JP2017053370A - バルブおよび半導体製造装置 - Google Patents
バルブおよび半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017053370A JP2017053370A JP2015175673A JP2015175673A JP2017053370A JP 2017053370 A JP2017053370 A JP 2017053370A JP 2015175673 A JP2015175673 A JP 2015175673A JP 2015175673 A JP2015175673 A JP 2015175673A JP 2017053370 A JP2017053370 A JP 2017053370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- valve body
- pipe
- valve
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
- F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
- F16K3/0209—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor the valve having a particular passage, e.g. provided with a filter, throttle or safety device
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
- F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
- F16K3/029—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with two or more gates
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
- F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
- F16K3/04—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with pivoted closure members
- F16K3/10—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with pivoted closure members with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67353—Closed carriers specially adapted for a single substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
- Sliding Valves (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】チャンバ内の気圧の微調整が可能なバルブおよび半導体製造装置を提供する。【解決手段】本実施形態によるバルブは、筐体を備える。筐体は、チャンバに接続された第1配管に接続可能な第1開口部と、真空ポンプに接続された第2配管に接続可能な第2開口部とを有し、第1配管と第2配管とを接続可能である。第1弁体は、筐体内に設けられ、外縁が第1または第2開口部よりも大きく、かつ、第1開口部と第2開口部との間に挿入または抜去可能である。第1弁体は、第1および第2開口部よりも小さな第3開口部を有する。第2弁体は、筐体内に設けられ、外縁が第3開口部よりも大きく、かつ、第1開口部と第2開口部との間に挿入または抜去可能である。第2弁体は、第3開口部の少なくとも一部分を閉塞可能である。【選択図】図3
Description
本発明による実施形態は、バルブおよび半導体製造装置に関する。
エッチング装置や成膜装置等の半導体製造装置は、半導体基板を処理する際にチャンバ内を減圧状態としている。このようなチャンバ内の気圧を調整するために、チャンバと真空ポンプとの間に圧力調整バルブが設けられている場合がある。圧力調整バルブは、配管の開口径に適合した弁体を有し、その弁体で配管の開口部を開閉することにより、チャンバ内の気圧を調整する。しかし、従来の圧力調整バルブでは、チャンバ内の気圧の微調整が困難であった。
チャンバ内の気圧の微調整が可能なバルブおよび半導体製造装置を提供する。
本実施形態によるバルブは、筐体を備える。筐体は、チャンバに接続された第1配管に接続可能な第1開口部と、真空ポンプに接続された第2配管に接続可能な第2開口部とを有し、第1配管と第2配管とを接続可能である。第1弁体は、筐体内に設けられ、外縁が第1または第2開口部よりも大きく、かつ、第1開口部と第2開口部との間に挿入または抜去可能である。第1弁体は、第1および第2開口部よりも小さな第3開口部を有する。第2弁体は、筐体内に設けられ、外縁が第3開口部よりも大きく、かつ、第1開口部と第2開口部との間に挿入または抜去可能である。第2弁体は、第3開口部の少なくとも一部分を閉塞可能である。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態によるドライエッチング装置1(以下、エッチング装置1ともいう)の構成の一例を示す概略図である。エッチング装置1は、チャンバ10と、ステージ20と、ガス供給部30と、圧力調整バルブ40と、バルブ駆動部50と、真空ポンプ60と、排気部70と、圧力計80と、コントローラ90とを備えている。エッチング装置1は、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)等のプラズマエッチング装置である。尚、本実施形態は、エッチング装置だけでなく、減圧環境を必要とする任意の半導体装置(例えば、成膜装置等)にも適用可能である。
