JP2017028040A - Semiconductor device - Google Patents

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昌孝 出口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having high radiation performance.SOLUTION: A semiconductor device 20 comprises graphite sheets 44a-44d arranged between surfaces of heat spreaders 28a, 28b of semiconductor modules 24, 25 on the side of insulting plates 40a, 40b so as to contact the heat spreaders 28a, 28b and the insulation plates 40a, 40b. Since the graphite sheets 44a-44d have high heat conductivity, heat of the heat spreaders 28a, 28b can be favorably radiated to the insulating plates 40a, 40b. Further, since the graphite sheets 44a-44d have high flexibility, the graphite sheets 44a-44d can be favorably and firmly attached to the heat spreaders 28a, 28b and the insulation plates 40a, 40b. Accordingly, the semiconductor device 20 having high radiation performance can be provided.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device.

従来、この種の半導体装置としては、半導体モジュールと、冷却管と、絶縁材と、を備えるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。半導体モジュールは、内部に半導体素子が配置され、表面に半導体素子の熱を放熱するための放熱板が配置されている。冷却管は、半導体モジュールの放熱板を冷却している。絶縁材は、半導体モジュールの放熱板と冷却管との間に配置されている。この装置では、放熱板と絶縁材との間にグリスを介在させることにより、放熱板と絶縁材との隙間をなくすことができ、伝熱効率の向上を図ることができるとしている。   Conventionally, as this type of semiconductor device, a device including a semiconductor module, a cooling pipe, and an insulating material has been proposed (for example, see Patent Document 1). In the semiconductor module, a semiconductor element is arranged inside, and a heat radiating plate for radiating heat of the semiconductor element is arranged on the surface. The cooling pipe cools the heat sink of the semiconductor module. The insulating material is disposed between the heat sink of the semiconductor module and the cooling pipe. In this apparatus, by interposing grease between the heat radiating plate and the insulating material, it is possible to eliminate a gap between the heat radiating plate and the insulating material, and to improve heat transfer efficiency.

特開２００７−１６５６２０号公報JP 2007-165620 A

しかしながら、上述の半導体装置では、半導体モジュールの作動により放熱板に熱的負荷が繰り返し印加されると、放熱板が膨張・収縮を繰り返し、こうした放熱板の膨張・収縮によりグリスが押し出されて、グリス抜けが生じる場合がある。グリス抜けが生じると、放熱板と絶縁材との間に隙間が生じて、放熱性能が低下してしまう。   However, in the semiconductor device described above, when a thermal load is repeatedly applied to the heat sink due to the operation of the semiconductor module, the heat sink repeatedly expands and contracts, and grease is pushed out by the expansion and contraction of the heat sink. Omission may occur. When the grease is lost, a gap is generated between the heat radiating plate and the insulating material, and the heat radiating performance is deteriorated.

本発明は、放熱性能の高い半導体装置を提供することを主目的とする。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device having high heat dissipation performance.

本発明の半導体装置は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。   The semiconductor device of the present invention employs the following means in order to achieve the main object described above.

本発明の半導体装置は、
半導体素子を内蔵し表面に前記半導体素子を放熱するための放熱板を有するパワーカードと、絶縁板と、冷却器とが、この順に積層されてなる半導体装置であって、
前記放熱板の前記絶縁板側の表面の少なくとも一部と前記絶縁板との間に、前記放熱板および前記絶縁板に接するようにグラファイトシートが配置されてなる、
ことを特徴とする。 The semiconductor device of the present invention is
A power supply card having a semiconductor element and a heat dissipation plate for radiating the semiconductor element on the surface, an insulating plate, and a cooler are stacked in this order.
Between at least a part of the surface on the insulating plate side of the heat radiating plate and the insulating plate, a graphite sheet is disposed so as to be in contact with the heat radiating plate and the insulating plate.
It is characterized by that.

