TWI706578B - 微型發光二極體晶片 - Google Patents

Abstract

一種微型發光二極體晶片，具有至少二發光區域，且包括一磊晶結構層、一第一型電極以及至少二第二型電極。磊晶結構層包括一第一型半導體層、至少二發光層以及至少二第二型半導體層。發光層分別位於發光區域內，且一個發光層具有一第一面積，而另一個發光層具有一第二面積。第一面積與第二面積的比值介於1.5至3，且分別通過至少二發光區域的電流密度差異小於10%。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型電極與第一型半導體層電性接觸。第二型電極分別與第二型半導體層電性接觸。

Description

微型發光二極體晶片

本發明是有關於一種發光二極體晶片，且特別是有關於一種微型發光二極體（Micro Light Emitting Diode, μLED）晶片。

微型發光二極體（Micro LED, μLED）具有自發光顯示特性。相較於同為自發光顯示的有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode, OLED）技術，微型發光二極體不僅效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。因此，微型發光二極體有望超越有機發光二極體顯示技術而成為未來顯示技術的主流。然而，發光二極體在小尺寸下，由於表面積比例增加，導致發光波長會因為電流大小而不同。因此，同一製程所形成的微型發光二極體的產品只能在一種電流範圍下操作，對於產品的產能成本非常不利。

本發明提供一種具有至少二發光區域的微型發光二極體晶片，其磊晶結構層包括至少二個不同面積的發光層，且通過發光區域的電流密度差異小於10%，可有效地維持發光波長及發光亮度，具有較佳的發光均勻性。

本發明的一實施例的微型發光二極體晶片，具有至少二發光區域，且包括一磊晶結構層、一第一型電極以及至少二第二型電極。磊晶結構層包括一第一型半導體層、至少二發光層以及至少二第二型半導體層。發光層分別位於發光區域內，且其中一個發光層具有一第一面積，而另一個發光層具有一第二面積。第一面積與第二面積的比值介於1.5至3，且分別通過至少二發光區域的電流密度差異小於10%。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型電極與第一型半導體層電性接觸。第二型電極分別與第二型半導體層電性接觸。

在本發明的一實施例中，上述通過發光區域的電流密度相同。

在本發明的一實施例中，上述的第一型電極與第二型電極位於磊晶結構層的同一側，且第一型電極位於第二型電極之間。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構層具有一溝槽。溝槽穿過第二型半導體層、發光層以及部分第一型半導體層，且溝槽暴露出部分第一型半導體層。

在本發明的一實施例中，上述的第一型電極與第二型電極位於磊晶結構層的同一側，且第一型電極設置於溝槽中並與第一型半導體層電性接觸。

在本發明的一實施例中，上述的每一發光層相對遠離溝槽的一第一側表面切齊於每一第二型半導體層相對遠離溝槽的一第二側表面。每一發光層的第一側表面相對於第一型半導體層的一外側表面內縮一距離。

在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片更包括一絕緣層，電性絕緣第一型電極與發光層以及電性絕緣第一型電極與第二型半導體層。絕緣層覆蓋溝槽的內壁，並延伸配置於第二型半導體層相對遠離第一型半導體層的一表面上，且包覆每一第二型半導體層的第二側表面、每一發光層的第一側表面以及第一型半導體層的外側表面。

在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片更包括一絕緣層。絕緣層覆蓋溝槽的內壁，並延伸配置於第二型半導體層相對遠離第一型半導體層的一表面上。絕緣層電性絕緣第一型電極與發光層，以及電性絕緣第一型電極與第二型半導體層。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層具有多個開口。開口暴露出部分第二型半導體層，而第二型電極配置於開口上且與第二型半導體層電性接觸。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構層的寬度從第一型半導體層往第二型半導體層的方向逐漸遞減。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層更包覆每一發光層相對遠離溝槽的一第一側表面、每一第二型半導體層相對遠離溝槽的一第二側表面以及第一型半導體層的一外側表面。

