CN112599553A - 一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列及其制备方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 23
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 8
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000000054 nanosphere lithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 244000141359 Malus pumila Species 0.000 description 1
- 235000021016 apples Nutrition 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明的目的是针对当前Micro‑LED显示中存在的不足，提出一种减小光学串扰的新型Micro‑LED显示阵列。该方案将当前主流的Micro‑LED显示阵列中的各个Micro‑LED的间隔处做成粗糙表面，使得在GaN层和蓝宝石(sapphire)衬底之间的通道内部传播的光通过粗糙表面透出，从而抑制其在通道内传播并进一步影响相邻的Micro‑LED，提高每个像素点色彩的纯洁性，进而提高显示阵列的对比度和可靠性，减少芯片成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电领域，具体地说是一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列及其制备方法。
背景技术
目前，对于智能手机，平板电脑，电视显示而言，液晶显示(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示是两个主流显示技术。这两种技术都有其优点和缺点。LCD的主要优点是使用寿命长，高亮度和低成本，而OLED的独特优势是容易实现超薄，从而实现灵活的显示。但是，LCD有两个要克服的缺点：对比度和灵活性有限。另一方面，OLED的主要挑战在于其使用的寿命以及高成本。而基于Mini-LED和Micro-LED的显示技术逐渐吸引了广泛关注，Micro-LED作为新一代显示技术，比现有的OLED和LCD技术亮度更高、发光效率更好、功耗更低。2017年5月，苹果已经开始新一代显示技术的开发。2018年2月，三星在CES 2018上推出了Micro LED电视。
如今，III-氮化物半导体已被发现很好的应用在照明技术和电力电子领域。由于氮化物LED空前的高发光效率，并结合其寿命长和可靠性，使它们成为许多住宅，商业以及工业室内和室外的照明系统的首选。基于氮化物的LED能很好的覆盖紫外到绿光这块光谱范围。而作为新一代显示技术的Micro-LED技术主要通过两种方法实现全彩化显示，一种是基于三原色原理制造出红绿蓝三色Micro-LED器件来组合，另外一种是基于颜色转换材料来实现全彩化显示，而通过这种的颜色转换材料的方案，他需要蓝光或者深紫外LED来激活颜色转换材料量子点或荧光粉来说实现全才显示。而基于III-氮化物半导体的蓝光或者深紫外LED再次成为了研究热点。
但是对于基于颜色转换材料的Micro-LED全彩显示技术仍然存在一个亟待解决的问题：光学串扰(cross-talk)。当整个阵列通过外加特定电路寻址单个像素时，相邻像素点和区域也会收到一定的干扰。这些问题可能导致显示阵列功能出现故障，在实现显示应用中，也会降低图像保真度以及颜色对比度，同时也会造成数据传输的缺陷并减弱光通信中的信噪比。常见的减少串扰(cross-talk)的方法有，将半球形微透镜阵列也集成到了Micro-LED阵列中，每个微透镜都耦合到单个Micro-LED像素,微透镜可以有效地准直Micro-LED发出的发散光，从而减少不同像素点之间的光学串扰。其次通过简单的光刻方法制造用于QD喷射的窗口和用于减少串扰的阻挡壁，单一像素的发散光会被阻挡壁吸收，而被局限在窗口中。而在这里，我们在不同Micro-LED像素点的间隔采取粗糙化形成特定形状的表面，使得像素点的发散光通过粗糙表面投射出去，从而减少各个独立像素相互之间的影响，大大减小了不同像素之间的光学串扰，实现了显示颜色的更精确控制以及更高的颜色对比度，降低了显示芯片制造的成本。
发明内容
本发明的目的是针对当前Micro-LED显示中存在的不足，提出一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列。该方案将当前主流的Micro-LED显示阵列中的各个Micro-LED的间隔处做成粗糙表面，使得在GaN层和蓝宝石(sapphire)衬底之间的通道内部传播的光通过粗糙表面透出，从而减少其在通道内传播并进一步影响相邻的Micro-LED，提高每个像素点色彩的纯洁性，进而提高显示阵列的对比度和可靠性，减少芯片成本。
本发明解决该技术问题所采用的技术方案是：
一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，包括蓝宝石衬底1，本征GaN缓冲2，n-GaN层3，InGaN/GaN多量子阱层4，p型电子阻挡层5，p-GaN层6，电流扩展层7，Micro-LED p型欧姆电极8，Micro-LED n型欧姆电极9，其中最底层为蓝宝石衬底1，接着是本征GaN缓冲层2，本征GaN缓冲层2上依次覆盖有n-GaN层3、InGaN/GaN多量子阱层4、p型电子阻挡层5、p-GaN层6、电流扩展层7及Micro-LED p型欧姆电极8，Micro-LED n型欧姆电极9位于n-GaN层3一角；Micro-LED p型欧姆电极8一侧的器件侧壁为倾斜侧壁结构；各Micro-LED器件之间的间隔为20～100μm，其间隔曝露的nGaN表面是图形化表面结构。
