JP2017022242A - インプリント装置および物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コストの増加を抑えながら基板とモールドとの位置合わせ精度を向上させるために有利な技術を提供する。
【解決手段】インプリント装置は、モールドおよび基板のうちの一方である第1制御対象の位置をフィードバック制御する第1フィードバック制御系と、モールドおよび基板のうちの他方である第2制御対象の位置をフィードバック制御する第2フィードバック制御系と、第1制御対象と第2制御対象との位置ずれを計測する計測器とを備える。インプリント処理において、第1フィードバック制御系は、第1制御対象の目標位置に基づいて第1制御対象の位置をフィードバック制御し、第2フィードバック制御系は、計測器によって計測される位置ずれが低減されるように第2制御対象の位置をフィードバック制御し、第1フィードバック制御系のゲイン交差周波数は、第2フィードバック制御系のゲイン交差周波数より低い。
【選択図】図5
【解決手段】インプリント装置は、モールドおよび基板のうちの一方である第1制御対象の位置をフィードバック制御する第1フィードバック制御系と、モールドおよび基板のうちの他方である第2制御対象の位置をフィードバック制御する第2フィードバック制御系と、第1制御対象と第2制御対象との位置ずれを計測する計測器とを備える。インプリント処理において、第1フィードバック制御系は、第1制御対象の目標位置に基づいて第1制御対象の位置をフィードバック制御し、第2フィードバック制御系は、計測器によって計測される位置ずれが低減されるように第2制御対象の位置をフィードバック制御し、第1フィードバック制御系のゲイン交差周波数は、第2フィードバック制御系のゲイン交差周波数より低い。
【選択図】図5
Description
本発明は、インプリント装置および物品製造方法に関する。
基板のショット領域の上に供給されたインプリント材にモールドを接触させて該インプリント材を硬化させるインプリント装置が知られている。モールドは、テンプレートまたは型とも呼ばれうる。インプリント装置においては、基板とモールドとの正確な位置合わせが重要である。特許文献1には、支持構造に対するテンプレートホルダの位置と該支持構造に対する基板ホルダの位置とに基づいてテンプレートと基板との相対位置を求め、該相対位置に基づいて基板に対してテンプレートを位置決めすることが記載されている。支持構造は、基部の上に振動絶縁システムによって支持されている。
基板とモールドとの位置合わせのために、基板およびモールドのうちの一方である第1制御対象を目標位置に位置決めし、基板およびモールドのうちの他方である第2制御対象を基板とモールドとの相対位置に基づいて位置決めする方式が考えられる。このような方式において、第1制御対象を位置決めするフィードバック制御系の帯域および第2制御対象を位置決めするフィードバック制御系の帯域の双方を単純に広くするだけでは、コストの増加に見合った性能は得られない。
本発明は、上記の着想を契機としてなされたものであり、コストの増加を抑えながら基板とモールドとの位置合わせ精度を向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、基板の上に供給されたインプリント材にモールドを接触させて該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記モールドおよび前記基板のうちの一方である第1制御対象の位置をフィードバック制御する第1フィードバック制御系と、前記モールドおよび前記基板のうちの他方である第2制御対象の位置をフィードバック制御する第2フィードバック制御系と、前記第1制御対象と前記第2制御対象との位置ずれを計測する計測器とを備え、前記インプリント処理において、前記第1フィードバック制御系は、前記第1制御対象の目標位置に基づいて前記第1制御対象の位置をフィードバック制御し、前記第2フィードバック制御系は、前記計測器によって計測される位置ずれが低減されるように前記第2制御対象の位置をフィードバック制御し、前記第1フィードバック制御系のゲイン交差周波数は、前記第2フィードバック制御系のゲイン交差周波数より低い。
本発明によれば、コストの増加を抑えながら基板とモールドとの位置合わせ精度を向上させるために有利な技術が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
図1には、本発明の第1実施形態のインプリント装置100の概略構成が示されている。インプリント装置100は、基板7のショット領域の上に供給されたインプリント材にモールド1を接触させて硬化させるインプリント処理を行う。この明細書では、3次元空間における方向を示すためにXYZ座標系が使用される。このXYZ座標系は、インプリント処理を行うべき基板7の表面に沿う方向をXY平面とし、該XY平面に垂直な方向をZ方向とするように定義されている。X、Y、Z方向は、それぞれX軸、Y軸、Z軸に平行な方向である。更に、X軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な軸の周りの回転方向は、θx、θy、θz方向として定義される。
