JP2017027974A - Suction plate, device for testing semiconductor device, and method for testing semiconductor device - Google Patents
Suction plate, device for testing semiconductor device, and method for testing semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017027974A JP2017027974A JP2015141728A JP2015141728A JP2017027974A JP 2017027974 A JP2017027974 A JP 2017027974A JP 2015141728 A JP2015141728 A JP 2015141728A JP 2015141728 A JP2015141728 A JP 2015141728A JP 2017027974 A JP2017027974 A JP 2017027974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction plate
- chuck stage
- semiconductor device
- suction
- plate according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は吸着プレート、半導体装置の試験装置および半導体装置の試験方法に関し、特にチャックステージ上に配置され、半導体装置を吸着する吸着プレートに関する。 The present invention relates to a suction plate, a semiconductor device test apparatus, and a semiconductor device test method, and more particularly to a suction plate that is disposed on a chuck stage and sucks a semiconductor device.
半導体ウエハの状態で、被測定物である半導体装置の電気的特性を評価する際、真空吸着等により被測定物の一の面を、チャックステージの表面に接触して固定した後、被測定物の他の面に、電気的な入出力を行うためのコンタクトプローブを接触して行う。そして以前から、コンタクトプローブの多ピン化が実施され、大電流、高電圧印加の要求に応えている。 When evaluating the electrical characteristics of the semiconductor device, which is the object to be measured, in the state of the semiconductor wafer, after fixing one surface of the object to be measured in contact with the surface of the chuck stage by vacuum suction or the like, the object to be measured The other surface is contacted with a contact probe for electrical input / output. In the past, contact probes have been increased in pin count to meet the demands for large current and high voltage application.
このような状況の下、被測定物の評価中に、部分放電現象等に起因して、被測定物に破損や不具合が生じることが知られている。被測定物が半導体ウエハであれば、半導体ウエハに設けた個々の半導体装置は、半導体ウエハの破損、不具合に起因して、その後の工程では使えなくなる。また、被測定物が破壊した場合、破壊に伴い、チャックステージの表面に荒れが生じたり、破損した被測定物の一部がチャックステージの表面に密着したり、埋め込まれることもある。チャックステージ表面の不具合は、その後の評価において、被測定物とチャックステージの密着性を悪化させ、被測定物に傷や欠けを付与する場合もあり、評価の精度や歩留まりに悪影響を与える。そのため、チャックステージの表面を適切に保護することは重要である。 Under such circumstances, it is known that the measurement object is damaged or malfunctioned due to a partial discharge phenomenon or the like during the evaluation of the measurement object. If the object to be measured is a semiconductor wafer, the individual semiconductor devices provided on the semiconductor wafer cannot be used in subsequent processes due to damage or failure of the semiconductor wafer. Further, when the object to be measured is destroyed, the surface of the chuck stage may be roughened due to the destruction, or a part of the object to be measured may be in close contact with or embedded in the surface of the chuck stage. A defect on the surface of the chuck stage deteriorates the adhesion between the object to be measured and the chuck stage in subsequent evaluations, and may give scratches or chips to the object to be measured, which adversely affects evaluation accuracy and yield. Therefore, it is important to properly protect the surface of the chuck stage.
また、半導体装置の縦方向、つまり面外方向に電流を流す縦型構造の半導体装置の場合には、半導体装置とチャックステージとの密着性が接触抵抗に影響し、ひいては電気的特性に影響を与えることになる。そして近年、電気的特性の向上等の理由から半導体ウエハの薄厚化が進められている。チャックステージ上の真空吸着は、チャックステージ上に設けられた真空吸着溝を介して行われる。真空吸着の真空度を上げると、特に薄厚ウエハは真空吸着溝に引き込まれやすくなる。そのため、薄厚ウエハの真空吸着溝の上方に位置する部分に変形が生じ、歪が導入される。また、真空吸着溝の上方に位置する半導体ウエハに、電気的特性を測定する際に電気的に接触するコンタクトプローブが接した場合も、プローブの接触圧により半導体ウエハに変形が生じ、歪が導入されることになる。特許文献1において、接触抵抗の低減化の手法が開示されている。
In the case of a semiconductor device having a vertical structure in which a current flows in the vertical direction of the semiconductor device, that is, in the out-of-plane direction, the adhesion between the semiconductor device and the chuck stage affects the contact resistance, and consequently the electrical characteristics. Will give. In recent years, the thickness of semiconductor wafers has been reduced for reasons such as improvement of electrical characteristics. Vacuum suction on the chuck stage is performed via a vacuum suction groove provided on the chuck stage. When the degree of vacuum of vacuum suction is increased, particularly thin wafers are easily drawn into the vacuum suction grooves. Therefore, deformation occurs in the portion located above the vacuum suction groove of the thin wafer, and distortion is introduced. In addition, when a contact probe that comes into electrical contact with the semiconductor wafer located above the vacuum suction groove contacts the semiconductor wafer due to the contact pressure of the probe, the semiconductor wafer is deformed and strain is introduced. Will be.
特許文献1においては、半導体ウエハをチャックステージ上に固定するための吸着機構として、無数の垂直微細孔を設けている。これにより、基板の裏側電極とチャックステージの載置面導体との間で接触抵抗の低減と均一化を実現している。これにより、特に、基板の両面に電極を有するパワーデバイスに対する電気的特性検査の測定精度および電力消費効率を向上させている。しかし、特許文献1においては、既存のチャックステージを利用することができない。このため、特許文献1の吸着機構を用いる場合には、評価装置の構成要素として新たなチャックステージを用意する必要が生じる。
In
本発明は、以上のような課題を解決するためになされたものであり、チャックステージ上に設置され、半導体装置を負圧により吸着する吸着プレートであって、従来のチャックステージ上に載置可能でかつ、半導体装置を均一な圧力で吸着することが可能な吸着プレートの提供を目的とする。また、この吸着プレートを備える半導体装置の試験装置の提供を目的とする。また、この吸着プレートを用いた半導体装置の試験方法の提供を目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and is an adsorption plate that is installed on a chuck stage and adsorbs a semiconductor device by negative pressure, and can be placed on a conventional chuck stage. And it aims at providing the suction plate which can adsorb | suck a semiconductor device with a uniform pressure. It is another object of the present invention to provide a test apparatus for a semiconductor device provided with this suction plate. Another object of the present invention is to provide a test method for a semiconductor device using the suction plate.
本発明に係る吸着プレートは、チャックステージ上に設置され、チャックステージが作り出す負圧により半導体装置を吸着する吸着プレートであって、チャックステージに当接する面に複数の溝と、半導体装置を載置する載置面から溝の底面に貫通する複数の吸着孔と、を備え、2つ以上の吸着孔が同一の溝に対して貫通している。 An adsorption plate according to the present invention is an adsorption plate that is installed on a chuck stage and adsorbs a semiconductor device by a negative pressure generated by the chuck stage, and a plurality of grooves and a semiconductor device are placed on a surface in contact with the chuck stage. A plurality of suction holes penetrating from the mounting surface to the bottom surface of the groove, and two or more suction holes penetrate the same groove.
