JP2017059601A - ゲルマニウム受光器 - Google Patents
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Abstract
Description
n型又はp型のいずれか一方のSi又はSiGe又はGeからなる第1層と、
前記第1層に接して形成されたi型のSi又はSiGe又はGeからなる第2層と、
前記第2層の前記第1層と接する面とは異なる面に接して形成されたn型又はp型のいずれか他方のSi又はSiGe又はGeからなる第3層と、
前記第3層の前記第2層と接する面とは異なる面に接して形成されたi型の第1Ge層と、
前記第1Ge層の前記第3層と接する面とは異なる面に接して形成されたn型又はp型のいずれか他方の第2Ge層と、
前記第1層から前記第2Ge層の間に電圧を印加して、前記第1Ge層に印加される電界を3kV/mm以上、9kV/mm以下とする電極とを有する
ことを特徴とする。
上記第1の発明に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第2層は、前記第1層の上面に接して形成され、
前記第3層は、前記第2層の上面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
端面に光が入力される前記第1層と共に、前記第2層、前記第3層、前記第1Ge層、前記第2Ge層及び前記電極は、前記光の光導波方向に延在されている
ことを特徴とする。
上記第1の発明に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第1層は、前記第2層の側面に接して形成され、
前記第2層は、前記第3層の側面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
端面に光が入力される前記第3層と共に、前記第1層、前記第2層、前記第1Ge層、前記第2Ge層及び前記電極は、前記光の光導波方向に延在されている
ことを特徴とする。
前記第2層は、前記第1層の上面に接して形成され、
前記第3層は、前記第2層の上面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
前記第2Ge層の上面に光が入力される
ことを特徴とする。
上記第1の発明に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第1層は、前記第2層の側面に接して形成され、
前記第2層は、前記第3層の側面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
前記第2Ge層の上面に光が入力される
ことを特徴とする。
上記第1〜第5のいずれか1つの発明に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第3層のドーピング濃度を1016cm-3以上、1018cm-3以下の範囲から、前記第1層及び前記第2Ge層のドーピング濃度を1018cm-3以上、1021cm-3以下の範囲から、前記電圧を10V以上、30V以下の範囲から、各々選択して、3kV/mm以上、9kV/mm以下の電界を前記第1Ge層に印加する
ことを特徴とする。
図3は、本実施例のGeAPDの構造を示す斜視図である。本実施例のGeAPDは、図3に示すように、n型のSi又はSiGe又はGeからなる第1層(ここでは、一例として、n型Si層21)と、n型Si層21の上面に接して形成されたi型のSi又はSiGe又はGeからなる第2層(増幅層;ここでは、一例として、i型Si層22)と、i型Si層22の上面に接して形成されたp型のSi又はSiGe又はGeからなる第3層(調整層;ここでは、一例として、p型Si層23)と、p型Si層23の上面に接して形成されたi型Ge層24(第1Ge層)と、i型Ge層24の上面に接して形成されたp型Ge層25(第2Ge層)とを有する積層構造となっている。そして、n型Si層21における積層構造がない部分の上面に電極26が形成され、p型Ge層25の上面に電極27が形成され、n型Si層21におけるi型Ge層24の真下部分の端面に、光が入力されるSi導波路28が接続されている。電極26及び電極27を用いて、n型Si層21からp型Ge層25の間にバイアス電圧が印加される構成である。
図4は、本実施例のGeAPDの構造を示す斜視図である。本実施例のGeAPDは、図4に示すように、n型のSi又はSiGe又はGeからなる第1層(ここでは、一例として、n型Si層31)と、n型Si層31の側面に接して形成されたi型のSi又はSiGe又はGeからなる第2層(増幅層;ここでは、一例として、i型Si層32)と、i型Si層32の側面に接して形成されたp型のSi又はSiGe又はGeからなる第3層(調整層;ここでは、一例として、p型Si層33)と、p型Si層33の上面に接して形成されたi型Ge層34(第1Ge層)と、i型Ge層34の上面に接して形成されたp型Ge層35(第2Ge層)とを有する層構造となっている。そして、n型Si層31の上面に電極36が形成され、p型Ge層35の上面に電極37が形成され、p型Si層33におけるi型Ge層34の真下部分の端面に、光が入力されるSi導波路38が接続されている。電極36及び電極37を用いて、n型Si層31からp型Ge層35の間にバイアス電圧が印加される構成である。
図5は、本実施例のGeAPDの構造を示す斜視図である。本実施例のGeAPDは、図5に示すように、p型のSi又はSiGe又はGeからなる第1層(ここでは、一例として、p型Si層41)と、p型Si層41の上面に接して形成されたi型のSi又はSiGe又はGeからなる第2層(増幅層;ここでは、一例として、i型Si層42)と、i型Si層42の上面に接して形成されたn型のSi又はSiGe又はGeからなる第3層(調整層;ここでは、一例として、n型Si層43)と、n型Si層43の上面に接して形成されたi型Ge層44(第1Ge層)と、i型Ge層44の上面に接して形成されたn型Ge層45(第2Ge層)とを有する積層構造となっている。そして、p型Si層41における積層構造がない部分の上面に電極46が形成され、n型Ge層45の上面に電極47が形成され、p型Si層41におけるi型Ge層44の真下部分の端面に、光が入力されるSi導波路48が接続されている。電極46及び電極47を用いて、p型Si層41からn型Ge層45の間にバイアス電圧が印加される構成である。