図1は、第1の実施形態によるドライエッチング装置1(以下、エッチング装置1ともいう)の構成の一例を示す概略図である。エッチング装置1は、チャンバ10と、ステージ20と、ガス供給部30と、圧力調整バルブ40と、バルブ駆動部50と、真空ポンプ60と、排気部70と、圧力計80と、コントローラ90とを備えている。エッチング装置1は、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)等のプラズマエッチング装置である。尚、本実施形態は、エッチング装置だけでなく、減圧環境を必要とする任意の半導体装置(例えば、成膜装置等)にも適用可能である。
チャンバ10は、ガス供給部30から供給されたエッチングガスを用いて、ステージ20上に搭載された半導体ウェハ(以下、単にウェハともいう)Wあるいは、ウェハW上の材料膜を加工するために用いられる。チャンバ10の内部は、ウェハWをエッチング処理する際に真空引きされている。
ステージ20は、チャンバ10内に設けられており、加工対象となるウェハWを載置可能である。ステージ20は、プラズマエッチングの際の一方の電極として用いられる。また、ステージ20は、ウェハWを載置した状態で回転可能に構成されている。
ガス供給部30は、チャンバ10内にエッチングガスを供給する。エッチングガスは、チャンバ10内において高周波電圧の印可や電磁波等によってプラズマ化され、そのプラズマ化したエッチングガスによってウェハWまたはその上の材料膜をエッチングする。
圧力調整バルブ40は、チャンバ10と真空ポンプ60との間を接続する配管に設けられており、チャンバ10と真空ポンプ60との間を開閉することができる。例えば、圧力調整バルブ40は、チャンバ10に接続される第1配管P1と真空ポンプ60に接続される第2配管P2との間に介在しており、第1配管P1と第2配管P2との間を開放しあるいは閉塞(遮断)する。圧力調整バルブ40は、第1配管P1と第2配管P2との間を閉塞する場合、チャンバ10と真空ポンプ60との間を気密に遮断する。これより、圧力調整バルブ40は、チャンバ10を真空ポンプ60から気密に遮断し、チャンバ10の内部を封止する。また、圧力調整バルブ40は、配管の開口度合いを変更することによって、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスを調整し、それによりチャンバ10内の気圧を調整する。圧力調整バルブ40の構成については後で図2を参照して説明する。
バルブ駆動部50は、コントローラ90の制御を受けて圧力調整バルブ40を駆動する。バルブ駆動部50からの駆動を受けて、圧力調整バルブ40は、第1配管P1と第2配管P2との間を開放しあるいは閉塞することができる。また、バルブ駆動部50からの駆動を受けて、圧力調整バルブ40は、第1配管P1と第2配管P2との間のコンダクタンスを調整することができる。
真空ポンプ60は、配管P1、P2および圧力調整バルブ40を介して、チャンバ10内の気体を排気部70へ排気し、チャンバ10内を真空引きする。これにより、真空ポンプ60は、チャンバ10内を減圧状態にする。また、真空ポンプ60は、エッチングによって発生した不要なガスを排気部70へ送る。排気部70は、真空ポンプ60に接続されており、真空ポンプ60からのガスをエッチング装置1の外部へ排出する。
圧力計80は、チャンバ10内の気圧を測定し、コントローラ90へ気圧の測定値を出力する。コントローラ90は、圧力計80からの気圧測定値に基づいて、バルブ駆動部50を制御する。圧力調整バルブ40は、バルブ駆動部50によって駆動され、チャンバ10内の気圧を調整する。このように、コントローラ90は、チャンバ10内の実際の気圧値をフィードバックしてチャンバ10内を所望の気圧に維持する。
以上のような構成を有するエッチング装置1は、ステージ20上のウェハWやその上の材料膜を、エッチングガスを用いて加工することができる。
図2は、第1の実施形態による圧力調整バルブ40の構成の一例を示す断面図である。圧力調整バルブ40は、筐体45と、第1弁体41と、第2弁体42と、伝達機構43と、押圧部46とを備えている。圧力調整バルブ40は、上述の通り、チャンバ10に接続される第1配管P1と、真空ポンプ60に接続される第2配管P2との間に介在しており、第1配管P1と第2配管P2との間を開放/閉塞することができる。これにより、真空ポンプ60は、圧力調整バルブ40を介してチャンバ10からガスを排出しチャンバ10内を減圧することができる。
筐体45は、一端が第1配管P1に接続可能な第1開口部OP1と、一端が第2配管P2に接続可能な第2開口部OP2とを有する。第1および第2開口部OP1、OP2のそれぞれの他端は、筐体45の内部に設けられた空間SPに接続されており、第1および第2開口部OP1、OP2は空間SPを介して互いに連通している。筐体45内の空間SPには、第1および第2弁体41、42が設けられている。空間SPは、筐体45内において気密状態となっている。これにより、筐体45は、第1配管P1と第2配管P2との間を気密状態で接続することができる。チャンバ10からのガスによって腐食しないように、筐体45には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の腐食耐性の高い金属を用いている。
