JP6680176B2 - Evaluation apparatus and semiconductor chip evaluation method - Google Patents

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Description

本発明は、評価装置および半導体チップの評価方法に関する。   The present invention relates to an evaluation device and a semiconductor chip evaluation method.

半導体ウエハの電気特性を評価する際、真空吸着により半導体ウエハの設置面を、チャックステージの表面に固定する。この状態で、半導体ウエハの非設置面に電気信号の入出力を行うためのコンタクトプローブを接触させて評価を行う。従来、コンタクトプローブの多ピン化が実施され、大電流、高電圧印加の要求に応えている。   When evaluating the electrical characteristics of a semiconductor wafer, the mounting surface of the semiconductor wafer is fixed to the surface of the chuck stage by vacuum suction. In this state, a contact probe for inputting and outputting an electric signal is brought into contact with the non-installed surface of the semiconductor wafer for evaluation. Conventionally, the contact probe has been increased in number of pins to meet the demand for application of large current and high voltage.

特開昭61−127146号公報Japanese Patent Laid-Open No. 61-127146

大電流および大電圧の印加を伴った評価では、部分放電現象等によって、被測定物に破損または不具合が生じる場合がある。半導体ウエハに破損または不具合が生じると、半導体ウエハに形成された個々の半導体チップは、その後の工程では使用できない。また、評価中に半導体ウエハが破損した場合、チャックステージの表面に荒れが生じることがある。また、破損した半導体ウエハの一部がチャックステージの表面に密着または埋め込まれることがある。チャックステージ表面の不具合は、半導体ウエハとチャックステージの密着性を低下させる。また、チャックステージ表面の不具合は、半導体ウエハに傷または欠け等のダメージを与える場合がある。このとき、評価の精度および歩留まりが低下する可能性がある。このため、チャックステージの表面を適切に保護することは重要である。   In the evaluation involving application of a large current and a large voltage, the object to be measured may be damaged or defective due to a partial discharge phenomenon or the like. When the semiconductor wafer is damaged or defective, the individual semiconductor chips formed on the semiconductor wafer cannot be used in the subsequent steps. If the semiconductor wafer is damaged during the evaluation, the surface of the chuck stage may be roughened. In addition, a part of the damaged semiconductor wafer may adhere to or be embedded in the surface of the chuck stage. Defects on the chuck stage surface reduce the adhesion between the semiconductor wafer and the chuck stage. Further, a defect on the surface of the chuck stage may cause damage such as scratches or chips on the semiconductor wafer. At this time, the evaluation accuracy and the yield may be reduced. Therefore, it is important to properly protect the surface of the chuck stage.

特許文献1には、半導体ウエハから個片化された半導体チップを半導体ウエハのオートプローバーを用いて検査できる故障解析用治具が開示されている。この方法によれば、チャックステージの表面には故障解析用治具が設けられる。故障解析用治具に半導体チップが配置された状態で、半導体チップの評価が実施される。このため、評価時にチャックステージの表面が保護される。また、半導体チップを一括してハンドリングできるので、作業性が改善される。   Patent Document 1 discloses a failure analysis jig capable of inspecting semiconductor chips separated from a semiconductor wafer by using an auto-prober for the semiconductor wafer. According to this method, a failure analysis jig is provided on the surface of the chuck stage. The semiconductor chip is evaluated in a state where the semiconductor chip is placed on the failure analysis jig. Therefore, the surface of the chuck stage is protected during evaluation. Further, since the semiconductor chips can be handled collectively, workability is improved.

ここで、特許文献1には、温度を可変にした評価方法については開示されていない。また、特許文献1に開示された故障解析用治具は、表面および側面からの放熱のために半導体チップの温度を効率よく、精度よく変化させることが難しい可能性がある。また、半導体チップの温度を安定させ、一定の温度を維持する評価が難しい場合がある。さらに、特許文献1の故障解析用治具は、治具下面の1箇所に真空ポンプを接続して真空チャックする構造である。このため、半導体ウエハ用のチャックステージを流用し難い。   Here, Patent Document 1 does not disclose an evaluation method in which the temperature is variable. Further, in the failure analysis jig disclosed in Patent Document 1, it may be difficult to efficiently and accurately change the temperature of the semiconductor chip due to heat radiation from the front surface and the side surface. Further, it may be difficult to evaluate the temperature of the semiconductor chip to be stable and maintain a constant temperature. Further, the failure analysis jig of Patent Document 1 has a structure in which a vacuum pump is connected to one location on the lower surface of the jig to perform vacuum chucking. Therefore, it is difficult to divert the chuck stage for semiconductor wafers.

本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、半導体チップの温度を安定させ易い評価装置および半導体チップの評価方法を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain an evaluation device and a semiconductor chip evaluation method that easily stabilize the temperature of a semiconductor chip.

本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、第1面と該第1面と反対の面であり該ステージに対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備え、該断熱部は、少なくとも該複数の第1凹部のうち隣接する一対の第1凹部の間に設けられる。
本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、第1面と、該第1面と反対の面であり該ステージに対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備え、該試験治具の該第1面に第2凹部が形成されることで、該試験治具と該断熱部に囲まれた第1断熱空間が設けられる。
本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、第1面と、該第1面と反対の面であり該ステージに対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備え、該断熱部の該試験治具と接する面に第3凹部が形成されることで、該試験治具と該断熱部に囲まれた第2断熱空間が設けられる。
本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、第1面と、該第1面と反対の面であり該ステージに対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備え、該断熱部は、該複数の第1凹部の少なくとも1つを覆う遮蔽部を備える。
本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、第1面と、該第1面と反対の面であり該ステージに対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備え、該断熱部は、複数の部分に分割され、該複数の部分の少なくとも1つは、該複数の第1凹部の少なくとも1つを覆う遮蔽部である。
本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、第1面と、該第1面と反対の面であり該ステージに対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備え、該真空吸着機構は、複数の該貫通孔の間を連結する吸着溝を備え、該吸着溝は、分断壁によって複数の領域に分断されている。
本発明に係る評価装置は、真空吸着機構を備えたステージと、第1面と、該第1面と反対の面であり該ステージに対向する第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、該試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、該複数のプローブに電流を供給する評価部と、該第1面に設けられ、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、を備え、該断熱部の上に、該試験治具よりも熱伝導率が低い積層断熱部を備え、該積層断熱部の該断熱部と接する面に第4凹部が形成されることで、該断熱部と該積層断熱部に囲まれた第3断熱空間が設けられる。
Evaluation apparatus according to the present invention, a stage having a vacuum suction mechanism, a first surface is a surface opposite to the first surface and a second surface opposite to the stage, the first surface Is a test jig in which a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips are formed, and a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface is formed, and an upper portion of the test jig. a plurality of probes provided on, comprising a plurality of evaluation unit supplies a current to the probe, provided on said first surface, and a low thermal conductivity insulating section than the test fixture, the heat insulation parts are Ru provided between the pair of first recesses adjacent one of the first recess at least plurality of.
The evaluation apparatus according to the present invention has a stage having a vacuum suction mechanism, a first surface, and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, and the first surface is provided on the first surface. Is a test jig in which a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips are formed, and a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface is formed, and an upper portion of the test jig. And a plurality of probes provided on the first surface, an evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes, and a heat insulating unit that is provided on the first surface and has a thermal conductivity lower than that of the test jig. By forming the second concave portion on the first surface of the jig, a first heat insulating space surrounded by the test jig and the heat insulating portion is provided.
The evaluation apparatus according to the present invention has a stage having a vacuum suction mechanism, a first surface, and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, and the first surface is provided on the first surface. Is a test jig in which a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips are formed, and a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface is formed, and an upper portion of the test jig. A plurality of probes provided on the first surface, an evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes, and a heat insulating unit that is provided on the first surface and has a thermal conductivity lower than that of the test jig. By forming the third concave portion on the surface of the portion that contacts the test jig, the second heat insulating space surrounded by the test jig and the heat insulating portion is provided.
The evaluation apparatus according to the present invention has a stage having a vacuum suction mechanism, a first surface, and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, and the first surface is provided on the first surface. Is a test jig in which a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips are formed, and a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface is formed, and an upper portion of the test jig. A plurality of probes provided on the first surface, an evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes, and a heat insulating unit that is provided on the first surface and has a thermal conductivity lower than that of the test jig. The part includes a shielding part that covers at least one of the plurality of first recesses.
An evaluation apparatus according to the present invention has a stage having a vacuum suction mechanism, a first surface, and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, and the first surface is provided on the first surface. Is a test jig in which a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips are formed, and a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface is formed, and an upper portion of the test jig. A plurality of probes provided on the first surface, an evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes, and a heat insulating unit that is provided on the first surface and has a thermal conductivity lower than that of the test jig. The part is divided into a plurality of parts, and at least one of the plurality of parts is a shielding part that covers at least one of the plurality of first recesses.
The evaluation apparatus according to the present invention has a stage having a vacuum suction mechanism, a first surface, and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, and the first surface is provided on the first surface. Is a test jig in which a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips are formed, and a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface is formed, and an upper portion of the test jig. A plurality of probes provided on the first surface, an evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes, and a heat insulating unit that is provided on the first surface and has a thermal conductivity lower than that of the test jig. The suction mechanism includes a suction groove that connects the plurality of through-holes, and the suction groove is divided into a plurality of regions by a dividing wall.
The evaluation apparatus according to the present invention has a stage having a vacuum suction mechanism, a first surface, and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, and the first surface is provided on the first surface. Is a test jig in which a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips are formed, and a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface is formed, and an upper portion of the test jig. A plurality of probes provided on the first surface, an evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes, and a heat insulating unit that is provided on the first surface and has a thermal conductivity lower than that of the test jig. A heat insulating part having a lower thermal conductivity than the test jig, and a fourth recess is formed on a surface of the heat insulating part in contact with the heat insulating part. A third heat insulating space surrounded by the heat insulating portion is provided.

本発明に係る半導体チップの評価方法は、第1面と、該第1面と反対の面である第2面とを有し、該第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、該複数の第1凹部の各々の底面から該第2面に至る貫通孔が形成された試験治具の該第1面に、該試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部を設ける工程と、該複数の第1凹部の少なくとも1つの該貫通孔の上に半導体チップを配置する工程と、真空吸着機構を備えたステージの上に、該ステージと該第2面が対向するように該半導体チップを収納した該試験治具を配置する工程と、該真空吸着機構によって該貫通孔から該半導体チップを吸着する吸着工程と、該吸着工程よりも後に、該半導体チップの温度を変化させる温度工程と、該吸着工程よりも後に、該断熱部が設けられた該試験治具の上部からプローブを該半導体チップに接触させる工程と、該温度工程よりも後に、該プローブと該半導体チップが接触した状態で、該プローブに電流を供給する工程と、を備え、該断熱部は、少なくとも該複数の第1凹部のうち隣接する一対の第1凹部の間に設けられる。
A method for evaluating a semiconductor chip according to the present invention has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the first surface has a first recess capable of accommodating a semiconductor chip. A plurality of heat insulating layers having a lower thermal conductivity than that of the test jig on the first surface of the test jig in which through holes extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface are formed. A step of providing a portion, a step of arranging a semiconductor chip on at least one of the through holes of the plurality of first recesses, and a stage provided with a vacuum suction mechanism so that the stage and the second surface face each other. So as to arrange the test jig containing the semiconductor chip, an adsorption step of adsorbing the semiconductor chip from the through hole by the vacuum adsorption mechanism, and a temperature of the semiconductor chip after the adsorption step. The heat insulating section is provided after the temperature step of changing the temperature and the adsorption step. Comprising contacting a probe from the top of the test fixture to the semiconductor chip, later than said temperature step, in a state in which the probe and the semiconductor chip are in contact, and supplying a current to the probe, and the heat insulating unit, Ru provided between the pair of first recesses adjacent one of the first recess at least plurality of.

本発明に係る評価装置は、試験治具の第1面に試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部が設けられる。このため、試験治具からの放熱が抑制され、半導体チップの温度を安定させ易い。   In the evaluation device according to the present invention, a heat insulating portion having a lower thermal conductivity than that of the test jig is provided on the first surface of the test jig. Therefore, heat radiation from the test jig is suppressed, and the temperature of the semiconductor chip is easily stabilized.

本発明に係る半導体チップの評価方法は、試験治具の第1面に試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部を設ける工程を備える。このため、試験治具からの放熱が抑制され、半導体チップの温度を安定させ易い。   The semiconductor chip evaluation method according to the present invention includes a step of providing a heat insulating portion having a lower thermal conductivity than that of the test jig on the first surface of the test jig. Therefore, heat radiation from the test jig is suppressed, and the temperature of the semiconductor chip is easily stabilized.

