JP2017037947A - Molding mold, molding method, and molding device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a molding mold capable of securely exposing a semiconductor chip to mold it by using a large sized work and securely performing underfill molding with a simple mold configuration.SOLUTION: A mold resin R is clamped by a molding mold while supporting a plurality of electronic components at a carrier plate 1 and fills a gap of a semiconductor chip 3 accommodated in a cavity 5g through through-holes 1a and 2a from a cavity space with a resin injection mechanism.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、矩形若しくは円形の大型キャリアを用いたチップ露出タイプのワークをモールドするモールド金型及びモールド方法並びにモールド装置に関する。   The present invention relates to a mold, a molding method, and a molding apparatus that mold a chip-exposed type work using a rectangular or circular large carrier.

例えば複数の半導体チップが基板にフリップチップ実装されたワークをアンダーフィルモールドする場合、チップと基板間に樹脂を流し込む必要があることから一般にトランスファ成形を用いて行われる。一方、WLP(Wafer Level Package)のように半導体ウエハを用いたワークや、大型キャリアに半導体チップを支持したワークをチップ露出させて圧縮成形により樹脂モールドすることも行われている。   For example, when underfill molding a work in which a plurality of semiconductor chips are flip-chip mounted on a substrate, it is generally performed by transfer molding because a resin needs to be poured between the chip and the substrate. On the other hand, a work using a semiconductor wafer, such as WLP (Wafer Level Package), or a work supporting a semiconductor chip on a large carrier is exposed and the resin molding is performed by compression molding.

特開2014−231185号公報JP 2014-231185 A

矩形若しくは円形の大型キャリアを用いたチップ露出タイプのワークを樹脂モールド(アンダーフィルモールド)する場合、トランスファ成形によれば樹脂の流動量が大きく、圧縮成形によれば樹脂圧が作用し難いため、半導体チップ間の隙間やアンダーフィル空間にモールド樹脂が未充填となるおそれやエアを巻き込み易くなるという課題がある。また、フィルム供給も必要になるため装置構成も複雑になり、モールドエリアのワークに金型のクランプ圧が作用し難いことから半導体チップ端面を確実に露出成形させることが困難になる。   When a chip-exposed type work using a rectangular or circular large carrier is resin-molded (underfill mold), the resin flow is large according to transfer molding, and the resin pressure hardly acts according to compression molding. There is a problem that mold resin may be unfilled in gaps or underfill spaces between semiconductor chips and air may be easily involved. Moreover, since the film supply is also required, the apparatus configuration is complicated, and it is difficult for the mold clamping pressure to act on the work in the mold area, so that it is difficult to reliably expose and mold the end face of the semiconductor chip.

また、昨今では半導体チップ等の電子部品を封止する樹脂モールド技術の利用分野として、IoT(Internet of Things/モノのインターネットと称される)が注目を集めている。例えばモノのインターネットの一側面としてのモバイル機器に用いられる半導体パッケージや、センサデバイス用の半導体パッケージにおいては、一度に大量の製品を生産することによる低コスト生産技術や、インタポーザ基板のような部材の削減による低背化や小フットプリント化といった小型化技術が要求されると共に、更に高性能化・高機能化も求められるという複合的な要求に応えることが求められている。   In recent years, IoT (Internet of Things / Internet of things) has attracted attention as a field of application of resin mold technology for sealing electronic components such as semiconductor chips. For example, in semiconductor packages used in mobile devices as one aspect of the Internet of things and semiconductor packages for sensor devices, low-cost production technology by producing a large number of products at once, and components such as interposer substrates There is a demand for miniaturization technology such as a reduction in profile and a reduction in footprint, as well as to meet the complex demands for higher performance and higher functionality.

本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、大型のワークを用いて半導体チップを確実に露出させて成形すると共に、簡易な金型構成でアンダーフィルモールドが確実に行えるモールド金型及びモールド方法を提供することにある。
また、上記モールド金型を備えて大判サイズの成形品の成形品質を向上させることが可能なモールド装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-described problems of the prior art, and to mold a semiconductor chip with a large workpiece reliably exposed, and to perform underfill molding with a simple mold configuration, and It is to provide a molding method.
Another object of the present invention is to provide a molding apparatus that is equipped with the molding die and can improve the molding quality of a large-sized molded product.

本発明は上記目的を達成するため、次の構成を備える。
複数の電子部品を支持するキャリアプレートを、樹脂注入機構にモールド樹脂が供給された一対の金型でクランプして樹脂モールドするモールド金型であって、前記キャリアプレートには、前記樹脂注入機構とキャビティ空間と連絡する互いに連通する貫通孔が形成されていることを特徴とする。
また、モールド方法においては、前記樹脂注入機構に前記モールド樹脂が供給された前記一対の金型で前記複数の電子部品を支持する前記キャリアプレートをクランプし、前記樹脂注入機構によって前記キャリアプレートに設けられた貫通孔を通じて、前記キャビティ空間に前記モールド樹脂を充填して前記複数の電子部品をモールドすることを特徴とする。
上記モールド金型及びモールド方法を用いれば、キャリアプレートに複数の電子部品を支持したままモールド金型によりクランプして樹脂注入機構によってモールド樹脂をキャビティ空間から貫通孔を通じてキャビティ内に収容された複数の電子部品(半導体チップ)の隙間に充填することができる。よって、複数の電子部品を確実に露出させて成形すると共に、簡易な金型構成でアンダーフィルモールドを確実に行うことができる。
In order to achieve the above object, the present invention comprises the following arrangement.
A mold that clamps a carrier plate that supports a plurality of electronic components with a pair of molds supplied with mold resin to a resin injection mechanism and performs resin molding, and the carrier plate includes the resin injection mechanism and A through-hole communicating with each other and communicating with the cavity space is formed.
In the molding method, the carrier plate that supports the plurality of electronic components is clamped by the pair of molds supplied with the mold resin to the resin injection mechanism, and is provided on the carrier plate by the resin injection mechanism. The plurality of electronic components are molded by filling the cavity space with the molding resin through the formed through-holes.
Using the mold and the molding method, a plurality of electronic components are clamped by a mold while supporting a plurality of electronic components on the carrier plate, and a plurality of mold resins are accommodated in the cavity from the cavity space through the through holes by the resin injection mechanism. It is possible to fill a gap between electronic components (semiconductor chips). Therefore, it is possible to reliably expose and mold a plurality of electronic components, and to reliably perform underfill molding with a simple mold configuration.

前記キャリアプレートは、金属プレートに熱剥離シートを介してワークを粘着支持するようにしてもよい。
これにより、樹脂モールド後にワークの熱剥離シートへの粘着面を確実に露出させて成形することができる。
The carrier plate may support the workpiece by adhesion to the metal plate via a heat release sheet.
Thereby, after resin molding, the pressure-sensitive adhesive surface of the workpiece to the heat-peeling sheet can be reliably exposed and molded.

また、電子部品を搭載したワークを当該電子部品が前記キャリアプレートに向けて支持されるようにしてもよい。
これにより、樹脂モールド後にワークの電子部品を支持するキャリアプレートの支持面を確実に露出させて成形することができる。
In addition, a work on which an electronic component is mounted may be supported toward the carrier plate.
Thereby, after the resin molding, the support surface of the carrier plate that supports the electronic component of the workpiece can be reliably exposed and molded.

前記キャリアプレートに形成された貫通孔は、樹脂注入口側が先細り状に形成されていることが好ましい。
これにより、成形品から不要樹脂をゲートブレイクし易くして樹脂突起が形成されるのを防ぐことができる。
The through-hole formed in the carrier plate is preferably formed in a tapered shape on the resin injection port side.
Thereby, it is easy to gate break the unnecessary resin from the molded product, and it is possible to prevent the resin protrusions from being formed.

前記熱剥離シート上には複数の半導体チップが整列して粘着支持されている場合には、大型の成形品においてもチップ間の隙間やアンダーフィル空間部に貫通孔を通じて樹脂の流動量を抑えてモールド樹脂を充填することができる。よって、エアを巻き込みにくく未充填エリアの発生を防ぐことができる。   In the case where a plurality of semiconductor chips are aligned and supported on the heat release sheet, the flow amount of the resin is suppressed through a through hole in a gap between chips or an underfill space even in a large molded product. The mold resin can be filled. Therefore, it is difficult to entrain air and the occurrence of an unfilled area can be prevented.

前記キャリアプレートには、前記熱剥離シートを介して半導体チップがマトリクス配置で粘着支持されており、前記貫通孔は、前記キャリアプレートの中心部とその中心部から対角線上に等間隔で複数箇所に形成されていることが好ましい。
これにより、各貫通孔から充填されるモールド樹脂の流動量を均一にして、ワークの中心部から外側に向かってエアを追い出しながらモールド樹脂を充填することで未充填エリアを防ぐと共に成形品質を向上させることができる。
A semiconductor chip is adhesively supported on the carrier plate in a matrix arrangement via the heat release sheet, and the through holes are formed at a plurality of locations at equal intervals on the diagonal of the center portion of the carrier plate and the center portion. Preferably it is formed.
As a result, the flow rate of the mold resin filled from each through hole is made uniform, and the mold resin is filled while expelling air outward from the center of the workpiece, thereby preventing unfilled areas and improving molding quality. Can be made.

前記貫通孔は、基板実装された半導体チップの間に連絡するように形成されていると、広い充填空間からモールド樹脂をキャビティ内に効率良く充填することができる。   If the through hole is formed so as to communicate between the semiconductor chips mounted on the substrate, the mold resin can be efficiently filled into the cavity from a wide filling space.