本発明に係る半導体装置の試験装置は、吸着プレートと、吸着プレートを載置するチャックステージと、吸着プレートの載置面に載置された半導体装置に接触するコンタクトプローブと、コンタクトプローブとの間で信号を授受することにより半導体装置の電気的特性を評価する試験制御部と、を備える。 A test apparatus for a semiconductor device according to the present invention includes a suction plate, a chuck stage on which the suction plate is placed, a contact probe in contact with the semiconductor device placed on the placement surface of the suction plate, and a contact probe. And a test control unit that evaluates electrical characteristics of the semiconductor device by transmitting and receiving signals.
本発明に係る半導体装置の試験方法は、吸着プレートを用いた半導体装置の試験方法であって、(a)チャックステージに吸着プレートを載置する工程と、(b)吸着プレートの載置面に半導体装置を載置する工程と、(c)チャックステージに負圧を発生させることにより、吸着プレートおよび前記半導体装置を吸着して固定する工程と、(d)吸着プレートに吸着されている半導体装置の電気的特性を測定する工程と、を備える。 A test method for a semiconductor device according to the present invention is a test method for a semiconductor device using a suction plate, wherein (a) a step of placing the suction plate on a chuck stage, and (b) a placement surface of the suction plate. A step of mounting the semiconductor device; (c) a step of sucking and fixing the suction plate and the semiconductor device by generating a negative pressure on the chuck stage; and (d) a semiconductor device sucked by the suction plate. Measuring the electrical characteristics of.
本発明に係る吸着プレートは、従来のチャックステージに対して加工を施すことなく載置することが可能である。よって、従来のチャックステージをそのまま利用することができる。また、吸着プレートによりチャックステージを保護することが可能である。また、吸着プレートは載置面に設けられた複数の吸着孔により半導体装置を吸着する。よって、均一な吸着力で半導体装置を吸着することが可能であり、半導体装置への負担が軽減され、半導体装置の製造において歩留まりが向上する。 The suction plate according to the present invention can be placed without processing a conventional chuck stage. Therefore, the conventional chuck stage can be used as it is. Further, the chuck stage can be protected by the suction plate. The suction plate sucks the semiconductor device through a plurality of suction holes provided on the mounting surface. Therefore, the semiconductor device can be attracted with a uniform attracting force, the burden on the semiconductor device is reduced, and the yield is improved in manufacturing the semiconductor device.
また、本発明に係る半導体装置の試験装置においては、吸着プレートを介して、チャックステージ上に試験対象となる半導体装置を吸着して固定する。よって、チャックステージを保護することが可能である。また、半導体装置の特性に応じて、適した吸着プレートに容易に交換可能であり、試験を行う際の時間的効率が向上する。 In the semiconductor device testing apparatus according to the present invention, the semiconductor device to be tested is sucked and fixed on the chuck stage via the suction plate. Therefore, it is possible to protect the chuck stage. In addition, it can be easily replaced with a suitable suction plate according to the characteristics of the semiconductor device, and the time efficiency during the test is improved.
また、本発明に係る半導体装置の試験方法においては、吸着プレートを介して、チャックステージ上に試験対象となる半導体装置を吸着して固定する。よって、チャックステージを保護することが可能である。また、半導体装置の特性に応じて、適した吸着プレートに容易に交換可能であり、試験を行う際の時間的効率が向上する。 In the semiconductor device testing method according to the present invention, the semiconductor device to be tested is sucked and fixed onto the chuck stage via the suction plate. Therefore, it is possible to protect the chuck stage. In addition, it can be easily replaced with a suitable suction plate according to the characteristics of the semiconductor device, and the time efficiency during the test is improved.
<実施の形態1>
<構成>
図1は本実施の形態1における半導体装置の試験装置1の構成を示す模式図である。図2は、チャックステージ3の上面図である。本実施の形態1において、半導体装置の試験装置1は、チャックステージ3、試験制御部4、プローブ基体2、吸着プレート100を備える。
<
<Configuration>
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a semiconductor
チャックステージ3は、吸着プレート100を固定する台座である。チャックステージ3は、固定の手段として、真空吸着の機能を有する。図2に示すように、チャックステージ3の上面となる載置面には、真空吸着溝22が設けられている。そしてこの真空吸着溝22の底面には真空吸着のための真空吸着孔23が設けられている。真空吸着孔23は、真空吸着溝22の底面からチャックステージ3の側面まで引き出され、図示していないが、レギュレータを介して真空源に接続される。
The
プローブ基体2は、絶縁性基体16、複数のコンタクトプローブ10、接続部8Aを備える。プローブ基体2は移動アーム9によって保持されている。移動アーム9は、任意の位置へプローブ基体2を移動させることが可能である。ここで、プローブ基体2を1つの移動アーム9で保持する構成としたが、これに限るものではなく、複数の移動アームにてより安定的に保持してもよい。また、プローブ基体2を移動させる代わりに、チャックステージ3を移動させてもよい。
The
試験制御部4は、信号線6を通じて、チャックステージ3の接続部8Bとプローブ基体2の接続部8Aのそれぞれと電気的に接続されている。
