JP2017013047A - 被覆粒子 - Google Patents
被覆粒子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017013047A JP2017013047A JP2016108504A JP2016108504A JP2017013047A JP 2017013047 A JP2017013047 A JP 2017013047A JP 2016108504 A JP2016108504 A JP 2016108504A JP 2016108504 A JP2016108504 A JP 2016108504A JP 2017013047 A JP2017013047 A JP 2017013047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- carbon
- explosive
- carbon particles
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/06—Metallic material
- C23C4/067—Metallic material containing free particles of non-metal elements, e.g. carbon, silicon, boron, phosphorus or arsenic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2/00—Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2/00—Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
- B01J2/003—Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic followed by coating of the granules
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/08—Application of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
- B05D1/08—Flame spraying
- B05D1/10—Applying particulate materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/10—Carbon fluorides, e.g. [CF]nor [C2F]n
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
- C01B32/205—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/26—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/52—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating using reducing agents for coating with metallic material not provided for in a single one of groups C23C18/32 - C23C18/50
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
- C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/18—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】2個以下のニトロ基を有する芳香族化合物を含む原料物質の周囲に、爆速6300m/秒以上の爆発性物質を配置する工程と、前記爆発性物質を爆轟させる工程により製造される炭素粒子が、基材粒子の表面に被覆されて構成される被覆粒子。
【選択図】図9
Description
本発明で用いる炭素粒子は、爆轟法により、ナノスケールのグラファイト質の炭素とダイヤモンドとを含む炭素粒子を製造する。具体的には、2個以下のニトロ基を有する芳香族化合物を含む原料物質の周囲に爆速6300m/秒以上の爆発性物質を配置する工程と、前記爆発性物質を爆轟させる工程とを含む製造方法により炭素粒子を製造できる。
上記素地材に、上記被覆粒子を溶射することによって、表面に被覆粒子を担持した機能材料を製造できる。
上記素地材に、上記被覆粒子を圧延することによって、表面に被覆粒子を担持した機能材料を製造できる。
上記被覆粒子を分散させたメッキ浴に、上記素地材を浸漬してメッキすることによって、素地材の表面に被覆粒子を担持した機能材料を製造できる。
本実験例では、原料物質としてジニトロトルエン(DNT)を用いて、かつ、爆発性物質としてヒドラジン系液体爆薬を用いて、爆轟法により炭素粒子を製造した。具体的には、原料物質としてDNT(工業級)を溶填して直径10cm、高さ48cmの円柱状に成型した。得られた成型体の質量は5.52kg、体積は3770cm3、密度は1.46g/cm3であった。また、爆発性物質として2.50kgの硝酸ヒドラジンの75%抱水ヒドラジン溶液を小分けして調製した。
本実験例では、上記実験例1に対して、爆発性物質であるヒドラジン系液体爆薬の使用量を2.50kgから2.49kgに変更したこと、冷却容器である容量100Lの容器を容量200Lの容器に変更したこと、冷却材である蒸留水の使用量を120Lから220Lに変更したこと以外は、上記実験例1と同様にして炭素粒子を製造した。その結果、16μm篩通過分534g、32μm篩通過分1315gおよび100μm篩通過分485gとして、合計2334gの炭素粒子を得た。本実験例における実験内容、炭素粒子の回収量および収率を下記表2に示す。
本実験例では、上記実験例1に対して、原料物質であるDNTの使用量を5.52kgから5.46kg、体積を3770cm3から3750cm3に変更したこと、冷却容器である容量100Lの容器を容量200Lの容器に変更したこと、冷却材である蒸留水の使用量を120Lから220Lに変更したこと、チャンバー内に残留する酸素ガス量(計算値)を279.9gから191.0gとしたこと、上澄み液にクエン酸を添加しなかったこと以外は、上記実験例1と同様にして炭素粒子を製造した。その結果、16μm篩通過分164g、32μm篩通過分801g、および100μm篩通過分680gとして、合計1645gの炭素粒子を得た。本実験例における実験内容、炭素粒子の回収量および収率を下記表2に示す。