モールド装置においては、上述したいずれかのモールド金型を備え、ポット内に供給されたモールド樹脂が、前記貫通孔を通じてキャリアプレートの反対側に設けられたキャビティ内に充填されるようにしてもよい。
これにより、トランスファ成形用のモールド金型を用いて大型のワークに対して半導体チップを確実に露出させて成形すると共に、簡易な金型構成でアンダーフィルモールドが確実に行え、大判サイズの成形品の成形品質を向上させることができる。
In the molding apparatus, any of the above-described mold dies may be provided, and the mold resin supplied into the pot may be filled into a cavity provided on the opposite side of the carrier plate through the through hole. .
As a result, the mold for transfer molding is used to reliably expose the semiconductor chip to large workpieces, and underfill molding can be reliably performed with a simple mold configuration. The molding quality can be improved.

また、上述したいずれかのモールド金型を備え、ワーク上に供給されたモールド樹脂が貫通孔を通じてキャリアプレートの反対側に設けられたキャビティ内に充填されるモールド装置であってもよい。
これにより、圧縮成形用のモールド金型を用いても、大型のワークに対して半導体チップを確実に露出させて成形すると共に、貫通孔を通じて直上のキャビティ内に樹脂圧を作用させて簡易な金型構成でアンダーフィルモールドが確実に行え、大判サイズの成形品の成形品質を向上させることができる。
Further, the molding apparatus may include any of the above-described mold dies, and the mold resin supplied onto the workpiece may be filled into a cavity provided on the opposite side of the carrier plate through the through hole.
As a result, even if a molding die for compression molding is used, the semiconductor chip is securely exposed to a large workpiece and molded, and the resin pressure is applied to the cavity directly above through the through hole, thereby simplifying the mold. Underfill molding can be performed reliably with the mold configuration, and the molding quality of large-sized molded products can be improved.

上述したモールド金型及びモールド方法を用いれば、大型のワークを用いて半導体チップを確実に露出させて成形すると共に、簡易な構成でアンダーフィルモールドが確実に行うことができる。
また、上記モールド金型を備えた樹脂モールド装置においては、大判サイズの成形品の成形品質を向上させることができる。
By using the mold and the molding method described above, a semiconductor chip can be reliably exposed and molded using a large workpiece, and underfill molding can be reliably performed with a simple configuration.
Moreover, in the resin mold apparatus provided with the said mold metal mold | die, the shaping | molding quality of a large sized molded article can be improved.

キャリアプレートの断面図及びワークを粘着支持する工程を示す断面説明図である。It is sectional drawing which shows the process of carrying out the adhesion support of sectional drawing of a carrier plate, and a workpiece | work. キャリアプレートにワークを粘着支持した状態の平面図及び断面図である。である。It is the top view and sectional drawing of the state which adhered and supported the workpiece | work on the carrier plate. It is. トランスファ成形用のモールド金型を用いた樹脂モールド工程を示す断面説明図である。It is sectional explanatory drawing which shows the resin mold process using the mold die for transfer molding. 図3に続く樹脂モールド工程を示す断面説明図である。FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing a resin molding process following FIG. 3. 図4に続く樹脂モールド工程を示す断面説明図である。FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing a resin molding step following FIG. 4. 図5に続く樹脂モールド工程を示す断面説明図である。FIG. 6 is a cross-sectional explanatory view showing a resin molding step following FIG. 5. 図6に続く樹脂モールド工程を示す断面説明図である。FIG. 7 is a cross-sectional explanatory view showing a resin molding step following FIG. 6. 図7に続く樹脂モールド工程を示す断面説明図である。FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view illustrating a resin molding process subsequent to FIG. 7. 図8に続く樹脂モールド工程を示す断面説明図である。FIG. 9 is an explanatory cross-sectional view illustrating a resin molding process following FIG. 8. 樹脂モールドの後工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the post process of a resin mold. 複数ポットを設けた場合のキャリアプレートにワークを粘着支持した状態の平面図及び矢印A−A’断面図である。It is the top view and arrow A-A 'sectional view of the state which adhered and supported the workpiece | work on the carrier plate at the time of providing a several pot. 図11のワークをクランプしたモールド金型の矢印B−B’方向の断面図であるFIG. 12 is a cross-sectional view in the direction of arrow B-B ′ of a mold die clamped with the workpiece of FIG. 11. 図12の他例に係るモールド金型の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a mold according to another example of FIG. 12. 他例に係る圧縮成形用のモールド金型の断面図である。It is sectional drawing of the mold die for compression molding which concerns on another example. キャリアプレートに粘着支持する他例に係るワークの形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the form of the workpiece | work which concerns on the other example which carries out adhesion support to the carrier plate. 図15のワークをモールドするモールド金型の断面説明図である。FIG. 16 is a cross-sectional explanatory view of a mold for molding the workpiece of FIG. 15.

以下、本発明に係るモールド金型及びこれを備えた樹脂モールド装置の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。以下では、ワークとして例えば各辺が300mmや600mm程度の矩形状ワークを用いるものとし、基板に複数の半導体チップ(電子部品)がフリップチップ実装されたワークをそれ以上の大きさの矩形キャリアプレートに粘着支持したものを樹脂モールドするモールド金型及び樹脂モールド装置並びに樹脂モールド方法について説明する。尚、樹脂モールド装置は一例として下型を可動型、上型を固定型として説明するものとする。また、樹脂モールド装置は、型開閉機構を備えているが図示を省略するものとし、以下の説明では、モールド金型の構成を中心に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of a mold according to the present invention and a resin mold apparatus including the mold will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following, for example, a rectangular workpiece having a side of about 300 mm or 600 mm is used as a workpiece, and a workpiece in which a plurality of semiconductor chips (electronic components) are flip-chip mounted on a substrate is placed on a rectangular carrier plate having a larger size. A mold, a resin molding apparatus, and a resin molding method for resin-molding an adhesive-supported one will be described. As an example, the resin mold apparatus will be described assuming that the lower mold is a movable mold and the upper mold is a fixed mold. The resin molding apparatus includes a mold opening / closing mechanism, but the illustration thereof is omitted. In the following description, the configuration of the mold will be mainly described.

先ず、キャリアプレート及びこれに粘着支持されるワークについて図1及び図2を参照して説明する。
図1(A)において、キャリアプレート1は、金属プレート(超鋼合金(WC)、ステンレススチール等)が用いられ、ワークサイズより大きいものが用いられる。本実施例では、図2(A)に示すように、例えば矩形ワークに対応してそれより大きいサイズの矩形プレートが用いられる。
First, the carrier plate and the work supported by the carrier plate will be described with reference to FIGS.
In FIG. 1 (A), the carrier plate 1 is a metal plate (super steel alloy (WC), stainless steel, etc.), and is larger than the workpiece size. In this embodiment, as shown in FIG. 2A, for example, a rectangular plate having a larger size corresponding to a rectangular workpiece is used.

キャリアプレート1には、後述するキャビティ空間と金型側樹脂路とを連絡するために表裏面を連通する貫通孔1aが形成されている。貫通孔1aは、樹脂注入口側が先細り状(スプル形状)に形成されている。貫通孔1aはキャリアプレート1の任意の位置(中心部)に穿設されている(図2(A)参照)。また、キャリアプレート1には、熱剥離シート2が重ねて設けられる。この熱剥離シート2は粘着面を有するシート材であり、所定の加熱により容易に剥離するシート材(粘着シート)である。熱剥離シート2には、半導体チップ3等の露出させたい部材を粘着させて支持する。熱剥離シート2にも、金型側樹脂路と貫通孔1aを介して連絡する貫通孔2aが穿設されている。なお、熱剥離シート2に替えて、紫外線の照射により粘度が低下するものなど、その他の粘着シートを用いてもよい。   The carrier plate 1 is formed with a through hole 1 a that communicates the front and back surfaces to communicate a cavity space, which will be described later, and a mold side resin passage. The through hole 1a is formed in a tapered shape (sprue shape) on the resin injection port side. The through hole 1a is drilled at an arbitrary position (center portion) of the carrier plate 1 (see FIG. 2A). Further, the carrier plate 1 is provided with a heat release sheet 2 stacked thereon. This thermal release sheet 2 is a sheet material having an adhesive surface, and is a sheet material (adhesive sheet) that is easily peeled off by predetermined heating. A member to be exposed such as the semiconductor chip 3 is adhered to and supported on the heat release sheet 2. The heat release sheet 2 is also provided with a through hole 2a communicating with the mold side resin path via the through hole 1a. In addition, it may replace with the heat peeling sheet 2, and you may use other adhesive sheets, such as a thing which a viscosity falls by irradiation of an ultraviolet-ray.

また、ワークWは、基板4に対して複数の半導体チップ3どうしが接続端子(はんだバンプ)を介して3次元的に積層されたもの(chip on chip)がフリップチップ実装されている。図2(A)に示すように、半導体チップ3は、基板4上に縦横に整列配置されている。   The workpiece W is flip-chip mounted on the substrate 4 in which a plurality of semiconductor chips 3 are three-dimensionally stacked via connection terminals (solder bumps) (chip on chip). As shown in FIG. 2A, the semiconductor chips 3 are arranged on the substrate 4 vertically and horizontally.