インプリント装置100は、モールド1を保持するモールドチャック2と、モールドチャック2をX、Y、θz方向に駆動する複数のアクチュエータ3と、モールドチャック2をZ、θx、θy方向に駆動する複数のアクチュエータ4とを備えうる。インプリント装置100は、上部定盤11を備えうる。モールドチャック2は、アクチュエータ3、4を介して上部定盤11によって支持されうる。上部定盤11には、モールドチャック2の位置をX、Y、θz方向に関して計測するための複数の計測器5と、モールドチャック2の位置をZ、θx、θy方向に関して計測するための複数の計測器6とが設置されうる。計測器5、6は、例えば、エンコーダ、干渉計、静電容量センサまたは他のセンサで構成されうる。
インプリント装置100は、基板7を保持する基板ステージ(基板チャック)8、基板ステージ8を支持するステージ定盤(下部定盤)12、基板ステージ8を駆動するアクチュエータ32、基板ステージ8の位置を計測する計測器9を更に含みうる。アクチュエータ32は、例えば、基板ステージ8をX、Y、θz方向に関して駆動することができるように構成されうる。ただし、アクチュエータ32は、他の軸(Z、θx、θy)に関しても基板ステージ8を駆動することができるように構成されてもよい。計測器9は、例えば、基板ステージ8の位置をX、Y、θz方向に関して計測することができるように構成されうる。
上部定盤11およびステージ定盤12は、振動絶縁機構13によって支持されうる。振動絶縁機構13は、例えば、空気ばね13である。インプリント装置100は、更に、基板7にインプリント材を塗布あるいは供給するディスペンサ14を備えうる。ディスペンサ14は、支持部材15を介して上部定盤11によって支持されうる。ディスペンサ14は、例えば、インプリント材を吐出する複数のノズルを含みうる。インプリント材は、例えば、光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂等の樹脂である。ディスペンサ14からインプリント材を吐出しながら基板ステージ8を駆動することによって、基板7の目的とする領域にインプリント材を供給することができる。
インプリント装置100は、更に、インプリント材を硬化させる硬化ユニット20を備えうる。硬化ユニット20は、上部定盤11によって支持されうる。硬化ユニット20は、インプリント材を硬化させるエネルギーをインプリント材に供給する。該エネルギーは、インプリント材が光硬化性樹脂であれば光エネルギーであり、インプリント材が熱硬化性樹脂の場合は熱エネルギーである。
インプリント装置100は、更に、モールド1と基板7との相対位置を計測するための計測器10を備えうる。計測器10は、モールド1が有するマークと基板7が有するマークとを観察するためのカメラを含みうる。カメラを使って、モールド1が有するマークと基板7が有するマークとの位置ずれ(相対位置)を計測することができる。インプリント処理においては、計測器10によって計測されたモールド1と基板7(のショット領域)との位置ずれに基づいて、モールド1と基板7との位置ずれが低減されるようにモールド1と基板7との相対位置がフィードバック制御される。モールド1と基板7のショット領域との位置ずれを計測し、その位置ずれが低減されるようにモールド1と基板7との相対位置を制御する方式は、ダイバイダイアライメントと呼ばれる。
図2には、本発明の第1実施形態のインプリント装置100における位置合わせシステム110が示されている。位置合わせシステム110は、モールド1(モールドチャック2)と基板7(基板ステージ8)との位置合わせを行う。位置合わせシステム110は、第1フィードバック制御系FBC1と第2フィードバック制御系FBC2とを備えうる。第1フィードバック制御系FBC1は、モールド1および基板7のうちの一方である第1制御対象の位置をフィードバック制御する。第2フィードバック制御系FBC2は、モールド1および基板7のうちの他方である第2制御対象の位置をフィードバック制御する。第1実施形態は、第1制御対象がモールド1であり、第2制御対象が基板7である例である。後述の第2実施形態は、第1制御対象が基板7であり、第2制御対象がモールド1である例である。
第1フィードバック制御系FBC1を説明する。目標指令器206は、モールドチャック2(モールド1)の目標位置Umを発生する。目標位置Umは、典型的には、1つのショット領域に対するインプリント処理の間は、一定の位置である。計測器5、6は、モールドチャック2の位置を計測する。以下では、計測器5、6にとって計測されたモールドチャック2の位置を計測位置Pmという。目標位置Umおよび計測位置Pmは、例えば、X、Y、Z、θx、θy、θz方向に関する位置を含みうる。演算器221は、目標位置Umと計測位置Pmとの偏差を演算する。補償器207は、例えば、PID演算器およびフィルタを含み、目標位置Umと計測位置Pmとの偏差に基づいて各軸(X、Y、Z、θx、θy、θz方向)の推力指令値を演算する。分配器208は、補償器207によって演算された各軸の推力指令値をアクチュエータ3、4に発生させるべき推力指令値に分配する。D/A変換器209は、分配器208によって分配された推力指令値をデジタル・アナログ変換する。ドライバ210は、D/A変換器209によってアナログ値に変換された推力指令値に従ってドライバ210にアクチュエータ3、4を駆動させる。このようにして、アクチュエータ3、4によってモールドチャック2(モールド1)が駆動される。
