長が１３００ｎｍ以上のレーザービームが照射される。より好ましくは、Ｔ字路加工ステップ以外のステップで照射するレーザービームの波長は１３４２ｎｍである。

本発明のウエーハの加工方法によると、Ｔ字路加工ステップでは波長が１０６４ｎｍのレーザービームが照射されるので、波長１３００ｎｍ以上のレーザービームを照射する場合に比較して、レーザービームが先に形成された第１方向改質層に衝突してレーザービームの散乱又は反射による漏れ光が発生しても、漏れ光の発生量が少ないため、漏れ光がデバイスをアタックしてデバイスに損傷を与えるという問題を抑制できる。従って、デバイスの品質を低下させることがなく、分割予定ラインに沿ってウエーハの内部に適正な改質層を形成することができる。

本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置の斜視図である。 レーザービーム発生ユニットのブロック図である。 本発明のウエーハの加工方法で加工されるのに適した半導体ウエーハの斜視図である。 第１方向改質層形成ステップを示す斜視図である。 第１方向改質層形成ステップを示す模式的断面図である。 第２方向改質層形成ステップを示す模式的平面図である。 第１及び第２方向改質層形成ステップとＴ字路加工ステップとの間で使用するレーザー発振器を切り換える構成を示す模式的側面図である。 分割装置の斜視図である。 分割ステップを示す断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明実施形態のウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザー加工装置２の斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、静止基台４上に搭載されたＹ軸方向に伸長する一対のガイドレール６を含んでいる。

Ｙ軸移動ブロック８は、ボールねじ１０及びパルスモータ１２とから構成されるＹ軸送り機構（Ｙ軸送り手段）１４により割り出し送り方向、即ちＹ軸方向に移動される。Ｙ軸移動ブロック８上には、Ｘ軸方向に伸長する一対のガイドレール１６が固定されている。

Ｘ軸移動ブロック１８は、ボールねじ２０及びパルスモータ２２とから構成されるＸ軸送り機構（Ｘ軸送り手段）２８により、ガイドレール１６に案内されて加工送り方向、即ちＸ軸方向に移動される。

Ｘ軸移動ブロック１８上には円筒状支持部材３０を介してチャックテーブル２４が搭載されている。チャックテーブル２４には、図４に示す環状フレームＦをクランプする複数（本実施形態では４個）のクランプ２６が配設されている。

ベース４の後方にはコラム３２が立設されている。コラム３２には、レーザービーム照射ユニット３４のケーシング３６が固定されている。レーザービーム照射ユニット３４は、ケーシング３６中に収容された第１レーザービーム発生ユニット３５と、ケーシング３６の先端に取り付けられた集光レンズ３９（図７参照）を有する集光器（レーザーヘッド）３８を含んでいる。集光器３８は上下方向（Ｚ軸方向）に微動可能にケーシング３６に取り付けられている。

第１レーザービーム発生ユニット３５は、図２に示すように、波長１０６４ｎｍのパルスレーザーを発振するＹＡＧレーザー発振器又はＹＶＯ４レーザー発振器等の第１レーザー発振器４２Ａと、繰り返し周波数設定手段４４と、パルス幅調整手段４６と、レーザー発振器４２から発振されたパルスレーザービームのパワーを調整するパワー調整手段４８とを含んでいる。

更に、図７に示すように、波長１３４２ｎｍのパルスレーザーを発振するＹＡＧレーザー発振器又はＹＶＯ４レーザー発振器等の第２レーザー発振器４２Ｂを有する図示しない第２レーザービーム発生ユニットを備えている。

第２レーザービーム発生ユニットも、図２に示す第１レーザービーム発生ユニット３５と同様に、繰り返し周波数設定手段、パルス幅調整手段及びパワー調整手段を含んでいるが、これらの構成要素は図７では省略されている。

レーザービーム照射ユニット３４のケーシング３６の先端には、チャックテーブル２４に保持されたウエーハ１１を撮像する顕微鏡及びカメラを備えた撮像ユニット４０が装着されている。集光器３８と撮像ユニット４０はＸ軸方向に整列して配設されている。