図6は、本実施例のGeAPDの構造を示す斜視図である。本実施例のGeAPDは、図6に示すように、n型のSi又はSiGe又はGeからなる第1層(ここでは、一例として、n型Si層51)と、n型Si層51の上面に接して形成されたi型のSi又はSiGe又はGeからなる第2層(増幅層;ここでは、一例として、i型Si層52)と、i型Si層52の上面に接して形成されたp型のSi又はSiGe又はGeからなる第3層(調整層;ここでは、一例として、p型Si層53)と、p型Si層53の上面に接して形成されたi型Ge層54(第1Ge層)と、i型Ge層54の上面に接して形成されたp型Ge層55(第2Ge層)とを有する積層構造となっている。そして、n型Si層51における積層構造がない部分の上面に電極56が形成され、p型Ge層55の上面に電極57が形成されている。電極56及び電極57を用いて、n型Si層51からp型Ge層55の間にバイアス電圧が印加される。また、p型Ge層55の上面に上方からの光が入力される構成である。
図7は、本実施例のGeAPDの構造を示す斜視図である。本実施例のGeAPDは、図7に示すように、n型のSi又はSiGe又はGeからなる第1層(ここでは、一例として、n型Si層61)と、n型Si層61の側面に接して形成されたi型のSi又はSiGe又はGeからなる第2層(増幅層;ここでは、一例として、i型Si層62)と、i型Si層62の側面に接して形成されたp型のSi又はSiGe又はGeからなる第3層(調整層;ここでは、一例として、p型Si層63)と、p型Si層63の上面に接して形成されたi型Ge層64(第1Ge層)と、i型Ge層64の上面に接して形成されたp型Ge層65(第2Ge層)とを有する層構造となっている。そして、n型Si層61の上面に電極66が形成され、p型Ge層65の上面に電極67が形成されている。電極66及び電極67を用いて、n型Si層61からp型Ge層65の間にバイアス電圧が印加される。また、p型Ge層65の上面に上方からの光が入力される構成である。
12、22、32、52、62 i型Si層
13、23、33、53、63 p型Si層
14、24、34、54、64 i型Ge層
15、25、35、55、65 p型Ge層
26、27、36、37、46、47、56、57、66、67 電極
41 p型Si層
42 i型Si層
43 n型Si層
44 i型Ge層
45 n型Ge層
Claims (6)
- n型又はp型のいずれか一方のSi又はSiGe又はGeからなる第1層と、
前記第1層に接して形成されたi型のSi又はSiGe又はGeからなる第2層と、
前記第2層の前記第1層と接する面とは異なる面に接して形成されたn型又はp型のいずれか他方のSi又はSiGe又はGeからなる第3層と、
前記第3層の前記第2層と接する面とは異なる面に接して形成されたi型の第1Ge層と、
前記第1Ge層の前記第3層と接する面とは異なる面に接して形成されたn型又はp型のいずれか他方の第2Ge層と、
前記第1層から前記第2Ge層の間に電圧を印加して、前記第1Ge層に印加される電界を3kV/mm以上、9kV/mm以下とする電極とを有する
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。 - 請求項1に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第2層は、前記第1層の上面に接して形成され、
前記第3層は、前記第2層の上面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
端面に光が入力される前記第1層と共に、前記第2層、前記第3層、前記第1Ge層、前記第2Ge層及び前記電極は、前記光の光導波方向に延在されている
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。 - 請求項1に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第1層は、前記第2層の側面に接して形成され、
前記第2層は、前記第3層の側面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
端面に光が入力される前記第3層と共に、前記第1層、前記第2層、前記第1Ge層、前記第2Ge層及び前記電極は、前記光の光導波方向に延在されている
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。 - 請求項1に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第2層は、前記第1層の上面に接して形成され、
前記第3層は、前記第2層の上面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
前記第2Ge層の上面に光が入力される
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。 - 請求項1に記載のゲルマニウム受光器において、
前記第1層は、前記第2層の側面に接して形成され、
前記第2層は、前記第3層の側面に接して形成され、
前記第1Ge層は、前記第3層の上面に接して形成され、
前記第2Ge層は、前記第1Ge層の上面に接して形成され、
前記電極は、前記第1層と前記第2Ge層の上面に接して各々形成され、
前記第2Ge層の上面に光が入力される
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。 - 請求項1から請求項5のいずれか1つに記載のゲルマニウム受光器において、
前記第3層のドーピング濃度を1016cm-3以上、1018cm-3以下の範囲から、前記第1層及び前記第2Ge層のドーピング濃度を1018cm-3以上、1021cm-3以下の範囲から、前記電圧を10V以上、30V以下の範囲から、各々選択して、3kV/mm以上、9kV/mm以下の電界を前記第1Ge層に印加する
ことを特徴とするゲルマニウム受光器。
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