ここで、キャリアプレート1に対するワークWの粘着支持させる工程について図1及び図2を参照して説明する。
図1(A)に示すように、キャリアプレート1に熱剥離シート2を貼り付ける。このとき、キャリアプレート1の貫通孔1aと熱剥離シート2の貫通孔2aとが連通するように位置合わせして貼り合わせる。
次いで、図1(B)に示すように、熱剥離シート2上に、露出させる半導体チップ3を下にしてワークWを貼り付ける。換言すれば、半導体チップ3を熱剥離シート2に貼り付ける。このとき、キャリアプレート1及び熱剥離シート2の貫通孔1a,2aは、半導体チップ3間の空間部に臨むように貼り合わせる(図1(C)参照)。
Here, the process of adhering and supporting the workpiece W to the carrier plate 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
As shown in FIG. 1A, a heat release sheet 2 is attached to the carrier plate 1. At this time, the through holes 1a of the carrier plate 1 and the through holes 2a of the heat release sheet 2 are aligned and bonded so as to communicate with each other.
Next, as illustrated in FIG. 1B, the workpiece W is bonded onto the heat-peeling sheet 2 with the semiconductor chip 3 to be exposed facing down. In other words, the semiconductor chip 3 is attached to the heat release sheet 2. At this time, the through holes 1a and 2a of the carrier plate 1 and the heat release sheet 2 are bonded so as to face the space between the semiconductor chips 3 (see FIG. 1C).

ワークWをキャリアプレート1にセットした状態の平面図及び断面図を図2(A)(B)に示す。キャリアプレート1及び熱剥離シート2の貫通孔1a,2aは、基板4の中心部に配置され、その周囲に半導体チップ3が4ブロックに分かれて整列配置されている。図2(A)で破線L1は基板4の外形線、L2はキャビティ外形線、L3は熱剥離シート2の外形線、L4はキャリアプレート1の外形線である。
モールド樹脂が注入されるゲート孔となる貫通孔1a,2aは、半導体チップ3の配置エリア(位置)に設けられていない。このように設けられたゲート孔から注入されたモールド樹脂は半導体チップ3間の空間部を利用して充填されるようになっている。なお、図1及び図2に示す工程は、樹脂モールド装置内で行ってもよいし装置外で行ってもよい。
2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view in a state where the workpiece W is set on the carrier plate 1. The carrier plate 1 and the through holes 1a and 2a of the heat release sheet 2 are arranged at the center of the substrate 4, and the semiconductor chip 3 is divided into four blocks and arranged around the periphery. 2A, the broken line L1 is the outline of the substrate 4, L2 is the cavity outline, L3 is the outline of the heat release sheet 2, and L4 is the outline of the carrier plate 1.
The through holes 1 a and 2 a serving as gate holes into which the mold resin is injected are not provided in the arrangement area (position) of the semiconductor chip 3. The mold resin injected from the gate holes provided in this way is filled using the space between the semiconductor chips 3. The steps shown in FIGS. 1 and 2 may be performed inside the resin molding apparatus or outside the apparatus.

次に、モールド金型の一例について図3を参照して説明する。尚、上型及び下型はインサートの構成を中心に説明するものとし、上型及び下型チェイスブロックや、モールド金型を型閉じするのに先立って金型空間を閉止する上型及び下型チャンバーブロックは省略するものとする。また、樹脂モールド装置は、上記モールド金型を搭載し、四隅に設けたポストに案内されてプラテンを昇降させる公知の型開閉機構を備えている。   Next, an example of a mold will be described with reference to FIG. The upper mold and the lower mold are described mainly with respect to the structure of the insert, and the upper mold and the lower mold chase block, and the upper mold and the lower mold that close the mold space before closing the mold mold. The chamber block is omitted. Moreover, the resin mold apparatus is equipped with a known mold opening / closing mechanism that mounts the mold mold and guides the platen up and down guided by posts provided at four corners.

上型5は、上型ブロック5aに上型キャビティ駒5bが固定されている。上型キャビティ駒5bの周囲には上型可動クランパ5cがコイルばね5dに吊り下げ支持されている。上型キャビティ駒5bの外周面と上型可動クランパ5cの内周面との間には、シール材5eが設けられている。上型キャビティ駒5bの下面が上型キャビティ底部を形成し、上型可動クランパ5cの内周面が上型キャビティ側部を形成している。上型可動クランパ5cには、エア吸引路5fが形成されている。上型キャビティ5gを含む上型クランプ面には、エア吸引路5fよりエア吸引されてフィルムFが吸着保持されている。フィルムFは、耐熱性を有するもので、金型面より容易に剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するもの、例えば、PTFE、ETFE、PET、FEPフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等を主成分とした単層膜又は複層膜が好適に用いられる。フィルムFは連続する長尺状のフィルムであっても、所定サイズに切断された枚葉フィルムであってもいずれでもよい(以下の説明において同様)。   In the upper mold 5, the upper mold cavity piece 5b is fixed to the upper mold block 5a. An upper mold movable clamper 5c is suspended and supported by a coil spring 5d around the upper mold cavity piece 5b. A seal material 5e is provided between the outer peripheral surface of the upper mold cavity piece 5b and the inner peripheral surface of the upper mold movable clamper 5c. The lower surface of the upper mold cavity piece 5b forms the upper mold cavity bottom, and the inner peripheral surface of the upper mold movable clamper 5c forms the upper mold cavity side. An air suction path 5f is formed in the upper mold movable clamper 5c. The upper mold clamping surface including the upper mold cavity 5g is sucked and held by the air from the air suction path 5f and is sucked and held. The film F has heat resistance and is easily peeled off from the mold surface and has flexibility and extensibility, such as PTFE, ETFE, PET, FEP film, fluorine-impregnated glass cloth, polypropylene. A single-layer film or a multi-layer film composed mainly of a film, polyvinylidine chloride or the like is preferably used. The film F may be either a continuous long film or a sheet film cut into a predetermined size (the same applies in the following description).

下型6は、ワークWが載置される下型ブロック6aを備えている。下型ブロック6aには、モールド樹脂Rの樹脂注入機構が設けられている。本実施例では、ポット6bと、ポット6b内に昇降可能に設けられたプランジャ6cとが下型ブロック6aに設けられ、これらにより樹脂注入機構を構成している。なお、一例として、プランジャ6cは、公知のトランスファ機構により昇降駆動することができる。ポット6bとプランジャ6cの隙間はシール材6eによりシールされている。ポット6bには、樹脂供給装置7(例えばシリンジに連通するノズル、ローダー等)によって、モールド樹脂R(液状樹脂、粒状樹脂、粉状樹脂、固形樹脂等)が供給される。   The lower mold 6 includes a lower mold block 6a on which the workpiece W is placed. The lower mold block 6a is provided with a resin injection mechanism for the mold resin R. In this embodiment, a pot 6b and a plunger 6c provided in the pot 6b so as to be movable up and down are provided in the lower mold block 6a, and these constitute a resin injection mechanism. As an example, the plunger 6c can be driven up and down by a known transfer mechanism. The gap between the pot 6b and the plunger 6c is sealed with a sealing material 6e. Mold resin R (liquid resin, granular resin, powdered resin, solid resin, etc.) is supplied to the pot 6b by a resin supply device 7 (for example, a nozzle, a loader, etc. communicating with a syringe).

次に、ワークWをキャリアプレート1と共にモールド金型に供給して樹脂モールドする工程を図3乃至図10を参照して説明する。
図3において、型開きしたモールド金型の下型6のポット6bに樹脂供給装置7によりモールド樹脂Rを供給する。尚、フィルムFは、上型5の上型キャビティ5gを含む上型クランプ面に吸着保持されているものとする。
Next, the process of supplying the workpiece W together with the carrier plate 1 to the mold and resin molding will be described with reference to FIGS.
In FIG. 3, the mold resin R is supplied by the resin supply device 7 to the pot 6 b of the lower mold 6 of the mold mold opened. It is assumed that the film F is sucked and held on the upper mold clamping surface including the upper mold cavity 5g of the upper mold 5.

次いで、図4に示すように、下型6に、キャリアプレート1に熱剥離シート2を介して粘着保持されたワークWが図示しないローダー、ロボットハンド等により搬入される。キャリアプレート1は、貫通孔1a(2a)がポット6bの上端開口(金型側樹脂路)と位置合わせして下型ブロック6a上に載置される。尚、キャリアプレート1は、下型ブロック6a上に吸着保持されるようになっていてもよい。これによれば、プランジャ6cによる圧力でキャリアプレート1の浮き上がりや樹脂漏れを防止することができる。   Next, as shown in FIG. 4, the work W adhered and held on the carrier plate 1 via the heat release sheet 2 is carried into the lower mold 6 by a loader, a robot hand, or the like (not shown). The carrier plate 1 is placed on the lower die block 6a with the through hole 1a (2a) aligned with the upper end opening (die side resin path) of the pot 6b. The carrier plate 1 may be held by suction on the lower mold block 6a. According to this, it is possible to prevent the carrier plate 1 from being lifted and the resin leakage by the pressure of the plunger 6c.

次いで、図5に示すように、モールド金型を型閉じする。可動型である下型6を上動させると、先ずキャリアプレート1及び熱剥離シート2が外周縁部で上型可動クランパ5cと下型ブロック6aとでクランプされる。尚、これに先立って上型及び下型チャンバーブロックが閉じて閉鎖された金型空間内に減圧空間が形成されるようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 5, the mold is closed. When the movable lower mold 6 is moved upward, the carrier plate 1 and the heat release sheet 2 are first clamped by the upper movable clamper 5c and the lower mold block 6a at the outer peripheral edge. Prior to this, a reduced pressure space may be formed in a mold space in which the upper mold chamber and the lower mold chamber block are closed and closed.