第2フィードバック制御系FBC2を説明する。第2フィードバック制御系FBC2は、第1段階では、基板ステージ8(基板7)の目標位置Usと計測器(第2計測器)9によって計測される位置Psとの差が低減されるように基板ステージ8の位置をフィードバック制御する。したがって、第1段階では、スイッチ223を介して、計測器(第2計測器)9によって計測される位置Psが演算器224に提供される。第1段階の後の第2段階では、第2フィードバック制御系FBC2は、計測器10によって計測される位置ずれPmsが低減されるように基板ステージ8の位置をフィードバック制御する。したがって、第2段階では、スイッチ223を介して、計測器10によって計測される位置ずれPmsが演算器224に提供される。ここで、計測器10によって計測される位置ずれPmsは、モールド1と基板7のショット領域との位置ずれであり、例えば、モールド1が有するマークと基板7が有するマークとの相対位置に基づいて求められうる。
目標指令器201は、第1段階では、計測器9(第2計測器)によって計測される位置Psに基づいて基板ステージ8の位置を制御するための目標位置Usを発生する。また、目標指令器201は、第2段階では、計測器10によって計測される位置ずれ(即ち、モールド1と基板7のショット領域との位置ずれ)Pmsに基づいて基板ステージ8の位置を制御するための目標位置Usを発生する。
演算器224は、目標位置Usと計測器9によって計測された計測位置Ps(第1段階)または計測器10によって計測される位置ずれPms(第2段階)との偏差を演算する。補償器202は、例えば、PID演算器およびフィルタを含み、演算器224によって演算された偏差に基づいて各軸(X、Y、Z、θx、θy、θz方向)の推力指令値を演算する。分配器203は、補償器202によって演算された各軸の推力指令値をアクチュエータ32に発生させるべき推力指令値に分配する。D/A変換器204は、分配器203によって分配された推力指令値をデジタル・アナログ変換する。ドライバ205は、D/A変換器204によってアナログ値に変換された推力指令値に従ってドライバ205にアクチュエータ32を駆動させる。このようにして、アクチュエータ32によって基板ステージ8が駆動される。
ここで、第2段階では、計測器10によって計測されたモールド1と基板7のショット領域との位置ずれPmsが低減されるように基板ステージ8が駆動される。つまり、第2段階では、モールド1の位置に追従するように基板ステージ8が駆動される。
第1実施形態では、基板7の1つのショット領域に対するインプリント処理において、第1フィードバック制御系FBC1および第2フィードバック制御系FBC2は、次のような制御を行う。即ち、基板7の1つのショット領域に対するインプリント処理において、第1フィードバック制御系FBC1は、モールドチャック2の目標位置Umに基づいてモールドチャック2の位置をフィードバック制御する。また、基板7の1つのショット領域に対するインプリント処理において、第2フィードバック制御系FBC2は、計測器10によって計測される位置ずれPmsが低減されるように基板ステージ8の位置をフィードバック制御する。ここで、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数より低い。
ゲイン交差周波数は、フィードバック制御系における開ループ伝達関数のゲイン(つまり、開ループゲイン)が0となる周波数をいう。第1フィードバック制御系FBC1の開ループ伝達関数は、補償器207、分配器208、D/A変換器209、ドライバ210、アクチュエータ3(4)、モールドチャック2、計測器5(6)のそれぞれの伝達関数の積である。第2フィードバック制御系FBC2の開ループ伝達関数は、補償器202、分配器203、D/A変換器204、ドライバ205、アクチュエータ32、基板ステージ8、計測器10のそれぞれの伝達関数の積である。
以下、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数と第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数との関係がモールド1と基板7との位置合わせに及ぼす影響を図3、図4に示された比較例に基づいて説明する。その後、図5を参照しながら、第1実施形態に従って第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数を第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数より低くした場合の効果を例示的に説明する。
図3において、301は、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1の開ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。また、302は、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1の閉ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。第1実施形態では、前述のとおり、第1フィードバック制御系FBC1は、モールド1の位置をフィードバック制御する制御系である。第1フィードバック制御系FBC1の開ループ伝達関数をG1oとし、第1フィードバック制御系FBC1の閉ループ伝達関数をG1cとすると、G1c=G1o/(1+G1o)である。
図3において、303は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2の開ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。また、304は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2の閉ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。第1実施形態では、前述のとおり、第2フィードバック制御系FBC2は、基板7の位置をフィードバック制御する制御系である。第2フィードバック制御系FBC2の開ループ伝達関数をG2oとし、第2フィードバック制御系FBC2の閉ループ伝達関数をG2cとすると、G2c=G2o/(1+G2o)である。
