JP2017021133A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造時に駆動ビームの下端にレジスト残渣が付着しても、光の透過／遮断制御を正常に行う表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素を有する表示装置は、基板１１と、複数の画素それぞれに対応して設けられ、印加される電圧に応じて基板１１に対して移動することによって、基板１１を透過させる光量を制御するシャッター体３と、シャッター体３と電気的に接続され、印加される電圧に応じて移動することによって、シャッター体３を移動可能にする第１シャッタービーム５１及び第２シャッタービーム５２と、第１シャッタービーム５１及び第２シャッタービーム５２とそれぞれ対向する第１駆動ビーム６１及び第２駆動ビーム６２とを備える。第１駆動ビーム６１及び第２駆動ビーム６２のうちの少なくとも一方の駆動ビームの下端は、当該駆動ビームが対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にある。
【選択図】図１２

Description

本発明は、表示装置に関し、特にメカニカルシャッターを用いた表示装置に関する。

近年、メカニカル（機械式）シャッターを用いた表示装置として、ＭＥＭＳディスプレイ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｄｉｓｐｌａｙ）が提案されている。例えば、下記特許文献１には、透過型のＭＥＭＳディスプレイが開示されている。このＭＥＭＳディスプレイでは、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、ＴＦＴとも称する。）を備えた第１基板に、ＭＥＭＳからなる複数のシャッター部が画素に対応してマトリクス状に配列される。第２基板の第１基板側に形成された遮光膜には、画素に対応してマトリクス状に並ぶ複数の開口部が設けられる。シャッター部が移動することにより、開口部を開閉し、バックライトユニットから表示面へ光を透過させたり遮断したりする。

特開２０１３−５０７２０号公報

ここで、シャッター部は、第１基板に対して移動可能なシャッター体と、シャッター体と電気的に接続されているシャッタービームと、シャッタービームと対向する駆動ビームとを備えている。印加される電圧に応じてシャッタービームと駆動ビームとが引き合うと、シャッタービームと駆動ビームは互いに接触する。

しかしながら、シャッター部の製造時に、駆動ビームの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間にレジスト残渣が存在する場合がある。この場合、印加される電圧に応じてシャッタービームと駆動ビームとが引き合っても、間に存在するレジスト残渣によってシャッタービームと駆動ビームが完全に接触することができなくなり、光の透過／遮断制御に異常が生じる。

本発明は、製造時に駆動ビームの下端にレジスト残渣が付着しても、光の透過／遮断制御を正常に行うことができる表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態における表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、基板と、前記複数の画素それぞれに対応して設けられ、印加される電圧に応じて前記基板に対して移動することによって、前記基板を透過させる光量を制御するシャッター体と、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて移動することによって、前記シャッター体を移動可能にする第１シャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて移動することによって、前記シャッター体を移動可能にする第２シャッタービームと、前記第１シャッタービームと対向する第１駆動ビームと、前記第２シャッタービームと対向する第２駆動ビームと、を備え、前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームの下端は、当該駆動ビームが前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にある。

本発明の開示によれば、製造時に駆動ビームの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームを駆動ビームと接触させることができる。

図１は、第１の実施形態における表示装置の構成例を示す斜視図である。 図２は、表示装置の一部の領域における等価回路図である。 図３は、１つの画素におけるシャッター機構の詳細な構成例を示す斜視図である。 図４は、シャッター機構の平面図である。 図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面図である。 図６は、シャッター機構の平面図である。 図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。 図８は、第１基板の断面図である。 図９は、遮光膜を示す平面図である。 図１０は、遮光膜の周縁部を示す断面図である。 図１１Ａは、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。 図１１Ｂは、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。 図１２は、レジスト残渣が駆動ビームの下端に付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んだ状態で、シャッタービームを駆動ビーム側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。 図１３は、駆動ビームの下端が駆動ビームとシャッタービームとの接触部分の下端と同じ位置にある従来の構成において、レジスト残渣が駆動ビームの下端に付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んだ状態で、シャッタービームを駆動ビーム側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。 図１４は、レジスト残渣が駆動ビームの下端に付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んだ状態で、シャッタービームを駆動ビーム側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。 図１５は、駆動ビームの下端が駆動ビームとシャッタービームとの接触部分の下端と同じ位置にある従来の構成において、レジスト残渣が駆動ビームの下端に付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んだ状態で、シャッタービームを駆動ビーム側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。 図１６は、第１の実施形態において、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図１７は、図１６に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図１８は、図１７に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図１９は、図１８に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図２０は、図１９に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図２１は、図２０に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図２２は、駆動ビームの下端にレジスト残渣が付着する理由を説明するための図である。 図２３は、駆動ビームの下端にレジスト残渣が付着する理由を説明するための図である。 図２４は、駆動ビームの下端にレジスト残渣が付着する理由を説明するための図である。 図２５は、第１基板の製造方法を説明するための図である。 図２６は、図２５に示す状態に続いて、第１基板の製造方法を説明するための図である。 図２７は、図２６に示す状態に続いて、第１基板の製造方法を説明するための図である。 図２８は、図２７に示す状態に続いて、第１基板の製造方法を説明するための図である。 図２９は、図２８に示す状態に続いて、第１基板の製造方法を説明するための図である。 図３０は、図２９に示す状態に続いて、第１基板の製造方法を説明するための図である。 図３１Ａは、第１の実施形態の変形例１の構成であって、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。 図３１Ｂは、第１の実施形態の変形例１の構成であって、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。 図３２は、第１の実施形態の変形例１の構成において、レジスト残渣が駆動ビームの下端に付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んだ状態で、シャッタービームを駆動ビーム側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。 図３３は、第１の実施形態の変形例１において、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図３４は、図３３に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図３５は、図３４に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図３６は、図３５に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図３７Ａは、第１の実施形態の変形例２の構成であって、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。 図３７Ｂは、第１の実施形態の変形例２の構成であって、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。 図３８は、第１の実施形態の変形例２の構成において、レジスト残渣が駆動ビームの下端に付着して、駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んだ状態で、シャッタービームを駆動ビーム側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。 図３９は、第１の実施形態の変形例２において、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４０は、図３９に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４１は、図４０に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４２は、図４１に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４３Ａは、第２の実施形態の構成において、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。 図４３Ｂは、第２の実施形態の構成において、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。 図４４は、第２の実施形態において、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４５は、図４４に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４６は、図４５に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４７Ａは、第３の実施形態の構成において、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。 図４７Ｂは、第３の実施形態の構成において、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。 図４８は、第３の実施形態において、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。 図４９は、図４８に示す状態に続いて、シャッター機構の製造工程について説明するための図である。

本発明の一実施形態における表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、基板と、前記複数の画素それぞれに対応して設けられ、印加される電圧に応じて前記基板に対して移動することによって、前記基板を透過させる光量を制御するシャッター体と、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて移動することによって、前記シャッター体を移動可能にする第１シャッタービームと、前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて移動することによって、前記シャッター体を移動可能にする第２シャッタービームと、前記第１シャッタービームと対向する第１駆動ビームと、前記第２シャッタービームと対向する第２駆動ビームと、を備え、前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームの下端は、当該駆動ビームが前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にある（第１の構成）。

第１の構成によれば、第１駆動ビーム及び第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームの下端は、当該駆動ビームが対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にあるので、当該駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が当該駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームは、当該駆動ビームと正常に接触することができる。

第１の構成において、前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、クランク形状であってもよい（第２の構成）。

第２の構成によれば、駆動ビームの断面形状をクランク形状とすることにより、駆動ビームとシャッタービームが接触したときに、駆動ビームの下端側において、駆動ビームとシャッタービームとの間に空間が生じるので、駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームは、駆動ビームと正常に接触することができる。

第１の構成において、前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの少なくとも一方のシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、クランク形状であってもよい（第３の構成）。

第３の構成によれば、シャッタービームの断面形状をクランク形状とすることにより、駆動ビームとシャッタービームが接触したときに、駆動ビームの下端側において、駆動ビームとシャッタービームとの間に空間が生じるので、駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームは、駆動ビームと正常に接触することができる。

第１の構成において、前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状はクランク形状であり、断面形状が前記クランク形状である当該駆動ビームと対向するシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状はクランク形状とする構成としてもよい（第４の構成）。

第４の構成によれば、駆動ビーム及び当該駆動ビームと対向するシャッタービームの断面形状をクランク形状とすることにより、駆動ビームとシャッタービームが接触したときに、駆動ビームの下端側において駆動ビームとシャッタービームとの間に生じる空間を広くすることができるので、駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームは、より確実に駆動ビームと接触することができる。

第１の構成において、前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向するシャッタービームから遠ざかる曲線形状とする構成としてもよい（第５の構成）。

第５の構成によれば、駆動ビームの断面形状を上端から下端に向かうに従って対向するシャッタービームから遠ざかる曲線形状とすることにより、駆動ビームとシャッタービームが接触したときに、駆動ビームの下端側において、駆動ビームとシャッタービームとの間に空間が生じるので、駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームは、駆動ビームと正常に接触することができる。

第１の構成において、前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの少なくとも一方のシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向する駆動ビームから遠ざかる曲線形状とする構成としてもよい（第６の構成）。

第６の構成によれば、シャッタービームの断面形状を上端から下端に向かうに従って対向する駆動ビームから遠ざかる曲線形状とすることにより、駆動ビームとシャッタービームが接触したときに、駆動ビームの下端側において、駆動ビームとシャッタービームとの間に空間が生じるので、駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームは、駆動ビームと正常に接触することができる。

第１の構成において、前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向するシャッタービームから遠ざかる曲線形状であり、断面形状が前記曲線形状である当該駆動ビームと対向するシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向する駆動ビームから遠ざかる曲線形状である構成としてもよい（第７の構成）。

第７の構成によれば、駆動ビーム及び当該駆動ビームと対向するシャッタービームの断面形状を、対向するビームから遠ざかる曲線形状とすることにより、駆動ビームとシャッタービームが接触したときに、駆動ビームの下端側において駆動ビームとシャッタービームとの間に生じる空間を広くすることができるので、駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、シャッタービームは、より確実に駆動ビームと接触することができる。

第１の構成において、前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの少なくとも一方のシャッタービームの下端は、当該シャッタービームと対向する駆動ビームの下端よりも高い位置にある構成としてもよい（第８の構成）。

第８の構成によれば、シャッタービームの下端は、当該シャッタービームと対向する駆動ビームの下端よりも高い位置にあるので、駆動ビームの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビームとシャッタービームとの間に回り込んでも、レジスト残渣は、駆動ビームとシャッタービームとの接触部分の下端よりも低い位置に存在するため、シャッタービームは、駆動ビームと正常に接触することができる。

