JP2017038054A - Led用パターン基板 - Google Patents
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- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Abstract
Description
2 表面
3a 基板表面
5a、5b、5c、5d、5e、5f、5g、5h、5i 突起構造
7 第1凸部
9 第2凸部
11 第1穴
12 第2穴
13 第3凸部
14 第3穴
15 第4凸部
16 第4穴
51 上部
51a 第3領域
51b 第4領域
52 下部
52a 第1領域
52b 第2領域
53 上部
53a 三角錐面
54 下部
54a 第1領域
54b 第2領域
55 中間部
55a 第5領域
55b 第6領域
56 上部
56a 第3領域
56b 第4領域
56c 切頭状の上面
57 下部
57a 第1領域
57b 第2領域
58 上部
58a 三角錐面
58b 切頭状の上面
59 下部
59a 第1領域
59b 第2領域
60 中間部
60a 第5領域
60b 第6領域
Claims (19)
- LED用パターン基板であって、
複数の突起構造を有する表面を含み、
各前記突起構造は、上部及び下部を含み、
前記下部は、円錐面の表面を有し、少なくとも一つの第1領域及び少なくとも一つの第2領域を有し、
前記第1領域と前記第2領域は交替に配置され、
前記第1領域は一つ以上の第1凸部を有する、ことを特徴とするLED用パターン基板。 - 前記第1凸部は20〜200nmの直径を有する円形を呈する、ことを特徴とする請求項1記載のLED用パターン基板。
- 前記上部は、3つの第3領域と3つの第4領域が交替に配置されてなり、
前記上部の前記第3領域は前記下部の前記第1領域に対応し、前記上部の前記第4領域は前記下部の前記第2領域に対応する、ことを特徴とする請求項1記載のLED用パターン基板。 - 前記上部の前記第4領域は、一つ以上の第2凸部を有する、ことを特徴とする請求項3記載のLED用パターン基板。
- 前記第2凸部は20〜200nmの直径を有する円形を呈する、ことを特徴とする請求項4記載のLED用パターン基板。
- 前記第3領域の表面は弧面であり、
前記第4領域の表面は、アールの付いていない平面である、ことを特徴とする請求項3記載のLED用パターン基板。 - 前記下部の前記第2領域は、一つ以上の第1穴を有し、
前記上部の前記第3領域は、一つ以上の第2穴を有する、ことを特徴とする請求項3記載のLED用パターン基板。 - 前記第1穴と前記第2穴の開口の幅は0.2μmより小さい、ことを特徴とする請求項8記載のLED用パターン基板。
- 前記第1穴と前記第2穴の開口の幅は10〜100nmである、ことを特徴とする請求項8記載のLED用パターン基板。
- 前記上部の表面が三角錐面であり、前記下部の前記第2領域が一つ以上の第3凸部を有し、各前記突起構造は、更に前記上部と前記下部の間にある中間部を含み、
前記中間部は、3つの第5領域と3つの第6領域が交替に配置されてなり、
前記中間部の前記第5領域は、一つ以上の第4凸部を有し、前記下部の前記第1領域に対応し、
前記中間部の前記第6領域は、前記下部の前記第2領域に対応する、ことを特徴とする請求項1記載のLED用パターン基板。 - 前記第3凸部が20〜200nmの直径を有する円形を呈する、ことを特徴とする請求項10記載のLED用パターン基板。
- 前記上部の表面が三角錐面であり、前記下部の前記第2領域は一つ以上の第3穴を有し、
各前記突起構造は、更に、前記上部と前記下部の間にある中間部を含み、
前記中間部は、3つの第5領域と3つの第6領域が交替に配置されてなり、
前記中間部の前記第5領域は、一つ以上の第4穴を有し、前記下部の前記第1領域に対応し、
前記中間部の前記第6領域は、前記下部の前記第2領域に対応する、ことを特徴とする請求項1記載のLED用パターン基板。 - 前記第3穴と前記第4穴の開口の幅は0.2μmより小さい、ことを特徴とする請求項12記載のLED用パターン基板。
- 前記第3穴と前記第4穴の開口の幅は10〜100nmである、ことを特徴とする請求項13記載のLED用パターン基板。
- 前記上部は、切頭状の上面を有し、その表面が円錐面である、ことを特徴とする請求項1記載のLED用パターン基板。
- 前記上部は、切頭状の上面を有し、3つの第3領域と3つの第4領域が交替に配置されてなり、
前記上部の前記第3領域は、前記下部の前記第1領域に対応し、
前記上部の前記第4領域は、前記下部の前記第2領域に対応する、ことを特徴とする請求項1記載のLED用パターン基板。 - 前記第3領域の表面は弧面であり、
前記第4領域の表面はアールの付いていない平面である、ことを特徴とする請求項16記載のLED用パターン基板。 - 前記上部は、切頭状の上面を有し、その表面が円錐面であり、
各前記突起構造は、更に、前記上部と前記下部の間にある中間部を含み、
前記中間部は、3つの第5領域と3つの第6領域が交替に配置されてなり、
前記中間部の前記第5領域は、一つ以上の第4凸部を有し、前記下部の前記第1領域に対応し、
前記中間部の前記第6領域は、前記下部の前記第2領域に対応する、ことを特徴とする請求項1記載のLED用パターン基板。 - 前記第4凸部は20〜200nmの直径を有する円形を呈する、ことを特徴とする請求項10又は18記載のLED用パターン基板。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020035860A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 固美實国際股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードに用いるパターン化基板 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6719424B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-07-08 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
CN110752277B (zh) * | 2018-07-23 | 2020-10-30 | 固美实国际股份有限公司 | 用于发光二极管的图案化基板 |