この本発明の半導体装置では、グラファイトシートを、放熱板の絶縁板側の表面の少なくとも一部と絶縁板との間に、放熱板および絶縁板に接するように配置する。グラファイトシートは、熱伝導性が高い。また、グラファイトシートは、柔軟性が高いから、放熱板と絶縁板とに良好に密着できる。したがって、グラファイトシートを、放熱板の絶縁板側の表面の少なくとも一部と絶縁板との間に、放熱板および絶縁板に接するように配置することにより、放熱性能の高い半導体装置を提供することができる。   In the semiconductor device of the present invention, the graphite sheet is disposed between at least a part of the surface of the heat sink on the insulating plate side and the insulating plate so as to be in contact with the heat sink and the insulating plate. The graphite sheet has high thermal conductivity. Moreover, since the graphite sheet has high flexibility, it can adhere well to the heat radiating plate and the insulating plate. Therefore, providing a semiconductor device with high heat dissipation performance by disposing a graphite sheet in contact with the heat sink and the insulating plate between at least a part of the surface of the heat sink on the insulating plate side and the insulating plate. Can do.

本発明の一実施例として半導体装置２０の構成の一例を説明するための説明図である。概略を示す外観図である。It is explanatory drawing for demonstrating an example of a structure of the semiconductor device 20 as one Example of this invention. It is an external view which shows an outline. グラファイトシート４４ａ，４４ｂの形状を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the shape of the graphite sheets 44a and 44b. 変形例の半導体装置１２０の構成の一例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating an example of a structure of the semiconductor device 120 of a modification. 変形例のグラファイトシート１４４ａの形状を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the shape of the graphite sheet 144a of a modification. 変形例の半導体装置２２０の構成の一例を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating an example of a structure of the semiconductor device 220 of a modification. 変形例のグラファイトシート２４４の形状を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the shape of the graphite sheet 244 of a modification.

次に、本発明を実施するための形態を実施例を用いて説明する。   Next, the form for implementing this invention is demonstrated using an Example.

図１は、本発明の一実施例として半導体装置２０の構成の一例を示す説明図である。概略を示す外観図である。半導体装置２０は、図示するように、パワーカード２２と、絶縁板４０ａ，４０ｂと、冷却器４２ａ，４２ｂと、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄと、を備えている。半導体装置２０、図示しない一対の押圧部材により図１における上下方向から荷重をかけられて押圧されている。なお、半導体装置２０が、図１における上下方向に複数積層されて、図示しない一対の押圧部材により上下方向から荷重をかけられて押圧されているものとしてもよい。   FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of the configuration of a semiconductor device 20 as an embodiment of the present invention. It is an external view which shows an outline. As shown in the figure, the semiconductor device 20 includes a power card 22, insulating plates 40a and 40b, coolers 42a and 42b, and graphite sheets 44a to 44d. The semiconductor device 20 is pressed by a pair of pressing members (not shown) with a load applied in the vertical direction in FIG. Note that a plurality of semiconductor devices 20 may be stacked in the vertical direction in FIG. 1 and pressed with a load applied from above and below by a pair of pressing members (not shown).

パワーカード２２は、図示するように、左右方向に並んで配置された半導体モジュール２４，２５を備える。半導体モジュール２４は、半導体素子２６と、ヒートスプレッダ（放熱板）２８ａ、２８ｂと、を備える。半導体モジュール２５は、半導体モジュール２４と同様の構成であるから、その説明を省略する。   As shown in the figure, the power card 22 includes semiconductor modules 24 and 25 arranged side by side in the left-right direction. The semiconductor module 24 includes a semiconductor element 26 and heat spreaders (heat radiating plates) 28a and 28b. Since the semiconductor module 25 has the same configuration as the semiconductor module 24, the description thereof is omitted.

