JP2016529695A - 光電子素子、有機機能層および光電子素子の製造法 - Google Patents
光電子素子、有機機能層および光電子素子の製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016529695A JP2016529695A JP2016522469A JP2016522469A JP2016529695A JP 2016529695 A JP2016529695 A JP 2016529695A JP 2016522469 A JP2016522469 A JP 2016522469A JP 2016522469 A JP2016522469 A JP 2016522469A JP 2016529695 A JP2016529695 A JP 2016529695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- matrix material
- optoelectronic device
- organic functional
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/611—Charge transfer complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/361—Polynuclear complexes, i.e. complexes comprising two or more metal centers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
フッ素化安息香酸または非フッ素化安息香酸、例えば2−(トリフルオロメチル)安息香酸;3,5−ジフルオロ安息香酸;3−ヒドロキシ−2,4,6−トリヨード安息香酸;3−フルオロ−4−メチル安息香酸;3−(トリフルオロメトキシ)安息香酸;4−(トリフルオロメトキシ)安息香酸;4−クロロ−2,5−ジフルオロ安息香酸;2−クロロ−4,5−ジフルオロ安息香酸;2,4,5−トリフルオロ安息香酸;2−フルオロ安息香酸;4−フルオロ安息香酸;2,3,4−トリフルオロ安息香酸;2,3,5−トリフルオロ安息香酸;2,3−ジフルオロ安息香酸;2,4−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸;2,4−ジフルオロ安息香酸;
2,5−ジフルオロ安息香酸;2,6−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸;
2,6−ジフルオロ安息香酸;2−クロロ−6−フルオロ安息香酸;2−フルオロ−4−(トリフルオロメチル)安息香酸;2−フルオロ−5−(トリフルオロメチル)安息香酸;2−フルオロ−6−(トリフルオロメチル)安息香酸;3,4,5−トリフルオロ安息香酸;
3,4−ジフルオロ安息香酸;3,5−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸;
3−(トリフルオロメチル)安息香酸;3−クロロ−4−フルオロ安息香酸;
3−フルオロ−5−(トリフルオロメチル)安息香酸;3−フルオロ安息香酸;4−フルオロ−2−(トリフルオロメチル)安息香酸;4−フルオロ−3−(トリフルオロメチル)安息香酸;5−フルオロ−2−メチル安息香酸;2−(トリフルオロメトキシ)安息香酸;2,3,5−トリクロロ安息香酸;
4−(トリフルオロメチル)安息香酸;ペンタフルオロ安息香酸;2,3,4,5−テトラフルオロ安息香酸、
フッ素化フェニル酢酸または非フッ素化フェニル酢酸、例えば2−フルオロ−フェニル酢酸;3−フルオロ−フェニル酢酸;4−フルオロ−フェニル酢酸;2,3−ジフルオロ−フェニル酢酸;2,4−ジフルオロ−フェニル酢酸;2,6−ジフルオロ−フェニル酢酸;3,4−ジフルオロ−フェニル酢酸;3,5−ジフルオロ−フェニル酢酸;ペンタフルオロ−フェニル酢酸;2−クロロ−6−フルオロ−フェニル酢酸;2−クロロ−3,6−ジフルオロ−フェニル酢酸;3−クロロ−2,6−ジフルオロ−フェニル酢酸;3−クロロ−4−フルオロ−フェニル酢酸;5−クロロ−2−フルオロ−フェニル酢酸;2,3,4−トリフルオロ−フェニル酢酸;2,3,5−トリフルオロ−フェニル酢酸;2,3,6−トリフルオロ−フェニル酢酸;2,4,5−トリフルオロ−フェニル酢酸;2,4,6−トリフルオロ−フェニル酢酸;3,4,5−トルフルオロ−フェニル酢酸;3−クロロ−2−フルオロ−フェニル酢酸;α−フルオロ−フェニル酢酸;4−クロロ−2−フルオロ−フェニル酢酸;2−クロロ−4−フルオロ−フェニル酢酸;α,α−ジフルオロ−フェニル酢酸;エチル2,2−ジフルオロ−2−フェニルアセテート;および
フッ素化酢酸または非フッ素化酢酸、例えばメチル−トリフルオロアセテート;アリル−トリフルオロアセテート;エチル−トリフルオロアセテート;イソプロピル−トリフルオロアセテート;2,2,2−トリフルオロエチル−トリフルオロアセテート;ジフルオロ酢酸;トリフルオロ酢酸;メチル−クロロジフルオロアセテート;エチル−ブロモジフルオロアセテート;クロロジフルオロ酢酸;エチル−クロロフルオロアセテート;エチル−ジフルオロアセテート;(3−クロロフェニル)−ジフルオロ酢酸;(3,5−ジフルオロフェニル)−ジフルオロ酢酸;(4−ブチルフェニル)ジフルオロ酢酸;(4−t−ブチルフェニル)ジフルオロ酢酸;(3,4−ジメチルフェニル)−ジフルオロ酢酸;(3−クロロ−4−フルオロフェニル)−ジフルオロ酢酸;(4−クロロフェニル)−ジフルオロ酢酸;2−ビフェニル−3’,5’−ジフルオロ酢酸;3−ビフェニル−3’,5’−ジフルオロ酢酸;4−ビフェニル−3’,5’−ジフルオロ酢酸;2−ビフェニル−3’,4’−ジフルオロ酢酸;3−ビフェニル−3’,4’−ジフルオロ酢酸;4−ビフェニル−3’,4’−ジフルオロ酢酸;2,2−ジフルオロ−プロピオン酸またはこれらの高級類似体。前記配位子Lが酸基を有する場合には、前記群は、好ましい実施態様において、脱プロトン化されて存在することができる。