次いで、図6に示すように、型閉じ動作が更に進行すると、上型可動クランパ5cのコイルばね5dが押し縮められて、上型キャビティ5gの容積が縮小され、上型キャビティ駒5bがフィルムFを介してワークW(基板4)に押し当てられてワークWがクランプされる。これにより、上型キャビティ5gの内部において基板4とキャリアプレート1との間にキャビティ空間が構成される。また、ワークWの裏面(半導体チップ3の搭載されていない面)がフィルムFで覆われ保護されることで、この面を確実に露出させることができる。また、ワークWとキャリアプレート1が重なった状態でクランプされることで、キャリアプレート1を下型ブロック6aに押し付けることができ、樹脂漏れが防止される。   Next, as shown in FIG. 6, when the mold closing operation further proceeds, the coil spring 5d of the upper mold movable clamper 5c is compressed, the volume of the upper mold cavity 5g is reduced, and the upper mold cavity piece 5b is moved to the film F. The workpiece W is clamped by being pressed against the workpiece W (substrate 4). Thereby, a cavity space is formed between the substrate 4 and the carrier plate 1 in the upper mold cavity 5g. Further, the back surface of the workpiece W (the surface on which the semiconductor chip 3 is not mounted) is covered and protected by the film F, so that this surface can be reliably exposed. Further, since the workpiece W and the carrier plate 1 are clamped in an overlapping state, the carrier plate 1 can be pressed against the lower mold block 6a, and resin leakage is prevented.

次いで、図7に示すように、プランジャ6cを上昇させて、ポット6b内で溶融したモールド樹脂Rを貫通孔1a,2a(ゲート孔)を通じてキャリアプレート1の反対側に形成された上型キャビティ5g内に充填する(アンダーフィルモールド)。換言すれば、樹脂注入機構とキャビティ空間とを連絡する互いに連通する貫通孔1a,2a(ゲート孔)を介してモールド樹脂Rが充填される。この場合、細い貫通孔1a,2a(ゲート孔)を介してモールド樹脂Rを充填するため、拡縮する経路を通過させてモールド樹脂Rが供給されることになり、混錬された均質なモールド樹脂Rを供給することができる。また、モールド樹脂Rの充填経路のための面積を最小限に抑えて、モールド金型内における成形面積を広めることができ、効率的な成形を行うことができる。更に、貫通孔1a,2a(ゲート孔)の位置を後述するダイシング用の切断刃(ブレード)による切断位置と重ねることで、貫通孔1a,2aの跡を残さないように成形することもできる。   Next, as shown in FIG. 7, the plunger 6c is raised, and the mold resin R melted in the pot 6b is formed on the opposite side of the carrier plate 1 through the through holes 1a and 2a (gate holes). Fill inside (underfill mold). In other words, the mold resin R is filled through the through holes 1a and 2a (gate holes) that communicate with each other and connect the resin injection mechanism and the cavity space. In this case, since the mold resin R is filled through the thin through holes 1a and 2a (gate holes), the mold resin R is supplied through the expansion / contraction path. R can be supplied. In addition, the area for the filling path of the mold resin R can be minimized, the molding area in the mold can be increased, and efficient molding can be performed. Further, the positions of the through holes 1a and 2a (gate holes) can be overlapped with a cutting position by a dicing cutting blade (blade), which will be described later, so that the traces of the through holes 1a and 2a are not left.

モールド樹脂Rは、ワークW(基板4)の中心部から周辺部に向かって充填され、加熱硬化される。具体的には、隣接した半導体チップ3の間に樹脂が充填されることで、半導体チップ3の側面が樹脂封止されることになる。この際に、バンプ接続されたチップ間またはチップと基板との間に樹脂が充填されることにより、アンダーフィルモールドすることもできる。また、モールド金型の上型キャビティ5gにおいて中心部からモールド樹脂Rを注入して充填することで、モールド樹脂Rの流動距離を短縮(半減)することができ、成形品質を向上することができる。   The mold resin R is filled from the center portion of the workpiece W (substrate 4) toward the peripheral portion, and is cured by heating. Specifically, the resin is filled between the adjacent semiconductor chips 3 so that the side surfaces of the semiconductor chip 3 are sealed with resin. At this time, underfill molding can also be performed by filling a resin between the bump-connected chips or between the chip and the substrate. Further, by filling and filling the mold resin R from the center in the mold cavity 5g of the mold, the flow distance of the mold resin R can be shortened (halved), and the molding quality can be improved. .

樹脂モールドが完了すると、図8に示すようにモールド金型を型開きする。下型6を下動させると、フィルムFと成形品8が剥離する。またフィルムFは、図示しないフィルム供給装置によりテンションを付与するか、上型のフィルム吸着孔よりエアを噴出させるか、これらを併用することにより上型クランプ面より剥離される。   When the resin molding is completed, the mold is opened as shown in FIG. When the lower mold 6 is moved downward, the film F and the molded product 8 are peeled off. Further, the film F is peeled off from the upper mold clamping surface by applying a tension by a film supply device (not shown), or ejecting air from an upper mold film suction hole, or using them together.

また、図9に示すように、成形品8をキャリアプレート1と共に下型6から図示しないアンローダー、ロボットハンド等により取り出す。成形品8の下型6からの離型は、プランジャ6cをポット6bから押し上げてもよいし、図示しないエジェクタピンを下型ブロック6aから突き出させてキャリアプレート1を押し上げてもよく、これらを併用してもよい。   Further, as shown in FIG. 9, the molded product 8 is taken out from the lower mold 6 together with the carrier plate 1 by an unloader, robot hand or the like (not shown). For releasing from the lower mold 6 of the molded product 8, the plunger 6c may be pushed up from the pot 6b, or an ejector pin (not shown) may be pushed out from the lower mold block 6a to push up the carrier plate 1, which is used in combination. May be.

図10(A)において、キャリアプレート1から成形品8を分離する。成形品8は、キャリアプレート1と熱剥離シート2を介して粘着支持されているため、例えばキャリアプレート1を所定の加熱状態とする(例えば所定温度に加熱する)だけで、粘着力が低下して成形品8を熱剥離シート2から剥離させることができる。また、熱剥離シート2もキャリアプレート1から容易に剥離させることができる。尚、キャリアプレート1から成形品8及び熱剥離シート2を分離しても、ゲート孔である貫通孔1aには、ゲート樹脂8a(不要樹脂)が残存している。   In FIG. 10A, the molded product 8 is separated from the carrier plate 1. Since the molded product 8 is adhesively supported via the carrier plate 1 and the heat release sheet 2, for example, the adhesive force is lowered only by setting the carrier plate 1 to a predetermined heating state (for example, heating to a predetermined temperature). Thus, the molded product 8 can be peeled from the heat release sheet 2. Further, the heat release sheet 2 can be easily peeled off from the carrier plate 1. Even if the molded product 8 and the heat release sheet 2 are separated from the carrier plate 1, the gate resin 8a (unnecessary resin) remains in the through hole 1a which is a gate hole.

図10(B)に示すように、成形品8を1個のパッケージの領域(例えば半導体チップ3)毎に個片に分離する。半導体チップ3は、n行m列にマトリクス配置され、しかも半導体チップ3を露出させて成形される。次いで、任意に配線構造(バンプや再配線層)を成形したうえで図示しないダイシング装置によりダイシングして個片化することができる。   As shown in FIG. 10B, the molded product 8 is separated into individual pieces for each package region (for example, the semiconductor chip 3). The semiconductor chips 3 are arranged in a matrix of n rows and m columns, and are formed by exposing the semiconductor chips 3. Next, after arbitrarily forming a wiring structure (bump or rewiring layer), it can be diced into pieces by a dicing apparatus (not shown).

尚、図10(C)に示すように、成形品8から基板4を剥離して露出した半導体チップ3の接続端子に接続する再配線層3aを形成し、はんだボール3bを接続した後で、ダイシング装置によりダイシングして個片化するようにしてもよい。   In addition, as shown in FIG. 10C, after forming the rewiring layer 3a to be connected to the connection terminals of the semiconductor chip 3 exposed by peeling the substrate 4 from the molded product 8, and connecting the solder balls 3b, Dicing may be performed by dicing with a dicing apparatus.

次いで、図10(D)に示すように、キャリアプレート1の貫通孔1aに付着しているゲート樹脂8a(不要樹脂)を除去することで、キャリアプレート1のクリーニングを行って、次のワークWのモールド工程に再利用するようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 10D, the carrier plate 1 is cleaned by removing the gate resin 8a (unnecessary resin) adhering to the through hole 1a of the carrier plate 1, and the next workpiece W is removed. It may be reused in the molding process.