在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片更包括至少二歐姆接觸層以及至少二導電反射層。歐姆接觸層配置於第二型半導體層上，且直接接觸第二型半導體層。導電反射層配置於歐姆接觸層上。歐姆接觸層位於第二型半導體層與導電反射層之間。

在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片更包括一溝槽以及一絕緣層。溝槽穿過歐姆接觸層、導電反射層、第二型半導體層、發光層以及部分第一型半導體層，且溝槽暴露出部分第一型半導體層。絕緣層電性絕緣第一型電極與發光層以及電性絕緣第一型電極與第二型半導體層。絕緣層覆蓋溝槽的內壁，並延伸配置於導電反射層相對遠離第一型半導體層的一表面上。絕緣層具有多個開口。開口暴露出部分導電反射層，而第二型電極配置於開口上且與導電反射層電性接觸。

在本發明的一實施例中，上述的第一型電極與第二型電極位於磊晶結構層的同一側，且第二型電極呈同心環狀，且一個第二型電極位於第一型電極與另一第二型電極之間。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構層更包括彼此分離的一第一溝槽及一第二溝槽。第一溝槽與第二溝槽穿過第二型半導體層、發光層以及部分第一型半導體層，且暴露出部分第一型半導體層。

在本發明的一實施例中，上述的第一型電極設置於第一溝槽中。

在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體晶片更包括一絕緣層。絕緣層配置於第一溝槽與第二溝槽內，且覆蓋第一溝槽的內壁與第二溝槽的內壁，並延伸配置於第二型半導體層相對遠離對應的發光層的一表面上。絕緣層具有多個開口。開口暴露出第二型半導體層的部分表面，而第二型電極配置於開口上且與第二型半導體層電性接觸。絕緣層電性絕緣第一型電極與發光層以及電性絕緣第一型電極與第二型半導體層。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構層的寬度從第一型半導體層往第二型半導體層的方向逐漸遞減。

在本發明的一實施例中，上述的輸入至具有第一面積的發光層的操作電流大於輸入至具有第二面積的發光層的操作電流。

在本發明的一實施例中，上述的對應具有第一面積的發光層的第二型電極的面積大於對應具有第二面積的發光層的第二型電極的面積。

基於上述，在本發明的微型發光二極體晶片的設計中，微型發光二極體晶片具有至少二發光區域，且其磊晶結構層包括至少二發光層，其中發光層的面積比值介於1.5至3，且通過至少二發光區域的電流密度差異小於10%。藉此，微型發光二極體晶片的發光波長及亮度可維持一定，使得微型發光二極體晶片具有較佳的發光均勻度。此外，若由一發光層所發出的光不夠亮，則另一發光層可進行亮度補償，而使本發明的微型發光二極體晶片仍維持較佳地亮度表現。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是本發明的一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。圖1B是沿圖1A中線A-A’的剖面示意圖。圖1C是沿圖1A中線B-B’的剖面示意圖。

請同時參考圖1A、圖1B以及圖1C，在本實施例中，微型發光二極體晶片100具有至少二發光區域（圖1A中示意地繪示二個發光區域ER1、ER2）。微型發光二極體晶片100包括一磊晶結構層110、一第一型電極120以及至少二第二型電極（圖1A中示意地繪示二個第二型電極130a、130b）。磊晶結構層110包括一第一型半導體層112、至少二發光層（圖1B及圖1C中示意地繪示二個發光層114a1、114a2）以及至少二第二型半導體層（圖1B及圖1C中示意地繪示二個第二型半導體層116a1、116a2）。

詳細來說，發光層114a1、114a2分別位於發光區域ER1、ER2內，其中發光區域ER1、ER2皆可以獨立控制發光。發光層114a1、114a2位於第一型半導體層112與第二型半導體層116a1、116a2之間。第一型電極120與第一型半導體層112電性接觸，而第二型電極130a、130b分別與第二型半導體層116a1、116a2電性接觸。特別是，本實施例的發光層114a1具有一第一面積A1，而發光層114a2具有一第二面積A2，其中第一面積A1大於第二面積A2，且第一面積A1與第二面積A2的比值例如是介於1.5至3。較佳地，分別通過發光區域ER1、ER2的電流密度差異小於10%。在本實施例中，發光區域ER1等於發光層114a1的第一面積A1，發光區域ER2等於發光層114a2的第一面積A2。於一實施例中，通過發光區域ER1、ER2的電流密度相同。