この場合、前記構造単位1のCuは、必然的に銅だけを意味するのではなく、Cuは、銅、クロム、モリブデンおよびビスマスならびにこれらの組合せを含む群から選択されている、錯化された金属を表わし、この場合、構造単位2のCrは、必然的にクロムだけを意味するのではなく、Crは、銅、クロム、モリブデンおよびビスマスならびにこれらの組合せを含む群から選択されている、錯化された金属を表わす。殊に、Crは、二価ビスマスを表わす。R1、R2、R3および/またはR4は、同一かまたは異なり、およびそのつど、置換炭化水素基または非置換炭化水素基、置換アルキル基または非置換アルキル基、置換シクロアルキル基または非置換シクロアルキル基、置換ヘテロ環式アルキル基または非置換ヘテロ環式アルキル基、置換アリール基または非置換アリール基、置換ヘテロアリール基または非置換ヘテロアリール基およびこれらの組合せを含む群から選択されている。前記の炭化水素基またはアルキル基は、分枝鎖状、直鎖状または環状であってよい。前記アリール基および/またはヘテロアリール基は、単数の環または複数の環を有することができる。前記環は、縮合されていてよい。これに関連して、“環”とは、例えば、C、S、N、Si、O、Pおよびこれらの組合せを含む群から選択されている、原子の環状結合であるものと解釈することができる。これに関連して、“縮合された”環は、複数の環が少なくとも1個の共通の原子を有することを意味する。すなわち、既に、それらの環が1個の原子だけに結合されているスピロ化合物は、縮合していると言われてもよい。殊に、少なくとも2つの環は、互いに2個の原子を分けている。
M:第1の化合物の構造体要素“金属中心原子”、
KSn:第1の化合物の構造体要素“n個目の自由な配位結合箇所”、
KS1:第1の化合物の構造体要素“第1の自由な配位結合箇所”、
KS2:第1の化合物の構造体要素“第2の自由な配位結合箇所”、
A:第2の化合物の構造体要素“芳香族化合物および/またはヘテロ芳香族化合物”、
FGm:第2の化合物の構造体要素“m個目の官能基”、
FG1:第2の化合物の構造体要素“第1の官能基”、
FG2:第2の化合物の構造体要素“第2の官能基”、および
W:第1の化合物の構造体要素“第1の自由な配位結合箇所”と第2の化合物の構造体要素“第1の官能基”との相互作用。
図式2:例Cu(I)pFBzの第1の化合物と例HAT−CNの第2の化合物との相互作用、
図式3:例Cu(I)pFBzの第1の化合物と例HAT−CNの第2の化合物との相互作用、および例Cu(I)pFBzの第1の化合物と例N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(NPD)のマトリックス材料との相互作用、および
図式4:例Cu(I)pFBzの第1の化合物と例HAT−CNの第2の化合物との相互作用、および例HAT−CNの第2の化合物と例NPDのマトリックス材料との相互作用。前記相互作用は、図式1〜4に示された相互作用、または実施例中に記載された化合物の他の相互作用に限定されるものではない。むしろ、第1の化合物、第2の化合物および/またはマトリックス材料の他の実施例が利用されてもよい。また、第1の化合物、第2の化合物および/またはマトリックス材料を、例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第102007028238号明細書A1および/またはSevryugina et al.,Inorg.Chem.2007,46,7870−7879中に示されているような、異なる受容体強さの2つの芳香族化合物の間の少なくとも1つのπ−π相互作用により相互作用させることが考えられうる。
A)基板の準備、
B)第1の電極の施与、
C)基板上での少なくとも1つの有機機能層または複数の有機機能層の析出、
D)第2の電極の施与
を含み、
前記有機機能層の析出は、第1の化合物、第2の化合物およびマトリックス材料の異なる源からの同時の蒸発によって行なわれる。
V1:Merck社のマトリックス材料HTM−014中の第1の化合物Cu(I)pFBzの比較例
V8:マトリックス材料HTM−014中の第2の化合物HAT−CNの比較例、および
A1:マトリックス材料HTM−014中の、5%の固体割合を有する第1の化合物Cu(I)pFBzおよび変動割合を有する第2の化合物HAT−CNの実施例。
によりもたらされる。
V9:マトリックス材料HTM−014中の10%の割合を有する第2の化合物HAT−CNの比較例、
V10:マトリックス材料HTM−014中の5%の割合を有する第1の化合物Cu(I)pFBzの比較例、
A1:マトリックス材料HTM−014中の5%の割合を有する第1の化合物Cu(I)pFBzおよび10%の割合を有する第2の化合物HAT−CNの実施例、および
V11:マトリックス材料HTM−014中の5%の割合を有する第1の化合物Cu(I)pFBzの比較例。これに関連して、“割合”は、マトリックス材料に対する、第1の化合物または第2の化合物の容量%を表わす。
Cu2O(0.451g,3.15mmol)に(CF3CO)2O 2mlを添加し、続けてベンゼン30mlを添加する。混合物を一晩中、還流下に加熱し、その際に、青色の溶液および若干未反応の出発物質が得られる。この懸濁液を、セライトを用いてろ過し、Cu2Oを除去する。次に、前記の青色の溶液を乾燥するまで蒸発濃縮し、その際に、淡青色の固体が生じる。60℃〜70℃で真空下に10〜15時間作業することにより、所望の生成物が得られる。収率は、64%である。結晶性物質を、粗製固体の昇華によって110℃〜120℃で取得することができる。