実施の形態1に係る評価装置の正面図である。FIG. 3 is a front view of the evaluation device according to the first embodiment. 実施の形態1に係る試験治具および断熱部の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a test jig and a heat insulating unit according to the first embodiment. 実施の形態1に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating unit according to the first embodiment. 実施の形態1に係る第1凹部の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a first recess according to the first embodiment. 実施の形態1に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating unit according to the first embodiment. 実施の形態1に係るプローブを説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a probe according to the first embodiment. 実施の形態1の第1の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a first modified example of the first embodiment. 実施の形態1の第2の変形例に係る試験治具のy軸に垂直な断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view perpendicular to the y-axis of a test jig according to a second modified example of the first embodiment. 実施の形態1の第2の変形例に係る試験治具のx軸に垂直な断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view perpendicular to the x axis of a test jig according to a second modification of the first embodiment. 実施の形態1の第3の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a third modification of the first embodiment. 実施の形態1の第4の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a fourth modification of the first embodiment. 実施の形態1の第5の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a fifth modified example of the first embodiment. 実施の形態2に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating unit according to the second embodiment. 実施の形態3に係る試験治具および断熱部の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a test jig and a heat insulating portion according to the third embodiment. 実施の形態3に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to the third embodiment. 実施の形態3に係るステージの平面図である。FIG. 11 is a plan view of a stage according to the third embodiment. 実施の形態3の第1の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a first modification of the third embodiment. 実施の形態3の第2の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a second modification of the third embodiment. 実施の形態4に係る試験治具および断熱部の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a test jig and a heat insulating portion according to the fourth embodiment. 実施の形態4に係る試験治具および断熱部のy軸に垂直な断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view perpendicular to the y axis of a test jig and a heat insulating unit according to the fourth embodiment. 実施の形態4に係る試験治具および断熱部のx軸に垂直な断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view perpendicular to the x axis of a test jig and a heat insulating unit according to the fourth embodiment. 実施の形態5に係る試験治具および断熱部の断面図である。It is sectional drawing of the test jig and heat insulation part which concern on Embodiment 5. 実施の形態5に係る試験治具および断熱部の正面図である。FIG. 11 is a front view of a test jig and a heat insulating unit according to a fifth embodiment.

本発明の実施の形態に係る評価装置および半導体チップの評価方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。   An evaluation device and a semiconductor chip evaluation method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and repeated description may be omitted.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係る評価装置の正面図である。本実施の形態に係る評価装置1は、ステージ3を備える。ステージ3は、真空吸着機構を備えたチャックステージである。ステージ3の上には、試験治具7が設けられる。ステージ3は試験治具7を固定する台座である。真空吸着機構によって、試験治具7はステージ3に固定される。試験治具7には、評価対象である半導体チップが収納されている。試験治具7の上部には、複数のプローブ10が設けられる。複数のプローブ10は、絶縁板16に接続されている。絶縁板16には、接続部8Aを介して信号線6Aの一端が接続される。信号線6Aの他端は、評価部4に接続される。
Embodiment 1.
FIG. 1 is a front view of the evaluation device according to the first embodiment. The evaluation device 1 according to the present embodiment includes a stage 3. The stage 3 is a chuck stage equipped with a vacuum suction mechanism. A test jig 7 is provided on the stage 3. The stage 3 is a pedestal for fixing the test jig 7. The test jig 7 is fixed to the stage 3 by the vacuum suction mechanism. The test jig 7 accommodates semiconductor chips to be evaluated. A plurality of probes 10 are provided on the test jig 7. The plurality of probes 10 are connected to the insulating plate 16. One end of the signal line 6A is connected to the insulating plate 16 via the connecting portion 8A. The other end of the signal line 6A is connected to the evaluation unit 4.

評価部4は、複数のプローブ10に電流を供給する。評価部4は半導体チップに流す電流を制御する制御部を備える。評価部4は、プローブ10を介し半導体チップに電流を流し、半導体チップの電気特性を測定する。ステージ3の上面はめっきされた状態であり、導電性を有する。ステージ3の上面は電極となる。この電極はステージ3の側面に設けられた接続部8Bを介し、信号線6Bの一端に接続される。信号線6Bの他端は、評価部4に接続される。   The evaluation unit 4 supplies a current to the plurality of probes 10. The evaluation unit 4 includes a control unit that controls the current passed through the semiconductor chip. The evaluation unit 4 applies a current to the semiconductor chip via the probe 10 and measures the electrical characteristics of the semiconductor chip. The upper surface of the stage 3 is in a plated state and has conductivity. The upper surface of the stage 3 becomes an electrode. This electrode is connected to one end of the signal line 6B via a connecting portion 8B provided on the side surface of the stage 3. The other end of the signal line 6B is connected to the evaluation unit 4.

プローブ10は、大電流を印加することを想定している。ここで大電流は、例えば5A以上の電流である。半導体チップに大電流を流すために、プローブ10は、各々の半導体チップに対して複数設けられている。各々のプローブ10と信号線6Aは、例えば絶縁板16上に設けられた金属板および接続部8Aを介して接続される。   The probe 10 is supposed to apply a large current. Here, the large current is, for example, a current of 5 A or more. A plurality of probes 10 are provided for each semiconductor chip in order to pass a large current through the semiconductor chip. Each probe 10 and the signal line 6A are connected, for example, via a metal plate provided on the insulating plate 16 and the connecting portion 8A.

ここで、接続部8Aと接続部8Bとの間の配線距離は、どのプローブ10を介しても同じになるように設定されている。これにより、各々のプローブ10を流れる電流密度を一致させることが出来る。プローブ10から接続部8Aまでの配線距離と、プローブ10から接続部8Bまでの配線距離は等しいことが望ましい。   Here, the wiring distance between the connection portion 8A and the connection portion 8B is set to be the same regardless of which probe 10 is used. This makes it possible to match the current densities flowing through the respective probes 10. It is desirable that the wiring distance from the probe 10 to the connecting portion 8A is equal to the wiring distance from the probe 10 to the connecting portion 8B.

プローブ10、絶縁板16、接続部8Aを備えるプローブ基体2は、移動アーム9により任意の方向へ移動できる。本実施の形態では、1つの移動アーム9によってプローブ基体2を保持する構成とした。これに対し、複数の移動アーム9でプローブ基体2を保持してもよい。これにより、プローブ基体2を安定して保持できる。また、別途設けた移動機構を用いて、ステージ3および試験治具7を移動させてもよい。   The probe base body 2 including the probe 10, the insulating plate 16, and the connecting portion 8A can be moved in any direction by the moving arm 9. In this embodiment, one moving arm 9 holds the probe base body 2. On the other hand, the probe base body 2 may be held by a plurality of moving arms 9. Thereby, the probe base 2 can be stably held. Alternatively, the stage 3 and the test jig 7 may be moved by using a moving mechanism provided separately.

ステージ3は、内部に図示しない温度可変機構を備える。温度可変機構は、試験治具7に収納された半導体チップの温度を変更する。温度可変機構は例えばヒーターを備える。また、評価装置1はウエハ搬送機構17を備える。ウエハ搬送機構17は、半導体ウエハをハンドリングするための機構である。   The stage 3 includes a temperature varying mechanism (not shown) inside. The temperature varying mechanism changes the temperature of the semiconductor chip housed in the test jig 7. The temperature variable mechanism includes, for example, a heater. The evaluation device 1 also includes a wafer transfer mechanism 17. The wafer transfer mechanism 17 is a mechanism for handling a semiconductor wafer.

図2は、実施の形態1に係る試験治具および断熱部の平面図である。図2は、半導体チップが試験治具7に収納されていない状態を示す図である。試験治具7の上には、断熱部26が設けられている。断熱部26は、試験治具7よりも熱伝導率が低い。試験治具7は円形である。また、試験治具7は一般的な半導体ウエハと同形状である。また、断熱部26は、試験治具7と同じ径を有する円形である。   FIG. 2 is a plan view of the test jig and the heat insulating unit according to the first embodiment. FIG. 2 is a diagram showing a state in which the semiconductor chip is not stored in the test jig 7. A heat insulating portion 26 is provided on the test jig 7. The heat insulating section 26 has a lower thermal conductivity than the test jig 7. The test jig 7 is circular. The test jig 7 has the same shape as a general semiconductor wafer. Further, the heat insulating portion 26 is a circle having the same diameter as the test jig 7.

図3は、実施の形態1に係る試験治具および断熱部の断面図である。図3は、図2に示す試験治具7および断熱部26をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。試験治具7は、第1面71と、第1面71と反対の面である第2面72を有する。第2面72はステージ3に対向する面である。試験治具7は、第2面72とステージ3の上面が接するように、ステージ3に設置される。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the test jig and the heat insulating unit according to the first embodiment. FIG. 3 is a sectional view obtained by cutting the test jig 7 and the heat insulating section 26 shown in FIG. 2 along the line I-II. The test jig 7 has a first surface 71 and a second surface 72 which is a surface opposite to the first surface 71. The second surface 72 is a surface facing the stage 3. The test jig 7 is installed on the stage 3 so that the second surface 72 and the upper surface of the stage 3 are in contact with each other.

試験治具7の第1面71には、半導体チップを収納可能な第1凹部20が複数形成されている。複数の第1凹部20の各々の底面24には、貫通孔21が設けられている。貫通孔21は、底面24から第2面72に至る。また、試験治具7の第1面71には第2凹部27が形成されている。第2凹部27が形成されることで、試験治具7と断熱部26に囲まれた第1断熱空間81が設けられる。第1断熱空間81は空気層である。   A plurality of first recesses 20 capable of accommodating semiconductor chips are formed on the first surface 71 of the test jig 7. A through hole 21 is provided on the bottom surface 24 of each of the plurality of first recesses 20. The through hole 21 extends from the bottom surface 24 to the second surface 72. A second recess 27 is formed on the first surface 71 of the test jig 7. By forming the second concave portion 27, the first heat insulating space 81 surrounded by the test jig 7 and the heat insulating portion 26 is provided. The first heat insulating space 81 is an air layer.

試験治具7の第2面72の外周部には、枠部22が設けられる。ステージ3は半導体ウエハの設置および吸着のための装置である。半導体ウエハは一般に撓み易い。真空吸着されると、半導体ウエハは撓みを持ってステージ3に密着し固定される。これに対し、本実施の形態では、ステージ3に試験治具7を配置する。試験治具7は金属製の薄板である。金属製の薄板は半導体ウエハに比べて撓みが生じにくく、薄板の外周部において吸着漏れが生じる可能性がある。   A frame portion 22 is provided on the outer peripheral portion of the second surface 72 of the test jig 7. The stage 3 is a device for placing and picking up a semiconductor wafer. Semiconductor wafers are generally flexible. When the semiconductor wafer is vacuum-sucked, the semiconductor wafer is flexibly attached to the stage 3 so as to be fixed thereto. On the other hand, in the present embodiment, the test jig 7 is arranged on the stage 3. The test jig 7 is a thin metal plate. A metal thin plate is less likely to bend than a semiconductor wafer, and adsorption leakage may occur at the outer peripheral portion of the thin plate.

枠部22は、試験治具7とステージ3との間の吸着漏れを防ぐために設けられる。枠部22は柔軟性を有する。また、枠部22は薄厚の素材である。枠部22は、例えばテフロン(登録商標)等のシールテープ材が望ましいが、これに限るものではない。   The frame portion 22 is provided to prevent suction leakage between the test jig 7 and the stage 3. The frame portion 22 has flexibility. The frame 22 is a thin material. The frame 22 is preferably a sealing tape material such as Teflon (registered trademark), but is not limited to this.

次に、断熱部26について説明する。試験治具7の第1面71には、断熱部26が設けられている。断熱部26には、複数の第1凹部の各々の上部に開口80が形成されている。開口80は、第1凹部20と重なる位置に設けられる。開口80の幅は、第1凹部20の幅と同じである。このとき、第1凹部20の全体が、開口80から露出する。また、開口80の幅は、第1凹部20の幅以上としてもよい。   Next, the heat insulating unit 26 will be described. The heat insulating portion 26 is provided on the first surface 71 of the test jig 7. An opening 80 is formed in each of the plurality of first recesses in the heat insulating portion 26. The opening 80 is provided at a position overlapping the first recess 20. The width of the opening 80 is the same as the width of the first recess 20. At this time, the entire first recess 20 is exposed from the opening 80. The width of the opening 80 may be equal to or larger than the width of the first recess 20.