本実験例では、原料物質として2,4−ジニトロトルエン(2,4−DNT)を用いて、かつ、爆発性物質としてヒドラジン系液体爆薬を用いて、爆轟法により炭素粒子を製造した。具体的には、原料物質として2,4−DNT(工業級)を溶填して直径10cm、高さ48cmの円柱状に成型した。得られた成型体の質量は5.48kg、体積は3785cm3、密度は1.45g/cm3であった。また、爆発性物質として2.49kgの硝酸ヒドラジンの75%抱水ヒドラジン溶液を小分けして調製した。
本実験例では、上記実験例3に対して、原料物質であるDNTの体積を3750cm3から3800cm3に変更し、密度を1.46g/cm3から1.44g/cm3に変更したこと、爆発性物質であるヒドラジン系液体爆薬の使用量を2.50kgから2.43kgに変更したこと、チャンバー内に残留する酸素ガス量(計算値)を191.0gから25.52gとしたこと以外は、実験例3と同様にして炭素粒子を製造した。その結果、16μm篩通過分177g、32μm篩通過分678g、および100μm篩通過分610gとして、合計1465gの炭素粒子を得た。本実験例における実験内容、炭素粒子の回収量および収率を下記表2に示す。
ダイヤモンドと積層構造をもったグラファイト質の炭素の格子像が観察できるCCDカメラと撮影倍率を有するTEMを用いて得られた炭素粒子を観察した。TEMの具体的な測定条件は次の通りである。
・TEMの装置名:日本電子製透過型電子顕微鏡JEM−ARM200F
・測定方法 :懸濁法、分散溶媒:メタノール
・加速電圧 :200kV
・CCDカメラ :Gatan製UltraScan
・撮影倍率 :30万倍、80万倍
・写真倍率 :220万倍、A4サイズに印刷時は590万倍
まず、実験例3(3#6)で得られた炭素粒子のうち、100μm篩通過分のX線回折チャートを図5に示す。
・X線回折装置の装置名:リガク製水平型X線回折装置SmartLab
・測定方法:θ−2θ
・X線源:Cu−Kα線
・励起電圧−電流:45kV−200mA
・発散スリット:2/3°
・散乱スリット:2/3°
・受光スリット:0.6mm
分析装置:Physical Electronics社製「Quantera SXM(全自動走査型X線光電子分光装置)」
X線源:単色化Al Kα
X線出力:25.1W
X線ビームサイズ:100μmφ
光電子取り出し角:45゜
(b)上記アクリル樹脂粒子としては、根上工業株式会社製の「SE−20T」(平均粒径φ22μm、比重1.21g/cm3)、または根上工業株式会社製の「GR−300」(平均粒径φ22μm、比重1.21g/cm3)、または東洋紡株式会社製の「タフチックAR650M」(平均粒径φ30μm、比重1.35g/cm3)、または東洋紡株式会社製の「タフチックFH−S010」(平均粒径φ10μm、比重1.17g/cm3)、または根上工業株式会社製の「J−4PY」(平均粒径φ2.2μm、比重1.21g/cm3)を用いた。
(c)上記ナイロン樹脂粒子としては、東レ株式会社製の「TR−2」(平均粒径φ20μm、比重1.13g/cm3)を用いた。
(d)上記高分子量ポリエチレン樹脂粒子としては、三井化学株式会社製の「ミペロンXM−221U」(平均粒径φ30μm、比重0.94g/cm3)を用いた。
(e)上記SiC粒子としては、信濃電気製錬株式会社製の「SSC−A15」(平均粒径φ18.6μm、比重1.91g/cm3)を用いた。
(f)上記不活性アルミナ粒子としては、ユニオン昭和株式会社製の「V−250」(平均粒径は不明)、またはユニオン昭和株式会社製の「VERSAL−G」(平均粒径約φ50μm、比重1.93g/cm3)を用いた。
(g)上記SUS316L型ステンレス鋼粒子としては、山陽特殊製鋼株式会社製のものを用いた。平均粒径はφ20μm、比重は7.98g/cm3である。
(h)上記銅粒子としては、高純度化学株式会社製の純銅粒子を用いた。平均粒径はφ20μm、比重は8.82g/cm3である。
(i)上記青銅粒子としては、サンドビック株式会社製のものを用いた。Cu−15%Sn−0.4%Pであり、平均粒径はφ27.4μm、比重は5.2g/cm3である。
(j)上記マルエージング鋼粒子としては、サンドビック株式会社製ものを用いた。18Ni300であり、平均粒径はφ32.4μm、比重は8.0g/cm3である。
(a−2)ウレタン樹脂粒子「JB−300T」を500g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は42nmである。
(b−1)アクリル樹脂粒子「SE−20T」を500g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は44nmである。
(b−2)アクリル樹脂粒子「GR−300」を500g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は44nmである。
(b−3)アクリル樹脂粒子「タフチックAR650M」を500g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は67nmである。
(b−4)アクリル樹脂粒子「タフチックFH−S010」を300g、実験例3(3#6)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は19nmである。
(b−5)アクリル樹脂粒子「J−4PY」を230g、実験例3(3#6)で得られた炭素粒子を5質量%とした。試算膜厚は4.4nmである。
(c)ナイロン樹脂粒子「TR−2」を600g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を5質量%とした。試算膜厚は93nmである。
(d)高分子量ポリエチレン樹脂粒子「ミペロンXM−221U」を250g、実験例3(3#6)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は47nmである。
(e)SiC粒子「SSC−A15」を500g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を5質量%とした。試算膜厚は146nmである。
(f−1)不活性アルミナ粒子「V−250」を500g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を5質量%とした。「V−250」は粒径分布が示されていないため正確に判らないが、平均粒径(d50)を5μmと仮定した場合は、試算膜厚は396nmとなる。
(f−2)不活性アルミナ粒子「VERSAL−G」を500g、実験例5(3#1)で得られた炭素粒子を5質量%とした。試算膜厚は396nmである。