図3において、305は、モールドチャック2の計測位置Pm(より具体的には、モールドチャック2のX又はY方向における計測位置)の変化を示すグラフであり、横軸は時間(t)である。図3において、306は、基板ステージ8の計測位置Ps(より具体的には、基板ステージ8のX又はY方向における計測位置)の変化を示すフラグであり、横軸は時間である。図3において、307は、計測器10によって計測されたモールド1と基板7のショット領域との位置ずれPms(より具体的には、モールド1と基板7のショット領域とのX又はY方向における位置ずれ)の変化を示すグラフであり、横軸は時間である。
モールドチャック2の位置をフィードバック制御する第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcmは、基板ステージ8の位置をフィードバック制御する第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数Fcsより少しだけ高い。モールドチャック2は、ゲイン交差周波数fcmと、第1フィードバック制御系FBC1の共振周波数(固有振動周波数)f1との振動成分で揺れているものとする。f1は、基板ステージ8の位置を制御する第2フィードバック制御系FBC2の制御帯域よりも高いので、基板ステージ8は、モールドチャック2の振動に追従することができない。また、fcmは、fcsより高い。結果として、307として示されるように、モールド1と基板7のショット領域との位置ずれPmsには、基板ステージ8がモールドチャック2に追従することができないf1の成分とfcmの成分とが残る。この位置ずれPmsは、位置合わせ精度を低下させる。
図4には他の比較例が示されている。図4において、401は、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1の開ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。また、402は、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1の閉ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。図4において、403は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2の開ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。また、404は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2の閉ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。図3において、405は、モールドチャック2の計測位置Pm(より具体的には、モールドチャック2のX又はY方向における計測位置)の変化を示すグラフであり、横軸は時間である。図4において、406は、基板ステージ8の計測位置Ps(より具体的には、基板ステージ8のX又はY方向における計測位置)の変化を示すフラグであり、横軸は時間である。図4において、407は、計測器10によって計測されたモールド1と基板7のショット領域との位置ずれPms(より具体的には、モールド1と基板7のショット領域とのX又はY方向における位置ずれ)の変化を示すグラフであり、横軸は時間である。
モールドチャック2の位置を制御する第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcmは、基板ステージ8の位置を制御する第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数fcwより高い。また、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcmは、第2フィードバック制御系FBC2の閉ループゲインが0dBより小さい帯域に位置する。モールドチャック2は、ゲイン交差周波数fcmと、第1フィードバック制御系FBC1の共振周波数f1との振動成分で揺れているものとする。fcm、f1は、基板ステージ8の位置を制御する第2フィードバック制御系FBC2の制御帯域よりも高いので、基板ステージ8は、モールドチャック2の振動に追従することができない。よって、図3に示された比較例と同様に、407として示されるように、モールド1と基板7のショット領域との位置ずれPmsには、基板ステージ8がモールドチャック2に追従することができないf1の成分とfcmの成分とが残る。この位置ずれPmsは、位置合わせ精度を低下させる。