上記モールド金型を用いれば、キャリアプレート1にワークWを粘着支持したままモールド金型によりクランプしてモールド樹脂Rを金型側樹脂路から貫通孔1a,2aを通じて半導体チップ3の隙間に充填することができる。よって、半導体チップ3を確実に露出させて成形すると共に、簡易な金型構成でアンダーフィルモールドを確実に行うことができる。
また、トランスファ成形を用いて大型のワークWに対して半導体チップを確実に露出させて成形すると共に、簡易な構成でアンダーフィルモールドが確実に行え、大判サイズの成形品8の成形品質を向上させることができる。
If the mold is used, the work W is adhered and supported on the carrier plate 1 and clamped by the mold, and the mold resin R is filled into the gap between the semiconductor chips 3 from the mold side resin path through the through holes 1a and 2a. be able to. Therefore, the semiconductor chip 3 can be reliably exposed and molded, and underfill molding can be reliably performed with a simple mold configuration.
In addition, the semiconductor chip is surely exposed and molded with respect to a large workpiece W by using transfer molding, and underfill molding can be reliably performed with a simple configuration, and the molding quality of the large-sized molded product 8 is improved. be able to.

次にモールド金型の他例について図11及び図12を参照して説明する。
上述した実施形態では、モールド樹脂Rの樹脂注入機構として、単一のポットから単一のゲート孔を通じて上型キャビティにモールド樹脂を充填していたが、ポット及びゲート孔は複数設けられていてもよい。尚、モールド金型の構成は図3と同様である。
Next, another example of the mold will be described with reference to FIGS.
In the embodiment described above, as the resin injection mechanism of the mold resin R, the mold resin is filled into the upper mold cavity from a single pot through a single gate hole, but a plurality of pots and gate holes may be provided. Good. The configuration of the mold is the same as that shown in FIG.

図11(A)(B)は、キャリアプレート1及び熱剥離シート2に複数のゲート孔(貫通孔1a,2a)が設けられた場合の平面図及び矢印A−A’断面図である。キャリアプレート1には、熱剥離シート2を介して半導体チップ3がマトリクス配置で粘着支持されているのは図2と同様である。しかしながら、図11(A)に示すように、貫通孔は、キャリアプレート1の中心部の貫通孔1a1,2a1のみならず対角線上にも貫通孔1a2,2a2が複数箇所(4か所)に形成されている。また、図11(B)及び図12に示すように、キャリアプレート1の下型ブロック6a側には、金型側樹脂路(ポット6b)に連絡する樹脂路1bが彫り込まれて形成され、樹脂路1bには各貫通孔1a1,2a1及び貫通孔1a2,2a2と連絡している。なお、樹脂路1bは下型ブロック6a側に設けられてもよい。また、樹脂路1bを設けずに、貫通孔1a2毎にポット6bとプランジャ6cを含む樹脂注入機構を設けることもできる。   FIGS. 11A and 11B are a plan view and a cross-sectional view taken along arrow A-A ′ when a plurality of gate holes (through holes 1 a and 2 a) are provided in the carrier plate 1 and the heat release sheet 2. Similar to FIG. 2, the semiconductor chip 3 is adhesively supported on the carrier plate 1 in a matrix arrangement via the heat release sheet 2. However, as shown in FIG. 11 (A), the through-holes are formed not only in the through-holes 1a1 and 2a1 in the center of the carrier plate 1 but also in a plurality of locations (four locations) on the diagonal line. Has been. Further, as shown in FIGS. 11 (B) and 12, a resin path 1b communicating with the mold side resin path (pot 6b) is formed by engraving on the lower mold block 6a side of the carrier plate 1 to form a resin. The passage 1b communicates with the through holes 1a1, 2a1 and the through holes 1a2, 2a2. The resin path 1b may be provided on the lower mold block 6a side. Further, a resin injection mechanism including a pot 6b and a plunger 6c can be provided for each through hole 1a2 without providing the resin passage 1b.

図11(A)に示すように、ワークW(基板4)の中心部の貫通孔1a1から四隅方向に存在する半導体チップ3までのモールド樹脂Rの流動距離はキャビティ内において最もが長くなり、充填されるタイミングが相違し易くなる。つまり、矩形のキャビティにおける四隅方向に向けて流れるモールド樹脂Rの流動距離が最大となり、矩形のキャビティにおける中心部の貫通孔1a1からキャビティの各辺の中央位置に向けて流れるモールド樹脂Rの流動距離が最小となる。よって、中心部の貫通孔1a1に対して四隅方向に前記モールド樹脂を注入する貫通孔1a2,2a2を設けることもできる。この場合、任意の充填時点において、貫通孔1a1から半径Rの同心円で描かれるモールド樹脂の充填領域の他に、その周囲の貫通孔1a2による同心円で描かれるモールド樹脂の充填領域が設けられることになる。例えば、矩形のワークW(矩形基板4)の対角線上の2カ所(合計4か所)において、貫通孔1a2から半径r(R>r)の位置に貫通孔1a2,2a2を設けることもできる。これにより、例えばワークW上で樹脂の流動量を抑えて効率良くかつエアを巻き込むことなく充填することができる。   As shown in FIG. 11A, the flow distance of the mold resin R from the through hole 1a1 at the center of the workpiece W (substrate 4) to the semiconductor chip 3 existing in the four corner directions is the longest in the cavity, The timing at which they are performed is likely to be different. That is, the flow distance of the mold resin R flowing toward the four corners in the rectangular cavity becomes the maximum, and the flow distance of the mold resin R flowing from the central through-hole 1a1 to the center of each side of the cavity in the rectangular cavity. Is minimized. Therefore, the through holes 1a2 and 2a2 for injecting the molding resin in the four corner directions with respect to the central through hole 1a1 can be provided. In this case, in addition to the mold resin filling region drawn by a concentric circle having a radius R from the through hole 1a1 at an arbitrary filling time, a mold resin filling region drawn by a concentric circle by the surrounding through hole 1a2 is provided. Become. For example, the through holes 1a2 and 2a2 can be provided at positions of a radius r (R> r) from the through hole 1a2 at two diagonal positions (total of four positions) of the rectangular workpiece W (rectangular substrate 4). Thereby, for example, it is possible to efficiently fill the work W without entraining air by suppressing the flow amount of the resin.

次に、図13にモールド金型の他例を示す。上述した実施例は、トランスファ機構により駆動されるプランジャ6cとポット6bとを含む注入機構を設ける場合について説明したが、圧縮成形用の金型と同様の構成を用いて金型の内部構造で樹脂溜め部からモールド樹脂を注入する注入機構を設けるようにしてもよい。尚、上型5の構成は図3と同様であり、キャリアプレート1は図11(A)と同様のレイアウトで複数ゲート孔を有するものが用いられる。よって、以下では下型9の構成を中心に説明する。   Next, FIG. 13 shows another example of the mold. In the above-described embodiment, the case where the injection mechanism including the plunger 6c driven by the transfer mechanism and the pot 6b is provided has been described. However, the resin has the internal structure of the mold using the same configuration as the compression mold. You may make it provide the injection | pouring mechanism which inject | pours mold resin from a reservoir part. The structure of the upper die 5 is the same as that shown in FIG. 3, and the carrier plate 1 having a plurality of gate holes with the same layout as that shown in FIG. 11A is used. Therefore, below, it demonstrates centering around the structure of the lower mold | type 9. FIG.

下型ブロック9aには、樹脂加圧ブロック9bが複数箇所に固定されている。また下型ブロック9aには、樹脂加圧ブロック9bを挿通可能な貫通孔が形成されたクランパ9cがコイルばね9dによりフローティング支持されている。これにより、樹脂加圧ブロック9bとクランパ9cとによって樹脂溜め部となる下型ポット部9gが構成される。この下型ポット部9gは、型締めによりコイルばね9dを押し縮めて深さを変更可能となっている。以上のような構成により、モールド金型の上型キャビティ5gにおいて中心部からモールド樹脂Rを注入する樹脂注入機構が構成される。
また、同図に示すように、複数の下型ポット部9gを設ける構造とすることが好ましい。この場合、例えば下型ポット部9gを1個だけ設ける構造と比較して、1個の下型ポット部9gに供給するモールド樹脂Rの供給量を少なくすることができる。これによれば、一体的に構成された大面積の下型ポット部9gを設ける場合と比較して、モールド樹脂Rの加圧によるキャリアプレート1における変形を防止でき、また、下型ポット部9gの深さを抑制してフィルムFの破れを防止することもできる。
Resin pressurizing blocks 9b are fixed to the lower mold block 9a at a plurality of locations. Further, a clamper 9c having a through-hole through which the resin pressurizing block 9b can be inserted is floatingly supported by the lower mold block 9a by a coil spring 9d. Thus, the resin press block 9b and the clamper 9c constitute a lower pot portion 9g serving as a resin reservoir. The depth of the lower mold pot portion 9g can be changed by pressing and contracting the coil spring 9d by clamping. With the above configuration, a resin injection mechanism for injecting the mold resin R from the center in the upper mold cavity 5g of the mold is configured.
Moreover, as shown in the figure, it is preferable to have a structure in which a plurality of lower mold pot portions 9g are provided. In this case, for example, compared to a structure in which only one lower mold pot portion 9g is provided, the amount of mold resin R supplied to one lower mold pot portion 9g can be reduced. According to this, it is possible to prevent the carrier plate 1 from being deformed due to the pressurization of the mold resin R as compared with the case where the integrally formed lower mold pot portion 9g is provided, and the lower mold pot portion 9g. It is also possible to prevent the film F from being broken by suppressing the depth of the film.

下型ポット部9gは、キャリアプレート1に形成されたゲート孔(貫通孔1a,2a)に対応して形成されている。下型ポット部9gの容積は、中心部とそれ以外とで、樹脂容量が異なっていてもよい。
また、下型ポット部9gを含む下型クランプ面には樹脂漏れの防止を目的としてフィルムFが吸着保持されているのが好ましい。
The lower mold pot portion 9g is formed corresponding to the gate holes (through holes 1a, 2a) formed in the carrier plate 1. The volume of the lower mold pot portion 9g may be different in resin capacity between the center portion and the other portions.
Further, it is preferable that the film F is sucked and held on the lower mold clamping surface including the lower mold pot portion 9g for the purpose of preventing resin leakage.