(g)SUS316L型ステンレス鋼粒子を1000g、実験例3(3#6)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は259nmである。
(h)純銅粒子を1000g、実験例4(2#15)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は286nmである。
(i)青銅粒子を500g、実験例3(3#6)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は233nmである。
(j)マルエージング鋼粒子を1000g、実験例4(2#15)で得られた炭素粒子を2質量%とした。試算膜厚は421nmである。
<硬さ測定条件>
測定装置:Mitutoyo社製「微少硬さ試験器 HM−220」
負荷荷重:0.1kgfまたは0.05kgf
負荷時間:10秒間
測定位置:溶射膜の任意の位置を5点
(f−3)不活性アルミナ粒子として、デンカ株式会社社製の球状アルミナ「DAW−03」を200g、実験例3で得られた炭素粒子を5.0質量%とした。試算膜厚は0.024μmとなる。
<硬さ測定条件>
測定装置:Mitutoyo社製「微少硬さ試験器 HM−102」
負荷荷重:0.025kgf
負荷時間:10秒間
測定位置:メッキ層の任意の位置を5点
<条件>
測定装置 :新東科学株式会社製の表面性測定機「TYPE:14DR」
圧子 :SUJ2ボール圧子、直径φ10mm
試験速度 :3mm/秒(9往復/分相当)
荷重 :1kgf
ストローク:10mm、試験片の長手方向に摺動
往復回数 :100往復
試験環境 :室温、無潤滑
測定 :往路のみ摩擦係数を測定
12 爆発性物質
20 爆発容器
22 伝爆薬
24 雷管や導爆線
30 冷却容器
32 冷却材
34 架台
36 穴あき円板
Claims (8)
- 2個以下のニトロ基を有する芳香族化合物を含む原料物質の周囲に、爆速6300m/秒以上の爆発性物質を配置する工程と、
前記爆発性物質を爆轟させる工程
により製造される炭素粒子が、基材粒子の表面に被覆されて構成されることを特徴とする被覆粒子。 - 前記炭素粒子は、フッ化処理したものである請求項1に記載の被覆粒子。
- 請求項1または2に記載の被覆粒子を素地材の表面に担持したことを特徴とする機能材料。
- 2個以下のニトロ基を有する芳香族化合物を含む原料物質の周囲に、爆速6300m/秒以上の爆発性物質を配置する工程と、
前記爆発性物質を爆轟させる工程と、
得られた炭素粒子を、機械的複合化法によって基材粒子の表面に被覆する工程と
を含むことを特徴とする被覆粒子の製造方法。 - 前記炭素粒子を、フッ化処理した後、機械的複合化法によって基材粒子の表面に被覆する請求項4に記載の被覆粒子の製造方法。
- 請求項4または5に記載の製造方法で得られた被覆粒子を、素地材の表面に担持することを特徴とする機能材料の製造方法。
- 請求項4に記載の製造方法で得られた被覆粒子を、素地材の表面に担持した後、フッ化処理することを特徴とする機能材料の製造方法。
- 前記被覆粒子を、溶射加工、圧延加工、またはメッキ加工により前記素地材の表面に担持する請求項6または7に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015133153 | 2015-07-01 | ||
JP2015133153 | 2015-07-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017013047A true JP2017013047A (ja) | 2017-01-19 |
Family
ID=57609463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016108504A Pending JP2017013047A (ja) | 2015-07-01 | 2016-05-31 | 被覆粒子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180179067A1 (ja) |
EP (1) | EP3318611A4 (ja) |
JP (1) | JP2017013047A (ja) |
KR (1) | KR20180014085A (ja) |
RU (1) | RU2697455C2 (ja) |
WO (1) | WO2017002665A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019131878A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 国立大学法人東京工業大学 | コールドスプレー法並びに摺動性物品及び人工骨等 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115319330B (zh) * | 2022-08-19 | 2023-11-10 | 重庆平创半导体研究院有限责任公司 | 球状核壳结构低温烧结焊膏及其制备方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3740278A (en) * | 1971-05-06 | 1973-06-19 | Wasagchemie Ag | Halogenated polyethylene coated crystalline explosive mixed with second explosive |
JPS5410558B1 (ja) * | 1964-05-19 | 1979-05-08 | ||
JPS5683360U (ja) * | 1979-11-22 | 1981-07-04 | ||
JPS57501080A (ja) * | 1980-07-31 | 1982-06-24 | ||
JPS6378328A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH10113874A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nara Kikai Seisakusho:Kk | 生体材料研磨用複合砥粒,その製造方法および研磨材 |
DE19933648A1 (de) * | 1999-07-17 | 2001-01-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung dotierter Diamantpartikel, danach hergestellte Partikel und deren Verwendung |