［実施の形態］
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態における表示装置１０の構成例を示す斜視図である。図２は、表示装置１０の一部の領域における等価回路図である。表示装置１０は、透過型ＭＥＭＳディスプレイである。

表示装置１０は、第１基板１１、第２基板２１及びバックライト３１が順に積層された構成を有する。

第１基板１１には、画像を表示するための複数の画素Ｐが配置される表示領域１３が設けられている。表示領域１３には、光を透過する光透過領域と、光を遮光する遮光領域とが存在する。第１基板１１にはまた、各画素Ｐの光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１２及びゲートドライバ１４が設けられている。第２基板２１は、バックライト３１のバックライト面を覆うように設置されている。

バックライト３１は、各画素Ｐにバックライト光を照射するために、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、及び青色（Ｂ）光源を有している。バックライト３１は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させる。光源は、例えば冷陰極管（ＣＣＦＬ）、ＬＥＤ、有機ＥＬ、無機ＥＬ等である。

図２に示すように、第１基板１１には、複数のデータ線１５及び複数のゲート線１６が設けられている。データ線１５は、第１の方向に延伸しており、第１の方向と直交する第２の方向に所定の間隔で複数設けられている。ゲート線１６は、第２の方向に延伸しており、第１の方向に所定の間隔で複数設けられている。

画素Ｐは、データ線１５とゲート線１６とによって区切られた領域に形成されている。各画素Ｐには、後述するシャッター機構Ｓが設けられている。

各データ線１５はソースドライバ１２に接続され、各ゲート線１６はゲートドライバ１４に接続されている。ゲートドライバ１４は、各ゲート線１６に、ゲート線１６を選択又は非選択の状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１６を走査する。ソースドライバ１２は、ゲート線１６の走査に同期して、各データ線１５にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１６に接続された各画素Ｐのシャッター機構Ｓに、所望の信号電圧を印加する。

図３は、１つの画素Ｐにおけるシャッター機構Ｓの詳細な構成例を示す斜視図である。シャッター機構Ｓは、シャッター体３と、第１電極部４ａと、第２電極部４ｂとを備える。

シャッター体３は、板状の形状を有する。なお、図３では、図示の便宜上、シャッター体３は平面形状を有するように示しているが、実際には、後述する図５や図７の断面図に示すように、シャッター体３の長手方向（長辺方向）に折り目を有した形状である。シャッター体３の長手方向に垂直な方向、すなわち短手方向（短辺方向）がシャッター体３の駆動方向（移動方向）である。

シャッター体３は、長手方向に延びる開口３ａを有する。開口３ａは、シャッター体３の長手方向に長辺を持つ矩形に形成されている。

シャッター体３には、シャッタービーム５１、５２の一端が接続されている。シャッタービーム５１、５２の他端は、第１基板１１に固定された支持部であるシャッタービームアンカー８１、８２に接続されている。シャッタービーム５１、５２は、弾性変形可能である。

第１シャッタービーム５１（以下、単にシャッタービーム５１とも呼ぶ）は、駆動方向におけるシャッター体３の一方の端部に接続され、第２シャッタービーム５２（以下、単にシャッタービーム５２とも呼ぶ）は、駆動方向におけるシャッター体３の他方の端部に接続されている。すなわち、第２シャッタービーム５２は、第１シャッタービーム５１が接続されているシャッター体３の端部と反対側の端部に接続されている。この例では、シャッター体３の２つの長辺にそれぞれ２本の第１シャッタービーム５１と第２シャッタービーム５２が接続されている。第１シャッタービーム５１は、シャッター体３との接続箇所から外側へ延びて、第１シャッタービームアンカー８１に接続されている。また、第２シャッタービーム５２は、シャッター体３との接続箇所から外側へ延びて、第２シャッタービームアンカー８２に接続されている。ここでは一例として、第１シャッタービーム５１は一対のシャッタービームで構成されているが、１本のシャッタービームで構成することもできる。第２シャッタービーム５２も同様である。

このように、シャッタービーム５１、５２は、第１基板１１に対して固定されたシャッタービームアンカー８１、８２と、シャッター体３とを接続する。シャッタービーム５１、５２は可撓性を有するので、シャッター体３は、第１基板１１に対して可動な状態で支持される。また、シャッター体３は、シャッタービームアンカー８１、８２及びシャッタービーム５１、５２を介して、第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。

駆動ビーム６１、６２は、シャッター体３の駆動方向における両側に隣接して設けられている。第１駆動ビーム６１（以下、単に駆動ビーム６１とも呼ぶ）はシャッター体３の駆動方向における一方の端部に、第２駆動ビーム６２（以下、単に駆動ビーム６２とも呼ぶ）はシャッター体３の駆動方向における他方の端部に対向して設けられている。すなわち、駆動ビーム６１、６２は、シャッター体３に接続されたシャッタービーム５１、５２に対向する位置に配置されている。後述するように、シャッター体３の駆動時に、駆動ビーム６１または６２は、対向するシャッタービーム５１または５２と接触する。

本実施形態では、後述するように、駆動ビーム６１の下端は、駆動ビーム６１がシャッタービーム５１と接触する接触部分の下端よりも低い位置にある。同様に、駆動ビーム６２の下端は、駆動ビーム６２がシャッタービーム５２と接触する接触部分の下端よりも低い位置にある。

駆動ビーム６１、６２の端部は、第１基板１１に固定された駆動ビームアンカー７１、７２にそれぞれ接続されている。駆動ビーム６１、６２は、駆動ビームアンカー７１、７２を介して、第１基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。ここでは一例として、第１駆動ビーム６１は一対の駆動ビームで構成されているが、１本の駆動ビームで構成することもできる。第２駆動ビーム６２も同様である。

第１駆動ビーム６１及び第１駆動ビームアンカー７１により、第１電極部４ａが構成されている。また、第２駆動ビーム６２及び第２駆動ビームアンカー７２により、第２電極部４ｂが構成されている。第１電極部４ａ及び第２電極部４ｂには、後述するように、所定の電圧が与えられる。

第１基板１１は、光を透過する光透過領域ＴＡを有する。図３に示す例では、第１基板１１には、１つの画素につき２つの光透過領域ＴＡが設けられている。光透過領域ＴＡは、シャッター体３の開口３ａに対応した矩形形状を有する。２つの光透過領域ＴＡは、シャッター体３の短手方向に並ぶように配置されている。

本実施形態において、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、第１電極部４ａと第２電極部４ｂに、一定時間ごとに極性の異なる電位を供給している。また、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、シャッター体３に対して、正の極性または負の極性の固定電位を供給する。

シャッター体３にＨ（Ｈｉｇｈ）レベルの電位が供給されている場合を例に説明すると、第１電極部４ａの駆動ビーム６１の電位がＨレベル、第２電極部４ｂの駆動ビーム６２の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルのとき、静電気力によって、シャッター体３は、Ｌレベルの第２電極部４ｂ側に移動する。その結果、図４及び図５に示すように、シャッター体３の開口３ａが第１基板１１の２つの光透過領域ＴＡのうちの１つと重なり、バックライト３１の光が第１基板１１側に透過する開状態となる。ただし、図４はシャッター機構Ｓの平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面図である。また、図５には、第１基板１１に設けられた遮光膜２０１も示している。

一方、第１電極部４ａの電位がＬレベル且つ第２電極部４ｂの電位がＨレベルのときには、シャッター体３は、第１電極部４ａ側に移動する。これにより、図６及び図７に示すように、シャッター体３の開口３ａ以外の部分が、光透過領域ＴＡと重なる。この場合、バックライト３１の光が第１基板１１側に透過しない閉状態となる。ただし、図６は、シャッター機構Ｓの平面図であり、図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。また、図７には、第１基板１１に設けられた遮光膜２０１も示している。

すなわち、本実施形態のシャッター機構Ｓでは、シャッター体３、第１電極部４ａ、及び第２電極部４ｂの電位を制御することにより、シャッター体３を移動させ、第１基板１１の光透過領域ＴＡの開状態と閉状態との切り替えを行うことができる。なお、シャッター体３にＬレベルの電位が供給されている場合には、シャッター体３は上記とは逆の動作をする。

（第１基板）
図８は、第１基板１１の断面図である。

第１基板１１は、透光性基板（例えば、ガラス基板）１００上に、遮光部２００、ＴＦＴ３００、及びシャッター機構Ｓが形成された構成を有する。なお、図８では１つのＴＦＴを示しているが、実際には、単一の画素Ｐに複数のＴＦＴを含んでいる。

遮光部２００は、遮光膜２０１、第１透明絶縁膜２０２、第２透明絶縁膜２０３、光透過膜２０４、及び第３透明絶縁膜２０５を含む。

ＴＦＴ３００は、ゲート電極３０１、酸化物半導体膜３０２、エッチストッパ層３０３，ソース電極３０４、及びドレイン電極３０５を含む。

遮光膜２０１は、透光性基板１００上に設けられている。遮光膜２０１は、図９に示すように、表示領域１３のうち、光透過領域ＴＡ以外を覆うように形成されている。これにより、表示視認側から表示装置１０に進入した外光が遮光膜２０１よりも第２基板２１側に入っていくのを抑制することができる。

遮光膜２０１は、光を反射しにくい材料で形成されている。これにより、表示視認側から表示装置１０に進入した外光が、遮光膜２０１で反射して表示視認側に戻っていくのを抑制することができる。また、遮光膜２０１は、高抵抗の材料で形成されている。これにより、遮光膜２０１とＴＦＴ３００等を構成する導電膜との間に大きな寄生容量が形成されるのを抑制することができる。また、遮光膜２０１は、ＴＦＴ製造プロセスよりも前に形成されるので、遮光膜２０１の材料としては、後工程でのＴＦＴ製造プロセス処理においてＴＦＴ特性への影響がなく、かつＴＦＴ製造プロセス処理に耐えうる材料を選択する必要がある。このような条件を満足する遮光膜２０１の材料としては、例えば、カーボン粒子（カーボンブラック）を含有することによって暗色に着色された高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜等が挙げられる。遮光膜２０１の膜厚は、例えば０．５μｍである。

光透過膜２０４は、遮光膜２０１を覆って設けられている。光透過膜２０４は、例えば、塗布型の材料で形成されている。塗布型の材料とは、塗布により成膜可能な材料を意味する。具体的には、光透過膜２０４は、例えば、透明の高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ膜で形成されている。なお、光透過膜２０４を感光性材料で形成しても良い。

光透過膜２０４を塗布型材料で形成することにより、遮光膜２０１のパターンで生じた凹凸を平坦にすることができる。そのため、ＴＦＴ３００の製造工程において、パターニングするときに、レジスト等の液溜まりを無くすことができ、パターニング精度を向上させることができる。