另一方面，由於第一面積A1大於第二面積A2，因此輸入至具有第一面積A1的發光層114a1的操作電流大於輸入至具有第二面積A2的發光層114a2的操作電流。也就是說，在本實施例中，輸入電流正比於發光層114a1、114a2的面積。再者，如圖1A所示，以仰視觀之，本實施例的第一型電極120與第二型電極130a、130b位於磊晶結構層110的同一側，且第一型電極120位於第二型電極130a、130b之間，且第一型電極120的面積小於第二型電極130a、130b的面積。較佳地，對應具有第一面積A1的發光層114a1的第二型電極130a的面積大於對應具有第二面積A2的發光層114a2的第二型電極130b的面積。也就是說，在本實施例中，第二型電極130a、130b的面積正比於發光層114a1、114a2的面積。

此處，第一型半導體層112為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中一者，而第二型半導體層116a1、116a2為P型摻雜半導體層以及N型摻雜半導體層中的其中另一者。更具體來說，第一型半導體層112例如是N型摻雜半導體層，而第二型半導體層116a1、116a2例如是P型摻雜半導體層，本發明並不以此為限。N型摻雜半導體層的材料例如是N型氮化鎵（n-GaN），而P型摻雜半導體層的材料例如是P型氮化鎵（p-GaN），本發明並不以此為限。另一方面，本實施例的發光層114a1、114a2的結構例如是多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW）。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier）。進一步來說，發光層114a1、114a2的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵（InGaN）以及多層氮化鎵（GaN），藉由設計發光層114a1、114a2中銦或鎵的比例，可使發光層114a1、114a2發出不同的發光波長範圍。應注意的是，關於上述所舉的發光層114a1、114a2的材料僅為舉例，發光層114a1、114a2的材料並不以氮化銦鎵與氮化鎵為限。

再者，請再同時參考圖1A與圖1C，磊晶結構層110具有一溝槽H，其中溝槽H穿過第二型半導體層116a1、116a2、發光層114a1、114a2以及部分第一型半導體層112，且溝槽H暴露出部分第一型半導體層112。第一型電極120與第二型電極130a、130b位於磊晶結構層110的同一側，且第一型電極120設置於溝槽H中並與第一型半導體層112電性接觸。此處，微型發光二極體晶片100具體化為水平式微型發光二極體，其中第一型半導體層112的一外側表面112sa切齊發光層114a1、114a2相對遠離溝槽H的第一側表面114sa1、114sa2與第二型半導體層116a1、116a2相對遠離溝槽H的第二側表面116sa1、116sa2。

此外，本實施例的微型發光二極體晶片100更包括一絕緣層140，其中絕緣層140覆蓋溝槽H的內壁，並延伸配置於第二型半導體層116a1、116a2相對遠離第一型半導體層112的表面S1、S2上。絕緣層140電性絕緣第一型電極120與發光層114a1、114a2以及電性絕緣第一型電極120與第二型半導體層116a1、116a2，以避免造成短路。於其他未繪示的實施例中，溝槽內亦可不設置絕緣層或填充緩衝材料，此仍屬於本發明所欲保護的範圍。溝槽H例如是透過蝕刻製程所形成，且例如是以感應耦合離子電漿（Inductively-Coupled Plasma, ICP）製程所形成，本發明並不以此為限。更進一步來說，本實施例的絕緣層140具有多個開口O1、O2及O3，其中開口O1、O2暴露出部分第二型半導體層116a1、116a2，而第二型電極130a、130b配置於開口O1、O2上且與第二型半導體層116a1、116a2電性接觸。更具體來說，開口O3位於溝槽H中並暴露出部份第一型半導體層112，而第一型電極120配置於開口O3上且與第一型半導體層112電性接觸。此處，絕緣層140的材質例如是環苯丁烷（Benzocyclobutene, BCB）或二氧化矽（Silicon Dioxide, SiO ₂），但並不以此為限。