評価装置1は着脱部を備える。着脱部は、試験治具7と断熱部26を固定する。本実施の形態では、着脱部は第2凸部32を備える。第2凸部32は試験治具7の第1面71に形成される。断熱部26の試験治具7と接する面には、穴部82が形成される。第2凸部32は、穴部82と嵌合する。図2に示すように、着脱部は試験治具7および断熱部26の外周部に2箇所設けられる。   The evaluation device 1 includes a detachable unit. The attachment / detachment portion fixes the test jig 7 and the heat insulating portion 26. In the present embodiment, the attachment / detachment portion includes the second convex portion 32. The second convex portion 32 is formed on the first surface 71 of the test jig 7. A hole 82 is formed on the surface of the heat insulating portion 26 that contacts the test jig 7. The second protrusion 32 fits into the hole 82. As shown in FIG. 2, two attachment / detachment portions are provided on the outer peripheral portion of the test jig 7 and the heat insulating portion 26.

着脱部により、断熱部26と試験治具7は着脱可能となる。試験治具7に設けた第2凸部32は、試験治具7の製造工程において切削加工等で設けてもよい。着脱部の構造はこれに限るものではない。試験治具7にねじ穴を設け、第2凸部32をねじ加工が設けられた部品とし、ねじで第2凸部32を試験治具7に固定しても良い。この場合、試験治具7の製造時間を短縮できる。   The heat insulating unit 26 and the test jig 7 can be attached and detached by the attaching and detaching unit. The second convex portion 32 provided on the test jig 7 may be provided by cutting or the like in the manufacturing process of the test jig 7. The structure of the attachment / detachment portion is not limited to this. The test jig 7 may be provided with a screw hole, the second convex portion 32 may be a component provided with a screw, and the second convex portion 32 may be fixed to the test jig 7 with a screw. In this case, the manufacturing time of the test jig 7 can be shortened.

また、着脱部の変形例として、穴部82が試験治具7の第1面71に形成され、第2凸部32が断熱部26の試験治具7と接する面に形成されても良い。本実施の形態では、第1凹部20および第2凸部32を除く第1面71の全体が断熱部26に覆われている。   As a modified example of the attachment / detachment portion, the hole portion 82 may be formed on the first surface 71 of the test jig 7, and the second convex portion 32 may be formed on the surface of the heat insulating portion 26 in contact with the test jig 7. In the present embodiment, the entire first surface 71 excluding the first concave portion 20 and the second convex portion 32 is covered with the heat insulating portion 26.

図4は、実施の形態1に係る第1凹部の平面図である。貫通孔21は、底面24の中央からずれた位置に形成される。図5は、図4をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。なお、図5は半導体チップ5を第1凹部20に設置した状態を示す。   FIG. 4 is a plan view of the first recess according to the first embodiment. The through hole 21 is formed at a position displaced from the center of the bottom surface 24. FIG. 5 is a cross-sectional view obtained by cutting FIG. 4 along the line III-IV. Note that FIG. 5 shows a state in which the semiconductor chip 5 is installed in the first recess 20.

第1凹部20はザグリ部である。第1凹部20は底面24と側壁25から構成される。第1凹部20の底面24には、半導体チップ5が位置決めして設置される。底面24は、洗浄または研磨工程を実施し、フラットな面を確保することが望ましい。これにより、バリおよび突起の発生が抑制され、半導体チップ5の設置面へのダメージを防止できる。   The first recess 20 is a counterbore. The first recess 20 is composed of a bottom surface 24 and a side wall 25. The semiconductor chip 5 is positioned and installed on the bottom surface 24 of the first recess 20. The bottom surface 24 is preferably cleaned or polished to ensure a flat surface. As a result, the occurrence of burrs and protrusions is suppressed, and damage to the installation surface of the semiconductor chip 5 can be prevented.

本実施の形態では、半導体チップ5は縦型構造の半導体装置である。縦型構造の半導体装置は、チップの縦方向に電流が流れる。つまり、チップの接続パッドと裏面電極との間に電流が流れる。評価時には、半導体チップ5の接続パッドとプローブ10が接触する。また、試験治具7を介して半導体チップ5の裏面電極と電極であるステージ3の上面とが接触する。   In the present embodiment, the semiconductor chip 5 is a semiconductor device having a vertical structure. In a semiconductor device having a vertical structure, a current flows in the vertical direction of the chip. That is, a current flows between the connection pad of the chip and the back surface electrode. At the time of evaluation, the connection pad of the semiconductor chip 5 and the probe 10 come into contact with each other. Further, the back surface electrode of the semiconductor chip 5 and the upper surface of the stage 3, which is an electrode, are in contact with each other via the test jig 7.

被測定物である半導体チップ5は、第1凹部20の貫通孔21の上に配置される。ステージ3の表面に設けられた真空吸着機構と、貫通孔21が通じることで、貫通孔21を介して半導体チップ5が吸着される。この結果、半導体チップ5は底面24に密着し、固定される。また、試験治具7とステージ3の表面が密着する。半導体チップ5と底面24が密着することで、半導体チップ5とステージ3との間の電気抵抗成分を抑制できる。このため、測定精度を向上できる。   The semiconductor chip 5, which is the object to be measured, is arranged on the through hole 21 of the first recess 20. The vacuum suction mechanism provided on the surface of the stage 3 communicates with the through hole 21, so that the semiconductor chip 5 is sucked through the through hole 21. As a result, the semiconductor chip 5 comes into close contact with the bottom surface 24 and is fixed. Further, the test jig 7 and the surface of the stage 3 are in close contact with each other. Since the semiconductor chip 5 and the bottom surface 24 are in close contact with each other, the electric resistance component between the semiconductor chip 5 and the stage 3 can be suppressed. Therefore, the measurement accuracy can be improved.

本実施の形態では、貫通孔21は底面24の角のうち1つに近接した位置に形成される。半導体チップ5は、底面24の4つの角のうち、貫通孔21に近接した角に寄せて配置される。これにより、第1凹部20の寸法より小さな半導体チップ5を真空吸着することが可能となる。従って、試験治具7を様々な大きさの半導体チップ5の評価に使用できる。   In the present embodiment, through hole 21 is formed at a position close to one of the corners of bottom surface 24. The semiconductor chip 5 is arranged close to the corner close to the through hole 21 among the four corners of the bottom surface 24. As a result, the semiconductor chip 5 smaller than the size of the first recess 20 can be vacuum-sucked. Therefore, the test jig 7 can be used to evaluate the semiconductor chips 5 of various sizes.

第1凹部20には、底面24の外周部に溝部23が形成されている。半導体ウエハから個片化した半導体チップ5は、端部およびその近傍に異物が付着することが多い。溝部23は異物を収めるための部位である。これにより、半導体チップ5の設置面と底面24との間に異物が入り込む事を防止できる。従って、異物に起因したチップの破損および電気的特性の精度悪化といった異物による不良および不具合を低減できる。   A groove 23 is formed on the outer periphery of the bottom surface 24 of the first recess 20. In the semiconductor chip 5 diced from a semiconductor wafer, foreign substances are often attached to the edges and the vicinity thereof. The groove portion 23 is a portion for accommodating a foreign matter. This can prevent foreign matter from entering between the installation surface of the semiconductor chip 5 and the bottom surface 24. Therefore, it is possible to reduce defects and defects due to the foreign matter such as damage to the chip due to the foreign matter and deterioration of accuracy of electrical characteristics.

また、側壁25は底面24に対して垂直な方向から傾斜している。これにより、傾斜した側壁25をガイドとして、側壁25の表面を滑らすように、半導体チップ5を設置できる。従って、半導体チップ5の設置が容易になる。また、半導体チップ5を第1凹部20に設置する際に、半導体チップ5が受ける衝撃を低減できる。このため、特に半導体チップ5が薄厚の場合に、半導体チップ5の破損を防止できる。   Moreover, the side wall 25 is inclined from the direction perpendicular to the bottom surface 24. As a result, the semiconductor chip 5 can be installed so as to slide the surface of the side wall 25 using the inclined side wall 25 as a guide. Therefore, the semiconductor chip 5 can be easily installed. In addition, when the semiconductor chip 5 is installed in the first recess 20, the impact that the semiconductor chip 5 receives can be reduced. Therefore, damage to the semiconductor chip 5 can be prevented especially when the semiconductor chip 5 is thin.

貫通孔21は、試験治具7の第2面72に近づくほど断面積が大きくなるテーパー構造を有する。貫通孔21は、ステージ3の真空吸着機構と接続される。第2面72側で貫通孔21の断面積が大きいことにより、真空吸着機構との位置合わせが容易になる。また、貫通孔21の上部において、プローブ10が半導体チップ5と接触すると、半導体チップ5が破損する可能性がある。本実施の形態では、底面24側で貫通孔21の断面積が小さい。このため、プローブ10の先端と貫通孔21の位置が一致する可能性を低減できる。従って、半導体チップ5の破損の可能性を低減できる。   The through hole 21 has a tapered structure in which the cross-sectional area increases as it approaches the second surface 72 of the test jig 7. The through hole 21 is connected to the vacuum suction mechanism of the stage 3. The large cross-sectional area of the through-hole 21 on the second surface 72 side facilitates alignment with the vacuum suction mechanism. Further, if the probe 10 contacts the semiconductor chip 5 in the upper part of the through hole 21, the semiconductor chip 5 may be damaged. In the present embodiment, the cross-sectional area of the through hole 21 is small on the bottom surface 24 side. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the tip of the probe 10 and the position of the through hole 21 are aligned with each other. Therefore, the possibility of damage to the semiconductor chip 5 can be reduced.

本実施の形態では、縦型構造の半導体チップ5の評価を想定している。このため、半導体チップ5とステージ3間の電気的な導通が必要である。このため、試験治具7は、例えば銅またはアルミニウム等の金属材料にて作製される。これに対し、半導体チップ5は横型構造の半導体装置であっても良い。横型構造の半導体装置はチップの上面において電流の入出力を行う。この場合は、試験治具7に導電性は必要ない。このとき、試験治具7は樹脂材料等の絶縁材で形成されてもよい。   In the present embodiment, evaluation of the semiconductor chip 5 having a vertical structure is assumed. Therefore, electrical conduction between the semiconductor chip 5 and the stage 3 is necessary. Therefore, the test jig 7 is made of a metal material such as copper or aluminum. On the other hand, the semiconductor chip 5 may be a semiconductor device having a horizontal structure. A semiconductor device having a horizontal structure inputs and outputs current on the upper surface of the chip. In this case, the test jig 7 does not need conductivity. At this time, the test jig 7 may be formed of an insulating material such as a resin material.

試験治具7の製造方法を説明する。試験治具は、金属材料にザグリ加工を施し、第1凹部20を形成する。また、機械加工により貫通孔21を形成する。試験治具7が樹脂材料で形成される場合は、成形加工にて作製が可能である。   A method of manufacturing the test jig 7 will be described. In the test jig, a metal material is subjected to counterboring to form the first recess 20. Further, the through hole 21 is formed by machining. When the test jig 7 is made of a resin material, it can be manufactured by molding.

図6は、実施の形態1に係るプローブを説明する図である。プローブ10は、基体設置部14を備える。基体設置部14は絶縁板16に固定される。また、プローブ10は先端部12を備える。先端部12は、半導体チップ5の表面に設けられた接続パッド18と接触するコンタクト部11を備える。接続パッド18は、半導体チップ5の電極である。コンタクト部11は、接続パッド18と電気接続される。先端部12は押し込み部13の先端に取り付けられている。押し込み部13は、内部にスプリング等のばね部材が組み込まれている。ばね部材により、コンタクト部11と接続パッド18との接触時に、押し込み部13および先端部12は摺動が可能となる。   FIG. 6 is a diagram for explaining the probe according to the first embodiment. The probe 10 includes a base mounting portion 14. The base mounting portion 14 is fixed to the insulating plate 16. The probe 10 also includes a tip 12. The tip portion 12 includes a contact portion 11 that contacts a connection pad 18 provided on the surface of the semiconductor chip 5. The connection pad 18 is an electrode of the semiconductor chip 5. The contact portion 11 is electrically connected to the connection pad 18. The tip portion 12 is attached to the tip of the pushing portion 13. A spring member such as a spring is incorporated inside the pushing portion 13. The spring member enables the pushing portion 13 and the tip portion 12 to slide when the contact portion 11 and the connection pad 18 come into contact with each other.

先端部12には、電気接続部15が電気接続されている。電気接続部15は電流の外部への出力端および外部からの入力端となる。プローブ10は導電性を有する銅、タングステン、レニウムタングステン等の金属材料から形成される。プローブ10の材料はこれらに限るものではない。コンタクト部11は、導電性の向上および耐久性の向上等の観点から、金、パラジウム、タンタル、プラチナ等で表面を被覆されてもよい。   An electrical connection portion 15 is electrically connected to the tip portion 12. The electrical connection portion 15 serves as an output end of the current to the outside and an input end from the outside. The probe 10 is formed of a conductive metal material such as copper, tungsten, or rhenium tungsten. The material of the probe 10 is not limited to these. The surface of the contact portion 11 may be coated with gold, palladium, tantalum, platinum or the like from the viewpoint of improving conductivity and durability.