そのつど異なる源中に存在する第1の化合物(例えば、Cu(I)pFBz)、第2の化合物(例えば、HAT−CN)およびマトリックス材料(例えば、HTM−014)を、これらのそれぞれの昇華点に熱的に加熱し、その際に、これらの化合物は、同時に蒸発される。この場合、第1の化合物、第2の化合物およびマトリックス材料は、有機機能層として、第1の電極、例えばITO上に施与される。
製造された有機機能層は、第1の電極が施与された、準備された基板、例えばガラス上に析出されることができ、その上に、第2の電極が施与される。
Claims (17)
- − 基板(1)、
− 第1の電極(2)、
− 第2の電極(9)、
− 第1の電極(2)と第2の電極(9)との間に配置されており、かつ
− マトリックス材料、
− 第1の化合物、および
− 第2の化合物を含む、少なくとも1つの有機機能層
を含む光電子素子であって、
前記の第1の化合物と第2の化合物とは相互作用し、および
前記の第1の化合物および/または第2の化合物とマトリックス材料とは相互作用し、および
これらの相互作用により、有機機能層の導電率が生じる、前記光電子素子。 - 前記有機機能層が正孔輸送層、正孔注入層および正孔遮断層を含む群から選択されている、請求項1記載の光電子素子。
- 前記の第1の化合物が次の構造単位または式:
xは、そのつど、a、b、cまたはdを表わし、
R1、R2、R3および/またはR4は、同一かまたは異なり、およびそのつど、置換炭化水素基または非置換炭化水素基、置換アルキル基または非置換アルキル基、置換シクロアルキル基または非置換シクロアルキル基、置換ヘテロ環式アルキル基または非置換ヘテロ環式アルキル基、置換アリール基または非置換アリール基、置換ヘテロアリール基または非置換ヘテロアリール基およびこれらの組合せを含む群から選択されている〕を含む群から選択されており、および
前記の第2の化合物が、ジピラジノ[2,3−f:2’,3’−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル、7,7,8,8−テトラシアノキオノジメタン、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、2,3−ジ(N−フタルイミド)−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノン、ピラジノ[2,3−f][1,10]フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリルおよびこれらのフッ素化誘導体または非フッ素化誘導体ならびにテトラシアノナフトキノジメタンおよびこれらのフッ素化誘導体または非フッ素化誘導体を含む群から選択されている、請求項1または2記載の光電子素子。 - 前記有機機能層の導電率が、第1の化合物とマトリックス材料とだけの相互作用によって生じる第1の導電率と、第2の化合物とマトリックス材料とだけの相互作用によって生じる第2の導電率との総和よりも大きい、請求項1から3までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第1の化合物と第2の化合物および第1の化合物とマトリックス材料および/または第2の化合物とマトリックス材料は、少なくとも1つの配位結合を形成する、請求項1から4までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第1の化合物が、マトリックス材料に対する電子受容体および/または第2の化合物に対する電子受容体である、請求項1から5までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第2の化合物が、マトリックス材料に対する電子受容体および/または第1の化合物に対する電子供与体である、請求項1から6までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第1の化合物、第2の化合物およびマトリックス材料の異なる源からの同時の蒸発によって製造された光電子素子であって、その際に、第3の化合物は、第1の化合物と第2の化合物との錯体形成によって気相中で形成される、請求項1から7までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第1の化合物が少なくとも1個の金属中心原子を有する金属錯体を含む、請求項1から8までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第1の化合物の金属中心原子がCu、Cr、MoおよびBiから選択されている、請求項1から9までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第2の化合物が、配位結合および/またはπ−π相互作用を形成する能力がある、少なくとも2個の官能基を有する、芳香族化合物および/またはヘテロ芳香族化合物を含む、請求項1から10までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記官能基が、アミン、ホスフィン、フェノール、チオール、シアノ、イソシアノ、シアナト、ニトラト、カルボキシラト、フッ素化カルボキシラト、アセチルアセトナト、フッ素化アセチルアセトナト、カルボニル、アミド、イミド、チエニル、フッ素およびこれらの組合せを含む群から選択されている、請求項1から11までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- 前記の第1の化合物が、第2の化合物と一緒になって少なくとも1つの配位結合を形成し、その結果、鎖状構造および/または網状構造が生じる、請求項1から12までのいずれか1項に記載の光電子素子。
- − マトリックス材料、
− 第1の化合物、
− 第2の化合物
を含む有機機能層であって、