半導体素子２６は、昇圧コンバータ，インバータなどを構成するダイオードやＩＧＢＴなどの周知のパワー素子として構成されている。半導体素子２６は、合成樹脂材料（例えば、エポキシ樹脂など）などにより形成された樹脂部材３０とヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂとによって、パワーカード２２の内部に封止されている。   The semiconductor element 26 is configured as a known power element such as a diode or IGBT that constitutes a boost converter, an inverter, or the like. The semiconductor element 26 is sealed inside the power card 22 by a resin member 30 formed of a synthetic resin material (for example, epoxy resin or the like) and heat spreaders 28a and 28b.

ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂは、熱伝導性の良好な材料（例えば、銅（Ｃｕ）など）により、厚みが３ｍｍ以下、好ましくは、２．５ｍｍ程度となるように形成されている。ヒートスプレッダ２８ａは、半導体素子２６の図１における上面に取り付けられている。ヒートスプレッダ２８ｂは、半導体素子２６の図１における下面に、熱伝導性の良好な材料からなり高さ調整のためのスペーサ３２を介して取り付けられている。ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂは、パワーカード２２の図１における上下面に露出するように配置されており、半導体素子２６の熱をパワーカード２２の上下面側に放熱している。   The heat spreaders 28a and 28b are formed of a material having good thermal conductivity (for example, copper (Cu)) so that the thickness is 3 mm or less, preferably about 2.5 mm. The heat spreader 28a is attached to the upper surface of the semiconductor element 26 in FIG. The heat spreader 28b is attached to the lower surface of the semiconductor element 26 in FIG. 1 through a spacer 32 made of a material having good thermal conductivity and for height adjustment. The heat spreaders 28 a and 28 b are arranged so as to be exposed on the upper and lower surfaces of the power card 22 in FIG. 1, and radiate the heat of the semiconductor element 26 to the upper and lower surfaces of the power card 22.

絶縁板４０ａ，４０ｂは、熱電性の良好な絶縁材料（例えば、セラミックなど）により形成されており、パワーカード２２の図１における上下面側に配置されている。   The insulating plates 40a and 40b are made of an insulating material with good thermoelectricity (for example, ceramic) and are disposed on the upper and lower surface sides of the power card 22 in FIG.

冷却器４２ａ、４２ｂは、熱伝導性の良好な材料により形成され、内部に冷却水が流通している。冷却器４２ａ，４２ｂは、絶縁板４０ａ，４０ｂを介して、パワーカード２２に積層されている。   The coolers 42a and 42b are formed of a material having good thermal conductivity, and cooling water is circulated therein. The coolers 42a and 42b are stacked on the power card 22 via the insulating plates 40a and 40b.