次に、プローブ10の動作を説明する。図6(A)の初期状態から、プローブ10をz軸に沿って接続パッド18に向けて下降させる。この結果、図6(B)に示すように接続パッド18とコンタクト部11が接触する。その後、さらにプローブ10を下降させると、図6(C)に示すように、押し込み部13が基体設置部14内にばね部材を介して押し込まれる。この結果、接続パッド18とプローブ10は強く接触する。これにより、接続パッド18とプローブ10の安定した接触が得られる。   Next, the operation of the probe 10 will be described. From the initial state of FIG. 6A, the probe 10 is lowered toward the connection pad 18 along the z axis. As a result, the connection pad 18 and the contact portion 11 come into contact with each other as shown in FIG. Then, when the probe 10 is further lowered, as shown in FIG. 6C, the pushing portion 13 is pushed into the base body mounting portion 14 via the spring member. As a result, the connection pad 18 and the probe 10 are in strong contact with each other. As a result, stable contact between the connection pad 18 and the probe 10 is obtained.

本実施の形態では、プローブ10はz軸方向に摺動性を有したスプリング式である。プローブ10は、これに限るものではなく、カンチレバー式のプローブであっても構わない。また、プローブ10は、積層プローブまたはワイヤープローブであっても構わない。積層プローブおよびワイヤープローブは、Z軸方向に摺動性を有する。   In the present embodiment, the probe 10 is of a spring type having slidability in the z-axis direction. The probe 10 is not limited to this, and may be a cantilever type probe. Further, the probe 10 may be a laminated probe or a wire probe. The laminated probe and the wire probe have slidability in the Z-axis direction.

次に、本実施の形態に係る半導体チップ5の評価方法について説明する。まず、第1凹部20に、半導体チップ5を収納する。ここで、半導体チップ5は、全ての第1凹部20に収納しなくても良い。半導体チップ5は複数の第1凹部20の少なくとも1つに収納されれば良い。   Next, a method for evaluating the semiconductor chip 5 according to this embodiment will be described. First, the semiconductor chip 5 is housed in the first recess 20. Here, the semiconductor chip 5 may not be housed in all the first recesses 20. The semiconductor chip 5 may be housed in at least one of the plurality of first recesses 20.

本実施の形態では、底面24の角に寄った位置に貫通孔21を設けた。半導体チップ5を第1凹部20に収納する際には、試験治具7を底面24の角のうち貫通孔21の近傍に位置する角の方向に傾ける。この状態で、貫通孔21側に半導体チップ5を寄せるように、第1凹部20に半導体チップ5を配置する。これにより、半導体チップ5が第1凹部20より小さい場合にも、貫通孔21の上に半導体チップ5を配置できる。   In this embodiment, the through hole 21 is provided at a position close to the corner of the bottom surface 24. When the semiconductor chip 5 is stored in the first recess 20, the test jig 7 is tilted in the direction of the corner of the bottom surface 24 that is located near the through hole 21. In this state, the semiconductor chip 5 is arranged in the first recess 20 so that the semiconductor chip 5 is brought closer to the through hole 21 side. Thereby, even when the semiconductor chip 5 is smaller than the first recess 20, the semiconductor chip 5 can be arranged on the through hole 21.

次に、試験治具7の第1面71に、断熱部26を取り付ける。ここで、半導体チップ5の配置前に、断熱部26を試験治具7に取り付けてもよい。具体的には、穴部82に第2凸部32を通して、両者を一体化させる。次に、ウエハ搬送機構17を用いて、試験治具7をステージ3の表面に設置する。試験治具7は、ステージ3と第2面72が対向するように配置される。このとき、貫通孔21とステージ3の真空吸着機構が接続される位置に試験治具7を配置する。   Next, the heat insulating section 26 is attached to the first surface 71 of the test jig 7. Here, the heat insulating portion 26 may be attached to the test jig 7 before the semiconductor chip 5 is arranged. Specifically, the second protrusion 32 is passed through the hole 82 to integrate the two. Next, the test jig 7 is set on the surface of the stage 3 using the wafer transfer mechanism 17. The test jig 7 is arranged so that the stage 3 and the second surface 72 face each other. At this time, the test jig 7 is arranged at a position where the through hole 21 and the vacuum suction mechanism of the stage 3 are connected.

次に、吸着工程を実施する。吸着工程では、真空吸着機構によって貫通孔21から半導体チップ5を吸着する。これにより、試験治具7および半導体チップ5は固定される。ここで、半導体チップ5が収納されていない第1凹部20は真空吸着しない。半導体チップ5を吸着する第1凹部20は、ステージ3側で選択するものとする。   Next, an adsorption process is performed. In the suction step, the semiconductor chip 5 is sucked from the through hole 21 by the vacuum suction mechanism. As a result, the test jig 7 and the semiconductor chip 5 are fixed. Here, the first recess 20 in which the semiconductor chip 5 is not housed is not vacuum-adsorbed. The first recess 20 for adsorbing the semiconductor chip 5 is selected on the stage 3 side.

次に、温度工程を実施する。温度工程では、ステージ3を評価温度に昇温する。これにより、半導体チップ5の温度を評価温度まで変化させる。ここで、昇温はステージ3が備える温度可変機構によって行う。また、半導体チップ5の温度を、外部の温度可変機構によって変化させても良い。また、温度可変機構は、半導体チップ5の温度を低下させるものとしても良い。   Next, a temperature process is implemented. In the temperature step, the stage 3 is heated to the evaluation temperature. As a result, the temperature of the semiconductor chip 5 is changed to the evaluation temperature. Here, the temperature is raised by the temperature varying mechanism provided in the stage 3. Further, the temperature of the semiconductor chip 5 may be changed by an external temperature changing mechanism. Further, the temperature varying mechanism may lower the temperature of the semiconductor chip 5.

次に、試験治具7の上部からプローブ10を下降させる。この結果、半導体チップ5の接続パッド18とプローブ10が接触する。この状態で、プローブ10に電流を供給し、電気特性の評価を実施する。評価終了後、プローブ10を接続パッド18から離す。次に、プローブ10を別の半導体チップ5の上部に移動させ、再び接続パッド18と接触するように、プローブ10を下降させる。   Next, the probe 10 is lowered from the upper part of the test jig 7. As a result, the connection pad 18 of the semiconductor chip 5 and the probe 10 come into contact with each other. In this state, a current is supplied to the probe 10 to evaluate the electric characteristics. After the evaluation is completed, the probe 10 is separated from the connection pad 18. Next, the probe 10 is moved to the upper part of another semiconductor chip 5, and the probe 10 is lowered so as to come into contact with the connection pad 18 again.

試験治具7に設置した全ての半導体チップ5の評価を終えた場合、ウエハ搬送機構17を用いて試験治具7をステージ3から取り外す。次に、次の評価対象である半導体チップ5を収納した別の試験治具7をステージ3に設置する。   When all the semiconductor chips 5 installed on the test jig 7 have been evaluated, the test jig 7 is removed from the stage 3 by using the wafer transfer mechanism 17. Next, another test jig 7 accommodating the semiconductor chip 5 to be evaluated next is placed on the stage 3.

本実施の形態に係る試験治具7の外形は、一般的な半導体ウエハと同一の形状であり、平面視で円形である。このため、試験治具7はウエハ搬送機構17を用いてステージ3へ搬送できる。また、半導体ウエハ用のステージ3を用いることが出来る。本実施の形態では、半導体ウエハ用の装置を流用できるため、半導体チップ5の搬送装置およびチャックステージを準備する必要が無い。このため、コストを削減できる。さらに、複数の半導体チップ5を一度に搬送できるため、評価の準備時間を短縮できる。   The outer shape of the test jig 7 according to the present embodiment has the same shape as a general semiconductor wafer, and is circular in a plan view. Therefore, the test jig 7 can be transferred to the stage 3 by using the wafer transfer mechanism 17. Further, the stage 3 for semiconductor wafer can be used. In the present embodiment, since the device for semiconductor wafer can be used, it is not necessary to prepare the transfer device for semiconductor chip 5 and the chuck stage. Therefore, the cost can be reduced. Furthermore, since a plurality of semiconductor chips 5 can be transported at once, the preparation time for evaluation can be shortened.

ウエハ搬送機構17およびステージ3が対応する半導体ウエハのサイズに応じて試験治具7の大きさは異なる。図2に示すように、本実施の形態に係る試験治具7は、32個の第1凹部20を備えるが、第1凹部20の数はこれに限るものではない。試験治具7の大きさに応じて、第1凹部20の数は増減して構わない。   The size of the test jig 7 differs depending on the size of the semiconductor wafer to which the wafer transfer mechanism 17 and the stage 3 correspond. As shown in FIG. 2, the test jig 7 according to the present embodiment includes 32 first recesses 20, but the number of the first recesses 20 is not limited to this. The number of the first recesses 20 may be increased or decreased depending on the size of the test jig 7.

本実施の形態では、試験治具7の第1面71を断熱部26で覆う。断熱部26は、試験治具7よりも断熱性が高い。つまり、断熱部26は、試験治具7よりも熱伝導率が低い。断熱部26として、例えば、アルミナ、ムライト等のセラミック板を用いることが出来る。断熱部26の材料はこれに限るものではなく、試験治具7よりも断熱性が高い材料であれば良い。   In the present embodiment, the first surface 71 of the test jig 7 is covered with the heat insulating section 26. The heat insulating portion 26 has a higher heat insulating property than the test jig 7. That is, the heat insulating section 26 has a lower thermal conductivity than the test jig 7. As the heat insulating portion 26, for example, a ceramic plate such as alumina or mullite can be used. The material of the heat insulating portion 26 is not limited to this, and any material having a higher heat insulating property than the test jig 7 may be used.

これにより、半導体チップ5の温度を変更した評価において、試験治具7の第1面71からの放熱が抑制される。このため、半導体チップ5の温度変動が抑制され、半導体チップ5の温度を安定させ易くなる。従って、評価温度を容易に効率よく維持することが可能となる。また、半導体チップ5の温度を短時間で変化させることができる。以上から、評価温度の変更および温度維持のための電力を低減できる。また、温度の変更および安定のための待ち時間を低減できるため評価時間を短縮できる。従って、低コストで評価を実施できる。   Thereby, in the evaluation in which the temperature of the semiconductor chip 5 is changed, heat radiation from the first surface 71 of the test jig 7 is suppressed. Therefore, the temperature variation of the semiconductor chip 5 is suppressed, and the temperature of the semiconductor chip 5 is easily stabilized. Therefore, it becomes possible to easily and efficiently maintain the evaluation temperature. Moreover, the temperature of the semiconductor chip 5 can be changed in a short time. From the above, the power for changing the evaluation temperature and maintaining the temperature can be reduced. Further, the waiting time for changing and stabilizing the temperature can be reduced, so that the evaluation time can be shortened. Therefore, the evaluation can be performed at low cost.

また、試験治具7の第1面71には第2凹部27が形成されている。これにより、第1断熱空間81が形成される。第1断熱空間81が形成されることで、試験治具7と断熱部26の接触面積が減少する。また、試験治具7と断熱部26との間に断熱性の高い空気層が形成される。このため、第1断熱空間81によって、試験治具7から断熱部26への熱の移動を抑制できる。従って、さらに試験治具7からの放熱が抑制され、半導体チップ5の温度を安定させ易くなる。   A second recess 27 is formed on the first surface 71 of the test jig 7. As a result, the first heat insulating space 81 is formed. By forming the first heat insulating space 81, the contact area between the test jig 7 and the heat insulating portion 26 decreases. Further, an air layer having a high heat insulating property is formed between the test jig 7 and the heat insulating portion 26. Therefore, the heat transfer from the test jig 7 to the heat insulating section 26 can be suppressed by the first heat insulating space 81. Therefore, the heat radiation from the test jig 7 is further suppressed, and the temperature of the semiconductor chip 5 is easily stabilized.

なお、第2凹部27は、試験治具7に第1凹部20を形成する工程において形成できる。このため、第2凹部27の形成のために新たな工程を設ける必要が無い。従って、第2凹部27は低コストで形成できる。   The second recess 27 can be formed in the step of forming the first recess 20 in the test jig 7. Therefore, there is no need to provide a new process for forming the second recess 27. Therefore, the second recess 27 can be formed at low cost.