前記の第1の化合物が、第2の化合物と一緒になって、少なくとも1つの配位結合により電子供与体・電子受容体の複合体を形成し、および
前記の第1の化合物および/または第2の化合物が、単数の電子受容体として、または複数の電子受容体として、マトリックス材料と相互作用し、および
前記相互作用によって、および前記の電子供与体・電子受容体の複合体によって、有機機能層の導電率が生じる、前記有機機能層。 - 前記有機機能層の導電率が、第1の化合物とマトリックス材料とだけの相互作用によって生じる第1の導電率と、第2の化合物とマトリックス材料とだけの相互作用によって生じる第2の導電率との総和よりも大きい、請求項14記載の有機機能層。
- 前記光電子素子の製造法であって、方法工程:
A)基板(1)の準備、
B)第1の電極(2)の施与、
C)基板上での少なくとも1つの有機機能層または複数の有機機能層の析出、
D)第2の電極(9)の施与
を含み、
前記有機機能層の析出は、第1の化合物および第2の化合物およびマトリックス材料の異なる源からの同時の蒸発によって行なわれる、前記方法。 - 前記の第1の化合物と第2の化合物との相互作用によって、気相中で電子供与体・電子受容体の複合体が形成される、請求項16記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013106949.5A DE102013106949A1 (de) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
DE102013106949.5 | 2013-07-02 | ||
PCT/EP2014/063410 WO2015000763A1 (de) | 2013-07-02 | 2014-06-25 | Optoelektronisches bauelement, organische funktionelle schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016529695A true JP2016529695A (ja) | 2016-09-23 |
Family
ID=50981549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016522469A Ceased JP2016529695A (ja) | 2013-07-02 | 2014-06-25 | 光電子素子、有機機能層および光電子素子の製造法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11038127B2 (ja) |
EP (1) | EP3017488B1 (ja) |
JP (1) | JP2016529695A (ja) |
KR (1) | KR20160027119A (ja) |
CN (2) | CN107170907A (ja) |
DE (1) | DE102013106949A1 (ja) |
WO (1) | WO2015000763A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013106949A1 (de) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
JP6767750B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2020-10-14 | 学校法人近畿大学 | 太陽電池の活性層材 |
CN108258079B (zh) * | 2018-01-18 | 2020-04-17 | 淮南师范学院 | 一种紫外光电探测器及其制备方法 |
CN111333545B (zh) * | 2020-01-09 | 2021-03-26 | 华中科技大学 | 一种3,6-二氧代环己-1,4-二烯-1,2-二腈衍生物、其制备和应用 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005166641A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2011187656A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
JP2012059904A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子及び電荷輸送材料 |
JP2013505565A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機電子デバイス、並びに有機半導体マトリックス材料をドープするためのドーパント |
WO2013057130A1 (de) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches elektronisches bauelement mit dotierstoff, verwendung eines dotierstoffs und verfahren zur herstellung des dotierstoffs |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1131590A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Tdk Corp | 有機el素子 |
TW545080B (en) * | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7956349B2 (en) | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