进一步的，所述蓝宝石衬底1是蓝宝石、SiC、Si、AlN、GaN或石英玻璃的其中一种，衬底1沿着外延生长方向的不同分成极性面[0001]衬底、半极性面[11-22]衬底或非极性面[1-100]衬底；
电流扩展层7的材料是ITO、Ni/Au、氧化锌、石墨烯、铝或金属纳米线的其中一种；
Micro-LED p型欧姆电极8的材质是Ni/Au、Cr/Au、Pt/Au或Ni/Al的其一种；
Micro-LED n型欧姆电极9材质是Al/Au、Cr/Au或Ti/Al/Ti/Au的其中一种；
进一步的，所述Micro-LED器件的倾斜侧壁的倾斜角度为10°～85°。
进一步的，所述粗图形化表面的高度为20nm-2000nm。
一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列的制备方法包括以下步骤：
第一步，首先在MOCVD反应炉中，将衬底在1250～1350℃下进行烘烤，将衬底表面的异物进行清除，然后分别生长本征GaN缓冲层2、n-GaN层3、InGaN/GaN多量子阱层4、p型电子阻挡层5、p-GaN层6；
第二步，在第一步生长的基片上蒸镀电流扩展层，材料为ITO；
第三步，在第二步得到的基片上通过光刻和刻蚀，按照器件的阵列分布，暴露至n-GaN层3，实现器件相互隔离，并且使侧壁形成一定倾角的侧壁；
第四步，通过纳米球光刻技术、全息光刻或者纳米压印光刻技术以及刻蚀技术在暴露的n-GaN层3区域形得到锥形或者半球形GaN缓冲层2表面；
第五步，分别光刻并且蒸镀出单个Micro-LED器件的p-型欧姆电极8和整个芯片单元的Micro-LED n型欧姆电极9。
由此制得本发明的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列。
相对于现有技术，本发明创造具有以下优势：
本发明的器件是将当前主流的Micro-LED阵列中单个像素之间的表面进行图形粗糙化，通过粗造化在n-GaN层形成半球形或者锥状表面，使得在蓝宝石衬底和n-GaN之间的通道里的光能够借助于粗糙化图形表面透出，透出的原理是改变光在界面处的入射角，使原本在界面处可以实现全反射的光不再满足全反射的条件，进而透射出去。这就相应的减少相邻Micro-LED发光像素之间的影响，即减少光学串扰(crosstalk).
本发明的有益效果是：
1、本发明中减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，通过在单个器件的间隙之间的n-GaN层表面制作半球形或者锥状粗糙表面，使得在蓝宝石衬底和n-GaN之间的通道里的光能够在到达相邻器件之前通过粗糙表面透出，这大大减小了单个Micro-LED像素点之间的光学串扰，相比无粗糙表面器件串扰比降低了50％-80％，进而准确控制单个像素点的颜色显示，提高图像保真度以及颜色对比度。
2、此外，传统器件为了避免串扰的影响，会尽量控制器件之间的间距不宜过大，但是本发明中通过采用粗糙表面降低了光学串扰，意味着可以缩短相邻Micro-LED像素点的间距，进一步降低Micro-LED显示pitch，提高PPI(像素密度)和显示分辨率。
3、本发明减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列中，采用的倾斜侧壁结构，提高器件光提取效率，相比常见的蒸镀金属反射镜用于提高光提取的器件更容易操作，可重复性强，生产成本及所耗时间少20％-40％左右。
附图说明
下面结合附图对本发明作近一步的说明。
图1为本发明中初始的基片结构示意图。
图2为本发明中蒸镀电流扩展层的示意图。
图3为本发明中通过光刻和刻蚀暴露n-GaN台面示意图。
图4为本发明中通过纳米球光刻技术、全息光刻以及刻蚀形成粗糙表面示意图。
图5为本发明中蒸镀p型及n型欧姆电极示意图。
图6为本发明的三维结构示意图。
图7为本发明中器件排布图。
图8为通过FDTD仿真软件得出器件不同倾斜角度下有无粗糙表面的crosstalk对比。
其中，1-衬底；2-本征GaN缓冲层；3-n-GaN层；4-InGaN/GaN多量子阱层；5-P型电子阻挡层；6-p-GaN层；7-电流扩展层；8-Micro-LED p型欧姆电极；9-Micro-LED n型欧姆电极
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步说明，但不以此作为对本申请权利要求保护范围的限定。
图5为该阵列器件结构示意图，完整Micro-LED器件沿着外延生长方向依次包括：衬底1、本征GaN缓冲层2、n-GaN层3、InGaN/GaN多量子阱层4、P型电子阻挡层5、p-GaN层6、电流扩展层7、P-型欧姆电极8、N-型欧姆电极9。
图2所示表明，在图1的初始基片上蒸镀电流扩展层。
图3所示表明，在图2的基片上通过光刻和刻蚀，按照器件的阵列分布，暴露至n-GaN层，实现器件相互隔离，并且使侧壁形成一定倾角的侧壁；
图4所示表明，在图3的基片上通过纳米球光刻技术、全息光刻或者纳米压印光刻技术以及刻蚀技术在暴露的n-GaN层区域形得到锥形或者半球形GaN层表面；
图5所示表明，在图4中分别光刻并且蒸镀出单个Micro-LED器件的p-型欧姆电极和整个芯片单元的n-型欧姆电极；
本发明的实现基于Micro-LED阵列的基本设计思路，在传统的Micro-LED阵列中Micro-LED像素之间的间隔表面进行图形粗糙化，通过粗糙化在暴露的n-GaN层上侧形成半球形或者锥状表面，减少Micro-LED显示的光学串扰，从而提高色彩的纯度以及对比度。