以下、図5を参照しながら、第1実施形態に従って第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数を第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数より低くした場合の効果を例示的に説明する。図5において、501は、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1の開ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。また、502は、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1の閉ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。図5において、503は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2の開ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。また、504は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2の閉ループ伝達関数のゲイン特性を示すボード線図である。図5において、505は、モールドチャック2の計測位置Pm(より具体的には、モールドチャック2のX又はY方向における計測位置)の変化を示すグラフであり、横軸は時間である。図5において、506は、基板ステージ8の計測位置Ps(より具体的には、基板ステージ8のX又はY方向における計測位置)の変化を示すフラグであり、横軸は時間である。図5において、507は、計測器10によって計測されたモールド1と基板7のショット領域との位置ずれPms(より具体的には、モールド1と基板7のショット領域とのX又はY方向における位置ずれ)の変化を示すグラフであり、横軸は時間である。
図5では、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcm’が第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数fcsより低い。第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcm’は、例えば、補償器207のPIDゲインを小さくすることによって下げることができる。第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcm’を第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数fcsに対して十分に低くすることによって、モールドチャック2に対する基板ステージ8の追従性を向上させることができる。例えば、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcm’は、第2フィードバック制御系FBC2の閉ループゲインが3dB以下である帯域に存在することが好ましい。また、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcm’は、第2フィードバック制御系FBC2の閉ループゲインが0dB以下である帯域に存在することがより好ましい。
例えば、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcm’が第2フィードバック制御系FBC2の閉ループゲインが0dB以下の帯域に存在する場合を想定する。この場合、第2フィードバック制御系FBC2は、モールドチャック2の振動に対してゲイン=1で基板ステージ8を追従させることができる。共振周波数f1は、変化しなくても、ゲイン交差周波数fcm’が低くなったことによって共振周波数f1におけるゲインが下がる。これにより、507として示されるように、モールド1と基板7のショット領域との位置ずれPmsが小さくなり、位置合わせ精度が改善される。
以上のように、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数を第2フィードバック制御系FBC2のゲイン交差周波数より低くすることにより、基板とモールドとの位置合わせ精度を向上させることができる。また、このような思想によれば、第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数の不要に高く設計する必要がないので、コストの増加を効果的に抑えることができる。
第1フィードバック制御系FBC1のゲイン交差周波数fcm’を下げることにより、第1フィードバック制御系FBC1の閉ループゲインが小さくなる。これにより第1フィードバック制御系FBCに加わる外乱に対するサーボ剛性が低くなる。外乱としては、インプリント材を介して基板ステージ8から受ける力を挙げることができる。図6(a)には、基板7を保持した基板ステージ8がモールド1を保持したモールドチャック2が移動する様子が模式的に示されている。モールド1と基板7との間にはインプリント材61が存在する。
図6(b)には、目標位置A0に向かって駆動されている基板ステージ8の移動が示されている。図6(b)において、縦軸は基板ステージ8の位置Ps、横軸は時間を示している。図6(c)には、インプリント材61を介してモールドチャック2が基板ステージ8から受ける力Fの時間的な変化が示されている。モールドチャック2の位置を制御する第1フィードバック制御系FBC1の閉ループゲインを下げると、力Fのような外乱に対するサーボ剛性が低くなる。その結果、モールドチャック2が基板ステージ8の移動によって受ける力Fによって引きずられうる。これに対する対策として、基板ステージ8の位置を制御する第2フィードバック制御系FBC2における操作量がモールドチャック2の位置を制御する第1フィードバック制御系FBC1にフィードフォワードされることが好ましい。