光透過膜２０４の膜厚は、遮光膜２０１の膜厚に対して少なくとも０．５μｍ以上厚い。光透過膜２０４を塗布型材料で形成することにより、光透過膜２０４の厚さ（遮光膜２０１が形成されている部分の厚さ）を１．０〜３．０μｍ程度にまで厚くすることができる。これにより、遮光膜２０１とＴＦＴ３００等を構成する導電膜との間隔を大きく確保することができ、両者の間に生じる寄生容量を低減することができる。

図１０は、光透過膜２０４の周縁部を示す断面図である。光透過膜２０４は、表示領域１３の外周縁部において、図１０に示すように、表示領域１３から離間する方向に向かうに従って膜厚が徐々に薄くなっている。つまり、表示領域１３の外周縁部において、光透過膜２０４の表面は、透光性基板１００に対して斜面を構成している。この斜面と透光性基板１００とのなす角θの大きさは、２０度よりも小さいことが好ましい。より好ましくは、角θの大きさは、３〜１０度である。

なお、図１０に示すように、第１基板１１と第２基板１２とは、表示領域１３の周縁部においてシール材ＳＬで接着され、両基板１１、２１の間に構成される空間がシール材ＳＬによって封止されている。シール材ＳＬは、光透過膜２０４の傾斜面と重ならないように、光透過膜２０４よりも外周側に配置されている。

光透過膜２０４の厚さは、例えば１．０μｍ以上なので、光透過膜２０４のパターンの外周縁部において、光透過膜２０４により形成される段差が大きくなる。しかしながら、光透過膜２０４の外周縁部において、光透過膜２０４の表面が透光性基板１００に対して斜面を形成し、斜面と透光性基板１００とのなす角θの大きさが２０度より小さいので、透光性基板１００の表面から光透過膜２０４の上に配線等が乗り上げている場合でも、配線（図１０では、後述する第１導電膜Ｍ１で構成された配線）が断線するのを防止することができる。なお、第１導電膜Ｍ１で構成された配線の他、後述する第２導電膜Ｍ２や第３導電膜Ｍ３で構成された配線の場合であっても同様に、配線が断線するのを防止することができる。また、光透過膜２０４の表面が透光性基板１００に対して斜面を形成し、斜面と透光性基板１００とのなす角θの大きさが２０度より小さいので、ＴＦＴ製造プロセスにおける高温アニールの工程で、光透過膜２０４にクラックが発生するのを抑制することができる。

遮光膜２０１と光透過膜２０４との間には、第１透明絶縁膜２０２及び第２透明絶縁膜２０３が設けられている。第１透明絶縁膜２０２が設けられているので、遮光膜２０１をパターンニングするときのレジスト材料との濡れ性及び密着性を向上することができる。また、遮光膜２０１の全面を覆うように、第２透明絶縁膜２０３が設けられているので、遮光膜２０１中のカーボンブラック等の暗色材料が高温アニールにより酸化されて遮光膜２０１が透明化するのを防ぐことができる。

なお、第２透明絶縁膜２０３は省略可能である。また、第３透明絶縁膜２０５が遮光膜２０１の全面を覆う場合には、第３透明絶縁膜２０５が高温アニールによるカーボンブラックの酸化を防ぐことができるので、第１透明絶縁膜２０２を省略することもできる。

ゲート電極３０１は、第１導電膜Ｍ１で形成されている。第１導電膜Ｍ１は、ＴＦＴ３００のゲート電極３０１の他、配線１１１等も構成している。また、ソース電極３０４とドレイン電極３０５は、第２導電膜Ｍ２で形成されている。第２導電膜Ｍ２は、ＴＦＴ３００のソース電極３０４とドレイン電極３０５の他、配線１１２等も構成している。酸化物半導体膜３０２は、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体膜等で形成されている。

ゲート電極３０１は、ゲート絶縁膜１０１で覆われている。ソース電極３０４とドレイン電極３０５は、パッシベーション膜１０２で覆われている。パッシベーション膜１０２は、さらに、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４で覆われている。ＴＦＴ３００は、従来公知の構成を有する。

パッシベーション膜１０２、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４には、ドレイン電極３０５に達するコンタクトホールＣＨ３が形成されている。パッシベーション膜１０４の上には、配線１１３が形成されている。配線１１３の一部１１３ａは、コンタクトホールＣＨ３の表面を覆って設けられ、ドレイン電極３０５と電気的に接続されている。配線１１３は、第３導電膜Ｍ３で形成されている。配線１１３は、シャッター機構Ｓの第１電極部４ａ、第２電極部４ｂ、シャッター体３等に接続されている。なお、配線１１３の一部１１３ａは、パッシベーション膜１０４の表面に設けられた透明導電膜１１４と電気的に接続されていてもよい。配線１１３は、パッシベーション膜１０５で覆われている。

パッシベーション膜１０５の上には、シャッター機構Ｓが設けられている。シャッター機構Ｓの構成は上述の通りである。なお、シャッター体３は、透光性基板１００側のシャッター本体３ｂと金属膜３ｃとが積層された構成を有する。

図１１Ａは、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。また、図１１Ｂは、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。

駆動ビーム６１の下端６１ｘは、駆動ビーム６１がシャッタービーム５１と接触する接触部分の下端６１ｙよりも低い位置にある。より具体的には、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１は、第１直線部６１ａと、第１直線部６１ａと平行な第２直線部６１ｂと、第１直線部６１ａ及び第２直線部６１ｂを接続する接続部６１ｃを備えるクランク形状を有する。一方、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５１は、鉛直方向に延びる直線形状を有する。駆動ビーム６１の第１直線部６１ａは、対向するシャッタービーム５１と近い側に位置し、第２直線部６１ｂは、シャッタービーム５１から遠い側に位置する。駆動ビーム６１の上端は、第１直線部６１ａの上端であり、駆動ビーム６１の下端６１ｘは、第２直線部６１ｂの下端である。

駆動ビーム６１は、対向するシャッタービーム５１と接触する際、第１直線部６１ａのシャッタービーム５１側の面がシャッタービーム５１と接触する。図１１Ａに示すように、駆動ビーム６１がシャッタービーム５１と接触する接触部分の下端６１ｙは、駆動ビーム６１の下端６１ｘよりも高い位置にある。

ここで、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触部分の下端６１ｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６１の下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６１の下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触部分の下端６１ｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触部分の下端６１ｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触面積が減少して、両ビーム５１、６１間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６１の下端６１ｘから駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触部分の下端６１ｙまでの高さｈ６１ｙは、駆動ビーム６１の下端６１ｘから駆動ビーム６１の上端までの高さｈ６１の半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６１の下端６１ｘから駆動ビーム６１の上端までの高さｈ６１は２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６１の下端６１ｘから駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触部分の下端６１ｙまでの高さｈ６１ｙは、０．３〜１．０μｍである。

同様に、駆動ビーム６２の下端６２ｘは、駆動ビーム６２がシャッタービーム５２と接触する接触部分の下端６２ｙよりも低い位置にある。より具体的には、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６２は、第１直線部６２ａと、第１直線部６２ａと平行な第２直線部６２ｂと、第１直線部６２ａ及び第２直線部６２ｂを接続する接続部６２ｃを備えるクランク形状を有する。一方、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５２は、鉛直方向に延びる直線形状を有する。駆動ビーム６２の第１直線部６２ａは、対向するシャッタービーム５２と近い側に位置し、第２直線部６２ｂは、シャッタービーム５２から遠い側に位置する。駆動ビーム６２の上端は、第１直線部６２ａの上端であり、駆動ビーム６２の下端６２ｘは、第２直線部６２ｂの下端である。

駆動ビーム６２は、対向するシャッタービーム５２と接触する際、第１直線部６２ａのシャッタービーム５２側の面がシャッタービーム５２と接触する。図１１Ｂに示すように、駆動ビーム６２がシャッタービーム５２と接触する接触部分の下端６２ｙは、駆動ビーム６２の下端６２ｘよりも高い位置にある。

ここで、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触部分の下端６２ｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６２の下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６２の下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触部分の下端６２ｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触部分の下端６２ｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触面積が減少して、両ビーム５２、６２間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６２の下端６２ｘから駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触部分の下端６２ｙまでの高さｈ６２ｙは、駆動ビーム６２の下端６２ｘから駆動ビーム６２の上端までの高さｈ６２の半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６２の下端６２ｘから駆動ビーム６２の上端までの高さｈ６２は２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６２の下端６２ｘから駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触部分の下端６２ｙまでの高さｈ６２ｙは、０．３〜１．０μｍである。

上述したように、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６２はクランク形状を有し、駆動ビーム６２の下端６２ｘは、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との接触部分の下端６２ｙよりも低い位置にある。従って、シャッタービーム５２が駆動ビーム６２と接触した際に、接触部分の下端６２ｙより下では、シャッタービーム５２と駆動ビーム６２との間に空間が生じる。これにより、製造時に駆動ビーム６２の下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との間に回り込んでも、レジスト残渣は、シャッタービーム５２と駆動ビーム６２との間の空間に存在するため、シャッタービーム５２は、駆動ビーム６２と正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

図１２は、レジスト残渣１２１が駆動ビーム６２の下端に付着して、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との間に回り込んだ状態で、シャッタービーム５２を駆動ビーム６２側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。図１２に示すように、駆動ビーム６２の下端側において、シャッタービーム５２と駆動ビーム６２の間にレジスト残渣が存在しているが、シャッタービーム５２は駆動ビーム６２と正常に接触している。

図１３は、駆動ビーム６１ｐ、６２ｐの下端が駆動ビーム６１ｐ、６２ｐとシャッタービーム５１ｐ、５２ｐとの接触部分の下端と同じ位置にある従来の構成において、レジスト残渣１３１ｐが駆動ビーム６２ｐの下端に付着して、駆動ビーム６２ｐとシャッタービーム５１ｐとの間に回り込んだ状態で、シャッタービーム５１ｐを駆動ビーム６２ｐ側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。図１３に示す従来の構成例では、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１ｐ、６２ｐは直線形状であり、シャッタービーム５１ｐ、５２ｐは直線形状である。この場合、図１３に示すように、駆動ビーム６２ｐとシャッタービーム５２ｐとの間にレジスト残渣１３１ｐが存在するために、シャッタービーム５２ｐは駆動ビーム６２ｐと正常に接触することができない。このため、シャッター体３ｐの一部が第１基板１１ｐの光透過領域ＴＡの一部と重なってしまうため、白色の表示制御時に、該当画素が半黒点となる。