其理论机理为：提出一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，在Micro-LED像素点之间的间隙处制作出半球形或者锥状表面，当n-GaN层和蓝宝石衬底之间的通道里的光到达n-GaN上表面时，与半球形的或者锥形表面形成的入射角很小远远小于两种介质之间的全反射临界角，那么通道里的光就会在间隙的n-GaN层粗糙表面处透出，而不是继续在通道内反射传播影响相邻器件。
若采用传统的间距之间没有粗糙化的显示阵列，因为没有特定形状的表面，通道内部一部分光在n-GaN层的界面处的入射角大于临界角，所以无法透出从而会继续传播影响相邻器件。
一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，所述的Micro-LED器件，最底层为蓝宝石衬底，接着是本征GaN缓冲层，本征GaN缓冲层上覆盖有n-GaN层，n-GaN层上层的上部，从下到上依次为InGaN/GaN多量子阱层、p型电子阻挡层、p-GaN层和电流扩展层，电流扩展层上表面的外侧覆盖有p-型欧姆电极，p-型欧姆电极的面积为电流扩展层面积的5～10％；整个阵列的n-GaN层的一角表面设置n-型欧姆电极，n-型欧姆电极的的面积大概为0.01～0.04mm2；
阵列排布中，各Micro-LED器件之间的间隔为40～80μm；
衬底为蓝宝石、SiC、Si、AlN、GaN或石英玻璃；衬底沿着外延生长方向的不同可以分成极性面[0001]衬底、半极性面[11-22]衬底或非极性面[1-100]衬底。
电流扩展层的材料可以是ITO、Ni/Au、氧化锌、石墨烯、铝或金属纳米线，厚度为10～100nm。
Micro-LED器件的侧壁略微向内倾斜，倾角为10°～85°。
粗糙表面的形状可以是半圆，椭圆，锥形，截面的半径为200nm～2μm，高度为200nm～2μm。
Micro-LED器件p-型欧姆电极的材质为Ni/Au、Cr/Au、Pt/Au或Ni/Al，n-型欧姆电极的材质为Al/Au、Cr/Au或Ti/Al/Ti/Au。
实施例1
一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列是由若干个Micro-LED排布而成。
Micro-LED器件沿着外延生长方向依次包括：衬底1、本征GaN缓冲层2，厚度为1.5μm；n-GaN层3，厚度为3μm；InGaN/GaN多量子阱层4，厚度为50nm；p型电子阻挡层5，厚度为20nm；p-GaN层6，厚度为500nm；电流扩展层7，厚度为20nm；p-型欧姆电极8和n-型欧姆电极9，其中p-型欧姆电极8位于电流扩展层7的中央，宽度为0.5μm，厚度为200nm；n-型欧姆电极9位于n-GaN下层暴露部分的一角，边长为0.5μm，厚度为200nm。
所述的上述减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其制备方法如下：
第一步，首先在MOCVD反应炉中，将衬底在1250～1350℃下进行烘烤，将衬底表面的异物进行清除，然后分别生长本征GaN缓冲层2、n-GaN层3、5对InGaN/GaN多量子阱层4、p型电子阻挡层5、p-GaN层6；
第二步，在第一步生长的基片上蒸镀电流扩展层7，材料为ITO，厚度为20nm；
第三步，在第二步得到的基片上通过光刻和刻蚀，按照器件的阵列分布，暴露至n-GaN层3，实现器件相互隔离，相邻器件间距为40nm,刻蚀中通过控制ICP的速率形成～50°倾角的侧壁；
第四步，通过纳米球光刻技术、全息光刻或者纳米压印光刻技术以及刻蚀技术在暴露的n-GaN层3区域形得到半球形GaN层表面，球形半径为0.5μm。
第五步，分别光刻并且蒸镀出单个Micro-LED器件的p-型欧姆电极8和整个芯片单元的n-型欧姆电极9；
由此制得本发明的减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列。
实施例2
一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列是由若干个Micro-LED排布而成。
Micro-LED器件沿着外延生长方向依次包括：衬底1、本征GaN缓冲层2，厚度为1.5μm；n-GaN层3，厚度为3μm；InGaN/GaN多量子阱层4，厚度为50nm；p型电子阻挡层5，厚度为20nm；p-GaN层6，厚度为500nm；电流扩展层7，厚度为20nm；p-型欧姆电极8和n-型欧姆电极9，其中p-型欧姆电极9位于电流扩展层7的中央，宽度为0.5μm，厚度为200nm；n-型欧姆电极10位于n-GaN下层暴露部分的一角，边长为0.5μm，厚度为200nm。
所述的上述减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其制备方法如下：
第一步，首先在MOCVD反应炉中，将衬底在1250～1350℃下进行烘烤，将衬底表面的异物进行清除，然后分别生长本征GaN缓冲层2、n-GaN层3、5对InGaN/GaN多量子阱层4、p型电子阻挡层5、p-GaN层6；
第二步，在第一步生长的基片上蒸镀电流扩展层7，材料为ITO，厚度为20nm；
第三步，在第二步得到的基片上通过光刻和刻蚀，按照器件的阵列分布，暴露至n-GaN层3，实现器件相互隔离，相邻器件间距为40nm,刻蚀中通过控制ICP的速率形成～50°倾角的侧壁；
第四步，通过纳米球光刻技术、全息光刻或者纳米压印光刻技术以及刻蚀技术在暴露的n-GaN层3区域形得到锥形GaN层表面，底面半径为0.5μm，高度为1μm。
第五步，分别光刻并且蒸镀出单个Micro-LED器件的p-型欧姆电极8和整个芯片单元的n-型欧姆电极9；
由此制得本发明的减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列。