第1弁体41は、筐体45内の空間SPに設けられており、第1シャフトSH1の軸AX1を中心として矢印A1方向に回転可能である。第1シャフトSH1は、伝達機構43を介してバルブ駆動部50によって駆動される。これにより、第1弁体41は、軸AX1を中心として、第1配管P1と第2配管P2との接続方向(ガスが流れる方向)D1に対して略垂直方向に回転移動することができる。このように第1弁体41が回転することによって、第1弁体41は、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入され、あるいは、抜去され得る。尚、図2では、第1弁体41が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された状態を示している。第1弁体41には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の腐食耐性の高い金属を用いている。
図3を参照して後で説明するように、第1弁体41は第2開口部OP2よりも小さな第3開口部OP3を有する。これにより、第1弁体41が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入され、第2開口部OP2に重複すると、第1弁体41は第2開口部OP2の開口面積を第3開口部OP3の開口面積に変更する。即ち、第1弁体41は、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスを段階的に変更することができる。
一方、第2弁体42も、筐体45内の空間SPに設けられており、第2シャフトSH2の軸AX1を中心として矢印A1方向に回転可能である。本実施形態では、第2シャフトSH2は、第1シャフトSH1とほぼ同一の軸(共通軸)AX1を中心として回転する。この場合、第2シャフトSH2は、例えば、第1シャフトSH1の内部を貫通しており、第1シャフトSH1とは独立に回転可能なように設けられている。第2シャフトSH2も、伝達機構43を介してバルブ駆動部50によって駆動され、第1シャフトSH1とは独立に回転することができる。これにより、第2弁体42は、軸AX1を中心として、ガスの流れるD1方向に対して略垂直方向に回転することができる。このように第2弁体42が回転することによって、第2弁体42は、第1弁体41と同様に、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入され、あるいは、抜去され得る。図2では、第2弁体42が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間から抜去された状態を示している。
図3を参照して後で説明するように、第2弁体42は、開口部を有しない。従って、例えば、第1弁体41が第2開口部OP2に重複した後、第2弁体42が第2開口部OP2第3開口部OP3を部分的に塞ぐこともできる。この場合、第2弁体42は、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスを微調整することができる。
尚、第2シャフトSH2の回転軸は、第1シャフトSH1の回転軸と異なっていてもよい。即ち、第2シャフトSH2は、第1シャフトSH1とは異なる位置に設けられ、第1シャフトSH1の回転軸とは異なる軸(図示せず)を中心に回転してもよい。但し、第2弁体42は、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿抜可能である必要があり、第3開口部OP3を閉塞可能に構成されている必要がある。第2弁体42にも、例えば、アルミニウム、ステンレス等の腐食耐性の高い金属を用いている。
伝達機構43は、バルブ駆動部50とシャフトSH1、SH2との間に介在するギヤ等を含む機構であり、バルブ駆動部50の駆動を受けてシャフトSH1、SHを回転させる。
押圧部46は、筐体45内に設けられ、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された第1および第2弁体41、42の一方または両方を、第2開口部P2へ押圧する。押圧部46は、ガスの流れを妨げないように、第1および第2開口部OP1、OP2に適合した環状を有する。本実施形態では、押圧部46は、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された第1および第2弁体41、42の両方を押圧することによってチャンバ10と真空ポンプ60との間を遮断する。例えば、エッチング処理中のようにガスをチャンバ10から排気部70へ流す場合には、押圧部46は、第1および第2弁体41、42から離間している。一方、チャンバ10内の気圧状態を維持するためにチャンバ10と真空ポンプ60との間を遮断する場合、押圧部46は、駆動部47によって、D1方向(図2の下方)へ移動し、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された第1および第2弁体41、42を第2開口部OP2へ向かって押し付ける。これにより、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間が遮断され、チャンバ10が真空ポンプ60から気密に遮断される。尚、押圧部46は、第1または第2開口部OP1、OP2のいずれか一方を押圧するように構成してもよい。例えば、第2弁体42が単独で第2開口部OP2を閉塞できる場合、押圧部46は、第1または第2開口部OP1、OP2のうち第2弁体42のみを第2開口部OP2へ押圧することによって第2開口部OP2を閉塞してもよい。
図3は、第1および第2弁体41、42の構成の一例を示す平面図である。図4は、第1または第2開口部OP1、OP2に重複した第1弁体41に対して第2弁体42を移動させている様子を示す図である。図3および図4を参照して、第1および第2弁体41、42の構成をさらに説明する。尚、本実施形態では、第1および第2弁体41、42は共通軸AX1を中心にD2方向に回転可能である。
(第1弁体41)