The test control unit 4 is electrically connected to each of the
吸着プレート100は、チャックステージ3上に半導体装置5を固定するために、チャックステージ3と半導体装置5との間に配置される治具である。本実施の形態1では、吸着プレート100上に固定される半導体装置5は、例えば半導体ウエハであるとする。半導体ウエハには、例えば縦型構造の半導体素子が複数形成されている。縦型構造の半導体素子とは、半導体ウエハの表面および裏面に主電極が形成されている半導体素子である。また、半導体ウエハには横型構造の半導体素子が形成されていてもよい。横型構造の半導体素子は、半導体ウエハの一方の面に主電極が形成されている半導体素子である。半導体装置5の試験を行う際、半導体装置5の表面側の電極は、コンタクトプローブ10と接触する。また、半導体装置5の裏面の電極は吸着プレート100上面と接触する。
The
なお、コンタクトプローブ10は、大電流を印加することを想定して、半導体ウエハ上に形成された個々の半導体素子に対して複数個設置されている。各コンタクトプローブ10と接続部8A間は、図示していないが、例えば絶縁性基体16上に設けた金属板により電気的に接続されている。
Note that a plurality of contact probes 10 are installed for each semiconductor element formed on the semiconductor wafer, assuming that a large current is applied. Although not shown, each
また、各コンタクトプローブ10に加わる電流密度が略一致するように、接続部8Aから各コンタクトプローブ10までの距離が略一致するのが好ましい。同様に、接続部8Bからチャックステージ3を介して各コンタクトプローブ10までの距離が略一致するのが好ましい。つまり、コンタクトプローブ10を介して、接続部8Aと接続部8Bが対向するように位置するのが望ましい。
In addition, it is preferable that the distances from the connection portion 8A to the contact probes 10 are substantially the same so that the current densities applied to the contact probes 10 are substantially the same. Similarly, it is preferable that the distance from the
図3は、本実施の形態1における吸着プレート100の上面図である。図4は、吸着プレート100の底面図である。図5は、図3および図4の線分AAにおける断面図である。
FIG. 3 is a top view of the
吸着プレート100は、基台11、シート部材18、複数の突起19を備える。本実施の形態1では、縦型構造の半導体素子が形成された半導体装置5(即ち半導体ウエハ)の評価を想定しているため、半導体装置5とチャックステージ3間の電気的な導通が必要である。従って、基台11は、例えば銅やアルミニウムのような金属材料にて作製される。この場合、基台11は、半導体装置5を載置する載置面7aとチャックステージ3に当接する裏面7bとの間において導電性を有する。ただし、横型構造の半導体素子が形成された半導体装置5の評価に限るなら、基台11の載置面7aが導電性を有する必要はなく、絶縁性を有してもよい。この場合、基台11を樹脂材のような絶縁材で作製してもよい。
The
基台11の外形は円形であり、平面視でチャックステージ3の上面(ウエハ載置面)と同一の形状である。これにより、吸着プレート100を、従来のチャックステージ3のウエハ載置面に被せて容易に設置が可能となる。
The outer shape of the
基台11の外縁(即ち、基台11の側面)の複数個所には突起19が設けられる。図5に示すように、各突起19は、チャックステージ3側(即ち−Z方向)に延在している。図1に示すように、各突起19はチャックステージ3の外縁に当接する。基台11に複数の突起19を設けることにより、吸着プレート100のチャックステージ3に対する位置が規定される。つまり、突起19は、吸着プレート100のチャックステージ3からの位置ずれを防止するために設けられる。
図3においては、3つの突起19を設けているが、これに限るものではない。突起19は、例えば基台11の外周部に一体的に形成され、チャックステージ3側に折り曲げられて作製される。突起19は、これ以外の手法にて作製してもよい。なお、吸着プレート100をチャックステージ3により安定して密着させるために、各突起19に重りを付与してもよい。
Although three
吸着プレート100の載置面7a(即ち、半導体装置5が設置される面)は、半導体装置5にダメージを与えないために平坦な面であることが望ましい。吸着プレート100の載置面7aには、洗浄や研磨が施され、バリ等が除去される。
The mounting
吸着プレート100の載置面7aには、複数の吸着孔14が設けられる。また、吸着プレート100の裏面7b(即ち、チャックステージ3に当接する面)には直線状の複数の溝15が設けられる。図5に示すように、各溝15の底面には、複数の吸着孔14が貫通している。つまり、各溝15が複数の吸着孔14を連結している。
A plurality of suction holes 14 are provided on the mounting
基台11が金属材料である場合は、吸着孔14および溝15は機械加工で作製される。また、基台11の厚みが薄い場合は、エッチングにより、化学的に吸着孔14および溝15を作製してもよい。基台11が樹脂材料である場合は、金型を用いた成形加工により吸着孔14および溝15を作製してもよい。
When the
通常、チャックステージ3上面には半導体ウエハが直接設置され、吸着される。この場合、半導体ウエハは多少の撓みをもって、チャックステージ3に密着して固定される。本実施の形態1では、チャックステージ3上面に吸着プレート100を載置する。吸着プレート100の基台部分は半導体ウエハよりも厚みがあるので、吸着プレート100に撓みは生じ難い。そのため、吸着プレート100の外周部における吸着漏れが生じてしまう場合がある。
Usually, a semiconductor wafer is directly placed on the upper surface of the
吸着プレート100の基台11の裏面7bの外周部に沿って、シート部材18が貼着されている。シート部材18は、柔軟性を有する厚みの薄い素材であり、例えばフッ素樹脂のシールテープである。シート部材18を設けることにより、吸着プレート100の外周部における吸着漏れを抑制することが可能である。また、シート部材18に代えて、基台11の裏面7bの外周部に沿って、複数の溝15を一括して囲む溝を設け、この溝にOリングを配置しても同様の効果が得られる。
A
本実施の形態1では、吸着プレート100の載置面7aにおいて複数の吸着孔14が均等に分布するように設けたが、複数の吸着孔14の分布密度は不均一であってもよい。例えば、複数の吸着孔14の分布密度が吸着プレート100の外径方向に変化してもよい。半導体装置5(ウエハ)が吸着プレート100の載置面7aに対して上に凸状に沿っている場合を考える。この場合、図6に示すように、外周から中心に向かって吸着孔14の分布密度が高くなるような吸着プレート100Aを用いることで、上に凸状に沿っているウエハであっても吸着プレート100Aとの密着性を高めることが可能である。
In the first embodiment, the plurality of suction holes 14 are provided so as to be evenly distributed on the
また、半導体装置5(ウエハ)が吸着プレート100の載置面7aに対して下に凸状に沿っている場合を考える。この場合、図7に示すように、中心から外周に向かって吸着孔14の分布密度が高くなるような吸着プレート100Bを用いることで、下に凸状に沿っているウエハであっても吸着プレート100Bとの密着性を高めることが可能である。
Further, consider a case where the semiconductor device 5 (wafer) is convex downward along the mounting
また、図3に示した吸着孔14の配置および個数は一例であり、半導体装置5の大きさに応じて適宜変更してよい。
Further, the arrangement and the number of the suction holes 14 shown in FIG. 3 are merely examples, and may be appropriately changed according to the size of the