US7273663B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
DE102007028238A1 (de) | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und organische Leuchtdiode |
DE102007028237A1 (de) | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
DE102009047880A1 (de) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische elektronische Vorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20120193619A1 (en) * | 2009-10-14 | 2012-08-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element and lighting device using same |
DE102010013495A1 (de) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Dotierstoff für eine Lochleiterschicht für organische Halbleiterbauelemente und Verwendung dazu |
DE102011003192B4 (de) | 2011-01-26 | 2015-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102011007052A1 (de) | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verwendung eines Kupferkomplexes als Dotierstoff zum Dotieren einer Schicht |
EP2543671A1 (de) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | cynora GmbH | Querverknüpfung und Stabilisierung von organischen Metallkomplexen in Netzwerken |
DE102012209520A1 (de) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Metallkomplexe als p-Dotanden für organische elektronische Matrixmaterialien |
DE102012209523A1 (de) | 2012-06-06 | 2013-12-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Hauptgruppenmetallkomplexe als p-Dotanden für organische elektronische Matrixmaterialien |
WO2014157433A1 (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
DE102013106949A1 (de) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
-
2013
- 2013-07-02 DE DE102013106949.5A patent/DE102013106949A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-06-25 KR KR1020167002637A patent/KR20160027119A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-06-25 CN CN201710149636.6A patent/CN107170907A/zh active Pending
- 2014-06-25 JP JP2016522469A patent/JP2016529695A/ja not_active Ceased
- 2014-06-25 WO PCT/EP2014/063410 patent/WO2015000763A1/de active Application Filing
- 2014-06-25 CN CN201480038460.1A patent/CN105359293B/zh active Active
- 2014-06-25 US US14/895,486 patent/US11038127B2/en active Active
- 2014-06-25 EP EP14732241.6A patent/EP3017488B1/de active Active
-
2021
- 2021-05-05 US US17/308,839 patent/US20210265577A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005166641A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2013505565A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機電子デバイス、並びに有機半導体マトリックス材料をドープするためのドーパント |
JP2011187656A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 有機電界発光素子、表示装置および照明装置 |