第1弁体41は、第1挿入部(本体)41aと、第1接続部(アーム)41bとを備えている。
第1弁体41は、第1挿入部(本体)41aと、第1接続部(アーム)41bとを備えている。
第1挿入部41aは、略平板状の部材であり、その外縁は、第1および第2開口部OP1、OP2よりも大きい。また、第1挿入部41aの外縁の形状は、特に限定しないが、第1および第2開口部OP1、OP2の形状(図2のD1方向に対して垂直方向の断面形状)の略相似形を有する。例えば、図3に示すように、第1および第2開口部OP1、OP2の形状が略円形である場合、第1挿入部41aの外縁の形状も略円形である。このように第1挿入部41aの形状を第1および第2開口部OP1、OP2の形状に適合させることにより、圧力調整バルブ40全体の大きさを小さくすることができる。また、第1挿入部41aの外縁は、第1および第2開口部OP1、OP2よりも大きいので、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入されたときに、第1挿入部41aは、その少なくとも一部を第1または第2開口部OP1、OP2に重複する。即ち、第1弁体41は、第3開口部OP3以外の領域において第1または第2開口部OP1、OP2の一部または全体を被覆することができる。
第1接続部41bは、図2に示した第1シャフトSH1と第1挿入部41aとの間に接続され、第1シャフトSH1を中心として第1挿入部41aを回転させることができる。
ここで、第1挿入部41aは、その内部に第3開口部OP3を有する。第3開口部OP3の開口面積は、第1および第2開口部OP1、OP2の開口面積よりも小さい。従って、第1弁体41が第1または第2開口部OP1、OP2に重複し、第3開口部OP3以外の領域において第1または第2開口部OP1、OP2を被覆したときに、第1または第2開口部OP1、OP2の開口面積は第3開口部OP3の開口面積へ段階的に小さくすることができる。即ち、第1配管P1と第2配管P2との気体のコンダクタンスが段階的に低下する。コンダクタンスは、気体の流れる開口面積に比例する。従って、例えば、第3開口部OP3の開口面積が第1または第2開口部OP1、OP2の開口面積の約50%であれば、第1弁体41が第1または第2開口部OP1、OP2に重複したときに気体のコンダクタンスも約50%低下する。尚、第1弁体41が第2開口部OP2に重複する際に、第1弁体41の一部を第2開口部OP2に重複してもよい。これにより、第1弁体41は、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスを変更してもよい。
また、第3開口部OP3の平面形状は、図3に示すように、円弧状に湾曲した長円形状を有し、第2弁体42の挿抜方向(回転方向)D2に長径を有する。本実施形態では、第1および第2弁体41、42は、同一軸AX1を中心に回転するので、D2方向は、第1弁体41の挿抜方向(回転方向)と同一方向となっている。しかし、もし、第2弁体42の回転軸が第1弁体41の回転軸と異なる場合には、第3開口部OP3の形状は、第2弁体42の回転方向に長径を有する。即ち、第3開口部OP3の形状は、第2シャフトSH2(軸AX1)を中心とした回転方向D2に長径を有する。これにより、第1弁体41を第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入して第1または第2開口部OP1、OP2に重複させた後に、第2弁体42を第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入する際に、第2弁体42は、第3開口部OP3の開口面積を少しずつ徐々に低下させることができる。即ち、第2弁体42は、第3開口部OP3の開口面積を少しずつ低下させながら、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスを微調整することができる。これにより、第2弁体42は、第1弁体41の第3開口部OP3の一部を塞いでチャンバ10内の気圧を微調整することができる。
例えば、第3開口部OP3の形状は、第1円弧arc1と、第2円弧arc2と、2つの第3円弧arc3とによって囲まれた形状である。第1円弧arc1は、第2シャフトSH2(軸AX1)を中心として第1半径r1を有する円弧である。第2円弧arc2は、第2シャフトSH2(軸AX1)を中心として第1半径r1よりも小さな第2半径r2を有する円弧である。2つの第3円弧arc3は、第1円弧arc1と第2円弧arc2との間を接続する円弧である。尚、第1円弧arc1と第2円弧arc2との間の距離は、第1挿入部41aの直径未満であればよく、とくに限定しない。
このように、第1円弧arc1および第2円弧arc2が第2弁体42の軸XA1を中心とした円弧であることにより、図4の破線(arc42)で示すように、第2弁体42は、第1および第2円弧arc1、arc2に対して略平行方向(D2)に移動することができる。従って、圧力調整バルブ40は、第2弁体42の移動距離または回転角に基づいて、第3開口部OP3の開口面積を容易に調整(制御)することができる。
また、第3円弧arc3は、第2弁体41の第2挿入部42aの外縁の円弧arc42とほぼ同一径を有してもよい。第3円弧arc3が第2挿入部42aの外縁の円弧arc42とほぼ同一径を有する場合、第2弁体42が第3開口部OP3全体を閉塞する直前において、第3円弧arc3と円弧arc42とは略平行になる。これにより、第3円弧arc3と円弧arc42と間の距離に基づいて、第3開口部OP3の開口面積が容易に制御され得る。このように、第3開口部OP3の形状が第1〜第3円弧arc1〜arc3で規定されていることによって、第2弁体42を用いた第3開口部OP3の気体コンダクタンスの調整(制御)が容易となる。(第2弁体42)
第2弁体42は、第2挿入部(本体)42aと、第2接続部(アーム)42bとを備えている。