また、ステージ3の上に試験治具7が配置されるため、ステージ3の表面を保護できる。これにより、評価によるステージ3の表面の荒れおよび汚れを防止できる。このため、半導体ウエハの評価において、半導体ウエハがステージ3に搭載された際に損傷を受けることを防止できる。また、半導体ウエハとステージの密着性の低下が抑制される。このため、試験精度の低下を防止できる。   Further, since the test jig 7 is arranged on the stage 3, the surface of the stage 3 can be protected. As a result, it is possible to prevent the surface of the stage 3 from becoming rough and dirty due to the evaluation. Therefore, in the evaluation of the semiconductor wafer, it is possible to prevent the semiconductor wafer from being damaged when mounted on the stage 3. In addition, it is possible to suppress a decrease in adhesion between the semiconductor wafer and the stage. Therefore, it is possible to prevent a decrease in test accuracy.

図7は、実施の形態1の第1の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。第1の変形例に係る試験治具107は、第1凹部120の形状が試験治具7と異なる。これ以外の構造は、試験治具7と同様である。第1凹部120を形成する側壁125は、第1面71側の一部が底面24に垂直な方向に対して傾斜している。側壁125の第2面72側は底面24に垂直である。   FIG. 7 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a first modification of the first embodiment. The test jig 107 according to the first modification is different from the test jig 7 in the shape of the first recess 120. The structure other than this is the same as that of the test jig 7. A part of the sidewall 125 forming the first recess 120 on the first surface 71 side is inclined with respect to the direction perpendicular to the bottom surface 24. The second surface 72 side of the side wall 125 is perpendicular to the bottom surface 24.

側壁25の傾斜した部分を縮小することで、試験治具107の加工時間を短縮できる。これにより、試験治具107の製造コストを低減できる。また、側壁が傾斜構造を備えない場合と比較して、半導体チップ5を設置する際のチップへの衝撃を抑制できる。例えば、薄厚の半導体チップ5の評価には破損防止の効果の高い試験治具7を用いて、厚みの大きい半導体チップ5には、製造コストが低い試験治具107を用いる。これにより、製造コスト低減の効果と、半導体チップ5の破損防止の効果を効率よく得ることができる。   By reducing the inclined portion of the side wall 25, the processing time of the test jig 107 can be shortened. Thereby, the manufacturing cost of the test jig 107 can be reduced. Further, as compared with the case where the side wall does not have the inclined structure, the impact on the chip when the semiconductor chip 5 is installed can be suppressed. For example, the test jig 7 having a high effect of preventing damage is used for evaluating the thin semiconductor chip 5, and the test jig 107 having low manufacturing cost is used for the semiconductor chip 5 having large thickness. As a result, the effect of reducing the manufacturing cost and the effect of preventing damage to the semiconductor chip 5 can be efficiently obtained.

図7には、ステージ3に設けられる真空吸着機構の構造が示される。真空吸着機構は、吸着溝30および吸着孔31を備える。吸着溝30は、ステージ3の上面に形成された溝である。吸着溝30は、図7におけるx−y平面内に伸びる溝である。吸着溝30は、複数の貫通孔21の間を連結する。吸着溝30の底面には、吸着孔31の一端が接続される。吸着孔31はz軸方向に伸びる。吸着孔31の他端には、図示しない真空ポンプが接続されている。   FIG. 7 shows the structure of the vacuum suction mechanism provided on the stage 3. The vacuum suction mechanism includes a suction groove 30 and a suction hole 31. The suction groove 30 is a groove formed on the upper surface of the stage 3. The suction groove 30 is a groove extending in the xy plane in FIG. 7. The suction groove 30 connects the plurality of through holes 21. One end of the suction hole 31 is connected to the bottom surface of the suction groove 30. The suction holes 31 extend in the z-axis direction. A vacuum pump (not shown) is connected to the other end of the suction hole 31.

図7に示すように、貫通孔21は、吸着溝30の上に配置される。真空ポンプにより吸着孔31が真空引きされることで、吸着溝30および貫通孔21を介し、半導体チップ5が吸着される。真空吸着機構の構造は、本実施の形態に係る評価装置1についても同様である。   As shown in FIG. 7, the through hole 21 is arranged on the suction groove 30. When the suction hole 31 is evacuated by the vacuum pump, the semiconductor chip 5 is sucked through the suction groove 30 and the through hole 21. The structure of the vacuum suction mechanism is the same for the evaluation device 1 according to the present embodiment.

図8は、実施の形態1の第2の変形例に係る試験治具のy軸に垂直な断面図である。図9は、実施の形態1の第2の変形例に係る試験治具のx軸に垂直な断面図である。試験治具7は1つの第1凹部20に貫通孔21が1つ形成された。これに対し、1つの第1凹部20に形成される貫通孔21は複数でも良い。第2の変形例に係る試験治具207では、1つの第1凹部220に貫通孔221が2つ形成される。第1凹部220に形成される貫通孔221は3つ以上でも良い。   FIG. 8 is a cross-sectional view perpendicular to the y axis of the test jig according to the second modified example of the first embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view perpendicular to the x axis of the test jig according to the second modification of the first embodiment. The test jig 7 had one through hole 21 formed in one first recess 20. On the other hand, a plurality of through holes 21 may be formed in one first recess 20. In the test jig 207 according to the second modification, two through holes 221 are formed in one first recess 220. The number of through holes 221 formed in the first recess 220 may be three or more.

また、第2の変形例に係る試験治具207に形成される第1凹部220は、半導体チップ5よりも大きい。半導体チップ5は、貫通孔221側に寄せて第1凹部220に収納される。これにより、第1凹部220と比べて半導体チップ5が小さくても、貫通孔221の上に半導体チップ5を配置できる。従って、半導体チップ5を真空吸着できる。   The first recess 220 formed in the test jig 207 according to the second modification is larger than the semiconductor chip 5. The semiconductor chip 5 is housed in the first recess 220 while being brought close to the through hole 221 side. Thereby, even if the semiconductor chip 5 is smaller than the first recess 220, the semiconductor chip 5 can be arranged on the through hole 221. Therefore, the semiconductor chip 5 can be vacuum-sucked.

第2の変形例に係る試験治具207は、試験治具207の第2面72に連結溝部229を備える。連結溝部229は、x−y平面内に伸びる溝である。連結溝部229は、2つの貫通孔221と接続される。連結溝部229は、ステージ3の吸着溝30に接続される。本実施の形態では、試験治具207に複数の連結溝部229が形成され、各々の連結溝部229と複数の貫通孔221が接続される。また、試験治具207に1つの連結溝部229が形成され、全ての貫通孔221と1つの連結溝部229が接続されても良い。   The test jig 207 according to the second modification includes a connecting groove portion 229 on the second surface 72 of the test jig 207. The connection groove portion 229 is a groove extending in the xy plane. The connection groove portion 229 is connected to the two through holes 221. The connection groove portion 229 is connected to the suction groove 30 of the stage 3. In the present embodiment, a plurality of connecting groove portions 229 are formed in the test jig 207, and each connecting groove portion 229 and a plurality of through holes 221 are connected. Further, one connection groove portion 229 may be formed in the test jig 207, and all the through holes 221 and one connection groove portion 229 may be connected.

第2の変形例では、連結溝部229の何れかの部分と吸着溝30が接すれば、半導体チップ5の真空吸着ができる。このため、貫通孔221と吸着溝30の位置が一致する必要がない。従って、貫通孔221の位置の自由度が向上する。このため、試験治具207の設計が容易となる。また、半導体ウエハ用のステージ3を流用し易くなる。   In the second modification, the vacuum suction of the semiconductor chip 5 can be performed if any portion of the connection groove portion 229 is in contact with the suction groove 30. Therefore, the positions of the through hole 221 and the suction groove 30 do not have to match. Therefore, the degree of freedom of the position of the through hole 221 is improved. Therefore, the design of the test jig 207 becomes easy. Further, it becomes easy to use the stage 3 for semiconductor wafer.

図10は、実施の形態1の第3の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。第3の変形例では、試験治具7の第1面71に断熱部26が設けられている。また、断熱部26の上には積層断熱部226が設けられている。積層断熱部226は、試験治具7よりも熱伝導率が低い。積層断熱部226には、断熱部26に設けられた複数の開口80の各々と重なる位置に開口280が形成されている。   FIG. 10 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating portion according to a third modification of the first embodiment. In the third modified example, the heat insulating portion 26 is provided on the first surface 71 of the test jig 7. Further, a laminated heat insulating section 226 is provided on the heat insulating section 26. The laminated heat insulating section 226 has a lower thermal conductivity than the test jig 7. An opening 280 is formed in the laminated heat insulating portion 226 at a position overlapping with each of the plurality of openings 80 provided in the heat insulating portion 26.

また、積層断熱部226には、断熱部26と接する面に第4凹部242が形成されている。第4凹部242が形成されることで、断熱部26と積層断熱部226に囲まれた第3断熱空間281が設けられる。   In addition, the laminated heat insulating portion 226 is provided with a fourth recess 242 on a surface in contact with the heat insulating portion 26. By forming the fourth recess 242, the third heat insulating space 281 surrounded by the heat insulating portion 26 and the laminated heat insulating portion 226 is provided.

第3の変形例では、複数の断熱部が積層して設置される。積層断熱部226は、断熱部26と異なる材質で形成されていても良い。また、積層断熱部226は、断熱部26と同じ材質で形成されていても良い。第3の変形例では、複数の断熱部が積層されることで、試験治具7からの放熱をさらに抑制できる。また、安価な材料で形成された断熱部を組み合わせて用いることで、低コストで断熱効果が得られる。   In the third modification, a plurality of heat insulating parts are stacked and installed. The laminated heat insulating section 226 may be made of a material different from that of the heat insulating section 26. Further, the laminated heat insulating section 226 may be made of the same material as the heat insulating section 26. In the third modified example, the heat dissipation from the test jig 7 can be further suppressed by stacking the plurality of heat insulating parts. In addition, by using a heat insulating portion formed of an inexpensive material in combination, a heat insulating effect can be obtained at low cost.

また、第3断熱空間281は空気層である。第3断熱空間281が形成されることで、断熱部26と積層断熱部226の接触面積が減少する。また、断熱部26と積層断熱部226との間に断熱性の高い空気層が形成される。第3断熱空間281によって、断熱部26から積層断熱部226への熱の移動を抑制できる。なお、目標とする断熱性に応じて第4凹部242は設けなくても良い。また、3つ以上の断熱部が積層するものとしても良い。   The third heat insulating space 281 is an air layer. By forming the third heat insulating space 281, the contact area between the heat insulating portion 26 and the laminated heat insulating portion 226 is reduced. Further, an air layer having a high heat insulating property is formed between the heat insulating portion 26 and the laminated heat insulating portion 226. The heat transfer from the heat insulating section 26 to the laminated heat insulating section 226 can be suppressed by the third heat insulating space 281. The fourth recess 242 may not be provided depending on the target heat insulating property. Further, three or more heat insulating parts may be laminated.

図11は、実施の形態1の第4の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。第4の変形例では、試験治具7に形成された第2凹部27に断熱材50が設けられる。断熱材50は、例えば、グラスウールである。これにより、試験治具7から断熱部26への熱の移動をさらに抑制できる。   FIG. 11 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a fourth modification of the first embodiment. In the fourth modification, the heat insulating material 50 is provided in the second recess 27 formed in the test jig 7. The heat insulating material 50 is, for example, glass wool. As a result, heat transfer from the test jig 7 to the heat insulating section 26 can be further suppressed.

図12は、実施の形態1の第5の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。本実施の形態に係る断熱部26は、第1凹部20と重なる位置に、平面視において第1凹部20と同じ大きさの開口80を有する。ここで、開口80の大きさはこれに限るものではない。第5の変形例に係る断熱部326は、半導体チップ5の上部に、開口380が形成されている。開口380は、半導体チップ5と重なる位置に形成される。また、開口380は、幅が半導体チップ5の幅と同じである。   FIG. 12 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a fifth modification of the first embodiment. The heat insulating unit 26 according to the present embodiment has an opening 80 having the same size as the first recess 20 in a plan view, at a position overlapping the first recess 20. Here, the size of the opening 80 is not limited to this. An opening 380 is formed in the upper part of the semiconductor chip 5 in the heat insulating section 326 according to the fifth modified example. The opening 380 is formed at a position overlapping the semiconductor chip 5. The width of the opening 380 is the same as the width of the semiconductor chip 5.

また、開口380の幅は半導体チップ5の幅以上であるものとしても良い。ただし、開口380の幅は、第1凹部20の幅よりも小さいものとする。このとき、断熱部326は、第1凹部20の上部に突出した庇351を有する。開口380の寸法を小さくすることで、さらに試験治具7および半導体チップ5の表面からの放熱を抑制できる。   The width of the opening 380 may be equal to or larger than the width of the semiconductor chip 5. However, the width of the opening 380 is smaller than the width of the first recess 20. At this time, the heat insulating portion 326 has the eaves 351 protruding above the first recess 20. By reducing the size of the opening 380, heat dissipation from the surfaces of the test jig 7 and the semiconductor chip 5 can be further suppressed.