<半導体装置の試験方法>
図2に示したように、チャックステージ3の上面には、真空吸着溝22が形成されている。チャックステージ3の平面形状は円形であり、真空吸着溝22は、チャックステージ3と同心円となる2本の溝である。溝の配置および個数はこれに限らない。
<Testing method of semiconductor device>
As shown in FIG. 2, a
チャックステージ3において、複数の真空吸着孔23は真空吸着溝22よりもの下方(−Z方向)に配置され、真空吸着溝22と繋がっている。複数の真空吸着孔23は互いに連結され、その一端が、チャックステージ3の側面に引き出される。真空吸着孔23の一端は、外部の真空源(図示せず)に接続される。なお、チャックステージ3の態様によっては、半導体装置5のサイズに応じて、内側、外側の真空吸着溝22を選択的に使用することが可能となっている。
In the
図8は図1における領域Cを拡大した断面図である。チャックステージ3の上面に吸着プレート100を載置した状態において、チャックステージ3上面の真空吸着溝22と、吸着プレートの裏面7bに設けられた溝15とが部分的に繋がる。これにより、図8中に矢印で示すように、溝15に繋がった吸着孔14を介して半導体装置5が真空吸着され、固定される。つまり、吸着プレート100の載置面7aに半導体装置5が密着して固定される。密着した固定は、電気的な抵抗成分を抑制するため、測定精度の向上につながる。
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of a region C in FIG. In a state where the
次に、吸着プレート100の使用方法について説明する。まず、評価する半導体装置5の大きさや反りなどの状況に応じて、適切に分布した吸着孔14を備えた吸着プレート100を選定する。
Next, a method for using the
そして、吸着プレート100をチャックステージ3上面に配置する。このとき、吸着プレート100の外縁に設けられた複数の突起19が、チャックステージ3の外縁に当接するように配置する。
Then, the
次に、吸着プレート100の載置面7aに、半導体装置搬送機構17を利用して、半導体装置5である半導体ウエハを載置する。吸着プレート100および半導体装置5を、チャックステージ3の吸着機構を利用して、真空吸着にて固定する。そして、コンタクトプローブ10を半導体装置5に形成されている半導体素子へ接触させる。試験制御部4は、信号線6を介して所定の信号を半導体素子(半導体装置5)に印可し、半導体素子から出力される信号を受けることにより、半導体素子の電気的特性を評価する。試験終了後、半導体素子からコンタクトプローブ10を離間させる。そして、移動アーム9を利用してコンタクトプローブ10(プローブ基体2)を評価すべき次の半導体素子上に移動し、コンタクトプローブ10を次の半導体素子に接触させ、同様の電気的特性の評価を行う。以降、同様の動作を繰り返して半導体装置5に形成された複数の半導体素子の試験が完了すると、半導体装置5からコンタクトプローブ10を離間させ、真空吸着を解除した後、半導体装置搬送機構17を利用して半導体装置5を吸着プレート100上から取り除く。続けて、別の半導体装置5の評価を行う場合は、同じ吸着プレート100を継続して用いてもよいし、半導体装置5の形状等に応じて他の吸着プレート100に交換してもよい。
Next, a semiconductor wafer as the
<効果>
本実施の形態1における吸着プレート100は、チャックステージ3上に設置され、チャックステージ3が作り出す負圧により半導体装置5を吸着する吸着プレート100であって、チャックステージ3に当接する面に複数の溝15と、半導体装置5を載置する載置面7aから溝15の底面に貫通する複数の吸着孔14と、を備え、2つ以上の吸着孔14が同一の溝15に対して貫通している。
<Effect>
The
本実施の形態1における吸着プレート100は、従来のチャックステージ3に対して加工を施すことなく載置することが可能である。よって、従来のチャックステージ3をそのまま利用することができる。本実施の形態1において、チャックステージ3に吸着プレート100を載置して、吸着プレート100上に試験対象となる半導体装置5を吸着して固定する。これにより、大電流を半導体装置5に印加する試験により吸着プレート100が傷付いた場合であっても、吸着プレート100によりチャックステージ3を保護することが可能である。傷付いた吸着プレート100は容易に交換可能であるため、チャックステージ3と半導体装置5との良好な密着性を容易に維持することができ、半導体装置5に対する試験(評価)の精度を向上させることが可能である。これにより、半導体装置5の製造において歩留まりが向上する。
The
また、吸着プレート100は載置面7aに設けられた複数の吸着孔14により半導体装置5を吸着するため、吸着した際の半導体装置5の撓みを抑制することが可能である。また、コンタクトプローブ10を半導体装置5に押し当てた際の半導体装置5の形状変化も抑制することが可能である。よって、半導体装置5への負担が軽減され、半導体装置5の製造において歩留まりが向上する。
Further, since the
また、吸着プレート100の裏面7bには複数の溝15が設けられ、各溝15に対して複数の吸着孔14が貫通している。よって、各溝15の一部がチャックステージ3上面の真空吸着溝22と繋がればよいため、吸着プレート100をチャックステージ3に載置する際に、チャックステージ3に対して吸着孔14の位置を合わせる必要がない。よって、吸着プレート100をチャックステージ3に容易に載置することが可能である。
A plurality of
本実施の形態1における吸着プレート100において、チャックステージ3に当接する面(裏面7b)の外周部に柔軟性を有するシート部材18が設けられ、チャックステージ3に当接する面の外周部がシート部材18を介してチャックステージ3に密着する。
In the
従って、吸着プレート100の裏面7bの外周部にシート部材18を設けることにより、吸着漏れを抑制することが可能である。よって、半導体装置5と吸着プレート100の密着性が向上する。
Therefore, by providing the
本実施の形態1における吸着プレート100において、チャックステージ3に当接する面(裏面7b)の外周部には、複数の溝15を平面視で囲むようにOリングが保持されてもよい。
In the
従って、吸着プレート100の裏面7bの外周部にシート部材18に代えてOリングを設けても吸着漏れを抑制することが可能である。
Therefore, even if an O-ring is provided on the outer peripheral portion of the
本実施の形態1における吸着プレート100において、載置面7aとチャックステージ3に当接する面(裏面7b)との間において導電性を有する。
In the
吸着プレート100の載置面7aと裏面7bとが電気的に導通していることにより、半導体装置5とチャックステージ3との電気的導通を確保することが可能である。よって、縦型半導体素子が形成された半導体装置5(半導体ウエハ)の試験、評価において、吸着プレート100を適用することが可能となる。
Since the mounting
本実施の形態1における吸着プレート100において、載置面7aは絶縁性を有してもよい。
In the
吸着プレート100の載置面7aが絶縁性を有していることにより、半導体装置5とチャックステージ3との絶縁を確保することが可能である。よって、横型半導体素子が形成された半導体装置5(半導体ウエハ)の試験、評価において、吸着プレート100を適用することが可能となる。
Since the mounting
本実施の形態1における吸着プレート100の載置面7aにおいて複数の吸着孔14の分布密度が不均一であってもよい。
The distribution density of the plurality of suction holes 14 may be non-uniform on the
吸着プレート100において吸着孔14の分布密度を載置面7a上で変化させることによって、載置面7a上において吸着力を変化させることができる。これにより、例えば反りが生じている半導体装置5の反りを補正して吸着プレート100に密着させることが可能である。
By changing the distribution density of the suction holes 14 on the
本実施の形態1における吸着プレート100の載置面7aにおいて複数の吸着孔14の分布密度が外径方向に変化してもよい。吸着孔14の分布密度を外径方向に変化させることにより、反りが生じている半導体装置5(半導体ウエハ)に対して、反りを補正して吸着することが可能である。