第2弁体42は、第2挿入部(本体)42aと、第2接続部(アーム)42bとを備えている。
第2挿入部42aも、略平板状の部材であり、その外縁は、第1および第2開口部OP1、OP2よりも大きい。また、第2挿入部42aの外縁の形状は、特に限定しないが、第1および第2開口部OP1、OP2の形状(図2のD1方向に対して垂直方向の断面形状)の略相似形を有する。例えば、第1および第2開口部OP1、OP2の形状が略円形である場合、第2挿入部42aの外縁の形状も略円形である。このように第2挿入部42aの形状を第1および第2開口部OP1、OP2の形状に適合させることにより、圧力調整バルブ40全体の大きさを小さくすることができる。また、第2挿入部42aの外縁は、第1および第2開口部OP1、OP2よりも大きいので、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入されたときに、第1または第2開口部OP1、OP2に重複する。即ち、第2弁体42は、第1または第2開口部OP1、OP2の全体を被覆することができる。
尚、本実施形態では、第2挿入部42aの外縁は第1および第2開口部OP1、OP2よりも大きいが、第2弁体42が第3開口部OP3を被覆するためには、第2挿入部42aの外縁は、第3開口部OP3よりも大きければよい。従って、第2挿入部42aの外縁が第1および第2開口部OP1、OP2よりも大きいことは必須ではない。
第2接続部42bは、図2に示した第2シャフトSH2と第2挿入部42aとの間に接続され、第2シャフトSH2を中心として第2挿入部42aを回転させることができる。
このような構成を有する第1および第2弁体41、42を用いて、第1配管P1と第2配管P2との間の気体コンダクタンスは以下のように制御され得る。
例えば、第1および第2弁体41、42が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間から抜き去られている場合には、第1および第2開口部OP1、OP2はほとんど遮られていない。従って、第1および第2開口部OP1、OP2の開口面積は比較的大きく、圧力調整バルブ40は、第1配管P1と第2配管P2との間を高いコンダクタンスで接続する。
一方、第1弁体41が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された場合には、第1および第2開口部OP1、OP2が第3開口部OP3以外において第1弁体41によって遮られる。従って、第1および第2開口部OP1、OP2の開口面積が第3開口部OP3の開口面積へと低下し、第1弁体41が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間から抜去されている場合と比べて、第1配管P1と第2配管P2との間のコンダクタンスが低下する。
第1弁体41が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された後、さらに第2弁体42の少なくとも一部が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された場合には、それに伴い、第1弁体41の第3開口部OP3の少なくとも一部が第2弁体42によって遮られる。従って、第3開口部OP3の開口面積が小さくなり、第1配管P1と第2配管P2との間のコンダクタンスが徐々に低下する。第2弁体42が第3開口部OP3の全体を閉塞すると、第1配管P1と第2配管P2との間のコンダクタンスは非常に小さくなり、あるいは、ほぼゼロになる。
逆に、第2弁体42または第1弁体41を第1開口部OP1と第2開口部OP2との間から抜き去ることによって、第1配管P1と第2配管P2との間のコンダクタンスを徐々にあるいは段階的に上昇させることもできる。
このように、圧力調整バルブ40は、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間における第1または第2弁体41、42の位置(挿入度合い)によって、チャンバ10と真空ポンプ60との間の気体のコンダクタンスを微調整することができる。その結果、圧力調整バルブ40は、チャンバ10内の気圧を微調整することができる。
以上のように、本実施形態によれば、圧力調整バルブ40は、複数の弁体41、42を備え、第1弁体41が第3開口部OP3を有する。第1弁体41は、第1または第2開口部OP1、OP2の開口面積を第3開口部OP3の開口面積へ段階的に変更することができる。第2弁体42は、第1弁体41の第3開口部OP3の一部または全部を閉塞することによって、第3開口部OP3の気体コンダクタンスを微調節することができる。また、第2弁体42は、第3開口部OP3に重複し閉塞することによって、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間を気密に遮断することができる。
以上のように、本実施形態によれば、圧力調整バルブ40は、複数の弁体41、42を備え、第1弁体41が第3開口部OP3を有する。第1弁体41は、第1または第2開口部OP1、OP2の開口面積を第3開口部OP3の開口面積へ段階的に変更することができる。第2弁体42は、第1弁体41の第3開口部OP3の一部または全部を閉塞することによって、第3開口部OP3の気体コンダクタンスを微調節することができる。また、第2弁体42は、第3開口部OP3に重複し閉塞することによって、第1開口部OP1と第2開口部OP2との間を気密に遮断することができる。