また、上述したように、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１はクランク形状を有し、駆動ビーム６１の下端６１ｘは、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との接触部分の下端６１ｙよりも低い位置にある。従って、シャッタービーム５１が駆動ビーム６１と接触した際に、接触部分の下端６１ｙより下では、シャッタービーム５１と駆動ビーム６１との間に空間が生じる。これにより、製造時に駆動ビーム６１の下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との間に回り込んでも、レジスト残渣は、シャッタービーム５１と駆動ビーム６１との間の空間に存在するため、シャッタービーム５１は、駆動ビーム６１と正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

図１４は、レジスト残渣１４１が駆動ビーム６１の下端に付着して、駆動ビーム６１とシャッタービーム５１との間に回り込んだ状態で、シャッタービーム５１を駆動ビーム６１側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。図１４に示すように、駆動ビーム６１の下端側において、シャッタービーム５１と駆動ビーム６１の間にレジスト残渣が存在しているが、シャッタービーム５１は駆動ビーム６１と正常に接触している。

図１５は、駆動ビーム６１ｐ、６２ｐの下端が駆動ビーム６１ｐ、６２ｐとシャッタービーム５１ｐ、５２ｐとの接触部分の下端と同じ位置にある従来の構成において、レジスト残渣１５１ｐが駆動ビーム６１ｐの下端に付着して、駆動ビーム６１ｐとシャッタービーム５１ｐとの間に回り込んだ状態で、シャッタービーム５１ｐを駆動ビーム６１ｐ側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。この場合、図１５に示すように、駆動ビーム６１ｐとシャッタービーム５１ｐとの間にレジスト残渣１５１ｐが存在するために、シャッタービーム５１ｐは駆動ビーム６１ｐと正常に接触することができない。このため、第１基板１１ｐの光透過領域ＴＡは、シャッター体３ｐと完全に重ならずに光が漏れるため、黒色の表示制御時に、該当画素が輝点となる。

本実施形態におけるシャッター機構Ｓの製造方法について説明する。上述したように、シャッター体３は、折り目を有する形状であるが、ここでは、平板形状であるものとして説明する。

まず始めに、シャッター機構Ｓを除く第１基板１１上に、１層目のレジストパターン１６１を形成し、その上に犠牲層１６２を成膜して、所定の形状にパターニングする（図１６参照）。また、犠牲層１６２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜をスパッタリングにより成膜し、リン酸、硝酸、酢酸の混合液等のエッチャントを用いたウェットエッチングによりパターニングする。

次に、レジストパターン１６１及び犠牲層１６２の一部の上に、フォトレジストを用いて、シャッター機構Ｓの「型」となる２層目のレジストパターン１７１を形成する（図１７参照）。フォトレジストは、一般的なネガ型のフォトレジスト、及びポジ型のフォトレジストのどちらを用いてもよい。

次に、リン酸、硝酸、酢酸の混合液等のエッチャントを用いて、犠牲層１６２をウェットエッチングにより除去する（図１８参照）。

次に、レジストパターン１６１及びレジストパターン１７１の表面に、シャッター機構Ｓを構成する積層膜１９１を成膜する。積層膜１９１は、例えばアモルファスシリコンであり、その厚さは、例えば２００〜５００ｎｍである。また、図示は省略するが、積層膜１９１の上に遮光性の金属膜を成膜する。さらに積層膜１９１の上に、フォトレジストを用いて、シャッター体３を形成するためのレジストパターン１９２を形成する（図１９参照）。

続いて、異方性ドライエッチングよってパターニングを行う。異方性ドライエッチングにより、レジストパターン１７１の側壁部に成膜された膜はエッチングされずに残る（図２０参照）。なお、シャッター体３を構成する遮光性の金属膜は、先にウェットエッチングしてもよい。

続いて、Ｏ_２プラズマによるアッシング処理を行い、レジストパターン１６１、１７１、１９２を除去する。これにより、第１基板１１上に、シャッター体３、シャッタービーム５１、５２、及び駆動ビーム６１、６２からなるシャッター機構Ｓが形成される（図２１参照）。

ここで、駆動ビーム６１，６２の下端にレジスト残渣が付着する理由について説明する。シャッター機構Ｓの製造工程のうち、図２０に示す工程まで行った後、Ｏ_２プラズマによるアッシング処理を行う。図２２は、アッシング処理の途中の状態を示す図であり、レジストパターン１６１、１７１、１９２が部分的に除去された状態を示している。

アッシング処理の途中で駆動ビーム６１，６２がレジストパターン１７１から離脱する際に、膜応力の解放により一時的に駆動ビーム６１，６２が移動する場合がある。このとき、駆動ビーム６１，６２が存在する高さの位置に２層目のレジストパターン１７１の一部が残留しているため、駆動ビーム６１，６２の移動量が大きい場合に、駆動ビーム６１，６２とレジストパターン１７１とが再度接触する場合がある（図２３参照）。この場合、レジストパターン１７１は、駆動ビーム６１，６２の長手方向に沿って駆動ビーム６１，６２と接触することがある。

このとき、１層目のレジストパターン１６１と２層目のレジストパターン１７１の界面の密着性は弱いため、駆動ビーム６１，６２が元の位置に戻る際に、接触部分の２層目のレジストパターン１７１が１層目のレジストパターン１６１から剥離して、駆動ビーム６１，６２の下端に付着した状態となる（図２４参照）。駆動ビーム６１，６２に付着したレジスト残渣は、アッシング処理で除去されにくい。上述したように、レジストパターン１７１が駆動ビーム６１，６２の長手方向に沿って接触した場合、このレジスト残渣は、紐状の形状となる。

上述した理由により、駆動ビーム６１，６２の下端に、レジスト残渣が付着すると考えられる。また、駆動ビーム６１の長手方向に沿って付着したレジスト残渣の一部が剥離すると、駆動ビーム６２とシャッタービーム５２との間にレジスト残渣が回り込むことがあると考えられる。

（製造方法）
以下では、図２５〜図３０を参照しながら、第１の実施形態における表示装置１０の製造方法について説明する。

まず始めに、透光性基板１００の上に、スピンコート法を用いて、遮光膜を形成するためのＳＯＧ膜を成膜する。そして、ＳＯＧ膜を２００〜３５０℃の雰囲気で１時間程度焼成する。なお、スピンコート法の他、スリットコート法を用いてＳＯＧ膜を成膜してもよい。

次に、遮光膜２０１を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いて、透光性基板１００上にＳｉＯ_２膜を成膜する。成膜時の温度は、例えば、２００〜３５０℃である。得られたＳｉＯ_２膜の厚さは、例えば、５０〜２００ｎｍである。

ＳＯＧ膜及びＳｉＯ_２膜に対して、窒素雰囲気下で高温アニール処理を行う。高温アニール処理を行う温度は、例えば、４００〜５００℃である。アニール時間は、例えば、１時間程度である。なお、窒素雰囲気下でアニールする他、例えば、大気中（ＣＤＡ）でアニールしてもよい。ここでは、後の工程におけるＴＦＴの酸化物半導体のアニール温度と同じかまたは高い温度でアニールすることが好ましい。遮光膜２０１を形成するためのＳＯＧ膜を予めアニール処理しておくことにより、後のＴＦＴ製造での高温アニールする工程において、遮光膜２０１にクラックが発生するのが抑制される。ＳＯＧ膜は、ＳｉＯ_２膜で覆われているので、カーボンブラック等の暗色材料が高温アニールにより酸化されて透明化するのを防ぐことができる。

そして、フォトリソグラフィによって、ＳＯＧ膜及びＳｉＯ_２膜をパターンニングする。具体的には、ＣＦ_４ガス及びＯ_２ガスを用いてドライエッチングをする。これにより、遮光膜２０１及び第１透明絶縁膜２０２を形成する（図２５参照）。

続いて、第１透明絶縁膜２０２及び遮光膜２０１の全面を覆うように、透光性基板１００上にＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＯ_２膜を成膜することによって、第２透明絶縁膜２０３を形成する（図２５参照）。成膜時の温度は、例えば、２００〜３５０℃である。得られたＳｉＯ_２膜の厚さは、例えば、５０〜２００ｎｍである。

続いて、スピンコート法を用いて、光透過膜を成膜する。そして、２００〜３５０℃の雰囲気で約１時間程度焼成する。そして、グレートーンマスクを用いたパターンニングや、マスクを用いないパターンニングをすることにより、表示領域１３の周縁部の光透過膜を除去し、光透過膜２０４を形成する（図２５参照）。このとき、グレートーンマスクを用いたパターンニングや、マスクを用いないパターンニングを行うことにより、図１０のテーパー形状を形成することができる。なお、スピンコート法の他、スリットコート法を用いて光透過膜２０４を成膜してもよい。また、光透過膜２０４は、例えば、感光性を有する材料で形成されていてもよい。感光性を有する材料で光透過膜２０４を形成することにより、製造工程を削減することができる。

次に、光透過膜２０４を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＯ_２膜を成膜する。得られたＳｉＯ_２膜の厚さは、例えば、５０〜２００ｎｍである。そして、フォトリソグラフィによって、ＳｉＯ_２膜が表示領域１３において光透過膜２０４と同一のパターンとなるようにＳｉＯ_２膜をパターンニングする。具体的には、ＣＦ_４ガス及びＯ_２ガスを用いてドライエッチングをする。これにより、第３透明絶縁膜２０５を形成する（図２５参照）。

そして、形成した第３透明絶縁膜２０５に対して、窒素雰囲気下で高温アニール処理を行う。高温アニール処理を行う温度は、例えば、４００〜５００℃である。アニール時間は、例えば、１時間程度である。なお、窒素雰囲気下でアニールする他、例えば、大気中（ＣＤＡ）でアニールしてもよい。光透過膜２０４を予めアニール処理しておくことにより、後のＴＦＴ製造での高温アニールする工程において、光透過膜２０４にクラックが発生するのが抑制される。

これまで説明したアニール処理の温度については、後のＴＦＴ３００を製造する工程の処理温度（ＣＶＤの成膜温度やアニール温度）以上の温度であることが好ましい。ＴＦＴプロセスの温度以上の温度でアニールすることで、光透過膜２０４に含まれた水分などがＴＦＴ３００に浸み出して、ＴＦＴ３００が不良となることを防ぐことができる

次に、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）等の金属膜及びその合金を含む膜のいずれかからなる単層膜又は積層膜を積層した後、パターニングを行い、第１導電膜Ｍ１を形成する（図２５参照）。上述したように、第１導電膜Ｍ１には、ゲート電極３０１及び配線１１１を含む。第１導電膜Ｍ１の厚さは、例えば５０〜５００ｎｍ程度である。

次に、図２６に示すように、第１導電膜Ｍ１を覆うように、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法を用いてＳｉＮ_ｘ膜を成膜することにより、ゲート絶縁膜１０１を形成する。ゲート絶縁膜１０１は、酸素を含むシリコン系無機膜（ＳｉＯ_２膜等）や、ＳｉＯ_２膜及びＳｉＮ_ｘ膜との積層膜であってもよい。得られたゲート絶縁膜１０１の厚さは、例えば１００〜５００ｎｍである。