グラファイトシート４４ａ〜４４ｄは、比較的柔軟性が高く、熱伝導率が銅の熱伝導率（４００Ｗ／ｍＫ）と同程度、または、銅の熱伝導率より高いグラファイトにより厚みが４００μｍ程度になるように形成されている。グラファイトシート４４ａ，４４ｂは、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａの絶縁板４０ａ側の表面と絶縁板４０ａとの間に、ヒートスプレッダ２８ａおよび絶縁板４０ａに接するように配置されている。図２は、グラファイトシート４４ａ，４４ｂの形状を説明するための説明図である。図中、ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂに対応する部分を破線で示している。グラファイトシート４４ａ，４４ｂは、図１における上下方向から見た形状が長方形となるよう形成されている。グラファイトシート４４ｃ，４４ｄは、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａの絶縁板４０ｂ側の表面と絶縁板４０ｂとの間に、ヒートスプレッダ２８ｂおよび絶縁板４０ｂに接するように配置されている。グラファイトシート４４ｃ，４４ｄは、グラファイトシート４４ａ，４４ｂと同様に、図１における上下方向から見た形状が長方形となるよう形成されている。半導体装置２０は、上述したように、図１における上下方向から荷重をかけられて押圧されている。グラファイトシート４４ａ〜４４ｄは、比較的柔軟性が高いことから、こうした押圧により、ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂおよび絶縁板４０ａ，４０ｂの表面の細かい凹凸に対応した凹凸が生じて、ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂおよび絶縁板４０ａ，４０ｂと良好に密着する。また、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄは、熱伝導率が比較的高いことから、ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂの熱（半導体素子２６の熱）を絶縁板４０ａ，４０ｂに良好に放熱することができる。したがって、放熱性能の高い半導体装置２０を提供することができる。なお、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄは、ヒートスプレッダと絶縁板との間に配置されていればよいから、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄを、ヒートスプレッダに形成してもよいし、絶縁板４０ａに形成してもよい。   The graphite sheets 44a to 44d are relatively flexible and have a thermal conductivity of approximately the same as the thermal conductivity of copper (400 W / mK), or a thickness of approximately 400 μm due to graphite higher than the thermal conductivity of copper. Is formed. The graphite sheets 44a and 44b are disposed between the surface of the heat spreader 28a of the semiconductor modules 24 and 25 on the insulating plate 40a side and the insulating plate 40a so as to be in contact with the heat spreader 28a and the insulating plate 40a. FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the shapes of the graphite sheets 44a and 44b. In the drawing, portions corresponding to the heat spreaders 28a and 28b are indicated by broken lines. The graphite sheets 44a and 44b are formed so that the shape seen from the vertical direction in FIG. 1 is a rectangle. The graphite sheets 44c and 44d are disposed between the surface of the heat spreader 28a of the semiconductor modules 24 and 25 on the insulating plate 40b side and the insulating plate 40b so as to be in contact with the heat spreader 28b and the insulating plate 40b. Similarly to the graphite sheets 44a and 44b, the graphite sheets 44c and 44d are formed so that the shape seen from the vertical direction in FIG. 1 is a rectangle. As described above, the semiconductor device 20 is pressed with a load applied in the vertical direction in FIG. Since the graphite sheets 44a to 44d have relatively high flexibility, such pressing causes irregularities corresponding to the fine irregularities on the surfaces of the heat spreaders 28a and 28b and the insulating plates 40a and 40b, and the heat spreaders 28a and 28b and the insulating plate. Good contact with 40a and 40b. Moreover, since the graphite sheets 44a to 44d have a relatively high thermal conductivity, the heat of the heat spreaders 28a and 28b (heat of the semiconductor element 26) can be radiated to the insulating plates 40a and 40b satisfactorily. Therefore, the semiconductor device 20 with high heat dissipation performance can be provided. In addition, since the graphite sheets 44a-44d should just be arrange | positioned between the heat spreader and the insulation board, the graphite sheets 44a-44d may be formed in a heat spreader, and may be formed in the insulation board 40a. .

以上説明した実施例の半導体装置２０によれば、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄを、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂの絶縁板４０ａ，４０ｂ側の表面と絶縁板４０ａ，４０ｂとの間に、ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂおよび絶縁板４０ａ，４０ｂに接するように配置することにより、放熱性能の高い半導体装置を提供することができる。   According to the semiconductor device 20 of the embodiment described above, the graphite sheets 44a to 44d are placed between the surfaces of the heat spreaders 28a and 28b of the semiconductor modules 24 and 25 on the insulating plates 40a and 40b side and the insulating plates 40a and 40b. By disposing the heat spreaders 28a and 28b and the insulating plates 40a and 40b in contact with each other, it is possible to provide a semiconductor device with high heat dissipation performance.