例えば、図2に例示されるように、第2フィードバック制御系FBC2の補償器202が発生する操作量である力Fに応じた操作量−Fが第1フィードバック制御系FBC1の補償器207の出力にフィードフォワードされうる。これにより、インプリント材61を介してモールドチャック2が基板ステージ8から受ける力Fをキャンセルすることができる。ここで、補償器202が発生する操作量は、基板ステージ8の位置を制御するための推力である。
以下、図7を参照しながら本発明の第2実施形態を説明する。図7には、第2実施形態のインプリント装置100における位置合わせシステム110’が示されている。位置合わせシステム110’は、モールド1(モールドチャック2)と基板7(基板ステージ8)との位置合わせを行う。位置合わせシステム110’は、第1フィードバック制御系FBC1’と第2フィードバック制御系FBC2’とを備えている。第2実施形態は、第1制御対象が基板7であり、第2制御対象がモールド1である例である。よって、第2実施形態では、第1フィードバック制御系FBC1’は、第1制御対象である基板7の位置をフィードバック制御し、第2フィードバック制御系FBC2’は、第2制御対象であるモールド1の位置をフィードバック制御する。
第1フィードバック制御系FBC1’を説明する。目標指令器201は、基板ステージ8(基板7)の目標位置Usを発生する。目標位置Usは、典型的には、1つのショット領域に対するインプリント処理の間は、一定の位置である。計測器9は、基板ステージ8の位置(計測位置)Psを計測する。目標位置Usおよび計測位置Psは、例えば、X、Y、Z、θx、θy、θz方向に関する位置を含みうる。演算器233は、目標位置Usと計測位置Psとの偏差を演算する。補償器202は、例えば、PID演算器およびフィルタを含み、目標位置Usと計測位置Psとの偏差に基づいて各軸(X、Y、Z、θx、θy、θz方向)の推力指令値を演算する。分配器203は、補償器202によって演算された各軸の推力指令値をアクチュエータ32に発生させるべき推力指令値に分配する。D/A変換器204は、分配器203によって分配された推力指令値をデジタル・アナログ変換する。ドライバ205は、D/A変換器204によってアナログ値に変換された推力指令値に従ってドライバ205にアクチュエータ32を駆動させる。このようにして、アクチュエータ32によって基板ステージ8(基板7)が駆動される。
第2フィードバック制御系FBC2’を説明する。第2フィードバック制御系FBC2’は、第1段階では、モールドチャックの目標位置Umと計測器5、6(第2計測器)によって計測される位置Pmとの差が低減されるようにモールドチャック2の位置をフィードバック制御する。したがって、第1段階では、スイッチ231を介して、計測器5、6(第2計測器)によって計測される位置Pmが演算器232に提供される。第1段階の後の第2段階では、第2フィードバック制御系FBC2’は、計測器10によって計測される位置ずれPmsが低減されるようにモールドチャック2の位置をフィードバック制御する。したがって、第2段階では、スイッチ231を介して、計測器10によって計測される位置ずれPmsが演算器232に提供される。
目標指令器206は、第1段階では、計測器5、6によって計測される位置Pmに基づいてモールドチャック2の位置を制御するための目標位置Umを発生する。また、目標指令器206は、第2段階では、計測器10によって計測される位置ずれ(即ち、モールド1と基板7のショット領域との位置ずれ)Pmsに基づいてモールドチャック2の位置を制御するための目標位置Umを発生する。
演算器232は、目標位置Umと計測器5、6によって計測された計測位置Pm(第1段階)または計測器10によって計測される位置ずれPms(第2段階)との偏差を演算する。補償器207は、例えば、PID演算器およびフィルタを含み、演算器232によって演算された偏差に基づいて各軸(X、Y、Z、θx、θy、θz方向)の推力指令値を演算する。分配器208は、補償器207によって演算された各軸の推力指令値をアクチュエータ3、4に発生させるべき推力指令値に分配する。D/A変換器209は、分配器208によって分配された推力指令値をデジタル・アナログ変換する。ドライバ210は、D/A変換器209によってアナログ値に変換された推力指令値に従ってドライバ210にアクチュエータ3、4を駆動させる。このようにして、アクチュエータ3、4によってモールドチャック2が駆動される。
ここで、第2段階では、計測器10によって計測されたモールド1と基板7のショット領域との位置ずれPmsが低減されるようにモールドチャック2が駆動される。つまり、第2段階では、基板7の位置に追従するようにモールド1が駆動される。
第2実施形態では、基板7の1つのショット領域に対するインプリント処理において、第1フィードバック制御系FBC1’および第2フィードバック制御系FBC2’は、次のような制御を行う。即ち、基板7の1つのショット領域に対するインプリント処理において、第1フィードバック制御系FBC1’は、基板ステージ8の目標位置に基づいて基板ステージ8の位置をフィードバック制御する。また、基板7の1つのショット領域に対するインプリント処理において、第2フィードバック制御系FBC2’は、計測器10によって計測される位置ずれPmsが低減されるようにモールドチャック2の位置をフィードバック制御する。ここで、インプリント処理における第1フィードバック制御系FBC1’のゲイン交差周波数は、インプリント処理における第2フィードバック制御系FBC2’のゲイン交差周波数より低い。