図３を参照すると、本発明のウエーハの加工方法により加工されるのに適した半導体ウエーハ（以下、単にウエーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。ウエーハ１１の表面１１ａには、第１の方向に連続的に形成された複数の第１分割予定ライン１３ａと、第１分割予定ライン１３ａと直交する方向に非連続的に形成された複数の第２分割予定ライン１３ｂが形成されており、第１分割予定ライン１３ａと第２分割予定ライン１３ｂとで区画された領域にＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。

本発明実施形態のウエーハの加工方法を実施するのに当たり、図４に示すように、ウエーハ１１はその表面が外周部が環状フレームＦに貼着された粘着テープであるダイシングテープＴに貼着されたフレームユニットの形態とされ、このフレームユニットの形態でウエーハ１１はチャックテーブル２４上に載置されてダイシングテープＴを介して吸引保持され、環状フレームＦはクランプ２６によりクランプされて固定される。

特に図示しないが、本発明のウエーハの加工方法では、まずチャックテーブル２４に吸引保持されたウエーハ１１をレーザー加工装置２の撮像ユニット４０の直下に位置付けて、撮像ユニット４０によりウエーハ１１を撮像して、第１分割予定ライン１３ａを集光器３８とＸ軸方向に整列させるアライメントを実施する。

次いで、チャックテーブル２４を９０°回転してから、第１分割予定ライン１３ａと直交する方向に伸長する第２分割予定ライン１３ｂについても同様なアライメントを実施し、アライメントのデータをレーザー加工装置２のコントローラのＲＡＭに格納する。

レーザー加工装置２の撮像ユニット４０は通常赤外線カメラを備えているため、この赤外線カメラによりウエーハ１１の裏面１１ｂ側からウエーハ１１を透かして表面１１ａに形成された第１及び第２分割予定ライン１３ａ，１３ｂを検出することができる。

アライメント実施後、第１分割予定ライン１３ａに沿ってウエーハ１１の内部に第１方向改質層１７を形成する第１方向改質層形成ステップを実施する。この第１方向改質層形成ステップでは、図４及び図５に示すように、シリコンウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を集光器３８によりウエーハ１１の内部に位置付けて、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側から第１分割予定ライン１３ａに照射し、チャックテーブル２４を図５で矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、ウエーハ１１の内部に第１分割予定ライン１３ａに沿った第１方向改質層１７を形成する。

ここで、シリコンウエーハの光学吸収端は約１０５０ｎｍであるため、シリコンウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームとしては、波長１３００ｎｍ以上のレーザービームが好ましい。

ＹＡＧパルスレーザーの発振波長は通常１０６４ｎｍであるが、ＹＡＧの組成を調整することにより、１３４２ｎｍ、１５５０ｎｍ、２９４０ｎｍのレーザーを発振することができる。

本実施形態では、第１方向改質層形成ステップで使用するレーザービームとして、波長１３４２ｎｍのレーザービームを使用することにした。波長１３４２ｎｍのレーザービームは１０６４ｎｍのレーザービームに比較してシリコンウエーハ１１に対する透過性が高いため、ウエーハ内部に良好な第１改質層１７を形成することができる。

好ましくは、集光器３８を上方に段階的に移動して、ウエーハ１１の内部に第１分割予定ライン１３ａに沿った複数層の第１方向改質層１７、例えば５層の第１方向改質層１７を形成する。

改質層１７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域を言い、溶融再固化層として形成される。この第１方向改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。

光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧパルスレーザー
波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：０．５Ｗ
集光スポット径 ：φ３μｍ
加工送り速度 ：２００ｍｍ／ｓ

第１方向改質層形成ステップを実施した後、延在方向（伸長方向）の端部が第１分割予定ライン１３ａにＴ字路となって突き当たる第２分割予定ライン１３ｂに沿って、ウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハ１１の内部に集光して照射し、ウエーハ１１の内部に第２分割予定ライン１３ｂに沿った第２方向改質層１９を形成する第２方向改質層形成ステップを実施する。

この第２方向改質層形成ステップでは、チャックテーブル２４を９０°回転した後、ウエーハ１１の内部に第２分割予定ライン１３ｂに沿った複数層の第２方向改質層１９を形成する。