In the mounting
本実施の形態1における吸着プレート100Aにおいて、載置面7aの外周から中心に向かって、複数の吸着孔14の分布密度が高くなってもよい。これにより、載置面7aに対して上に凸状に沿っている半導体装置5(半導体ウエハ)であっても吸着プレート100Aとの密着性を高めることが可能である。
In the
本実施の形態1における吸着プレート100Bにおいて、載置面7aの中心から外周に向かって、複数の吸着孔14の分布密度が高くなってもよい。これにより、載置面7aに対して下に凸状に沿っている半導体装置5(半導体ウエハ)であっても吸着プレート100Aとの密着性を高めることが可能である。
In the
本実施の形態1における吸着プレート100は、吸着プレート100の外縁に複数の突起19をさらに備え、突起19により吸着プレート100のチャックステージ3に対する位置が規定される。
The
よって、吸着プレート100に突起19を設けることにより、吸着プレート100のチャックステージ3への設置が容易になる。
Therefore, by providing the
本実施の形態1における吸着プレート100において、複数の突起19は、チャックステージ3側に延在しており、複数の突起19がチャックステージ3の外縁に当接する。
In the
従って、複数の突起19をチャックステージ3の外縁に当接させることにより、チャックステージ3に対する吸着プレート100の位置を規定することが可能である。
Therefore, the position of the
本実施の形態1における吸着プレート100において、吸着プレート100がチャックステージ3に密着するように、複数の突起19に荷重がかけられる。
In the
よって、突起19に荷重をかけることにより、吸着プレート100とチャックステージ3の密着性をより向上させることが可能である。
Therefore, it is possible to further improve the adhesion between the
また、本実施の形態1における半導体装置の試験装置1は、吸着プレート100と、吸着プレート100を載置するチャックステージ3と、吸着プレート100の載置面7aに載置された半導体装置5に接触するコンタクトプローブ10と、コンタクトプローブ10との間で信号を授受することにより半導体装置5の電気的特性を評価する試験制御部4と、を備える。
The semiconductor
従って、本実施の形態1における半導体装置の試験装置1においては、吸着プレート100を介して、チャックステージ3上に試験対象となる半導体装置5を吸着して固定する。よって、チャックステージ3を保護することが可能である。また、半導体装置5の特性(例えば、縦型半導体素子か横型半導体素子か)に応じて、適した吸着プレート100に容易に交換可能であり、試験を行う際の時間的効率が向上する。
Therefore, in the semiconductor
また、本実施の形態1における半導体装置5の試験方法は、吸着プレート100を用いた半導体装置5の試験方法であって、(a)チャックステージ3に吸着プレート100を載置する工程と、(b)吸着プレート100の載置面7aに半導体装置5を載置する工程と、(c)チャックステージ3に負圧を発生させることにより、吸着プレート100および半導体装置5を吸着して固定する工程と、(d)吸着プレート100に吸着されている半導体装置5の電気的特性を測定する工程と、を備える。
Further, the test method of the
従って、本実施の形態1における試験方法においては、吸着プレート100を介して、チャックステージ3上に試験対象となる半導体装置5を吸着して固定する。よって、チャックステージ3を保護することが可能である。また、半導体装置5の特性(例えば、縦型半導体素子か横型半導体素子か)に応じて、適した吸着プレート100に容易に交換可能であり、試験を行う際の時間的効率が向上する。
Therefore, in the test method according to the first embodiment, the
また、本実施の形態1における半導体装置の試験方法において、半導体装置5はウエハであり、工程(a)の前に、載置面7aの外周から中心に向かって、複数の吸着孔14の分布密度が高くなる第1の吸着プレート100Aと、載置面7aの中心から外周に向かって、複数の吸着孔14の分布密度が高くなる第2の吸着プレート100Bとを用意する工程をさらに備え、工程(b)において、ウエハが載置面7aに対して上に凸状に沿っている場合は、チャックステージ3に第1の吸着プレート100Aを載置し、ウエハが載置面7aに対して下に凸状に沿っている場合は、チャックステージ3に第2の吸着プレート100Bを載置する。
In the semiconductor device testing method according to the first embodiment, the
従って、本実施の形態1では、予め第1、第2の吸着プレート100A(図6),100B(図7)を用意しておき、半導体ウエハの反りの向きに応じて吸着プレートを選択する。よって、半導体ウエハに反りが生じている場合であっても、半導体ウエハを吸着プレートに均一な圧力で密着させることが可能である。
Therefore, in the first embodiment, the first and
<実施の形態1の変形例>
図9に、実施の形態1の変形例における吸着プレート200の断面図を示す。吸着プレート200は、吸着プレート100に対して導電性シート24をさらに備える。導電性シート24は吸着プレート200の裏面7bに配置される。なお、導電性シート24のシート部材18、溝15に重なる部分は予め切り取られている。導電性シート24以外の構成は実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
<Modification of
FIG. 9 is a cross-sectional view of the
吸着漏れを抑制するために、導電性シート24の厚みは、シート部材18の厚みよりも薄くする。導電性シート24は例えば、金属箔、ITO(酸化インジウムスズ)フィルム、カーボンフィルムなどである。
In order to suppress adsorption leakage, the thickness of the
吸着プレート200の裏面7bとチャックステージ3上面との間に導電性シート24を配置することにより、吸着プレート200とチャックステージ3との電気的導通を確保したまま、密着性を向上させることが可能となる。
By disposing the
<効果>
本実施の形態1の変形例における吸着プレート200において、チャックステージ3に当接する面(裏面7b)に貼着された導電性シート24をさらに備え、導電性シート24はシート部材18および複数の溝15と重ならない。
<Effect>
The
よって、吸着プレート200とチャックステージ3との電気的導通を維持したまま、吸着プレート200とチャックステージ3との密着性をより向上させることが可能である。
Therefore, it is possible to further improve the adhesion between the
<実施の形態2>
図10は、本実施の形態2における吸着プレート300の断面図である。実施の形態1における吸着プレート100においては、基台11に吸着孔14および溝15の両方を設けた。本実施の形態2の吸着プレート300においては、基台11を基台11Aと基台底板12とに分割する。基台11Aには複数の吸着孔14が設けられ、基台底板12には基台底板12を貫通する複数のスリット20が設けられる。ここで、スリット20の配置は実施の形態1における溝15に相当する。
<
FIG. 10 is a cross-sectional view of the
本実施の形態2では、基台11Aと基台底板12とは、例えば接着により一体化される。一体化した状態における、吸着孔14とスリット20との位置関係は、図3における吸着孔14と溝15との位置関係と同じである。
In the second embodiment, the
基台11Aおよび基台底板12は、金属材や樹脂材で作製される。基台底板12を金属材により作製する場合、スリット20は打ち抜き加工にて形成される。打ち抜き加工によるスリット20の形成は、ザグリ加工による溝15の形成よりも容易である。
The
本実施の形態2において突起19は基台11Aに設けられる。また、シート部材18は基台底板12の裏面7bに設けられる。
In the second embodiment, the
<効果>
本実施の形態2における吸着プレート300において、吸着プレート300は、載置面7a側の第1プレート(即ち基台11A)と、チャックステージ3に当接する面(裏面7b)側の第2プレート(即ち基台底板12)とに分割されており、第1プレートには複数の吸着孔14が設けられ、第2プレートには複数の溝15としての複数のスリット20が設けられる。