実施例の半導体装置２０では、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄを、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂの絶縁板４０ａ，４０ｂ側の表面と絶縁板４０ａ，４０ｂとの間に、ヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂおよび絶縁板４０ａ，４０ｂに接するように配置するものとしたが、半導体モジュール２４と半導体モジュール２５とを電気的に接続してもよい場合には、図３の変形例の半導体装置１２０および図４の変形例のグラファイトシート１４４ａに示すように、１つのグラファイトシート１４４ａを半導体モジュール２４のヒートスプレッダ２８ａと半導体モジュール２５のヒートスプレッダ２８ａとの間に渡すように配置し、１つのグラファイトシート１４４ｂを半導体モジュール２４のヒートスプレッダ２８ｂと半導体モジュール２５のヒートスプレッダ２８ｂとの間に渡すように配置するものとしてもよい。   In the semiconductor device 20 of the embodiment, the graphite sheets 44a to 44d are placed between the heat spreaders 28a, 28b and the insulating plates 40a, 40b between the heat spreaders 28a, 28b of the semiconductor modules 24, 25 on the insulating plates 40a, 40b side. Although the insulating plates 40a and 40b are arranged so as to be in contact with each other, when the semiconductor module 24 and the semiconductor module 25 may be electrically connected, the semiconductor device 120 of the modified example of FIG. As shown in the modified graphite sheet 144 a, one graphite sheet 144 a is disposed so as to pass between the heat spreader 28 a of the semiconductor module 24 and the heat spreader 28 a of the semiconductor module 25, and one graphite sheet 144 b is disposed on the semiconductor module 24. Heat spreader It may alternatively be arranged to pass between the heat spreader 28b of 8b and the semiconductor module 25.

実施例の半導体装置２０では、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄを、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂの絶縁板４０ａ，４０ｂ側の表面と絶縁板４０ａ，４０ｂとの間に設け、放熱用のグリスを用いないものとしたが、図５の変形例の半導体装置２２０に示すように、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂの絶縁板４０ａ，４０ｂ側の表面と絶縁板４０ａ，４０ｂとの間でグラファイトシート４４ａ〜４４ｄが配置されていない部分に放熱用のグリス２４１ａ，２４２ｂを設けるものとしてもよい。   In the semiconductor device 20 of the embodiment, the graphite sheets 44a to 44d are provided between the insulating plates 40a and 40b side surfaces of the heat spreaders 28a and 28b of the semiconductor modules 24 and 25 and the insulating plates 40a and 40b, and heat-dissipating grease is provided. However, as shown in the semiconductor device 220 in the modified example of FIG. 5, the heat spreaders 28a and 28b of the semiconductor modules 24 and 25 have a surface between the insulating plates 40a and 40b and the insulating plates 40a and 40b. The heat-dissipating greases 241a and 242b may be provided in portions where the graphite sheets 44a to 44d are not disposed.

実施例の半導体装置２０では、１つのヒートスプレッダと絶縁板との間に１つのグラファイトシートを配置するものとしたが、図６の変形例のグラファイトシート２４４に例示するように、１つのヒートスプレッドと絶縁板との間に、複数のグラファイトシート２４４を配置するものとしてもよい。   In the semiconductor device 20 of the embodiment, one graphite sheet is arranged between one heat spreader and the insulating plate. However, as illustrated in the graphite sheet 244 of the modified example of FIG. A plurality of graphite sheets 244 may be disposed between the insulating plates.

実施例の半導体装置２０では、グラファイトシート４４ａ，４４ｂを、図１における上下方向から見た長方形となるよう形成するものとしたが、グラファイトシート４４ａ，４４ｂは如何なる形状としてもよく、例えば、図１における上下方向から見て円形や三角形、菱形などになるよう形成するものとしてもよい。   In the semiconductor device 20 of the embodiment, the graphite sheets 44a and 44b are formed so as to have a rectangular shape as viewed from above and below in FIG. 1, but the graphite sheets 44a and 44b may have any shape, for example, FIG. It is good also as what forms circular, a triangle, a rhombus, etc. seeing from the up-down direction in.