もし、圧力調整バルブ40が単一の弁体しか備えていない場合、圧力調整バルブ40は、その単一の弁体を用いて第1開口部OP1と第2開口部OP2との間の気体のコンダクタンスを調整する必要がある。この場合、弁体は、第1または第2開口部OP1、OP2を閉塞可能なように第1または第2開口部OP1、OP2の開口面積よりも大きくする必要がある。また、弁体は、第1または第2開口部OP1、OP2の開口面積を直接調節する。しかし、第1または第2開口部OP1、OP2の開口面積は比較的大きいため、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスの微調整は困難である。
これに対し、本実施形態による圧力調整バルブ40は、複数の弁体41、42を有する。第1弁体41は、第1および第2開口部OP1、OP2よりも小さな開口面積を有する第3開口部OP3を備える。これにより、まず、第1弁体41が第1および第2開口部OP1、OP2に重複することによって、第1および第2開口部OP1、OP2の開口面積を第3開口部OP3の開口面積へ変更する。次に、第2弁体42が第3開口部OP3の少なくとも一部分を閉塞し、第3開口部OP3の開口面積を調節する。このように、圧力調整バルブ40は、第1および第2弁体41、42を用いて開口面積の変化率を段階的にまたは徐々に変更することができる。その結果、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスの微調整が容易となる。
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態による圧力調整バルブ40の構成の一例を示す平面図である。第2の実施形態における第1弁体41は、第3開口部OP3に代えて、切欠きCO1を有している。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の対応する構成と同様でよい。
図5は、第2の実施形態による圧力調整バルブ40の構成の一例を示す平面図である。第2の実施形態における第1弁体41は、第3開口部OP3に代えて、切欠きCO1を有している。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の対応する構成と同様でよい。
切欠きCO1は、例えば、第1円弧arc1と、第2円弧arc2と、第3円弧arc3とによって湾曲した略U字形を有する。これにより、第1弁体41が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入されたときに、第1または第2開口部OP1、OP2の一部の円弧と切欠きCO1とが第1および第2開口部OP1、OP2よりも小さな第3開口部OP3を成す。尚、第1から第3円弧arc1〜arc3は、第1の実施形態におけるそれらと同様でよい。
図6は、第1または第2開口部OP1、OP2に重複した第1弁体41に対して第2弁体42を移動させる様子を示す図である。図6に示すように、第1弁体41が第1または第2開口部OP1、OP2に重複した場合に、切欠きOPと第1または第2開口部OP1、OP2の一部の円弧とが、第3開口部OP3を成す。即ち、第2の実施形態において、第3開口部OP3は、切欠きOPによって被覆されない第2開口部OP1、OP2の一部の円弧と切欠きOPとによって構成される。
第2弁体42は、第1および第2円弧arc1、arc2に対して略平行方向(D2)に移動する。従って、圧力調整バルブ40は、第2弁体42の移動距離または回転角に基づいて、第3開口部OP3の開口面積を容易に調整(制御)することができる。このように、第1弁体41が切欠きCO1を有する場合であっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第3円弧arc3は、第2弁体41の第2挿入部42aの外縁の円弧arc42とほぼ同一径を有してもよい。これにより、第2弁体42が第3開口部OP3全体を閉塞する直前において、第3円弧arc3と円弧arc42とは略平行になるので、第2の実施形態による圧力調整バルブ40は、第1の実施形態と同様に、第3円弧arc3と第2弁体42との間の距離に基づいて第3開口部OP3の開口面積を容易に調整(制御)することができる。
(変形例)
図7は、第1の実施形態の変形例による圧力調整バルブ40の構成の一例を示す平面図である。本変形例における第2弁体42は、その一部に切欠きCO2を有している。本変形例のその他の構成は、第1の実施形態の対応する構成と同様でよい。
図7は、第1の実施形態の変形例による圧力調整バルブ40の構成の一例を示す平面図である。本変形例における第2弁体42は、その一部に切欠きCO2を有している。本変形例のその他の構成は、第1の実施形態の対応する構成と同様でよい。
切欠きCO2は、第2弁体42が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入されたときに、第3開口部OP3と交差する(重複する)第2弁体42の外縁部に設けられている。切欠きCO2は、図3に示す第3開口部OP3の第3円弧arc3とほぼ同じ径を有する円弧を有し、第3円弧arc3とは反対側に湾曲している。また、切欠きCO2の幅は、第3円弧arc3の幅、即ち、第1円弧arc1と第2円弧arc2との間の間隔以上であればよい。
これにより、第1弁体41が第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入された後に、第2弁体42を第1開口部OP1と第2開口部OP2との間に挿入する際に、図7の破線(arc42)に示すように、第2弁体42は、第3開口部OP3の開口面積を少しずつ徐々に低下させることができる。さらに、図8に示すように、切欠きCO2が第3円弧arc3に接近し重複し始めると、第3開口部OP3の開口面積は、切欠きCO2の円弧と第3円弧arc3とで成す紡錘形の部分Fの面積となる。図8は、第3開口部OP3に対する切欠きCO2の動作を示す平面図である。この紡錘形の部分Fの面積は、第2弁体42を移動させることによって、さらに細かく微調整可能である。即ち、第2弁体42に切欠きCO2を設けることによって、第3開口部OP3の開口面積をさらに微調整し、第1配管P1と第2配管P2との間の気体のコンダクタンスをさらに細かく微調整することができる。さらに、本変形例は、第1の実施形態のその他の効果を得ることができる。また、本変形例は、第2の実施形態にも適用することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1・・・エッチング装置、10・・・チャンバ、20・・・ステージ、30・・・ガス供給部、40・・・圧力調整バルブ、50・・・バルブ駆動部、60・・・真空ポンプ、70・・・排気部、80・・・圧力計、90・・・コントローラ、41・・・第1弁体、42・・・第2弁体、43・・・伝達機構、45・・・筐体、46・・・押圧部、OP1〜OP3・・・第1〜第3開口部
Claims (9)
- チャンバに接続された第1配管に接続可能な第1開口部と、真空ポンプに接続された第2配管に接続可能な第2開口部とを有し、前記第1配管と前記第2配管とを接続可能な筐体と、
前記筐体内に設けられ、外縁が前記第1または第2開口部よりも大きく、かつ、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入または抜去可能な第1弁体であって、前記第1および第2開口部よりも小さな第3開口部を有する第1弁体と、
前記筐体内に設けられ、外縁が前記第3開口部よりも大きく、かつ、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入または抜去可能な第2弁体であって、前記第3開口部の少なくとも一部分を閉塞可能な第2弁体とを備えたバルブ。 - 前記第1弁体は、
前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入されたときに前記第1または第2開口部に少なくとも一部を重複し、前記第3開口部を有する第1挿入部と、
前記第1開口部の外部にある第1シャフトと前記第1挿入部との間に接続され、前記第1シャフトを中心として前記第1挿入部を回転させる第1接続部とを含み、
前記第2弁体は、
前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入されたときに前記第1または第2開口部に重複する第2挿入部と、
前記第1開口部の外部にある第2シャフトと前記第2挿入部との間に接続され、前記第2シャフトを中心に前記第2挿入部を回転させる第2接続部とを含む、請求項1に記載のバルブ。 - 前記第1シャフトと前記第2シャフトとはほぼ同一の軸を中心に回転可能である、請求項2に記載のバルブ。
- 前記第3開口部の形状は、前記第2弁体を挿入または抜去する方向に長径を有する、請求項1に記載のバルブ。
- 前記第3開口部の形状は、前記第2シャフトを中心とした回転方向に長径を有する、請求項2に記載のバルブ。
- 前記第3開口部の形状は、前記第2シャフトを中心として第1半径を有する第1円弧と、前記第2シャフトを中心として前記第1半径よりも小さな第2半径を有する第2円弧と、前記第1円弧と前記第2円弧との間を接続する第3円弧とを有する、請求項2または請求項5に記載のバルブ。
- 前記第2弁体は、前記第3開口部と交差する前記第2弁体の外縁部に切欠きを有する、請求項1に記載のバルブ。
- チャンバに接続された第1配管に接続可能な第1開口部と、真空ポンプに接続された第2配管に接続可能な第2開口部とを有し、前記第1配管と前記第2配管とを接続する筐体と、
前記筐体内に設けられ、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿抜可能であり、切欠きを有する第1弁体であって、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入されたときに前記第1または第2開口部と前記切欠きとが前記第1および第2開口部よりも小さな第3開口部を成す第1弁体と、
前記筐体内に設けられ、外縁が前記第3開口部よりも大きく、かつ、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿抜可能な第2弁体であって、前記第3開口部の少なくとも一部分を閉塞可能な第2弁体とを備えたバルブ。 - チャンバと、
前記チャンバ内を減圧する真空ポンプと、
前記チャンバに接続する第1配管と、
前記真空ポンプに接続する第2配管と、
前記第1配管と前記第2配管との間に接続されるバルブとを備え、
前記バルブは、
前記第1配管に接続可能な第1開口部と、前記第2配管に接続可能な第2開口部とを有し、前記第1配管と前記第2配管とを接続可能な筐体と、
前記筐体内に設けられ、外縁が前記第1または第2開口部よりも大きく、かつ、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入または抜去可能な第1弁体であって、前記第1および第2開口部よりも小さな第3開口部を有し、あるいは、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入されたときに前記第1および第2開口部よりも小さな第3開口部を成す切欠きを有する第1弁体と、
前記筐体内に設けられ、外縁が前記第3開口部よりも大きく、かつ、前記第1開口部と前記第2開口部との間に挿入または抜去可能な第2弁体であって、前記第3開口部の少なくとも一部分を閉塞可能な第2弁体とを備えている、半導体製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015175673A JP2017053370A (ja) | 2015-09-07 | 2015-09-07 | バルブおよび半導体製造装置 |
US15/017,815 US20170067564A1 (en) | 2015-09-07 | 2016-02-08 | Valve and semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015175673A JP2017053370A (ja) | 2015-09-07 | 2015-09-07 | バルブおよび半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017053370A true JP2017053370A (ja) | 2017-03-16 |
Family
ID=58189290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015175673A Pending JP2017053370A (ja) | 2015-09-07 | 2015-09-07 | バルブおよび半導体製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170067564A1 (ja) |
JP (1) | JP2017053370A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018203400A1 (de) | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flüssigkeitsentfernungsvorrichtung und flüssigkeitsentfernungsverfahren |
TWI754264B (zh) * | 2019-04-26 | 2022-02-01 | 日商愛發科股份有限公司 | 油壓驅動系統及閘閥 |
-
2015
- 2015-09-07 JP JP2015175673A patent/JP2017053370A/ja active Pending
-
2016
- 2016-02-08 US US15/017,815 patent/US20170067564A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018203400A1 (de) | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flüssigkeitsentfernungsvorrichtung und flüssigkeitsentfernungsverfahren |
TWI754264B (zh) * | 2019-04-26 | 2022-02-01 | 日商愛發科股份有限公司 | 油壓驅動系統及閘閥 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170067564A1 (en) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5337185B2 (ja) | 圧力制御装置 | |
CN100593230C (zh) | 用于等离子体反应器室的无o形环串列节流阀 | |
TWI438822B (zh) | 常溫接合裝置及常溫接合方法 | |
US6478923B1 (en) | Vacuum operation apparatus | |
KR101825503B1 (ko) | 가스 유동 패턴을 제어하기 위한 프로세스 챔버 장치, 시스템들, 및 방법들 | |
JP2017053370A (ja) | バルブおよび半導体製造装置 | |
US10510514B2 (en) | Gas supply mechanism and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2008542037A (ja) | ウェーハ操作用真空システム | |
JP6408233B2 (ja) | コントロールバルブおよび制御方法 | |
KR100577561B1 (ko) | 반도체 제조 설비의 배기압력 제어장치 | |
JP6749268B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN112908886B (zh) | 半导体处理设备 | |
JP5901925B2 (ja) | 圧力制御装置 | |
JP2008232210A (ja) | 圧力制御バルブおよび該圧力制御バルブを備えた処理装置 | |
JP6734187B2 (ja) | ガス導入ノズル、処理室およびプラズマ処理方法 | |
JP5150461B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102297372B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101645545B1 (ko) | 기판처리장치 | |
US11004703B1 (en) | Gas flow guiding device for semiconductor processing apparatus and method of using the same | |
KR101951373B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 배기 방법 | |
KR20080094302A (ko) | 웨이퍼 배면의 식각영역 조절이 가능한 베벨식각장치 | |
JP5231903B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2022244041A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101123401B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
JPH0453126A (ja) | 表面処理装置 |