JP2012059904A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子及び電荷輸送材料 |
WO2013057130A1 (de) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches elektronisches bauelement mit dotierstoff, verwendung eines dotierstoffs und verfahren zur herstellung des dotierstoffs |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
PRAJAPATI, J. H.; PATEL, K. R.; DAVE, M. S.; VAIDYA, R. D.; PATEL, S. G.; OZA, A. T.: "Infrared spectra of charge transfer complexes of bis(N-H-salicylaldiminato)CuII", JOURNAL OF THE INDIAN CHEMICAL SOCIETY, vol. (2007), 84(8), JPN7017000734, May 2007 (2007-05-01), pages 750 - 758, ISSN: 0003511597 * |
ROBLES-MARTINEZ, J. G.; SALMERON-VALVERDE, A.; ALONSO, E.; SORIANO, C.; ZEHE, A.: "Charge transfer in organic electron conductors with coordination complexes determined by infrared ab", INORGANICA CHIMICA ACTA, vol. (1991), 179(2), JPN7017000735, 1991, pages 149 - 50, ISSN: 0003511598 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105359293A (zh) | 2016-02-24 |
EP3017488A1 (de) | 2016-05-11 |
DE102013106949A1 (de) | 2015-01-08 |
US20160111662A1 (en) | 2016-04-21 |
EP3017488B1 (de) | 2020-08-19 |
CN105359293B (zh) | 2017-03-22 |
WO2015000763A1 (de) | 2015-01-08 |
US20210265577A1 (en) | 2021-08-26 |
CN107170907A (zh) | 2017-09-15 |
KR20160027119A (ko) | 2016-03-09 |
US11038127B2 (en) | 2021-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111354853B (zh) | 包含掺杂剂材料和多种主体材料的有机电致发光器件 | |
US20210265577A1 (en) | Optoelectronic Component, Organic Functional Layer, and Method for Producing an Optoelectronic Component | |
EP2478576B9 (en) | Organic electronic device and dopant for doping an organic semiconducting matrix material | |
KR101716600B1 (ko) | 유기 반도체 매트릭스 물질을 위한 p형 도펀트로서 금속 착물의 이용,유기 반도체 물질 및 유기 발광 다이오드 | |
KR102067556B1 (ko) | 방향족 아민-터페닐 화합물 및 유기 반전도성 소자에서의 이의 용도 | |
KR101548836B1 (ko) | 광전 소자, 및 전하 생성층 시퀀스에서 구리 착화합물의 용도 | |
KR101645784B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 전하 수송층에서 구리 착화합물의 용도 | |
US20140048785A1 (en) | Optoelectronic component and use of a copper complex as dopant for doping a layer | |
CN112151682B (zh) | 包含空穴阻挡层和电子传输层的有机电致发光器件 | |
CN112467057B (zh) | 有机电致发光器件 | |
CN112582555B (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
KR20180019730A (ko) | 반도전성 물질을 위한 포스페핀 매트릭스 화합물 | |
TW201240977A (en) | Electroactive composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170606 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171010 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180409 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20180827 |