<Effect>
In the
実施の形態1では、基台11の裏面7bにザグリ加工を施すことにより溝15を形成した。一方、本実施の形態2では、第2プレート(即ち基台底板12)に打ち抜き加工を施すことにより溝15となるスリット20を形成する。よって、本実施の形態2では、吸着プレート300に、より容易に溝15を形成することが可能である。
In the first embodiment, the
<実施の形態3>
図11は、本実施の形態3における吸着プレート400の平面図である。また、図12は、図11の線分BBにおける断面図である。近年、半導体装置(半導体ウエハ)の薄厚化に伴い、ウエハの強度を保つために、ウエハの外周の下部にリブ部を設けた半導体装置が増加する傾向にある。本実施の形態3における吸着プレート400は、リブ部を有する半導体装置5を載置することが可能である。
<
FIG. 11 is a plan view of the
図11、12に示すように、吸着プレート400において、基台11Aの外周部分は基台底板12に対して内側に縮小され、リブ部設置部7cが設けられる。つまり、吸着プレート400の載置面7aの外周部(即ちリブ部設置部7c)の高さが、載置面7aの中央部の高さよりも低くなっている。また、基台11Aの外周の端部近傍は面取りされている。
As shown in FIGS. 11 and 12, in the
上記吸着プレート400の構成により、リブ部を備えた半導体装置5(半導体ウエハ)を吸着プレート400に載置することが可能となる。
With the configuration of the
なお、半導体装置の試験装置1のチャックステージ3が、リブ部を備えた半導体装置5に対応した構造となっている場合もある。図13は、リブ部を備えた半導体装置5に対応したチャックステージ3の上面図である。図13に示すように、チャックステージ3の上面の外周部にはリブ部設置部26が設けられている。リブ部設置部26の高さは、上面の中央部の高さよりも低くなっている。また、チャックステージ3の上面の外周部の一部には、半導体装置5をチャックステージ3に載置する際に、半導体装置5のリブ部をリブ部設置部26に載置するための切欠き25が設けられている。
The
図11に示すようにチャックステージ3が切欠き25を有する場合、切欠き25の位置に対応させて、吸着プレート400の外周の一部に切欠き7dを設けるのが好ましい。この場合、シート部材18は切り欠き7dの内側に配置する。
As shown in FIG. 11, when the
本実施の形態3の吸着プレート400のリブ部設置部7cと切欠き7d以外の構成は実施の形態2の吸着プレート300と同じため、説明を省略する。なお、吸着プレート400は、吸着プレート300と同様に、基台部分が基台11Aと基台底板12との別部材からなる構成としたが、実施の形態1の吸着プレート100のように基台11Aと基台底板12とが一体形成されて基台11となっている構成でもよい。
Since the configuration of the
<効果>
本実施の形態3における吸着プレート400において、吸着プレート400の載置面7aの外周部の高さが、載置面7aの中央部の高さよりも低くなっている。
<Effect>
In the
従って、外周にリブ部を備える半導体装置5(半導体ウエハ)を吸着プレート400に載置することが可能となる。
Therefore, the semiconductor device 5 (semiconductor wafer) having a rib portion on the outer periphery can be placed on the
また、本実施の形態3における吸着プレート400において、吸着プレート400の外周部に切欠き7dが設けられ、切欠き7dの位置は、チャックステージ3の外周部に設けられた切欠き25の位置に対応している。
Further, in the
従って、チャックステージ3に切欠き25が設けられている場合は、吸着プレート400にも切欠き7dを設けることにより、半導体装置5(半導体ウエハ)を吸着プレート400上に載置する際に、受け渡し容易性を維持することが可能である。
Therefore, when the
<実施の形態4>
図14は、本実施の形態4における吸着プレート500の上面図である。図15に示すように、チャックステージ3の上面側において、半導体装置5(半導体ウエハ)をチャックステージ3上で昇降させ半導体装置の搬送を補助するための受け渡しピン27が設けられている場合がある。この場合、吸着プレート500の受け渡しピン27に対応する位置に貫通孔29を設ける。これにより、吸着プレート500をチャックステージ3に載置した状態においても、受け渡しピン27を利用することが可能となる。吸着プレート500の貫通孔29以外の構成は、実施の形態1の吸着プレート100と同じため説明を省略する。
<Embodiment 4>
FIG. 14 is a top view of the
<効果>
本実施の形態4における吸着プレート500において、吸着プレート500は、チャックステージ3に当接する面(裏面7b)から載置面7aに貫通する複数の貫通孔29を備え、吸着プレート500をチャックステージ3に設置した状態において、チャックステージ3に設けられた複数の受け渡しピン27が複数の貫通孔29に挿入される。
<Effect>
In the
従って、吸着プレート500をチャックステージ3上に載置した場合であっても、チャックステージ3に設けられた受け渡しピン27を利用することが可能である。よって、半導体装置5(半導体ウエハ)を吸着プレート500上に載置する際に、受け渡し容易性を維持することが可能である。
Therefore, even when the
<実施の形態5>
図16は、本実施の形態5における吸着プレート600の底面図である。吸着プレート600の裏面7b側に設けられた複数の溝15(又はスリット20)は、吸着プレート600の中心に対して略同心円状に分断されている。つまり、実施の形態1(図4)において示した吸着プレート100の各溝15は分断することなく設けられていた。一方、本実施の形態5では、図16に示すように、吸着プレート600の中心から略等しい位置において、各溝15が分断されている。吸着プレート600の溝15の配置以外の構成は実施の形態1の吸着プレート100と同じため説明を省略する。
<
FIG. 16 is a bottom view of the
先に図2を用いて説明したように、チャックステージ3の態様によっては、半導体装置5のサイズに応じて、内側の真空吸着溝22のみを利用するか、内側と外側の両方の真空吸着溝22を利用するかの選択が可能となっている。例えば、設置する半導体装置5の大きさが外側の真空吸着溝22の外径よりも小さい場合は、内側の真空吸着溝22のみの使用が可能である。
As described above with reference to FIG. 2, depending on the mode of the
本実施の形態5の吸着プレート600においては、チャックステージ3の内側の真空吸着溝22の外径よりも大きく、かつ、外側の真空吸着溝22の外径よりも小さい位置に対応する位置おいて、各溝15を分断している。
In the
よって、図16の領域5aで示す、小さいサイズの半導体装置5(半導体ウエハ)を吸着プレート600に載置した場合であっても、吸着漏れを抑制することが可能である。
Therefore, even when the small-sized semiconductor device 5 (semiconductor wafer) shown in the
<効果>
本実施の形態5における吸着プレート600において、吸着プレート600は円形であり、複数の溝15は平面視で吸着プレート600に対して同心円状に分断されている。
<Effect>
In the
従って、複数の溝15は平面視で吸着プレート600に対して同心円状に分断されているため、吸着プレート600の外径よりも小さいサイズの半導体装置(半導体ウエハ)であっても、吸着漏れを生じることなく吸着することが可能となる。よって、複数のサイズの半導体装置5が載置可能となり、半導体装置5の試験にかかるコストを低減することが可能である。
Therefore, since the plurality of
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 It should be noted that the present invention can be freely combined with each other within the scope of the invention, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.