簡言之，本實施例的微型發光二極體晶片100具有發光區域ER1、ER2，而發光層114a1、114a2的面積比值介於1.5至3。使用者可根據操作電流範圍選擇適合的發光區域發光，以維持相似的電流密度，並藉此改善發光均勻度。也就是說，通過發光區域ER1、ER2的電流密度差異小於10%，藉此，微型發光二極體晶片100的發光波長及亮度可維持一定，使得微型發光二極體晶片100具有較佳的發光均勻度。此外，若由發光層114a1所發出的光不夠亮，則發光層114a2可進行亮度補償，而使本實施例的微型發光二極體晶片100仍維持較佳地亮度表現。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2是本發明另一實施例的一種微型發光二極體晶片的剖面示意圖。請同時參照圖1B與圖2，本實施例的微型發光二極體晶片100a與圖1B的微型發光二極體晶片100相似，兩者的差異在於：本實施例的磊晶結構層110a的發光層114a1’、114a2’相對遠離溝槽H的第一側表面114sa1’、114sa2’切齊於第二型半導體層116a1’、116a2’對遠離溝槽H的第二側表面116sa1’、116sa2’，且發光層114a1’、114a2’的第一側表面114sa1’、114sa2’相對於第一型半導體層112的外側表面112sa內縮一距離D。此外，本實施例的絕緣層140a更包覆第二型半導體層116a1’、116a2’的第二側表面116sa1’、116sa2’、發光層114a1’、114a2’的第一側表面114sa1’、114sa2’以及第一型半導體層112的外側表面112sa。

圖3是本發明另一實施例的一種微型發光二極體晶片的剖面示意圖。請同時參照圖2與圖3，本實施例的微型發光二極體晶片100b與圖2的微型發光二極體晶片100a相似，兩者的差異在於：本實施例的磊晶結構層110b在一剖面下的總寬度從第一型半導體層112b往第二型半導體層116b1、116b2的方向逐漸遞減。也就是說，磊晶結構層110b的第一型半導體層112b、發光層114b1、114b2及第二型半導體層116b1、116b2的剖面形狀具體化為倒梯形。絕緣層140包覆第一型半導體層112b的外側表面112sb、第二型半導體層116b1、116b2的第二側表面116sb1、116sb2以及發光層114b1、114b2的第一側表面114sb1、114sb2。

再者，本實施例的微型發光二極體晶片100b還包括至少二歐姆接觸層（圖3中示意地繪示二個歐姆接觸層150a、150b）以及至少二導電反射層（圖3中示意地繪示二個導電反射層160a、160b）。歐姆接觸層150a、150b配置於第二型半導體層116b1、116b2上，且直接接觸第二型半導體層116b1、116b2。導電反射層160a、160b配置於歐姆接觸層150a、150b上。歐姆接觸層150a、150b位於第二型半導體層116b1、116b2與導電反射層160a、160b之間。換言之，歐姆接觸層150a、150b與導電反射層160a、160b都沒有直接接觸發光層114b1、114b2與第一型半導體層112b。

由於微型發光二極體晶片100b的面積較小，因此可透過形成在第二型半導體層116b1、116b2的歐姆接觸層150a、150b來提升電洞的注入效率以及電流分佈。再者，本實施例的絕緣層140a的開口O1、O2暴露出部分導電反射層160a、160b，其中第二型電極130a、130b分別配置於開口O1、O2上且分別與導電反射層160a、160b電性接觸。換言之，本實施例的導電反射層160a、160b位於第二型電極130a、130b與歐姆接觸層150a、150b之間，可增加微型發光二極體晶片100b的發光效率及保護歐姆接觸層150a、150b。