次に、例えばスパッタ法を用いて、酸化物半導体膜を成膜する。そして、酸化物半導体膜をパターニングして、薄膜トランジスタに対応する領域に、酸化物半導体膜３０２を形成する（図２６参照）。

続いて、形成した酸化物半導体膜３０２に対して、窒素雰囲気下で高温アニール処理を行う。高温アニール処理を行う温度は、例えば、４００〜５００℃である。アニール時間は、例えば、１時間程度である。なお、窒素雰囲気下でアニールする代わりに、例えば、大気中（ＣＤＡ）でアニールしてもよい。

次に、図２７に示すように、ゲート絶縁膜１０１及び酸化物半導体膜３０２を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＯ_２膜を成膜することにより、エッチストッパ層３０３を形成する。ＳｉＯ_２膜の厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。そして、ＴＦＴ３００のソース電極３０４及びドレイン電極３０５が酸化物半導体膜３０２に達するためのコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を形成する。

続いて、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）等の金属膜及びその合金を含む膜のいずれかからなる単層膜又は積層膜を積層し、第２導電膜Ｍ２を形成する。そして、第２導電膜Ｍ２をフォトリソグラフィによりパターニングして、ソース電極３０４，ドレイン電極３０５、配線１１２、信号線（不図示）等を形成する。第２導電膜Ｍ２の厚さは、例えば、５０〜５００ｎｍである。

次に、ゲート絶縁膜１０１及び酸化物半導体膜３０２を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＯ_２膜を成膜することにより、パッシベーション膜１０２を形成する。ＳｉＯ_２膜の厚さは、例えば１００〜５００ｎｍである。

次に、図２８に示すように、スピン法を用いて感光性樹脂膜を成膜することにより、平坦化膜１０３を形成する。ここで、形成する平坦化膜１０３の厚さは、例えば０．５〜３μｍである。

次に、平坦化膜１０３を覆うように、ＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＮ_ｘ膜を成膜することにより、パッシベーション膜１０４を形成する。ＳｉＮ_ｘ膜の厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。そして、パッシベーション膜１０２、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４をエッチングして、パッシベーション膜１０４の表面からドレイン電極３０５に達するコンタクトホールＣＨ３を形成する。

次に、例えばスパッタ法を用いて、パッシベーション膜１０４の表面であってコンタクトホールＣＨ３の近傍に、透明導電膜１１４を形成する。

続いて、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）等の金属膜及びその合金を含む膜のいずれかからなる単層膜又は積層膜を積層し、第３導電膜Ｍ３を形成する。そして、第３導電膜Ｍ３をフォトリソグラフィによりパターニングして、光透過領域ＴＡ以外の領域に、配線１１３等を形成する。

次に、図２９に示すように、配線１１３及び透明導電膜１１４等を覆うように、パッシベーション膜１０４上に、ＰＥＣＶＤ法を用いてＳｉＮ_ｘ膜を成膜することにより、パッシベーション膜１０５を形成する。ＳｉＮ_ｘ膜の厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。そして、パッシベーション膜１０５をエッチングして、パッシベーション膜１０５の表面から透明導電膜１１４に達するコンタクトホールＣＨ４を形成する。

この後、上述した方法により、シャッター機構Ｓを製造する。なお、シャッター本体３ｂの上層に設ける金属膜３ｃは、例えば、スパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、クロム（Ｃｒ）膜、チタン（Ｔｉ）膜、銅（Ｃｕ）膜等の金属膜又はその合金を含む膜を積層することにより形成する。

以上の工程を経ることにより、第１基板１１が作製される（図３０参照）。

［第１の実施形態の変形例１］
図３１Ａは、第１の実施形態の変形例１の構成であって、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。また、図３１Ｂは、第１の実施形態の変形例１の構成であって、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。ここでは、図１１Ａに示すシャッタービーム５１及び駆動ビーム６１、及び図１１Ｂに示すシャッタービーム５２及び駆動ビーム６２と区別するために、符号にＲを付している。

第１の実施形態の変形例１の構成では、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１Ｒは直線形状である。一方、シャッタービーム５１Ｒは、第１直線部５１Ｒａと、第１直線部５１Ｒａと平行な第２直線部５１Ｒｂと、第１直線部５１Ｒａ及び第２直線部５１Ｒｂを接続する接続部５１Ｒｃを備えるクランク形状を有する。第１直線部５１Ｒａは、対向する駆動ビーム６１Ｒと近い側に位置し、第２直線部５１Ｒｂは、駆動ビーム６１Ｒから遠い側に位置する。

シャッタービーム５１Ｒは、対向する駆動ビーム６１Ｒと接触する際、第１直線部５１Ｒａの駆動ビーム６１Ｒ側の面が駆動ビーム６１Ｒと接触する。すなわち、駆動ビーム６１Ｒの下端６１Ｒｘは、駆動ビーム６１Ｒがシャッタービーム５１Ｒと接触する接触部分の下端６１Ｒｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触部分の下端６１Ｒｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６１Ｒの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６１Ｒの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触部分の下端６１Ｒｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触部分の下端６１Ｒｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触面積が減少して、両ビーム５１Ｒ、６１Ｒ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６１Ｒの下端６１Ｒｘから駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触部分の下端６１Ｒｙまでの高さｈ６１Ｒｙは、駆動ビーム６１Ｒの下端６１Ｒｘから駆動ビーム６１Ｒの上端までの高さｈ６１Ｒの半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６１Ｒの下端６１Ｒｘから駆動ビーム６１Ｒの上端までの高さｈ６１Ｒは２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６１Ｒの下端６１Ｒｘから駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触部分の下端６１Ｒｙまでの高さｈ６１Ｒｙは、０．３〜１．０μｍである。

また、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６２Ｒは直線形状である。一方、シャッタービーム５２Ｒは、第１直線部５２Ｒａと、第１直線部５２Ｒａと平行な第２直線部５２Ｒｂと、第１直線部５２Ｒａ及び第２直線部５２Ｒｂを接続する接続部５２Ｒｃを備えるクランク形状を有する。第１直線部５２Ｒａは、対向する駆動ビーム６２Ｒと近い側に位置し、第２直線部５２Ｒｂは、駆動ビーム６２Ｒから遠い側に位置する。

シャッタービーム５２Ｒは、対向する駆動ビーム６２Ｒと接触する際、第１直線部５２Ｒａの駆動ビーム６２Ｒ側の面が駆動ビーム６２Ｒと接触する。すなわち、駆動ビーム６２Ｒの下端６２Ｒｘは、駆動ビーム６２Ｒがシャッタービーム５２Ｒと接触する接触部分の下端６２Ｒｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触部分の下端６２Ｒｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６２Ｒの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６２Ｒの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触部分の下端６２Ｒｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触部分の下端６２Ｒｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触面積が減少して、両ビーム５２Ｒ、６２Ｒ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６２Ｒの下端６２Ｒｘから駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触部分の下端６２Ｒｙまでの高さｈ６２Ｒｙは、駆動ビーム６２Ｒの下端６２Ｒｘから駆動ビーム６２Ｒの上端までの高さｈ６２Ｒの半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６２Ｒの下端６２Ｒｘから駆動ビーム６２Ｒの上端までの高さｈ６２Ｒは２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６２Ｒの下端６２Ｒｘから駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触部分の下端６２Ｒｙまでの高さｈ６２Ｒｙは、０．３〜１．０μｍである。

上述したように、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５２Ｒはクランク形状を有し、駆動ビーム６２Ｒの下端６２Ｒｘは、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの接触部分の下端６２Ｒｙよりも低い位置にある。従って、駆動ビーム６２Ｒがシャッタービーム５２Ｒと接触した際に、接触部分の下端６２Ｒｙより下では、シャッタービーム５２Ｒと駆動ビーム６２Ｒとの間に空間が生じる。これにより、製造時に駆動ビーム６２Ｒの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの間に回り込んでも、レジスト残渣は、シャッタービーム５２Ｒと駆動ビーム６２Ｒとの間の空間に存在するため、シャッタービーム５２Ｒは、駆動ビーム６２Ｒと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

図３２は、レジスト残渣３２１が駆動ビーム６２Ｒの下端に付着して、駆動ビーム６２Ｒとシャッタービーム５２Ｒとの間に回り込んだ状態で、シャッタービーム５２Ｒを駆動ビーム６２Ｒ側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。図３２に示すように、駆動ビーム６２Ｒの下端側において、シャッタービーム５２Ｒと駆動ビーム６２Ｒの間にレジスト残渣３２１が存在しているが、シャッタービーム５２Ｒは駆動ビーム６２Ｒと正常に接触している。

また、上述したように、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５１Ｒはクランク形状を有し、駆動ビーム６１Ｒの下端６１Ｒｘは、駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの接触部分の下端６１Ｒｙよりも低い位置にある。従って、駆動ビーム６１Ｒがシャッタービーム５１Ｒと接触した際に、接触部分の下端６１Ｒｙより下では、シャッタービーム５１Ｒと駆動ビーム６１Ｒとの間に空間が生じる。これにより、製造時に駆動ビーム６１Ｒの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの間に回り込んでも、レジスト残渣は、シャッタービーム５１Ｒと駆動ビーム６１Ｒとの間の空間に存在するため、シャッタービーム５１Ｒは、駆動ビーム６１Ｒと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６１Ｒとシャッタービーム５１Ｒとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

第１の実施形態の変形例１のシャッター機構Ｓの製造方法について説明する。シャッター体３は、折り目を有する形状であるが、ここでは、平板形状であるものとして説明する。

まず始めに、シャッター機構Ｓを除く第１基板１１上に、１層目のレジストパターン３３１を形成し、その上に犠牲層３３２を成膜して、所定の形状にパターニングする（図３３参照）。また、犠牲層３３２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜をスパッタリングにより成膜し、リン酸、硝酸、酢酸の混合液等のエッチャントを用いたウェットエッチングによりパターニングする。犠牲層３３２は、シャッタービーム５１Ｒ，５２Ｒを形成する側に形成する。

次に、レジストパターン３３１及び犠牲層３３２の一部の上に、フォトレジストを用いて、シャッター機構Ｓの「型」となる２層目のレジストパターン３４１を形成する（図３４参照）。フォトレジストは、一般的なネガ型のフォトレジスト、及びポジ型のフォトレジストのどちらを用いてもよい。

次に、リン酸、硝酸、酢酸の混合液等のエッチャントを用いて、犠牲層３３２をウェットエッチングにより除去する（図３５参照）。

この後の処理は、第１の実施形態のシャッター機構Ｓの製造方法と同じである。すなわち、レジストパターン３３１及びレジストパターン３４１の表面に、シャッター機構Ｓを構成する積層膜を成膜し、さらに積層膜の上に、フォトレジストを用いて、シャッター体３を形成するためのレジストパターンを形成する。そして、異方性ドライエッチングよってパターニングを行った後、Ｏ_２プラズマによるアッシング処理を行い、レジストパターンを除去する。これにより、第１基板１１上に、シャッター体３、シャッタービーム５１Ｒ、５２Ｒ、及び駆動ビーム６１Ｒ、６２Ｒからなるシャッター機構Ｓが形成される（図３６参照）。

［第１の実施形態の変形例２］
図３７Ａは、第１の実施形態の変形例２の構成であって、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。また、図３７Ｂは、第１の実施形態の変形例２の構成であって、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。ここでは、図１１Ａに示すシャッタービーム５１及び駆動ビーム６１、及び図１１Ｂに示すシャッタービーム５２及び駆動ビーム６２と区別するために、符号にＳを付している。

第１の実施形態の変形例２の構成では、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１Ｓは第１直線部６１Ｓａと、第１直線部６１Ｓａと平行な第２直線部６１Ｓｂと、第１直線部６１Ｓａ及び第２直線部６１Ｓｂを接続する接続部６１Ｓｃを備えるクランク形状を有する。第１直線部６１Ｓａは、対向するシャッタービーム５１Ｓと近い側に位置し、第２直線部６１Ｓｂは、シャッタービーム５１Ｓから遠い側に位置する。駆動ビーム６１Ｓの上端は、第１直線部６１Ｓａの上端であり、駆動ビーム６１Ｓの下端６１Ｓｘは、第２直線部６１Ｓｂの下端である。

一方、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５１Ｓは、第１直線部５１Ｓａと、第１直線部５１Ｓａと平行な第２直線部５１Ｓｂと、第１直線部５１Ｓａ及び第２直線部５１Ｓｂを接続する接続部５１Ｓｃを備えるクランク形状を有する。第１直線部５１Ｓａは、対向する駆動ビーム６１Ｓと近い側に位置し、第２直線部５１Ｓｂは、駆動ビーム６１Ｓから遠い側に位置する。

駆動ビーム６１Ｓは、対向するシャッタービーム５１Ｓと接触する際、第１直線部６１Ｓａのシャッタービーム５１Ｓ側の面がシャッタービーム５１Ｓと接触する。すなわち、駆動ビーム６１Ｓの下端６１Ｓｘは、駆動ビーム６１Ｓがシャッタービーム５１Ｓと接触する接触部分の下端６１Ｓｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの接触部分の下端６１Ｓｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６１Ｓの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６１Ｓの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの接触部分の下端６１Ｓｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの接触部分の下端６１Ｓｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの接触面積が減少して、両ビーム５１Ｓ、６１Ｓ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６１Ｓの下端６１Ｓｘから駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの接触部分の下端６１Ｓｙまでの高さｈ６１Ｓｙは、駆動ビーム６１Ｓの下端６１Ｓｘから駆動ビーム６１Ｓの上端までの高さｈ６１Ｓの半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６１Ｓの下端６１Ｓｘから駆動ビーム６１Ｓの上端までの高さｈ６１Ｓは２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６１Ｓの下端６１Ｓｘから駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの接触部分の下端６１Ｓｙまでの高さｈ６１Ｓｙは、０．３〜１．０μｍである。

また、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６２Ｓは第１直線部６２Ｓａと、第１直線部６２Ｓａと平行な第２直線部６２Ｓｂと、第１直線部６２Ｓａ及び第２直線部６２Ｓｂを接続する接続部６２Ｓｃを備えるクランク形状を有する。第１直線部６２Ｓａは、対向するシャッタービーム５２Ｓと近い側に位置し、第２直線部６２Ｓｂは、シャッタービーム５２Ｓから遠い側に位置する。駆動ビーム６２Ｓの上端は、第１直線部６２Ｓａの上端であり、駆動ビーム６２Ｓの下端６２Ｓｘは、第２直線部６２Ｓｂの下端である。

一方、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５２Ｓは、第１直線部５２Ｓａと、第１直線部５２Ｓａと平行な第２直線部５２Ｓｂと、第１直線部５２Ｓａ及び第２直線部５２Ｓｂを接続する接続部５２Ｓｃを備えるクランク形状を有する。第１直線部５２Ｓａは、対向する駆動ビーム６２Ｓと近い側に位置し、第２直線部５２Ｓｂは、駆動ビーム６２Ｓから遠い側に位置する。

駆動ビーム６２Ｓは、対向するシャッタービーム５２Ｓと接触する際、第１直線部６２Ｓａのシャッタービーム５２Ｓ側の面がシャッタービーム５２Ｓと接触する。すなわち、駆動ビーム６２Ｓの下端６２Ｓｘは、駆動ビーム６２Ｓがシャッタービーム５２Ｓと接触する接触部分の下端６２Ｓｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの接触部分の下端６２Ｓｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６２Ｓの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６２Ｓの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの接触部分の下端６２Ｓｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの接触部分の下端６２Ｓｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの接触面積が減少して、両ビーム５２Ｓ、６２Ｓ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６２Ｓの下端６２Ｓｘから駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの接触部分の下端６２Ｓｙまでの高さｈ６２Ｓｙは、駆動ビーム６２Ｓの下端６２Ｓｘから駆動ビーム６２Ｓの上端までの高さｈ６２Ｓの半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６２Ｓの下端６２Ｓｘから駆動ビーム６２Ｓの上端までの高さｈ６２Ｓは２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６２Ｓの下端６２Ｓｘから駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの接触部分の下端６２Ｓｙまでの高さｈ６２Ｓｙは、０．３〜１．０μｍである。

上述したように、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５２Ｓ及び駆動ビーム６２Ｓはクランク形状を有し、駆動ビーム６２Ｓの下端６２Ｓｘは、シャッタービーム５２Ｓと駆動ビーム６２Ｓとの接触部分の下端６２Ｓｙよりも低い位置にある。従って、駆動ビーム６２Ｓがシャッタービーム５２Ｓと接触した際に、接触部分の下端６２Ｓｙより下では、シャッタービーム５２Ｓと駆動ビーム６２Ｓとの間に空間が生じる。この空間は、第１の実施形態の変形例１の構成よりも広い。

これにより、製造時に駆動ビーム６２Ｓの下端にレジスト残渣が付着して、シャッタービーム５２Ｓと駆動ビーム６２Ｓとの間に回り込んでも、シャッタービーム５２Ｓは、駆動ビーム６２Ｓと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

図３８は、レジスト残渣３８１が駆動ビーム６２Ｓの下端に付着して、駆動ビーム６２Ｓとシャッタービーム５２Ｓとの間に回り込んだ状態で、シャッタービーム５２Ｓを駆動ビーム６２Ｓ側に移動させる制御を行った状態を示す断面図である。図３８に示すように、駆動ビーム６２Ｓの下端側において、シャッタービーム５２Ｓと駆動ビーム６２Ｓの間にレジスト残渣３８１が存在しているが、シャッタービーム５２Ｓは駆動ビーム６２Ｓと正常に接触している。

また、上述したように、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５１Ｓ及び駆動ビーム６１Ｓはクランク形状を有し、駆動ビーム６１Ｓの下端６１Ｓｘは、シャッタービーム５１Ｓと駆動ビーム６１Ｓとの接触部分の下端６１Ｓｙよりも低い位置にある。従って、駆動ビーム６１Ｓがシャッタービーム５１Ｓと接触した際に、接触部分の下端６１Ｓｙより下では、シャッタービーム５１Ｓと駆動ビーム６１Ｓとの間に空間が生じる。この空間は、第１の実施形態の変形例１の構成よりも広い。

これにより、製造時に駆動ビーム６１Ｓの下端にレジスト残渣が付着して、シャッタービーム５１Ｓと駆動ビーム６１Ｓとの間に回り込んでも、シャッタービーム５１Ｓは、駆動ビーム６１Ｓと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６１Ｓとシャッタービーム５１Ｓとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

第１の実施形態の変形例２のシャッター機構Ｓの製造方法について説明する。シャッター体３は、折り目を有する形状であるが、ここでは、平板形状であるものとして説明する。

まず始めに、シャッター機構Ｓを除く第１基板１１上に、１層目のレジストパターン３９１を形成し、その上に犠牲層３９２を成膜して、所定の形状にパターニングする（図３９参照）。また、犠牲層３９２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜をスパッタリングにより成膜し、リン酸、硝酸、酢酸の混合液等のエッチャントを用いたウェットエッチングによりパターニングする。犠牲層３９２は、シャッタービーム５１Ｓ，５２Ｓを形成する側及び駆動ビーム６１Ｓ，６２Ｓを形成する側の両方に位置するように形成する。

次に、レジストパターン３９１及び犠牲層３９２の一部の上に、フォトレジストを用いて、シャッター機構Ｓの「型」となる２層目のレジストパターン４０１を形成する（図４０参照）。フォトレジストは、一般的なネガ型のフォトレジスト、及びポジ型のフォトレジストのどちらを用いてもよい。

次に、リン酸、硝酸、酢酸の混合液等のエッチャントを用いて、犠牲層３９２をウェットエッチングにより除去する（図４１参照）。

この後の処理は、第１の実施形態のシャッター機構Ｓの製造方法と同じである。すなわち、レジストパターン３９１及びレジストパターン４０１の表面に、シャッター機構Ｓを構成する積層膜を成膜し、さらに積層膜の上に、フォトレジストを用いて、シャッター体３を形成するためのレジストパターンを形成する。そして、異方性ドライエッチングよってパターニングを行った後、Ｏ_２プラズマによるアッシング処理を行い、レジストパターンを除去する。これにより、第１基板１１上に、シャッター体３、シャッタービーム５１Ｓ、５２Ｓ、及び駆動ビーム６１Ｓ、６２Ｓからなるシャッター機構Ｓが形成される（図４２参照）。

［第２の実施形態］
第２の実施形態における表示装置は、第１の実施形態における表示装置と比べて、シャッター機構Ｓの構成が異なる。

図４３Ａは、第２の実施形態において、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。また、図４３Ｂは、第２の実施形態において、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。ここでは、図１１Ａに示すシャッタービーム５１及び駆動ビーム６１、及び図１１Ｂに示すシャッタービーム５２及び駆動ビーム６２と区別するために、符号にＴを付している。

第２の実施形態では、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１Ｔは、直線形状の直線部６１Ｔａと、曲線形状の曲線部６１Ｔｂとを有する。直線部６１Ｔａは、対向するシャッタービーム５１Ｔと接触する部分であり、駆動ビーム６１Ｔの上側に位置する。曲線部６１Ｔｂは、直線部６１Ｔａよりも下側に位置し、直線部６１Ｔａとの境界部分から下方に向かうにつれて、シャッタービーム５１Ｔから遠ざかる方向に曲がっている。

また、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５１Ｔは、直線形状の直線部５１Ｔａと、曲線形状の曲線部５１Ｔｂとを有する。直線部５１Ｔａは、対向する駆動ビーム６１Ｔと接触する部分であり、シャッタービーム５１Ｔの上側に位置する。曲線部５１Ｔｂは、直線部５１Ｔａよりも下側に位置し、直線部５１Ｔａとの境界部分から下方に向かうにつれて、駆動ビーム６１Ｔから遠ざかる方向に曲がっている。

駆動ビーム６１Ｔは、対向するシャッタービーム５１Ｔと接触する際、直線部６１Ｔａのシャッタービーム５１Ｔ側の面がシャッタービーム５１Ｔの直線部５１Ｔａと接触する。すなわち、駆動ビーム６１Ｔの下端６１Ｔｘは、駆動ビーム６１Ｔがシャッタービーム５１Ｔと接触する接触部分の下端６１Ｔｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６１Ｔの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６１Ｔの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触面積が減少して、両ビーム５１Ｔ、６１Ｔ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６１Ｔの下端６１Ｔｘから駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙまでの高さｈ６１Ｔｙは、駆動ビーム６１Ｔの下端６１Ｔｘから駆動ビーム６１Ｔの上端までの高さｈ６１Ｔの半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６１Ｔの下端６１Ｔｘから駆動ビーム６１Ｔの上端までの高さｈ６１Ｔは２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６１Ｔの下端６１Ｔｘから駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙまでの高さｈ６１Ｔｙは、０．３〜１．０μｍである。

同様に、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６２Ｔは、直線形状の直線部６２Ｔａと、曲線形状の曲線部６２Ｔｂとを有する。直線部６２Ｔａは、対向するシャッタービーム５２Ｔと接触する部分であり、駆動ビーム６２Ｔの上側に位置する。曲線部６２Ｔｂは、直線部６２Ｔａよりも下側に位置し、直線部６２Ｔａとの境界部分から下方に向かうにつれて、シャッタービーム５２Ｔから遠ざかる方向に曲がっている。

また、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５２Ｔは、直線形状の直線部５２Ｔａと、曲線形状の曲線部５２Ｔｂとを有する。直線部５２Ｔａは、対向する駆動ビーム６２Ｔと接触する部分であり、シャッタービーム５２Ｔの上側に位置する。曲線部５２Ｔｂは、直線部５２Ｔａよりも下側に位置し、直線部５２Ｔａとの境界部分から下方に向かうにつれて、駆動ビーム６２Ｔから遠ざかる方向に曲がっている。

駆動ビーム６２Ｔは、対向するシャッタービーム５２Ｔと接触する際、直線部６２Ｔａのシャッタービーム５２Ｔ側の面がシャッタービーム５２Ｔの直線部５２Ｔａと接触する。すなわち、駆動ビーム６２Ｔの下端６２Ｔｘは、駆動ビーム６２Ｔがシャッタービーム５２Ｔと接触する接触部分の下端６２Ｔｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙの高さは、レジスト残渣が駆動ビーム６２Ｔの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６２Ｔの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分にまで到達しないように、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙの高さを決定する。ただし、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触面積が減少して、両ビーム５２Ｔ、６２Ｔ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６２Ｔの下端６２Ｔｘから駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙまでの高さｈ６２Ｔｙは、駆動ビーム６２Ｔの下端６２Ｔｘから駆動ビーム６２Ｔの上端までの高さｈ６２Ｔの半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６２Ｔの下端６２Ｔｘから駆動ビーム６２Ｔの上端までの高さｈ６２Ｔは２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６２Ｔの下端６２Ｔｘから駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙまでの高さｈ６２Ｔｙは、０．３〜１．０μｍである。

上述したように、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１Ｔは、上端から下端に向かうにつれてシャッタービーム５１Ｔから遠ざかる方向に曲がる曲線部６１Ｔｂを有する曲線形状を有し、駆動ビーム６１Ｔの下端６１Ｔｘは、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙよりも低い位置にある。従って、駆動ビーム６１Ｔがシャッタービーム５１Ｔと接触した際に、接触部分の下端６１Ｔｙより下では、シャッタービーム５１Ｔと駆動ビーム６１Ｔとの間に空間が生じる。これにより、製造時に駆動ビーム６１Ｔの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの間に回り込んでも、レジスト残渣は、シャッタービーム５１Ｔと駆動ビーム６１Ｔとの間の空間に存在するため、シャッタービーム５１Ｔは、駆動ビーム６１Ｔと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

同様に、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６２Ｔは、上端から下端に向かうにつれてシャッタービーム５２Ｔから遠ざかる方向に曲がる曲線部６２Ｔｂを有する曲線形状を有し、駆動ビーム６２Ｔの下端６２Ｔｘは、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙよりも低い位置にある。従って、駆動ビーム６２Ｔがシャッタービーム５２Ｔと接触した際に、接触部分の下端６２Ｔｙより下では、シャッタービーム５２Ｔと駆動ビーム６２Ｔとの間に空間が生じる。これにより、製造時に駆動ビーム６２Ｔの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの間に回り込んでも、レジスト残渣は、シャッタービーム５２Ｔと駆動ビーム６２Ｔとの間の空間に存在するため、シャッタービーム５２Ｔは、駆動ビーム６２Ｔと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

第２の実施形態のシャッター機構Ｓの製造方法について説明する。シャッター体３は、折り目を有する形状であるが、ここでは、平板形状であるものとして説明する。

まず始めに、シャッター機構Ｓを除く第１基板１１上に、１層目のレジストパターン４４１を形成する（図４４参照）。

続いて、レジストパターン４４１の上に、ネガ型のフォトレジストを用いて、シャッター機構Ｓの「型」となる２層目のレジストパターン４５１を形成する（図４５参照）。ここでは、フォトリソグラフィの露光条件を、最適な露光に対して光の量が少ないアンダー露光とする。これにより、２層目のレジストパターン４５１の形状を、図４５に示すような上層側に比べて下層側が小さくなる形状とすることができる。

この後の処理は、第１の実施形態のシャッター機構Ｓの製造方法と同じである。すなわち、レジストパターン４４１及びレジストパターン４５１の表面に、シャッター機構Ｓを構成する積層膜を成膜し、さらに積層膜の上に、フォトレジストを用いて、シャッター体３を形成するためのレジストパターンを形成する。そして、異方性ドライエッチングよってパターニングを行った後、Ｏ_２プラズマによるアッシング処理を行い、レジストパターンを除去する。これにより、第１基板１１上に、シャッター体３、シャッタービーム５１Ｔ、５２Ｔ、及び駆動ビーム６１Ｔ、６２Ｔからなるシャッター機構Ｓが形成される（図４６参照）。

第２の実施形態の構成によれば、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６１Ｔは、上端から下端に向かうにつれてシャッタービーム５１Ｔから遠ざかる方向に曲がる曲線部６１Ｔｂを有する曲線形状を有し、駆動ビーム６１Ｔの下端６１Ｔｘは、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙよりも低い位置にある。これにより、製造時に駆動ビーム６１Ｔの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの間に回り込んでも、シャッタービーム５１Ｔは、駆動ビーム６１Ｔと正常に接触することができる。

また、第２の実施形態の構成によれば、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５１Ｔも上端から下端に向かうにつれて駆動ビーム６１Ｔから遠ざかる方向に曲がる曲線部６１Ｔｂを有する曲線形状を有する。これにより、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔが接触した際に、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの接触部分の下端６１Ｔｙよりも低い位置において、駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの間隔を十分にとることができる。従って、駆動ビーム６１Ｔの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６１Ｔとシャッタービーム５１Ｔとの間に回り込んでも、シャッタービーム５１Ｔは、駆動ビーム６１Ｔと正常に接触することができる。

また、第２の実施形態の構成によれば、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、駆動ビーム６２Ｔは、上端から下端に向かうにつれてシャッタービーム５２Ｔから遠ざかる方向に曲がる曲線部６２Ｔｂを有する曲線形状を有し、駆動ビーム６２Ｔの下端６２Ｔｘは、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙよりも低い位置にある。これにより、製造時に駆動ビーム６２Ｔの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの間に回り込んでも、シャッタービーム５２Ｔは、駆動ビーム６２Ｔと正常に接触することができる。

また、第２の実施形態の構成によれば、シャッター体３の駆動方向に沿って切断した断面図において、シャッタービーム５２Ｔも上端から下端に向かうにつれて駆動ビーム６２Ｔから遠ざかる方向に曲がる曲線部６２Ｔｂを有する曲線形状を有する。これにより、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔが接触した際に、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの接触部分の下端６２Ｔｙよりも低い位置において、駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの間隔を十分にとることができる。従って、駆動ビーム６２Ｔの下端に付着したレジスト残渣が駆動ビーム６２Ｔとシャッタービーム５２Ｔとの間に回り込んでも、シャッタービーム５２Ｔは、駆動ビーム６２Ｔと正常に接触することができる。

さらに、第２の実施形態によれば、第１の実施形態のシャッター機構Ｓの製造工程において必要である、犠牲層１６２を成膜して、所定の形状にパターニングする工程（図１６参照）、及び２層目のレジストパターン１７１の形成後に、犠牲層１６２をウェットエッチングにより除去する工程（図１８参照）が不要となる。従って、第１の実施形態と比べて、シャッター機構Ｓを製造する際の製造コストを低減することができる。

［第３の実施形態］
第３の実施形態における表示装置は、第１の実施形態における表示装置と比べて、シャッター機構Ｓの構成が異なる。

図４７Ａは、第３の実施形態において、図６のＡＡ−ＡＡ線における断面図である。また、図４７Ｂは、第３の実施形態において、図６のＢＢ−ＢＢ線における断面図である。ここでは、図１１Ａに示すシャッタービーム５１及び駆動ビーム６１、及び図１１Ｂに示すシャッタービーム５２及び駆動ビーム６２と区別するために、符号にＵを付している。

シャッタービーム５１Ｕの高さｈ１は、駆動ビーム６１Ｕの高さｈ２よりも低い。ただし、シャッタービーム５１Ｕの上端は、対向する駆動ビーム６１Ｕの上端と同じ高さの位置にあり、シャッタービーム５１Ｕの下端５１Ｕｘは、対向する駆動ビーム６１Ｕの下端６１Ｕｘよりも高い位置にある。従って、駆動ビーム６１Ｕの下端６１Ｕｘは、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙの高さ（シャッタービーム５１Ｕの下端５１Ｕｘの高さ）は、レジスト残渣が駆動ビーム６１Ｕの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６１Ｕの下端にレジスト残渣が付着しても、シャッタービーム５１Ｕが駆動ビーム６１Ｕと正常に接触できるように、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙの高さ（シャッタービーム５１Ｕの下端５１Ｕｘの高さ）を決定する。ただし、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触面積が減少して、両ビーム５１Ｕ、６１Ｕ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６１Ｕの下端６１Ｕｘから駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙまでの高さｈ６１Ｕｙは、駆動ビーム６１Ｕの高さｈ２の半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６１Ｕの高さｈ２は２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６１Ｕの下端６１Ｕｘから駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙまでの高さｈ６１Ｕｙは、０．３〜１．０μｍである。

これにより、製造時に駆動ビーム６１Ｕの下端にレジスト残渣が付着して、シャッタービーム５１Ｕと駆動ビーム６１Ｕとの間に回り込んでも、レジスト残渣は、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙよりも低い位置に存在するため、シャッタービーム５１Ｕは、駆動ビーム６１Ｕと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

また、シャッタービーム５２Ｕの高さｈ３は、駆動ビーム６２Ｕの高さｈ４よりも低い。ただし、シャッタービーム５２Ｕの上端は、対向する駆動ビーム６２Ｕの上端と同じ高さの位置にあり、シャッタービーム５２Ｕの下端５２Ｕｘは、対向する駆動ビーム６２Ｕの下端６１Ｕｘよりも高い位置にある。従って、駆動ビーム６２Ｕの下端６２Ｕｘは、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙよりも低い位置にある。

ここで、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙの高さ（シャッタービーム５２Ｕの下端５２Ｕｘの高さ）は、レジスト残渣が駆動ビーム６２Ｕの下端に付着する範囲を考慮して決定する。すなわち、駆動ビーム６２Ｕの下端にレジスト残渣が付着しても、シャッタービーム５２Ｕが駆動ビーム６２Ｕと正常に接触できるように、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙの高さ（シャッタービーム５２Ｕの下端５２Ｕｘの高さ）を決定する。ただし、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙの位置が高すぎると、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触面積が減少して、両ビーム５２Ｕ、６２Ｕ間の電磁力が弱まってしまう。従って、駆動ビーム６２Ｕの下端６２Ｕｘから駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙまでの高さｈ６２Ｕｙは、駆動ビーム６２Ｕの高さｈ４の半分以下とすることが好ましい。

一例として、駆動ビーム６２Ｕの高さｈ４は２．０〜５．０μｍであり、駆動ビーム６２Ｕの下端６２Ｕｘから駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙまでの高さｈ６２Ｕｙは、０．３〜１．０μｍである。

これにより、製造時に駆動ビーム６２Ｕの下端にレジスト残渣が付着して、シャッタービーム５２Ｕと駆動ビーム６２Ｕとの間に回り込んでも、レジスト残渣は、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙよりも低い位置に存在するため、シャッタービーム５２Ｕは、駆動ビーム６２Ｕと正常に接触することができる。「正常に接触」とは、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの間にレジスト残渣が存在していない場合と同様に接触、の意味である。

第３の実施形態のシャッター機構Ｓの製造方法について説明する。シャッター体３は、折り目を有する形状であるが、ここでは、平板形状であるものとして説明する。

まず始めに、シャッター機構Ｓを除く第１基板１１上に、１層目のレジストパターン４８１を形成し、その上に、ポジ型のフォトレジストを用いて、シャッター機構Ｓの「型」となる２層目のレジストパターン４８２ａ、４８２ｂを形成する（図４８参照）。２層目のレジストパターン４８２ａ、４８２ｂのうち、シャッタービーム５２Ｕを形成するためのレジストパターン４８２ｂは、多階調のグレートーンマスクを使用することによって、図４８に示すように、下層側がなめらかな斜面を有する形状となるように形成する。

この後の処理は、第１の実施形態のシャッター機構Ｓの製造方法と同じである。すなわち、レジストパターン４８１及びレジストパターン４８２ａ、４８２ｂの表面に、シャッター機構Ｓを構成する積層膜を成膜し、さらに積層膜の上に、フォトレジストを用いて、シャッター体３を形成するためのレジストパターンを形成する。そして、異方性ドライエッチングよってパターニングを行った後、Ｏ_２プラズマによるアッシング処理を行い、レジストパターンを除去する。これにより、第１基板１１上に、シャッター体３、シャッタービーム５１Ｕ、５２Ｕ、及び駆動ビーム６１Ｕ、６２Ｕからなるシャッター機構Ｓが形成される（図４９参照）。

第３の実施形態の構成によれば、シャッタービーム５１Ｕの下端５１Ｕｘは、シャッタービーム５１Ｕと対向する駆動ビーム６１Ｕの下端６１Ｕｘよりも高い位置にある。これにより、駆動ビーム６１Ｕの下端６１Ｕｘは、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの接触部分の下端６１Ｕｙよりも低い位置にある。従って、製造時に駆動ビーム６１Ｕの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６１Ｕとシャッタービーム５１Ｕとの間に回り込んでも、シャッタービーム５１Ｕは、駆動ビーム６１Ｕと正常に接触することができる。

また、第３の実施形態の構成によれば、シャッタービーム５２Ｕの下端５２Ｕｘは、シャッタービーム５２Ｕと対向する駆動ビーム６２Ｕの下端６２Ｕｘよりも高い位置にある。これにより、駆動ビーム６２Ｕの下端６２Ｕｘは、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの接触部分の下端６２Ｕｙよりも低い位置にある。従って、製造時に駆動ビーム６２Ｕの下端にレジスト残渣が付着して、駆動ビーム６２Ｕとシャッタービーム５２Ｕとの間に回り込んでも、シャッタービーム５２Ｕは、駆動ビーム６２Ｕと正常に接触することができる。

さらに、第３の実施形態によれば、第１の実施形態のシャッター機構Ｓの製造工程において必要である、犠牲層１６２を成膜して、所定の形状にパターニングする工程（図１６参照）、及び２層目のレジストパターン１７１を形成後に、犠牲層１６２をウェットエッチングにより除去する工程（図１８参照）が不要となる。従って、第１の実施形態と比べて、シャッター機構Ｓを製造する際の製造コストを低減することができる。

以上、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。

上述した第１の実施形態において、駆動ビーム６１の下端６１ｘは、駆動ビーム６１がシャッタービーム５１と接触する接触部分の下端６１ｙよりも低い位置にあり、駆動ビーム６２の下端６２ｘは、駆動ビーム６２がシャッタービーム５２と接触する接触部分の下端６２ｙよりも低い位置にある構成であった。しかし、駆動ビーム６１及び駆動ビーム６２のうちの一方の駆動ビームの下端が対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にある構成であってもよい。

同様に、第１の実施形態の変形例１、変形例２、第２の実施形態、及び第３の実施形態においても、シャッター体３の両側に位置する駆動ビームのうちの一方の駆動ビームの下端が、対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にある構成であってもよい。

第２の実施形態では、シャッタービーム５１Ｔは、駆動ビーム６１Ｔと線対称な形であったが、他の形状、例えば鉛直方向に延びる直線形状であってもよい。また、シャッタービーム５１Ｔが上端から下端に向かうに従って対向する駆動ビーム６１Ｔから遠ざかる曲線形状を有している場合、駆動ビーム６１Ｔは、他の形状、例えば鉛直方向に延びる直線形状であってもよい。

同様に、シャッタービーム５２Ｔは、駆動ビーム６２Ｔと線対称な形であったが、他の形状、例えば鉛直方向に延びる直線形状であってもよい。また、シャッタービーム５２Ｔが上端から下端に向かうに従って対向する駆動ビーム６２Ｔから遠ざかる曲線形状を有している場合、駆動ビーム６２Ｔは、他の形状、例えば鉛直方向に延びる直線形状であってもよい。

上述した各実施形態及びその変形例における駆動ビーム及びシャッタービームの構成は、本発明の構成例であって、本発明がそれらの構成に限定されることはない。すなわち、シャッター体と電気的に接続される第１駆動ビーム及び第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームの下端が、当該駆動ビームが対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にある構成であれば、本発明の表示装置に含まれる。

３…シャッター体、１０…表示装置、１１…第１基板、２１…第２基板、５１、５１Ｒ、５１Ｓ、５１Ｔ、５１Ｕ…第１シャッタービーム、５２、５２Ｒ、５２Ｓ、５２Ｔ、５２Ｕ…第２シャッタービーム、６１、６１Ｒ、６１Ｓ、６１Ｔ、６１Ｕ…第１駆動ビーム、６２、６２Ｒ、６２Ｓ、６２Ｔ、６２Ｕ…第２駆動ビーム、７１…第１駆動ビームアンカー、７２…第２駆動ビームアンカー、８１…第１シャッタービームアンカー、８２…第２シャッタービームアンカー

Claims (8)

1. 複数の画素を有する表示装置であって、
   基板と、
   前記複数の画素それぞれに対応して設けられ、印加される電圧に応じて前記基板に対して移動することによって、前記基板を透過させる光量を制御するシャッター体と、
   前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて移動することによって、前記シャッター体を移動可能にする第１シャッタービームと、
   前記シャッター体と電気的に接続され、印加される電圧に応じて移動することによって、前記シャッター体を移動可能にする第２シャッタービームと、
   前記第１シャッタービームと対向する第１駆動ビームと、
   前記第２シャッタービームと対向する第２駆動ビームと、
   を備え、
   前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームの下端は、当該駆動ビームが前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの対向するシャッタービームと接触する接触部分の下端よりも低い位置にある、表示装置。
2. 前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、クランク形状である、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの少なくとも一方のシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、クランク形状である、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状はクランク形状であり、断面形状が前記クランク形状である当該駆動ビームと対向するシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状はクランク形状である、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向するシャッタービームから遠ざかる曲線形状である、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの少なくとも一方のシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向する駆動ビームから遠ざかる曲線形状である、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第１駆動ビーム及び前記第２駆動ビームのうちの少なくとも一方の駆動ビームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向するシャッタービームから遠ざかる曲線形状であり、断面形状が前記曲線形状である当該駆動ビームと対向するシャッタービームを前記シャッター体の移動方向に沿って切断した断面形状は、上端から下端に向かうに従って対向する駆動ビームから遠ざかる曲線形状である、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第１シャッタービーム及び前記第２シャッタービームのうちの少なくとも一方のシャッタービームの下端は、当該シャッタービームと対向する駆動ビームの下端よりも高い位置にある、請求項１に記載の表示装置。

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