1 半導体評価装置、2 プローブ基体、3 チャックステージ、4 試験制御部、5 半導体装置、6 信号線、7a 載置面、7b 裏面、7c リブ部設置部、7d 切欠き、8A,8B 接続部、9 移動アーム、10 コンタクトプローブ、11,11A 基台、12 基台底板、14 吸着孔、15 溝、16 絶縁性基体、17 半導体装置搬送機構、18 シート部材、19 突起、20 スリット、22 真空吸着溝、23 真空吸着孔、24 導電性シート、25 切欠き、26 リブ部設置部、27 受け渡しピン、29 貫通孔、100,100A,100B,200,300,400,500,600 吸着プレート。
DESCRIPTION OF
Claims (21)
前記チャックステージに当接する面に複数の溝と、
前記半導体装置を載置する載置面から前記溝の底面に貫通する複数の吸着孔と、
を備え、
2つ以上の前記吸着孔が同一の前記溝に対して貫通している、
吸着プレート。 An adsorption plate installed on the chuck stage and adsorbing the semiconductor device by the negative pressure created by the chuck stage,
A plurality of grooves on the surface contacting the chuck stage;
A plurality of suction holes penetrating from the mounting surface on which the semiconductor device is mounted to the bottom surface of the groove;
With
Two or more of the suction holes penetrate the same groove,
Adsorption plate.
前記第1プレートには前記複数の吸着孔が設けられ、
前記第2プレートには前記複数の溝としての複数のスリットが設けられる、
請求項1に記載の吸着プレート。 The suction plate is divided into a first plate on the placement surface side and a second plate on the surface side in contact with the chuck stage,
The first plate is provided with the plurality of suction holes,
The second plate is provided with a plurality of slits as the plurality of grooves.
The suction plate according to claim 1.
前記チャックステージに当接する面の外周部が前記シート部材を介して前記チャックステージに密着する、
請求項1又は請求項2に記載の吸着プレート。 A sheet member having flexibility is provided on the outer peripheral portion of the surface in contact with the chuck stage,
An outer peripheral portion of a surface contacting the chuck stage is in close contact with the chuck stage via the sheet member;
The suction plate according to claim 1 or 2.
請求項1又は請求項2に記載の吸着プレート。 An O-ring is held on the outer peripheral portion of the surface in contact with the chuck stage so as to surround the plurality of grooves in a plan view.
The suction plate according to claim 1 or 2.
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の吸着プレート。 Having conductivity between the mounting surface and a surface contacting the chuck stage;
The suction plate according to any one of claims 1 to 4.
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の吸着プレート。 The mounting surface described above has an insulating property,
The suction plate according to any one of claims 1 to 4.
請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の吸着プレート。 In the mounting surface, the distribution density of the plurality of adsorption holes is non-uniform,
The suction plate according to any one of claims 1 to 6.
請求項7に記載の吸着プレート。 In the placement surface, the distribution density of the plurality of suction holes changes in the outer diameter direction,
The suction plate according to claim 7.
請求項8に記載の吸着プレート。 From the outer periphery of the mounting surface toward the center, the distribution density of the plurality of adsorption holes increases.
The suction plate according to claim 8.
請求項8に記載の吸着プレート。 The distribution density of the plurality of adsorption holes increases from the center of the mounting surface toward the outer periphery,
The suction plate according to claim 8.
前記導電性シートは前記シート部材および前記複数の溝と重ならない、
請求項3に記載の吸着プレート。 Further comprising a conductive sheet adhered to the surface that contacts the chuck stage,
The conductive sheet does not overlap the sheet member and the plurality of grooves;
The suction plate according to claim 3.
前記突起により前記吸着プレートの前チャックステージに対する位置が規定される、
請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の吸着プレート。 A plurality of protrusions on the outer edge of the suction plate;
The position of the suction plate relative to the front chuck stage is defined by the protrusion.
The suction plate according to any one of claims 1 to 11.
前記複数の突起が前記チャックステージの外縁に当接する、
請求項12に記載の吸着プレート。 The plurality of protrusions extend to the chuck stage side,
The plurality of protrusions abut against an outer edge of the chuck stage;
The suction plate according to claim 12.
請求項12又は請求項13に記載の吸着プレート。 A load is applied to the plurality of protrusions so that the suction plate is in close contact with the chuck stage.
The suction plate according to claim 12 or 13.
請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の吸着プレート。 The height of the outer peripheral portion of the placement surface of the suction plate is lower than the height of the central portion of the placement surface,
The suction plate according to any one of claims 1 to 14.
前記吸着プレートを前記チャックステージに設置した状態において、前記チャックステージに設けられた複数の受け渡しピンが前記複数の貫通孔に挿入される、
請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の吸着プレート。 The suction plate includes a plurality of through holes penetrating from the surface in contact with the chuck stage to the mounting surface.
In a state where the suction plate is installed on the chuck stage, a plurality of delivery pins provided on the chuck stage are inserted into the plurality of through holes.
The suction plate according to any one of claims 1 to 15.
前記切欠きの位置は、前記チャックステージの外周部に設けられた切欠きの位置に対応している、
請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の吸着プレート。 Notches are provided on the outer periphery of the suction plate,
The position of the notch corresponds to the position of the notch provided on the outer periphery of the chuck stage.
The suction plate according to any one of claims 1 to 16.
前記複数の溝は平面視で前記吸着プレートに対して同心円状に分断されている、
請求項1から請求項17のいずれか一項に記載の吸着プレート。 The suction plate is circular;
The plurality of grooves are divided concentrically with respect to the suction plate in a plan view.
The suction plate according to any one of claims 1 to 17.
前記吸着プレートを載置するチャックステージと、
前記吸着プレートの前記載置面に載置された前記半導体装置に接触するコンタクトプローブと、
前記コンタクトプローブとの間で信号を授受することにより前記半導体装置の電気的特性を評価する試験制御部と、
を備える、
半導体装置の試験装置。 The suction plate according to any one of claims 1 to 18,
A chuck stage for mounting the suction plate;
A contact probe that contacts the semiconductor device mounted on the mounting surface of the suction plate;
A test control unit that evaluates the electrical characteristics of the semiconductor device by exchanging signals with the contact probe;
Comprising
Semiconductor device test equipment.
(a)前記チャックステージに前記吸着プレートを載置する工程と、
(b)前記吸着プレートの前記載置面に前記半導体装置を載置する工程と、
(c)前記チャックステージに負圧を発生させることにより、前記吸着プレートおよび前記半導体装置を吸着して固定する工程と、
(d)吸着プレートに吸着されている前記半導体装置の電気的特性を測定する工程と、
を備える、
半導体装置の試験方法。 A test method for a semiconductor device using the suction plate according to any one of claims 1 to 18,
(A) placing the suction plate on the chuck stage;
(B) placing the semiconductor device on the placement surface of the suction plate;
(C) sucking and fixing the suction plate and the semiconductor device by generating a negative pressure on the chuck stage;
(D) measuring electrical characteristics of the semiconductor device adsorbed on the adsorption plate;
Comprising
Semiconductor device testing method.