JP2001503105A (ja) * | 1996-10-02 | 2001-03-06 | フラウンホーファー―ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | 被覆粉末及びその製造方法 |
JP2004314022A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 炭素誘導体含有材料の製造方法およびそれに用いる製造装置 |
JP2012017225A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Vision Development Co Ltd | ケイ素及び/又はフッ素を有するダイヤモンド微粒子 |
WO2015098982A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 爆轟法による炭素粒子の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB821499A (en) * | 1958-06-19 | 1959-10-07 | Du Pont | Improvements in blasting explosives |
GB1115648A (en) * | 1964-08-11 | 1968-05-29 | Du Pont | Synthetic diamonds |
RU2118997C1 (ru) * | 1997-01-24 | 1998-09-20 | Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики | Способ получения поликристаллических алмазных слоев |
RU2223220C2 (ru) * | 2000-11-01 | 2004-02-10 | Тадеуш Брониславович Сенють | Способ получения алмазных частиц, способ получения алмазных кристаллов и способ получения содержащих алмазные частицы заготовок |
JP2005289677A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nof Corp | ダイヤモンド合成用爆薬組成物およびダイヤモンドの合成方法 |
RU2359902C2 (ru) * | 2005-12-30 | 2009-06-27 | Федеральное Государственное Учреждение "Федеральное Агентство По Правовой Защите Результатов Интеллектуальной Деятельности Военного, Специального И Двойного Назначения" При Министерстве Юстиции Российской Федерации | Алмаз-углеродный материал и способ его получения |
JP2008115303A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Hiroshi Ishizuka | 研磨工具用樹脂材料及びその製造方法 |
JP2012170913A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Nippon Kayaku Co Ltd | 単結晶ナノダイヤモンド造粒粉体の製造方法 |
-
2016
- 2016-05-31 JP JP2016108504A patent/JP2017013047A/ja active Pending
- 2016-06-21 RU RU2017146049A patent/RU2697455C2/ru active
- 2016-06-21 US US15/740,371 patent/US20180179067A1/en not_active Abandoned
- 2016-06-21 EP EP16817773.1A patent/EP3318611A4/en not_active Withdrawn
- 2016-06-21 KR KR1020177037769A patent/KR20180014085A/ko active IP Right Grant
- 2016-06-21 WO PCT/JP2016/068355 patent/WO2017002665A1/ja active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5410558B1 (ja) * | 1964-05-19 | 1979-05-08 | ||
US3740278A (en) * | 1971-05-06 | 1973-06-19 | Wasagchemie Ag | Halogenated polyethylene coated crystalline explosive mixed with second explosive |
JPS5683360U (ja) * | 1979-11-22 | 1981-07-04 | ||
JPS57501080A (ja) * | 1980-07-31 | 1982-06-24 | ||
JPS6378328A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2001503105A (ja) * | 1996-10-02 | 2001-03-06 | フラウンホーファー―ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | 被覆粉末及びその製造方法 |
JPH10113874A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nara Kikai Seisakusho:Kk | 生体材料研磨用複合砥粒,その製造方法および研磨材 |
DE19933648A1 (de) * | 1999-07-17 | 2001-01-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung dotierter Diamantpartikel, danach hergestellte Partikel und deren Verwendung |