第1フィードバック制御系FBC1’の開ループ伝達関数は、補償器202、分配器203、D/A変換器204、ドライバ205、アクチュエータ32、基板ステージ8、計測器9のそれぞれ伝達関数の積である。第2フィードバック制御系FBC2’の開ループ伝達関数は、補償器207、分配器208、D/A変換器209、ドライバ210、アクチュエータ3(4)、モールドチャック2、計測器10のそれぞれ伝達関数の積である。
第2フィードバック制御系FBC2’の補償器207が発生する操作量(モールドチャック2の位置を制御するための推力)である力Fに応じた操作量−Fが第1フィードバック制御系FBC1’の補償器202の出力にフィードフォワードされうる。これにより、インプリント材61を介して基板ステージ8がモールドチャック2から受ける力Fをキャンセルすることができる。
以下、上記の実施形態のインプリント装置100を用いて物品を製造する物品製造方法を説明について説明する。物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンが形成された基板を処理(例えば、エッチング)する工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
10:インプリント装置、1:モールド、2:モールドチャック、3:アクチュエータ、4:アクチュエータ、5:計測器、6:計測器、7:基板、8:基板ステージ、9:計測器、10:計測器、11:上部定盤、13:振動絶縁機構、14:ディスペンサ、15:支持部材、20:硬化ユニット、32:アクチュエータ、110:位置合わせシステム、FBC1:第1フィードバック制御系、FBC2:第2フィードバック制御系
Claims (9)
- 基板の上に供給されたインプリント材にモールドを接触させて該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記モールドおよび前記基板のうちの一方である第1制御対象の位置をフィードバック制御する第1フィードバック制御系と、
前記モールドおよび前記基板のうちの他方である第2制御対象の位置をフィードバック制御する第2フィードバック制御系と、
前記第1制御対象と前記第2制御対象との位置ずれを計測する計測器とを備え、
前記インプリント処理において、前記第1フィードバック制御系は、前記第1制御対象の目標位置に基づいて前記第1制御対象の位置をフィードバック制御し、前記第2フィードバック制御系は、前記計測器によって計測される位置ずれが低減されるように前記第2制御対象の位置をフィードバック制御し、
前記第1フィードバック制御系のゲイン交差周波数は、前記第2フィードバック制御系のゲイン交差周波数より低い、
ことを特徴とするインプリント装置。 - 前記第1フィードバック制御系のゲイン交差周波数は、前記第2フィードバック制御系の閉ループゲインが3dB以下である帯域に存在する、
ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記第2フィードバック制御系における操作量に応じた操作量が前記第1フィードバック制御系にフィードフォワードされる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。 - 前記操作量は、前記第2制御対象の位置を制御するための推力である、
ことを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。 - 前記第2制御対象の位置を計測する第2計測器を更に備え、
前記第2フィードバック制御系は、前記第2制御対象の目標位置と前記第2計測器によって計測される位置との差が低減されるように前記第2制御対象の位置をフィードバック制御した後に、前記計測器によって計測される位置ずれが低減されるように前記第2制御対象の位置をフィードバック制御する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記第1制御対象が前記モールドであり、前記第2制御対象が前記基板である、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記第1制御対象が前記基板であり、前記第2制御対象が前記モールドである、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記計測器は、前記第1制御対象が有するマークと前記第2制御対象が有するマークとを観察するカメラを含む、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015138085A JP2017022242A (ja) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | インプリント装置および物品製造方法 |
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US11392027B2 (en) | 2019-05-28 | 2022-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article |
-
2015
- 2015-07-09 JP JP2015138085A patent/JP2017022242A/ja active Pending
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