これらの変形は、以下の実施の形態に係る評価装置および半導体チップの評価方法について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係る評価装置および半導体チップの評価方法については実施の形態1との共通点が多いので、実施の形態1との相違点を中心に説明する。   These modifications can be appropriately applied to the evaluation device and the semiconductor chip evaluation method according to the following embodiments. Since the evaluation device and the semiconductor chip evaluation method according to the following embodiments have many common points with the first embodiment, the differences from the first embodiment will be mainly described.

実施の形態2.
図13は、実施の形態2に係る試験治具および断熱部の断面図である。本実施の形態に係る断熱部426には、半導体チップ5が備える電極である接続パッド18の上部に、開口480が形成されている。開口480は、接続パッド18と重なる位置に形成される。また、開口480は、幅が接続パッド18の幅と同じである。
Embodiment 2.
FIG. 13 is a cross-sectional view of the test jig and the heat insulating portion according to the second embodiment. In the heat insulating section 426 according to the present embodiment, an opening 480 is formed above the connection pad 18 which is an electrode included in the semiconductor chip 5. The opening 480 is formed at a position overlapping the connection pad 18. The width of the opening 480 is the same as the width of the connection pad 18.

また、開口480の幅は、接続パッド18の幅以上であるものとしても良い。ただし、開口480の幅は、半導体チップ5の幅よりも小さいものとする。このとき、断熱部426は、第1凹部20の上部に突出した庇451を有する。本実施の形態に係る断熱部426の開口480は、断熱部326の開口380よりも更に小さい。開口480の寸法を小さくすることで、断熱部326よりも断熱性を向上できる。   The width of the opening 480 may be equal to or larger than the width of the connection pad 18. However, the width of the opening 480 is smaller than the width of the semiconductor chip 5. At this time, the heat insulating portion 426 has the eaves 451 protruding above the first recess 20. The opening 480 of the heat insulating portion 426 according to the present embodiment is smaller than the opening 380 of the heat insulating portion 326. By reducing the size of the opening 480, the heat insulating property can be improved as compared with the heat insulating portion 326.

また、半導体チップ5のプローブ10と接触する部分が断熱部426から露出すれば、プローブ10を用いた評価ができる。このため、開口480は、接続パッド18のうち、プローブ10と接触する部分の上部に形成されるものとしても良い。また、開口480の幅は、プローブ10の幅以上であるものとしても良い。   If the portion of the semiconductor chip 5 that contacts the probe 10 is exposed from the heat insulating portion 426, the evaluation using the probe 10 can be performed. Therefore, the opening 480 may be formed in the upper portion of the connection pad 18 in contact with the probe 10. Further, the width of the opening 480 may be larger than the width of the probe 10.

本実施の形態に係る半導体チップ5の評価方法について説明する。本実施の形態では、開口480の幅よりも半導体チップ5の幅が大きい。このため、第1凹部20に半導体チップを収納した後に、断熱部426を試験治具7に取り付ける必要がある。これ以外は、実施の形態1と同様である。   A method of evaluating the semiconductor chip 5 according to this embodiment will be described. In this embodiment, the width of the semiconductor chip 5 is larger than the width of the opening 480. Therefore, it is necessary to attach the heat insulating portion 426 to the test jig 7 after the semiconductor chip is stored in the first recess 20. The other points are the same as those in the first embodiment.

実施の形態3.
図14は、実施の形態3に係る試験治具および断熱部の平面図である。本実施の形態では、試験治具507の上に断熱部526が設けられている。断熱部526は、複数の部分に分割されている。本実施の形態では、断熱部526は4つに分割されている。断熱部526は、第1部分561、第2部分562、第3部分563および第4部分564を備える。
Embodiment 3.
FIG. 14 is a plan view of a test jig and a heat insulating unit according to the third embodiment. In this embodiment, the heat insulating section 526 is provided on the test jig 507. The heat insulating part 526 is divided into a plurality of parts. In this embodiment, the heat insulating section 526 is divided into four. The heat insulating portion 526 includes a first portion 561, a second portion 562, a third portion 563 and a fourth portion 564.

第1部分561、第2部分562、第3部分563および第4部分564にはそれぞれ外周部に穴部582が形成されている。試験治具507には、穴部582と重なる位置に第2凸部532が形成されている。試験治具507には、4つの第2凸部532が形成されている。第2凸部532の各々は、穴部582の各々と嵌合する。本実施の形態では、着脱部は穴部582と第2凸部532を備える。第1部分561、第2部分562、第3部分563および第4部分564の各々は、着脱部によって試験治具507と固定される。試験治具507の第2凸部532以外の構造は、試験治具7と同じである。   Each of the first portion 561, the second portion 562, the third portion 563, and the fourth portion 564 has a hole 582 formed in the outer peripheral portion. The test jig 507 has a second protrusion 532 formed at a position overlapping the hole 582. The test jig 507 is formed with four second convex portions 532. Each of the second protrusions 532 fits into each of the holes 582. In the present embodiment, the attachment / detachment portion includes the hole portion 582 and the second convex portion 532. Each of the first portion 561, the second portion 562, the third portion 563, and the fourth portion 564 is fixed to the test jig 507 by the attachment / detachment portion. The structure of the test jig 507 other than the second convex portion 532 is the same as that of the test jig 7.

第1部分561、第2部分562および第4部分564には、それぞれ複数の開口580が形成されている。開口580は、試験治具507に形成される第1凹部20と重なる位置に形成される。開口580の形状は開口80と同様である。第3部分563には、開口が形成されていない。第3部分563は、複数の第1凹部20の少なくとも1つを覆う遮蔽部である。本実施の形態では8つの第1凹部20が第3部分563によって覆われている。図14では参考のため、第3部分563に覆われる第1凹部20の位置を破線で示している。   A plurality of openings 580 are formed in each of the first portion 561, the second portion 562, and the fourth portion 564. The opening 580 is formed at a position overlapping the first recess 20 formed in the test jig 507. The shape of the opening 580 is similar to that of the opening 80. No opening is formed in the third portion 563. The third portion 563 is a shield that covers at least one of the plurality of first recesses 20. In the present embodiment, the eight first recesses 20 are covered by the third portion 563. In FIG. 14, for reference, the position of the first recess 20 covered by the third portion 563 is indicated by a broken line.

図15は、実施の形態3に係る試験治具および断熱部の断面図である。図15は、図14に示す試験治具507および断熱部526をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。   FIG. 15 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating unit according to the third embodiment. FIG. 15 is a cross-sectional view obtained by cutting the test jig 507 and the heat insulating portion 526 shown in FIG. 14 along the line V-VI.

図16は、実施の形態3に係るステージの平面図である。図16では参考のため、試験治具507、第1凹部20および貫通孔21の位置を破線で示している。本実施の形態では、第3部分563に遮蔽される第1凹部20は真空引きしない。真空吸着をする領域は、ステージ3の真空吸着機構により切り替える。本実施の形態に係るステージ3は、各々の第1凹部20に形成された貫通孔21と連結される吸着溝30を備える。吸着溝30は、x−y平面内に網目状に伸びている。吸着溝30には、z軸方向に伸びる複数の吸着孔31の一端が接続されている。吸着孔31の他端には図示しない真空ポンプが接続される。   FIG. 16 is a plan view of the stage according to the third embodiment. In FIG. 16, the positions of the test jig 507, the first recess 20, and the through hole 21 are indicated by broken lines for reference. In the present embodiment, the first recess 20 shielded by the third portion 563 is not vacuumed. The area for vacuum suction is switched by the vacuum suction mechanism of the stage 3. The stage 3 according to the present embodiment includes suction grooves 30 that are connected to the through holes 21 formed in each first recess 20. The suction groove 30 extends like a mesh in the xy plane. One end of a plurality of suction holes 31 extending in the z-axis direction is connected to the suction groove 30. A vacuum pump (not shown) is connected to the other end of the suction hole 31.

吸着溝30は、分断壁34によって複数の領域に分断されている。このため、真空ポンプによって真空引きする吸着孔31を切り替えることで、真空吸着される領域を選択することができる。真空引きされる吸着孔31と分断壁34によって隔てられた領域は、真空吸着がされない。   The suction groove 30 is divided into a plurality of regions by a dividing wall 34. For this reason, by switching the suction holes 31 that are evacuated by the vacuum pump, it is possible to select a region to be vacuum-sucked. A region separated by the vacuum suction suction hole 31 and the dividing wall 34 is not vacuum-sucked.

評価時には、複数の第1凹部20のうち一部に半導体チップ5を収納しない場合が考えられる。本実施の形態では、半導体チップ5を収納しない第1凹部20は、遮蔽部によって覆われる。本実施の形態では、半導体チップ5を収納しない第1凹部20からの放熱を抑制できる。また、遮蔽部を設けることで断熱部526によって覆われる領域が増加する。このため、試験治具507からの放熱をさらに抑制することができる。従って、半導体チップ5の温度を安定させ易い。また、温度調整のための消費電力が抑制できる。   At the time of evaluation, the semiconductor chip 5 may not be housed in a part of the plurality of first recesses 20. In the present embodiment, the first recess 20 that does not house the semiconductor chip 5 is covered by the shield. In the present embodiment, it is possible to suppress heat radiation from the first recess 20 that does not house the semiconductor chip 5. Further, by providing the shielding portion, the area covered by the heat insulating portion 526 increases. Therefore, heat radiation from the test jig 507 can be further suppressed. Therefore, it is easy to stabilize the temperature of the semiconductor chip 5. Moreover, power consumption for temperature adjustment can be suppressed.

また、断熱部526は複数に分割されている。このため、断熱部526の一部に不具合があれば、不具合が生じた部分のみを交換できる。このため、断熱部526を維持するためのコストを低減できる。本実施の形態では、断熱部526を4つに分割したが、断熱部526は4つ以外の部分に分割されても良い。   Further, the heat insulating section 526 is divided into a plurality of pieces. Therefore, if a part of the heat insulating portion 526 has a defect, only the defective part can be replaced. Therefore, the cost for maintaining the heat insulating unit 526 can be reduced. Although the heat insulating portion 526 is divided into four in the present embodiment, the heat insulating portion 526 may be divided into portions other than four.

図17は、実施の形態3の第1の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。第1の変形例に係る試験治具607の第1面71には、断熱部626が設けられている。断熱部626は、遮蔽部である第3部分663を備える。第3部分663は、第1凸部633を備える。第1凸部633は、第1凹部20の底面24に向かって突出する。第1凸部633は、第3部分の下の貫通孔21を塞ぐ。   FIG. 17 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating unit according to a first modification of the third embodiment. A heat insulating portion 626 is provided on the first surface 71 of the test jig 607 according to the first modification. The heat insulating portion 626 includes a third portion 663 that is a shielding portion. The third portion 663 includes a first convex portion 633. The first convex portion 633 projects toward the bottom surface 24 of the first concave portion 20. The first convex portion 633 closes the through hole 21 below the third portion.

第1の変形例に係る断熱部626は、遮蔽部の下の貫通孔21を塞ぐ。このため、半導体チップ5が収納されない第1凹部20は真空引きされない。従って、半導体チップ5が収納されない領域の吸着漏れが防止される。このとき、ステージ3の真空吸着機構によって、真空吸着する領域を切り替えなくても良い。   The heat insulating portion 626 according to the first modification blocks the through hole 21 below the shielding portion. Therefore, the first recess 20 in which the semiconductor chip 5 is not housed is not evacuated. Therefore, suction leakage in the area where the semiconductor chip 5 is not housed is prevented. At this time, the vacuum suction mechanism of the stage 3 does not have to switch the region for vacuum suction.

また、断熱部626は試験治具607と接する面に第3凹部628が形成されている。また、試験治具607は第2凹部27を備えない。第3凹部628が形成されることで、試験治具607と断熱部626に囲まれた第2断熱空間681が設けられる。第2断熱空間681は空気層である。第2断熱空間681が形成されることで、試験治具607と断熱部626の接触面積が減少する。また、試験治具607と断熱部626との間に断熱性の高い空気層が形成される。第2断熱空間681によって、試験治具607から断熱部626への熱の移動を抑制できる。   Further, the heat insulating portion 626 has a third recess 628 formed on the surface in contact with the test jig 607. The test jig 607 does not include the second recess 27. By forming the third recess 628, a second heat insulating space 681 surrounded by the test jig 607 and the heat insulating portion 626 is provided. The second heat insulating space 681 is an air layer. By forming the second heat insulating space 681, the contact area between the test jig 607 and the heat insulating portion 626 is reduced. Further, an air layer having a high heat insulating property is formed between the test jig 607 and the heat insulating portion 626. The second heat insulating space 681 can suppress heat transfer from the test jig 607 to the heat insulating portion 626.