JP2004314022A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-11 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 炭素誘導体含有材料の製造方法およびそれに用いる製造装置 |
JP2012017225A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Vision Development Co Ltd | ケイ素及び/又はフッ素を有するダイヤモンド微粒子 |
WO2015098982A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 爆轟法による炭素粒子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019131878A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 国立大学法人東京工業大学 | コールドスプレー法並びに摺動性物品及び人工骨等 |
JP7034472B2 (ja) | 2018-02-02 | 2022-03-14 | 国立大学法人東京工業大学 | コールドスプレー法並びに摺動性物品及び人工骨等 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2017146049A (ru) | 2019-08-01 |
KR20180014085A (ko) | 2018-02-07 |
EP3318611A1 (en) | 2018-05-09 |
WO2017002665A1 (ja) | 2017-01-05 |
RU2697455C2 (ru) | 2019-08-14 |
EP3318611A4 (en) | 2019-02-13 |
RU2017146049A3 (ja) | 2019-08-01 |
US20180179067A1 (en) | 2018-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101838421B1 (ko) | 폭굉법에 의한 탄소 입자의 제조 방법 | |
WO2017094788A1 (ja) | 被覆粒子 | |
JP2018188689A (ja) | 複合粒子、コールドスプレー用材料、被覆材料及びその製造方法 | |
JP6114717B2 (ja) | 爆轟法による炭素粒子の製造方法 | |
WO2017002665A1 (ja) | 被覆粒子 | |
Das et al. | Effect of graphene interlayer on resistance spot welded AISI-1008 steel joints | |
JP6416048B2 (ja) | グラファイト群、該グラファイト群を含む炭素粒子 | |
Liu et al. | Microstructure and properties of Sip/Al–20 wt% Si composite prepared by hot-pressed sintering technology | |
Galli | Structure, stability and electronic properties of nanodiamonds | |
Tazari et al. | Nanocomposites of Al5083/SiC; strength and wear behaviors | |
DeLuca | A survey of nanotechnology for rocket propulsion: Promises and challenges | |
Ali et al. | Phase, Microstructure, and Tensile Strength of Al6351-Graphite-WC Hybrid Metal Matrix Composites | |
US20230029192A1 (en) | Metal Carbide Graphene Process | |
Detkov et al. | Development of composite materials based on improved nanodiamonds | |
Osman Yilmaz et al. | Characterization of mechanically alloyed Fe based and MoNiAl+ Al2O3 reinforced composites | |
Kommel et al. | Design of superhard c-BC2N-precipitates in B4C/Al-composites through SHS and heat treatment | |
Borand et al. | Production of few-layered graphene reinforced copper by powder metallurgy | |
Kanzamanova et al. | Shaped-charge treatment effects accompanying the formation of hard structure and new phase states in coatings on titanium | |
Lanke et al. | Characterization of Copper MMC Reinforced with SiC and Graphite in Equal Proportion Made by the Powder Metallurgy Route | |
Milton et al. | Investigation on electrochemical corrosion behavior and mechanical properties of Fe-nano particles produced by high-energy ball milling technique | |
Ma et al. | Combustion synthesis of large bulk nanostructured Ni65Al21Cr14 alloy | |
Rajulapati | Synthesis and mechanical properties of two phase nanostructured Al based composites |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170322 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200623 |