US20200075806A1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Good Mass International Co., Ltd. | Patterned substrate for light emitting diode |
CN115148874B (zh) * | 2022-09-02 | 2022-11-18 | 元旭半导体科技股份有限公司 | 一种图形化衬底结构的制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101566A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
US20090078954A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Shim Sang Kyun | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2012124257A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012244138A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Sino-American Silicon Products Inc | Led基板及びled |
WO2013150984A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 旭化成株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
WO2015053363A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110210368A1 (en) * | 2008-09-22 | 2011-09-01 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Micro-composite pattern lens, and method for manufacturing same |
CN102194940A (zh) * | 2010-11-16 | 2011-09-21 | 华灿光电股份有限公司 | 内置反光镜的发光二极管及其制备方法 |
CN102683532B (zh) * | 2011-03-11 | 2015-02-18 | 山东华光光电子有限公司 | 一种含有图形化dbr结构的衬底 |
TWI545796B (zh) * | 2012-04-27 | 2016-08-11 | 中美矽晶製品股份有限公司 | 發光二極體結構 |
TW201426039A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 導光板 |
TWI543395B (zh) * | 2013-04-01 | 2016-07-21 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 圖案化光電基板及其製作方法 |
US20140367693A1 (en) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Epistar Corporation | Light-emitting device and the manufacturing method thereof |
CN104241465A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-24 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种纳米粗化复合图形化的蓝宝石衬底及制备方法 |
TWM500994U (zh) * | 2014-12-19 | 2015-05-11 | Good Mass Internat Co Ltd | 圖案化發光二極體基板 |
TWM514654U (zh) * | 2015-08-12 | 2015-12-21 | Good Mass Internat Co Ltd | 用於發光二極體的圖案化基板 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101566A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-04-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子、発光素子及びその基板の製造方法 |
US20090078954A1 (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Shim Sang Kyun | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2012124257A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012244138A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Sino-American Silicon Products Inc | Led基板及びled |
WO2013150984A1 (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-10 | 旭化成株式会社 | 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
WO2015053363A1 (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | 王子ホールディングス株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020035860A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 固美實国際股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードに用いるパターン化基板 |
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US10553753B2 (en) | 2020-02-04 |
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