第3凹部628は、断熱部626に開口80を形成する工程において形成できる。このため、第3凹部628の形成のために新たな工程を設ける必要が無い。従って、第3凹部628は低コストで形成できる。   The third recess 628 can be formed in the step of forming the opening 80 in the heat insulating portion 626. Therefore, there is no need to provide a new process for forming the third recess 628. Therefore, the third recess 628 can be formed at low cost.

図18は、実施の形態3の第2の変形例に係る試験治具および断熱部の断面図である。第2の変形例では、断熱部626に形成された第3凹部628に断熱材50が設けられる。断熱材50は、例えば、グラスウールである。これにより、試験治具607から断熱部626への熱の移動をさらに抑制できる。   FIG. 18 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to a second modification of the third embodiment. In the second modification, the heat insulating material 50 is provided in the third recess 628 formed in the heat insulating portion 626. The heat insulating material 50 is, for example, glass wool. Thereby, the heat transfer from the test jig 607 to the heat insulating section 626 can be further suppressed.

本実施の形態の別の変形例として、試験治具7の上に断熱部626を設けても良い。この時、試験治具7と断熱部626の間には、第1断熱空間81と、第2断熱空間681の両方が形成される。このため、さらに試験治具7から断熱部626への熱の移動を抑制できる。また、断熱部626が薄厚で第3凹部628の作成が困難な場合には、第3凹部628を設けず、第2凹部27のみを形成することとしても良い。   As another modification of the present embodiment, the heat insulating section 626 may be provided on the test jig 7. At this time, both the first heat insulating space 81 and the second heat insulating space 681 are formed between the test jig 7 and the heat insulating portion 626. Therefore, heat transfer from the test jig 7 to the heat insulating section 626 can be further suppressed. Further, when the heat insulating portion 626 is thin and it is difficult to form the third recess 628, the third recess 628 may be omitted and only the second recess 27 may be formed.

また、本実施の形態では、複数の部分に分割された断熱部626の1つの部分が遮蔽部であるものとした。これに対し、2つ以上の部分が遮蔽部であっても良い。また、本実施の形態では、断熱部626は均等に分割された。これに対し、断熱部626は均等に分割されなくても良い。また、遮蔽部は複数の第1凹部20の少なくとも1つを覆えばよい。また、断熱部626は分割されていなくても良い。この場合、断熱部626の一部が複数の第1凹部20の少なくとも1つを覆う遮蔽部となる。   Further, in the present embodiment, one part of the heat insulating part 626 divided into a plurality of parts is the shielding part. On the other hand, two or more portions may be shielding portions. In addition, in this embodiment, the heat insulating portion 626 is evenly divided. On the other hand, the heat insulating section 626 may not be divided evenly. Further, the shielding part may cover at least one of the plurality of first recesses 20. Further, the heat insulating section 626 may not be divided. In this case, a part of the heat insulating portion 626 serves as a shielding portion that covers at least one of the plurality of first recesses 20.

実施の形態4.
図19は、実施の形態4に係る試験治具および断熱部の平面図である。本実施の形態に係る着脱部は、クランプ部735を備える。クランプ部735は、断熱部726と試験治具707を挟み込む。本実施の形態では、クランプ部735によって断熱部726が試験治具707に固定される。
Fourth Embodiment
FIG. 19 is a plan view of a test jig and a heat insulating unit according to the fourth embodiment. The attachment / detachment unit according to the present embodiment includes a clamp unit 735. The clamp part 735 sandwiches the heat insulating part 726 and the test jig 707. In this embodiment, the heat insulating portion 726 is fixed to the test jig 707 by the clamp portion 735.

試験治具707と断熱部726には端部にクランプ部735を差し込むための凹部737が設けられている。また、凹部737は4箇所に設けられる。クランプ部735を凹部737に差し込むことで、クランプ部735によって断熱部726と試験治具707が挟み込まれた際にクランプ部735を凹部737に収納できる。このため、クランプ部735が試験治具707の側面から突出することを防止できる。   The test jig 707 and the heat insulating portion 726 are provided with recesses 737 at the ends for inserting the clamp portions 735. The recesses 737 are provided at four places. By inserting the clamp part 735 into the recess 737, the clamp part 735 can be stored in the recess 737 when the heat insulating part 726 and the test jig 707 are sandwiched by the clamp part 735. Therefore, it is possible to prevent the clamp portion 735 from protruding from the side surface of the test jig 707.

図20は、実施の形態4に係る試験治具および断熱部のy軸に垂直な断面図である。図21は、実施の形態4に係る試験治具および断熱部のx軸に垂直な断面図である。図20は、図19に示す試験治具707および断熱部726をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。図21は、図19に示す試験治具707および断熱部726をIX−X直線に沿って切断することで得られる断面図である。   FIG. 20 is a cross-sectional view perpendicular to the y axis of the test jig and the heat insulating unit according to the fourth embodiment. FIG. 21 is a cross-sectional view perpendicular to the x axis of the test jig and the heat insulating unit according to the fourth embodiment. 20 is a cross-sectional view obtained by cutting the test jig 707 and the heat insulating portion 726 shown in FIG. 19 along the line VII-VIII. 21 is a cross-sectional view obtained by cutting the test jig 707 and the heat insulating section 726 shown in FIG. 19 along the line IX-X.

試験治具707の第2面72には溝部736が形成されている。溝部736にはクランプ部735の下部が収納される。このため、クランプ部735が試験治具707の第2面72から突出することを防止できる。また、断熱部726の上面には溝部739が形成される。クランプ部735は上部の先端に突起部738を有す。突起部738は、溝部739と嵌合する。これにより、クランプ部735の位置ずれおよび抜けを防止できる。   A groove portion 736 is formed on the second surface 72 of the test jig 707. The lower portion of the clamp portion 735 is housed in the groove portion 736. Therefore, it is possible to prevent the clamp portion 735 from protruding from the second surface 72 of the test jig 707. Further, a groove portion 739 is formed on the upper surface of the heat insulating portion 726. The clamp part 735 has a protrusion 738 at the tip of the upper part. The protruding portion 738 fits into the groove portion 739. This can prevent the clamp portion 735 from being displaced and from coming off.

なお、図19では、溝部739および凹部737の構造を明らかにするために、図19における右側のクランプ部735を省略している。本実施の形態では、クランプ部735を4つ設けるものとした。これに対し、クランプ部735の個数は、例えば、試験治具707の大きさに応じて増減してよい。本実施の形態では、クランプ部735の着脱により、断熱部726を容易に着脱できる。   Note that in FIG. 19, the right clamp portion 735 in FIG. 19 is omitted in order to clarify the structures of the groove portion 739 and the recess portion 737. In this embodiment, four clamp parts 735 are provided. On the other hand, the number of the clamp parts 735 may be increased or decreased according to the size of the test jig 707, for example. In this embodiment, the heat insulating portion 726 can be easily attached and detached by attaching and detaching the clamp portion 735.

クランプ部735は、金属材料または樹脂材料によって形成される。また、突起部738を溝部739に嵌合するために、クランプ部735は剛体ではない材料によって形成されるものとする。つまり、クランプ部735は柔軟性またはバネ性を有する材料によって形成される。クランプ部735の厚さは、1mm程度とする。なお、クランプ部735を用いて断熱部726を固定する場合は、クランプ部735を避けて、枠部22を設置するものとする。   The clamp part 735 is formed of a metal material or a resin material. Further, in order to fit the protrusion 738 into the groove 739, the clamp 735 is made of a material that is not a rigid body. That is, the clamp part 735 is formed of a material having flexibility or spring properties. The thickness of the clamp portion 735 is about 1 mm. In addition, when fixing the heat insulation part 726 using the clamp part 735, the frame part 22 shall be installed avoiding the clamp part 735.

実施の形態5.
図22は、実施の形態5に係る試験治具および断熱部の断面図である。試験治具807の側面には切り欠き部841が形成される。断熱部826は、試験治具807の第1面71を覆う上面部843を備える。上面部843の端部には、試験治具807の側面を覆う側面部844が設けられる。本実施の形態に係る断熱部826は、試験治具807の側面の少なくとも一部を覆う。
Embodiment 5.
FIG. 22 is a cross-sectional view of a test jig and a heat insulating section according to the fifth embodiment. A notch 841 is formed on the side surface of the test jig 807. The heat insulating section 826 includes an upper surface section 843 that covers the first surface 71 of the test jig 807. A side surface portion 844 that covers a side surface of the test jig 807 is provided at an end portion of the upper surface portion 843. The heat insulating unit 826 according to the present embodiment covers at least a part of the side surface of the test jig 807.

また、側面部844の下端には、切り欠き部841の内部に伸びる爪部840が形成される。爪部840は切り欠き部841と嵌合する。爪部840と切り欠き部841を嵌合することで、断熱部826の設置位置を決めることが出来る。また、爪部840と切り欠き部841を嵌合することで、断熱部826を試験治具807に固定できる。爪部840によって試験治具807と断熱部826は着脱可能となる。本実施の形態では、着脱部は爪部840を備える。   Further, a claw portion 840 extending inside the cutout portion 841 is formed at the lower end of the side surface portion 844. The claw portion 840 fits into the cutout portion 841. By fitting the claw portion 840 and the cutout portion 841 into each other, the installation position of the heat insulating portion 826 can be determined. Further, the heat insulating portion 826 can be fixed to the test jig 807 by fitting the claw portion 840 and the cutout portion 841. The claw portion 840 allows the test jig 807 and the heat insulating portion 826 to be detachable. In the present embodiment, the attachment / detachment portion includes the claw portion 840.

図23は、実施の形態5に係る試験治具および断熱部の正面図である。断熱部826は、爪部840が形成される部分の両側に隙間が設けられる。これにより、爪部840を切り欠き部841に差し込み易くなる。従って、断熱部826の着脱が容易に出来る。   FIG. 23 is a front view of a test jig and a heat insulating unit according to the fifth embodiment. The heat insulating portion 826 is provided with a gap on both sides of the portion where the claw portion 840 is formed. This makes it easier to insert the claw portion 840 into the cutout portion 841. Therefore, the heat insulating portion 826 can be easily attached and detached.

切り欠き部841は、試験治具807の第2面72に切削等により形成される。爪部840は内側に突出した構造のため、断熱部826の成形時に同時に作りこむことは難しい。このため、爪部840は上面部843および側面部844の成形後に、接着または嵌め合い等により取り付ける。爪部840は切り欠き部841と嵌め合うため、断熱部826の着脱の際に、応力が加わる。このため、耐久性を考慮して、鉄等の金属材料で作製することが望ましい。   The cutout portion 841 is formed on the second surface 72 of the test jig 807 by cutting or the like. Since the claw portion 840 has a structure projecting inward, it is difficult to form the heat insulating portion 826 at the same time. For this reason, the claw portion 840 is attached by adhesion or fitting after the upper surface portion 843 and the side surface portion 844 are molded. Since the claw portion 840 fits into the cutout portion 841, stress is applied when the heat insulating portion 826 is attached and detached. Therefore, in consideration of durability, it is desirable to manufacture the metal material such as iron.

本実施の形態では、断熱部826は、試験治具807の側面の少なくとも一部を覆う。このため、試験治具807の側面からの放熱を抑制できる。なお、各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。   In the present embodiment, the heat insulating section 826 covers at least a part of the side surface of the test jig 807. Therefore, heat radiation from the side surface of the test jig 807 can be suppressed. Note that the technical features described in the embodiments may be combined as appropriate.