モールド金型が型開きした状態で、フィルムFに覆われた下型ポット部9gにモールド樹脂R(液状樹脂、顆粒樹脂、粉状樹脂、固形樹脂等)を供給し、ワークWが熱剥離シート2を介して粘着支持したキャリアプレート1を下型9に搬入する。キャリアプレート1は、貫通孔1aが、下型ポット部9g(金型側樹脂路)と連絡するように位置合わせして下型クランプ面に載置される。尚、上型5のクランプ面には、フィルムFが吸着保持されている。   With the mold open, mold resin R (liquid resin, granule resin, powder resin, solid resin, etc.) is supplied to the lower mold pot portion 9g covered with the film F, and the workpiece W is a heat release sheet. The carrier plate 1 adhered and supported via 2 is carried into the lower mold 9. The carrier plate 1 is placed on the lower mold clamping surface so that the through-hole 1a is in contact with the lower mold pot portion 9g (mold side resin path). The film F is held by suction on the clamp surface of the upper mold 5.

モールド金型を型閉じすると、先ずキャリアプレート1及び熱剥離シート2が上型可動クランパ5cとクランパ9cとでクランプされる。尚、これに先立って上型及び下型チャンバーブロックが閉じて閉鎖された金型空間内に減圧空間が形成されるようにしてもよい。   When the mold is closed, first, the carrier plate 1 and the heat release sheet 2 are clamped by the upper mold movable clamper 5c and the clamper 9c. Prior to this, a reduced pressure space may be formed in a mold space in which the upper mold chamber and the lower mold chamber block are closed and closed.

次いで、型閉じ動作が更に進行すると、上型可動クランパ5cのコイルばね5dが押し縮められて、上型キャビティ容積が縮小され、上型キャビティ駒5bがフィルムFを介してワークW(基板4)に押し当てられてワークWがクランプされる。また、クランパ9cは、上型可動クランパ5cに押圧されてコイルばね9dが押し縮められることで、樹脂加圧ブロック9bが相対的に上昇する。このため、下型ポット部9g内に供給されたモールド樹脂Rが、ゲート孔(貫通孔1a,2a)を通じてキャリアプレート1の反対側に形成された上型キャビティ5g内に充填される。即ち、このような樹脂注入機構を用いることで金型の型締め動作だけで別途の駆動機構を設けることなく、モールド樹脂Rの充填が可能となる。   Next, when the mold closing operation further proceeds, the coil spring 5d of the upper mold movable clamper 5c is pressed and contracted to reduce the volume of the upper mold cavity, and the upper mold cavity piece 5b is moved to the workpiece W (substrate 4) via the film F. And the workpiece W is clamped. The clamper 9c is pressed by the upper mold movable clamper 5c and the coil spring 9d is pressed and contracted, so that the resin pressurizing block 9b is relatively raised. For this reason, the mold resin R supplied into the lower mold pot portion 9g is filled into the upper mold cavity 5g formed on the opposite side of the carrier plate 1 through the gate holes (through holes 1a, 2a). That is, by using such a resin injection mechanism, it is possible to fill the mold resin R by providing only a mold clamping operation without providing a separate drive mechanism.

このとき、中心の貫通孔1a1だけでなく周囲に設けた貫通孔1a2からもモールド樹脂Rを注入することで、ワークW上で樹脂の流動量を抑えて効率良くかつエアを巻き込むことなく上型キャビティ5g内に充填することができる。このため、例えば高品質なアンダーフィルモールドも可能となる。モールド樹脂Rは、ワークW(基板4)の中心部から周辺部に向かって充填され、加熱硬化される。このとき、キャリアプレート1には貫通孔1a1,1a2以外の樹脂路を経由させないため、不要樹脂を減らすことができたり、樹脂の流動量を低減させたりすることもできる。   At this time, the mold resin R is injected not only from the central through-hole 1a1 but also from the through-holes 1a2 provided in the periphery, so that the amount of resin flow on the workpiece W is suppressed and the upper mold is efficiently wound without entraining air The cavity 5g can be filled. For this reason, for example, high quality underfill molding is also possible. The mold resin R is filled from the center portion of the workpiece W (substrate 4) toward the peripheral portion, and is cured by heating. At this time, since the carrier plate 1 is not routed through the resin passages other than the through holes 1a1 and 1a2, unnecessary resin can be reduced and the flow amount of the resin can be reduced.

これにより、圧縮成形用の金型と同様の構成を樹脂注入機構として用いることができるため、安価な構成により上述した構成例と同様の作用効果を奏することができる。   Thereby, since the structure similar to the metal mold | die for compression molding can be used as a resin injection | pouring mechanism, there can exist an effect similar to the structural example mentioned above with an inexpensive structure.

図14にモールド金型の他例を示す。同図に示すモールド金型は図13に示す圧縮成形用の金型を反転させた構成と同様である。一方、キャリアプレート1等も含めて全体を反転させた構成としたうえで、キャリアプレート1上にモールド樹脂Rを搭載して搬送することで、外段取りでのモールド樹脂Rの供給ができるほか搬送構造を簡素化できる点で異なる。   FIG. 14 shows another example of the mold. The mold shown in the figure has the same configuration as that obtained by inverting the compression mold shown in FIG. On the other hand, the entire structure including the carrier plate 1 and the like is reversed, and the mold resin R is mounted on the carrier plate 1 and transported, so that the mold resin R can be supplied in the external setup and transported. It differs in that the structure can be simplified.

下型ブロック10aには、下型キャビティ駒10bが固定支持されている。下型キャビティ駒10bの周囲には、下型可動クランパ10cがコイルばね10dによりフローティング支持されている。下型キャビティ駒10bの外周面と下型可動クランパ10cとの隙間は、シール材10eによりシールされている。下型キャビティ10gは、キャビティ底部を形成する下型キャビティ駒10bと、キャビティ側部を形成する下型可動クランパ10cにより形成されている。下型可動クランパ10cには、フィルムFを吸着保持するエア吸引路10fが設けられている。また、下型キャビティ10gを含む下型クランプ面にはエア吸引路10fを通じた吸引動作によりフィルムFが吸着保持される。   A lower mold cavity piece 10b is fixedly supported on the lower mold block 10a. A lower mold movable clamper 10c is floatingly supported by a coil spring 10d around the lower mold cavity piece 10b. A gap between the outer peripheral surface of the lower mold cavity piece 10b and the lower mold movable clamper 10c is sealed with a sealing material 10e. The lower mold cavity 10g is formed by a lower mold cavity piece 10b that forms the bottom of the cavity and a lower mold movable clamper 10c that forms the side of the cavity. The lower mold movable clamper 10c is provided with an air suction path 10f that holds the film F by suction. Further, the film F is sucked and held on the lower mold clamping surface including the lower mold cavity 10g by the suction operation through the air suction path 10f.

キャリアプレート1に熱剥離シート2を介してワークWを粘着支持し、ワークWを下向き(半導体チップ3を下向き)にした状態で、キャリアプレート1上に予めモールド樹脂R(液状樹脂、顆粒樹脂、粉状樹脂、固形樹脂、シート樹脂等)を供給する。尚、熱剥離シート2には貫通孔1aに対応する開口孔ではなくスリットが形成されていてもよい。このように、モールド樹脂Rをモールド金型の外で供給することで、金型への直接のモールド樹脂Rの供給が不要となり、型開きした時間を短縮することもできる。   The workpiece W is adhered and supported on the carrier plate 1 via the heat release sheet 2 and the mold resin R (liquid resin, granule resin, Powdered resin, solid resin, sheet resin, etc.). In addition, the thermal peeling sheet 2 may be formed with a slit instead of the opening hole corresponding to the through hole 1a. In this manner, by supplying the mold resin R outside the mold, it is not necessary to supply the mold resin R directly to the mold, and the mold opening time can be shortened.

モールド金型が型開きした状態で、フィルムFに覆われた下型クランプ面に、ワークWが熱剥離シート2を介して粘着支持したキャリアプレート1を搬入する。ここで、キャリアプレート1に予めモールド樹脂Rを供給してモールド金型へ搬入することで搬送構造を簡素化することができる。キャリアプレート1は、半導体チップ3の粘着側を下型キャビティ10g内に向け、貫通孔1aが下型キャビティ10g(金型側樹脂路)と連絡するように位置合わせして下型可動クランパ10cに載置される。尚、上型5のクランプ面には、フィルムFが吸着保持されている。   In a state where the mold is opened, the carrier plate 1 on which the work W is adhesively supported via the heat release sheet 2 is carried into the lower mold clamping surface covered with the film F. Here, the conveyance structure can be simplified by supplying the mold resin R to the carrier plate 1 in advance and carrying it into the mold. The carrier plate 1 is positioned so that the adhesive side of the semiconductor chip 3 faces the lower mold cavity 10g and the through hole 1a communicates with the lower mold cavity 10g (mold side resin path), and is aligned with the lower mold movable clamper 10c. Placed. The film F is held by suction on the clamp surface of the upper mold 5.

モールド金型を型閉じすると、先ずキャリアプレート1が上型可動クランパ5cと下型可動クランパ10cとでクランプされる。尚、これに先立って上型及び下型チャンバーブロックが閉じて閉鎖された金型空間内に減圧空間が形成されるようにしてもよい。   When the mold is closed, the carrier plate 1 is first clamped by the upper mold movable clamper 5c and the lower mold movable clamper 10c. Prior to this, a reduced pressure space may be formed in a mold space in which the upper mold chamber and the lower mold chamber block are closed and closed.

次いで、型閉じ動作が更に進行すると、上型可動クランパ5cのコイルばね5dが押し縮められて、上型キャビティ駒5bが相対的に下降してモールド樹脂Rに押し当てられる。また、下型可動クランパ10cは、上型可動クランパ5cに押圧されて下型キャビティ10gが所定容積となるようにコイルばね10dが押し縮められる。これにより、上型キャビティ駒5bが相対的に下降するため、キャリアプレート1に供給されたモールド樹脂Rはゲート孔(貫通孔1a,2a)を通じてキャリアプレート1の反対側に形成された下型キャビティ10g内に充填される。このように、同図に示す構成では、上型5側に樹脂注入機構が設けられることになる。   Next, when the mold closing operation further proceeds, the coil spring 5d of the upper mold movable clamper 5c is compressed and the upper mold cavity piece 5b is relatively lowered and pressed against the mold resin R. Further, the lower mold movable clamper 10c is pressed by the upper mold movable clamper 5c so that the coil spring 10d is compressed so that the lower mold cavity 10g has a predetermined volume. Accordingly, the upper mold cavity piece 5b is relatively lowered, so that the mold resin R supplied to the carrier plate 1 is formed on the opposite side of the carrier plate 1 through the gate holes (through holes 1a, 2a). 10 g is filled. Thus, in the configuration shown in the figure, the resin injection mechanism is provided on the upper mold 5 side.

尚、上型キャビティ駒5bは、キャリアプレート1をクランプする上型可動クランパ5cと同一高さまで下降することが可能であるが、キャリアプレート1上にゲート樹脂と共にモールド樹脂(不要樹脂)が残存していてもよい。後にキャリアプレート1を成形品より分離した後で、ゲート樹脂と共に除去すれば足りるからである。   The upper mold cavity piece 5b can be lowered to the same height as the upper movable clamper 5c that clamps the carrier plate 1, but the mold resin (unnecessary resin) remains on the carrier plate 1 together with the gate resin. It may be. This is because it is sufficient to remove the carrier plate 1 together with the gate resin after separating the carrier plate 1 from the molded product.

次に、トランスファ成形用のモールド金型を用いた圧縮成形について図15及び図16を参照して説明する。上述したワークWは複数の半導体チップ3が基板4にフリップチップ実装されていたが、基板4を省略することも可能である。尚、キャリアプレート1の構成は図1と同様である。   Next, compression molding using a mold for transfer molding will be described with reference to FIGS. In the workpiece W described above, the plurality of semiconductor chips 3 are flip-chip mounted on the substrate 4, but the substrate 4 may be omitted. The structure of the carrier plate 1 is the same as that shown in FIG.

図15(A)(B)は、キャリアプレート1に対するワークWの粘着支持する工程の説明図である。図15(A)に示すように、キャリアプレート1に熱剥離シート2を粘着させた状態で、ワークWを熱剥離シート2に粘着させる。具体的には、フリップチップ実装可能な半導体チップ3のチップ面を熱剥離シート2に粘着させて端子形成面を上にして粘着支持する。ワークWを熱剥離シート2に粘着支持させた状態を図15(B)に示す。各半導体チップ3は、マトリクス配置であっても或いはマップ配置であってもいずれの形態で粘着支持されていてもよい。   FIGS. 15A and 15B are explanatory views of a process of supporting the workpiece W on the carrier plate 1 by adhesion. As shown in FIG. 15A, the work W is adhered to the thermal release sheet 2 in a state where the thermal release sheet 2 is adhered to the carrier plate 1. Specifically, the chip surface of the semiconductor chip 3 that can be flip-chip mounted is adhered to the heat release sheet 2 and is adhered and supported with the terminal formation surface facing up. FIG. 15B shows a state where the workpiece W is adhesively supported on the heat release sheet 2. Each semiconductor chip 3 may be adhesively supported in any form, whether it is a matrix arrangement or a map arrangement.

図15(B)でワークWを粘着支持したキャリアプレート1をモールド金型に搬入する。モールド金型の構成は図3と同様である。
図16において、型開きしたモールド金型の下型6のポット6bに樹脂供給装置7によりモールド樹脂Rを供給する(図3参照)。尚、フィルムFは、上型5の上型キャビティ5gを含む上型クランプ面に吸着保持されているものとする。
In FIG. 15B, the carrier plate 1 that adheres and supports the workpiece W is carried into a mold. The configuration of the mold is the same as in FIG.
In FIG. 16, the mold resin R is supplied by the resin supply device 7 to the pot 6b of the lower mold 6 of the mold mold opened (see FIG. 3). It is assumed that the film F is sucked and held on the upper mold clamping surface including the upper mold cavity 5g of the upper mold 5.

次いで、下型6に、キャリアプレート1に粘着保持されたワークWが搬入される。キャリアプレート1は、貫通孔1a(2a)がポット6bの上端開口(金型側樹脂路)と位置合わせして下型ブロック6a上に載置される。尚、キャリアプレート1は、下型ブロック6a上に吸着保持されるようになっていてもよい。   Next, the work W adhered and held on the carrier plate 1 is carried into the lower mold 6. The carrier plate 1 is placed on the lower die block 6a with the through hole 1a (2a) aligned with the upper end opening (die side resin path) of the pot 6b. The carrier plate 1 may be held by suction on the lower mold block 6a.

次いで、モールド金型を型閉じする。可動型である下型6を上動させると、先ずキャリアプレート1及び熱剥離シート2が上型可動クランパ5cと下型ブロック6aとでクランプされる。尚、これに先立って上型及び下型チャンバーブロックが閉じて閉鎖された金型空間内に減圧空間が形成されるようにしてもよい。   Next, the mold is closed. When the lower mold 6 which is a movable mold is moved upward, the carrier plate 1 and the heat release sheet 2 are first clamped by the upper mold movable clamper 5c and the lower mold block 6a. Prior to this, a reduced pressure space may be formed in a mold space in which the upper mold chamber and the lower mold chamber block are closed and closed.

次いで、型閉じ動作が更に進行すると、上型可動クランパ5cのコイルばね5dが押し縮められて、上型キャビティ駒5bが相対的に下動して上型キャビティ5gの容積が縮小され、上型キャビティ駒5bがフィルムFを介してワークW(半導体チップ3の端子面)に押し当てられる。   Next, when the mold closing operation further proceeds, the coil spring 5d of the upper mold movable clamper 5c is pressed and contracted, and the upper mold cavity piece 5b is relatively moved downward to reduce the volume of the upper mold cavity 5g. The cavity piece 5b is pressed against the workpiece W (terminal surface of the semiconductor chip 3) through the film F.

次いで、図16に示すように、プランジャ6cを上昇させて、ポット6b内で溶融したモールド樹脂Rを貫通孔1a,2a(ゲート孔)を通じてキャリアプレート1の反対側に形成された上型キャビティ5g内に充填する(アンダーフィルモールド)。モールド樹脂Rは、ワークWの中心部から周辺部に向かって充填され、加熱硬化される。
これにより、成形品は、熱剥離シート2に粘着していた半導体チップ3を露出させることができるうえに、フィルムFに端子形成面が押し当てられているため、接続端子を露出させて成形することができる。すなわち、半導体チップ3の両面を露出しながら側面を封止することができる。このような構成では、例えばTSV構造の半導体チップ3のように両面に端子を設けて再配線層を構成可能な場合や、一面では電気的接続を行いながら他面では受発光を行うような場合などに利用可能であり、薄型化も可能となる。
Next, as shown in FIG. 16, the plunger 6c is raised, and the mold cavity 5g formed on the opposite side of the carrier plate 1 through the through holes 1a and 2a (gate holes) with the mold resin R melted in the pot 6b. Fill inside (underfill mold). The mold resin R is filled from the center part of the work W toward the peripheral part and is heated and cured.
As a result, the molded product can expose the semiconductor chip 3 adhered to the heat-peeling sheet 2, and the terminal F is pressed against the film F, so that the connection terminal is exposed and molded. be able to. That is, the side surfaces can be sealed while exposing both surfaces of the semiconductor chip 3. In such a configuration, for example, when a redistribution layer can be formed by providing terminals on both sides like the semiconductor chip 3 of the TSV structure, or when receiving and emitting light on the other side while making electrical connection on one side It can be used for such as thinning.

上述した各実施形態では。キャリアプレート1及びこれを粘着支持するワークWは矩形の場合を例示したが、これに限らず半導体ウエハのように円形のワークや多角形(六角形や八角形等)のワークであってもよい。また、キャリアプレート1も多角形(六角形や八角形等)とすることができる。
また、基板実装される半導体チップ3は、フリップチップ実装に限らずワイヤボンディング実装されたものであってもよい。この場合、キャリアプレート1に凸部を設けてワイヤボンドされた位置以外(チップ中央位置)を押し付ける構成とすることもできる。
In each embodiment described above. The carrier plate 1 and the workpiece W that adheres and supports the carrier plate 1 are illustrated as being rectangular. However, the carrier plate 1 is not limited to this and may be a circular workpiece or a polygonal workpiece (such as a hexagon or octagon). . The carrier plate 1 can also be a polygon (such as a hexagon or an octagon).
Further, the semiconductor chip 3 to be mounted on the substrate is not limited to flip chip mounting but may be wire bonding mounting. In this case, it is also possible to adopt a configuration in which a convex portion is provided on the carrier plate 1 and a position other than the wire bonded position (chip center position) is pressed.

キャリアプレートで支持する電子部品は上述したような半導体チップ以外の電子部品を用いることもできる。電子部品として、センサやアクチュエータといったMEMS(Micro-Electro Mechanical Systems)チップ、抵抗や容量やインダクタといった受動素子、又は、バンプ等の配線部材などを含んだ構成とすることもできる。また、電子部品としては、電気的な機能を有するもののみならず、電子デバイスとして必要となる放熱板のような部材であってもよい。これらの電子部品を組み合わせたシステム・イン・パッケージ(SiP)構造を構築する場合にも特に有効である。   Electronic components other than the semiconductor chip as described above can be used as the electronic components supported by the carrier plate. The electronic component may include a MEMS (Micro-Electro Mechanical Systems) chip such as a sensor or an actuator, a passive element such as a resistor, a capacitor, or an inductor, or a wiring member such as a bump. Moreover, as an electronic component, not only what has an electrical function but members, such as a heat sink required as an electronic device, may be sufficient. This is particularly effective when constructing a system-in-package (SiP) structure in which these electronic components are combined.

また、キャリアプレート1にワークWを支持する構成として、熱剥離シート2を用いず、キャリアプレート1上に配線層を成形したうえで半導体チップ3を実装し、樹脂モールドする構成とすることもできる。また、キャリアプレート1にワークWを支持するために熱剥離シート2を用いず、ピンなどにより位置決めして半導体チップ3を実装した基板4をキャリアプレート上に搭載する構成としてもよい。この場合、金型でクランプされることで半導体チップ3端面への樹脂漏れが抑制される。   Further, as a configuration for supporting the workpiece W on the carrier plate 1, it is possible to adopt a configuration in which the semiconductor chip 3 is mounted and resin-molded after forming a wiring layer on the carrier plate 1 without using the heat release sheet 2. . Moreover, it is good also as a structure which mounts the board | substrate 4 which mounted the semiconductor chip 3 by positioning with a pin etc., without using the thermal peeling sheet 2 in order to support the workpiece | work W on the carrier plate 1 on a carrier plate. In this case, resin leakage to the end face of the semiconductor chip 3 is suppressed by clamping with a mold.

また、半導体チップ3を粘着する熱剥離シート2において、半導体チップ3が搭載される位置の中央部分をくり抜くように加工された熱剥離シート2を用いることもできる。これにより、半導体チップ3の外周だけを熱剥離シート2に粘着させるような構成としてもよい。この場合、例えば半導体チップ3がイメージセンサのように中央に受光領域を有するときには、受光領域が粘着シート2の粘着剤の付着を防止しながら樹脂フラッシュを防止することができる。   Moreover, in the thermal peeling sheet 2 which adhere | attaches the semiconductor chip 3, the thermal peeling sheet 2 processed so that the center part of the position where the semiconductor chip 3 is mounted may be hollowed out can also be used. Thereby, it is good also as a structure which adheres only the outer periphery of the semiconductor chip 3 to the heat peeling sheet 2. FIG. In this case, for example, when the semiconductor chip 3 has a light receiving region in the center like an image sensor, the light receiving region can prevent resin flashing while preventing adhesion of the adhesive on the adhesive sheet 2.

1 キャリアプレート 1a,2a,1a1,1a2,2a1,2a2 貫通孔 1b 樹脂路 2 熱剥離シート 3 半導体チップ 3a 再配線層 3b はんだボール 4 基板 W ワーク 5 上型 5a 上型ブロック 5b 上型キャビティ駒 5c 上型可動クランパ 5d,9d,10d コイルばね 5e,6d,6e,10e シール材 5f,10f エア吸引路 5g 上型キャビティ 6,9,10 下型 6a 下型ブロック 6b ポット 6c プランジャ 7 樹脂供給装置 R モールド樹脂 F フィルム 8 成形品 8a ゲート樹脂 9a,10a 下型ブロック 9b 樹脂加圧ブロック 9c クランパ 10c 下型可動クランパ 9g 下型ポット部 10b 下型キャビティ駒 10g 下型キャビティ     DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Carrier plate 1a, 2a, 1a1, 1a2, 2a1, 2a2 Through-hole 1b Resin path 2 Thermal release sheet 3 Semiconductor chip 3a Redistribution layer 3b Solder ball 4 Substrate W Work 5 Upper mold 5a Upper mold block 5b Upper mold cavity piece 5c Upper mold movable clamper 5d, 9d, 10d Coil spring 5e, 6d, 6e, 10e Sealing material 5f, 10f Air suction path 5g Upper mold cavity 6, 9, 10 Lower mold 6a Lower mold block 6b Pot 6c Plunger 7 Resin supply device R Mold resin F film 8 Molded product 8a Gate resin 9a, 10a Lower mold block 9b Resin pressure block 9c Clamper 10c Lower mold movable clamper 9g Lower mold pot 10b Lower mold cavity piece 10g Lower mold cavity

Claims (10)

複数の電子部品を支持するキャリアプレートを、樹脂注入機構にモールド樹脂が供給された一対の金型でクランプして樹脂モールドするモールド金型であって、
前記キャリアプレートには、前記樹脂注入機構とキャビティ空間と連絡する互いに連通する貫通孔が形成されていることを特徴とするモールド金型。
A mold for clamping a carrier plate supporting a plurality of electronic components with a pair of molds supplied with mold resin to a resin injection mechanism and resin molding,
The carrier plate is formed with a through hole communicating with the resin injection mechanism and the cavity space and communicating with each other.
前記キャリアプレートは、金属プレートに熱剥離シートを介してワークを粘着支持する請求項1記載のモールド金型。   The mold according to claim 1, wherein the carrier plate adheres and supports a workpiece to a metal plate via a heat release sheet. 電子部品を搭載したワークを当該電子部品が前記キャリアプレートに向けて支持される請求項1又は請求項2記載のモールド金型。   The mold according to claim 1 or 2, wherein a workpiece on which the electronic component is mounted is supported by the electronic component toward the carrier plate. 前記キャリアプレートに形成された貫通孔は、樹脂注入口側が先細り状に形成されている請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のモールド金型。   The mold according to any one of claims 1 to 3, wherein the through hole formed in the carrier plate is formed in a tapered shape on the resin injection port side. 前記熱剥離シート上には複数の半導体チップが整列して粘着支持されている請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のモールド金型。   The mold according to any one of claims 1 to 4, wherein a plurality of semiconductor chips are aligned and supported on the heat release sheet. 前記キャリアプレートには、前記熱剥離シートを介して半導体チップがマトリクス配置で粘着支持されており、前記貫通孔は、前記キャリアプレートの中心部及び対角線上に複数箇所に形成されている請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のモールド金型。   2. The semiconductor chip is adhesively supported on the carrier plate in a matrix arrangement via the thermal release sheet, and the through holes are formed at a plurality of locations on the center and diagonal lines of the carrier plate. The mold according to any one of claims 5 to 5. 前記貫通孔は、基板実装された複数の半導体チップの隙間に連絡している請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載のモールド金型。   The mold according to claim 1, wherein the through hole communicates with a gap between a plurality of semiconductor chips mounted on a substrate. 請求項1乃至請求項7のいずれかのモールド金型を備え、ポット内に供給されたモールド樹脂が、前記貫通孔を通じてキャリアプレートの反対側に設けられたキャビティ内に充填されるモールド装置。   A molding apparatus comprising the mold die according to any one of claims 1 to 7, wherein the mold resin supplied into the pot is filled into a cavity provided on the opposite side of the carrier plate through the through hole. 請求項1乃至請求項7のいずれかのモールド金型を備え、前記ワーク上に供給されたモールド樹脂が貫通孔を通じてキャリアプレートの反対側に設けられたキャビティ内に充填されるモールド装置。   A molding apparatus comprising the mold die according to any one of claims 1 to 7, wherein a mold resin supplied onto the workpiece is filled into a cavity provided on the opposite side of the carrier plate through a through hole. キャリアプレートで支持した複数の電子部品を、一対の金型のうち一方の金型に設けられたキャビティ空間に収容し、他方の金型に設けられた樹脂注入機構からモールド樹脂を注入して前記複数の電子部品をモールドするモールド方法であって、
前記樹脂注入機構に前記モールド樹脂が供給された前記一対の金型で前記複数の電子部品を支持する前記キャリアプレートをクランプし、
前記樹脂注入機構によって前記キャリアプレートに設けられた貫通孔を通じて、前記キャビティ空間に前記モールド樹脂を充填して前記複数の電子部品をモールドすることを特徴とするモールド方法。
A plurality of electronic components supported by the carrier plate are accommodated in a cavity space provided in one of the pair of molds, and a mold resin is injected from a resin injection mechanism provided in the other mold. A molding method for molding a plurality of electronic components,
Clamping the carrier plate supporting the plurality of electronic components with the pair of molds supplied with the mold resin to the resin injection mechanism;
A molding method comprising: molding the plurality of electronic components by filling the cavity space with the mold resin through a through hole provided in the carrier plate by the resin injection mechanism.
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