実施例の半導体装置２０では、グラファイトシート４４ａ〜４４ｄを、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａ，２８ｂの絶縁板４０ａ，４０ｂ側の表面と絶縁板４０ａとの間に配置するものとしたが、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ａの絶縁板４０ａ側の表面と絶縁板４０ａとの間、および、半導体モジュール２４，２５のヒートスプレッダ２８ｂの絶縁板４０ｂ側の表面と絶縁板４０ｂとの間の一方のみにグラファイトシートを設け、他方にはグラファイトシートを設けないものとしてもよい。   In the semiconductor device 20 of the embodiment, the graphite sheets 44a to 44d are arranged between the insulating plates 40a and 40b side surfaces of the heat spreaders 28a and 28b of the semiconductor modules 24 and 25 and the insulating plate 40a. Only between the surface on the insulating plate 40a side of the heat spreader 28a of the modules 24 and 25 and the insulating plate 40a and between the surface on the insulating plate 40b side of the heat spreader 28b of the semiconductor modules 24 and 25 and the insulating plate 40b. A graphite sheet may be provided, and the other may not be provided with a graphite sheet.

実施例の主要な要素と課題を解決するための手段の欄に記載した発明の主要な要素との対応関係について説明する。実施例では、半導体素子２６が「半導体素子」に相当し、ヒートスプレッダ２８ａが「放熱板」に相当し、パワーカード２２が「パワーカード」に相当し、絶縁板４０ａが「絶縁板」に相当し、冷却器４２ａが「冷却器」に相当し、グラファイトシート４４ａが「グラファイトシート」に相当する。   The correspondence between the main elements of the embodiment and the main elements of the invention described in the column of means for solving the problems will be described. In the embodiment, the semiconductor element 26 corresponds to a “semiconductor element”, the heat spreader 28 a corresponds to a “heat sink”, the power card 22 corresponds to a “power card”, and the insulating plate 40 a corresponds to an “insulating plate”. The cooler 42a corresponds to a “cooler”, and the graphite sheet 44a corresponds to a “graphite sheet”.

なお、実施例の主要な要素と課題を解決するための手段の欄に記載した発明の主要な要素との対応関係は、実施例が課題を解決するための手段の欄に記載した発明を実施するための形態を具体的に説明するための一例であることから、課題を解決するための手段の欄に記載した発明の要素を限定するものではない。即ち、課題を解決するための手段の欄に記載した発明についての解釈はその欄の記載に基づいて行なわれるべきものであり、実施例は課題を解決するための手段の欄に記載した発明の具体的な一例に過ぎないものである。   The correspondence between the main elements of the embodiment and the main elements of the invention described in the column of means for solving the problem is the same as that of the embodiment described in the column of means for solving the problem. Therefore, the elements of the invention described in the column of means for solving the problems are not limited. That is, the interpretation of the invention described in the column of means for solving the problems should be made based on the description of the column, and the examples are those of the invention described in the column of means for solving the problems. It is only a specific example.

以上、本発明を実施するための形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。   As mentioned above, although the form for implementing this invention was demonstrated using the Example, this invention is not limited at all to such an Example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, it is with various forms. Of course, it can be implemented.

本発明は、半導体装置の製造産業などに利用可能である。   The present invention can be used in the semiconductor device manufacturing industry.

２０，１２０，２２０ 半導体装置、２２ パワーカード、２４，２５ 半導体モジュール、２６ 半導体素子、２８ａ，２８ｂ ヒートスプレッダ、３０ 樹脂部材、３２ スペーサ、４０ａ，４０ｂ 絶縁板、４２ａ，４２ｂ 冷却器、４４ａ〜４４ｄ，１４４ａ，１４４ｂ，２４４ グラファイトシート，２４１ａ，２４１ｂ グリス。  20, 120, 220 Semiconductor device, 22 Power card, 24, 25 Semiconductor module, 26 Semiconductor element, 28a, 28b Heat spreader, 30 Resin member, 32 Spacer, 40a, 40b Insulating plate, 42a, 42b Cooler, 44a-44d, 144a, 144b, 244 Graphite sheet, 241a, 241b Grease.