上述实施例仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干图形化粗糙表面和等同替换，这些对本发明权利要求进行图形化粗糙表面和等同替换后的技术方案后的技术方案，均落于本发明的保护范围。
本发明未尽事宜为公知技术。
Claims (5)
1.一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：包括蓝宝石衬底(1)，本征GaN缓冲层(2)，n-GaN层(3)，InGaN/GaN多量子阱层(4)，p型电子阻挡层(5)，p-GaN层(6)，电流扩展层(7)，Micro-LED p型欧姆电极(8)，Micro-LED n型欧姆电极(9)，其中最底层为蓝宝石衬底1，接着是本征GaN缓冲层(2)，本征GaN缓冲层(2)上依次覆盖有n-GaN层(3)、InGaN/GaN多量子阱层(4)、p型电子阻挡层(5)、p-GaN层(6)、电流扩展层(7)及Micro-LED p型欧姆电极(8)，Micro-LED n型欧姆电极(9)位于n-GaN层(3)一角；Micro-LED p型欧姆电极(8)一侧的器件侧壁为倾斜侧壁结构；各Micro-LED器件之间的间隔为20～100μm，其间隔曝露的nGaN表面是图形化表面结构。
2.根据权利要求1所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：蓝宝石衬底(1)是蓝宝石、SiC、Si、AlN、GaN或石英玻璃的其中一种，衬底1沿着外延生长方向的不同分成极性面[0001]衬底、半极性面[11-22]衬底或非极性面[1-100]衬底；
电流扩展层(7)的材料是ITO、Ni/Au、氧化锌、石墨烯、铝或金属纳米线的其中一种；
Micro-LED p型欧姆电极(8)的材质是Ni/Au、Cr/Au、Pt/Au或Ni/Al的其一种；
Micro-LED n型欧姆电极(9)材质是Al/Au、Cr/Au或Ti/Al/Ti/Au的其中一种。
3.根据权利要求1-2所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：Micro-LED器件的倾斜侧壁的倾斜角度为10°～85°。
4.根据权利要求1-3所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：粗图形化表面的高度为20nm-2000nm。
5.一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，制备方法包括以下步骤：
第一步，首先在MOCVD反应炉中，将衬底在1250～1350℃下进行烘烤，将衬底表面的异物进行清除，然后分别生长本征GaN缓冲层(2)、n-GaN层(3)、InGaN/GaN多量子阱层(4)、p型电子阻挡层(5)、p-GaN层(6)；
第二步，在第一步生长的基片上蒸镀电流扩展层，材料为ITO；
第三步，在第二步得到的基片上通过光刻和刻蚀，按照器件的阵列分布，暴露至n-GaN层(3)，实现器件相互隔离，并且使侧壁形成一定倾角的侧壁；
第四步，通过纳米球光刻技术、全息光刻或者纳米压印光刻技术以及刻蚀技术在暴露的n-GaN层(3)区域形得到锥形或者半球形GaN缓冲层(2)表面；
第五步，分别光刻并且蒸镀出单个Micro-LED器件的p-型欧姆电极(8)和整个芯片单元的Micro-LED n型欧姆电极(9)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202011478135.0A CN112599553B (zh) | 2020-12-15 | 2020-12-15 | 一种减小光学串扰的Micro-LED显示阵列及其制备方法 |
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| CN202011478135.0A CN112599553B (zh) | 2020-12-15 | 2020-12-15 | 一种减小光学串扰的Micro-LED显示阵列及其制备方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| CN112599553A true CN112599553A (zh) | 2021-04-02 |
| CN112599553B CN112599553B (zh) | 2024-06-11 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202011478135.0A Active CN112599553B (zh) | 2020-12-15 | 2020-12-15 | 一种减小光学串扰的Micro-LED显示阵列及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN112599553B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113013300A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-06-22 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 发光器件及显示器件 |
| CN114300594A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-08 | 福州大学 | 适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法 |