圖4A是本發明另一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。圖4B是沿圖4A中線C-C’的剖面示意圖。請同時參照圖3、圖4A及圖4B，本實施例的微型發光二極體晶片100c與圖3的微型發光二極體晶片100b相似，兩者的差異在於：以仰視觀之，第二型電極130a’、130b’呈同心環狀，且第二型電極130b’位於第一型電極120與第二型電極130a’之間。也就是說，本實施例的第二型電極130a’、130b’呈同心設置，可有效利用面積。此處，發光層114c1、114c2也呈同心環狀，且第二型半導體層116c1、116c2也呈同心環狀。發光層114c2位於第一型電極120與發光層114c1之間，且第二型半導體層116c2位於第一型電極120與第二型半導體層116c1之間。

更進一步來說，在本實施例中，磊晶結構層110c更包括彼此分離的一第一溝槽H1及一第二溝槽H2。第一溝槽H1與第二溝槽H2穿過第二型半導體層116c1、116c2、發光層114c1、114c2以及部分第一型半導體層112c，且暴露出部分第一型半導體層112c。第一型電極120與第二型電極130a’、130b’位於磊晶結構層110c的同一側，且第一型電極120設置於第一溝槽H1中。絕緣層140c配置於第一溝槽H1與第二溝槽H2內，且覆蓋第一溝槽H1的內壁與第二溝槽H2的內壁，並延伸配置於第二型半導體層116c1、116c2相對遠離對應的發光層114c1、114c2的表面S1、S2上。絕緣層140c的開口O1、O2暴露出第二型半導體層116c1、116c2的部分表面S1、S2，而第二型電極130a’、130b’分別配置於開口O1、O2上且分別與第二型半導體層116c1、116c2電性接觸。絕緣層140c電性絕緣第一型電極120與至少二發光層114c1、114c2以及電性絕緣第一型電極120與至少二第二型半導體層116c1、116c2。

圖5A是本發明的另一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。圖5B是沿圖5A中線D-D’的剖面示意圖。請同時參照圖3、圖5A及圖5B，本實施例的微型發光二極體晶片100d與圖3的微型發光二極體晶片100b相似，兩者的差異在於：本實施例的微型發光二極體晶片100d的第一型電極120d與第二型電極130a、130b位於磊晶結構層110b的相對兩側。磊晶結構層110b的第一型半導體層112b位於第一型電極120d與發光層114b1、114b2之間。在本實施例中，微型發光二極體晶片100d不設置絕緣層。於其他未繪示的實施例中，溝槽H內亦可填充絕緣材料或填充緩衝材料，此仍屬於本發明所欲保護的範圍。此處，微型發光二極體晶片100d具體化為垂直式發光二極體（Vertical type LED）。

圖6是本發明的另一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。請同時參照圖1及圖6，本實施例的微型發光二極體晶片100e與圖1的微型發光二極體晶片100相似，兩者的差異在於：本實施例的微型發光二極體晶片100e具有三個發光區域ER1、ER2、ER3以及三個第二型電極130a、130b、130c，其中每一個發光區域ER1、ER2、ER3的面積都不同，且第二型電極130a、130b、130c的面積也不相同，但本發明不以此為限。於其他未繪示的實施例中，微型發光二極體晶片的發光區域可具有相同的面積，或者是部分的發光區域具有相同的面積，此仍屬於本發明所欲保護的範圍。此外，本發明亦不限制第二型電極130a、130b、130c的面積，只要第二型電極130a、130b的面積正比於其所對應的發光層的面積，皆屬於本發明所欲保護的範圍。

綜上所述，在本發明的微型發光二極體晶片的設計中，微型發光二極體晶片具有至少二發光區域，且其磊晶結構層包括至少二發光層，其中發光層的面積比值介於1.5至3，且分別通過至少二發光區域的電流密度差異小於10%。藉此，微型發光二極體晶片的發光波長及亮度可維持一定，使得微型發光二極體晶片具有較佳的發光均勻度。因此可根據操作電流範圍選擇相應面積的發光區域驅動，使得一顆微型發光二極體晶片可應用於不同操作電流，並維持驅動發光的電流密度。此外，若由一發光層所發出的光不夠亮，則另一發光層可進行亮度補償，而使本發明的微型發光二極體晶片仍維持較佳地亮度表現。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100a、100b、100c、100d、100e:微型發光二極體晶片

110、110a、110b、110c:磊晶結構層

112、112b、112c:第一型半導體層

112sa、112sb:外側表面

114a1、114a1’、114a2、114a2’、114b1、114b2、114c1、114c2:發光層

114sa1、114sa1’、114sa2、114sa2’、114sb1、114sb2:第一側表面

116a1、116a1’、116a2、116a2’、116b1、116b2、116c1、116c2:第二型半導體層

116sa1、116sa1’、116sa2、116sa2’、116sb1、116sb2:第二側表面

120、120d:第一型電極

130a、130a’、130b、130b’、130c:第二型電極

140、140a、140c:絕緣層

150a、150b:歐姆接觸層

160a、160b:導電金屬反射層

A1:第一面積

A2:第二面積

A3:第三面積

D:距離

ER1、ER2、ER3:發光區域

H:溝槽

H1:第一溝槽

H2:第二溝槽

O1、O2、O3:開口

S1、S2:表面

圖1A是本發明的一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。 圖1B是沿圖1A中線A-A’的剖面示意圖。 圖1C是沿圖1A中線B-B’的剖面示意圖。 圖2是本發明另一實施例的一種微型發光二極體晶片的剖面示意圖。 圖3是本發明另一實施例的一種微型發光二極體晶片的剖面示意圖。 圖4A是本發明另一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。 圖4B是沿圖4A中線C-C’的剖面示意圖。 圖5A是本發明的另一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。 圖5B是沿圖5A中線D-D’的剖面示意圖。 圖6是本發明的另一實施例的一種微型發光二極體晶片的仰視示意圖。

100:微型發光二極體晶片

110:磊晶結構層

112:第一型半導體層

112sa:外側表面

114a1、114a2:發光層

114sa1、114sa2:第一側表面

116a1、116a2:第二型半導體層

116sa1、116sa2:第二側表面

120:第一型電極

130a、130b:第二型電極

140:絕緣層

ER1、ER2:發光區域

H:溝槽

O1、O2、O3:開口

S1、S2:表面

Claims (19)