本実施形態では、第２方向改質層形成ステップで使用するレーザービームとして第１方向改質層形成ステップと同様に波長１３４２ｎｍのレーザービームを使用した。図６は第２方向改質層形成ステップを示す模式的平面図を示している。第２方向改質層形成ステップの加工条件は上述した第１方向改質層形成ステップの加工条件と同様である。

第２方向改質層形成ステップは、第１方向改質層１７が形成された第１分割予定ライン１３ａにＴ字路となって交わる第２分割予定ライン１３ｂの内部に第２方向改質層１９を形成するＴ字路加工ステップを含んでいる。

Ｔ字路加工ステップでは、図７に示すように、移動機構４７により反射ミラー４３を移動して、第１レーザー発振器４２Ａから発振された波長１０６４ｎｍのレーザービームを反射ミラー４３により反射して集光レンズ３９に入射する。移動機構４７は例えばエアシリンダから構成され、エアシリンダ４７のピストンロッドが反射ミラー４３を支持する支持部材４５に連結されている。

このように、Ｔ字路加工ステップでは、図６に示す波長１３４２ｎｍのレーザービームで形成した第２方向改質層１９に連続して、第１レーザー発振器４２Ａから発振された波長１０６４ｎｍのレーザービームで第２分割予定ライン１３ｂに沿ってウエーハ内部に第２方向改質層１９を形成し、第１方向改質層１７に交わる寸前でＴ字路加工ステップを中止する。

Ｔ字路加工ステップで第２レーザー発振器４２Ｂから第１レーザー発振器４２Ａに切り換える地点の座標は予めレーザー加工装置２のコントローラのメモリに格納しておく。そして、集光器３８から照射されるレーザービームのｘ座標値が予め格納されている座標値に一致した時、移動機構４７を駆動して照射されるレーザービームを波長１３４２ｎｍのレーザービームから波長１０６４ｎｍのレーザービームに切り換えてＴ字路加工ステップを実施する。

Ｔ字路加工ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。

光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧパルスレーザー
波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：０．５Ｗ
集光スポット径 ：φ３μｍ
加工送り速度 ：２００ｍｍ／ｓ

上述したように、シリコンウエーハの光学吸収端は約１０５０ｎｍ近辺であるため、シリコンウエーハに対して透過性の良い波長１３００ｎｍ以上のレーザービームを使用して第１改質層形成ステップ及び第２改質層形成ステップを実施すると、良好な第１方向改質層１７及び第２方向改質層１９を形成することができる。

しかし、波長１３００ｎｍ以上のレーザービームは透過性が良好であることに起因して改質層を形成した後の余ったレーザービームが漏れ光となってウエーハ１１の表面１１ａに形成されたデバイス１５をアタックして回路を損傷させる恐れがある。

そこで、本発明のウエーハの加工方法では、透過性は有するもののシリコンウエーハの光学吸収端に近い波長１０６４ｎｍのレーザービームをＴ字路加工ステップに使用したことにより、第２方向改質層１９を形成した後の余ったレーザービームはウエーハ１１の表面１１ａに至る途中で吸収されて消光し、デバイス１５をアタックすることが抑制される。

第１方向改質層形成ステップ及び第２方向改質層形成ステップを実施した後、ウエーハ１１に外力を付与し、第１方向改質層１７及び第２方向改質層１９を破断起点にウエーハ１１を第１分割予定ライン１３ａ及び第２分割予定ライン１３ｂに沿って破断して、個々のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。

この分割ステップは、例えば図８に示すような分割装置（エキスパンド装置）５０を使用して実施する。図８に示す分割装置５０は、環状フレームＦを保持するフレーム保持手段５２と、フレーム保持手段５２に保持された環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張するテープ拡張手段５４を具備している。

フレーム保持手段５２は、環状のフレーム保持部材５６と、フレーム保持部材５６の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ５８から構成される。フレーム保持部材５６の上面は環状フレームＦを載置する載置面５６ａを形成しており、この載置面５６ａ上に環状フレームＦが載置される。

そして、載置面５６ａ上に載置された環状フレームＦは、クランプ５８によってフレーム保持手段５２に固定される。このように構成されたフレーム保持手段５２はテープ拡張手段５４によって上下方向に移動可能に支持されている。