前記工程(a)の前に、前記載置面の外周から中心に向かって、前記複数の吸着孔の分布密度が高くなる第1の吸着プレートと、前記載置面の中心から外周に向かって、前記複数の吸着孔の分布密度が高くなる第2の吸着プレートとを用意する工程をさらに備え、
前記工程(b)において、前記ウエハが前記載置面に対して上に凸状に反っている場合は、前記チャックステージに前記第1の吸着プレートを載置し、前記ウエハが前記載置面に対して下に凸状に反っている場合は、前記チャックステージに前記第2の吸着プレートを載置する、
請求項20に記載の半導体装置の試験方法。 The semiconductor device is a wafer;
Before the step (a), the first suction plate in which the distribution density of the plurality of suction holes increases from the outer periphery of the placement surface toward the center, and from the center of the placement surface toward the outer periphery. And a step of preparing a second suction plate that increases the distribution density of the plurality of suction holes,
In the step (b), when the wafer is warped upward with respect to the placement surface, the first suction plate is placed on the chuck stage, and the wafer is placed on the placement surface. If the second suction plate is warped downward with respect to the second stage, the second suction plate is placed on the chuck stage.
21. A method for testing a semiconductor device according to claim 20.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015141728A JP6440587B2 (en) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | Suction plate, semiconductor device test apparatus, and semiconductor device test method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015141728A JP6440587B2 (en) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | Suction plate, semiconductor device test apparatus, and semiconductor device test method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017027974A true JP2017027974A (en) | 2017-02-02 |
JP6440587B2 JP6440587B2 (en) | 2018-12-19 |
Family
ID=57946534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015141728A Active JP6440587B2 (en) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | Suction plate, semiconductor device test apparatus, and semiconductor device test method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6440587B2 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110672344A (en) * | 2019-09-29 | 2020-01-10 | 覃柳思 | Multifunctional instrument test board |
JP2020155519A (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | Spin chuck of substrate processing apparatus |
CN112379238A (en) * | 2020-10-14 | 2021-02-19 | 安徽科技学院 | Simulation system for TFET device research |
JP2022039342A (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-10 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US20220244292A1 (en) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor test apparatus and semiconductor test method |
CN115083988A (en) * | 2022-07-12 | 2022-09-20 | 法特迪精密科技(苏州)有限公司 | Wafer adsorption platform facing probe platform and reducing ring groove and rotating ring groove thereof |
CN116487314A (en) * | 2023-06-21 | 2023-07-25 | 上海新创达半导体设备技术有限公司 | Wafer carrier with warp correction function |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220112819A (en) * | 2019-12-13 | 2022-08-11 | 산둥 차이쥐 일렉트로닉 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | Chip detection device, chip detection system and control method |
KR20210097535A (en) | 2020-01-30 | 2021-08-09 | 삼성전자주식회사 | wafer chuck |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06132387A (en) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Vacuum suction stage |
JP2005056909A (en) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for sucking and fixing semiconductor wafer |
JP2007281053A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Miraial Kk | Thin plate housing container |
JP2013214676A (en) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Tokyo Electron Ltd | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium |
JP2014013802A (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor test jig and semiconductor test method using the same |
JP2015026765A (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Probe device |
-
2015
- 2015-07-16 JP JP2015141728A patent/JP6440587B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06132387A (en) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Vacuum suction stage |
JP2005056909A (en) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for sucking and fixing semiconductor wafer |
JP2007281053A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Miraial Kk | Thin plate housing container |
JP2013214676A (en) * | 2012-04-04 | 2013-10-17 | Tokyo Electron Ltd | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium |
JP2014013802A (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor test jig and semiconductor test method using the same |
JP2015026765A (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Probe device |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020155519A (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | Spin chuck of substrate processing apparatus |
JP7248465B2 (en) | 2019-03-19 | 2023-03-29 | 株式会社Screenホールディングス | Spin chuck for substrate processing equipment |
CN110672344A (en) * | 2019-09-29 | 2020-01-10 | 覃柳思 | Multifunctional instrument test board |
JP2022039342A (en) * | 2020-08-28 | 2022-03-10 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TWI808450B (en) * | 2020-08-28 | 2023-07-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN112379238A (en) * | 2020-10-14 | 2021-02-19 | 安徽科技学院 | Simulation system for TFET device research |
CN112379238B (en) * | 2020-10-14 | 2023-07-28 | 安徽科技学院 | Simulation system for TFET device research |
US20220244292A1 (en) * | 2021-02-01 | 2022-08-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor test apparatus and semiconductor test method |
US12007414B2 (en) * | 2021-02-01 | 2024-06-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor test apparatus and semiconductor test method |
CN115083988A (en) * | 2022-07-12 | 2022-09-20 | 法特迪精密科技(苏州)有限公司 | Wafer adsorption platform facing probe platform and reducing ring groove and rotating ring groove thereof |
CN116487314A (en) * | 2023-06-21 | 2023-07-25 | 上海新创达半导体设备技术有限公司 | Wafer carrier with warp correction function |
CN116487314B (en) * | 2023-06-21 | 2023-09-01 | 上海新创达半导体设备技术有限公司 | Wafer carrier with warp correction function |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6440587B2 (en) | 2018-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6440587B2 (en) | Suction plate, semiconductor device test apparatus, and semiconductor device test method | |
JP6099347B2 (en) | Wafer mounting method and wafer inspection apparatus | |
JP5943742B2 (en) | Semiconductor test jig and semiconductor test method using the same | |
JP2008101944A (en) | Supporting member for inspection, inspection device and inspection method | |
TWI403724B (en) | Inspection contact structure | |
JP2007178132A (en) | Semiconductor inspection system and semiconductor inspection method | |
WO2008013273A1 (en) | Socket for inspection | |
JP2016095141A (en) | Inspection unit for semiconductor device | |
JP6407128B2 (en) | Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation method | |
TW201349383A (en) | Wafer holding fixture | |
JP2016095272A (en) | Semiconductor evaluation device, semiconductor evaluation method and test jig | |
JP5872391B2 (en) | Electronic component testing equipment | |
JP2006120827A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2013148500A (en) | Electronic component characteristic measuring jig | |
JP2016197689A (en) | Semiconductor testing jig, and method of testing semiconductor device | |
US9739828B2 (en) | Probe device | |
CN210006696U (en) | Wafer test bearing platform | |
JP2018119868A (en) | Electrical characteristic measurement device for power semiconductor chip and electrical characteristic measurement method | |
KR101152889B1 (en) | Supporting device for semiconductor package | |
TW201702619A (en) | Lost motion gasket for semiconductor test, and associated systems and methods | |
JP2009193710A (en) | Anisotropic connector, and apparatus for inspecting circuit device using the same | |
JP2016211977A (en) | Semiconductor chip test device and test method | |
JP6680176B2 (en) | Evaluation apparatus and semiconductor chip evaluation method | |
JP2002328149A (en) | Ic socket | |
JP2014165451A (en) | Collet, and apparatus and method for conveying chip component |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6440587 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |