JP2017017057A - 多層基板及びそれを用いた通信モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】多層基板上における配線パターン形成領域を犠牲にすることなく、多層基板の放熱性能を向上させる。
【解決手段】通信モジュールは、モジュール基板５と、モジュール基板５に実装された駆動用ＩＣ１１と、を備える。モジュール基板５は、最上層である第１導体層５１と、最下層である第６導体層５６と、中間層である第１絶縁層４１，第２導体層５２，第２絶縁層４２，第３導体層５３，第３絶縁層４３，第４導体層５４，第４絶縁層４４及び第５導体層５５及び第５絶縁層４５と、を有する。中間層を構成する上記各層に設けられている放熱ビアの断面積の合計は、最上層である第１導体層５１に設けられている第１放熱ビア６１の断面積の合計よりも大きく、最下層である第６導体層５６に設けられている第５放熱ビア６５の断面積の合計は、第３放熱ビア６３の断面積の合計よりも大きい。
【選択図】図３

Description

本発明は、プリント基板に関するものであり、特に、動作中に熱を発する発熱体が実装される多層基板に関するものである。

一般的な通信モジュールは、コネクタを備えた筐体と、筐体に収容され、該筐体が備えるコネクタと電気的に接続された基板と、を備えている。通信モジュールが備える基板は、一般的に“モジュール基板”と呼ばれ、通信モジュールが接続される基板（一般的に“ホストボード”と呼ばれる。）と区別される。以下の説明では、上記区別に従って、通信モジュールが備える基板を“モジュール基板”と呼び、通信モジュールが接続される基板を“ホストボード”と呼ぶ場合がある。

モジュール基板には、光素子（発光素子や受光素子）や電子部品等が実装される。例えば、モジュール基板上には、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の発光素子と該発光素子を駆動するための駆動用ＩＣ(Integrated Circuit)とが実装され、また、ＰＤ（Photodiode）等の受光素子と該受光素子から出力される電気信号を増幅する増幅用ＩＣ(Integrated Circuit)とが実装される。さらに、モジュール基板上には、上記のような光素子と光ファイバとを光結合させるレンズブロック等も搭載される。

上記のようなモジュール基板には多層基板が用いられることが多く、光素子や電子部品等は多層基板の一面に実装される。ここで、多層基板の一面に実装される光素子や電子部品等は、その動作中に熱を発する。以下の説明では、多層基板に実装される光素子や電子部品等であって、その動作中に熱を発するものを“発熱体”と総称する。

上記のような状況の下、発熱体から発生する熱をそれら発熱体が実装される多層基板を介して放熱する必要があり、発熱体が実装される一面と該一面と反対側の他の一面とに跨る複数の熱伝導部を備える多層基板が知られている。それぞれの熱伝導部は、多層基板をその厚み方向に貫通する貫通穴（スルーホール）と、この貫通穴の内側に設けられた金属と、から構成されており、一般的に“放熱ビア”と呼ばれる。それぞれの放熱ビアは、多層基板の一面に実装面に実装されている発熱体と熱的に接続されており、発熱体から発せられた熱は、各放熱ビアを介して多層基板の他の一面に伝えられて空気中に放熱される。そこで、以下の説明では、発熱体が実装される多層基板の一面を“実装面”又は“吸熱面”と呼び、実装面（吸熱面）と反対側の多層基板の他の一面を“裏面”又は“放熱面”と呼ぶ場合がある。

特開２０１３−２４７３５７号公報

多層基板の放熱性能を向上させるためには、なるべく多くの放熱ビアを形成することが望ましい。しかし、多層基板の大きさは有限である一方、多層基板には、放熱ビア以外に配線パターンも形成する必要がある。

従って、多層基板に形成される放熱ビアの本数を増加させると、多層基板上における配線パターンを形成可能な領域が狭くなり、配線パターンの設計自由度が低下してしまう。すなわち、多層基板上における放熱ビア形成領域の増大と配線パターン形成領域の増大とはトレードオフの関係にある。

本発明の目的は、多層基板上における配線パターン形成領域を犠牲にすることなく、多層基板の放熱性能を向上させることである。

本発明の多層基板は、動作中に熱を発する発熱体が実装される多層基板である。この多層基板は、最上層と、前記最上層の反対側の最下層と、前記最上層と前記最下層との間の中間層と、前記最上層に設けられ、前記発熱体と熱的に接続された複数本の放熱ビアと、前記中間層に設けられ、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、前記最下層に設けられ、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、を有する。そして、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きく、前記最下層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きい。

本発明の通信モジュールは、多層基板と、該多層基板に実装された光素子及び電子部品と、を備える。前記多層基板は、最上層と、前記最上層の反対側の最下層と、前記最上層と前記最下層との間の中間層と、前記最上層に設けられ、前記電子部品と熱的に接続された複数本の放熱ビアと、前記中間層に設けられ、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、前記最下層に設けられ、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、を有する。そして、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きく、前記最下層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きい。

本発明の一態様では、前記中間層は、積層された複数の絶縁層と導体層とを含み、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれは、前記中間層に含まれる前記複数の絶縁層及び導体層を貫通する一連の放熱ビアである。

本発明の他の態様では、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれの断面積は、前記最上層及び前記最下層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれの断面積よりも大きい。

本発明によれば、多層基板上における配線パターン形成領域を犠牲にすることなく、多層基板の放熱性能を向上させることができる。

本発明が適用された通信モジュールの一例を示す斜視図である。 （ａ）はモジュール基板上に設けられている光電変換部の構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は側面図である。 モジュール基板の構造を示す断面図である。 図３中のＡ−Ａ線に沿ったモジュール基板の断面図である。 図３中のＢ−Ｂ線に沿ったモジュール基板の断面図である。 図３中のＣ−Ｃ線に沿ったモジュール基板の断面図である。 図３中のＤ−Ｄ線に沿ったモジュール基板の断面図である。 図３中のＥ−Ｅ線に沿ったモジュール基板の断面図である。 モジュール基板内における熱の拡散状況を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態の一例について説明する。図１に示される通信モジュール１は、不図示のＩＴ（Information Technology）装置等が備える不図示のホストボードに接続され、光信号を電気信号に変換したり、電気信号を光信号に変換したりする。通信モジュール１の先端にはプラグコネクタ２が設けられており、このプラグコネクタ２がホストボードに設けられているレセプタクルコネクタに接続される。すなわち、本実施形態に係る通信モジュール１は、ホストボードに設けられているレセプタクルコネクタに挿抜可能なプラグコネクタ２を備えており、プラグコネクタ２がレセプタクルコネクタに挿入されると、通信モジュール１がホストボードに接続される。

上記のようにして通信モジュール１が接続されるホストボードには通信用半導体チップが実装されており、ホストボードに接続された通信モジュール１は、ホストボードに形成されている電気配線を介して通信用半導体チップと接続される。また、ホストボード上には複数のレセプタクルコネクタが配置されており、それぞれのレセプタクルコネクタを介して複数の通信モジュール１が通信用半導体チップと接続される。

通信モジュール１は、光ファイバ（ファイバリボン）３の一端側が引き入れられた筐体４と該筐体４に収容された多層基板５とを有し、多層基板上には光電変換部６が設けられている。以下の説明では、多層基板５を“モジュール基板５”と呼ぶ。尚、筐体４は、図示されている下側ケース４ａと不図示の上側ケースとから構成されている。下側ケース４ａと上側ケースとは互いに突き合わされてモジュール基板５を収容可能な空間を備える筐体４を構成する。

図１では省略されているが、モジュール基板５に設けられている光電変換部６は、モジュール基板５の実装面に設けられた光素子，電子部品，レンズブロック等によって構成されている。光電変換部６を構成している各要素のうち、少なくとも電子部品は、その動作中に熱を発する発熱体である。図２（ａ）に示されるように、光電変換部６は、光素子の一つである発光素子１０と、電子部品の一つであって、発光素子１０を駆動する駆動用ＩＣ１１と、を含んでいる。また、光電変換部６は、光素子の他の一つである受光素子２０と、電子部品の他の一つであって、受光素子２０から出力される電気信号を増幅する増幅用ＩＣ２１と、を含んでいる。さらに、図２（ｂ）に示されるように、モジュール基板５の実装面には、発光素子１０及び受光素子２０（図２（ａ））と光ファイバ３とを光結合させるレンズブロック３０も設けられている。レンズブロック３０は、樹脂製のホルダ部材３１を介してモジュール基板５に固定されており、発光素子１０及び受光素子２０（図２（ａ））の上方にこれらを覆うように配置されている。換言すれば、レンズブロック３０は、ホルダ部材３１によってモジュール基板上の所定位置に保持されている。

筐体４（図１）内に引き入れられている光ファイバ３の一端は、不図示のＭＴ（Mechanically Transferable）コネクタを介してレンズブロック３０に接続（光接続）されている。具体的には、レンズブロック３０の突き当て面にＭＴコネクタの先端面が突き当てられている。さらに、レンズブロック３０の突き当て面からは一対のガイドピンが突出しており、このガイドピンがＭＴコネクタの先端面に形成されているガイド穴に挿入されている。尚、本実施形態では、図２（ａ）に示される発光素子１０にＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が用いられ、同図に示される受光素子２０にＰＤ（Photodiode）が用いられている。もっとも、発光素子１０及び受光素子２０は、特定の発光素子や受光素子に限定されない。また、図１に示されるように、筐体４の後端には、プラグコネクタ２をレセプタクルコネクタから引き抜く際に摘ままれるプルタブ７が取り付けられている。

図３に示されるように、モジュール基板５は、樹脂層（絶縁層）４０を介して６つの金属層（導体層）５０が積層された６層の多層基板であって、樹脂層４０及び金属層５０の積層方向がモジュール基板５の厚み方向である。以下の説明では、図３中において最も上層に位置する金属層５０を“第１導体層５１”と呼び、最も下層に位置する金属層５０を“第６導体層５６”と呼ぶ場合がある。また、第１導体層５１の下の金属層５０を“第２導体層５２”と呼び、第２導体層５２の下の金属層５０を“第３導体層５３”と呼び、第３導体層５３の下の金属層５０を“第４導体層５４”と呼び、第４導体層５４の下の金属層５０を“第５導体層５５”と呼ぶ場合がある。第１導体層５１，第２導体層５２，第３導体層５３，第４導体層５４，第５導体層５５及び第６導体層５６の全部又は一部は、ウエットエッチング，ドライエッチングその他の任意の方法によってパターンニングされて配線パターンを形成している。

また、以下の説明では、第１導体層５１と第２導体層５２との間に介在している樹脂層４０を“第１絶縁層４１”と呼ぶ場合がある。以下同様に、第２導体層５２と第３導体層５３との間に介在している樹脂層４０を“第２絶縁層４２”と呼び、第３導体層５３と第４導体層５４との間に介在している樹脂層４０を“第３絶縁層４３”と呼び、第４導体層５４と第５導体層５５との間に介在している樹脂層４０を“第４絶縁層４４”と呼び、第５導体層５５と第６導体層５６との間に介在している樹脂層４０を“第５絶縁層４５”と呼ぶ場合がある。第１絶縁層４１，第２絶縁層４２，第３絶縁層４３，第４絶縁層４４及び第５絶縁層４５のそれぞれは、その上下の金属層５０の間を電気的に絶縁する層間絶縁膜を形成している。

図３に示されるように、本実施形態では、第１導体層５１がモジュール基板５の最上層であり、第６導体層５６が最上層と反対側のモジュール基板５の最下層である。また、第１絶縁層４１，第２導体層５２，第２絶縁層４２，第３導体層５３，第３絶縁層４３，第４導体層５４，第４絶縁層４４，第５導体層５５及び第５絶縁層４５が、最上層と最下層との間に位置する中間層である。すなわち、本実施形態におけるモジュール基板５の中間層には、積層された複数の絶縁層及び導体層が含まれる。尚、最上層である第１導体層５１や、最下層である第６導体層５６の表面にはソルダーレジストや金メッキ等によって保護層が形成されることもある。

モジュール基板５には、該モジュール基板５をその厚み方向に貫通する複数本の放熱ビアが形成されている。具体的には、最上層である第１導体層５１には、この第１導体層５１を貫通する複数本の第１放熱ビア６１が形成されている。

中間層の一部である第１絶縁層４１には、この第１絶縁層４１を貫通する複数本の第２放熱ビア６２が形成されている。また、中間層の他の一部である第２導体層５２，第２絶縁層４２，第３導体層５３，第３絶縁層４３，第４導体層５４，第４絶縁層４４及び第５導体層５５には、これら複数の層を貫通する一連の第３放熱ビア６３が形成されている。さらに、中間層の一部である第５絶縁層４５には、この第５絶縁層４５を貫通する複数本の第４放熱ビア６４が形成されている。

また、最下層である第６導体層５６には、この第６導体層５６を貫通する複数本の第５放熱ビア６５が形成されている。

第１放熱ビア６１，第２放熱ビア６２，第４放熱ビア６４及び第５放熱ビア６５は、レーザ照射によって形成された貫通穴と該貫通穴に充填された金属とから構成されており、“レーザビア”と呼ばれることもある。一方、第３放熱ビア６３は、ドリルによって形成された貫通穴と該貫通穴に充填された金属とから構成されており、“ドリルドビア”と呼ばれることもある。

複数本の第１放熱ビア６１，第２放熱ビア６２，第４放熱ビア６４及び第５放熱ビア６５は、互いに同一又は略同一の直径を有する。また、複数本の第３放熱ビア６３は、互いに同一又は略同一の直径を有する。一方、第３放熱ビア６３の直径は、第１放熱ビア６１，第２放熱ビア６２，第４放熱ビア６４及び第５放熱ビア６５の直径よりも大きい。本実施形態では、第３放熱ビア６３の直径は、第１放熱ビア６１，第２放熱ビア６２，第４放熱ビア６４及び第５放熱ビア６５の直径の約２倍である。

モジュール基板５の実装面（吸熱面）を形成する第１導体層５１に設けられている第１放熱ビア６１は、実装面（吸熱面）に実装されている駆動用ＩＣ１１及び増幅用ＩＣ２１（図２）と直接的又は間接的に熱接続され、かつ、第１絶縁層４１に設けられている第２放熱ビア６２と直接的又は間接的に熱接続されている。一方、モジュール基板５の裏面（放熱面）を形成する第６導体層５６に設けられている第５放熱ビア６５は、第５絶縁層４５に設けられている第４放熱ビア６４と直接的又は間接的に熱接続され、かつ、モジュール基板５の裏面（放熱面）と熱接続されている。さらに、第２放熱ビア６２は、第１放熱ビア６１及び第３放熱ビア６３の双方と直接的又は間接的に熱接続され、第４放熱ビア６４は、第３放熱ビア６３及び第５放熱ビア６５の双方と直接的又は間接的に熱接続されている。

要するに、モジュール基板５の吸熱面に配置されている駆動用ＩＣ１１及び増幅用ＩＣ２１（図２）は、第１放熱ビア６１，第２放熱ビア６２，第３放熱ビア６３，第４放熱ビア６４及び第５放熱ビア６５を介して、モジュール基板５の放熱面と熱的に接続されている。よって、駆動用ＩＣ１１及び増幅用ＩＣ２１から発せられた熱は、これら第１放熱ビア６１，第２放熱ビア６２，第３放熱ビア６３，第４放熱ビア６４及び第５放熱ビア６５を介してモジュール基板５の放熱面に伝えられ、空気中に放熱される。

図３，図４及び図５を参照すると、第２放熱ビア６２の本数は、第１放熱ビア６１の本数よりも多い。一方、第１放熱ビア６１と第２放熱ビア６２の直径は同一又は略同一である。つまり、第１放熱ビア６１と第２放熱ビア６２の断面積は同一である。ここで比較している第１放熱ビア６１及び第２放熱ビア６２の断面積とは、モジュール基板５の厚み方向と直交する断面の面積である。換言すれば、第１放熱ビア６１及び第２放熱ビア６２の断面積とは、モジュール基板５の表面に平行な断面の面積である。以下、特に断らない限り、“断面”や“断面積”に言及する場合、その断面や断面積は、モジュール基板５の厚み方向と直交する断面やその断面の面積を意味するものとする。

第１放熱ビア６１及び第２放熱ビア６２は同一又は略同一の断面積を有する。しかし、第１絶縁層４１には、第１放熱ビア６１よりも多くの第２放熱ビア６２が形成されている。この結果、第１絶縁層４１の断面内における第２放熱ビア６２の断面積の合計は、第１導体層５１の断面内における第１放熱ビア６１の断面積の合計よりも大きい。

図３，図５及び図６を参照すると、第３放熱ビア６３の本数は、第２放熱ビア６２の本数よりも少ない。一方、第３放熱ビア６３の直径は、第２放熱ビア６２の直径の約２倍である。つまり、第３放熱ビア６３は、第２放熱ビア６２の約４倍の断面積を有する。この結果、中間層を構成する各層の断面内おける第３放熱ビア６３の断面積の合計は、第１絶縁層４１の断面内における第２放熱ビア６２の断面積の合計よりも大きい。換言すれば、中間層を構成する第２導体層５２，第２絶縁層４２，第３導体層５３，第３絶縁層４３，第４導体層５４，第４絶縁層４４及び第５導体層５５の各層の断面内における第３放熱ビア６３の断面積の合計は、第１絶縁層４１の断面内における第２放熱ビア６２の断面積の合計よりも大きい。

図３，図６及び図７を参照すると、第４放熱ビア６４の断面積は、第３放熱ビア６３の断面積よりも小さい。具体的には、第４放熱ビア６４の断面積は、第３放熱ビア６３の断面積の約１／４である。しかし、第５絶縁層４５には、第３放熱ビア６３の４倍以上の本数の第４放熱ビア６４が形成されている。この結果、第５絶縁層４５の断面内における第４放熱ビア６４の断面積の合計は、中間層を構成する各層の断面内おける第３放熱ビア６３の断面積の合計よりも大きい。

図３，図７及び図８を参照すると、第４放熱ビア６４及び第５放熱ビア６５は同一又は略同一の断面積を有する。しかし、第６導体層５６には、第４放熱ビア６４よりも多くの第５放熱ビア６５が形成されている。この結果、第６導体層５６の断面内における第５放熱ビア６５の断面積の合計は、第５絶縁層４５の断面内における第４放熱ビア６４の断面積の合計よりも大きい。

以上のように、本実施形態では、モジュール基板５の各層の断面積に占める放熱ビアの断面積の割合が下層ほど大きくなっている。換言すれば、モジュール基板５の各層の断面積に占める放熱ビアの断面積の割合が上層ほど小さくなっている。よって、最上層に近い層ほど、配線パターンを形成可能な領域が広く、最上層における配線パターン形成領域が最も広い。ここで、最上層は実装面を形成する層であって、多くの複雑な配線パターンが形成される。よって、最上層における配線パターン形成領域が広い本実施形態は、配線パターンの設計自由度が高い。また、各層の断面積に占める放熱ビアの断面積の割合が下層ほど大きくなる本実施形態では、発熱体（例えば、駆動用ＩＣ１１）から発せられた熱は、図９中に示される矢印のように拡散しながらモジュール基板５の最下層に伝えられる。ここで、最下層は放熱面を形成する層なので、最下層における放熱ビアの断面積が大きい本実施形態では、発熱体（例えば、駆動用ＩＣ１１）から発せられた熱が効率よく放熱される。尚、図９では、図３に示されている各放熱ビアを簡略化して図示してある。また、図９，図３に示されている放熱ビアは、駆動用ＩＣ１１とモジュール基板５の裏面とを熱的に接続する放熱ビアであるが、増幅用ＩＣ２１（図２）とモジュール基板５の裏面とを熱的に接続する不図示の放熱ビアも、図示されている放熱ビアと同一の構造を有する。

上記のように、多層基板の各層における放熱ビアの本数の多少は本発明の本質的特徴ではない。多層基板の各層に設けられている複数本の放熱ビアの断面積の合計が下層に近づくに従って増大することが本発明の本質的特徴である。よって、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記本質的特徴を変更しない範囲で種々変更可能である。例えば、上記実施形態におけるモジュール基板５は６層の多層基板であったが、多層基板の積層数は特定の数に限定されない。例えば、３層の多層基板や８層の多層基板をモジュール基板５として用いることもできる。

上記実施形態では、最上層（第１導体層５１）に形成されている第１放熱ビア６１及び最下層（第６導体層５６）に形成されている第５放熱ビア６５は、ブラインドビアであった。また、第１絶縁層４１，中間層及び第５絶縁層４５に形成されているそれぞれの放熱ビア（第２放熱ビア６２，第３放熱ビア６３及び第４放熱ビア６４）は、モジュール基板５の内層同士を連絡（接続）するベリードビアであった。さらに、中間層に形成されている第３放熱ビア６３は、中間層に含まれる複数の絶縁層及び導体層を貫通する一連の放熱ビアであった。各層におけるビアの構造や種類は上記構造や種類に限定されない。例えば、中間層を構成する各層に放熱ビア（ベリードビア）を形成してもよい。また、第１導体層５１及び第１絶縁層４１に、これら２層を貫通し、モジュール基板５の外層と内層とを連絡（接続）する一連の放熱ビア（ブラインドビア）を形成してもよく、第５絶縁層４５及び第６導体層５６に、これら２層を貫通する一連の放熱ビア（ブラインドビア）を形成してもよい。

上記実施形態における樹脂層４０（第１絶縁層４１，第２絶縁層４２，第３絶縁層４３，第４絶縁層４４及び第５絶縁層４５）の材料は、“プリプレグ”と呼ばれる繊維含有樹脂材料であるが、樹脂層４０の材料は特定の樹脂材料に限定されず、プリプレグ以外のエポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂などを用いてもよい。また、上記実施形態における金属層５０（第１導体層５１，第２導体層５２，第３導体層５３，第４導体層５４，第５導体層５５及び第６導体層５６）の材料は銅であるが、金属層５０の材料は特定の金属材料に限定されない。

上記実施形態における放熱ビアの全部又は一部は、貫通穴の内周面に金属層が形成された放熱ビアに置換することができる。多層基板に実装される発熱体は駆動用ＩＣや増幅用ＩＣに限定されるものではなく、多層基板に実装され、動作中に熱を発する他の電子部品や光素子等も発熱体に含まれる。本発明は、光通信用の通信モジュールが備えるモジュール基板ではなく、電気通信用の通信モジュールが備えるモジュール基板にも適用できる。さらに、本発明は、モジュール基板のみでなく、広く多層基板一般に適用することができる。

１ 通信モジュール
２ プラグコネクタ
３ 光ファイバ
４ 筐体
５ 多層基板（モジュール基板）
６ 光電変換部
１０ 発光素子
１１ 駆動用ＩＣ
２０ 受光素子
２１ 増幅用ＩＣ
３０ レンズブロック
３１ ホルダ部材
４０ 樹脂層
４１ 第１絶縁層
４２ 第２絶縁層
４３ 第３絶縁層
４４ 第４絶縁層
４５ 第５絶縁層
５０ 金属層
５１ 第１導体層
５２ 第２導体層
５３ 第３導体層
５４ 第４導体層
５５ 第５導体層
５６ 第６導体層
６１ 第１放熱ビア
６２ 第２放熱ビア
６３ 第３放熱ビア
６４ 第４放熱ビア
６５ 第５放熱ビア

Claims (6)

1. 動作中に熱を発する発熱体が実装される多層基板であって、
   最上層と、
   前記最上層の反対側の最下層と、
   前記最上層と前記最下層との間の中間層と、
   前記最上層に設けられ、前記発熱体と熱的に接続された複数本の放熱ビアと、
   前記中間層に設けられ、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、
   前記最下層に設けられ、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、を有し、
   前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きく、
   前記最下層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きい、
   多層基板。
2. 請求項１に記載の多層基板であって、
   前記中間層は、積層された複数の絶縁層と導体層とを含み、
   前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれは、前記中間層に含まれる前記複数の絶縁層及び導体層を貫通する一連の放熱ビアである、
   多層基板。
3. 請求項１又は２に記載の多層基板であって、
   前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれの断面積は、前記最上層及び前記最下層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれの断面積よりも大きい、
   多層基板。
4. 多層基板と、該多層基板に実装された光素子及び電子部品と、を備える通信モジュールであって、
   前記多層基板は、
   最上層と、
   前記最上層の反対側の最下層と、
   前記最上層と前記最下層との間の中間層と、
   前記最上層に設けられ、前記電子部品と熱的に接続された複数本の放熱ビアと、
   前記中間層に設けられ、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、
   前記最下層に設けられ、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアと熱的に接続された複数本の放熱ビアと、を有し、
   前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記最上層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きく、
   前記最下層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計は、前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアの断面積の合計よりも大きい、
   通信モジュール。
5. 請求項４に記載の通信モジュールであって、
   前記多層基板の前記中間層は、積層された複数の絶縁層と導体層とを含み、
   前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれは、前記中間層に含まれる前記複数の絶縁層及び導体層を貫通する一連の放熱ビアである、
   通信モジュール。
6. 請求項４又は５に記載の通信モジュールであって、
   前記多層基板の前記中間層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれの断面積は、前記多層基板の前記最上層及び前記最下層に設けられている前記複数本の放熱ビアのそれぞれの断面積よりも大きい、
   通信モジュール。

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