テープ拡張手段５４は、環状のフレーム保持部材５６の内側に配設された拡張ドラム６０を具備している。拡張ドラム６０の上端は蓋６２で閉鎖されている。この拡張ドラム６０は、環状フレームＦの内径より小さく、環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されるウエーハ１１の外径より大きい内径を有している。

拡張ドラム６０はその下端に一体的に形成された支持フランジ６４を有している。テープ拡張手段５４は更に、環状のフレーム保持部材５６を上下方向に移動する駆動手段６６を具備している。この駆動手段６６は支持フランジ６４上に配設された複数のエアシリンダ６８から構成されており、そのピストンロッド７０はフレーム保持部材５６の下面に連結されている。

複数のエアシリンダ６８から構成される駆動手段６６は、環状のフレーム保持部材５６を、その載置面５６ａが拡張ドラム６０の上端である蓋６２の表面と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム６０の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動する。

以上のように構成された分割装置５０を用いて実施するウエーハ１１の分割ステップについて図９を参照して説明する。図９（Ａ）に示すように、ウエーハ１１をダイシングテープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材５６の載置面５６ａ上に載置し、クランプ５８によってフレーム保持部材５６に固定する。この時、フレーム保持部材５６はその載置面５６ａが拡張ドラム６０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。

次いで、エアシリンダ６８を駆動してフレーム保持部材５６を図９（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材５６の載置面５６ａ上に固定されている環状フレームＦを下降するため、環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム６０の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。

その結果、ダイシングテープＴに貼着されているウエーハ１１には放射状に引っ張り力が作用する。このようにウエーハ１１に放射状に引っ張り力が作用すると、第１分割予定ライン１３ａに沿って形成された第１方向改質層１７及び第２分割予定ライン１３ｂに沿って形成された第２方向改質層１９が分割起点となって、ウエーハ１１が第１分割予定ライン１３ａ及び第２分割予定ライン１３ｂに沿って破断され、個々のデバイスチップ２１に分割される。

１１ 半導体ウエーハ
１３ａ 第１分割予定ライン
１３ｂ 第２分割予定ライン
１５ デバイス
１７ 第１方向改質層
１９ 第２方向改質層
２４ チャックテーブル
３４ レーザービーム照射ユニット
３５ レーザービーム発生ユニット
３８ 集光器（レーザーヘッド）
３９ 集光レンズ
４０ 撮像ユニット
４２Ａ 第１レーザー発振器
４２Ｂ 第２レーザー発振器
４３ 反射ミラー
４７ 移動機構
５０ 分割装置

Claims (3)

1. 第１の方向に形成された複数の第１分割予定ラインと該第１の方向と交差する第２の方向に形成された複数の第２分割予定ラインとで区画された各領域にデバイスが形成され、該第１分割予定ラインと該第２分割予定ラインのうち少なくとも該第２分割予定ラインが非連続に形成されているウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
   該第１分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第１分割予定ラインに沿った複数層の第１方向改質層を形成する第１方向改質層形成ステップと、
   該第１方向改質層形成ステップを実施した後、該第２分割予定ラインに沿って、ウエーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側からウエーハの内部に集光して照射し、ウエーハの内部に該第２分割予定ラインに沿った複数層の第２方向改質層を形成する第２方向改質層形成ステップと、
   該第１方向改質層形成ステップ及び該第２方向改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与し、該第１方向改質層及び該第２方向改質層を破断起点にウエーハを該第１分割予定ライン及び該第２分割予定ラインに沿って破断して個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、
   該第２方向改質層形成ステップは、該第１方向改質層が形成された該第１分割予定ラインにＴ字路となって交わる該第２分割予定ラインの内部に第２方向改質層を形成するＴ字路加工ステップを含み、
   該Ｔ字路加工ステップでは、波長が１０６４ｎｍのレーザービームが照射されることを特徴とするウエーハの加工方法。
2. 該Ｔ字路加工ステップ以外の第１方向改質層形成ステップ及び該第２方向改質層形成ステップでは、波長が１３００ｎｍ以上のレーザービームが照射される請求項１記載のウエーハの加工方法。
3. 該Ｔ字路加工ステップ以外で照射されるレーザービームの波長は１３４２ｎｍである請求項２記載のウエーハの加工方法。

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