Claims (1)

半導体素子を内蔵し表面に前記半導体素子を放熱するための放熱板を有するパワーカードと、絶縁板と、冷却器とが、この順に積層されてなる半導体装置であって、
前記放熱板の前記絶縁板側の表面の少なくとも一部と前記絶縁板との間に、前記放熱板および前記絶縁板に接するようにグラファイトシートが配置されてなる、
ことを特徴とする半導体装置。 A power supply card having a semiconductor element and a heat dissipation plate for radiating the semiconductor element on the surface, an insulating plate, and a cooler are stacked in this order.
Between at least a part of the surface on the insulating plate side of the heat radiating plate and the insulating plate, a graphite sheet is disposed so as to be in contact with the heat radiating plate and the insulating plate.
A semiconductor device.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018148974A (en) * 2017-03-10 2018-09-27 株式会社三洋物産 Game machine
JP6416996B1 (en) * 2017-07-24 2018-10-31 アサヒ・エンジニアリング株式会社 Sealing type for resin sealing equipment
WO2019049781A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-14 株式会社村田製作所 Circuit block assembly
JP2019102646A (en) * 2017-12-01 2019-06-24 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device
WO2020003774A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Electronic device and method for manufacturing electronic device
JP2020155725A (en) * 2019-03-22 2020-09-24 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device
JP2022111132A (en) * 2016-06-28 2022-07-29 日本ゼオン株式会社 Heat dissipation device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005332918A (en) * 2004-05-19 2005-12-02 Denso Corp Electronic apparatus
JP2006303240A (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Fujikura Ltd Heat dissipating sheet, heat dissipating body, manufacturing method for the sheet, and heat transfer method
JP2007165620A (en) * 2005-12-14 2007-06-28 Denso Corp Semiconductor cooling structure
JP2010219290A (en) * 2009-03-17 2010-09-30 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Thermally conductive composite sheet and method of manufacturing the same
JP2012004358A (en) * 2010-06-17 2012-01-05 Denso Corp Semiconductor module mounting structure
JP2013105882A (en) * 2011-11-14 2013-05-30 Denso Corp Semiconductor module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005332918A (en) * 2004-05-19 2005-12-02 Denso Corp Electronic apparatus
JP2006303240A (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Fujikura Ltd Heat dissipating sheet, heat dissipating body, manufacturing method for the sheet, and heat transfer method
JP2007165620A (en) * 2005-12-14 2007-06-28 Denso Corp Semiconductor cooling structure
JP2010219290A (en) * 2009-03-17 2010-09-30 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Thermally conductive composite sheet and method of manufacturing the same
JP2012004358A (en) * 2010-06-17 2012-01-05 Denso Corp Semiconductor module mounting structure
JP2013105882A (en) * 2011-11-14 2013-05-30 Denso Corp Semiconductor module

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022111132A (en) * 2016-06-28 2022-07-29 日本ゼオン株式会社 Heat dissipation device
JP7327574B2 (en) 2016-06-28 2023-08-16 日本ゼオン株式会社 Heat dissipation device
JP2018148974A (en) * 2017-03-10 2018-09-27 株式会社三洋物産 Game machine
JP6416996B1 (en) * 2017-07-24 2018-10-31 アサヒ・エンジニアリング株式会社 Sealing type for resin sealing equipment
JP2019024032A (en) * 2017-07-24 2019-02-14 アサヒ・エンジニアリング株式会社 Sealing mold for resin sealing device
WO2019049781A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-14 株式会社村田製作所 Circuit block assembly
JPWO2019049781A1 (en) * 2017-09-07 2019-12-19 株式会社村田製作所 Circuit block assembly
CN111033724A (en) * 2017-09-07 2020-04-17 株式会社村田制作所 Circuit block assembly
CN111033724B (en) * 2017-09-07 2023-04-18 株式会社村田制作所 Circuit block assembly
JP2019102646A (en) * 2017-12-01 2019-06-24 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device
WO2020003774A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Electronic device and method for manufacturing electronic device
JP2020155725A (en) * 2019-03-22 2020-09-24 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor device

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