1 評価装置、3 ステージ、71 第1面、72 第2面、5 半導体チップ、20、120、220 第1凹部、24 底面、21、221 貫通孔、7、107、207、507、607、707、807 試験治具、10 プローブ、4 評価部、26、326、426、526、626、726、826 断熱部、80、280、380、480、580 開口、351、451 庇、27 第2凹部、81 第1断熱空間、50 断熱材、628 第3凹部、681 第2断熱空間、633 第1凸部、82、582 穴部、32、532 第2凸部、841 切り欠き部、840 爪部、735 クランプ部、30 吸着溝、34 分断壁、22 枠部、226 積層断熱部、242 第4凹部、281 第3断熱空間 1 Evaluation device, 3 stages, 71 1st surface, 72 2nd surface, 5 semiconductor chip, 20, 120, 220 1st recessed part, 24 bottom surface, 21, 221 through hole, 7, 107, 207, 507, 607, 707 , 807 test jig, 10 probe, 4 evaluation part, 26, 326, 426, 526, 626, 726, 826 heat insulating part, 80, 280, 380, 480, 580 opening, 351, 451 eaves, 27 second recess, 81 1st heat insulation space, 50 heat insulation material, 628 3rd recessed part, 681 2nd heat insulation space, 633 1st convex part, 82, 582 hole part, 32, 532 2nd convex part, 841 notch part, 840 claw part, 735 clamp part, 30 adsorption groove, 34 dividing wall, 22 frame part, 226 laminated heat insulating part, 242 fourth concave part, 281 third heat insulating space

Claims (25)

真空吸着機構を備えたステージと、
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、
を備え
前記断熱部は、少なくとも前記複数の第1凹部のうち隣接する一対の第1凹部の間に設けられることを特徴とする評価装置。
A stage equipped with a vacuum suction mechanism,
A first surface and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, wherein the first surface has a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips, A test jig having a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface;
A plurality of probes provided on the upper part of the test jig,
An evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes,
A heat insulating portion provided on the first surface and having a thermal conductivity lower than that of the test jig;
Equipped with
The heat insulating unit, evaluation unit, characterized in Rukoto provided between the pair of first recesses adjacent ones of at least the plurality of first recesses.
前記断熱部は、前記半導体チップが備える電極の上部に、幅が前記電極の幅以上である開口が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の評価装置。   The evaluation device according to claim 1, wherein the heat insulating portion has an opening formed in an upper portion of an electrode included in the semiconductor chip, the opening having a width equal to or larger than a width of the electrode. 前記断熱部は、前記半導体チップの上部に、幅が前記半導体チップの幅以上である開口が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の評価装置。   The evaluation unit according to claim 1 or 2, wherein the heat insulation part has an opening formed in an upper portion of the semiconductor chip, the opening having a width equal to or larger than a width of the semiconductor chip. 前記断熱部は、前記複数の第1凹部のうち少なくとも1つの上部に、幅が前記第1凹部の幅以上である開口が形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の評価装置。   The said heat insulation part is formed with the opening whose width is more than the width | variety of the said 1st recessed part in at least 1 upper part of the said 1st recessed part, The any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. The evaluation device according to item. 前記断熱部は、前記複数の第1凹部の少なくとも1つの上部に突出した庇を有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の評価装置。   The said heat insulation part has the eaves which protruded at least one upper part of the said several 1st recessed part, The evaluation apparatus in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記断熱部は、セラミック板で形成されることを特徴とする請求項1〜の何れか1項に記載の評価装置。 The heat insulating unit, the evaluation device according to any one of claim 1 to 5, characterized in that formed in the ceramic plate. 前記断熱部は、前記試験治具の側面の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項1〜の何れか1項に記載の評価装置。 The heat insulating unit, the evaluation device according to any one of claim 1 to 6, characterized in that covers at least a portion of the side surface of the test fixture. 前記試験治具と前記断熱部を固定する着脱部を備えることを特徴とする請求項1〜の何れか1項に記載の評価装置。 Evaluation apparatus according to any one of claim 1 to 7, characterized in that it comprises a detachable part for fixing the heat insulating portion and the test fixture. 前記着脱部は、
前記断熱部の前記試験治具と接する面に形成された穴部と、
前記試験治具の前記第1面に形成され、前記穴部と嵌合する第2凸部と、
を備えることを特徴とする請求項に記載の評価装置。
The detachable part is
A hole formed on the surface of the heat insulating portion that contacts the test jig,
A second protrusion formed on the first surface of the test jig and fitted into the hole;
The evaluation device according to claim 8 , further comprising:
前記着脱部は、
前記断熱部の前記試験治具と接する面に形成された第2凸部と、
前記試験治具の前記第1面に形成され、前記第2凸部と嵌合する穴部と、
を備えることを特徴とする請求項に記載の評価装置。
The detachable part is
A second convex portion formed on a surface of the heat insulating portion in contact with the test jig;
A hole formed on the first surface of the test jig and fitted with the second convex portion;
The evaluation device according to claim 8 , further comprising:
前記試験治具は側面に切り欠き部が形成され、
前記着脱部は、前記断熱部に形成され前記切り欠き部と嵌合する爪部を備えることを特徴とする請求項に記載の評価装置。
The test jig has a notch formed on the side surface,
The evaluation device according to claim 8 , wherein the attachment / detachment portion includes a claw portion that is formed in the heat insulating portion and that fits into the cutout portion.
前記着脱部は、前記断熱部と前記試験治具を挟み込むクランプ部を備えることを特徴とする請求項に記載の評価装置。 The evaluation device according to claim 8 , wherein the attachment / detachment portion includes a clamp portion that sandwiches the heat insulating portion and the test jig. 前記断熱部は、複数の部分に分割されていることを特徴とする請求項1〜12の何れか1項に記載の評価装置。 The heat insulating unit, the evaluation device according to any one of claim 1 to 12, characterized in that it is divided into a plurality of portions. 前記試験治具の前記第2面の外周部に設けられた枠部を備え、
前記枠部は柔軟性を有することを特徴とする請求項1〜13の何れか1項に記載の評価装置。
A frame portion provided on an outer peripheral portion of the second surface of the test jig;
Evaluation apparatus according to any one of claim 1 to 13, characterized in that with the frame portion flexibility.
前記断熱部の上に、前記試験治具よりも熱伝導率が低い積層断熱部を備えることを特徴とする請求項1〜14の何れか1項に記載の評価装置。 Wherein on the insulating section, the evaluation device according to any one of claim 1 to 14, characterized in that it comprises a low thermal conductivity laminated heat insulating portion than the test fixture. 真空吸着機構を備えたステージと、  A stage equipped with a vacuum suction mechanism,
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、  A first surface and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, wherein the first surface has a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips, A test jig having a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface;
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、  A plurality of probes provided on the upper part of the test jig,
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、  An evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes,
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、  A heat insulating portion provided on the first surface and having a thermal conductivity lower than that of the test jig;
を備え、  Equipped with
前記試験治具の前記第1面に第2凹部が形成されることで、前記試験治具と前記断熱部に囲まれた第1断熱空間が設けられることを特徴とする評価装置。  An evaluation device characterized in that a second heat insulating space surrounded by the test jig and the heat insulating portion is provided by forming a second recess in the first surface of the test jig.
前記第2凹部には断熱材が設けられることを特徴とする請求項16に記載の評価装置。  The evaluation device according to claim 16, wherein a heat insulating material is provided in the second recess. 真空吸着機構を備えたステージと、  A stage equipped with a vacuum suction mechanism,
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、  A first surface and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, wherein the first surface has a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips, A test jig having a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface;
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、  A plurality of probes provided on the upper part of the test jig,
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、  An evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes,
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、  A heat insulating portion provided on the first surface and having a thermal conductivity lower than that of the test jig;
を備え、  Equipped with
前記断熱部の前記試験治具と接する面に第3凹部が形成されることで、前記試験治具と前記断熱部に囲まれた第2断熱空間が設けられることを特徴とする評価装置。  An evaluation device characterized in that a second heat insulating space surrounded by the test jig and the heat insulating portion is provided by forming a third concave portion on a surface of the heat insulating portion in contact with the test jig.
前記第3凹部には断熱材が設けられることを特徴とする請求項18に記載の評価装置。  The evaluation device according to claim 18, wherein a heat insulating material is provided in the third recess. 真空吸着機構を備えたステージと、  A stage equipped with a vacuum suction mechanism,
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、  A first surface and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, wherein the first surface has a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips, A test jig having a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface;
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、  A plurality of probes provided on the upper part of the test jig,
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、  An evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes,
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、  A heat insulating portion provided on the first surface and having a thermal conductivity lower than that of the test jig;
を備え、  Equipped with
前記断熱部は、前記複数の第1凹部の少なくとも1つを覆う遮蔽部を備えることを特徴とする評価装置。  The said heat insulation part is equipped with the shielding part which covers at least 1 of the said several 1st recessed part, The evaluation apparatus characterized by the above-mentioned.
前記遮蔽部は、前記遮蔽部の下の前記貫通孔を塞ぐ第1凸部を備えることを特徴とする請求項20に記載の評価装置。  21. The evaluation device according to claim 20, wherein the shielding portion includes a first convex portion that closes the through hole below the shielding portion. 真空吸着機構を備えたステージと、  A stage equipped with a vacuum suction mechanism,
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、  A first surface and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, wherein the first surface has a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips, A test jig having a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface;
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、  A plurality of probes provided on the upper part of the test jig,
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、  An evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes,
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、  A heat insulating portion provided on the first surface and having a thermal conductivity lower than that of the test jig;
を備え、  Equipped with
前記断熱部は、複数の部分に分割され、  The heat insulation part is divided into a plurality of parts,
前記複数の部分の少なくとも1つは、前記複数の第1凹部の少なくとも1つを覆う遮蔽部であることを特徴とする評価装置。  At least one of the plurality of portions is a shielding portion that covers at least one of the plurality of first recesses.
真空吸着機構を備えたステージと、  A stage equipped with a vacuum suction mechanism,
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、  A first surface and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, wherein the first surface has a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips, A test jig having a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface;
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、  A plurality of probes provided on the upper part of the test jig,
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、  An evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes,
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、  A heat insulating portion provided on the first surface and having a thermal conductivity lower than that of the test jig;
を備え、  Equipped with
前記真空吸着機構は、複数の前記貫通孔の間を連結する吸着溝を備え、  The vacuum suction mechanism includes a suction groove connecting between the plurality of through holes,
前記吸着溝は、分断壁によって複数の領域に分断されていることを特徴とする評価装置。  The evaluation device is characterized in that the suction groove is divided into a plurality of regions by dividing walls.
真空吸着機構を備えたステージと、  A stage equipped with a vacuum suction mechanism,
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、  A first surface and a second surface opposite to the first surface and facing the stage, wherein the first surface has a plurality of first recesses capable of accommodating semiconductor chips, A test jig having a through hole extending from the bottom surface of each of the plurality of first recesses to the second surface;
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、  A plurality of probes provided on the upper part of the test jig,
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、  An evaluation unit that supplies a current to the plurality of probes,
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、  A heat insulating portion provided on the first surface and having a thermal conductivity lower than that of the test jig;
を備え、  Equipped with
前記断熱部の上に、前記試験治具よりも熱伝導率が低い積層断熱部を備え、  On the heat insulating part, a laminated heat insulating part having a lower thermal conductivity than the test jig is provided,
前記積層断熱部の前記断熱部と接する面に第4凹部が形成されることで、前記断熱部と前記積層断熱部に囲まれた第3断熱空間が設けられることを特徴とする評価装置。  An evaluation device characterized in that a third heat insulating space surrounded by the heat insulating portion and the laminated heat insulating portion is provided by forming a fourth recess on a surface of the laminated heat insulating portion in contact with the heat insulating portion.
第1面と、前記第1面と反対の面である第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具の前記第1面に、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部を設ける工程と、
前記複数の第1凹部の少なくとも1つの前記貫通孔の上に半導体チップを配置する工程と、
真空吸着機構を備えたステージの上に、前記ステージと前記第2面が対向するように前記半導体チップを収納した前記試験治具を配置する工程と、
前記真空吸着機構によって前記貫通孔から前記半導体チップを吸着する吸着工程と、
前記吸着工程よりも後に、前記半導体チップの温度を変化させる温度工程と、
前記吸着工程よりも後に、前記断熱部が設けられた前記試験治具の上部からプローブを前記半導体チップに接触させる工程と、
前記温度工程よりも後に、前記プローブと前記半導体チップが接触した状態で、前記プローブに電流を供給する工程と、
を備え
前記断熱部は、少なくとも前記複数の第1凹部のうち隣接する一対の第1凹部の間に設けられることを特徴とする半導体チップの評価方法。
It has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a plurality of first concave portions capable of accommodating semiconductor chips are formed on the first surface. Providing a heat insulating portion having a lower thermal conductivity than that of the test jig on the first surface of the test jig in which a through hole extending from each bottom surface to the second surface is formed.
Disposing a semiconductor chip on at least one of the through holes of the plurality of first recesses;
Disposing the test jig containing the semiconductor chip on a stage having a vacuum suction mechanism so that the stage and the second surface face each other;
A suction step of sucking the semiconductor chip from the through hole by the vacuum suction mechanism,
A temperature step of changing the temperature of the semiconductor chip after the adsorption step,
A step of bringing the probe into contact with the semiconductor chip from the upper part of the test jig provided with the heat insulating section after the adsorption step;
After the temperature step, in a state where the probe and the semiconductor chip are in contact with each other, a step of supplying a current to the probe,
Equipped with
The heat insulating unit, the evaluation method of a semiconductor chip according to claim Rukoto provided between the pair of first recesses adjacent ones of at least the plurality of first recesses.
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