JP2017040584A - Manufacturing method for scintillator panel and manufacturing method for radiation imaging apparatus - Google Patents

Manufacturing method for scintillator panel and manufacturing method for radiation imaging apparatus Download PDF

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航太 西部
石井 孝昌
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique advantageous for dividing a scintillator along a cross section of a divided base while maintaining structure of the scintillator.SOLUTION: The manufacturing method for scintillator panel comprises the steps of: preparing a support member which has grooves in a plane on which a scintillator is formed; forming a scintillator over the support member to cover the formed plane and grooves; and dividing the scintillator on a plane extending between the opposing walls along the opposing walls of the groove by applying a force to the support member in a width direction of the grooves.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、シンチレータパネルの製造方法及び放射線撮像装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a scintillator panel and a method for manufacturing a radiation imaging apparatus.

放射線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換するセンサが配されたセンサパネルとを含む間接型の放射線撮像装置では、これらのシンチレータとセンサパネルとがコストの多くを占める。シンチレータは、一部にでも欠陥があると他の部分が正常であっても廃棄される可能性があり、歩留まりの低下及び高コスト化の要因の一つとなりうる。   In an indirect radiation imaging apparatus including a scintillator that converts radiation into light and a sensor panel on which a sensor that converts light into an electrical signal is disposed, these scintillators and the sensor panel occupy much of the cost. If a part of the scintillator is defective, the scintillator may be discarded even if the other part is normal, which may be one of the causes of a decrease in yield and an increase in cost.

特許文献1及び特許文献2には、大型の基台上にシンチレータを形成したシンチレータパネルを、小型のシンチレータパネルに分割することが示されている。大型のシンチレータパネルを小型のシンチレータパネルに分割し、欠陥のない小型のシンチレータパネルのみをセンサパネル上に配することによって、シンチレータの正常な部分を有効活用できる。シンチレータを有効活用することによって、シンチレータパネルの製造歩留まりが向上し、放射線撮像装置のコストを抑制できる。   Patent Document 1 and Patent Document 2 show that a scintillator panel in which a scintillator is formed on a large base is divided into small scintillator panels. By dividing the large scintillator panel into small scintillator panels and arranging only the small scintillator panel without defects on the sensor panel, the normal part of the scintillator can be used effectively. By effectively utilizing the scintillator, the production yield of the scintillator panel can be improved and the cost of the radiation imaging apparatus can be suppressed.

特開2012−172972号公報JP 2012-172972 A 特開2008−213043号公報JP 2008-213043 A

特許文献1では、レーザーアブレーションによってシンチレータの形成された基台にマイクロクラックを形成する。このマイクロクラックを起点に基台を分割することによって、基台上に形成されたシンチレータが分割されるシンチレータパネルの分割手法が示されている。しかしながら、特許文献1の方法では、マイクロクラックは基台のみに形成されシンチレータには形成されないため、分割の際、基台の分割された断面に沿ってシンチレータが分割されない可能性がある。特許文献1には、ブレードによってシンチレータパネルを分割する手法も示されているが、直接ブレードをシンチレータに当てるため、シンチレータの外周部が破壊されてしまい、外周部の形状が凸凹になる可能性がある。   In Patent Document 1, microcracks are formed on a base on which a scintillator is formed by laser ablation. A scintillator panel dividing method is shown in which the base is divided from the microcrack as a starting point so that the scintillator formed on the base is divided. However, in the method of Patent Document 1, since the microcracks are formed only on the base and not on the scintillator, the scintillator may not be divided along the divided cross section of the base during the division. Patent Document 1 also shows a method of dividing the scintillator panel with a blade. However, since the blade is directly applied to the scintillator, the outer peripheral portion of the scintillator may be destroyed, and the shape of the outer peripheral portion may be uneven. is there.

また、特許文献1及び特許文献2には、レーザーによってシンチレータパネルを分割することが示されている。レーザーを用いる場合、外周部の凸凹は抑制できる。しかしながら、レーザーを用いた分割では、シンチレータの外周部が融解するため、CsI:Tlなどの柱状構造を有するシンチレータを用いた場合、柱状構造が破壊される可能性がある。   Patent Documents 1 and 2 disclose that the scintillator panel is divided by a laser. When using a laser, unevenness of the outer peripheral portion can be suppressed. However, in the division using a laser, the outer periphery of the scintillator is melted. Therefore, when a scintillator having a columnar structure such as CsI: Tl is used, the columnar structure may be destroyed.

本発明は、シンチレータを分割する際に、シンチレータの構造を維持しつつ、基台の分割される断面に沿ってシンチレータを分割するのに有利な技術を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a technique advantageous for dividing a scintillator along a divided section of a base while maintaining the structure of the scintillator when dividing the scintillator.

上記課題に鑑みて、本発明の一部の実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法は、シンチレータを形成する面に溝を有する支持部材を準備する準備工程と、形成する面及び溝を覆うように支持部材の上にシンチレータを形成する形成工程と、支持部材に対して、溝が広がる方向に力を加えることによって、溝の互いに対向する壁面に沿い、対向する壁面の間を通る平面でシンチレータを分割する分割工程と、を含むことを特徴とする。   In view of the above problems, a scintillator panel manufacturing method according to some embodiments of the present invention covers a preparation step of preparing a support member having a groove on a surface on which the scintillator is formed, and the surface to be formed and the groove. Forming a scintillator on the support member, and applying a force to the support member in the direction in which the groove expands, thereby forming the scintillator along a plane passing between the opposing wall surfaces of the groove and between the opposing wall surfaces. And a dividing step of dividing.

上記手段により、シンチレータを分割する際に、シンチレータの構造を維持しつつ、基台の分割される断面に沿ってシンチレータを分割するのに有利な技術が提供される。   By the above means, when dividing the scintillator, a technique advantageous to dividing the scintillator along the divided cross section of the base is provided while maintaining the structure of the scintillator.

本発明の第1の実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the scintillator panel which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明のシンチレータを形成した基台の溝付近の拡大図。The enlarged view near the groove | channel of the base which formed the scintillator of this invention. 本発明のシンチレータパネルを用いた放射線撮像装置の構成を示す図。The figure which shows the structure of the radiation imaging device using the scintillator panel of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the scintillator panel which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図3の放射線撮像装置の構成の変形例を示す図。The figure which shows the modification of a structure of the radiation imaging device of FIG. 本発明の支持部材の変形例を示す図。The figure which shows the modification of the supporting member of this invention. 本発明に係るシンチレータパネルを用いた放射線撮像システムの構成例を説明する図。The figure explaining the structural example of the radiation imaging system using the scintillator panel which concerns on this invention.

以下、本発明に係るシンチレータパネルの製造方法の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。本発明において、光は可視光及び赤外線を含みうる。また、放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子(光子を含む)の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども含みうる。   Hereinafter, specific embodiments of a method for manufacturing a scintillator panel according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Note that, in the following description and drawings, common reference numerals are given to common configurations over a plurality of drawings. Therefore, a common configuration is described with reference to a plurality of drawings, and a description of a configuration with a common reference numeral is omitted as appropriate. In the present invention, the light may include visible light and infrared light. In addition to α-rays, β-rays, γ-rays, etc., which are beams produced by particles (including photons) emitted by radiation decay, the radiation includes beams having the same or higher energy such as X-rays and particles. Lines, cosmic rays, etc. can also be included.

第1の実施形態
図1〜3を参照して、本発明の実施形態によるシンチレータパネルの製造方法を説明する。図1は、本発明の第1の実施形態におけるシンチレータパネル100の製造方法を示す工程図である。シンチレータを形成するための表面に溝を有する支持部材を準備する準備工程として、まず、図1(a)に示すように、支持部材として基台101を準備する。基台101は、後述するようにシンチレータパネル100の支持基板として機能する。基台101は、放射線透過率が高く、後述するエキスパンド工程によって分割することが可能であれば、任意の材料を用いることができる。基台101に用いる材料として、例えばアルミニウムやモリブデンなどの金属材料、シリコン、樹脂、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)、アモルファスカーボンなどがある。本実施形態において、基台101に、シリコンウェーハを用いる。
1st Embodiment With reference to FIGS. 1-3, the manufacturing method of the scintillator panel by embodiment of this invention is demonstrated. FIG. 1 is a process diagram showing a method of manufacturing a scintillator panel 100 according to the first embodiment of the present invention. As a preparation process for preparing a support member having a groove on the surface for forming a scintillator, first, as shown in FIG. 1A, a base 101 is prepared as a support member. The base 101 functions as a support substrate for the scintillator panel 100 as will be described later. The base 101 can be made of any material as long as it has a high radiation transmittance and can be divided by an expanding process described later. Examples of the material used for the base 101 include metal materials such as aluminum and molybdenum, silicon, resin, carbon fiber reinforced plastic (CFRP), and amorphous carbon. In this embodiment, a silicon wafer is used for the base 101.

この基台101のシンチレータを形成する表面に、図1(b)に示すように溝102を形成する。ここで、溝102の深さは基台101の厚さよりも浅く、基台101を分割しないハーフカットである。基台101にハーフカットの溝102を形成する方法として、本実施形態においてダイシングブレード120を用いる。しかしながら、溝102を形成する方法は、ダイシングブレードを用いる方法に限られるわけではなく、例えばレーザーやエッチングなどを用いて形成してもよい。   A groove 102 is formed on the surface of the base 101 where the scintillator is to be formed, as shown in FIG. Here, the depth of the groove 102 is shallower than the thickness of the base 101 and is a half cut that does not divide the base 101. As a method for forming the half-cut groove 102 in the base 101, a dicing blade 120 is used in the present embodiment. However, the method of forming the groove 102 is not limited to the method using a dicing blade, and may be formed using, for example, laser or etching.

次いで、図1(c)に示すように、溝102を形成した基台101の上に、シンチレータ103を形成する形成工程を行う。シンチレータ103として、粒子状のシンチレータと柱状のシンチレータとの何れを用いてもよい。粒子状のシンチレータとして、例えば、テルビウムが微量添加されたGdS:Tbが用いられうる。また、柱状の構造を有するシンチレータとして、CsI:Tl、CsI:Na、CsBr:Tl、NaI:Tl、LiI:Eu、KI:Tlなどが用いられうる。柱状構造のシンチレータは、例えば蒸着法などを用いて基台101上に形成されうる。本実施形態において、溝102を形成した基台101の上に、基台101の表面及び溝102を覆うように、シンチレータ103としてCsI:Tlを蒸着法によって形成する。図2に、基台101の上にシンチレータ103を形成したときの、溝102付近の四角Aで囲まれた部分の拡大図を示す。図2に示されるように、溝102の上の部分では、柱状構造を有するシンチレータ103が予め分割して結晶成長することが確認できる。溝102の上に形成される分割起点121によって、個々のシンチレータパネル100に分割する際、基台101の断面に沿って、溝102の互いに対向する壁面に沿って、対向する壁面の間を通る平面で分割することが可能となる。また、溝102の上に形成される分割起点121によって、シンチレータ103の断面での凸凹の発生を抑制することが可能となる。 Next, as shown in FIG. 1C, a forming process for forming the scintillator 103 is performed on the base 101 on which the groove 102 is formed. As the scintillator 103, either a particulate scintillator or a columnar scintillator may be used. As the particulate scintillator, for example, Gd 2 O 2 S: Tb to which a small amount of terbium is added can be used. As the scintillator having a columnar structure, CsI: Tl, CsI: Na, CsBr: Tl, NaI: Tl, LiI: Eu, KI: Tl, or the like can be used. The columnar scintillator can be formed on the base 101 by using, for example, a vapor deposition method. In this embodiment, CsI: Tl is formed as a scintillator 103 on the base 101 on which the groove 102 is formed by a vapor deposition method so as to cover the surface of the base 101 and the groove 102. FIG. 2 shows an enlarged view of a portion surrounded by a square A near the groove 102 when the scintillator 103 is formed on the base 101. As shown in FIG. 2, it can be confirmed that the scintillator 103 having the columnar structure is divided in advance and grows crystals in the portion above the groove 102. When dividing into the individual scintillator panels 100 by the division starting points 121 formed on the grooves 102, it passes along the cross-section of the base 101, along the opposing wall surfaces of the groove 102, and between the opposing wall surfaces. It becomes possible to divide in a plane. In addition, the division starting point 121 formed on the groove 102 can suppress the occurrence of unevenness in the cross section of the scintillator 103.

シンチレータ103を形成する前に、シンチレータで生じる光を反射する反射層110や、反射層110及び基台101とシンチレータ103との間の電気化学的腐食を防止するための絶縁層111を形成してもよい。反射層110又は絶縁層111の何れか一方のみを形成してもよいし、図1(c’)に示すように反射層110と絶縁層111との積層構造を形成してもよい。反射層110には、アルミニウムや銀などの金属膜やTiOなどの誘電体膜が、例えばスパッタ法などを用いて形成されうる。また、絶縁層111には、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの有機絶縁材料や、SiOなどの無機材料が用いられうる。反射層110及び絶縁層111と、溝102とを形成する順番は、図1(c’)に示すように、反射層110及び絶縁層111を形成後に溝102を形成してもよいし、溝102の形成後に反射層110及び絶縁層111を形成してもよい。溝102の形成後に反射層110や絶縁層111を形成する場合、溝102が埋まってしまわないように反射層110及び絶縁層111形成すればよい。また、反射層110や絶縁層111に対するシンチレータ103の密着性を高めるために、シンチレータ103と接する反射層110又は絶縁層111の表面にプラズマ処理やエキシマUV処理などの、表面処理を行ってもよい。 Before forming the scintillator 103, a reflective layer 110 that reflects light generated by the scintillator and an insulating layer 111 for preventing electrochemical corrosion between the reflective layer 110 and the base 101 and the scintillator 103 are formed. Also good. Only one of the reflective layer 110 and the insulating layer 111 may be formed, or a laminated structure of the reflective layer 110 and the insulating layer 111 may be formed as shown in FIG. A metal film such as aluminum or silver or a dielectric film such as TiO 2 can be formed on the reflective layer 110 using, for example, a sputtering method. The insulating layer 111 can be made of an organic insulating material such as polyamideimide resin, polyetherimide resin, polyimide resin, epoxy resin, or silicone resin, or inorganic material such as SiO 2 . The order of forming the reflective layer 110, the insulating layer 111, and the groove 102 may be such that the groove 102 may be formed after the reflective layer 110 and the insulating layer 111 are formed, as shown in FIG. The reflective layer 110 and the insulating layer 111 may be formed after forming 102. When the reflective layer 110 or the insulating layer 111 is formed after the formation of the groove 102, the reflective layer 110 and the insulating layer 111 may be formed so that the groove 102 is not filled. In order to improve the adhesion of the scintillator 103 to the reflective layer 110 and the insulating layer 111, the surface of the reflective layer 110 or the insulating layer 111 in contact with the scintillator 103 may be subjected to surface treatment such as plasma treatment or excimer UV treatment. .

次に図1(d)に示すように、基台101のシンチレータ103の形成された面と反対の面である裏面をダイシングテープ104に固定するダイシングテープ結合工程を行う。ダイシングテープ104は、紫外線や熱などによって粘着力が低下するタイプであるとよい。このようなタイプのダイシングテープとして、例えばリンテック株式会社製Adwill D−seriesなどを用いてもよい。   Next, as shown in FIG. 1 (d), a dicing tape coupling step is performed in which the back surface opposite to the surface on which the scintillator 103 of the base 101 is formed is fixed to the dicing tape 104. The dicing tape 104 may be of a type whose adhesive strength is reduced by ultraviolet rays, heat, or the like. As such a type of dicing tape, for example, Adwill D-series manufactured by Lintec Corporation may be used.

基台101をダイシングテープ104に結合させた後、図1(e)に示すように、基台101に対して溝102が広がる方向に力が加わるように、ダイシングテープ104を基台101の裏面に沿った方向105に伸長する分割工程を行う。ダイシングテープ104を伸長(エキスパンド)させることによって、基台101は、基台101の表面と交差し、溝102を通る平面で分割される。また、基台101が分割することによって、図2に示すように溝102の上の部分で分割起点121から予め分割して成長したシンチレータ103が、溝102の互いに対向する壁面に沿って対向する壁面の間を通る平面で分割される。このようにして、支持基板として機能する基台101上にシンチレータ103が配されたシンチレータパネル100が形成される。例えば紫外線によって粘着力の低下するダイシングテープ104を用いた場合、分割した後に紫外線の照射を行いダイシングテープ104の粘着性を失わせた上で、それぞれのシンチレータパネル100をピックアップする。   After the base 101 is coupled to the dicing tape 104, the dicing tape 104 is attached to the back surface of the base 101 so that a force is applied to the base 101 in the direction in which the groove 102 expands, as shown in FIG. A dividing step of extending in the direction 105 along the line is performed. By extending (expanding) the dicing tape 104, the base 101 intersects the surface of the base 101 and is divided by a plane passing through the groove 102. In addition, as the base 101 is divided, the scintillators 103 that have been divided and grown in advance from the division starting point 121 at the upper part of the groove 102 as shown in FIG. 2 face along the mutually opposing wall surfaces of the groove 102. Divided by a plane passing between the walls. In this manner, the scintillator panel 100 in which the scintillator 103 is arranged on the base 101 that functions as a support substrate is formed. For example, when the dicing tape 104 whose adhesive strength is reduced by ultraviolet rays is used, the respective scintillator panels 100 are picked up after irradiating the ultraviolet rays after the division to lose the adhesiveness of the dicing tape 104.

シンチレータパネル100をダイシングテープ104から剥離した後、図1(f)に示すように、シンチレータ103を覆う保護層106を形成してもよい。CsI:Tlなど潮解性を有する材料によってシンチレータ103を形成した場合、シンチレータ103が水分に触れ続けると柱状構造が崩れ、結果として特性が劣化する。この特性の劣化を防止するために、シンチレータ103を覆う保護層106を形成する。保護層106は、少なくともシンチレータ103を覆い、図1(f)に示すように基台101を覆っていてもよい。また、保護層106は、基台101を覆っていなくてもよい。保護層106に用いる材料として、ポリパラキシリレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂などの有機材料や、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリアミド系などのホットメルト樹脂材料などを用いてよい。保護層106に用いる材料は、水分透過率の低い材料であるとよい。また、保護層106に覆われたシンチレータパネル100をセンサアレイ上に隙間なく並べるために、保護層106の厚さをできるだけ薄くする必要がある。このため、例えばCVD法で形成する厚さ数μm程度のポリパラキシリレン樹脂や、スプレーコート法で形成する厚さ数μm程度のフッ素樹脂などが用いられうる。   After peeling the scintillator panel 100 from the dicing tape 104, a protective layer 106 that covers the scintillator 103 may be formed as shown in FIG. When the scintillator 103 is formed of a material having deliquescence properties such as CsI: Tl, the columnar structure collapses when the scintillator 103 keeps touching moisture, and as a result, the characteristics deteriorate. In order to prevent this characteristic deterioration, a protective layer 106 that covers the scintillator 103 is formed. The protective layer 106 covers at least the scintillator 103 and may cover the base 101 as shown in FIG. Further, the protective layer 106 may not cover the base 101. As a material used for the protective layer 106, an organic material such as polyparaxylylene resin, silicone resin, acrylic resin, epoxy resin, and fluorine resin, or a hot-melt resin material such as polyester, polyolefin, or polyamide may be used. . The material used for the protective layer 106 is preferably a material with low moisture permeability. Further, in order to arrange the scintillator panels 100 covered with the protective layer 106 on the sensor array without gaps, it is necessary to make the thickness of the protective layer 106 as thin as possible. For this reason, for example, a polyparaxylylene resin having a thickness of about several μm formed by a CVD method or a fluororesin having a thickness of about several μm formed by a spray coating method can be used.

ここで、本実施形態の効果について説明する。本実施形態において、基台101の表面に溝102を形成した後、シンチレータ103を形成する。これによって、図2に示されるように、溝102の上の部分では、分割起点121を起点として柱状のシンチレータ103が予め分割して結晶成長するので、基台101を分離する際に、基台101の断面に沿って、シンチレータ103を分割することが可能となる。また、シンチレータ103に例えばダイシングブレードを直接当てて分割しないため、シンチレータ103の外周部での破壊が抑制され、断面の凹凸の発生が抑制される。このため、シンチレータ103の外周部での、凸凹によって発生する輝度のばらつきが抑制されうる。また、レーザーを用いる分割の手法と異なり、シンチレータ103の外周部が融解することによる特性の変化や、柱状構造の破壊が起きない。このため、シンチレータの外周部での輝度ばらつきやMTFの劣化など、特性の劣化が抑制されうる。これらの結果、個々のシンチレータパネル100に分割する際に、シンチレータ103の構造を維持し、基台101の分割される断面に沿ってシンチレータ103を分割することが可能となる。   Here, the effect of this embodiment will be described. In this embodiment, the scintillator 103 is formed after the groove 102 is formed on the surface of the base 101. Accordingly, as shown in FIG. 2, in the portion above the groove 102, the columnar scintillator 103 crystallizes in advance by dividing the starting point 121 as a starting point. Therefore, when the base 101 is separated, The scintillator 103 can be divided along the cross section 101. Further, for example, a dicing blade is not directly applied to the scintillator 103 to divide the scintillator 103, so that breakage at the outer periphery of the scintillator 103 is suppressed, and occurrence of unevenness in the cross section is suppressed. For this reason, it is possible to suppress variation in luminance caused by unevenness at the outer peripheral portion of the scintillator 103. Further, unlike the division method using a laser, a change in characteristics due to melting of the outer peripheral portion of the scintillator 103 and a destruction of the columnar structure do not occur. For this reason, it is possible to suppress deterioration of characteristics such as luminance variations and MTF deterioration in the outer periphery of the scintillator. As a result, when the scintillator panel 100 is divided, the structure of the scintillator 103 is maintained, and the scintillator 103 can be divided along the divided cross section of the base 101.

次に、本実施形態によって製造されたシンチレータパネル100を用いた放射線撮像装置300の構成を図3に示す。放射線撮像装置300は、複数の小型の光電変換基板203が支持基板201上に固定材202を介して並べられた、光を電気信号に変換するセンサパネル200を有する。光電変換基板203には、例えば結晶シリコンを用いたCMOSセンサや、非晶質シリコンを用いたPIN型センサやMIS型センサが形成されている。複数のシンチレータパネル100が、それぞれシンチレータ103と光電変換基板203とが互いに対向し、光電変換基板203の有効画素領域を覆うように配される。シンチレータパネル100とセンサパネル200とは、例えば粘着剤(不図示)を用いて結合される。必要に応じて、水分の侵入を防ぐ封止材(不図示)を、それぞれのシンチレータパネル100の周囲や放射線撮像装置300のシンチレータパネル100の配された表面に塗布してもよい。このようにして、本実施形態のシンチレータパネル100を用いた放射線撮像装置300が構成される。放射線撮像装置300に放射線を曝射し、撮像画像をディスプレイ上に表示した際にそれぞれのシンチレータパネル100間で出力が変化している場合、例えば画像処理などを用いて撮像画像を任意の方法で調整してもよい。   Next, FIG. 3 shows a configuration of a radiation imaging apparatus 300 using the scintillator panel 100 manufactured according to this embodiment. The radiation imaging apparatus 300 includes a sensor panel 200 in which a plurality of small photoelectric conversion substrates 203 are arranged on a support substrate 201 via a fixing material 202 and converts light into an electrical signal. On the photoelectric conversion substrate 203, for example, a CMOS sensor using crystalline silicon, a PIN sensor or an MIS sensor using amorphous silicon are formed. A plurality of scintillator panels 100 are arranged so that the scintillator 103 and the photoelectric conversion substrate 203 face each other and cover the effective pixel region of the photoelectric conversion substrate 203. The scintillator panel 100 and the sensor panel 200 are coupled using, for example, an adhesive (not shown). If necessary, a sealing material (not shown) that prevents moisture from entering may be applied to the periphery of each scintillator panel 100 or the surface on which the scintillator panel 100 of the radiation imaging apparatus 300 is disposed. In this manner, the radiation imaging apparatus 300 using the scintillator panel 100 of the present embodiment is configured. When the radiation imaging apparatus 300 is exposed to radiation and when the captured image is displayed on the display, when the output changes between the scintillator panels 100, the captured image is processed by an arbitrary method using image processing, for example. You may adjust.

第2の実施形態
図4、5を参照して、本発明の実施形態によるシンチレータパネルの製造方法を説明する。図4は、本発明の第2の実施形態におけるシンチレータパネル100の製造方法を示す工程図である。本実施形態において、シンチレータ103を形成した基台101の分割に、先ダイシング(Dicing Before Grinding:DBG)プロセスを用いる点で、上述の第1の実施形態と異なる。これ以外の工程は、第1の実施形態と同じであってよい。
Second Embodiment A scintillator panel manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a process diagram showing a method of manufacturing the scintillator panel 100 according to the second embodiment of the present invention. This embodiment is different from the above-described first embodiment in that a dicing before grinding (DBG) process is used for dividing the base 101 on which the scintillator 103 is formed. Other steps may be the same as those in the first embodiment.

上述した図1(a)〜(c)と同様の工程を用いて、図4(a)に示すように、溝102を形成した基台101の上にシンチレータ103を形成した後、DBGプロセスを行う。まず、図4(b)に示すように、ダイシングテープ107をシンチレータ103の表面に貼り合わせる。シンチレータ103の形成された基台101をダイシングテープ107で固定した後、基台101の裏面にバックグラインドブレード108を当て、バックグラインドブレード108を基台101の裏面と平行な面109で回転させる。これによって、基台101の裏面が研磨される研磨工程を行う。図4(c)に示すように、基台101の裏面の研磨は、ハーフカットされた溝102が基台101の裏面側に露出するまで行われうる。溝102が裏面に露出することによって、基台101が分割される。   After the scintillator 103 is formed on the base 101 on which the groove 102 is formed as shown in FIG. 4A using the same steps as those shown in FIGS. Do. First, as shown in FIG. 4B, the dicing tape 107 is bonded to the surface of the scintillator 103. After fixing the base 101 on which the scintillator 103 is formed with a dicing tape 107, a back grind blade 108 is applied to the back surface of the base 101, and the back grind blade 108 is rotated on a surface 109 parallel to the back surface of the base 101. Thus, a polishing process is performed in which the back surface of the base 101 is polished. As shown in FIG. 4C, the back surface of the base 101 can be polished until the half-cut groove 102 is exposed on the back side of the base 101. The base 101 is divided by exposing the groove 102 on the back surface.

ここで、DBGプロセスに用いるダイシングテープ107は、DBGプロセス専用のテープであるとよい。このようなダイシングテープとして、例えばリンテック株式会社製Adwill E−seriesなどを用いてもよい。また、基台101の裏面を研磨する際、まず研磨剤の粒度の粗いバックグラインドブレード108を用いて所定の厚さ近傍まで研磨し、その後、研磨剤の粒度の細かいバックグラインドブレード108を用いて研磨面の平面性を確保してもよい。また、シンチレータ103がCsI:Tlのように潮解性を有するシンチレータの場合、基台101の裏面を研磨する工程は乾式で行われうる。   Here, the dicing tape 107 used in the DBG process may be a tape dedicated to the DBG process. As such a dicing tape, for example, Adwill E-series manufactured by Lintec Corporation may be used. When the back surface of the base 101 is polished, the back grind blade 108 having a coarse abrasive particle size is first ground to a predetermined thickness and then the back grind blade 108 having a fine abrasive particle size is used. The flatness of the polished surface may be ensured. When the scintillator 103 is a scintillator having deliquescence such as CsI: Tl, the step of polishing the back surface of the base 101 can be performed by a dry method.

次いで、図4(d)に示すように、ダイシングテープ104を基台101の裏面に貼り合わせるダイシングテープ結合工程を行う。シンチレータ103の表面に張り合わされたダイシングテープ107を除去した後、ダイシングテープ104を基台101の裏面と平行な方向105に伸長(エキスパンド)させる。このようにDBGプロセスを用いて、図4(e)に示すように、基台101上にシンチレータ103が配されたシンチレータパネル100が形成される。図4(f)に示すように、シンチレータ103が潮解性を示す場合、上述した第1の実施形態と同様に、シンチレータ103を覆う保護層106を形成してもよい。   Next, as shown in FIG. 4 (d), a dicing tape bonding step is performed in which the dicing tape 104 is bonded to the back surface of the base 101. After the dicing tape 107 attached to the surface of the scintillator 103 is removed, the dicing tape 104 is expanded (expanded) in a direction 105 parallel to the back surface of the base 101. In this way, the scintillator panel 100 in which the scintillator 103 is arranged on the base 101 is formed using the DBG process as shown in FIG. As shown in FIG. 4F, when the scintillator 103 exhibits deliquescence, a protective layer 106 that covers the scintillator 103 may be formed as in the first embodiment described above.

本実施形態においても、基台101の表面に溝102を形成した後、シンチレータ103を形成する。これによって、溝102の上の部分では、分割起点121を起点として柱状のシンチレータ103が予め分割して成長する。本実施形態の製造方法によっても、上述の第1の実施形態と同様に、個々のシンチレータパネル100に分割する際に、シンチレータ103の構造を維持し、基台101の分割される断面に沿ってシンチレータ103を分割することが可能となる。   Also in this embodiment, the scintillator 103 is formed after the groove 102 is formed on the surface of the base 101. As a result, in the portion above the groove 102, the columnar scintillator 103 grows in advance by dividing from the dividing starting point 121 as a starting point. Also in the manufacturing method of the present embodiment, the structure of the scintillator 103 is maintained when dividing into individual scintillator panels 100, and along the divided cross section of the base 101, as in the first embodiment described above. The scintillator 103 can be divided.

次に、本実施形態によって製造されたシンチレータパネル100を用いた放射線撮像装置301の構成を図5に示す。放射線撮像装置301は、1枚の大型の光電変換素子204が支持基板201上に固定材202を介して配された、光を電気信号に変換するセンサパネル210を有する。光電変換素子204には、例えば結晶シリコンを用いたCMOSセンサや、非晶質シリコンを用いたPIN型センサやMIS型センサが形成されている。複数のシンチレータパネル100が、それぞれシンチレータ103と光電変換素子204とが互いに対向し、光電変換素子204の有効画素領域を覆うように配される。シンチレータパネル100とセンサパネル210とは、例えば粘着剤(不図示)を用いて結合される。必要に応じて、水分の侵入を防ぐ封止材(不図示)を、それぞれのシンチレータパネル100の周囲や放射線撮像装置301のシンチレータパネル100の配された表面に塗布してもよい。このようにして、シンチレータパネル100を用いた放射線撮像装置301が構成される。   Next, FIG. 5 shows a configuration of a radiation imaging apparatus 301 using the scintillator panel 100 manufactured according to this embodiment. The radiation imaging apparatus 301 includes a sensor panel 210 in which one large photoelectric conversion element 204 is arranged on a support substrate 201 via a fixing material 202 and converts light into an electrical signal. For example, a CMOS sensor using crystalline silicon, a PIN sensor or an MIS sensor using amorphous silicon are formed in the photoelectric conversion element 204. A plurality of scintillator panels 100 are arranged so that the scintillator 103 and the photoelectric conversion element 204 face each other and cover the effective pixel region of the photoelectric conversion element 204. The scintillator panel 100 and the sensor panel 210 are coupled using, for example, an adhesive (not shown). If necessary, a sealing material (not shown) that prevents moisture from entering may be applied to the periphery of each scintillator panel 100 or the surface on which the scintillator panel 100 of the radiation imaging apparatus 301 is disposed. In this way, the radiation imaging apparatus 301 using the scintillator panel 100 is configured.

以上、本発明に係る実施形態を2形態示したが、本発明はそれらの実施形態に限定されるものではない。上述した各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。例えば、DBGプロセスを用いて形成されたシンチレータパネル100を、複数の小型の光電変換基板203が支持基板201上に固定材202を介して並べられたセンサパネル200の上に配してもよい。   As mentioned above, although 2 form of embodiment which concerns on this invention was shown, this invention is not limited to those embodiment. Each embodiment mentioned above can be changed and combined suitably. For example, the scintillator panel 100 formed using the DBG process may be disposed on the sensor panel 200 in which a plurality of small photoelectric conversion substrates 203 are arranged on the support substrate 201 via the fixing material 202.

また、上述の実施形態では、シンチレータを形成するための支持部材として基台101を用い、基台101をハーフカットすることによって溝102を形成した。しかしながら、溝102の形成方法はこれに限られるものではない。例えば、溝102を有する支持部材として、図6に示すようにシンチレータパネル100の支持基板となる基台101と、支持体601とを積層した積層構造の支持部材を用いてもよい。この場合、支持体601上の基台101の側から、例えばダイシングブレードなどを用いて支持部材に溝102を形成してもよい。このとき基台101は、溝102によって分割されていてもよい。また、例えば支持体601上に間隔を開けて複数の小型の基台101を配することによって、互いに隣接する小型の基台101の間の隙間が溝102となる支持部材を用いてもよい。溝102の形成された積層構造の支持部材上にシンチレータ103を形成する。次いで、例えばシンチレータ103の表面にダイシングテープを貼り合わせ、支持体601を取り除いた後、基台101のシンチレータ103と反対の裏面に別のダイシングテープを貼り合わせる。シンチレータ103の表面のダイシングテープを取り除いた後、基台101の裏面のダイシングテープを伸長(エキスパンド)し、シンチレータパネル100を形成してもよい。また、支持体601に伸長性がある場合、シンチレータ103の形成後、支持体601を直接伸長させて、シンチレータパネル100を形成してもよい。   In the above-described embodiment, the base 101 is used as a support member for forming the scintillator, and the groove 102 is formed by half-cutting the base 101. However, the method for forming the groove 102 is not limited to this. For example, as the support member having the groove 102, a support member having a laminated structure in which a base 101 serving as a support substrate of the scintillator panel 100 and a support body 601 are stacked as shown in FIG. In this case, the groove 102 may be formed in the support member from the base 101 side on the support body 601 using, for example, a dicing blade. At this time, the base 101 may be divided by the groove 102. Further, for example, a support member may be used in which a plurality of small bases 101 are arranged at intervals on the support 601 so that a gap between the adjacent small bases 101 becomes the groove 102. A scintillator 103 is formed on a support member having a laminated structure in which the grooves 102 are formed. Next, for example, after attaching a dicing tape to the surface of the scintillator 103 and removing the support 601, another dicing tape is attached to the back surface of the base 101 opposite to the scintillator 103. After removing the dicing tape on the front surface of the scintillator 103, the dicing tape on the back surface of the base 101 may be extended (expanded) to form the scintillator panel 100. Further, when the support body 601 is extensible, the scintillator panel 100 may be formed by directly extending the support body 601 after the scintillator 103 is formed.

以下、図7を参照しながら本実施形態のシンチレータパネル100を用いた放射線撮像装置300、301の放射線撮像システム700への応用例を示す。図7は、放射線撮像システム700の概念図である。放射線撮像システム700は、上述の放射線撮像装置300又は301、信号処理部701、表示部702、C型アーム703及び放射線を発生する放射線発生装置704を含む。放射線撮像装置300又は301及び放射線発生装置704が、C型アーム703の両端に固定されている。放射線撮像システム700は、C型アーム703を回転させることによって、照射角度を変えながら放射線撮影(3D撮影)を行いうる。放射線撮像装置300又は301で得られた撮像画像データは、例えばケーブルなどを介して信号処理部701に出力される。信号処理部701は、撮像画像データに基づいて三次元の放射線撮像画像を形成し、表示部702に表示させる。また、信号処理部701で画像処理によって生成された撮像画像データは、電話回線等の伝送処理部によって遠隔地へ転送することができる。それによって、ドクタールームなどの別の場所でディスプレイに表示もしくは光ディスク等の記録媒体に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、伝送された画像データをフィルムプロセッサによってフィルムとして記録することもできる。   Hereinafter, application examples of the radiation imaging apparatuses 300 and 301 using the scintillator panel 100 of the present embodiment to the radiation imaging system 700 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a conceptual diagram of the radiation imaging system 700. The radiation imaging system 700 includes the radiation imaging apparatus 300 or 301 described above, a signal processing unit 701, a display unit 702, a C-arm 703, and a radiation generation apparatus 704 that generates radiation. The radiation imaging apparatus 300 or 301 and the radiation generation apparatus 704 are fixed to both ends of the C-type arm 703. The radiation imaging system 700 can perform radiation imaging (3D imaging) while changing the irradiation angle by rotating the C-arm 703. Captured image data obtained by the radiation imaging apparatus 300 or 301 is output to the signal processing unit 701 via, for example, a cable. The signal processing unit 701 forms a three-dimensional captured radiation image based on the captured image data, and displays it on the display unit 702. The captured image data generated by the image processing in the signal processing unit 701 can be transferred to a remote place by a transmission processing unit such as a telephone line. Thereby, it can be displayed on a display in another place such as a doctor room or stored in a recording medium such as an optical disk, and can be diagnosed by a remote doctor. The transmitted image data can be recorded as a film by a film processor.

100:シンチレータパネル、101:基台、102:溝、103:シンチレータ 100: scintillator panel, 101: base, 102: groove, 103: scintillator

Claims (17)

シンチレータパネルの製造方法であって、
シンチレータを形成する面に溝を有する支持部材を準備する準備工程と、
前記形成する面及び前記溝を覆うように前記支持部材の上にシンチレータを形成する形成工程と、
前記支持部材に対して、前記溝が広がる方向に力を加えることによって、前記溝の互いに対向する壁面に沿い、前記対向する壁面の間を通る平面で前記シンチレータを分割する分割工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
A method of manufacturing a scintillator panel,
A preparation step of preparing a support member having a groove on the surface forming the scintillator;
Forming a scintillator on the support member so as to cover the surface to be formed and the groove;
A dividing step of dividing the scintillator along a plane passing between the opposing wall surfaces along the opposing wall surfaces of the groove by applying a force to the support member in a direction in which the grooves expand;
The manufacturing method characterized by including.
前記支持部材は基台を含み、
前記準備工程は、前記基台のうち前記シンチレータを形成する第1の面に溝を形成する工程を含み、
前記シンチレータが、前記第1の面及び前記溝を覆うように形成されることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
The support member includes a base;
The preparation step includes a step of forming a groove in a first surface of the base that forms the scintillator,
The manufacturing method according to claim 1, wherein the scintillator is formed so as to cover the first surface and the groove.
前記分割工程の前に、ダイシングテープと、前記基台のうち前記第1の面と反対の第2の面と、を結合するダイシングテープ結合工程を更に含み、
前記分割工程が、前記ダイシングテープを前記第2の面に沿った方向に伸長する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
Before the dividing step, further includes a dicing tape coupling step for coupling a dicing tape and a second surface of the base opposite to the first surface;
The manufacturing method according to claim 2, wherein the dividing step includes a step of extending the dicing tape in a direction along the second surface.
前記形成工程の後、前記ダイシングテープ結合工程の前に、前記基台のうち前記第1の面と反対の第2の面を研磨する研磨工程を更に含むことを特徴とする請求項3に記載の製造方法。   4. The method according to claim 3, further comprising a polishing step of polishing a second surface of the base opposite to the first surface after the forming step and before the dicing tape bonding step. Manufacturing method. 前記研磨工程が、乾式で行われることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 4, wherein the polishing step is performed by a dry method. 前記溝が、ダイシングブレード、レーザー、又は、エッチングによって形成されることを特徴とする請求項2乃至5の何れか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 2, wherein the groove is formed by a dicing blade, a laser, or etching. 前記分割工程の後、前記シンチレータ及び前記基台を覆う保護層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項2乃至6の何れか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 2, further comprising a step of forming a protective layer covering the scintillator and the base after the dividing step. 前記形成工程の前に、前記第1の面の上に絶縁層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項2乃至7の何れか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 2, further comprising a step of forming an insulating layer on the first surface before the forming step. 前記形成工程の前に、前記第1の面の上に前記シンチレータで放射線から変換された光を反射する反射層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項2乃至7の何れか1項に記載の製造方法。   8. The method according to claim 2, further comprising a step of forming a reflective layer that reflects light converted from radiation by the scintillator on the first surface before the forming step. The production method according to item. 前記形成工程の前に、前記反射層の上に絶縁層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 9, further comprising a step of forming an insulating layer on the reflective layer before the forming step. 前記シンチレータの密着性を高めるために、前記絶縁層の表面にプラズマ処理又はUV処理を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項8又は10に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 8, further comprising a step of performing plasma treatment or UV treatment on the surface of the insulating layer in order to improve adhesion of the scintillator. 前記シンチレータの密着性を高めるために、前記反射層の表面にプラズマ処理又はUV処理を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。   The method according to claim 9, further comprising a step of performing plasma treatment or UV treatment on the surface of the reflective layer in order to improve the adhesion of the scintillator. 前記形成工程が、前記支持部材の上に前記シンチレータを結晶成長させることを含むこと特徴とする請求項1乃至12の何れか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 1, wherein the forming step includes crystal growth of the scintillator on the support member. 前記シンチレータが、柱状構造を有することを特徴とする請求項13に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 13, wherein the scintillator has a columnar structure. 前記支持部材は、支持体と、前記支持体の上に配された基台とを含み、
前記基台は、前記溝によって分割されていることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
The support member includes a support and a base disposed on the support,
The manufacturing method according to claim 1, wherein the base is divided by the groove.
光を電気信号に変換するセンサの配されたセンサパネルを準備する工程と、
前記センサパネルと請求項1乃至15の何れか1項に記載の製造方法で製造されたシンチレータパネルとを結合する工程と、
を含むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。
Preparing a sensor panel having a sensor for converting light into an electrical signal;
Combining the sensor panel and the scintillator panel manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 15,
A method for manufacturing a radiation imaging apparatus, comprising:
前記結合する工程が、前記センサパネルに前記シンチレータパネルを複数、結合することを特徴とする請求項16に記載の放射線撮像装置の製造方法。   The method of manufacturing a radiation imaging apparatus according to claim 16, wherein the combining step combines a plurality of the scintillator panels with the sensor panel.
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