1. 一種微型發光二極體晶片，具有至少二發光區域，該微型發光二極體晶片包括：一磊晶結構層，包括：一第一型半導體層；至少二發光層，分別位於該至少二發光區域內，其中一個該發光層具有一第一面積，另一個該發光層具有一第二面積，而該第一面積與該第二面積的比值介於1.5至3，且分別通過該至少二發光區域的電流密度差異小於10%，其中輸入至具有該第一面積的該發光層的操作電流大於輸入至具有該第二面積的該發光層的操作電流；以及至少二第二型半導體層，該至少二發光層位於該第一型半導體層與該至少二第二型半導體層之間；一第一型電極，與該第一型半導體層電性接觸；以及至少二第二型電極，分別與該至少二第二型半導體層電性接觸。
2. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中通過該至少二發光區域的電流密度相同。
3. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中該第一型電極與該至少二第二型電極位於該磊晶結構層的同一側，且該第一型電極位於該至少二第二型電極之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中該磊晶結構層具有一溝槽，穿過該至少二第二型半導體層、該至少二發光層以及部分該第一型半導體層，且該溝槽暴露出部分該第一型半導體層。
5. 如申請專利範圍第4項所述的微型發光二極體晶片，其中該第一型電極與該至少二第二型電極位於該磊晶結構層的同一側，且該第一型電極設置於該溝槽中並與該第一型半導體層電性接觸。
6. 如申請專利範圍第5項所述的微型發光二極體晶片，其中各該發光層相對遠離該溝槽的一第一側表面切齊於各該第二型半導體層相對遠離該溝槽的一第二側表面，且各該發光層的該第一側表面相對於該第一型半導體層的一外側表面內縮一距離。
7. 如申請專利範圍第6項所述的微型發光二極體晶片，更包括：一絕緣層，電性絕緣該第一型電極與該至少二發光層以及電性絕緣該第一型電極與該至少二第二型半導體層，其中該絕緣層覆蓋該溝槽的內壁，並延伸配置於該至少二第二型半導體層相對遠離該第一型半導體層的一表面上，且包覆各該第二型半導體層的該第二側表面、各該發光層的該第一側表面以及該第一型半導體層的該外側表面。
8. 如申請專利範圍第5項所述的微型發光二極體晶片，更包括： 一絕緣層，覆蓋該溝槽的內壁，並延伸配置於該至少二第二型半導體層相對遠離該第一型半導體層的一表面上，該絕緣層電性絕緣該第一型電極與該至少二發光層以及電性絕緣該第一型電極與該至少二第二型半導體層。
9. 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體晶片，其中該絕緣層具有多個開口，暴露出部分該至少二第二型半導體層，而該至少二第二型電極配置於該些開口上且與該至少二第二型半導體層電性接觸。
10. 如申請專利範圍第8項所述的微型發光二極體晶片，其中該磊晶結構層的寬度從該第一型半導體層往該至少二第二型半導體層的方向逐漸遞減。
11. 如申請專利範圍第10項所述的微型發光二極體晶片，其中該絕緣層更包覆各該發光層相對遠離該溝槽的一第一側表面、各該第二型半導體層相對遠離該溝槽的一第二側表面以及該第一型半導體層的一外側表面。
12. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，更包括：至少二歐姆接觸層，配置於該至少二第二型半導體層上，且直接接觸該至少二第二型半導體層；以及至少二導電反射層，配置於該至少二歐姆接觸層上，該至少二歐姆接觸層位於該至少二第二型半導體層與該至少二導電反射層之間。
13. 如申請專利範圍第12項所述的微型發光二極體晶片，更包括：一溝槽，穿過該至少二歐姆接觸層、該至少二導電反射層、至少二第二型半導體層、該至少二發光層以及部分該第一型半導體層，且該溝槽暴露出部分該第一型半導體層；以及一絕緣層，電性絕緣該第一型電極與該至少二發光層以及電性絕緣該第一型電極與該至少二第二型半導體層，其中該絕緣層覆蓋該溝槽的內壁，並延伸配置於該至少二導電反射層相對遠離該第一型半導體層的一表面上，其中該絕緣層具有多個開口，暴露出部分該至少二導電反射層，而該至少二第二型電極配置於該些開口上且與該至少二導電反射層電性接觸。
14. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中該第一型電極與該至少二第二型電極位於該磊晶結構層的同一側，且該至少二第二型電極呈同心環狀，且一個該第二型電極位於該第一型電極與另一該第二型電極之間。
15. 如申請專利範圍第14項所述的微型發光二極體晶片，其中該磊晶結構層更包括彼此分離的一第一溝槽及一第二溝槽，該第一溝槽與該第二溝槽穿過該至少二第二型半導體層、該至少二發光層以及部分該第一型半導體層，且暴露出部分該第一型半導體層。
16. 如申請專利範圍第15項所述的微型發光二極體晶片，其中該第一型電極設置於該第一溝槽中。
17. 如申請專利範圍第16項所述的微型發光二極體晶片，更包括：一絕緣層，配置於該第一溝槽與該第二溝槽內，且覆蓋該第一溝槽的內壁與該第二溝槽的內壁，並延伸配置於該至少二第二型半導體層相對遠離對應的該發光層的一表面上，該絕緣層具有多個開口，暴露出該至少二第二型半導體層的部分該表面，而該至少二第二型電極配置於該些開口上且與該至少二第二型半導體層電性接觸，該絕緣層電性絕緣該第一型電極與該至少二發光層以及電性絕緣該第一型電極與該至少二第二型半導體層。
18. 如申請專利範圍第15項所述的微型發光二極體晶片，其中該磊晶結構層的寬度從該第一型半導體層往該至少二第二型半導體層的方向逐漸遞減。
19. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體晶片，其中對應具有該第一面積的該發光層的該第二型電極的面積大於對應具有該第二面積的該發光層的該第二型電極的面積。

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