JP2017063225A5 - 基板処理システム - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウェーハ等の基板に処理液を供給して当該基板を処理する基板処理システムに関する。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、特に高濃度の処理液を用いなくても効率よく基板の処理を行いうる基板処理システムを提供するものである。
本発明に係る基板処理システムは、
処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる活性種含有処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する構成となる。
処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる活性種含有処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する構成となる。
また、本発明に係る基板処理システムは、
処理液を用いてシリコン製基板のエッチング処理を行う基板処理機構と、
前記シリコン製基板の処理の活性化に寄与する活性種としての亜硝酸(HNO 2 )を含む亜硝酸含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸(HF)及び硝酸(HNO 3 )を含むエッチング処理液とを混合してなる活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する構成となる。
処理液を用いてシリコン製基板のエッチング処理を行う基板処理機構と、
前記シリコン製基板の処理の活性化に寄与する活性種としての亜硝酸(HNO 2 )を含む亜硝酸含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸(HF)及び硝酸(HNO 3 )を含むエッチング処理液とを混合してなる活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する構成となる。
本発明に係る基板処理システムによれば、特に高濃度の処理液を使わずに当該処理液の利用効率の低下を防止しつつ、活性種の作用によって、処理液により効率よく基板を処理することができる。
なお、回収タンク21には調節弁Vc9を通して希釈用の水(純水)を供給することができ、回収タンク21に貯められた使用後のエッチング処理液を、開閉弁V7を通して排出(Drain)することができる。溶液貯留タンク22に貯められた溶液を、開閉弁V6を通して排出(Drain)することができる。また、第1供給タンク23に貯められたエッチング処理液を、ポンプP4の動作によって、開閉弁V3及びV5を通して排出(Drain)することができ、第2供給タンク24に貯められたエッチング処理液も、ポンプP4の動作によって、開閉弁V4及びV5を通して排出(Drain)することができる。
上記のようにしてスピン処理装置10において粗面化シリコンウェーハWのエッチング処理がなされている過程で排出されるエッチング処理液が、シリコン(Si)の溶解した亜硝酸(HNO2)含有溶液として、回収タンク21に貯められる。そして、図10の太線で示すように、回収タンク21からそのシリコン(Si)が溶解した亜硝酸含有溶液(使用後のエッチング処理液)がポンプP1の動作により、開放された開閉弁V1を通して溶液貯留タンク22に供給される(S017)。その後、溶液貯留タンク22での上限の液量が上限センサHにて検出されると、図11に示すように、開閉弁V1が閉じられ、回収タンク21から溶液貯留タンク22への亜硝酸含有溶液の供給が停止される(S018)。なお、適当なタイミングにおいて、調節弁Vc5が閉じられて第1供給タンク23からのエッチング処理液の供給が停止されるとともに、調節弁Vc6が所定の開度に調整されて、図11の太線で示すように、第2供給タンク24から調節弁Vc6の開度に応じた流量にてエッチング処理液がスピン処理装置10(SPM)に供給される(S015)。
第2供給タンク24からライフタイムの満了した上記活性種含有エッチング処理液の全てが排出されると、前述した第1供給タンクの場合(図4CにおけるS43〜S46参照)と同様に、第2供給タンク24において、薬液供給ユニットからの各薬液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)により調合された新たなエッチング処理液と、溶液貯留タンク22からの活性種含有溶液(ライフタイムの満了した活性種含有エッチング処理液)とが混合されて新たな活性種含有エッチング処理液が生成される(S53〜S55)。そして、第2供給タンク24において、その新たな活性種含有エッチング処理液が、所定温度に調整されつつ循環され(S56)、活性種含有エッチング処理液の濃度の均一化が図られる。
Claims (4)
- 処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる活性種含有処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する基板処理システム。 - 前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、前記処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ前記所定基板を処理した後の活性種含有処理液を前記処理液回収機構が回収し、この回収された前記活性種含有溶液を予め前記活性種含有溶液として前記貯液機構に貯めておく請求項1に記載の基板処理システム。
- 処理液を用いてシリコン製基板のエッチング処理を行う基板処理機構と、
前記シリコン製基板の処理の活性化に寄与する活性種としての亜硝酸(HNO 2 )を含む亜硝酸含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸(HF)及び硝酸(HNO 3 )を含むエッチング処理液とを混合してなる活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有する処理液生成機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する処理液供給機構と、
前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す処理液戻し機構と、
前記供給タンク内の前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構と、
を有する基板処理システム。 - 前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、前記エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸(HNO 2 )を生じさせつつ前記所定シリコン製基板を処理した後の活性種含有エッチング処理液を前記処理液回収機構が回収し、この回収された前記活性種含有エッチング処理液を予め前記亜硝酸含有溶液として前記貯液機構に貯めおく請求項3に記載の基板処理システム。
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