| CN115312636A (zh) * | 2022-10-11 | 2022-11-08 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微发光二极管显示面板及其制造方法 |
| WO2023142149A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | Jade Bird Display (Shanghai) Company | Micro led structure and micro display panel |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040026700A1 (en) * | 2002-01-29 | 2004-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting element and manufacturing method for the same |
| CN201038188Y (zh) * | 2007-04-16 | 2008-03-19 | 上海第二工业大学 | 一种高出光效率的半球形GaN基大功率LED芯片 |
| CN101740692A (zh) * | 2009-12-24 | 2010-06-16 | 上海蓝光科技有限公司 | 提高led芯片亮度的方法 |
| CN107104129A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件制造方法、oled器件及显示面板 |
| CN209880636U (zh) * | 2019-06-28 | 2019-12-31 | 河北工业大学 | 一种具有弧形增透作用的光电探测器结构 |
| CN213958959U (zh) * | 2020-12-15 | 2021-08-13 | 天津赛米卡尔科技有限公司 | 一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列 |
-
2020
- 2020-12-15 CN CN202011478135.0A patent/CN112599553B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040026700A1 (en) * | 2002-01-29 | 2004-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting element and manufacturing method for the same |
| CN201038188Y (zh) * | 2007-04-16 | 2008-03-19 | 上海第二工业大学 | 一种高出光效率的半球形GaN基大功率LED芯片 |
| CN101740692A (zh) * | 2009-12-24 | 2010-06-16 | 上海蓝光科技有限公司 | 提高led芯片亮度的方法 |
| CN107104129A (zh) * | 2017-05-19 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件制造方法、oled器件及显示面板 |
| CN209880636U (zh) * | 2019-06-28 | 2019-12-31 | 河北工业大学 | 一种具有弧形增透作用的光电探测器结构 |
| CN213958959U (zh) * | 2020-12-15 | 2021-08-13 | 天津赛米卡尔科技有限公司 | 一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113013300A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-06-22 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 发光器件及显示器件 |
| CN114300594A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-08 | 福州大学 | 适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法 |
| CN114300594B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-09-29 | 福州大学 | 适用于近眼显示设备的高效率NanoLED结构及其制作方法 |
| WO2023142149A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-03 | Jade Bird Display (Shanghai) Company | Micro led structure and micro display panel |
| CN115312636A (zh) * | 2022-10-11 | 2022-11-08 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微发光二极管显示面板及其制造方法 |
| CN115312636B (zh) * | 2022-10-11 | 2022-12-16 | 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 | 一种微发光二极管显示面板及其制造方法 |
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